JP6981438B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、高容量の積層セラミックコンデンサに関する。

近年、電子製品の小型化及び多機能化に従い、チップ部品も小型化及び高機能化される傾向にあるため、積層セラミックコンデンサにおいても、そのサイズが小さく、容量が大きい高容量の製品が要求されている。それに伴い、誘電体層及び内部電極の厚さが薄くなり積層数が増加する積層セラミックコンデンサが製造されている。

しかしながら、誘電体層の薄層化によって単位厚さ当りの電圧が高くなると、誘電体層の絶縁破壊が発生するため、高耐圧設計には適さない。一般的に、誘電体層の厚みと絶縁破壊電圧とが比例関係にないことは知られており、高耐圧設計のために、誘電体層の厚みを２倍にしても、絶縁破壊電圧は２倍にはならない。そのため、誘電体層の厚み分、絶縁破壊電圧を上げることができない。

上記の課題を解決する技術として、たとえば、特許文献１に記載されるような内部電極の構造をとる場合がある。このように、内部電極の対向電極部を複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧を低くすることが可能となるため、積層セラミックコンデンサの高耐圧化を図ることができる。その結果、積層セラミックコンデンサの絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

特開平８−３７１２６号公報

しかしながら、特許文献１のように、内部電極の対向電極部を分割させることにより、素子（積層体）の外部に引き出される内部電極が少なくなる。言い換えると、内部電極の対向電極部の分割数を増やすことにより、素子（積層体）の外部に引き出されることのない内部電極の数が増える。これにより、特に、大電流が流れる積層セラミックコンデンサでは、損失成分に起因する電力消費が大きくなり、自己発熱が生じた際に、素子（積層体）の外部への放熱経路が少なくなり、放熱性が悪くなる。その結果、放熱性が悪くなると発熱温度が高くなり、積層セラミックコンデンサの信頼性が低下してしまう。

それゆえに、この発明の主たる目的は、高耐圧設計を確保しながら、放熱性を向上させることで、信頼性に優れた積層コンデンサを提供することである。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面を有する積層体と、第１の端面上に配置される第１の外部電極と、第２の端面上に配置される第２の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、内部電極は、第１の内部電極および第２の内部電極、ならびに、第３の内部電極および第４の内部電極、ならびに、第５の内部電極および第６の内部電極を含み、第１の内部電極および第２の内部電極、ならびに、第３の内部電極および第４の内部電極は、同一平面上の誘電体層に配置されており、第５の内部電極および第６の内部電極は、第１の内部電極および第２の内部電極、ならびに、第３の内部電極および第４の内部電極が配置される誘電体層とは異なる同一平面上の誘電体層に配置されており、第１の内部電極は、その一方端部が第１の端面に引き出される第１の引出部と、第１の引出部に接続され、異なる誘電体層上に配置される第５の内部電極と重なる第１の対向部と、第１の対向部から第２の端面部側に引き出されて積層体の中央部に向かって延びる、第１の対向部よりも幅の狭い第２の対向部とを有し、第２の内部電極は、その一方端部が第２の端面に引き出される第２の引出部と、第２の引出部に接続され、異なる誘電体層上に配置される第６の内部電極と重なる第３の対向部と、第３の対向部から第１の端面部側に引き出されて積層体の中央部に向かって延びる、第３の対向部よりも幅の狭い第４の対向部とを有し、第３の内部電極は、第１の内部電極および第２の内部電極と間隔をあけて配置されており、第３の内部電極と異なる誘電体層上に配置される第５の内部電極と重なる第５の対向部と、第３の内部電極と異なる誘電体層上に配置される第６の内部電極と重なる第６の対向部と、を有し、第４の内部電極は、第１の内部電極および第２の内部電極と間隔をあけて配置されており、第４の内部電極と異なる誘電体層上に配置される第５の内部電極と重なる第７の対向部と、第４の内部電極と異なる誘電体層上に配置される第６の内部電極と重なる第８の対向部と、を有し、第３の内部電極と第４の内部電極とは、離れて配置されており、第３の内部電極および第４の内部電極の間には、第１の内部電極の第２の対向部と第２の内部電極の第４の対向部とがそれぞれ離れて配置されており、第５の内部電極は、第１の内部電極、第３の内部電極および第４の内部電極に跨るように配置されており、第６の内部電極は、第２の内部電極、第３の内部電極および第４の内部電極に跨るように配置されており、第５の内部電極と第６の内部電極は離れて配置されている、積層セラミックコンデンサである。

この発明によれば、高耐圧設計を確保しながら、放熱性を向上させることで、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線Ｖ−Ｖにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＸ−ＩＸにおける断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサの線Ｘ−Ｘにおける断面図である。 図４に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＩ−ＸＩにおける断面図である。 図４に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＩＩ−ＸＩＩにおける断面図である。 図１に示した積層体の分解斜視図である。 比較例にかかる積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 図１４に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＶ−ＸＶにおける断面図である。 図１５に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＶＩ−ＸＶＩにおける断面図である。 図１５に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩにおける断面図である。

１．積層セラミックコンデンサ
この発明の積層セラミックコンデンサについて説明する。
図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。図３は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。図４は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。図５は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線Ｖ−Ｖにおける断面図である。図６は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。図７は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図である。図８は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面図である。図９は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＸ−ＩＸにおける断面図である。図１０は、図２に示す積層セラミックコンデンサの線Ｘ−Ｘにおける断面図である。図１１は、図４に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＩ−ＸＩにおける断面図である。図１２は、図４に示す積層セラミックコンデンサの線ＸＩＩ−ＸＩＩにおける断面図である。図１３は、図１に示した積層体の分解斜視図である。

図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。

積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極１６とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。積層体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂは、積層セラミックコンデンサ１０が実装される面（実装面）と平行な面をさす。特に、第２の主面１２ｂは、実際に実装面に実装される面である。

この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。さらに、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。

積層される誘電体層１４の枚数は、特に限定されないが、５０枚以上１２００枚以下であることが好ましい（後述する外層部１５ａも含む。）。

積層体１２は、複数枚の誘電体層１４から構成される外層部１５ａと単数もしくは複数枚の誘電体層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極１６から構成される内層部１５ｂとを含む。外層部１５ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４の集合体である。そして、両外層部１５ａに挟まれた領域が内層部１５ｂである。

積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法は、３．０ｍｍ以上６．１ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法は、１．４ｍｍ以上５．１ｍｍ以下、積層方向ｘの寸法は、０．６５ｍｍ以上３．３ｍｍ以下であることが好ましい。

誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。

焼成後の誘電体層１４の厚みは、０．５μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２は、複数の内部電極１６は、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂ、ならびに、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄ、ならびに、第５の内部電極１６ｅおよび第６の内部電極１６ｆを含む。

第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂ、ならびに、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄは、同一平面上の誘電体層１４に配置されている。
第５の内部電極１６ｅおよび第６の内部電極１６ｆは、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂ、ならびに、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄが配置される誘電体層１４とは異なる同一平面上の誘電体層１４に配置されている。

第１の内部電極１６ａは、その一方端が第１の端面１２ｅに引き出される第１の引出部２０ａと、第１の引出部２０ａに接続され、異なる誘電体層１４上に配置される第５の内部電極１６ｅと重なる第１の対向部１８ａ₁と、第１の対向部１８ａ₁から第２の端面１２ｆ側に向かって突出するように接続され、第１の端面１２ｅ側に引き出される第１の対向部１８ａ₁よりも幅の狭い第２の対向部１８ａ₂とを有する。第１の引出部２０ａは、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
なお、第１の引出部２０ａの幅と、第１の対向部１８ａ₁との幅は、同じ幅で形成されていてもよく、第１の引出部２０ａの幅は、第１の対向部１８ａ₁の幅よりも狭く形成されていてもよい。また、第１の内部電極１６ａは、第１の対向部１８ａ₁から第１の引出部２０ａについての形状が、第１の端面１２ｅに向かって狭くなるようにテーパ状に形成されてもよい。

第２の内部電極１６ｂは、その一方端が第２の端面１２ｆに引き出される第２の引出部２０ｂと、第２の引出部２０ｂに接続され、異なる誘電体層１４上に配置される第６の内部電極１６ｆと重なる第３の対向部１８ｂ₁と、第３の対向部１８ｂ₁から第１の端面１２ｅ側に向かって突出するように接続され、第２の端面１２ｆ側に引き出される第３の対向部１８ｂ₁よりも幅の狭い第４の対向部１８ｂ₂とを有する。第２の引出部２０ｂは、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。
なお、第２の引出部２０ｂの幅と、第３の対向部１８ｂ₁との幅は、同じ幅で形成されていてもよく、第２の引出部２０ｂの幅は、第３の対向部１８ｂ₁の幅よりも狭く形成されていてもよい。また、第２の内部電極１６ｂは、第３の対向部１８ｂ₁から第２の引出部２０ｂについての形状が、第２の端面１２ｆに向かって狭くなるようにテーパ状に形成されてもよい。

第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂが、上述した構成を有することにより、高耐圧設計を確保しつつ、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２における中央部での熱を、第２の対向部１８ａ₂および第４の対向部１８ｂ₂を介して、第１の引出部２０ａおよび第２の引出部２０ｂを通じて積層セラミックコンデンサ１０の外部に熱を逃がす放熱経路を確保することが可能となり、積層セラミックコンデンサ１０の放熱性を向上させることができる。

第３の内部電極１６ｃは、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂと間隔をあけて配置されており、第３の内部電極１６ｃと異なる誘電体層１４上に配置される第５の内部電極１６ｅと重なる第５の対向部１８ｃ₁と、第３の内部電極１６ｃと異なる誘電体層１４上に配置される第６の内部電極１６ｆと重なる第６の対向部１８ｃ₂と、を有する。第３の内部電極１６ｃは、たとえば、矩形形状に形成され、第１の側面１２ｃ側に配置される。

第４の内部電極１６ｄは、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂと間隔をあけて配置されており、第４の内部電極１６ｄと異なる誘電体層１４上に配置される第５の内部電極１６ｅと重なる第７の対向部１８ｄ₁と、第４の内部電極１６ｄと異なる誘電体層１４上に配置される第６の内部電極１６ｆと重なる第８の対向部１８ｄ₂と、を有する。第４の内部電極１６ｄは、たとえば、矩形形状に形成され、第２の側面１２ｄ側に配置される。

第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄが、上述した構成を有することにより、積層体１２の内部において、内部電極１６の対向部が複数に分割された構造とすることが可能となる。このように、対向部を複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極１６間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が等分になり、積層セラミックコンデンサ１０の高耐圧化を図ることができる。

第３の内部電極１６ｃと第４の内部電極１６ｄとは、離れて配置されており、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄの間には、第１の内部電極１６ａの第２の対向部１８ａ₂と第２の内部電極１６ｂの第４の対向部１８ｂ₂とがそれぞれ離れて配置されていることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサの積層体１２における中央部での熱を、第２の対向部１８ａ₂および第４の対向部１８ｂ₂を介して、第１の引出部２０ａおよび第２の引出部２０ｂを通じて積層セラミックコンデンサの外部に熱を逃がす放熱経路を確保することが可能となり、積層セラミックコンデンサの放熱性を向上させることができる。

第５の内部電極１６ｅは、図２に示すように、第１の主面１２ａより平面視したとき、第１の内部電極１６ａ、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄに跨るように配置される。
第６の内部電極１６ｆは、図２に示すように、第１の主面１２ａより平面視したとき、第２の内部電極１６ｂ、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄに跨るように配置される。

第５の内部電極１６ｅは、第５の内部電極１６ｅとは異なる誘電体層１４上に配置される第１の内部電極１６ａと重なる第９の対向部１８ｅ₁と、第５の内部電極１６ｅとは異なる誘電体層１４上に配置される第３の内部電極１６ｃと重なる第１０の対向部１８ｅ₂と、第５の内部電極１６ｅとは異なる誘電体層１４上に配置される第４の内部電極１６ｄと重なる第１１の対向部１８ｅ₃と、を有する。また、第５の内部電極１６ｅは、第１０の対向部ｅ₂と第１１の対向部１８ｅ₃との間に、第５の内部電極１６ｅとは異なる誘電体層１４上に配置される第１の内部電極１６ａの第２の対向部１８ａ₂と重なるように対向する領域を有する。第５の内部電極１６ｅは、たとえば、矩形形状に形成され、第１の端面１２ｅ側に配置される。

第６の内部電極１６ｆは、第６の内部電極１６ｆとは異なる誘電体層１４上に配置される第２の内部電極１６ｂと重なる第１２の対向部１８ｆ₁と、第６の内部電極１６ｆとは異なる誘電体層１４上に配置される第３の内部電極１６ｃと重なる第１３の対向部１８ｆ₂と、第６の内部電極１６ｆとは異なる誘電体層１４上に配置される第４の内部電極１６ｄと重なる第１４の対向部１８ｆ₃と、を有する。また、第６の内部電極１６ｆは、第１３の対向部１８ｆ₂と第１４の対向部１８ｆ₃との間に、第６の内部電極１６ｆとは異なる誘電体層１４上に配置される第２の内部電極１６ｂの第４の対向部１８ｂ₂と重なるように対向する領域を有する。第６の内部電極１６ｆは、たとえば、矩形形状に形成され、第２の端面１２ｆ側に配置される。

第５の内部電極１６ｅおよび第６の内部電極１６ｆが、上述した構成を有することにより、積層体１２の内部において、内部電極１６の対向部が複数に分割された構造とすることが可能となる。このように、対向部を複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が等分になり、積層セラミックコンデンサの高耐圧化を図ることができる。

積層体１２は、第１の内部電極１６ａの第１の対向部１８ａ₁および第２の内部電極１６ｂの第２の対向部１８ｂ₁の幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の内部電極１６ａの第１の対向部１８ａ₁および第２の内部電極１６ｂの第２の対向部１８ｂ₁の幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（Ｗギャップ）２２ａを含む。さらに、積層体１２は、第５の内部電極１６ｅの第１の端面１２ｅ側に位置する第９の対向部１８ｅ₁の端部と第１の端面１２ｅとの間および第６の内部電極１６ｆの第２の端面１２ｆ側に位置する第１２の対向部１８ｆ₁の端部と第２の端面１２ｆとの間に形成される積層体１２の端部（Ｌギャップ）２２ｂを含む。

内部電極１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極１６を形成するための内部電極用導電性ペーストに使用する樹脂成分は、エチルセルロースやアクリル樹脂が用いられることが好ましい。

内部電極１６の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極１６ａの第１の引出部２０ａと電気的に接続される。なお、第１の外部電極２４ａは、少なくとも、実装面側に位置する積層体１２の第１の主面１２ａの一部もしくは第２の主面１２ｂの一部にまで延びて形成されていることが好ましい。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極１６ｂの第２の引出部２０ｂと電気的に接続される。なお、第２の外部電極２４ｂは、少なくとも、実装面側に位置する積層体１２の第１の主面１２ａの一部もしくは第２の主面１２ｂの一部にまで延びて形成されていることが好ましい。

積層体１２内においては、第１の内部電極１６ａの第１の対向部１８ａ₁と第５の内部電極１６ｅの第９の対向部１８ｅ₁とが誘電体層１４を介して対向し、第２の内部電極１６ｂの第３の対向部１８ｂ₁と第６の内部電極１６ｆの第１２の対向部１８ｆ₁とが誘電体層１４を介して対向し、第３の内部電極１６ｃの第５の対向部１８ｃ₁と第５の内部電極１６ｅの第１０の対向部１８ｅ₂とが誘電体層１４を介して対向し、第３の内部電極１６ｃの第６の対向部１８ｃ₂と第６の内部電極１６ｆの第１３の対向部１８ｆ₂とが誘電体層１４を介して対向し、第４の内部電極１６ｄの第７の対向部１８ｄ₁と第５の内部電極１６ｅの第１１の対向部１８ｅ₃とが誘電体層１４を介して対向し、第４の内部電極１６ｄの第８の対向部１８ｄ₂と第６の内部電極１６ｆの第１４の対向部１８ｆ₃とが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極１６ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極１６ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。

第１の外部電極２４ａは、積層体１２の上に配置される第１の下地電極層と、第１の下地電極層の表面を覆うように配置される第１のめっき層とを含む。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の上に配置される第２の下地電極層と、第１の下地電極層の表面を覆うように配置される第２のめっき層とを含む。

第１の下地電極層および第２の下地電極層（以下、単に下地電極層ともいう）は、それぞれ、焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。

まず、下地電極層が、焼付け層で形成された第１の下地電極層および第２の下地電極層について説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極１６と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。

第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに位置する下地電極層の高さ方向中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、７５μｍ以上２３５μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層および第２の下地電極層である長さ方向ｚの中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、たとえば、３０μｍ以上１２５μｍ以下程度であることが好ましい。

次に、下地電極層が、導電性樹脂層で形成された第１の下地電極層および第２の下地電極層について説明する。
導電性樹脂層は、焼付け層の表面に焼付け層を覆うように配置されるか、積層体１２の表面に直接配置されてもよい。また、導電性樹脂層は、複数層であってもよい。
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂および金属を含む。導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサに物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサへのクラックを防止することができる。

導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。特に、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇの導電性金属粉を用いることは、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いため、好ましい。なお、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇコーティングされた金属を用いることは、上記のＡｇの特性を保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるため、好ましい。

導電性樹脂層に含まれる金属は、導電性樹脂全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の形状は、特に限定されない。導電性フィラーは、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の平均粒径は、特に限定されない。導電性フィラーの平均粒径は、たとえば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。

導電性樹脂層の樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の一つである。
導電性樹脂層に含まれる樹脂は、導電性樹脂全体の体積に対して、２５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
また、導電性樹脂層には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。

第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、たとえば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する下地電極層である長さ方向ｚの中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下程度であることが好ましい。

また、下地電極層が薄膜層の場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。

また、第１のめっき層および第２のめっき層（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田によって下地電極層が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。

めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

なお、下地電極層を設けずに、めっき層だけで外部電極２４を形成してもよい。以下、下地電極層を設けずに、めっき層を設ける構造について説明する。
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂのそれぞれは、下地電極層が設けられず、めっき層が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０は、内部電極１６に電気的に接続されるめっき層を含む構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体１２の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
めっき層は、積層体１２の表面に形成される下層めっき電極と、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極とを含むことが好ましい。
下層めっき電極および上層めっき電極はそれぞれ、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
下層めっき電極は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、はんだ濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。また、たとえば、内部電極１６がＮｉを用いて形成される場合、下層めっき電極は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき電極は、必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂはそれぞれ、下層めっき電極のみで構成されてもよい。
めっき層は、上層めっき電極を最外層としてもよいし、上層めっき電極の表面にさらに他のめっき電極を形成してもよい。
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９ｖｏｌ％以上であることが好ましい。

積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が３．１０ｍｍ以上６．２０ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が１．５０ｍｍ以上３．４０ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が０．７５ｍｍ以上５．２０ｍｍ以下であることが好ましい。

図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、高耐圧設計を確保しつつ、積層体１２の外部に引き出されることになる第１の内部電極１６ａと第２の内部電極１６ｂの一部を、積層体１２の中央部まで延長する第２の対向部１８ａ₂と第４の対向部１８ｂ₂を有している。そのため、積層セラミックコンデンサの積層体１２における中央部での熱を、第２の対向部１８ａ₂および第４の対向部１８ｂ₂を介して、第１の引出部２０ａおよび第２の引出部２０ｂを通じて積層セラミックコンデンサの外部に熱を逃がす放熱経路を確保することが可能となり、高耐圧設計を確保しながら、放熱性を向上させることが可能となる。その結果、積層セラミックコンデンサ１０の信頼性の低下を抑制することができる。

また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第３の内部電極１６ｃと第４の内部電極１６ｄとが、離れて配置されており、第３の内部電極１６ｃおよび第４の内部電極１６ｄの間には、第１の内部電極１６ａの第２の対向部１８ａ₂と第２の内部電極１６ｂの第４の対向部１８ｂ₂とがそれぞれ離れて配置されていると、複数の放熱経路を確保することができるので、より効率よく積層体１２の中央部における発熱を放熱させることができる。その結果、積層セラミックコンデンサ１０の信頼性の低下を、より抑制することができる。

さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第５の内部電極１６ｅは、第５の内部電極１６ｅと異なる誘電体層１４上に配置される第１の内部電極１６ａと重なる第９の対向部１８ｅ₁と、第５の内部電極１６ｅと異なる誘電体層１４上に配置される第３の内部電極１６ｃと重なる第１０の対向部１８ｅ₂と、第５の内部電極１６ｅと異なる誘電体層１４上に配置される第４の内部電極１６ｄと重なる第１１の対向部１８ｅ₃と、を有しており、第６の内部電極１６ｆは、第６の内部電極１６ｆと異なる誘電体層１４上に配置される第２の内部電極１６ｂと重なる第１２の対向部１８ｆ₁と、第６の内部電極１６ｆと異なる誘電体層１４上に配置される第３の内部電極１６ｃと重なる第１３の対向部１８ｆ₂と、第６の内部電極１６ｆと異なる誘電体層１４上に配置される第４の内部電極１６ｄと重なる第１４の対向部１８ｆ₃と、を有していると、積層体１２の内部において、内部電極１６の対向部が複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成とすることが可能となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が等分になり、積層セラミックコンデンサ１０の高耐圧化を図ることができる。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。

まず、誘電体シート、内部電極用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

次に、誘電体シートの上に、内部電極用の導電性ペーストを、たとえば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法、インクジェット印刷などにより本発明の内部電極パターンとなるように内部電極用の導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。

続いて、内部電極パターンが形成されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが形成された誘電体シートが順次積層され、さらに、内部電極パターンが形成されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、積層シートが作製される。

そして、積層シートは、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着され、積層ブロックが作製される。

その後、積層ブロックは、所定の形状寸法に切断され、生の積層体チップが切り出される。このとき、生の積層体チップに対してバレル研磨などを施し、積層体の角部や稜線部に丸みをつけてもよい。

続いて、切り出された生の積層体チップが焼成され、第１の内部電極が第１の端面に引き出され、第２の内部電極が第２の端面に引き出された積層体が作製される。なお、生の積層体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用の導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の表面に第１の端面１２ｅから露出している第１の内部電極１６ａの第１の引出部２０ａの露出部分にガラス成分と金属とを含む外部電極用の導電性ペーストがディッピングなどの方法により塗布されて焼き付けられ、第１の下地電極層が形成される。また、同様に、外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の第２の端面１２ｆから露出している第２の内部電極１６ｂの第２の引出部２０ｂの露出部分にガラス成分と金属とを含む外部電極用導電性ペーストがディッピングなどの方法により外部電極用の導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、第２の下地電極層が形成される。このとき、焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

なお、下地電極層を導電性樹脂層で形成する場合は、以下の方法で導電性樹脂層を形成することができる。なお、導電性樹脂層は、焼付け層の表面に形成されてもよく、焼付け層を形成せずに、導電性樹脂層を単体で積層体１２の表面に直接形成してもよい。
導電性樹脂層の形成方法としては、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストを焼付け層もしくは積層体１２の表面に塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層が形成される。このときの熱処理時の雰囲気は、Ｎ₂雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

また、下地電極層を薄膜層で形成する場合は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層は金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とされる。

さらに、下地電極層を設けずに、積層体１２の内部電極１６の露出部にめっき層を設けてもよい。その場合は、以下の方法でめっき層が形成される。
積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆにめっき処理を施し、内部電極１６の露出部上に下地めっき電極を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき電極の表面に上層めっき電極を同様に形成してもよい。

その後、下地電極層の表面、導電性樹脂層の表面もしくは下地めっき層の表面、上層めっき層の表面に、めっき層が形成され、外部電極２４が形成される。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、焼付け層上にめっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、たとえば、バレルめっき法により、順次形成される。

上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

３．実験例
次に、上述した本発明にかかる積層セラミックコンデンサの効果を確認するために、積層セラミックコンデンサを製造し、発熱温度を測定する実験を行った。

（１）実施例における試料の仕様
まず、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法にしたがって、以下のような仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。
・積層セラミックコンデンサのサイズＬ×Ｗ×Ｔ（設計値を含む）：３．２ｍｍ×３．２ｍｍ×２．５ｍｍ
・誘電体層の材料：ＳｒＺｒＯ₃
・誘電体層の厚み：５μｍ
・内部電極の材料：Ｎｉ
・内部電極パターン：図１１および図１２に示すパターン
・容量：４．７ｎＦ
・定格電圧：６３０Ｖ
・外部電極の構造
下地電極層：導電性金属（Ｃｕ）とガラス成分を含む電極
めっき層：Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造

（２）比較例における試料の仕様
比較例に用いた積層セラミックコンデンサは、内部電極パターンを図１６および図１７に示すパターンとした以外は、実施例に用いた積層セラミックコンデンサと同一の仕様とした。
より詳細に説明すると、比較例に用いた積層セラミックコンデンサ１は、図１４ないし図１７に示すように、積層体２の内部に、内部電極３として、第１の内部電極３ａおよび第２の内部電極層３ｂを含む。そして、積層体２の内部には、その両端面のどちらにも引き出されない浮き内部電極３ｃが設けられ、浮き内部電極層３ｃによって、対向部４が複数に分割された構造とされ、図１５に示すような４連構造である。積層セラミックコンデンサ１は、外部電極５を備える。外部電極５は、第１の外部電極５ａおよび第２の外部電極５ｂを有する。第１の外部電極５ａは、第１の内部電極３ａと電気的に接続され、第２の外部電極５ｂは、第２の内部電極３ｂと電気的に接続されている。

（３）発熱温度の測定方法
実装基板に作製した積層セラミックコンデンサを実装し、積層セラミックコンデンサの第１の主面（天面）に熱電対を貼り付け、恒温槽の中に入れた。その後、周囲温度が１００℃に達してから、所定の電圧（２２３Ｖｒ．ｍ．ｓ／１００ｋＨｚ）を積層セラミックコンデンサに印加し、積層セラミックコンデンサの表面の温度を測定した。そして、実施例および比較例において、積層セラミックコンデンサの発熱温度を確認し、比較例に対する温度抑制率を算出した。なお、温度抑制率は、（実施例の試料の上昇温度−比較例の試料の上昇温度）／比較例の試料の上昇温度×１００により算出した。

評価結果は、表１に示される。

（４）実験結果
上述した測定方法により、周囲温度が１００℃であった場合、実施例にかかる試料では、１５．４℃上昇し、比較例にかかる試料では、１６．５℃上昇した。従って、温度抑制率は、−６．７％であった。このように、表１に示すように、実施例にかかる積層セラミックコンデンサは、比較例にかかる積層セラミックコンデンサに比べて発熱温度が抑制されていることが明らかとなった。

以上の結果から、実施例にかかる積層セラミックコンデンサによる内部電極パターンの構成によれば、従来の内部電極パターンの構成を備えた積層セラミックコンデンサと比べて、発熱温度を抑制しうることが明らかとなった。したがって、本発明の内部電極パターンの構成とすることにより、高耐圧設計を確保しつつ、積層体の外部に引き出されることになる第１の内部電極の一部を、積層体中央部まで延長する第２の対向部と、第２の内部電極の一部を、積層体中央部まで延長する第４の対向部とを有していることから、第２の対向部から第１の引出部への放熱経路、および第４の対向部から第２の引出部への放熱経路を確保することが可能となり、高耐圧設計を確保しながら、放熱性を向上させることが可能となる。その結果、積層セラミックコンデンサの信頼性の低下を抑制することができる。

なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 誘電体層
１５ａ 外層部
１５ｂ 内層部
１６ 内部電極
１６ａ 第１の内部電極
１６ｂ 第２の内部電極
１６ｃ 第３の内部電極
１６ｄ 第４の内部電極
１６ｅ 第５の内部電極
１６ｆ 第６の内部電極
１８ａ₁ 第１の対向部
１８ａ₂ 第２の対向部
１８ｂ₁ 第３の対向部
１８ｂ₂ 第４の対向部
１８ｃ₁ 第５の対向部
１８ｃ₂ 第６の対向部
１８ｄ₁ 第７の対向部
１８ｄ₂ 第８の対向部
１８ｅ₁ 第９の対向部
１８ｅ₂ 第１０の対向部
１８ｅ₃ 第１１の対向部
１８ｆ₁ 第１２の対向部
１８ｆ₂ 第１３の対向部
１８ｆ₃ 第１４の対向部
２０ａ 第１の引出部
２０ｂ 第２の引出部
２２ａ 側部（Ｗギャップ）
２２ｂ 端部（Ｌギャップ）
２４ 外部電極
２４ａ 第１の外部電極
２４ｂ 第２の外部電極
ｘ 積層方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (2)

1. 積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面を有する積層体と、
   前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
   前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、
   を備える積層セラミックコンデンサであって、
   前記内部電極は、第１の内部電極および第２の内部電極、ならびに、第３の内部電極および第４の内部電極、ならびに、第５の内部電極および第６の内部電極を含み、
   前記第１の内部電極および前記第２の内部電極、ならびに、前記第３の内部電極および前記第４の内部電極は、同一平面上の誘電体層に配置されており、
   前記第５の内部電極および前記第６の内部電極は、前記第１の内部電極および前記第２の内部電極、ならびに、前記第３の内部電極および前記第４の内部電極が配置される誘電体層とは異なる同一平面上の誘電体層に配置されており、
   前記第１の内部電極は、その一方端部が前記第１の端面に引き出される第１の引出部と、前記第１の引出部に接続され、異なる誘電体層上に配置される前記第５の内部電極と重なる第１の対向部と、前記第１の対向部から前記第２の端面部側に引き出されて前記積層体の中央部に向かって延びる、前記第１の対向部よりも幅の狭い第２の対向部とを有し、
   前記第２の内部電極は、その一方端部が前記第２の端面に引き出される第２の引出部と、前記第２の引出部に接続され、異なる誘電体層上に配置される前記第６の内部電極と重なる第３の対向部と、前記第３の対向部から前記第１の端面部側に引き出されて前記積層体の中央部に向かって延びる、前記第３の対向部よりも幅の狭い第４の対向部とを有し、
   前記第３の内部電極は、前記第１の内部電極および前記第２の内部電極と間隔をあけて配置されており、前記第３の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第５の内部電極と重なる第５の対向部と、前記第３の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第６の内部電極と重なる第６の対向部と、を有し、
   前記第４の内部電極は、前記第１の内部電極および前記第２の内部電極と間隔をあけて配置されており、前記第４の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第５の内部電極と重なる第７の対向部と、前記第４の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第６の内部電極と重なる第８の対向部と、を有し、
   前記第３の内部電極と前記第４の内部電極とは、離れて配置されており、
   前記第３の内部電極および前記第４の内部電極の間には、前記第１の内部電極の前記第２の対向部と前記第２の内部電極の前記第４の対向部とがそれぞれ離れて配置されており、
   前記第５の内部電極は、前記第１の内部電極、前記第３の内部電極および前記第４の内部電極に跨るように配置されており、
   前記第６の内部電極は、前記第２の内部電極、前記第３の内部電極および前記第４の内部電極に跨るように配置されており、
   前記第５の内部電極と前記第６の内部電極は離れて配置されている、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第５の内部電極は、前記第５の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第１の内部電極と重なる第９の対向部と、前記第５の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第３の内部電極と重なる第１０の対向部と、前記第５の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第４の内部電極と重なる第１１の対向部と、を有し、
   前記第６の内部電極は、前記第６の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第２の内部電極と重なる第１２の対向部と、前記第６の内部電極と異なる誘電体層上に配置される第３の内部電極と重なる第１３の対向部と、前記第６の内部電極と異なる誘電体層上に配置される前記第４の内部電極と重なる第１４の対向部と、を有している、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。

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