JP2022136650A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】記録品質の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ディスク装置は、磁気記録層を有するディスク状の記録媒体１２と、主磁極と、主磁極にライトギャップを置いて対向し主磁極とともに磁気コアを構成するライトシールド磁極と、磁気コアに磁束を励起するコイルと、ライトギャップ内で主磁極とライトシールド磁極との間に設けられたスピントルク発振子と、を有する記録ヘッドと、コントローラ９０と、を備えている。コントローラは、コイルに記録電流を印加する記録電流供給回路９１と、スピントルク発振子に駆動電流を供給する駆動電流供給回路９３と、スピントルク発振子に通電した状態で記録電流を増大させながらスピントルク発振子の抵抗値の変化を監視し、前記抵抗値が最も大きく増大する時の記録電流値を検出する処理と、前記検出した記録電流値を前記コイルに供給する記録電流の下限値に設定する処理とを実行する。【選択図】図１
Description
この発明の実施形態は、磁気ディスク装置に関する。
近年、磁気ディスク装置において、高記録密度化、大容量化あるいは小型化を図るため、垂直磁気記録用の磁気ヘッドが提案されている。このような磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドは、垂直方向磁界を発生させる主磁極と、主磁極にライトギャップを挟んで対向配置されたライトシールド磁極と、主磁極に磁束を流すためのコイルとを有している。また、ライトシールド磁極と主磁極との間のライトギャップに高周波発振子、例えば、スピントルク発振子、を設け、スピントルク発振子から高周波磁界を印加する高周波アシストヘッドが提案されている。
スピントルク発振子の発振は、発振子に印加されるギャップ磁界（主磁極とライトシールド磁極との間の磁界）と、スピントルク発振子に通電させることで生じるスピン偏極した電子（以降、スピン注入力）と、が釣り合うことによって、発振子の磁化が固有振動周期で回転することで起こる。
スピントルク発振子の発振は、発振子に印加されるギャップ磁界（主磁極とライトシールド磁極との間の磁界）と、スピントルク発振子に通電させることで生じるスピン偏極した電子（以降、スピン注入力）と、が釣り合うことによって、発振子の磁化が固有振動周期で回転することで起こる。
磁気ヘッドは、製造プロセス時に主磁極先端の形状（例えば、主磁極のトラック幅）にばらつきが生じる。このばらつきはギャップ磁界の大きさにも影響するため、磁気ヘッドによって高周波発振子の発振状況がばらつく場合がある。
この発明の実施形態の課題は、安定して高周波磁界を発生させ記録品位の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置を提供することにある。
この発明の実施形態の課題は、安定して高周波磁界を発生させ記録品位の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置を提供することにある。
実施形態によれば、磁気ディスク装置は、磁気記録層を有するディスク状の記録媒体と、前記磁気記録層に対して記録磁界を発生する主磁極と、前記主磁極にライトギャップを置いて対向し、前記主磁極とともに磁気コアを構成するライトシールド磁極と、前記磁気コアに磁束を励起するコイルと、前記ライトギャップ内で前記主磁極と前記ライトシールド磁極との間に設けられたスピントルク発振子と、を有する記録ヘッドと、前記コイルに記録電流を印加する記録電流供給回路と、前記スピントルク発振子に駆動電流を供給する駆動電流供給回路と、前記スピントルク発振子に通電した状態で前記記録電流を増大させながら前記スピントルク発振子の抵抗値の変化を監視し、前記抵抗値が最も大きく増大する時の記録電流値を検出する処理と、前記検出した記録電流値を前記コイルに供給する記録電流の下限値に設定する処理とを実行するコントローラと、を備えている。
以下図面を参照しながら、実施形態に係る磁気ディスク装置ついて説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略あるいは簡略化することがある。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略あるいは簡略化することがある。
（第１実施形態）
磁気ディスク装置として、第１実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）について詳細に説明する。図１は、第１実施形態に係るＨＤＤを概略的に示すブロック図、図２は、浮上状態の磁気ヘッドおよび磁気ディスクを示す側面図である。
図１に示すように、ＨＤＤ１０は、矩形状の筐体１１と、筐体１１内に配設された記録媒体としての磁気ディスク１２と、磁気ディスク１２を支持および回転するスピンドルモータ２１と、磁気ディスク１２に対してデータの書込み（ライト）、読出し（リード）を行う複数の磁気ヘッド１６と、を備えている。ＨＤＤ１０は、磁気ヘッド１６を磁気ディスク１２上の任意のトラック上に移動するとともに位置決めするヘッドアクチュエータ１８を備えている。ヘッドアクチュエータ１８は、磁気ヘッド１６を移動可能に支持するキャリッジアッセンブリ２０と、このキャリッジアッセンブリ２０を回動させるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２とを含んでいる。キャリッジアッセンブリ２０は、筐体１１に回動自在に固定された軸受部２４と、軸受部２４から延出した複数のサスペンション２６と、を有している。
磁気ディスク装置として、第１実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）について詳細に説明する。図１は、第１実施形態に係るＨＤＤを概略的に示すブロック図、図２は、浮上状態の磁気ヘッドおよび磁気ディスクを示す側面図である。
図１に示すように、ＨＤＤ１０は、矩形状の筐体１１と、筐体１１内に配設された記録媒体としての磁気ディスク１２と、磁気ディスク１２を支持および回転するスピンドルモータ２１と、磁気ディスク１２に対してデータの書込み（ライト）、読出し（リード）を行う複数の磁気ヘッド１６と、を備えている。ＨＤＤ１０は、磁気ヘッド１６を磁気ディスク１２上の任意のトラック上に移動するとともに位置決めするヘッドアクチュエータ１８を備えている。ヘッドアクチュエータ１８は、磁気ヘッド１６を移動可能に支持するキャリッジアッセンブリ２０と、このキャリッジアッセンブリ２０を回動させるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２とを含んでいる。キャリッジアッセンブリ２０は、筐体１１に回動自在に固定された軸受部２４と、軸受部２４から延出した複数のサスペンション２６と、を有している。
ＨＤＤ１０は、磁気ヘッド１６を駆動するヘッドアンプＩＣ３０と、メインコントローラ９０と、ドライバＩＣ９２と、を備えている。ヘッドアンプＩＣ３０は、例えば、キャリッジアッセンブリ２０に設けられ、磁気ヘッド１６に電気的に接続されている。ヘッドアンプＩＣ３０は、磁気ヘッド１６の記録コイルに記録電流を供給する記録電流供給回路（記録電流供給部）９１と、後述するスピントルク発振子（ＳＴＯ）に駆動電流を供給するためのＳＴＯ駆動電流供給回路（ＳＴＯ電流供給部）９３と、を備えている。本実施形態において、ヘッドアンプＩＣ３０およびメインコントローラ９０は、ＨＤＤ１０のコントローラを構成している。
メインコントローラ９０およびドライバＩＣ９２は、例えば、筐体１１の背面側に設けられた図示しない制御回路基板に構成されている。
メインコントローラ９０およびドライバＩＣ９２は、例えば、筐体１１の背面側に設けられた図示しない制御回路基板に構成されている。
メインコントローラ９０は、Ｒ／Ｗチャネル９４と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）９６と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）９７と、を備えている。メインコントローラ９０において、例えば、ＭＰＵ９７は、スピントルク発振子の抵抗値を監視および演算する処理と、抵抗値が最も増大するときの記録電流値、すなわち、スピントルク発振子の発振開始記録電流に相当する記録電流値、を記録電流の下限値に設定する処理と、を実行する。設定された下限値は、メモリ８０に格納される。
メインコントローラ９０は、ヘッドアンプＩＣ３０を介して磁気ヘッド１６に電気的に接続されている。メインコントローラ９０は、ドライバＩＣ９２を介して、ＶＣＭ２２及びスピンドルモータ２１に電気的に接続されている。ＨＤＣ９６は、ホストコンピュータ９５に接続可能である。
メインコントローラ９０は、ヘッドアンプＩＣ３０を介して磁気ヘッド１６に電気的に接続されている。メインコントローラ９０は、ドライバＩＣ９２を介して、ＶＣＭ２２及びスピンドルモータ２１に電気的に接続されている。ＨＤＣ９６は、ホストコンピュータ９５に接続可能である。
図１および図２に示すように、磁気ディスク１２は、垂直磁気記録媒体として構成されている。磁気ディスク１２は、例えば、直径約２．５インチ（６．３５ｃｍ）の円板状に形成され非磁性体からなる基板１０１を有している。基板１０１の各表面には、下地層として軟磁気特性を示す材料からなる軟磁性層１０２と、その上層部に、磁気ディスク１２の表面に対して垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁気記録層１０３と、保護膜１０４とが順次積層されている。磁気ディスク１２は、スピンドルモータ２１のハブに互いに同軸的に嵌合されている。磁気ディスク１２は、スピンドルモータ２１により所定の速度で矢印Ｂ方向に回転される。
図２に示すように、磁気ヘッド１６は、各サスペンション２６の延出端に支持されている。磁気ヘッド１６は、キャリッジアッセンブリ２０に設けられた配線部材（フレクシャ）２８を介して、ヘッドアンプＩＣ３０に電気的に接続されている。
磁気ヘッド１６は浮上型のヘッドとして構成され、ほぼ直方体状に形成されたスライダ４２と、スライダ４２の流出端（トレーリング）側の端部に形成されたヘッド部４４とを有している。スライダ４２は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）で形成され、ヘッド部４４は複数層の薄膜により形成されている。スライダ４２は、配線部材２８のジンバル部４１に取付けられている。
磁気ヘッド１６は浮上型のヘッドとして構成され、ほぼ直方体状に形成されたスライダ４２と、スライダ４２の流出端（トレーリング）側の端部に形成されたヘッド部４４とを有している。スライダ４２は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）で形成され、ヘッド部４４は複数層の薄膜により形成されている。スライダ４２は、配線部材２８のジンバル部４１に取付けられている。
スライダ４２は、磁気ディスク１２の表面に対向する矩形状のディスク対向面（空気支持面（ＡＢＳ））４３を有している。スライダ４２は、磁気ディスク１２の回転によってディスク表面とＡＢＳ４３との間に生じる空気流Ｃにより、磁気ディスク１２の表面から所定量浮上した状態に維持される。空気流Ｃの方向は、磁気ディスク１２の回転方向Ｂと一致している。スライダ４２は、空気流Ｃの流入側に位置するリーディング端４２ａおよび空気流Ｃの流出側に位置するトレーリング端４２ｂを有している。磁気ディスク１２の回転に伴い、磁気ヘッド１６は、磁気ディスク１２に対して、磁気ディスクの回転方向Ｂと反対の方向（ヘッド走行方向）に走行する。
図３は、ヘッド部４４を拡大して示す断面図である。ヘッド部４４は、スライダ４２のトレーリング端４２ｂに薄膜プロセスで形成された再生ヘッド（リードヘッド）５４および記録ヘッド５８を有し、分離型の磁気ヘッドとして形成されている。リードヘッド５４および記録ヘッド５８は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出する部分を除いて、非磁性の保護絶縁膜５３により覆われている。保護絶縁膜５３は、ヘッド部４４の外形を構成している。
リードヘッド５４は、磁気抵抗効果素子５５と、ダウントラック方向ＤＴ（磁気ディスクに形成されたトラックの長手方向、あるいは、ヘッドの走行方向）において、磁気抵抗効果素子５５のリーディング側（流入側）およびトレーリング側（流出側）に、磁気抵抗効果素子５５を挟むように配置された第１磁気シールド膜５６および第２磁気シールド膜５７と、を有している。磁気抵抗効果素子５５、第１および第２磁気シールド膜５６、５７は、ＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延在している。磁気抵抗効果素子５５、第１および第２磁気シールド膜５６、５７の下端は、ＡＢＳ４３に露出している。
記録ヘッド５８は、リードヘッド５４に対して、スライダ４２のトレーリング端４２ｂの側に設けられている。図４は、記録ヘッド５８をＡＢＳ４３の側から見た平面図である。図３および図４に示すように、記録ヘッド５８は、ＡＢＳ４３に対して（磁気記録層１０３に対して）垂直方向の記録磁界を発生させる主磁極６０、この主磁極６０にライトギャップＷＧを置いて対向するライトシールド磁極（トレーリングシールド）６２、主磁極６０の上部をライトシールド磁極６２に物理的に接合する接合部６７、主磁極６０とライトシールド磁極６２で構成される磁気コアに巻き付けられた記録コイル７０、および主磁極６０の先端部６０ａとライトシールド磁極６２との間で、ＡＢＳ４３に面して配置された高周波発振子、例えば、スピントルク発振子（ＳＴＯ）３５を備えている。
主磁極６０は、高透磁率、高飽和磁束密度を有する軟磁性材料から形成され、ＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延びている。主磁極６０のＡＢＳ４３側の先端部６０ａは、ＡＢＳ４３および磁気ディスク１２の表面に向かって先細に絞り込まれ、他の部分に対して幅の狭い柱状に形成されている。主磁極６０の先端面は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出している。先端部６０ａの幅（トラック幅方向ＣＷに沿った幅）Ｗ１は、磁気ディスク１２における記録トラックの幅以上に形成されている。
ライトシールド磁極６２は、軟磁性材料で形成され、主磁極６０直下の磁気ディスク１２の軟磁性層１０２を介して効率的に磁路を閉じるために設けられている。主磁極６０およびライトシールド磁極６２は、スライダ４２の長軸（中心軸Ｃ）上に、かつ、ダウントラック方向ＤＴに並んで配置されている。
ライトシールド磁極６２は、ほぼＬ字形状に形成され、その先端部６２ａは、細長い矩形状に形成されている。ライトシールド磁極６２の先端面は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出している。先端部６２ａは、主磁極６０の先端部６０ａに対向するリーディング側端面（磁極端面）６２ｂを有している。リーディング側端面６２ｂは、主磁極６０の先端部６０ａの幅Ｗ１、および、磁気ディスク１２のトラック幅、よりも充分に長く、磁気ディスク１２のトラックの幅方向ＣＷに沿って延びている。リーディング側端面６２ｂは、ＡＢＳ４３に対し僅かに傾斜して延びている。ＡＢＳ４３において、リーディング側端面６２ｂの下端縁は、主磁極６０のトレーリング側端面６０ＳとライトギャップＷＧ（ダウントラック方向ＤＴのギャップ長）を置いて平行に対向している。
ライトシールド磁極６２は、ほぼＬ字形状に形成され、その先端部６２ａは、細長い矩形状に形成されている。ライトシールド磁極６２の先端面は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出している。先端部６２ａは、主磁極６０の先端部６０ａに対向するリーディング側端面（磁極端面）６２ｂを有している。リーディング側端面６２ｂは、主磁極６０の先端部６０ａの幅Ｗ１、および、磁気ディスク１２のトラック幅、よりも充分に長く、磁気ディスク１２のトラックの幅方向ＣＷに沿って延びている。リーディング側端面６２ｂは、ＡＢＳ４３に対し僅かに傾斜して延びている。ＡＢＳ４３において、リーディング側端面６２ｂの下端縁は、主磁極６０のトレーリング側端面６０ＳとライトギャップＷＧ（ダウントラック方向ＤＴのギャップ長）を置いて平行に対向している。
本実施形態において、記録ヘッド５８は、一対のサイドシールド７４を有している。サイドシールド７４は、主磁極６０のトラック幅方向ＣＷの両側に、主磁極６０から物理的に分離し、かつ、ライトシールド磁極６２と接続するように配置されている。本実施形態では、サイドシールド７４は、高透磁率材料により、ライトシールド磁極６２の先端部６２ａと一体に形成され、先端部６２ａのリーディング側端面６２ｂからスライダ４２のリーディング端４２ａの側に向かって突出している。
図３に示すように、記録コイル７０は、例えば、主磁極６０とライトシールド磁極６２との間で、接合部６７の回りに巻付けられている。記録コイル７０は、配線を介して通電端子６４に電気的に接続されている。通電端子６４は、例えば、スライダ４２のトレーリング端４２ｂに設けられている。通電端子６４は、配線部材２８の配線３７を介して、記録電流供給回路９１に電気的に接続されている。磁気ディスク１２に信号を書き込む際、記録電流供給回路９１から記録コイル７０に記録電流が供給され、主磁極６０に磁束を流し磁界を発生させる。後述するように、記録電流供給回路９１から記録コイル７０に供給する記録電流は、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０によって制御される。
ライトシールド磁極６２と接合部６７との間に電気的な絶縁層６１が配置され、主磁極６０とライトシールド磁極とは互いに電気的に絶縁されている。主磁極６０およびライトシールド磁極６２はそれぞれ配線を介して通電端子６３に電気的に接続されている。通電端子６３は、例えば、スライダ４２のトレーリング端４２ｂに設けられている。通電端子６３は、配線部材２８の配線３６を介して、ＳＴＯ電流供給回路９３に電気的に接続されている。これにより、ＳＴＯ電流供給回路９３から主磁極６０、スピントルク発振子３５、ライトシールド磁極６２を通して電流を直列に通電する電流回路が構成されている。ライトシールド磁極６２および主磁極６０はスピントルク発振子３５に垂直通電する電極としても機能する。
なお、ＳＴＯ電流供給回路９３は、メインコントローラ９０の制御の下、所定の駆動電流をスピントルク発振子３５に所定方向に通電する。
なお、ＳＴＯ電流供給回路９３は、メインコントローラ９０の制御の下、所定の駆動電流をスピントルク発振子３５に所定方向に通電する。
次に、スピントルク発振子（ＳＴＯ）３５について詳細に説明する。図４に示すように、ＳＴＯ３５は、ライトギャップＷＧ内において、主磁極６０の先端部６０ｂとライトシールド磁極６２との間に設けられ、その一部は、ＡＢＳ４３に露出している。ＳＴＯ３５は、磁性体と非磁性体とを積層した積層構造を有している。一例では、ＳＴＯ３５は、磁性金属からなるスピン注入層６５ａ、中間層（非磁性導電層）６５ｂ、発振層６５ｃを有し、これらの層を主磁極６０側からライトシールド磁極６２側に順に積層して、すなわち、磁気ヘッドの走行方向Ｄに沿って順に積層して、構成されている。スピン注入層６５ａは、非磁性導電層（下地層）６７ａを介して主磁極６０のトレーリング側端面６０Ｓに接合されている。発振層６５ｃは、非磁性導電層（キャップ層）６７ｂを介してライトシールド磁極６２のリーディング側端面６２ｂに接合されている。なお、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃの積層順は、上記と逆でもよく、すなわち、ライトシールド磁極６２側から主磁極６０側に順に積層してもよい。
スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃは、ＡＢＳ４３と交差する方向に延びる積層面あるいは膜面をそれぞれ有している。ＳＴＯ３５の下端面は、ＡＢＳ４３に露出し、このＡＢＳ４３と面一に形成されている。トラック幅方向ＣＷのＳＴＯ３５の幅は、トラック幅とほぼ等しく、あるいは、主磁極６０の幅Ｗ１とほぼ等しく設定されている。ＳＴＯ３５の高さ（ＡＢＳ４３に対して垂直な方向の高さ）は、ライトシールド磁極６２のリーディング側端面６２ｂの高さとほぼ等しく、あるいは、それ以下に形成されている。
上記のように構成された磁気ヘッド１６を有するＨＤＤ１０によれば、記録時において、ヘッドアンプＩＣ３０の記録電流供給回路９１は、Ｒ／Ｗチャネル９４から発生する記録信号、記録パターンに応じて記録電流を記録コイル７０に通電する。これにより、記録コイル７０は主磁極６０を励磁し、主磁極６０から記録磁界を発生させる。
ＳＴＯ電流供給回路９３は、ＭＰＵ４６の制御の下、主磁極６０およびライトシールド磁極６２に電圧を印加することにより、配線３６、通電端子６３、主磁極６０、ＳＴＯ３５、ライトシールド磁極６２を通して所定の駆動電流を直列に通電する。
ＳＴＯ３５に通電することで生じるスピン注入力と、主磁極６０とライトシールド磁極６２との間のギャップ磁界と、が釣り合うことにより、ＳＴＯ３５の磁化が固有振動周期で回転し、ＳＴＯ３５は高周波磁界を発振する。高周波磁界を磁気ディスク１２に印加して垂直磁気記録層１０３の磁化を振動させて、主磁極６０から垂直磁気記録層１０３に記録磁界を印加することにより磁気記録層１０３に記録信号を書き込む。
ＳＴＯ電流供給回路９３は、ＭＰＵ４６の制御の下、主磁極６０およびライトシールド磁極６２に電圧を印加することにより、配線３６、通電端子６３、主磁極６０、ＳＴＯ３５、ライトシールド磁極６２を通して所定の駆動電流を直列に通電する。
ＳＴＯ３５に通電することで生じるスピン注入力と、主磁極６０とライトシールド磁極６２との間のギャップ磁界と、が釣り合うことにより、ＳＴＯ３５の磁化が固有振動周期で回転し、ＳＴＯ３５は高周波磁界を発振する。高周波磁界を磁気ディスク１２に印加して垂直磁気記録層１０３の磁化を振動させて、主磁極６０から垂直磁気記録層１０３に記録磁界を印加することにより磁気記録層１０３に記録信号を書き込む。
ＨＤＤ１０において、磁気ヘッド１６は製造プロセス時に主磁極先端の形状のばらつきが生じる場合がある。このばらつきはギャップ磁界の大きさにも影響するため、磁気ヘッドによってＳＴＯ３５の発振開始記録電流が相違する場合がある。そこで、本実施形態に係るＨＤＤ１０では、磁気ヘッド毎に、ＳＴＯ３５が発振開始する記録電流の電流値を検出し、磁気ヘッドに供給する記録電流の電流値を検出した発振開始記録電流値以上に設定している。
図５は、主磁極の幅Ｗ１が６０ｎｍの磁気ヘッドについて、ＳＴＯ３５に通電した状態における、記録電流とＳＴＯ３５の抵抗値との関係を示した図である。図６は、主磁極の幅Ｗ１が８０ｎｍの磁気ヘッドについて、ＳＴＯ３５に通電した状態における、記録電流とＳＴＯ３５の抵抗値との関係を示した図である。図５および図６において、ＳＴＯの抵抗値は、記録電流Ｉｗ＝０ｍＡとした時の抵抗値を基準として表記している。
図示のように、記録コイルに供給する記録電流に応じてＳＴＯの抵抗値が変化し、この抵抗値の変化はＳＴＯの発振状態を反映している。記録コイルに流す記録電流を増大していくと、ギャップ磁界も増大し、ある記録電流でギャップ磁界とスピン偏極したスピン注入力がつり合い、ＳＴＯの発振が起こる。このときＳＴＯ３５の抵抗値は大きく増大する。すなわち、ＳＴＯ３５の抵抗値が大きく増大することは、ＳＴＯの発振が起きたことを示している。この時の記録電流の電流値をＳＴＯの発振開始記録電流とする。
図５に示すように、主磁極の幅Ｗ１が６０ｎｍの磁気ヘッドについては、記録電流＝４８ｍＡが発振開始記録電流に相当する。図６に示すように、主磁極の幅Ｗ１が８０ｎｍの磁気ヘッドについては、記録電流＝２７ｍＡが発振開始記録電流に相当する。
図示のように、記録コイルに供給する記録電流に応じてＳＴＯの抵抗値が変化し、この抵抗値の変化はＳＴＯの発振状態を反映している。記録コイルに流す記録電流を増大していくと、ギャップ磁界も増大し、ある記録電流でギャップ磁界とスピン偏極したスピン注入力がつり合い、ＳＴＯの発振が起こる。このときＳＴＯ３５の抵抗値は大きく増大する。すなわち、ＳＴＯ３５の抵抗値が大きく増大することは、ＳＴＯの発振が起きたことを示している。この時の記録電流の電流値をＳＴＯの発振開始記録電流とする。
図５に示すように、主磁極の幅Ｗ１が６０ｎｍの磁気ヘッドについては、記録電流＝４８ｍＡが発振開始記録電流に相当する。図６に示すように、主磁極の幅Ｗ１が８０ｎｍの磁気ヘッドについては、記録電流＝２７ｍＡが発振開始記録電流に相当する。
図７は、コントローラの処理動作を示すフローチャートである。
本実施形態に係るＨＤＤ１０では、例えば、ＨＤＤの出荷直前に、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド１６毎に、発振開始記録電流値を演算、検出し、検出した発振開始帰路電流値を記録電流の下限値に設定する。より詳細には、図７に示すように、メインコントローラ９０は、ＳＴＯ３５に所定の駆動電流を通電した状態で（Ｐ１）、記録電流を通電し徐々に増大させる（Ｐ２）。この間、ＭＰＵ９７は、ＳＴＯ３５の抵抗値の変化をモニタリングし（Ｐ３）、抵抗値が最も大きく増大した時の記録電流値（発振開始記録電流値）を演算により検出する（Ｐ４、Ｐ５）。ＭＰＵ９７は、検出された記録電流値を当該磁気ヘッド１６の記録電流の下限値に設定し（Ｐ６）、下限値をメモリ８０に格納する（Ｐ７）。ＨＤＤ１０の稼働時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド１６毎に、記録電流を下限値以上（発振開始記録電流値以上）に設定して記録動作を行う。これにより、ＳＴＯ３５が安定して発振動作し、磁気ディスク１２の磁気記録層の磁化反転を行うための十分な高周波磁界を発生させることができる。その結果、記録ヘッドによる高記録密度化が可能となり、同時に、記録品質の向上を図ることが可能となる。
本実施形態に係るＨＤＤ１０では、例えば、ＨＤＤの出荷直前に、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド１６毎に、発振開始記録電流値を演算、検出し、検出した発振開始帰路電流値を記録電流の下限値に設定する。より詳細には、図７に示すように、メインコントローラ９０は、ＳＴＯ３５に所定の駆動電流を通電した状態で（Ｐ１）、記録電流を通電し徐々に増大させる（Ｐ２）。この間、ＭＰＵ９７は、ＳＴＯ３５の抵抗値の変化をモニタリングし（Ｐ３）、抵抗値が最も大きく増大した時の記録電流値（発振開始記録電流値）を演算により検出する（Ｐ４、Ｐ５）。ＭＰＵ９７は、検出された記録電流値を当該磁気ヘッド１６の記録電流の下限値に設定し（Ｐ６）、下限値をメモリ８０に格納する（Ｐ７）。ＨＤＤ１０の稼働時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド１６毎に、記録電流を下限値以上（発振開始記録電流値以上）に設定して記録動作を行う。これにより、ＳＴＯ３５が安定して発振動作し、磁気ディスク１２の磁気記録層の磁化反転を行うための十分な高周波磁界を発生させることができる。その結果、記録ヘッドによる高記録密度化が可能となり、同時に、記録品質の向上を図ることが可能となる。
図８は、主磁極のトラック幅Ｗ１ごとに異なる発振開始記録電流値（下限値）を設定した実施例１、および、記録電流値を３０ｍＡに一律に設定した比較例１を示している。図において、それぞれ主磁極のトラック幅Ｗ１ごとに記録電流値をプロットしている。
本実施形態において、メインコントローラ９０は、実施例１に示すように、主磁極のトラック幅Ｗ１に応じて各磁気ヘッド１６の記録電流の下限値を設定しても良い。主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広くなるに従い、発振開始記録電流値が低下している。これは主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広い程、同一記録電流におけるギャップ磁界が大きいためである。
本実施形態において、メインコントローラ９０は、実施例１に示すように、主磁極のトラック幅Ｗ１に応じて各磁気ヘッド１６の記録電流の下限値を設定しても良い。主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広くなるに従い、発振開始記録電流値が低下している。これは主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広い程、同一記録電流におけるギャップ磁界が大きいためである。
図９は、図８に示したように記録電流値が設定されている実施例１の磁気ヘッドと比較例１の磁気ヘッドについて、ＳＴＯ３５に通電した状態における、主磁極のトラック幅Ｗ１とビットエラーレートとの関係を示している。
比較例１では、特に主磁極のトラック幅が５０ｎｍと６０ｎｍの磁気ヘッドにおいて、発振開始記録電流に対して低い記録電流値が設定されている。そのため、ＳＴＯの発振が不十分な状態であり、記録信号品質が低下している、すなわち、ビットエラーレートが増加している。
これに対して、実施例１では、トラック幅Ｗ１の異なる磁気ヘッドについて、それぞれのトラック幅Ｗ１に応じて異なる発振開始記録電流値を記録電流値に設定している。そのため、いづれのトラック幅Ｗ１の磁気ヘッドも十分な高周波磁界を発生する。その結果、ビットエラーレートが下がり記録信号品質が向上している。比較例１に対して、実施例１の磁気ヘッドは、主磁極のトラック幅Ｗ１の狭い側でビットエラーレートが大きく改善していることが分かる。
以上のことから、本実施形態によれば、製造ばらつきに影響されることなく十分な高周波磁界を発振し、記録密度の向上および記録品質の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置が得られる。
比較例１では、特に主磁極のトラック幅が５０ｎｍと６０ｎｍの磁気ヘッドにおいて、発振開始記録電流に対して低い記録電流値が設定されている。そのため、ＳＴＯの発振が不十分な状態であり、記録信号品質が低下している、すなわち、ビットエラーレートが増加している。
これに対して、実施例１では、トラック幅Ｗ１の異なる磁気ヘッドについて、それぞれのトラック幅Ｗ１に応じて異なる発振開始記録電流値を記録電流値に設定している。そのため、いづれのトラック幅Ｗ１の磁気ヘッドも十分な高周波磁界を発生する。その結果、ビットエラーレートが下がり記録信号品質が向上している。比較例１に対して、実施例１の磁気ヘッドは、主磁極のトラック幅Ｗ１の狭い側でビットエラーレートが大きく改善していることが分かる。
以上のことから、本実施形態によれば、製造ばらつきに影響されることなく十分な高周波磁界を発振し、記録密度の向上および記録品質の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置が得られる。
なお、図８に示したように、本実施形態では、主磁極のトラック幅Ｗ１に応じて、記録電流値が連続的に変化するように設定しているが、これに限らず、図１０に示すように、トラック幅の所定範囲ごとに、記録電流値が段階的に変化するように設定してもよい。
次に、他の実施形態に係るＨＤＤおよび磁気ヘッドについて説明する。なお、以下に述べる他の実施形態において、前述した第１実施形態と同一の部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して、その詳細な説明を省略あるいは簡略化する場合がある。
（第２実施形態）
第２実施形態に係るＨＤＤについて説明する。
図１１は、第２実施形態に係るＨＤＤにおいて、記録電流設定値（実施例２）と比較例２に係るＨＤＤの記録電流設定値（比較例２）と発振開始記録電流値とを主磁極６０のトラック幅Ｗ１ごとにプロットして示している。
比較例２では、全てのトラック幅Ｗ１に対して記録電流が７０ｍＡに一律に設定されている。これに対して、実施例２では、記録電流を主磁極６０のトラック幅Ｗ１に応じて、異なる電流値に設定している。比較例２と実施例２ともに設定電流値は、発振開始記録電流値以上であるが、実施例２では主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広くなるに従い、記録電流値を小さくしている。すなわち、第２実施形態において、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０は、発振開始記録電流値を記録電流の下限値に設定し、実施例２の電流値を記録電流の上限値に設定している。一例では、上限値は、発振開始記録電流値（下限値）＋１０ｍＡ程度に設定している。設定した下限値、上限値は、メモリ８０に格納される。ＨＤＤの動作時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド毎にメモリ８０に格納されている上限値、下限値に基づいて記録電流値を設定し、設定した電流値の記録電流を磁気ヘッド１６の記録コイル７０に供給する。
（第２実施形態）
第２実施形態に係るＨＤＤについて説明する。
図１１は、第２実施形態に係るＨＤＤにおいて、記録電流設定値（実施例２）と比較例２に係るＨＤＤの記録電流設定値（比較例２）と発振開始記録電流値とを主磁極６０のトラック幅Ｗ１ごとにプロットして示している。
比較例２では、全てのトラック幅Ｗ１に対して記録電流が７０ｍＡに一律に設定されている。これに対して、実施例２では、記録電流を主磁極６０のトラック幅Ｗ１に応じて、異なる電流値に設定している。比較例２と実施例２ともに設定電流値は、発振開始記録電流値以上であるが、実施例２では主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広くなるに従い、記録電流値を小さくしている。すなわち、第２実施形態において、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０は、発振開始記録電流値を記録電流の下限値に設定し、実施例２の電流値を記録電流の上限値に設定している。一例では、上限値は、発振開始記録電流値（下限値）＋１０ｍＡ程度に設定している。設定した下限値、上限値は、メモリ８０に格納される。ＨＤＤの動作時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド毎にメモリ８０に格納されている上限値、下限値に基づいて記録電流値を設定し、設定した電流値の記録電流を磁気ヘッド１６の記録コイル７０に供給する。
図１２は、上述した実施例２と比較例２とについて、ＳＴＯ３５に通電した状態における主磁極６０のトラック幅Ｗ１とビットエラーレートとの関係を示している。
図示のように、比較例２のビットエラーレートに対して、実施例２のビットエラーレートは、主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広い側で大きく改善している。
ＳＴＯ３５から発生する高周波磁界は、磁気記録層１０３の磁化を振動させて、記録ヘッド５８の書き込みを容易にすることができるが、これは磁気記録層１０３の共鳴周波数と高周波磁界の周波数が一致する場合に最も書き込みが容易になる。高周波磁界の周波数はギャップ磁界に比例するため、ギャップ磁界が大きくなると高周波磁界の周波数が高くなり磁気記録層１０３の強磁性共鳴周波数との間に周波数のずれが生じてしまう。
図示のように、比較例２のビットエラーレートに対して、実施例２のビットエラーレートは、主磁極６０のトラック幅Ｗ１が広い側で大きく改善している。
ＳＴＯ３５から発生する高周波磁界は、磁気記録層１０３の磁化を振動させて、記録ヘッド５８の書き込みを容易にすることができるが、これは磁気記録層１０３の共鳴周波数と高周波磁界の周波数が一致する場合に最も書き込みが容易になる。高周波磁界の周波数はギャップ磁界に比例するため、ギャップ磁界が大きくなると高周波磁界の周波数が高くなり磁気記録層１０３の強磁性共鳴周波数との間に周波数のずれが生じてしまう。
比較例２では、特に主磁極のトラック幅が７０ｎｍと８０ｎｍの磁気ヘッドにおいて、記録電流値は発振開始記録電流に対して高く設定されているため、ＳＴＯの発振は起きているが、一方で、ギャップ磁界が大きくなることで、磁気記録層の共鳴周波数よりも高くなってしまい、ビットエラーレートが増加し信号品質が劣化している。
実施例２では、記録電流値は発振開始記録電流値以上であるが、主磁極６０のトラック幅に応じて上限値を設けたことで、ＳＴＯ３５の発振周波数が、磁気記録層の共鳴周波数近傍に抑えられている。これにより、最適な周波数の高周波磁界を磁気記録層に印加することができ、ビットエラーレートの低減、すなわち、記録信号品質の改善を図ることができる。
以上のように、第２実施形態によれば、記録電流の下限値および上限値を設定することにより、最適な周波数の高周波磁界を発振することができ、記録密度の向上および記録信号品質の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置が得られる。
実施例２では、記録電流値は発振開始記録電流値以上であるが、主磁極６０のトラック幅に応じて上限値を設けたことで、ＳＴＯ３５の発振周波数が、磁気記録層の共鳴周波数近傍に抑えられている。これにより、最適な周波数の高周波磁界を磁気記録層に印加することができ、ビットエラーレートの低減、すなわち、記録信号品質の改善を図ることができる。
以上のように、第２実施形態によれば、記録電流の下限値および上限値を設定することにより、最適な周波数の高周波磁界を発振することができ、記録密度の向上および記録信号品質の向上を図ることが可能な磁気ディスク装置が得られる。
なお、図１１に示したように、本実施形態では、主磁極のトラック幅Ｗ１に応じて、記録電流値の上限値が連続的に変化するように設定しているが、これに限らず、図１３に示すように、トラック幅の所定範囲ごとに、上限値が段階的に変化するように設定してもよい。
（第３実施形態）
第３実施形態に係るＨＤＤについて説明する。
図１４は、第３実施形態に係るＨＤＤにおいて、記録電流設定値（実施例３）と、比較例２に係るＨＤＤの記録電流設定値（比較例３）と、発振開始記録電流値と、をビットエラーレートごとにプロットして示している。
前述した第２実施形態では、主磁極のトラック幅Ｗ１に応じて記録電流の上限値を設定しているが、第３実施形態によれば、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０は、ＳＴＯ３５に通電しない状態（ＳＴＯ非通電）で、かつ、記録電流を一律４０ｍＡに設定した状態で、測定したビットエラーレートに応じて、記録電流の上限値（実施例３）を設定している。これは、上記の条件では、ビットエラーレートが良いほど、ギャップ磁界が大きいヘッドであるためである。一例では、上限値は、発振開始記録電流値（下限値）＋１０ｍＡ程度に設定している。設定した下限値、上限値は、メモリ８０に格納される。ＨＤＤ１０の動作時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド毎にメモリ８０に格納されている上限値、下限値に基づいて記録電流値を設定し、設定した電流値の記録電流を磁気ヘッド１６の記録コイル７０に供給する。
第３実施形態に係るＨＤＤについて説明する。
図１４は、第３実施形態に係るＨＤＤにおいて、記録電流設定値（実施例３）と、比較例２に係るＨＤＤの記録電流設定値（比較例３）と、発振開始記録電流値と、をビットエラーレートごとにプロットして示している。
前述した第２実施形態では、主磁極のトラック幅Ｗ１に応じて記録電流の上限値を設定しているが、第３実施形態によれば、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０は、ＳＴＯ３５に通電しない状態（ＳＴＯ非通電）で、かつ、記録電流を一律４０ｍＡに設定した状態で、測定したビットエラーレートに応じて、記録電流の上限値（実施例３）を設定している。これは、上記の条件では、ビットエラーレートが良いほど、ギャップ磁界が大きいヘッドであるためである。一例では、上限値は、発振開始記録電流値（下限値）＋１０ｍＡ程度に設定している。設定した下限値、上限値は、メモリ８０に格納される。ＨＤＤ１０の動作時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド毎にメモリ８０に格納されている上限値、下限値に基づいて記録電流値を設定し、設定した電流値の記録電流を磁気ヘッド１６の記録コイル７０に供給する。
図１４に示すように、比較例３では、全てのビットエラーレートに対して記録電流が７０ｍＡに一律に設定されている。これに対して、本実施形態によれば、記録電流の下限値（発振開始記録電流）および上限値（実施例３）は、ビットエラーレートに応じて、異なる電流値に設定している。
上記のように、ビットエラーレートに応じて記録電流の上限値を設定することにより、ＳＴＯ３５の発振周波数が、磁気記録層の共鳴周波数の近傍に抑えられる。これにより、最適な周波数の高周波磁界を磁気記録層に印加することができ、ビットエラーレートの低減、すなわち、記録信号品質の改善を図ることができる。
上記のように、ビットエラーレートに応じて記録電流の上限値を設定することにより、ＳＴＯ３５の発振周波数が、磁気記録層の共鳴周波数の近傍に抑えられる。これにより、最適な周波数の高周波磁界を磁気記録層に印加することができ、ビットエラーレートの低減、すなわち、記録信号品質の改善を図ることができる。
（第４実施形態）
第４実施形態に係るＨＤＤについて説明する。
図１５は、第４実施形態に係るＨＤＤにおいて、記録電流設定値（実施例４）と、比較例４に係るＨＤＤの記録電流設定値（比較例４）と、発振開始記録電流値と、をビットエラーレートの飽和記録電流ごとにプロットして示している。飽和記録電流の定義の例として、記録電流を増大させた場合のビットエラーレートの変化量が、ある閾値よりも小さくなった記録電流を飽和記録電流とする。
第４実施形態によれば、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０は、ＳＴＯ３５に通電しない状態（ＳＴＯ非通電）で、かつ、記録電流を徐々に増加させた際に、一律に設定した状態で、測定したビットエラーレートの値が飽和する記録電流値に応じて、記録電流の上限値（実施例４）を設定している。これは、上記の条件では、飽和記録電流値が低いほど、ギャップ磁界が大きいヘッドであるためである。一例では、上限値は、発振開始記録電流値（下限値）＋１０ｍＡ程度に設定している。設定した下限値および上限値は、メモリ８０に格納される。ＨＤＤの動作時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド毎にメモリ８０に格納されている上限値、下限値に基づいて記録電流値を設定し、設定した電流値の記録電流を磁気ヘッド１６の記録コイル７０に供給する。
第４実施形態に係るＨＤＤについて説明する。
図１５は、第４実施形態に係るＨＤＤにおいて、記録電流設定値（実施例４）と、比較例４に係るＨＤＤの記録電流設定値（比較例４）と、発振開始記録電流値と、をビットエラーレートの飽和記録電流ごとにプロットして示している。飽和記録電流の定義の例として、記録電流を増大させた場合のビットエラーレートの変化量が、ある閾値よりも小さくなった記録電流を飽和記録電流とする。
第４実施形態によれば、ＨＤＤ１０のメインコントローラ９０は、ＳＴＯ３５に通電しない状態（ＳＴＯ非通電）で、かつ、記録電流を徐々に増加させた際に、一律に設定した状態で、測定したビットエラーレートの値が飽和する記録電流値に応じて、記録電流の上限値（実施例４）を設定している。これは、上記の条件では、飽和記録電流値が低いほど、ギャップ磁界が大きいヘッドであるためである。一例では、上限値は、発振開始記録電流値（下限値）＋１０ｍＡ程度に設定している。設定した下限値および上限値は、メモリ８０に格納される。ＨＤＤの動作時、メインコントローラ９０は、磁気ヘッド毎にメモリ８０に格納されている上限値、下限値に基づいて記録電流値を設定し、設定した電流値の記録電流を磁気ヘッド１６の記録コイル７０に供給する。
図１５に示すように、比較例４では、全ての飽和記録電流に対して記録電流が一律に設定されている。これに対して、本実施形態によれば、記録電流の下限値（発振開始記録電流）および上限値（実施例４）は、ビットエラーレートの飽和記録電流値に応じて、異なる電流値に設定している。
上記のように、ＳＴＯに通電しない状態でのビットエラーレートの飽和記録電流値に応じて記録電流の上限値を設けたことで、ＳＴＯ３５の発振周波数が、磁気記録層の共鳴周波数の近傍に抑えられる。これにより、最適な周波数の高周波磁界を磁気記録層に印加することができ、記録信号品質の改善を図ることができる。
上記のように、ＳＴＯに通電しない状態でのビットエラーレートの飽和記録電流値に応じて記録電流の上限値を設けたことで、ＳＴＯ３５の発振周波数が、磁気記録層の共鳴周波数の近傍に抑えられる。これにより、最適な周波数の高周波磁界を磁気記録層に印加することができ、記録信号品質の改善を図ることができる。
本発明は上述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
例えば、スピントルク発振子の形状、寸法、構成は、実施形態に限定されることなく、必要に応じて変更可能である。磁気ヘッドのヘッド部を構成する要素の材料、形状、大きさ等は、必要に応じて変更可能である。磁気ディスク装置において、磁気ディスクおよび磁気ヘッドの数は、必要に応じて増加可能であり、磁気ディスクのサイズも種々選択可能である。
例えば、スピントルク発振子の形状、寸法、構成は、実施形態に限定されることなく、必要に応じて変更可能である。磁気ヘッドのヘッド部を構成する要素の材料、形状、大きさ等は、必要に応じて変更可能である。磁気ディスク装置において、磁気ディスクおよび磁気ヘッドの数は、必要に応じて増加可能であり、磁気ディスクのサイズも種々選択可能である。
１０…磁気ディスク装置、１１…筐体、１２…磁気ディスク、１６…磁気ヘッド、
３０…ヘッドアンプＩＣ、３５…スピントルク発振子、４２…スライダ、
４４…ヘッド部、５４…リードヘッド、５８…記録ヘッド、６０…主磁極、
６２…ライトシールド磁極、７０…コイル、９０…メインコントローラ、
９１…記録電流供給回路、９３…ＳＴＯ電流供給回路
３０…ヘッドアンプＩＣ、３５…スピントルク発振子、４２…スライダ、
４４…ヘッド部、５４…リードヘッド、５８…記録ヘッド、６０…主磁極、
６２…ライトシールド磁極、７０…コイル、９０…メインコントローラ、
９１…記録電流供給回路、９３…ＳＴＯ電流供給回路
Claims (10)
- 磁気記録層を有するディスク状の記録媒体と、
前記磁気記録層に対して記録磁界を発生する主磁極と、前記主磁極にライトギャップを置いて対向し、前記主磁極とともに磁気コアを構成するライトシールド磁極と、前記磁気コアに磁束を励起するコイルと、前記ライトギャップ内で前記主磁極と前記ライトシールド磁極との間に設けられたスピントルク発振子と、を有する記録ヘッドと、
前記コイルに記録電流を印加する記録電流供給回路と、前記スピントルク発振子に駆動電流を供給する駆動電流供給回路と、前記スピントルク発振子に通電した状態で前記記録電流を増大させながら前記スピントルク発振子の抵抗値の変化を監視し、前記抵抗値が最も大きく増大する時の記録電流値を検出する処理と、前記検出した記録電流値を前記コイルに供給する記録電流の下限値に設定する処理とを実行するコントローラと、
を備える磁気ディスク装置。 - 前記コントローラは、前記主磁極のトラック幅方向の幅に応じて、前記記録電流の上限値を設定する請求項１に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記主磁極の幅が広くなるに従って、前記記録電流の上限値を低く設定する請求項２に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記主磁極の幅の変化に応じて前記記録電流の上限値を所定幅を持って段階的に変化するように設定する請求項２に記載のディスク装置。
- 前記コントローラは、前記スピントルク発振子に非通電の状態での前記記録ヘッドのビットエラーレートに応じて前記記録電流の上限値を設定する請求項１に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記記録ヘッドのビットエラーレートが低いほど、前記記録電流の上限値を低く設定する請求項５に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記記録電流の上限値を所定幅を持って段階的に変化させる請求項６に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記スピントルク発振子に非通電の状態での前記記録ヘッドのビットエラーレートの飽和記録電流値に応じて前記記録電流の上限値を設定する請求項１に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記ビットエラーレートの飽和記録電流値が低いほど前記記録電流の上限値を低く設定する請求項８に記載の磁気ディスク装置。
- 前記コントローラは、前記記録電流の上限値を所定幅を持って段階的に変化するように設定する請求項９に記載の磁気ディスク装置。
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