JP5708245B2 - 貫通型積層コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、貫通型積層コンデンサに関する。

貫通型積層コンデンサとして、絶縁体層と内部電極とがそれぞれ複数積層されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体の外表面に配置された第一及び第二信号用端子電極並びに接地用端子電極と、を備え、コンデンサ素体は、通電部と、コンデンサ素体における積層方向で通電部を挟む一対の静電容量部と、を有しているものが知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されている貫通型積層コンデンサでは、通電部が、内部電極として、第一及び第二信号用端子電極に接続される複数の通電用内部電極を含み、一対の静電容量部それぞれが、内部電極として、第一及び第二信号用端子電極に接続される信号用内部電極と、接地用端子電極に接続され且つ信号用内部電極と積層方向で隣り合って対向する接地用内部電極と、を含んでおり、直流抵抗の低減を図っている。

特開２００９−２１８３６３号公報

ノイズ除去のために電子機器の電源回路などに接続される貫通型積層コンデンサでは、直流抵抗の低減を図るだけでなく、広い周波数帯域でノイズ除去の効果を発揮することが要求される。そのため、広い周波数帯域でノイズを効果的に除去できるよう、この種の貫通型積層コンデンサでは広い周波数帯域にわたって低インピーダンスであることが求められる。

本発明は、直流抵抗の低減を図りつつ、広い周波数帯域にわたって低インピーダンスである貫通型積層コンデンサを提供することを目的とする。

本発明に係る貫通型積層コンデンサは、絶縁体層と内部電極とがそれぞれ複数積層されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体の外表面に配置された第一及び第二信号用端子電極並びに接地用端子電極と、を備え、コンデンサ素体は、通電部と、コンデンサ素体における積層方向で通電部を挟む一対の静電容量部と、を有し、通電部は、内部電極として、第一及び第二信号用端子電極に接続される複数の通電用内部電極を含み、一対の静電容量部それぞれは、内部電極として、積層方向で隣り合って対向すると共に第一及び第二信号用端子電極に接続される第一及び第二信号用内部電極と、接地用端子電極に接続される第一接地用内部電極と、接地用端子電極に接続される第二接地用内部電極と、を含み、第一接地用内部電極は、通電部と第一信号用内部電極との間に位置し、第一信号用内部電極と積層方向で隣り合って対向し、第二接地用内部電極は、外表面のうち積層方向で対向する主面と第二信号用内部電極との間に位置し、第二信号用内部電極と積層方向で隣り合って対向しており、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、が異なっていることを特徴とする。

本発明に係る貫通型積層コンデンサでは、一対の静電容量部の間に位置する通電部が、第一及び第二信号用端子電極に接続される複数の通電用内部電極を含んでいるため、直流抵抗が十分に小さく、直流電流の許容値を十分に高めることができる。

本発明では、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、が異なっているので、上記２つのコンデンサ成分に起因する自己共振周波数がそれぞれ異なることとなる。このため、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。

上記通電部では、第一信号用端子電極と第二信号用端子電極とが通電用内部電極を通して導通している。このため、通電部に高周波ノイズ成分が到達すると、当該高周波ノイズ成分は除去されることなく伝わってしまう。本発明では、貫通型積層コンデンサを、積層方向で対向する上記主面を実装面として電子機器（たとえば、回路基板や電子部品など）に実装した場合、一方の静電容量部が通電部よりも電子機器側に位置することとなる。このため、電子機器側から貫通型積層コンデンサに入力された高周波ノイズ成分は、通電部に到達する前に実装面側に位置する上記静電容量部にて除去されることとなる。

第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔と、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔と、が異なっていてもよい。この場合、広い周波数帯域での低インピーダンス化を確実に且つ容易に実現できる。

第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔よりも広くてもよい。

上記貫通型積層コンデンサを、積層方向で対向する上記主面を実装面として電子機器（たとえば、回路基板や電子部品など）に実装した場合、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分よりも電子機器側に位置する。このため、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分は、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分よりも電流経路が短くなる分、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が低い。第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔よりも広い場合、一般に、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量が第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量よりも小さい。すなわち、ＥＳＬが低いコンデンサ成分の静電容量が小さくされるため、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

第一信号用内部電極と第二信号用内部電極との積層方向での間隔が、通電用内部電極同士の積層方向での間隔よりも広くてもよい。この場合、第一信号用内部電極と第二信号用内部電極との積層方向での間隔が比較的広くなり、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分と、を確実に電気的に分離することができる。

一対の静電容量部それぞれは、内部電極として、通電部と第一接地用内部電極との間に位置し、第一接地用内部電極と積層方向で隣り合って対向すると共に第一及び第二信号用端子電極に接続される第三信号用内部電極を更に含んでいてもよい。この場合、高周波ノイズ成分が通電用内部電極に流れるのがより一層抑制されるため、ノイズ除去効果を更に向上させることができる。

第三信号用内部電極と積層方向で隣り合って対向する通電用内部電極と第三信号用内部電極との積層方向での間隔が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔及び第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔よりも狭くてもよい。この場合、静電容量を形成しない領域の、積層方向での厚みが小さいため、貫通型積層コンデンサの低背化を図ることができる。

第三信号用内部電極と積層方向で隣り合って対向する通電用内部電極と第三信号用内部電極との積層方向での間隔が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔及び第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔よりも広くてもよい。この場合、静電容量部と通電部との間のインピーダンスが高くなるため、高周波ノイズ成分は通電部により一層到達し難い。したがって、ノイズ除去効果を更に向上させることができる。

第一接地用内部電極と第三信号用内部電極との積層方向での間隔が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔及び第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔よりも狭くてもよい。この場合、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量及び第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分よりも、静電容量が比較的大きいコンデンサ成分が第一接地用内部電極と第三信号用内部電極とで形成されることとなる。すなわち、第一接地用内部電極と第三信号用内部電極とで更なるコンデンサ成分が形成されることから、極めて広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

第一接地用内部電極と第三信号用内部電極との積層方向での間隔が、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極との積層方向での間隔及び第二信号用内部電極と第二接地用内部電極との積層方向での間隔よりも広くてもよい。この場合、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量及び第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分よりも、静電容量が比較的小さいコンデンサ成分が第一接地用内部電極と第三信号用内部電極とで形成されることとなる。すなわち、第一接地用内部電極と第三信号用内部電極とで更なるコンデンサ成分が形成されることから、極めて広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

一対の静電容量部それぞれは、積層方向で隣り合って対向する複数の第一接地用内部電極を含んでいてもよい。この場合、第一信号用内部電極と第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極と第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分と、第一接地用内部電極と第三信号用内部電極又は通電用内部電極とで形成されるコンデンサ成分と、を確実に分離することができ、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

第一及び第二信号用内部電極の総数（Ｎ２）と複数の通電用内部電極の総数（Ｎ１）との比（Ｎ２／Ｎ１）が、０．２以下であってもよい。この場合、各静電容量部の信号用内部電極の数が少ないことから、貫通型積層コンデンサの寿命などの信頼性を向上することができる。

本発明によれば、直流抵抗の低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである貫通型積層コンデンサを提供することができる。

本実施形態に係る貫通型積層コンデンサを示す斜視図である。 図１におけるII−II線に沿った断面構成を説明するための図である。 図１におけるIII−III線に沿った断面構成を説明するための図である。 コンデンサ素体の分解斜視図である。 通電用内部電極を示す平面図である。 第一及び第二信号用内部電極を示す平面図である。 第一及び第二接地用内部電極を示す平面図である。 各内部電極の間隔を説明するための図である。 インピーダンスの周波数特性を示す線図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 第三信号用内部電極を示す平面図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

まず、図１〜図４を参照して、本実施形態に係る貫通型積層コンデンサＣの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る貫通型積層コンデンサを示す斜視図である。図２は、図１におけるII−II線に沿った断面構成を説明するための図であり、図３は、図１におけるIII−III線に沿った断面構成を説明するための図である。図４は、コンデンサ素体の分解斜視図である。

図１に示されるように、本実施形態に係る貫通型積層コンデンサＣは、誘電特性を有するコンデンサ素体Ｌと、コンデンサ素体Ｌの外表面に配置される第一及び第二信号用端子電極１，２と、コンデンサ素体Ｌの外表面に配置される第一及び第二接地用端子電極３，４とを備えている。

コンデンサ素体Ｌは、図１に示されるように、直方体形状であり、その外表面として、対向する長方形状の第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂと、対向する第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄと、対向する第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆと、を有する。第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄは、第一及び第二主面間を連結するように第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの短辺方向に伸びている。第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆは、第一及び第二主面間を連結するように第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの長辺方向に伸びている。

第一信号用端子電極１は、コンデンサ素体Ｌの第一側面Ｌｃに配置されている。第一信号用端子電極１は、第一側面Ｌｃ全面を覆うように、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂ並びに第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの端部（第一側面Ｌｃ側の端部）に亘って形成されている。第二信号用端子電極２は、コンデンサ素体Ｌの第二側面Ｌｄに配置されている。第二信号用端子電極２は、第二側面Ｌｄ全面を覆うように、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂ並びに第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの端部（第二側面Ｌｄ側の端部）に亘って形成されている。第一及び第二信号用端子電極１，２は、第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向に対向している。

第一接地用端子電極３は、コンデンサ素体Ｌの第三側面Ｌｅに配置されている。第一接地用端子電極３は、第三側面Ｌｅの第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向の略中央を、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの対向方向に沿って横断するように覆っている。第一接地用端子電極３は、さらに第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの第三側面Ｌｅ側の端部の一部も覆っている。

第二接地用端子電極４は、コンデンサ素体Ｌの第四側面Ｌｆに配置されている。第二接地用端子電極４は、第四側面Ｌｆの第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向の略中央を、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの対向方向に沿って横断するように覆っている。第二接地用端子電極４は、さらに第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの第四側面Ｌｆ側の端部の一部も覆っている。第一及び第二接地用端子電極３，４は、第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの対向方向に対向している。

第一及び第二信号用端子電極１，２と第一及び第二接地用端子電極３，４とは、たとえば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストをコンデンサ素体の外表面に付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けられた端子電極の上にめっき層が形成されることもある。信号用端子電極１，２及び接地用端子電極３，４は、コンデンサ素体Ｌの表面上においては互いに電気的に絶縁されて形成されている。

貫通型積層コンデンサＣでは、第一主面Ｌａ又は第二主面Ｌｂを、電子機器（たとえば、回路基板や電子部品など）に対する実装面として電子機器に実装することが好ましい。コンデンサ素体Ｌの第二主面Ｌｂが回路基板と対向するように貫通型積層コンデンサＣを実装する場合、第一及び第二信号用端子電極１，２を、基板上に形成され信号配線に接続されたランド電極に接続し、第一及び第二接地用端子電極３，４を、基板上に形成されグランド配線に接続されたグランド電極に接続する。

コンデンサ素体Ｌは、図２〜図４に示されるように、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの対向方向に複数の絶縁体層１０が積層されて構成されている。各絶縁体層１０は、例えば誘電体セラミック（ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系等の誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際のコンデンサ素体Ｌでは、各絶縁体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

コンデンサ素体Ｌは、通電部１１と、一対の静電容量部１３，１５と、を有している。一対の静電容量部１３，１５は、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの対向方向、すなわち絶縁体層１０の積層方向で通電部１１を挟んでいる。静電容量部１３は、通電部１１と第一主面Ｌａとの間に位置し、静電容量部１５は、通電部１１と第二主面Ｌｂとの間に位置している。静電容量部１３，１５が、貫通型積層コンデンサＣの静電容量の形成に主として寄与する。

通電部１１は、複数（本実施形態では、２０層）の通電用内部電極２０を含んでいる。通電部１１は、これらの通電用内部電極２０が絶縁体層１０を介して配置されることにより形成されている。通電用内部電極２０同士は、絶縁体層１０の積層方向で隣り合って対向している。

図５にも示されるように、各通電用内部電極２０は、主電極部２０ａと、引き出し電極部２０ｂ，２０ｃと、を有している。引き出し電極部２０ｂは、主電極部２０ａから第一側面Ｌｃに引き出されるように伸びている。引き出し電極部２０ｃは、主電極部２０ａから第二側面Ｌｄに引き出されるように伸びている。主電極部２０ａと、引き出し電極部２０ｂ，２０ｃとは、それぞれが一体的に形成されている。

主電極部２０ａは、第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向を長辺方向とし、第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの対向方向を短辺方向とする矩形形状を呈している。引き出し電極部２０ｂは、主電極部２０ａの第一側面Ｌｃ側の端部から主電極部２０ａと同じ幅で第一側面Ｌｃまで伸びている。引き出し電極部２０ｂは、その端が第一側面Ｌｃに露出し、当該露出した端部で第一信号用端子電極１に接続されている。引き出し電極部２０ｃは、主電極部２０ａの第二側面Ｌｄ側の端部から主電極部２０ａと同じ幅で第二側面Ｌｄまで伸びている。引き出し電極部２０ｃは、その端が第二側面Ｌｄに露出し、当該露出した端部で第二信号用端子電極２に接続されている。

第一信号用端子電極１は、引き出し電極部２０ｂの第一側面Ｌｃに露出した部分をすべて覆うように形成されており、引き出し電極部２０ｂは、第一信号用端子電極１に物理的且つ電気的に接続される。これにより、各通電用内部電極２０は、第一信号用端子電極１に接続されることとなる。第二信号用端子電極２は、引き出し電極部２０ｃの第二側面Ｌｄに露出した部分をすべて覆うように形成されており、引き出し電極部２０ｃは、第二信号用端子電極２に物理的且つ電気的に接続される。これにより、各通電用内部電極２０は、第二信号用端子電極２に接続されることとなる。

各静電容量部１３，１５は、複数の信号用内部電極（第一信号用内部電極３０及び第二信号用内部電極３１）、第一接地用内部電極４０、及び第二接地用内部電極４１を含んでいる。各静電容量部１３，１５は、これらの内部電極３０，３１，４０，４１が絶縁体層１０を介して配置されることにより形成されている。第一信号用内部電極３０と第二信号用内部電極３１とは、絶縁体層１０の積層方向で隣り合って対向している。

第一接地用内部電極４０は、通電部１１と第一信号用内部電極３０との間に位置しており、第一信号用内部電極３０と上記積層方向で隣り合って対向している。第二接地用内部電極４１は、主面Ｌａ，Ｌｂと第二信号用内部電極３１との間に位置しており、第二信号用内部電極３１と上記積層方向で隣り合って対向している。

図６にも示されるように、各信号用内部電極３０，３１は、主電極部３０ａ，３１ａと、引き出し電極部３０ｂ，３１ｂ，３０ｃ，３１ｃと、を有している。引き出し電極部３０ｂ，３１ｂは、主電極部３０ａ，３１ａから第一側面Ｌｃに引き出されるように伸びている。引き出し電極部３０ｃ，３１ｃは、主電極部３０ａ，３１ａから第二側面Ｌｄに引き出されるように伸びている。主電極部３０ａ，３１ａと、引き出し電極部３０ｂ，３１ｂ，３０ｃ，３１ｃとは、それぞれが一体的に形成されている。

主電極部３０ａ，３１ａは、第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向を長辺方向とし、第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの対向方向を短辺方向とする矩形形状を呈している。引き出し電極部３０ｂ，３１ｂは、主電極部３０ａ，３１ａの第一側面Ｌｃ側の端部から主電極部３０ａ，３１ａと同じ幅で第一側面Ｌｃまで伸びている。引き出し電極部３０ｂ，３１ｂは、その端が第一側面Ｌｃに露出し、当該露出した端部で第一信号用端子電極１に接続されている。引き出し電極部３０ｃ，３１ｃは、主電極部３０ａ，３１ａの第二側面Ｌｄ側の端部から主電極部３０ａ，３１ａと同じ幅で第二側面Ｌｄまで伸びている。引き出し電極部３０ｃ，３１ｃは、その端が第二側面Ｌｄに露出し、当該露出した端部で第二信号用端子電極２に接続されている。

第一信号用端子電極１は、引き出し電極部３０ｂ，３１ｂの第一側面Ｌｃに露出した部分もすべて覆うように形成されており、引き出し電極部３０ｂ，３１ｂは、第一信号用端子電極１に物理的且つ電気的に接続される。これにより、第一及び第二信号用内部電極３０，３１は、第一信号用端子電極１に接続されることとなる。第二信号用端子電極２は、引き出し電極部３０ｃ，３１ｃの第二側面Ｌｄに露出した部分もすべて覆うように形成されており、引き出し電極部３０ｃ，３１ｃは、第二信号用端子電極２に物理的且つ電気的に接続される。これにより、第一及び第二信号用内部電極３０，３１は、第二信号用端子電極２に接続されることとなる。

図７にも示されるように、各接地用内部電極４０，４１は、主電極部４０ａ，４１ａと、引き出し電極部４０ｂ，４１ｂ，４０ｃ，４１ｃと、を有している。引き出し電極部４０ｂ，４１ｂは、主電極部４０ａ，４１ａから第三側面Ｌｅに引き出されるように伸びている。引き出し電極部４０ｃ，４１ｃは、主電極部４０ａ，４１ａから第四側面Ｌｆに引き出されるように伸びている。主電極部４０ａ，４１ａと、引き出し電極部４０ｂ，４１ｂ，４０ｃ，４１ｃとは、一体的に形成されている。

主電極部４０ａ，４１ａは、第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向を長辺方向とし、第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの対向方向を短辺方向とする矩形形状を呈している。引き出し電極部４０ｂ，４１ｂは、主電極部４０ａ，４１ａの第三側面Ｌｅ側の端部である長辺の略中央から第三側面Ｌｅまで伸びている。引き出し電極部４０ｂ，４１ｂは、その端が第三側面Ｌｅに露出し、当該露出した端部で第一接地用端子電極３に接続されている。引き出し電極部４０ｃ，４１ｃは、主電極部４０ａ，４１ａの第四側面Ｌｆ側の端部である長辺の略中央から第四側面Ｌｆまで伸びている。引き出し電極部４０ｃ，４１ｃは、その端が第四側面Ｌｆに露出し、当該露出した端部で第二接地用端子電極４に接続されている。

第一接地用端子電極３は、引き出し電極部４０ｂ，４１ｂの第三側面Ｌｅに露出した部分をすべて覆うように形成されており、引き出し電極部４０ｂ，４１ｂは、第一接地用端子電極３に物理的且つ電気的に接続される。これにより、各接地用内部電極４０，４１は、第一接地用端子電極３に接続されることとなる。第二接地用端子電極４は、引き出し電極部４０ｃ，４１ｃの第四側面Ｌｆに露出した部分をすべて覆うように形成されており、引き出し電極部４０ｃ，４１ｃは、第二接地用端子電極４に物理的且つ電気的に接続される。これにより、各接地用内部電極４０，４１は、第二接地用端子電極４に接続されることとなる。

貫通型積層コンデンサＣは、上述したように、内部電極として、複数の通電用内部電極２０、複数の信号用内部電極（第一信号用内部電極３０及び第二信号用内部電極３１）、第一接地用内部電極４０、及び第二接地用内部電極４１を備えている。コンデンサ素体Ｌは、絶縁体層１０と内部電極２０，３０，３１，４０，４１とがそれぞれ複数積層されてなる。各内部電極（通電用内部電極２０、第一信号用内部電極３０、第二信号用内部電極３１、第一接地用内部電極４０、及び第二接地用内部電極４１）は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、ＮｉやＣｕなど）からなる。内部電極は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

各内部電極２０，３０，３１，４０，４１は、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの対向方向、すなわち絶縁体層１０の積層方向に併置されている。本実施形態では、第一及び第二主面Ｌａ，Ｌｂの対向方向において、第一主面Ｌａ側から、第二接地用内部電極４１、第二信号用内部電極３１、第一信号用内部電極３０、第一接地用内部電極４０、２０層の通電用内部電極２０、第一接地用内部電極４０、第一信号用内部電極３０、第二信号用内部電極３１、第二接地用内部電極４１、の順に位置している。通電用内部電極２０の総数（総積層数）は、「２０」であり、第一信号用内部電極３０及び第二信号用内部電極３１の総数（総積層数）は、「４」である。したがって、貫通型積層コンデンサＣでは、第一及び第二信号用内部電極の総数（Ｎ２）と複数の通電用内部電極の総数（Ｎ１）との比（Ｎ２／Ｎ１）が、０．２以下である。

各静電容量部１３，１５では、図８に示されるように、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１との間隔Ｇ１が、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０との間隔Ｇ２よりも広い。したがって、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、が異なることとなる。具体的には、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量が、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量よりも小さい。

各静電容量部１３，１５では、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する第一信号用内部電極３０と第二信号用内部電極３１との間隔Ｇ３が、間隔Ｇ１及び間隔Ｇ２よりも狭い。絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する第一接地用内部電極４０と通電用内部電極２０（静電容量部１３，１５に最も近接する通電用内部電極２０）との間隔Ｇ４が、間隔Ｇ１及び間隔Ｇ２よりも広い。

以上のように、本実施形態では、一対の静電容量部１３，１５の間に位置する通電部１１が、第一及び第二信号用端子電極１，２に接続される複数の通電用内部電極２０を含んでいる。このため、貫通型積層コンデンサＣは、直流抵抗が十分に小さく、直流電流の許容値を十分に高めることができる。

本実施形態では、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、が異なっているので、上記２つのコンデンサ成分に起因する自己共振周波数がそれぞれ異なることとなる。このため、貫通型積層コンデンサＣは、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化が図られる。

本実施形態では、上記間隔Ｇ１と同じく上記間隔Ｇ２とを異ならせることにより、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、が異なっている。したがって、貫通型積層コンデンサＣでは、広い周波数帯域での低インピーダンス化が確実に且つ容易に実現されている。

具体的には、上記間隔Ｇ１が上記間隔Ｇ２よりも広い。したがって、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量が、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量よりも小さい。このため、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分に起因する自己共振周波数は、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分に起因する自己共振周波数よりも高く、図９に示されるように、貫通型積層コンデンサＣでは、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。

各静電容量部１３，１５は、各内部電極として、第一信号用内部電極３０と第二信号用内部電極３１とを含んでいる。このように、第一信号用内部電極３０と第二信号用内部電極３１とが含まれることにより、静電容量が異なる２つのコンデンサ成分を確実に分離することができる。各静電容量部１３，１５が、各内部電極として、一つの信号用内部電極を含んでいる場合でも、信号用内部電極と第一接地用内部電極４０との間、及び、信号用内部電極と第二接地用内部電極４１との間にそれぞれコンデンサ成分が形成されることとなるが、各コンデンサ成分で、信号用内部電極が共用されていることから、各コンデンサ成分が結合して、電気的に一つのコンデンサ成分として機能し、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることは困難である。

本実施形態では、貫通型積層コンデンサＣを、第一主面Ｌａ又は第二主面Ｌｂを実装面として電子機器に実装した場合、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分が、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分よりも電子機器側に位置することとなる。このため、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分は、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分よりも電流経路が短くなる分、ＥＳＬが低い。したがって、ＥＳＬが低いコンデンサ成分（第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分）の静電容量が小さくされるため、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

上記通電部１１では、第一信号用端子電極１と第二信号用端子電極２とが通電用内部電極２０を通して導通している。このため、通電部１１に高周波ノイズ成分が到達すると、当該高周波ノイズ成分は除去されることなく伝わってしまう。本実施形態では、貫通型積層コンデンサＣを、第一主面Ｌａ又は第二主面Ｌｂを実装面として電子機器に実装した場合、一方の静電容量部１３，１５が通電部１１よりも電子機器側に位置することとなる。このため、電子機器側から貫通型積層コンデンサＣに入力された高周波ノイズ成分は、通電部１１に到達する前に実装面側に位置する上記静電容量部１３，１５にて除去されることとなる。

本実施形態では、通電用内部電極２０の総数（通電部１１が有する内部電極の総数）が、第一信号用内部電極３０、第二信号用内部電極３１、第一接地用内部電極４０、及び第二接地用内部電極４１の総数（静電容量部１３，１５が有する内部電極の総数）よりも多い。これにより、貫通型積層コンデンサＣは、直流抵抗がより一層小さくなり、直流電流の許容値をより十分に高めることができる。

本実施形態では、第一及び第二信号用内部電極３０，３１の総数と複数の通電用内部電極２０の総数との上記比が、０．２以下である。これにより、各静電容量部１３，１５の信号用内部電極３０，３１の数が少なく、貫通型積層コンデンサＣの寿命などの信頼性を向上することができる。

本実施形態では、コンデンサ素体Ｌにおいて、通電部１１を挟んで一対の静電容量部１３，１５が位置している。したがって、貫通型積層コンデンサＣを電子機器に実装する際に、貫通型積層コンデンサＣの方向性を打ち消すことができ、実装時の作業性を向上させることができる。

次に、図１０及び図１１を参照して、貫通型積層コンデンサＣの各変形例を説明する。図１０及び図１１は、変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。

図１０に示された変形例では、上記間隔Ｇ３が、通電用内部電極２０同士の上記積層方向での間隔Ｇ５よりも広い。この場合、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分と、をより一層確実に電気的に分離することができる。

図１１に示された変形例では、上記間隔Ｇ４が、間隔Ｇ１及び間隔Ｇ２よりも狭い。この場合には、第一接地用内部電極４０と、第一接地用内部電極４０と積層方向で隣り合って対向する通電用内部電極２０と、でコンデンサ成分が形成されることとなる。第一接地用内部電極４０と通電用内部電極２０とで形成される上記コンデンサ成分の静電容量は、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量、及び、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量よりも大きい。したがって、本変形例では、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

次に、図１２及び図１３を参照して、貫通型積層コンデンサＣの更なる変形例を説明する。図１２及び図１３は、本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。

本変形例に係る貫通型積層コンデンサＣでは、各静電容量部１３，１５が、第三信号用内部電極３３を含んでいる。この場合、通電用内部電極２０の総数は、３０層以上であることが好ましい。第三信号用内部電極３３は、通電部１１と、第一接地用内部電極４０との間に位置している。第三信号用内部電極３３は、通電用内部電極２０と絶縁体層１０の積層方向で隣り合って対向していると共に、第一接地用内部電極４０と上記積層方向で隣り合って対向している。

図１４にも示されるように、第三信号用内部電極３３は、主電極部３３ａと、引き出し電極部３３ｂ，３３ｃと、を有している。引き出し電極部３３ｂは、主電極部３３ａから第一側面Ｌｃに引き出されるように伸びている。引き出し電極部３３ｃは、主電極部３３ａから第二側面Ｌｄに引き出されるように伸びている。主電極部３３ａと、引き出し電極部３３ｂ，３３ｃとは、それぞれが一体的に形成されている。

主電極部３３ａは、第一及び第二側面Ｌｃ，Ｌｄの対向方向を長辺方向とし、第三及び第四側面Ｌｅ，Ｌｆの対向方向を短辺方向とする矩形形状を呈している。引き出し電極部３３ｂは、主電極部３３ａの第一側面Ｌｃ側の端部から主電極部３３ａと同じ幅で第一側面Ｌｃまで伸びている。引き出し電極部３３ｂは、その端が第一側面Ｌｃに露出し、当該露出した端部で第一信号用端子電極１に接続されている。引き出し電極部３３ｃは、主電極部３３ａの第二側面Ｌｄ側の端部から主電極部３３ａと同じ幅で第二側面Ｌｄまで伸びている。引き出し電極部３３ｃは、その端が第二側面Ｌｄに露出し、当該露出した端部で第二信号用端子電極２に接続されている。

第一信号用端子電極１は、引き出し電極部３３ｂの第一側面Ｌｃに露出した部分もすべて覆うように形成されており、引き出し電極部３３ｂは、第一信号用端子電極１に物理的且つ電気的に接続される。これにより、第三信号用内部電極３３は、第一信号用端子電極１に接続されることとなる。第二信号用端子電極２は、引き出し電極部３３ｃの第二側面Ｌｄに露出した部分もすべて覆うように形成されており、引き出し電極部３３ｃは、第二信号用端子電極２に物理的且つ電気的に接続される。これにより、第三信号用内部電極３３は、第二信号用端子電極２に接続されることとなる。

各静電容量部１３，１５では、図１５に示されるように、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する通電用内部電極２０と第三信号用内部電極３３との間隔Ｇ６が、上記間隔Ｇ１，Ｇ２よりも狭い。本変形例では、間隔Ｇ６は、間隔Ｇ５以上とされている。

本変形例に係る貫通型積層コンデンサＣも、上述したように、直流抵抗が十分に小さく、直流電流の許容値を十分に高めることができると共に、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化が図られる。また、電子機器側から貫通型積層コンデンサＣに入力された高周波ノイズ成分は、通電部１１に到達する前に第三信号用内部電極３３にも流れることとなるため、高周波ノイズ成分が通電用内部電極２０（通電部１１）に流れるのがより一層抑制される。これらにより、ノイズ除去効果を更に向上させることができる。

上記間隔Ｇ６が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも狭いことにより、静電容量を形成しない領域の積層方向での厚みが小さい。このため、本変形例では、貫通型積層コンデンサＣの低背化を図ることができる。

次に、図１６及び図１７を参照して、貫通型積層コンデンサＣの更なる変形例を説明する。図１６及び図１７は、変形例に係る貫通型積層コンデンサの各内部電極の間隔を説明するための図である。

図１６に示された変形例では、上記間隔Ｇ６が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも広い。絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する第一接地用内部電極４０と第三信号用内部電極３３との間隔Ｇ７が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも広い。

上記間隔Ｇ６が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも広いことから、静電容量部１３，１５と通電部１１との間のインピーダンスが高くなるため、高周波ノイズ成分は通電部により一層到達し難い。したがって、本変形例では、ノイズ除去効果を更に向上させることができる。

上記間隔Ｇ７が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも広いことから、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量及び第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分よりも、静電容量が比較的小さいコンデンサ成分が第一接地用内部電極４０と第三信号用内部電極３３とで形成されることとなる。したがって、第一接地用内部電極４０と第三信号用内部電極３３とで更なるコンデンサ成分が形成されることから、極めて広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

図１７に示された変形例では、上記間隔Ｇ７が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも狭い。上記間隔Ｇ６は、図１５に示された変形例における間隔Ｇ６よりも広い。

本変形例では、間隔Ｇ７が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも狭いことにより、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量及び第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分よりも、静電容量が比較的大きいコンデンサ成分が第一接地用内部電極４０と第三信号用内部電極３３とで形成されることとなる。したがって、第一接地用内部電極４０と第三信号用内部電極３３とで更なるコンデンサ成分が形成されることから、極めて広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

本変形例では、上記間隔Ｇ６が、より一層広いことから、静電容量部１３，１５と通電部１１との間のインピーダンスがより一層高くなるため、高周波ノイズ成分は通電部により一層到達し難い。したがって、ノイズ除去効果をより一層向上させることができる。

次に、図１８及び図１９を参照して、貫通型積層コンデンサＣの更なる変形例を説明する。図１８及び図１９は、本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。

本変形例に係る貫通型積層コンデンサＣでは、各静電容量部１３，１５が、複数（本実施形態では、２層）の第一接地用内部電極４０を含んでいる。第一接地用内部電極４０同士は、絶縁体層１０の積層方向で隣り合って対向している。図２０に示されるように、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する通電用内部電極２０と第一接地用内部電極４０との間隔Ｇ８が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも広い。したがって、第一接地用内部電極４０と通電用内部電極２０とで形成されるコンデンサ成分は、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分、及び、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分よりも静電容量が小さい。

本変形例では、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分と、第一接地用内部電極４０と通電用内部電極２０とで形成されるコンデンサ成分と、を確実に分離することができ、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

上記間隔Ｇ８は、図２１に示されるように、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも狭くてもよい。この場合、第一接地用内部電極４０と通電用内部電極２０とで形成されるコンデンサ成分は、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分、及び、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分よりも静電容量が大きい。

図２１に示された変形例でも、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分と、第一接地用内部電極４０と通電用内部電極２０とで形成されるコンデンサ成分と、を確実に分離することができ、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。また、上記間隔Ｇ８が狭いことにより、貫通型積層コンデンサＣの低背化を図ることができる。

次に、図２２及び図２３を参照して、貫通型積層コンデンサＣの更なる変形例を説明する。図２２及び図２３は、本実施形態の変形例に係る貫通型積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。

本変形例に係る貫通型積層コンデンサＣでは、各静電容量部１３，１５が、複数（本実施形態では、２層）の第一接地用内部電極４０と、第三信号用内部電極３３と、を含んでいる。

図２４に示されるように、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する第三信号用内部電極３３と第一接地用内部電極４０との間隔Ｇ９が、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも広い。したがって、第三信号用内部電極３３と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分は、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分、及び、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分よりも静電容量が小さい。

本変形例では、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分と、第三信号用内部電極３３と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、を確実に分離することができ、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

上記間隔Ｇ９は、図２５に示されるように、間隔Ｇ１，Ｇ２よりも狭くてもよい。この場合、第三信号用内部電極３３と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分は、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分、及び、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分よりも静電容量が大きい。

図２５に示された変形例でも、第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分と、第三信号用内部電極３３と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分と、を確実に分離することができ、より一層広い周波数帯域で低インピーダンス化を図ることができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

本実施形態及び各変形例では、絶縁体層１０の積層方向で互いに隣り合って対向する内部電極２０，３０，３１，３３，４０，４１間の間隔を異ならせることにより、形成されるコンデンサ成分の静電容量を異ならせているが、これに限られない。上記積層方向で互いに隣り合って対向する内部電極２０，３０，３１，３３，４０，４１同士が重なり合う面積を異ならせることにより、形成されるコンデンサ成分の静電容量を異ならせてもよい。ただし、内部電極２０，３０，３１，３３，４０，４１間の間隔を異ならせる方が、製造容易であり、好ましい。

各内部電極２０，３０，３１，３３，４０，４１の形状や積層数などは、上述した実施形態及び変形例に限られない。ただし、信号用内部電極３０，３１，３３の総数と通電用内部電極２０の総数との比は、上述したように、０．２以下であることが好ましい。

１…第一信号用端子電極、２…第二信号用端子電極、３…第一接地用端子電極、４…第二接地用端子電極、１０…絶縁体層、１１…通電部、１３，１５…静電容量部、２０…通電用内部電極、３０…第一信号用内部電極、３１…第二信号用内部電極、３３…第三信号用内部電極、４０…第一接地用内部電極、４１…第二接地用内部電極、Ｃ…貫通型積層コンデンサ、Ｌ…コンデンサ素体。

Claims (9)

1. 絶縁体層と内部電極とがそれぞれ複数積層されたコンデンサ素体と、
   前記コンデンサ素体の外表面に配置された第一及び第二信号用端子電極並びに接地用端子電極と、を備え、
   前記コンデンサ素体は、通電部と、前記コンデンサ素体における積層方向で前記通電部を挟む一対の静電容量部と、を有し、
   前記通電部は、前記内部電極として、前記第一及び第二信号用端子電極に接続される複数の通電用内部電極を含み、
   前記一対の静電容量部それぞれは、前記内部電極として、前記積層方向で隣り合って対向すると共に前記第一及び第二信号用端子電極に接続される第一及び第二信号用内部電極と、前記接地用端子電極に接続される第一接地用内部電極と、前記接地用端子電極に接続される第二接地用内部電極と、を含み、
   前記第一接地用内部電極は、前記通電部と前記第一信号用内部電極との間に位置し、前記第一信号用内部電極と前記積層方向で隣り合って対向し、
   前記第二接地用内部電極は、前記外表面のうち前記積層方向で対向する主面と前記第二信号用内部電極との間に位置し、前記第二信号用内部電極と前記積層方向で隣り合って対向しており、
   前記第二信号用内部電極と前記第二接地用内部電極との前記積層方向での間隔が、前記第一信号用内部電極と前記第一接地用内部電極との前記積層方向での間隔よりも広く、
   前記第二信号用内部電極と前記第二接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量が、前記第一信号用内部電極と前記第一接地用内部電極とで形成されるコンデンサ成分の静電容量よりも小さいことを特徴とする貫通型積層コンデンサ。
2. 前記第一信号用内部電極と前記第二信号用内部電極との前記積層方向での前記間隔が、前記通電用内部電極同士の前記積層方向での間隔よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の貫通型積層コンデンサ。
3. 前記一対の静電容量部それぞれは、前記内部電極として、前記通電部と前記第一接地用内部電極との間に位置し、前記第一接地用内部電極と前記積層方向で隣り合って対向すると共に前記第一及び第二信号用端子電極に接続される第三信号用内部電極を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の貫通型積層コンデンサ。
4. 前記第三信号用内部電極と前記積層方向で隣り合って対向する前記通電用内部電極と前記第三信号用内部電極との前記積層方向での間隔が、前記第一信号用内部電極と前記第一接地用内部電極との前記積層方向での間隔及び前記第二信号用内部電極と前記第二接地用内部電極との前記積層方向での間隔よりも狭いことを特徴とする請求項３に記載の貫通型積層コンデンサ。
5. 前記第三信号用内部電極と前記積層方向で隣り合って対向する前記通電用内部電極と前記第三信号用内部電極との前記積層方向での間隔が、前記第一信号用内部電極と前記第一接地用内部電極との前記積層方向での間隔及び前記第二信号用内部電極と前記第二接地用内部電極との前記積層方向での間隔よりも広いことを特徴とする請求項３に記載の貫通型積層コンデンサ。
6. 前記第一接地用内部電極と前記第三信号用内部電極との前記積層方向での間隔が、前記第一信号用内部電極と前記第一接地用内部電極との前記積層方向での間隔及び前記第二信号用内部電極と前記第二接地用内部電極との前記積層方向での間隔よりも狭いことを特徴とする請求項３に記載の貫通型積層コンデンサ。
7. 前記第一接地用内部電極と前記第三信号用内部電極との前記積層方向での間隔が、前記第一信号用内部電極と前記第一接地用内部電極との前記積層方向での間隔及び前記第二信号用内部電極と前記第二接地用内部電極との前記積層方向での間隔よりも広いことを特徴とする請求項３に記載の貫通型積層コンデンサ。
8. 前記一対の静電容量部それぞれは、前記積層方向で隣り合って対向する複数の前記第一接地用内部電極を含んでいることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の貫通型積層コンデンサ。
9. 前記第一及び第二信号用内部電極の総数（Ｎ２）と前記複数の通電用内部電極の総数（Ｎ１）との比（Ｎ２／Ｎ１）が、０．２以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の貫通型積層コンデンサ。

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