JP2022129066A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Abstract
Description
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、第1の内部電極層が、高さ方向から積層セラミックコンデンサを見た際に、第1の主面の一部および第2の主面の一部に配置される第3の外部電極および第1の主面の一部および第2の主面の一部に配置される第4の外部電極とは重ならないように凹部が形成されるので、本発明に係る積層セラミックコンデンサに高電界が印加されても、第2の内部電極層に接続される第3の外部電極および第4の外部電極と、第1の内部電極層との間での絶縁破壊を抑制することができる。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、第2の内部電極層が、少なくとも最も第1の主面側に位置する第1の内部電極層と第1の主面との間、および、少なくとも最も第2の主面側に位置する第1の内部電極層と第2の主面との間に配置されるので、実装基板への電流経路を短くすることができ、低ESL効果を得ることができるとともに、本発明に係る積層セラミックコンデンサに高電界が印加された場合であっても、第2の内部電極層に接続される第3の外部電極および第4の外部電極と、第1の内部電極層との間での絶縁破壊を抑制することができる。その結果、積層セラミックコンデンサの絶縁破壊電圧(BDV)を向上させることができる。
さらにまた、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、第2の内部電極層の長さ方向の長さが、第1の主面の一部および第2の主面の一部に配置される第3の外部電極および第1の主面の一部および第2の主面の一部に配置されている第4の外部電極の長さ方向の最大長さよりも小さいので、直流抵抗を低減させたまま、より低容量にすることができる。
この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサについて説明する。この実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサは、3端子型積層セラミックコンデンサである。
第2の主面側外層部20bは、第2の主面12b側に位置する。第2の主面側外層部20bは、第2の主面12bと最も第2の主面12bに近い内部電極層16との間に位置する複数の誘電体層14の集合体である。
第1の主面側外層部20aおよび第2の主面側外層部20bで用いられる誘電体層14は、内層部18で用いられる誘電体層14と同じものであってもよい。
同様に、積層体12は、第2の側面12d側に位置し、第2の側面12dと第2の側面12d側の内層部18の最表面との間に位置する複数の誘電体層14から形成される第2の側面側外層部22bを有する。
図5には、第1の側面側外層部22aおよび第2の側面側外層部22bの幅方向yの範囲が示されている。この第1の側面側外層部22aおよび第2の側面側外層部22bの幅方向yの幅の大きさはWギャップまたはサイドギャップともいう。
積層される誘電体層14の枚数は、15枚以上300枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層14の枚数は、内層部18の誘電体層14の枚数と、第1の主面側外層部20aおよび第2の主面側外層部20bの誘電体層14の枚数との総数である。
図6に示すように、第1の内部電極層16aは、積層体12の第1の端部12eと第2の端部12fとの間にわたって延び、その中央部にあたる第1の領域部26aと、第1の領域部26aから延び、積層体12の第1の端面12eに引き出される第2の領域部26bと、第1の領域部26aから延び、積層体12の第2の端面12fに引き出される第3の領域部26cとを有する。第1の領域部26aは、誘電体層14上の中央部に位置する。第2の領域部26bは、積層体12の第1の端面12eに露出し、第3の領域部26cは、積層体12の第2の端面12fに露出する。従って、第1の内部電極層16aは、積層体12の第1の側面12cおよび第2の側面12dには露出していない。
第1の内部電極層16aの形状は特に限定はされないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部は丸められていてもよい。
より具体的には、第1の内部電極層16aの第1の領域部26aにおいて、第1の側面12c側において、内部電極層16が形成されていない領域となる凹部29aを有し、第2の側面12d側において、内部電極層16が形成されていない領域となる凹部29bを有する。
これにより、積層セラミックコンデンサ10に対して高電界が印加されても、第2の内部電極層16bに接続される第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dと、第1の内部電極層16aとの間での絶縁破壊を抑制することができる。
同様に、凹部29bの形状は、高さ方向xから積層セラミックコンデンサ10を見た際に、第1の主面12aおよび第2の主面12bの一部に配置されている第4の外部電極30dとは重ならなければ、特に限定されない。
本実施の形態では、凹部29aおよび凹部29bの形状は、半円状である。
図7に示すように、第2の内部電極層16bは、積層体12の第1の側面12cと第2の側面12dとの間にわたって延び、その中央部にあたる第4の領域部28aと、第4の領域部28aから延び、第1の側面12cに引き出される第5の領域部28bと、第4の領域部28aから延び、第2の側面12dに引き出される第6の領域部28cとを有する。第4の領域部28aは、誘電体層14上の中央部に位置する。第5の領域部28bは、積層体12の第1の側面12cに露出し、第6の領域部28cは、積層体12の第2の側面12dに露出する。従って、第2の内部電極層16bは、積層体12の第1の端面12eおよび第2の端面12fには露出していない。
第2の内部電極層16bの第4の領域部28aの形状、ならびに第5の領域部28bおよび第6の領域部28cの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、それぞれの領域部のコーナー部は丸められていてもよい。
これにより、実装基板への電流経路を短くすることができ、低ESL(等価直列抵抗)効果を得ることができるとともに、積層セラミックコンデンサ10に対して高電界が印加された場合であっても、第2の内部電極層16bに接続される第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dと、第1の内部電極層16aとの間での絶縁破壊を抑制することができる。その結果、積層セラミックコンデンサ10の絶縁破壊電圧(BDV)を向上させることができる。
これにより、直流抵抗を低減させたまま、より低容量にすることができる。
これにより、第1の内部電極層16aの面積は変更せずに、第2の内部電極層16bの面積だけを調整することで、直流抵抗を低減させたまま、積層セラミックコンデンサ10の静電容量を低容量にすることができる。
これにより、第1の内部電極層16aの集合体が分散されるため、放熱効果が高まり、温度上昇抑制効果を得ることができる。
これにより、高電界が印加されても、第2の内部電極層16bに接続される第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dと、第1の内部電極層16aとの間での絶縁破壊をより顕著に抑制することができる。
これにより、高電界が印加されても、第2の内部電極層16bに接続される第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dと、第1の内部電極層16aとの間での絶縁破壊をより顕著に抑制することができる。
第1の内部電極層16aの数は、特に限定されないが、たとえば、50枚以上100枚以下であることが好ましい。
また、第2の内部電極層16bの数は、少なくとも、第1の内部電極層16aの数よりも少ない。具体的には、第2の内部電極層16bの数は、特に限定されないが、たとえば、1枚以上20枚以下であることが好ましい。
第2の内部電極層16bの第4の領域部28aの厚みは、特に限定されないが、たとえば、30μm以上80μm以下程度であることが好ましい。
第2の下地電極層32bは、積層体12の第2の端面12fの表面に配置され、第2の端面12fから延伸して第1の主面12a、第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12dのそれぞれの一部を覆うように形成される。
なお、第1の下地電極層32aは、積層体12の第1の端面12eの表面のみに配置されてもよいし、第2の下地電極層32bは、積層体12の第2の端面12fの表面にのみ配置されてもよい。
第4の下地電極層32dは、積層体12の第2の側面12dの表面に配置され、第2の側面12dから延伸して第1の主面12aおよび第2の主面12bのそれぞれの一部を覆うように形成される。
以下、下地電極層32を上記の焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層とした場合の各構成について説明する。
焼付け層は、ガラス成分と金属成分とを含む。焼付け層のガラス成分は、B、Si、Ba、Mg、Al、Li等から選ばれる少なくとも1つを含む。焼付け層の金属成分としては、例えば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等から選ばれる少なくとも1つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラス成分および金属成分を含む導電性ペーストを積層体12に塗布して焼付けたものである。焼付け層は、内部電極層16および誘電体層14を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極層16および誘電体層14を有する積層チップを焼成して積層体12を得た後に、積層体12に導電性ペーストを塗布して焼付けたものでもよい。なお、焼付け層を内部電極層16および誘電体層14を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりに誘電体材料を添加したものを焼き付けて焼付け層を形成することが好ましい。
また、第2の端面12fに位置する第2の下地電極層32bの高さ方向x中央部における第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ方向の厚みは、3μm以上70μm以下程度であることが好ましい。
また、第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部上に第2の下地電極層32bを設ける場合には、第1の主面12aおよび第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12d上に位置する第2の下地電極層32bである長さ方向zの中央部における第1の主面12aおよび第2の主面12bを結ぶ高さ方向の厚みは、例えば、3μm以上40μm以下程度であることが好ましい。
また、第2の側面12dに位置する第4の下地電極層32dの高さ方向x中央部における第1の側面12cおよび第2の側面12dを結ぶ方向の厚みは、3μm以上70μm以下程度であることが好ましい。
導電性樹脂層は、複数層であってもよい。
導電性樹脂層は、焼付け層上に焼付け層を覆うように配置されるか、積層体12上に直接配置されてもよい。
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂および金属を含む。
導電性樹脂層は、下地電極層32上を完全に覆っていてもよいし、下地電極層32の一部を覆っていてもよい。
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ10に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ10へのクラックを防止することができる。
また、金属粉の表面にAgコーティングされた金属粉を使用することもできる。金属粉の表面にAgコーティングされたものを使用する際には金属粉としてCu、Ni、Sn、Bi又はそれらの合金粉を用いることが好ましい。導電性金属にAgの導電性金属粉を用いる理由としては、Agは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Agは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いためである。また、上記のAgの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。
なお、導電性樹脂層に含まれる金属としては、金属粉の表面にSn、Ni、Cuをコーティングした金属粉を使用することもできる。金属粉の表面にSn、Ni、Cuをコーティングされたものを使用する際には金属粉としてAg、Cu、Ni、Sn、Bi又はそれらの合金粉を用いることが好ましい。
下地電極層32として薄膜層を設ける場合は、薄膜層は、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された1μm以下の層である。
第1のめっき層34a、第2のめっき層34b、第3のめっき層34cおよび第4のめっき層34dとしては、例えば、Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等から選ばれる少なくとも1つを含む。
第2のめっき層34bは、第2の下地電極層32bを覆うように配置される。
第3のめっき層34cは、第3の下地電極層32cを覆うように配置される。
第4のめっき層34dは、第4の下地電極層32dを覆うように配置される。
すなわち、第1のめっき層34aは、第1の下層めっき層と、第1の下層めっき層の表面に位置する第1の上層めっき層とを有する。
第2のめっき層34bは、第2の下層めっき層と、第2の下層めっき層の表面に位置する第2の上層めっき層とを有する。
第3のめっき層34cは、第3の下層めっき層と、第3の下層めっき層の表面に位置する第2の上層めっき層とを有する。
第4のめっき層34dは、第4の下層めっき層と、第4の下層めっき層の表面に位置する第2の上層めっき層とを有する。
めっき層一層あたりの厚みは、2.0μm以上、15.0μm以下であることが好ましい。
以下、図示はしていないが、下地電極層32を設けずにめっき層を設ける構造について説明する。
更に、下層めっき電極は、半田バリア性能を有するNiを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、半田濡れ性が良好なSnやAuを用いて形成されることが好ましい。
積層セラミックコンデンサ10の寸法は、特に限定されないが、長さ方向zのL寸法が1.0mm以上3.2mm以下、幅方向yのW寸法が0.5mm以上2.5mm以下、高さ方向xのT寸法が0.3mm以上2.5mm以下である。なお、積層セラミックコンデンサ10の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
次に、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
続いて、焼成して得られた積層体12の第1の側面12c上に第3の外部電極30cの第3の下地電極層32cが形成され、積層体12の第2の側面12d上に第4の外部電極30dの第4の下地電極層32dが形成される。
下地電極層32として焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属成分とを含む導電性ペーストを塗布し、その後、焼付け処理を行い、下地電極層32として焼付け層が形成される。このときの焼付け処理の温度は、700℃以上900℃以下であることが好ましい。
また、ローラー転写法を用いて形成することもできる。ローラー転写法の場合、第1の側面12c上および第2の側面12d上だけでなく、第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部にまで下地電極層32を形成するとき、ローラー転写の際の押し付け圧力を強くすることで第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部にまで下地電極32を形成することが可能となる。
第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dの各下地電極層32の形成時と同様、下地電極層32として焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属成分とを含む導電性ペーストを塗布し、その後、焼付け処理を行い、下地電極層32として焼付け層が形成される。このときの焼付け処理の温度は、700℃以上900℃以下であることが好ましい。
なお、下地電極層32を導電性樹脂層で形成する場合は、以下の方法で導電性樹脂層を形成することができる。なお、導電性樹脂層は、焼付け層の表面に形成されてもよく、焼付け層を形成せずに導電性樹脂層を単体で積層体12上に直接形成してもよい。
また、下地電極層32を薄膜層で形成する場合は、マスキングなどを行い、外部電極30を形成したいところにスパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層は金属粒子が堆積された1μm以下の層とする。
さらに、下地電極層32を設けずに積層体12の内部電極層16が露出する第2の領域部26a、第3の領域部26b、第5の領域部28bおよび第6の領域部28cにめっき電極を設けてもよい。その場合は、以下の方法で形成することができる。
より詳細には、本実施の形態では焼付け層である下地電極層32上に下層めっき層としてNiめっき層が形成され、上層めっき層としてSnめっき層が形成される。Niめっき層およびSnめっき層は、たとえばバレルめっき法により、順次形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。従って、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。
次に、上述した本発明にかかる積層セラミックコンデンサの効果を確認するために、実験の試料として積層セラミックコンデンサを製造し、積層セラミックコンデンサの絶縁破壊電圧(BDV)を測定する実験を行った。
まず、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法にしたがって、以下のような仕様の実施例1ないし実施例4にかかる積層セラミックコンデンサを作製した。
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図1を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.47nF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:23.3μm
・LT断面の構造:図8を参照
・WT断面の構造:図9を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図6を参照
枚数:65枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:図7を参照
枚数:3枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図1を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.33nF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:30.0μm
・LT断面の構造:図8を参照
・WT断面の構造:図9を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図6を参照
枚数:57枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:図7を参照
枚数:3枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図1を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.22nF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:37.7μm
・LT断面の構造:図4を参照
・WT断面の構造:図5を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図6を参照
枚数:70枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:図7を参照
枚数:2枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図1を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.10nF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:75.7μm
・LT断面の構造:図4を参照
・WT断面の構造:図5を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図6を参照
枚数:70枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:図7を参照
枚数:2枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
続いて、以下のような仕様の比較例1ないし比較例4にかかる積層セラミックコンデンサを作製した。
図10(a)は、比較例1および比較例2にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示すLT断面図であり、図10(b)は、そのWT断面図である。比較例1および比較例2にかかる積層セラミックコンデンサ1Aは、直方体状の積層体2と、その両端面に配置される外部電極3と、その両側面に配置される外部電極4を有する。積層体2は、積層された複数の誘電体層5と、誘電体層5上に積層された複数の第1の内部電極層6aと第2の内部電極層6bとを有する。第1の内部電極層6aが2枚以上連続して積層されている領域である内部電極積層部7を分断するように、第2の内部電極層6bが配置される。このとき、内部電極積層部7は、1枚の第2の内部電極層6bにより、第1の内部電極積層部7aおよび第2の内部電極積層部7bに分断されている。
以下、仕様の詳細を示す。
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図9を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.47μF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:23.3μm
・LT断面の構造:図10(a)を参照
・WT断面の構造:図10(b)を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図11(a)を参照
枚数:65枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:11図(b)を参照
枚数:3枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図9を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.33μF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:30.0μm
・LT断面の構造:図10(a)を参照
・WT断面の構造:図10(b)を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図11(a)を参照
枚数:57枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:11図(b)を参照
枚数:3枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
図12(a)比較例3および比較例4にかる積層セラミックコンデンサの一例を示す図4に対応する断面図であり、図12(b)は、その図5に対応する断面図である。比較例2にかかる積層セラミックコンデンサ1Bは、直方体状の積層体2と、その両端面に配置される外部電極3と、その両側面に配置される外部電極4を有する。積層体2は、積層された複数の誘電体層5と、誘電体層5上に積層された複数の第1の内部電極層6aと第2の内部電極層6bとを有する。第1の内部電極層6aの数は、第2の内部電極層6bの数よりも多く、かつ、第1の内部電極層6aは2枚以上連続して積層される。図12に示す積層セラミックコンデンサ1Bは、第2の内部電極層6bが、最も第1の主面側に位置する第1の内部電極層6aと第1の主面との間、および最も第2の主面側に位置する第1の内部電極層6aと第2の主面との間に配置される。そして、内部電極積層部7は、第1の内部電極層6aにより分断されていない。
以下、仕様の詳細を示す。
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図9を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.22μF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:37.7μm
・LT断面の構造:図12(a)を参照
・WT断面の構造:図12(b)を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図11(a)を参照
枚数:70枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:11図(b)を参照
枚数:2枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・積層セラミックコンデンサの構造:3端子(図9を参照)
・積層セラミックコンデンサの寸法L×W×T(設計値を含む):1.6mm×0.8mm×0.6mm
・誘電体層の材料:BaTiO3
・静電容量:0.10μF
・定格電圧:100V
・誘電体層の厚み:75.7μm
・LT断面の構造:図12(a)を参照
・WT断面の構造:図12(b)を参照
・内部電極層の構造
・第1の内部電極層
材料:Ni
形状:図11(a)を参照
枚数:70枚
厚み:1.0μm
・第2の内部電極層
材料:Ni
形状:11図(b)を参照
枚数:2枚
厚み:1.0μm
・外部電極の構造
・第1の外部電極および第2の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:45μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
・第3の外部電極および第4の外部電極
下地電極層:導電性金属(Cu)とガラス成分とを含む焼付け層
端面中央部の厚み:30μm
めっき層:Niめっき層およびSnめっき層の2層構造
Niめっき層の厚み:4μm
Snめっき層の厚み:4μm
静電容量は、標準規格(JIS C 5101-1:2010)に基づいた測定条件で、静電容量測定器(LCRメータ)を用いて測定した。
各実施例および各比較例に係る試料について、誘電体層の厚みは次のようにして測定した。
すなわち、まず、試料である積層セラミックコンデンサの周りを樹脂で固めた。このとき、各試料である積層セラミックコンデンサのLT側面が露出するようにした。LT側面とは、長さ・高さ側面であり、研磨することにおり、外部電極への接続部分を含めて内部電極層が露出する側面である。研磨機により、LT側面を研磨し、積層体の幅方向yの1/2の深さで終了し、LT断面を露出させた。この研磨面に対しイオンミリングを行い、研磨によるダレを除去して、観察用の断面を得た。
続いて、図13に示すように、LT断面の長さ方向zの1/2の位置において、内部電極層と直交する垂線を引いた。次に、試料の内部電極層が積層されている領域(内部電極積層部)を高さ方向xに3等分に分割し、上側部U、中間部M、下側部Dの3つの領域に分ける。そして、各領域のそれぞれの高さ方向xの中央部から5層の誘電体層を選定し、これらの誘電体層の上記垂線上における厚みを測定した。以上より、各試料について、3領域×5層の計15か所で誘電体層および内部電極層の厚みを測定し、これらの平均値を算出した。
誘電体層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
実施例および各比較例に係る試料である積層セラミックコンデンサにおいて、第1の外部電極および第2の外部電極に直流電源から配線を接続し、第1の内部電極層と第2の内部電極層との間に電圧を印加し、絶縁破壊する電圧を測定した。このときの昇圧速度は、50V/sで昇圧し、検出電流は83mAとした。
表1および図14によれば、比較例1ないし比較例4の構造では、高電界印加時に、第1の主面の一部および第2の主面の一部に配置される第3の外部電極および第4の外部電極と第1の内部電極層との間で絶縁破壊が生じる場合があり、比較例1から比較例4に向かうにしたがって、誘電体層の厚みが厚くなるにもかかわらず、絶縁破壊電圧(BDV)があまり上昇しない現象が発生した。
すなわち、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
12 積層体
12a 第1の主面
12b 第2の主面
12c 第1の側面
12d 第2の側面
12e 第1の端面
12f 第2の端面
14 誘電体層
16 内部電極層
16a 第1の内部電極層
16b 第2の内部電極層
18 内層部
19 容量形成部
20a 第1の主面側外層部
20b 第2の主面側外層部
22a 第1の側面側外層部
22b 第2の側面側外層部
24 内部電極積層部
24a 第1の内部電極積層部
24b 第2の内部電極積層部
26a 第1の領域部
26b 第2の領域部
26c 第3の領域部
28a 第4の領域部
28b 第5の領域部
28c 第6の領域部
29a、29b 凹部
30 外部電極
30a 第1の外部電極
30b 第2の外部電極
30c 第3の外部電極
30d 第4の外部電極
32 下地電極層
32a 第1の下地電極層
32b 第2の下地電極層
32c 第3の下地電極層
32d 第4の下地電極層
34 めっき層
34a 第1のめっき層
34b 第2のめっき層
34c 第3のめっき層
34d 第4のめっき層
x 高さ方向
y 幅方向
z 長さ方向
Claims (8)
- 複数の積層された誘電体層を有し、高さ方向に相対する第1の主面および第2の主面と、前記高さ方向に直交する長さ方向に相対する第1の端面および第2の端面と、前記高さ方向および前記長さ方向に直交する幅方向に相対する第1の側面および第2の側面とを有する積層体と、
前記複数の誘電体層上に配置され、前記第1の端面および前記第2の端面に引き出された複数の第1の内部電極層と、
前記複数の誘電体層上に配置され、前記第1の側面および前記第2の側面に引き出された複数の第2の内部電極層と、
前記第1の端面上に配置されており、前記第1の内部電極層に接続される第1の外部電極と、
前記第2の端面上に配置されており、前記第1の内部電極層に接続される第2の外部電極と、
前記第1の側面上に配置され、前記第1の側面から延伸して前記第1の主面の一部および前記第2の主面の一部に配置されており、前記第2の内部電極層に接続される第3の外部電極と、
前記第2の側面上に配置され、前記第2の側面から延伸して前記第1の主面の一部および前記第2の主面の一部に配置されており、前記第2の内部電極層に接続される第4の外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記第1の内部電極層の数は前記第2の内部電極層の数よりも多く、かつ、前記第1の内部電極層は2枚以上連続して積層されており、
前記第1の内部電極層は、前記高さ方向から前記積層セラミックコンデンサを見た際に、前記第1の主面の一部および前記第2の主面の一部に配置される前記第3の外部電極および前記第1の主面の一部および前記第2の主面の一部に配置される前記第4の外部電極とは重ならないように凹部が形成され、
前記第2の内部電極層は、少なくとも最も前記第1の主面側に位置する前記第1の内部電極層と前記第1の主面との間、および、少なくとも最も前記第2の主面側に位置する前記第1の内部電極層と前記第2の主面との間に配置され、
前記第2の内部電極層の前記長さ方向の長さは、前記第1の主面の一部および前記第2の主面の一部に配置される前記第3の外部電極および前記第1の主面の一部および前記第2の主面の一部に配置されている前記第4の外部電極の前記長さ方向の最大長さよりも小さい、積層セラミックコンデンサ。 - 前記第2の内部電極層は、前記積層体の前記第1の側面と前記第2の側面との間にわたって延び、前記誘電体層の中央部に位置する領域部と、前記誘電体層の中央部に位置する領域部から前記第1の側面および前記第2の側面に引き出される領域部と、を有し、
前記誘電体層の中央部に位置する領域部の前記第1の端面と前記第2の端面とを結ぶ長さ方向の長さは、前記引き出される領域部の前記第1の端面と前記第2の端面とを結ぶ長さ方向の長さと同じ長さである、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記第1の内部電極層が2枚以上連続して積層されている領域を複数個に分断するように前記第2の内部電極層が配置される、請求項1または請求項2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の内部電極層が2枚以上連続して積層されている領域を複数個に分断するように配置される前記第2の内部電極層は、単数で配置される、請求項3に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の内部電極層が2枚以上連続して積層されている領域を複数個に分断するように配置される前記第2の内部電極層は、2枚以上連続して積層される、請求項3に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の内部電極層と前記第2の内部電極層との間に位置する誘電体層の厚みは、前記第1の内部電極層同士に挟まれて位置する誘電体層よりも大きい、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の内部電極層と前記第2の内部電極層との間に位置する前記誘電体層の厚みは、30μm以上である、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記凹部が形成されている部分の前記第1の内部電極層の前記幅方向の最短距離は、前記凹部が形成されていない部分の前記第1の内部電極層の最短距離よりも短い、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0282022U (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-25 | ||
JP2010287708A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Tdk Corp | 積層電子部品の製造方法および積層体製造装置 |
JP2011049490A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
JP2011187674A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品、積層セラミックコンデンサおよび積層正特性サーミスタ |
JP2012104736A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Tdk Corp | 貫通コンデンサ及び貫通コンデンサの実装構造 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0530344Y2 (ja) * | 1985-01-30 | 1993-08-03 | ||
JP3812377B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2006-08-23 | 株式会社村田製作所 | 貫通型三端子電子部品 |
US7920370B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor |
JP4433010B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2010-03-17 | Tdk株式会社 | 貫通コンデンサ及び貫通コンデンサの製造方法 |
JP5234135B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2013-07-10 | Tdk株式会社 | 貫通型積層コンデンサ |
JP5708245B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2015-04-30 | Tdk株式会社 | 貫通型積層コンデンサ |
JP2013021298A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
CN102543429A (zh) * | 2012-03-01 | 2012-07-04 | 广东风华邦科电子有限公司 | 一种高压陶瓷电容器 |
US9374901B2 (en) * | 2012-08-10 | 2016-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic capacitor mounting structure and monolithic capacitor |
JP6273672B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2018-02-07 | Tdk株式会社 | 積層貫通コンデンサ |
KR101994711B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
JP6915645B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2021-08-04 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
JP6720660B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2020-07-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6841121B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-03-10 | Tdk株式会社 | 貫通コンデンサ |
JP2021027284A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2021
- 2021-02-24 JP JP2021027614A patent/JP2022129066A/ja active Pending
-
2022
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0282022U (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-25 | ||
JP2010287708A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Tdk Corp | 積層電子部品の製造方法および積層体製造装置 |
JP2011049490A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
JP2011187674A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品、積層セラミックコンデンサおよび積層正特性サーミスタ |
JP2012104736A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Tdk Corp | 貫通コンデンサ及び貫通コンデンサの実装構造 |
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