JP2022190136A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. （ａ）表面に第１下地と第２下地とを有する基板に対して第１ガスを供給することで、前記第１下地の表面の少なくとも一部に第１層を形成する工程と、
   （ｂ）前記基板に対して前記第１ガスとは分子構造が異なる第２ガスを供給することで、前記第２ガスと前記第１層とを反応させること、及び、前記第２ガスにより前記第１層を活性化させること、の少なくとも一方にてエッチング種を生成する工程と、
   を交互に行うことで、前記第１下地をエッチングする工程を有し、
   （ｂ）では、前記第１ガスにより除去可能な第２層を、前記エッチング種が接触した後の前記第１下地の表面の少なくとも一部に形成する基板処理方法。
2. （ａ）では、前記第１ガスの分子の少なくとも一部を、前記第１下地の表面の少なくとも一部に物理吸着または化学吸着させて前記第１層を形成する請求項１に記載の基板処理方法。
3. （ａ）では、前記第１ガスの分子の少なくとも一部と、前記第１下地の表面の少なくとも一部の原子または分子と、の化学反応により化合物を生成させて前記第１層を形成する請求項１又は２に記載の基板処理方法。
4. （ｂ）では、前記第２ガスと前記第１層との反応が、前記第２ガスと前記第１下地との反応よりも支配的に生じる条件下で、前記基板に対して前記第２ガスを供給する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
5. （ｂ）では、前記第２ガスと前記第１層との反応が進行し、前記第２ガスと前記第１下地との反応が進行しない条件下で、前記基板に対して前記第２ガスを供給する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
6. （ｂ）では、前記第２ガスによる前記第１層の活性化が、前記第２ガスによる前記第１下地の活性化よりも支配的となる条件下で、前記基板に対して前記第２ガスを供給する請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
7. （ｂ）では、前記第２ガスによる前記第１層の活性化が進行し、前記第２ガスによる前記第１下地の活性化が進行しない条件下で、前記基板に対して前記第２ガスを供給する請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
8. （ｂ）では、前記エッチング種と前記第１下地の少なくとも一部との反応が、前記第２ガスと前記第１下地との反応よりも支配的に生じる条件下で、前記基板に対して前記第２ガスを供給する請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
9. （ｂ）では、前記エッチング種と前記第１下地の少なくとも一部との反応が進行し、前記第２ガスと前記第１下地との反応が進行しない条件下で、前記基板に対して前記第２ガスを供給する請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
10. （ｂ）では、前記第１下地の表面の少なくとも一部を前記エッチング種により除去し、前記表面の少なくとも一部が除去された前記第１下地の表面の少なくとも一部に第２層を形成する請求項１～９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
11. 前記エッチングする工程では、（ａ）および（ｂ）を含むサイクルを複数回行い、
    第２サイクル以降における（ａ）では、前記基板に対して前記第１ガスを供給することで、前記第１ガスと前記第２層とを反応させて前記第２層を除去し、前記第２層が除去された前記第１下地の表面の少なくとも一部に前記第１層を形成する請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記第１下地は、窒素含有膜、遷移金属膜または半導体膜を含む請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
13. 前記エッチングする工程では、前記第２下地に対して前記第１下地を選択的にエッチングする請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
14. 前記第１下地は、窒素含有膜、遷移金属膜または半導体膜を含み、前記第２下地は、酸素含有膜または非遷移金属膜を含む請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記窒素含有膜は、シリコン系窒素含有膜、ボロン系窒素含有膜または金属系窒素含有膜を含む請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記酸素含有膜は、シリコン系酸素含有膜または金属系酸素含有膜を含む請求項１４または１５に記載の基板処理方法。
17. 前記エッチングする工程では、前記第１下地を前記第２下地に対して５：１以上の選択性でエッチングする請求項１３～１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
18. 前記第１ガスは、シリコン含有ガス、金属含有ガス、酸素含有ガス、窒素及び水素含有ガス、ボロン含有ガス、リン含有ガス、ハロゲン含有ガスのうち１つ以上を含み、
    前記第２ガスは、ハロゲン含有ガス、アセチルアセトン系ガスのうち１つ以上を含む請求項１～１７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
19. ノンプラズマの雰囲気下で前記エッチングを行う請求項１～１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
20. 前記第１ガスおよび前記第２ガスのうち少なくともいずれかが単独で存在した場合に、前記第１下地のエッチング反応が継続的に進行しにくい条件下で前記エッチングを行う請求項１～１９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
21. （ａ）表面に第１下地と第２下地とを有する基板に対して第１ガスを供給することで、前記第１下地の表面の少なくとも一部に第１層を形成する工程と、
    （ｂ）前記基板に対して前記第１ガスとは分子構造が異なる第２ガスを供給することで、前記第２ガスと前記第１層とを反応させること、及び、前記第２ガスにより前記第１層を活性化させること、の少なくとも一方にてエッチング種を生成する工程と、
    を交互に行うことで、前記第１下地をエッチングする工程を有し、
    （ｂ）では、前記第１ガスにより除去可能な第２層を、前記エッチング種が接触した後の前記第１下地の表面の少なくとも一部に形成する半導体装置の製造方法。
22. 基板に対して第１ガスを供給する第１ガス供給系と、
    基板に対して前記第１ガスとは分子構造が異なる第２ガスを供給する第２ガス供給系と、
    基板の温度を調整する温度調整器と、
    （ａ）表面に第１下地と第２下地とを有する基板に対して前記第１ガスを供給することで、前記第１下地の表面の少なくとも一部に第１層を形成する処理と、（ｂ）前記基板に対して前記第２ガスを供給することで、前記第２ガスと前記第１層とを反応させること、及び、前記第２ガスにより前記第１層を活性化させること、の少なくとも一方にてエッチング種を生成する処理と、を交互に行うことで、前記第１下地をエッチングする処理を行わせ、（ｂ）において、前記第１ガスにより除去可能な第２層を、前記エッチング種が接触した後の前記第１下地の表面の少なくとも一部に形成するように、前記第１ガス供給系、前記第２ガス供給系、および前記温度調整器を制御することが可能なよう構成される制御部と、
    を有する基板処理装置。
23. （ａ）表面に第１下地と第２下地とを有する基板に対して第１ガスを供給することで、前記第１下地の表面の少なくとも一部に第１層を形成する手順と、
    （ｂ）前記基板に対して前記第１ガスとは分子構造が異なる第２ガスを供給することで、前記第２ガスと前記第１層とを反応させること、及び、前記第２ガスにより前記第１層を活性化させること、の少なくとも一方にてエッチング種を生成する手順と、
    を交互に行うことで、前記第１下地をエッチングする手順と、
    （ｂ）において、前記第１ガスにより除去可能な第２層を、前記エッチング種が接触した後の前記第１下地の表面の少なくとも一部に形成する手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。