JP2024078128A - 処理方法及び処理システム - Google Patents
処理方法及び処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024078128A JP2024078128A JP2022190509A JP2022190509A JP2024078128A JP 2024078128 A JP2024078128 A JP 2024078128A JP 2022190509 A JP2022190509 A JP 2022190509A JP 2022190509 A JP2022190509 A JP 2022190509A JP 2024078128 A JP2024078128 A JP 2024078128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- containing film
- substrate
- processing
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 55
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- -1 ammonium fluorosilicate Chemical compound 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 9
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- BSFODEXXVBBYOC-UHFFFAOYSA-N 8-[4-(dimethylamino)butan-2-ylamino]quinolin-6-ol Chemical compound C1=CN=C2C(NC(CCN(C)C)C)=CC(O)=CC2=C1 BSFODEXXVBBYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板の処理において、窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択的エッチングを適切に行う。【解決手段】酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板において、前記酸素含有膜を選択的にエッチングする処理方法であって、フッ素含有ガス及びヒドラジン系ガスを含む処理ガスを用いて前記酸素含有膜を前記窒素含有膜に対して選択的に変質させ、フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記基板を加熱することで前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を含む。【選択図】図３
Description
本開示は、処理方法及び処理システムに関する。
特許文献１には、処理ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガス及び弗化水素（ＨＦ）ガスを用いたＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ）処理、及びＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を順次施すことで、基板表面に形成された珪素含有膜を選択的に除去することが開示されている。
本開示にかかる技術は、酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板の処理において、窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択的エッチングを適切に行う。
本開示の一態様は、酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板において、前記酸素含有膜を選択的にエッチングする処理方法であって、フッ素含有ガス及びヒドラジン系ガスを含む処理ガスを用いて前記酸素含有膜を前記窒素含有膜に対して選択的に変質させ、フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記基板を加熱することで前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を含む。
本開示によれば、酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板の処理において、窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択的エッチングを適切に行う。
半導体デバイスの製造工程においては、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の表面に形成された酸素含有膜（例えばＳｉＯ膜やＳｉＯ２膜）を、窒素含有膜（例えばＳｉＮ膜）に対して選択的にエッチングすることが行われている。この酸素含有膜の選択的エッチングは、特許文献１にも開示されるように、例えば基板にＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を順次施すことで実現される。
ＣＯＲ処理では、例えば処理ガスとしてＮＨ３ガス及びＨＦガスを用いてエッチング対象の酸素含有膜の表面をフルオロ珪酸アンモニウム（ＡＦＳ）に変質させる。
ＰＨＴ処理では、ＣＯＲ処理で酸素含有膜の表面に形成されたＡＦＳを加熱により昇華させる。
ＰＨＴ処理では、ＣＯＲ処理で酸素含有膜の表面に形成されたＡＦＳを加熱により昇華させる。
ところで、このような酸素含有膜の選択的エッチングでは、更なるエッチング処理の効率化、具体的には酸素含有膜のエッチングレートや窒素含有膜に対する選択比の向上が求められている。通常、エッチング処理におけるエッチングレートは基板Ｗの加熱や雰囲気温度の高温化により向上する傾向があるが、上記した処理ガスとしてのＮＨ３ガスは高温域においてエッチングレートが安定しないという課題があり、すなわち、従来の酸素含有膜の選択的エッチングには改善の余地があった。
本開示にかかる技術は上記事情に鑑みてなされたものであり、酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板の処理において、窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択的エッチングを適切に行う。以下、本実施形態にかかる基板処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜処理システム＞
先ず、一実施形態にかかる処理システムの構成について説明する。
図１に示すように処理システム１は、大気部１０と減圧部３０がロードロックモジュール２０を介して一体に接続された構成を有している。
先ず、一実施形態にかかる処理システムの構成について説明する。
図１に示すように処理システム１は、大気部１０と減圧部３０がロードロックモジュール２０を介して一体に接続された構成を有している。
大気部１０は、複数の基板Ｗを保管可能なフープＦを載置するロードポート１１、減圧部３０における処理後の基板Ｗを冷却するクーリングストレージ１２、基板Ｗの水平方向の向きを調節するアライナモジュール１３、及び大気部１０内で基板Ｗを搬送するためのローダーモジュール１４を有する。
クーリングストレージ１２は、後述の減圧部３０においてＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が施された後の基板Ｗを冷却する。
アライナモジュール１３は、フープＦから搬出され、後述の減圧部３０に搬送する前の基板Ｗの水平方向の向きを調整する。
アライナモジュール１３は、フープＦから搬出され、後述の減圧部３０に搬送する前の基板Ｗの水平方向の向きを調整する。
ローダーモジュール１４は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダーモジュール１４の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば３つのロードポート１１が並設されている。ローダーモジュール１４の筐体の長辺を構成する他側面には、複数、例えば２つのロードロックモジュール２０が並設されている。ローダーモジュール１４の筐体の短辺を構成する一側面には、クーリングストレージ１２が設けられている。ローダーモジュール１４の筐体の短辺を構成する他側面には、アライナモジュール１３が設けられている。
また、ローダーモジュール１４の内部には、基板Ｗを搬送するための基板搬送機構１５が設けられている。基板搬送機構１５は、基板Ｗを保持して移動する搬送アーム１５ａ、１５ａを有し、ロードポート１１に載置されたフープＦ、クーリングストレージ１２、アライナモジュール１３及びロードロックモジュール２０の各々に対して基板Ｗを搬送可能に構成されている。
ロードロックモジュール２０の各々は、大気部１０のローダーモジュール１４から搬送された基板Ｗを、減圧部３０の後述するトランスファモジュール３１に引き渡すため、基板Ｗを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０は、内部に複数、例えば２つのストッカ（図示せず）を有しており、これにより内部に２枚の基板Ｗを同時に保持する。
ロードロックモジュール２０の各々にはガス導入部（図示せず）とガス排出部（図示せず）が接続され、内部を大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。また、ロードロックモジュール２０の各々は、ローダーモジュール１４及び後述するトランスファモジュール３１のそれぞれに対して気密性を確保するためのゲートバルブ（図示せず）を有する。このゲートバルブにより、ローダーモジュール１４及びトランスファモジュール３１との間の気密性の確保と互いの連通を両立する。すなわちロードロックモジュール２０は、大気圧雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部３０との間で、適切に基板Ｗの受け渡しができるように構成されている。
減圧部３０は、２枚の基板Ｗを同時に搬送するトランスファモジュール３１と、トランスファモジュール３１から搬入された基板ＷにＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール３２と、ＣＯＲ処理後の基板ＷにＰＨＴ処理を施すＰＨＴモジュール３３を有する。トランスファモジュール３１、ＣＯＲモジュール３２及びＰＨＴモジュール３３の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持される。また、ＣＯＲモジュール３２及びＰＨＴモジュール３３は、トランスファモジュール３１に対して複数、例えばそれぞれ３つずつ設けられている。
トランスファモジュール３１は内部が矩形の筐体からなり、上述したようにゲートバルブを介してロードロックモジュール２０の各々に接続されている。トランスファモジュール３１は、ロードロックモジュール２０に搬入された基板Ｗを一のＣＯＲモジュール３２、一のＰＨＴモジュール３３に搬送してＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を順次施した後、ロードロックモジュール２０を介して大気部１０に搬出する。
トランスファモジュール３１の内部には、基板Ｗを搬送する基板搬送機構４０が設けられている。基板搬送機構４０は、２枚の基板Ｗを保持して移動する搬送アーム４１、４１と、搬送アーム４１、４１を回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。また、トランスファモジュール３１の内部には、トランスファモジュール３１の長手方向に延伸するガイドレール４４が設けられている。回転載置台４３はガイドレール４４上に設けられ、基板搬送機構４０をガイドレール４４に沿って移動可能に構成されている。
形成装置としてのＣＯＲモジュール３２では、処理対象の基板Ｗの表面に形成された酸素含有膜（例えばＳｉＯ膜やＳｉＯ２膜）と窒素含有膜（例えばＳｉＮ膜）のうち、酸素含有膜の表面を選択的に変質させて、当該表面に反応生成物としてのフルオロ珪酸アンモニウム（ＡＦＳ）層を形成する。
図２に示すようにＣＯＲモジュール３２は、基板Ｗを収容する密閉構造の処理容器１００を備えており、処理容器１００の内部には処理空間Ｓが形成されている。処理容器１００の側面には基板Ｗの搬入出口（図示せず）が設けられ、この搬入出口を介してトランスファモジュール３１の内部と連通されている。搬入出口はゲートバルブ（図示せず）により開閉自在に構成され、これによりトランスファモジュール３１とＣＯＲモジュール３２の間の気密性の確保と互いの連通を両立している。またトランスファモジュール３１には、処理容器１００内で基板Ｗを載置する載置台１１０、処理空間Ｓ内に処理ガスを供給する供給部１２０、及び処理容器１００内の処理ガスを排出する排気部１３０が設けられている。
載置台１１０は処理容器１００の底面に固定して設けられ、上面に基板Ｗを保持する保持面が形成されている。載置台１１０の内部には、保持面上の基板Ｗの温度を調節する温度調節機構１１１が設けられている。
なお、図１に示したようにＣＯＲモジュール３２は、２枚の基板Ｗを水平方向に並べて載置する２つの載置台１１０、１１０を有し、２枚の基板Ｗに対して同時にＣＯＲ処理を実行可能に構成されるが、図示が煩雑になることを抑制する為、図２においては一の載置台１１０のみを示している。
なお、図１に示したようにＣＯＲモジュール３２は、２枚の基板Ｗを水平方向に並べて載置する２つの載置台１１０、１１０を有し、２枚の基板Ｗに対して同時にＣＯＲ処理を実行可能に構成されるが、図示が煩雑になることを抑制する為、図２においては一の載置台１１０のみを示している。
供給部１２０は、処理容器１００の内部に処理ガスとしてのフッ素含有ガス（例えばＨＦガス）、ヒドラジン系ガス（例えばヒドラジンやモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ））、希釈ガス（例えばＡｒガス）、及び不活性ガス（例えばＮ２ガス）をそれぞれ供給する複数のガス供給源１２１と、処理容器１００の天井部に設けられ、処理空間Ｓ内に処理ガスを吐出する複数の吐出口を有するシャワーヘッド１２２とを有している。ガス供給源１２１は、シャワーヘッド１２２に接続された供給管を介して処理容器１００の内部に接続されている。
また供給部１２０には、処理容器１００の内部に対する処理ガスの供給量を調節する流量調節器１２３が設けられている。流量調節器１２３は、例えば開閉弁及びマスフローコントローラを有している。
また供給部１２０には、処理容器１００の内部に対する処理ガスの供給量を調節する流量調節器１２３が設けられている。流量調節器１２３は、例えば開閉弁及びマスフローコントローラを有している。
排気部１３０は、処理容器１００の底部に設けられた排気管を介して、例えば真空ポンプ等の排気機構（図示せず）に接続されている。また排気管には、自動圧力制御弁（ＡＰＣ）が設けられている。これら排気機構と自動圧力制御弁により、処理容器１００内の圧力が制御される。
なお、ＣＯＲモジュール３２には、内部で実行されるＣＯＲ処理の制御を行う制御装置（図示せず）が設けられる。この制御装置は処理システム１に設けられる後述の制御装置５０と共通のものであってもよいし、ＣＯＲモジュール３２に独立して接続されるものであってもよい。
なお、本開示の技術に係るＣＯＲモジュール３２においては、上記したように処理ガスとして還元力の強いヒドラジン系ガスを用いる。かかる観点から、ＣＯＲモジュール３２の内部、特に処理空間Ｓを形成する処理容器１００、シャワーヘッド１２２及び載置台１１０の表面には、ヒドラジン系ガスの影響を防止するための表面処理（コーティング処理や溶射処理）を施すことが必要になる。
除去装置としてのＰＨＴモジュール３３では、上記したＣＯＲモジュール３２において処理対象の基板Ｗの表面に形成されたＡＦＳを加熱により昇華させる。すなわち、本実施形態において処理システム１の減圧部３０では、処理対象の基板Ｗに対してＣＯＲ処理（酸素含有膜に対する選択的なＡＦＳの形成）とＰＨＴ処理（ＡＦＳの昇華）を順次実行することにより、処理対象の基板Ｗの表面に形成された酸素含有膜と窒素含有膜のうち、酸素含有膜を選択的に除去する。
ＰＨＴモジュール３３は、例えば図２に示したＣＯＲモジュール３２と同等の構成を有している。すなわちＰＨＴモジュール３３は、内部に処理空間Ｓが形成された処理容器１００と、処理容器１００内で基板Ｗを載置する載置台１１０と、処理容器１００内に処理ガスを供給する供給部１２０と、処理容器１００内の処理ガスを排出する排気部１３０と、を備えている。
また、図１に示したように、ＰＨＴモジュール３３には２枚の基板Ｗを水平方向に並べて載置する２つの載置台１１０、１１０が設けられ、２枚の基板Ｗに対して同時にＰＨＴ処理を実行可能に構成される。
また、図１に示したように、ＰＨＴモジュール３３には２枚の基板Ｗを水平方向に並べて載置する２つの載置台１１０、１１０が設けられ、２枚の基板Ｗに対して同時にＰＨＴ処理を実行可能に構成される。
なお、このようにＣＯＲモジュール３２とＰＨＴモジュール３３は一例において同様の構成を有するため、ＰＨＴ処理は、ＣＯＲモジュール３２において行われてもよい。換言すれば、ＣＯＲモジュール３２とＰＨＴモジュール３３を一体に構成し、同一の基板処理モジュール（図示せず）の内部において、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理とを行うようにしてもよい。すなわち、本開示に係る技術においては、形成装置としてのＣＯＲモジュール３２と除去装置としてのＰＨＴモジュール３３を一体に構成してもよい。
以上の処理システム１には、制御装置５０が設けられている。制御装置５０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、処理システム１における基板Ｗの処理や搬送を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置５０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
本実施形態に係る処理システム１は、一例として以上のように構成されるが、処理システムの構成はこれに限定されるものではない。
例えば、上記したように、本実施形態においては処理システム１の内部において２枚の基板Ｗを同時に処理、搬送可能に構成したが、基板Ｗの処理、搬送を枚葉で（１枚ずつ）行うように構成してもよいし、又は３枚以上の基板Ｗを同時に処理、搬送可能に構成してもよい。
例えば、上記したように、本実施形態においては処理システム１の内部において２枚の基板Ｗを同時に処理、搬送可能に構成したが、基板Ｗの処理、搬送を枚葉で（１枚ずつ）行うように構成してもよいし、又は３枚以上の基板Ｗを同時に処理、搬送可能に構成してもよい。
＜処理方法＞
続いて、以上のように構成された処理システム１の減圧部３０を用いて行われる基板Ｗの処理方法、すなわち、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理の詳細について説明する。
処理システム１で処理される基板Ｗの表面には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理に先立って、上記した酸素含有膜（以下の説明においては一例としてＳｉＯ膜）と窒素含有膜（以下の説明においては一例としてＳｉＮ膜）が予め形成されている。
続いて、以上のように構成された処理システム１の減圧部３０を用いて行われる基板Ｗの処理方法、すなわち、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理の詳細について説明する。
処理システム１で処理される基板Ｗの表面には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理に先立って、上記した酸素含有膜（以下の説明においては一例としてＳｉＯ膜）と窒素含有膜（以下の説明においては一例としてＳｉＮ膜）が予め形成されている。
ＣＯＲモジュール３２におけるＣＯＲ処理では、処理対象の基板Ｗの表面に形成されたＳｉＯ膜の表面を変質させ、当該ＳｉＯ膜の表面にＡＦＳ層を形成する。
本実施形態に係るＣＯＲ処理に際しては、先ず、処理対象の基板ＷをＣＯＲモジュール３２の載置台１１０に載置する。次に、密閉された処理容器１００の内部に希釈ガス（Ａｒガス）及び不活性ガス（Ｎ２ガス）を供給し、処理容器１００内の圧力を例えば３００ｍＴｏｒｒ～３０Ｔｏｒｒ、載置台１１０上の基板Ｗの温度を例えば０℃～１５０℃、好ましくは３０℃～１２０℃に制御する。
処理空間Ｓの内部圧力、及び基板Ｗの温度が所望の状態になると、続いて、処理空間Ｓにフッ素含有ガス（本実施形態においてはＨＦガス）、及びヒドラジン系ガス（本実施形態においてはＭＭＨガス）を更に供給する。この時、処理空間Ｓ内に供給されるＨＦガス及びＭＭＨガスの流量を、例えばそれぞれ５０～５００ｓｃｃｍに、Ａｒガス及びＮ２ガスの流量を、例えばそれぞれ１００ｓｃｃｍ～６００ｓｃｃｍに制御する。そして、このように処理空間Ｓに供給したＨＦガス及びＭＭＨガスを、基板Ｗの表面に形成されたＳｉＯ膜に作用させることで、ＳｉＯ膜の表層に反応生成物であるＡＦＳ層を形成する。
ＣＯＲ処理によりＳｉＯ膜が変質されＡＦＳ層が形成されると、続いて、ＰＨＴモジュール３３を用いてＡＦＳ層を昇華により除去する。
本実施形態にかかるＰＨＴ処理に際しては、先ず、ＣＯＲ処理が施された基板ＷをＰＨＴモジュール３３の載置台１１０に載置する。次に、密閉された処理容器１００の内部に不活性ガス（Ｎ２ガス）を供給するととともに、載置台１１０上の基板Ｗを例えば８５℃以上に制御する。ＣＯＲ処理により形成された反応生成物であるＡＦＳは、熱により昇華するため、このように基板Ｗの温度を上昇させることにより、ＣＯＲ処理で形成されたＡＦＳ層、すなわち変質されたＳｉＯ膜を昇華させて除去できる。昇華したＡＦＳは、例えば不活性ガス（Ｎ２ガス）と共に排気部１３０において回収される。
なお、ＣＯＲモジュール３２におけるＳｉＯ膜の変質（ＡＦＳ層の形成）及びＰＨＴモジュール３３におけるＳｉＯ膜の除去（ＡＦＳ層の昇華）は、基板Ｗ上に形成されたＳｉＯ膜に所望の除去（エッチング）量が得られるまで、交互に繰り返し行われてもよい。
そして、このようにして基板Ｗに形成されたＳｉＯ膜に所望の除去（エッチング）量が得られると、本実施形態に係る一連のＳｉＯ膜（酸素含有膜）の選択的エッチングが終了する。
そして、このようにして基板Ｗに形成されたＳｉＯ膜に所望の除去（エッチング）量が得られると、本実施形態に係る一連のＳｉＯ膜（酸素含有膜）の選択的エッチングが終了する。
＜本実施形態にかかる基板処理方法の作用効果＞
図３は、ＣＯＲ処理における処理ガスとしてモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスをそれぞれ使用した場合における、処理時間と酸素含有膜（ＳｉＯ膜）のエッチング量（ＥＡ：Ｅｔｃｈｉｎｇ Ａｍｏｕｎｔ）の関係を、ＣＯＲ処理時の基板Ｗの温度毎に示したグラフである。
また図４は、処理ガスとしてモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスをそれぞれ使用した場合における、処理時間と窒素含有膜（ＳｉＮ膜）のエッチング量（ＥＡ）の関係を、ＣＯＲ処理時の基板Ｗの温度毎に示したグラフである。
なお、ここで言うエッチング量（ＥＡ）とは、ＣＯＲ処理における酸素含有膜（ＳｉＯ膜）又は窒素含有膜（ＳｉＮ膜）の変質量（ＡＦＳ層の形成量）と換言できる。
図３は、ＣＯＲ処理における処理ガスとしてモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスをそれぞれ使用した場合における、処理時間と酸素含有膜（ＳｉＯ膜）のエッチング量（ＥＡ：Ｅｔｃｈｉｎｇ Ａｍｏｕｎｔ）の関係を、ＣＯＲ処理時の基板Ｗの温度毎に示したグラフである。
また図４は、処理ガスとしてモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスをそれぞれ使用した場合における、処理時間と窒素含有膜（ＳｉＮ膜）のエッチング量（ＥＡ）の関係を、ＣＯＲ処理時の基板Ｗの温度毎に示したグラフである。
なお、ここで言うエッチング量（ＥＡ）とは、ＣＯＲ処理における酸素含有膜（ＳｉＯ膜）又は窒素含有膜（ＳｉＮ膜）の変質量（ＡＦＳ層の形成量）と換言できる。
図３に示すように、ＣＯＲ処理においてＭＭＨガスを使用した場合、ＮＨ３ガスを使用した場合と比較してＳｉＯ膜のエッチング量が大きいことがわかる。すなわち、ＭＭＨガスを使用することで、ＮＨ３ガスを使用する場合と比較してＳｉＯ膜のエッチングレートを向上できることを知見した。
これは、図５に示すように、ＮＨ３ガス（図中の（１））と比較してＭＭＨガス（図中の（２））のＡＦＳの形成力ΔＧ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］（図５の例ではギブス自由エネルギーを示すΔＧの絶対値）が大きいことに起因する。
これは、図５に示すように、ＮＨ３ガス（図中の（１））と比較してＭＭＨガス（図中の（２））のＡＦＳの形成力ΔＧ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］（図５の例ではギブス自由エネルギーを示すΔＧの絶対値）が大きいことに起因する。
一方、図４に示すように、ＣＯＲ処理においてＭＭＨガスを使用した場合、ＮＨ３ガスを使用した場合と比較してＳｉＮ膜のエッチング量が小さいことがわかる。すなわち、ＭＭＨガスを使用することで、図３に示したＳｉＯ膜のエッチングレートの向上と合わせて、ＮＨ３ガスを使用する場合と比較してＳｉＯ膜のエッチング選択比を向上できることを知見した。
これは、ＭＭＨガスはＮＨ３ガスと比較してシリコンの窒化力が大きく、これによりＳｉＮ膜の消耗を低減できることに起因すると考えられる。本発明者らの検討の結果、ＭＭＨガスはＮＨ３ガスと比較して約２倍の窒化力を有することがわかっている。
これは、ＭＭＨガスはＮＨ３ガスと比較してシリコンの窒化力が大きく、これによりＳｉＮ膜の消耗を低減できることに起因すると考えられる。本発明者らの検討の結果、ＭＭＨガスはＮＨ３ガスと比較して約２倍の窒化力を有することがわかっている。
また、図３及び図４に示すように、特に高温環境下（図示の例では１２０℃）でＣＯＲ処理を行った場合において、ＮＨ３ガスを使用する場合には処理時間に対するエッチング量が安定していない（エッチング量が不規則に変化する場合がある）のに対し、ＭＭＨガスを使用する場合にはエッチング量が安定している（エッチング量が線形的に変化する）ことがわかる。
これは、ＮＨ３ガスと比較してＭＭＨガスの吸着力が大きいことに起因すると考えられる。上記したように、本実施形態に係るＳｉＯ膜のエッチングはドライプロセスであるため、処理ガスの吸着力が重要になる。このため、ＮＨ３ガスと比較して吸着力の大きいＭＭＨガスを使用することで、ＳｉＯ膜のエッチングプロセスを温度に依らず安定して進行させることができる。
これは、ＮＨ３ガスと比較してＭＭＨガスの吸着力が大きいことに起因すると考えられる。上記したように、本実施形態に係るＳｉＯ膜のエッチングはドライプロセスであるため、処理ガスの吸着力が重要になる。このため、ＮＨ３ガスと比較して吸着力の大きいＭＭＨガスを使用することで、ＳｉＯ膜のエッチングプロセスを温度に依らず安定して進行させることができる。
以上、図３及び図４に示す結果から分かるように、基板Ｗに対するＣＯＲ処理に際して、従来の選択的エッチングにおいて主として用いられていたアンモニア（ＮＨ３）ガスに代えてヒドラジン系ガス（上記実施形態においてはＭＭＨガス）を使用することで、窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択的エッチングを適切に行うことができる。
具体的には、上記したようにエッチング処理に係る酸素含有膜のエッチングレート、及び窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択比を向上させることができる。
具体的には、上記したようにエッチング処理に係る酸素含有膜のエッチングレート、及び窒素含有膜に対する酸素含有膜の選択比を向上させることができる。
図６は、ＣＯＲ処理における処理ガスとしてモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスを使用した場合（実施例）と、アンモニア（ＮＨ３）ガスを使用した場合（比較例）の、それぞれの場合におけるエッチング量（ＥＡ）及び選択比（Ｓｅｌｅ．）を示す表である。
図６に示すように、処理ガスとしてＮＨ３ガスを使用した比較例においては、窒素含有膜（ＳｉＮ膜）に対する酸素含有膜（ＳｉＯ膜）のエッチング量の選択比は、基板Ｗの温度５０℃、８０℃、１２０℃のそれぞれにおいて１．６、０．８５、０．８３となった。
これに対し、処理ガスとしてＭＭＨガスを使用した実施例においては、窒素含有膜（ＳｉＮ膜）に対する酸素含有膜（ＳｉＯ膜）のエッチング量の選択比は、基板Ｗの温度５０℃、８０℃、１２０℃のそれぞれにおいて３０．０、２０．０、１０．０となり、比較例に対して大きく選択比が向上した。
これに対し、処理ガスとしてＭＭＨガスを使用した実施例においては、窒素含有膜（ＳｉＮ膜）に対する酸素含有膜（ＳｉＯ膜）のエッチング量の選択比は、基板Ｗの温度５０℃、８０℃、１２０℃のそれぞれにおいて３０．０、２０．０、１０．０となり、比較例に対して大きく選択比が向上した。
また図６に示したように、処理ガスとしてＭＭＨガスを使用した実施例においては、基板Ｗの温度８０℃、１２０℃においてはエッチング処理時間を短くしている。具体的にはＮＨ３ガスを使用した場合、及び、ＭＭＨガスを使用して基板Ｗの温度を５０℃とした場合においてはエッチング処理時間を３００秒としたのに対し、基板Ｗの温度８０℃とした場合においてはエッチング処理時間を６０秒、基板Ｗの温度１２０℃とした場合においてはエッチング処理時間を１５秒としており、かかる場合であっても酸素含有膜のエッチング量を適切に確保することができている。
すなわち、短時間でのエッチング処理でもＮＨ３ガスを使用した場合と比較して酸素含有膜のエッチング量（エッチングレート）が大きくなり、エッチング処理時間を長くすることで酸素含有膜のエッチング量、及び選択比は更に向上できることがわかる。
すなわち、短時間でのエッチング処理でもＮＨ３ガスを使用した場合と比較して酸素含有膜のエッチング量（エッチングレート）が大きくなり、エッチング処理時間を長くすることで酸素含有膜のエッチング量、及び選択比は更に向上できることがわかる。
また本実施形態によれば、上記したように酸素含有膜のエッチングレートが処理時間に対して線形的に変化するため、基板Ｗに対するエッチング処理結果を安定化することができる。換言すれば、処理時間を制御することで酸素含有膜に対して所望のエッチング量を容易に得ることができる。
更に本実施形態によれば、温度に依らず特に高温環境化においても適切に酸素含有膜のエッチングを実行できる。
更に本実施形態によれば、温度に依らず特に高温環境化においても適切に酸素含有膜のエッチングを実行できる。
また、一般的にヒドラジン系ガスは反応性が強く、例えばシラン系ガスや金属含有ガスと同時に使用されることによりパーティクルの発生の原因となることが知られている。
この点、本願発明に係るＣＯＲ処理においてヒドラジン系ガスと同時に使用される処理ガスはフッ素含有ガス（上記実施形態においてはＨＦガス）であり、且つ比較的低温で実施するため、上記したシラン系ガスや金属含有ガスのようなパーティクルを発生する反応が抑制される。
この点、本願発明に係るＣＯＲ処理においてヒドラジン系ガスと同時に使用される処理ガスはフッ素含有ガス（上記実施形態においてはＨＦガス）であり、且つ比較的低温で実施するため、上記したシラン系ガスや金属含有ガスのようなパーティクルを発生する反応が抑制される。
なお、以上の実施形態においては、上記したように酸素含有膜がＳｉＯ膜、窒素含有膜がＳｉＮ膜である場合を例に説明を行ったが、基板Ｗに形成される酸素含有膜及び窒素含有膜の種類はこれに限定されるものではない。
具体的には、非エッチング対象の窒素含有膜としては、例えばＳｉＮ膜に代えてＴｉＮやＴａＮなどの金属窒化膜等が基板Ｗに形成されていてもよい。
具体的には、非エッチング対象の窒素含有膜としては、例えばＳｉＮ膜に代えてＴｉＮやＴａＮなどの金属窒化膜等が基板Ｗに形成されていてもよい。
また、以上の実施形態においては、上記したようにＣＯＲ処理に用いる処理ガスとしてＨＦガス及びＭＭＨガスを使用したが、ＣＯＲ処理に用いられる処理ガスの種類もこれに限定されるものではない。
具体的には、ＣＯＲ処理に用いられるヒドラジン系ガスとしては、例えばモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスに代えてヒドラジンガスやジメチルヒドラジンガス等を使用してもよい。
具体的には、ＣＯＲ処理に用いられるヒドラジン系ガスとしては、例えばモノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）ガスに代えてヒドラジンガスやジメチルヒドラジンガス等を使用してもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板において、前記酸素含有膜を選択的にエッチングする処理方法であって、フッ素含有ガス及びヒドラジン系ガスを含む処理ガスを用いて前記酸素含有膜を前記窒素含有膜に対して選択的に変質させ、フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記基板を加熱することで前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を含む、処理方法。
（２）前記ヒドラジン系ガスはヒドラジン、モノメチルヒドラジン及びジメチルヒドラジンから選択される少なくとも１種のガスを含む、前記（１）に記載の処理方法。
（３）前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程において、前記基板温度を３０℃～１２０℃に制御する、前記（１）又は前記（２）に記載の処理方法。
（４）前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を交互に繰り返し行う、前記（１）～前記（３）のいずれかに記載の処理方法。
（２）前記ヒドラジン系ガスはヒドラジン、モノメチルヒドラジン及びジメチルヒドラジンから選択される少なくとも１種のガスを含む、前記（１）に記載の処理方法。
（３）前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程において、前記基板温度を３０℃～１２０℃に制御する、前記（１）又は前記（２）に記載の処理方法。
（４）前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を交互に繰り返し行う、前記（１）～前記（３）のいずれかに記載の処理方法。
（５）酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板を処理する処理システムであって、フルオロ珪酸アンモニウム層の形成装置と、前記フルオロ珪酸アンモニウム層の除去装置と、制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記形成装置において、フッ素含有ガス及びヒドラジン系ガスを含む処理ガスを用いて前記酸素含有膜を前記窒素含有膜に対して選択的に変質させ、前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記除去装置において、前記基板を加熱することで前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を実行するように、前記形成装置及び前記除去装置を制御する、処理システム。
（６）前記ヒドラジン系ガスはヒドラジン、モノメチルヒドラジン及びジメチルヒドラジンから選択される少なくとも１種のガスを含む、前記（５）に記載の処理システム。
（７）前記形成装置は、前記基板を載置する載置面を有する載置台と、前記載置面上の基板を加熱する加熱機構と、を備え、前記制御装置は、前記フルオロ珪酸アンモニウム層の形成に際して、前記基板温度が３０℃～１２０℃となるように、前記加熱機構を制御する、前記（５）又は前記（６）に記載の処理システム。
（８）前記形成装置と前記除去装置を一体に構成する、前記（５）～前記（７）のいずれかに記載の処理システム。
（６）前記ヒドラジン系ガスはヒドラジン、モノメチルヒドラジン及びジメチルヒドラジンから選択される少なくとも１種のガスを含む、前記（５）に記載の処理システム。
（７）前記形成装置は、前記基板を載置する載置面を有する載置台と、前記載置面上の基板を加熱する加熱機構と、を備え、前記制御装置は、前記フルオロ珪酸アンモニウム層の形成に際して、前記基板温度が３０℃～１２０℃となるように、前記加熱機構を制御する、前記（５）又は前記（６）に記載の処理システム。
（８）前記形成装置と前記除去装置を一体に構成する、前記（５）～前記（７）のいずれかに記載の処理システム。
１ 処理システム
３２ ＣＯＲモジュール
３３ ＰＨＴモジュール
５０ 制御装置
ＡＦＳ フルオロ珪酸アンモニウム
Ｗ 基板
３２ ＣＯＲモジュール
３３ ＰＨＴモジュール
５０ 制御装置
ＡＦＳ フルオロ珪酸アンモニウム
Ｗ 基板
Claims (8)
- 酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板において、前記酸素含有膜を選択的にエッチングする処理方法であって、
フッ素含有ガス及びヒドラジン系ガスを含む処理ガスを用いて前記酸素含有膜を前記窒素含有膜に対して選択的に変質させ、フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、
前記基板を加熱することで前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を含む、処理方法。 - 前記ヒドラジン系ガスはヒドラジン、モノメチルヒドラジン及びジメチルヒドラジンから選択される少なくとも１種のガスを含む、請求項１に記載の処理方法。
- 前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程において、前記基板の温度を３０℃～１２０℃に制御する、請求項１又は２に記載の処理方法。
- 前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を交互に繰り返し行う、請求項１又は２に記載の処理方法。
- 酸素含有膜と窒素含有膜が表面に形成された基板を処理する処理システムであって、
フルオロ珪酸アンモニウム層の形成装置と、
前記フルオロ珪酸アンモニウム層の除去装置と、
制御装置と、を有し、
前記制御装置は、
前記形成装置において、フッ素含有ガス及びヒドラジン系ガスを含む処理ガスを用いて前記酸素含有膜を前記窒素含有膜に対して選択的に変質させ、前記フルオロ珪酸アンモニウム層を形成する工程と、
前記除去装置において、前記基板を加熱することで前記フルオロ珪酸アンモニウム層を除去する工程と、を実行するように、前記形成装置及び前記除去装置を制御する、処理システム。 - 前記ヒドラジン系ガスはヒドラジン、モノメチルヒドラジン及びジメチルヒドラジンから選択される少なくとも１種のガスを含む、請求項５に記載の処理システム。
- 前記形成装置は、
前記基板を載置する載置面を有する載置台と、
前記載置面上の基板を加熱する加熱機構と、を備え、
前記制御装置は、
前記フルオロ珪酸アンモニウム層の形成に際して、前記基板の温度が３０℃～１２０℃となるように、前記加熱機構を制御する、請求項５又は６に記載の処理システム。 - 前記形成装置と前記除去装置を一体に構成する、請求項５又は６に記載の処理システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022190509A JP2024078128A (ja) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | 処理方法及び処理システム |
| PCT/JP2023/041243 WO2024116868A1 (ja) | 2022-11-29 | 2023-11-16 | 処理方法及び処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022190509A JP2024078128A (ja) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | 処理方法及び処理システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024078128A true JP2024078128A (ja) | 2024-06-10 |
Family
ID=91323576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022190509A Pending JP2024078128A (ja) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | 処理方法及び処理システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024078128A (ja) |
| WO (1) | WO2024116868A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021153141A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP7174016B2 (ja) * | 2020-07-16 | 2022-11-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| TW202303749A (zh) * | 2021-05-20 | 2023-01-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
-
2022
- 2022-11-29 JP JP2022190509A patent/JP2024078128A/ja active Pending
-
2023
- 2023-11-16 WO PCT/JP2023/041243 patent/WO2024116868A1/ja unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024116868A1 (ja) | 2024-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI381432B (zh) | A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium | |
| US7910497B2 (en) | Method of forming dielectric layers on a substrate and apparatus therefor | |
| TWI686843B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| TWI727023B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP5809144B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP4762998B2 (ja) | 処理方法及び記録媒体 | |
| CN108352309B (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
| JP5881612B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| US11967499B2 (en) | Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| JP7362258B2 (ja) | 基板処理方法及び成膜システム | |
| US20180061657A1 (en) | Substrate Processing Method | |
| WO2014208365A2 (ja) | エッチング方法及び記録媒体 | |
| TWI756425B (zh) | 蝕刻方法 | |
| US20220186362A1 (en) | Film formation method and film formation device | |
| WO2024116868A1 (ja) | 処理方法及び処理システム | |
| JP4976002B2 (ja) | 基板処理装置，基板処理方法及び記録媒体 | |
| CN116918034A (zh) | 用以改善装置效能的处理 | |
| US11548804B2 (en) | Method and apparatus for processing oxygen-containing workpiece | |
| US20210332477A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| KR102590738B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| US20210193468A1 (en) | Treatments To Improve Device Performance | |
| US20230223270A1 (en) | Etching method and etching device | |
| CN118231244A (zh) | 蚀刻方法和蚀刻设备 |