JP2022031882A - マスクアセンブリ及び関連する方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ＥＵＶリソグラフィにおけるペリクルの使用に関する問題を克服又は緩和するマスクアセンブリ及び方法を提供する。【解決手段】マスクと、ペリクルフレームにより保持された取り外し可能なＥＵＶ透明ペリクルと、を備えたマスクアセンブリを受け取るステップと、ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルをマスクから取り外すステップと、検査ツールを使用してマスク上のマスクパターンを検査するステップと、後でペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルをマスクに装着するステップと、を含む方法を提供する。【選択図】図９Ｃ

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年２月３日出願の米国出願第６２／１１１，３８０号、２０１５年２月２０日出願の米国出願第６２／１１８，９２２号、及び２０１５年１２月２１日出願の米国出願第６２／２７０，３３０号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明はマスクアセンブリに関し、排他的ではないが、特にマスクアセンブリを使用する方法に関する。マスクアセンブリはマスク及びペリクルを備えることができる。本発明は、排他的ではないが、特にＥＵＶリソグラフィ装置及びＥＵＶリソグラフィツールに関連して使用される。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えば、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層にパターニングデバイス（例えば、マスク）からのパターンを投影することができる。
[0004] 基板上にパターンを投影するためにリソグラフィ装置により使用される放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置を使用して、従来の（例えば、１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用することができる）リソグラフィ装置より小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
[0005] リソグラフィ装置において放射ビームにパターンを付与するために使用されるマスクは、マスクアセンブリの一部を構成することができる。マスクアセンブリはマスクの粒子汚染を防止するペリクルを含むことができる。ペリクルはペリクルフレームにより支持することができる。
[0006] リソグラフィにペリクルを使用することは周知であり十分に確立されている。ＤＵＶリソグラフィ装置における典型的なペリクルは、マスクから離れた所に位置する薄膜であり、使用時にリソグラフィ装置の焦点面外にある。ペリクルはリソグラフィ装置の焦点面外にあるため、ペリクルに付着する汚染粒子はリソグラフィ装置の焦点外にある。その結果、汚染粒子の像は基板上に投影されない。もしペリクルが存在しなければ、マスクに付着した汚染粒子が基板上に投影され、投影パターンに欠陥が導入される。
[0007] ＥＵＶリソグラフィ装置においてペリクルを使用することが望まれる。ＥＵＶリソグラフィは、一般的に真空中で行われる点、及びマスクが一般的に透過型ではなく反射型である点でＤＵＶリソグラフィと異なる。ペリクルをＤＵＶリソグラフィで使用する場合には存在しない、ＥＵＶリソグラフィにおけるペリクルの使用に関する課題が生じる可能性がある。
[0008] 従来技術に関連する問題を克服又は緩和するマスクアセンブリ及びこれに関連する方法を提供することが望まれる。
[0009] 本発明の第１の態様によれば、マスクと、ペリクルフレームにより保持された取り外し可能なＥＵＶ透明ペリクルと、を備えたマスクアセンブリを受け取るステップと、マスクからペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルを取り外すステップと、検査ツールを使用してマスク上のマスクパターンを検査するステップと、その後ペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルをマスクに装着するステップと、を含む方法が提供される。
[0010] 方法は、（マスク検査ツールにより使用されるビームに対して不透明であってもよい）ＥＵＶ透明ペリクルから干渉されることなくマスクの検査を可能にするため有利である。
[0011] 方法は更に、ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルをマスクから取り外した後に、検査ツールの検査ビームに対して実質的に透明な材料から形成された代替ペリクルを保持する代替ペリクルフレームをマスクに装着することと、検査ツールを使用してマスク上のマスクパターンを検査した後に、ペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルをマスクに装着するために、代替ペリクルフレームにより保持された代替ペリクルをマスクから取り外すことと、を含むことができる。
[0012] ペリクルフレームをマスクから取り外すことは、装着構造を装着機構から係合解除することを含むことができ、ペリクルフレームをマスクに装着することは、装着構造を装着機構に係合することを含むことができる。装着機構はマスクに結合することができ、装着構造はペリクルフレームに結合することができる。装着機構は、マスク上のマスクパターンを検査した後にペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルのその後の装着に使用可能となるように、装着構造を装着機構から係合解除することによりペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルをマスクから取り外した後にもマスクに結合することができる。代替ペリクルは、ＥＵＶ透明ペリクルの装着機構が代替ペリクルに接触しないようにマスクに装着することができる。
[0013] 装着構造は、突起を含む装着機構と係合するように構成されたロック部材を含むことができる。
[0014] 後でマスクに装着されるＥＵＶ透明ペリクル及びペリクルフレームは、マスクから取り外されたのと同じＥＵＶ透明ペリクル及びペリクルフレームであってもよい。
[0015] 代替ペリクルは、マスク検査ツールにより使用されるＥＵＶ以外の放射ビームに対して実質的に透明であってもよい。
[0016] マスク検査ツールにより使用されるＥＵＶ以外の放射ビームはＤＵＶ放射ビームであってもよい。
[0017] 代替ペリクルは、マスク検査ツールにより使用される粒子ビームに対して実質的に透明であってもよい。
[0018] マスク検査ツールにより使用される粒子ビームは電子ビームであってもよい。
[0019] 代替ペリクルは、代替ペリクルのためだけに使用され、ＥＵＶ透明ペリクルの装着には使用されない装着構造を使用してマスクに装着することができる。
[0020] マスクは方法の初めから終わりまでクリーンな環境にあってもよい。
[0021] 方法は更に、密封されたコンテナ内のマスクアセンブリをリソグラフィ装置からペリクル着脱ツールに移送することを含むことができる。
[0022] 方法は更に、密封されたコンテナ内のマスク、ペリクルアセンブリ又はマスクアセンブリから選択された１つ以上をペリクル着脱ツールからマスク検査ツールに移送することを含むことができる。
[0023] マスク検査ツールは、マスクアセンブリが同じ環境に留まるようにペリクル着脱ツールと一体化することができる。
[0024] 方法は更に、マスク又はペリクルを洗浄することを含むことができる。
[0025] 密封されたコンテナは、ペリクルのたるみを収容するように構成された凹部を有することができる。
[0026] コンテナの凹部とマスクアセンブリのペリクルの面との間の間隔が０．５ｍｍ～１ｍｍであってもよい。
[0027] 本発明の第２の態様によれば、マスクと、マスクに取り外し可能に装着できるように構成されたペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルと、を備えたマスクアセンブリを受け取るステップと、マスクからペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルを取り外すステップと、マスクに取り外し可能に装着できるように構成された代替ペリクルフレームにより保持され、ＥＵＶ透明ペリクルを形成するために使用された材料と異なる、検査ツールの検査ビームに対して実質的に透明な材料から形成された代替ペリクルをマスクに装着するステップと、検査ツールで検査ビームを使用してマスク上のマスクパターンを検査するステップと、マスクから代替ペリクルを取り外すステップと、後にペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルをマスクに装着するステップと、を含む方法が提供される。
[0028] 方法は、（マスク検査ツールにより使用されるビームに対して不透明であってもよい）ＥＵＶ透明ペリクルから干渉されることなくマスクの検査を可能にするため有利である。
[0029] 代替ペリクルフレームは、ＥＵＶ透明ペリクルフレームと異なる位置でマスクに装着することができる。
[0030] 本発明の第３の態様によれば、マスクアセンブリを内部に配置することができる開口と、マスクアセンブリを内部に位置決めする時に開口を塞ぐシールと、を備え、ペリクルの外側へのたるみを収容するように構成されたフロアを有するマスクアセンブリコンテナが提供される。
[0031] このようにペリクルのたるみを収容することは、ペリクルを損傷しやすいペリクルとコンテナの接触を回避するため有利である。
[0032] フロアは、マスクアセンブリが密封されたコンテナに保持される時、ペリクル面から０．５ｍｍ～１ｍｍ、又はそれ以上離れていてもよい。
[0033] 本発明の第４の態様によれば、ペリクルフレーム装着構造を受けるように構成された突起を備えたマスクが提供され、突起の底面はベースの表面にリセスを画定するリップを有し、突起はリセス内の接着剤によりマスクに装着される。
[0034] このように突起を装着することは、接着剤からの望ましくないガス放出のリスクを軽減するため有利である。
[0035] 接着剤の量はリセスの容積未満であってもよい。
[0036] 接着剤は、リセス及びマスクが接着剤を保持する実質的に密閉された空間を形成するように突起をマスク側に引き寄せることができる。
[0037] 突起は、リセス及びマスクが接着剤のガス放出のために部分的に開放された空間を形成するようにリップに開口を有することができる。
[0038] 突起はマスクの基板材料に装着することができる。
[0039] 本発明の第５の態様によれば、ペリクルアセンブリを内部に配置することができる開口と、ペリクルセンブリを内部に位置決めする時に開口を塞ぐシールと、を備え、ペリクルの外側へのたるみを収容するように構成されたフロアを有するペリクルアセンブリコンテナが提供される。
[0040] このようにペリクルのたるみを収容することは、ペリクルを損傷しやすいペリクルとコンテナの接触を回避するため有利である。
[0041] 本発明の第６の態様によれば、ペリクルフレーム装着構造を受けるように構成され、マスクに取り外し可能に装着できる少なくとも３つの突起を備えたマスクが提供される。
[0042] 突起を取り外し可能に装着できるようにすることは、マスクを突起がない状態で簡単なやり方で洗浄でき、その後突起をマスクに再装着できるため有利である。
[0043] 突起はマスクの基板材料に装着することができる。
[0044] 本発明の第７の態様によれば、ペリクルアセンブリを作製する方法であって、基板上に膜を形成し、基板材料をエッチング除去して膜を露出することにより基板周辺部により支持されたペリクル膜を設けることと、膜に接する基板の一部に支持フレームを装着することと、基板の一方の側に第１のカバーを、基板の反対側に第２のカバーを設けることと、これらを共締めしてペリクル膜を含む密封された環境を形成することと、を含む方法が提供される。
[0045] 方法は、基板が膜を支持し、膜の緊張性を保つ一方、カバーが膜を保護する役割を果たすため有利である。
[0046] 第１のカバーは基板に押し付けることができる。
[0047] 第２のカバーは基板に押し付けることができる。
[0048] 方法は更に、第１及び第２のカバーを超えて突出する基板の部分を切り取ることを含むことができる。
[0049] 基板はシリコンウェーハであってもよい。
[0050] 第２のカバーは、支持フレームが密封された環境内に位置決めされるように支持フレームを覆うことができる。
[0051] 第１のカバーは、ペリクル膜のたるみを収容するように構成されたリセスを含むことができる。
[0052] ペリクルアセンブリを作製する方法は、ペリクル製造場所で実行することができる。
[0053] 本発明の第８の態様によれば、ペリクルアセンブリを作製する上記の方法を含み、更に、ペリクル位置決めツールを支持フレームに装着し、第２のカバーをペリクルアセンブリから取り外し、支持フレームをマスクに装着し、ペリクル位置決めツールを使用してペリクルアセンブリから第１のカバーを取り外すことによりマスクアセンブリを形成することを含む方法が提供される。
[0054] ペリクル位置決めツールは、支持フレームに設けられた盲穴に受容されるアームを含むことができる。
[0055] マスクアセンブリを形成する方法はマスクショップで実行することができる。
[0056] 方法は更に、マスクアセンブリをコンテナ内に入れることと、そのコンテナを密封することと、を含むことができる。
[0057] 本発明の第９の態様によれば、基板境界部から延びるペリクル膜と、基板境界部に装着された支持フレームと、第１のカバーと、第２のカバーと、を備え、第１及び第２のカバーが基板境界部の反対側に設けられ、ペリクル膜を含む密封された環境を形成するペリクルアセンブリが提供される。
[0058] 密封された環境は、汚染物質が環境に侵入し、ペリクル膜を汚染することを防止するため有利である。
[0059] 第２のカバーは、支持フレームが密封された環境内に位置決めされるように支持フレームを覆うことができる。
[0060] 第１及び第２のカバーは基板境界部に押し付けることができる。
[0061] 本発明の第１０の態様によれば、ペリクルアセンブリ及びマスクを備えたマスクアセンブリのペリクルを監視する方法であって、ペリクルの特性を測定し、ペリクル破損のリスク増大に関連する特性の変化を監視することと、斯かる変化が見られた時にペリクルアセンブリをマスクから取り外し、新しいペリクルアセンブリに交換することと、を含む方法が提供される。
[0062] ペリクルの特性は、マスクアセンブリがリソグラフィ装置内でｉｎ ｓｉｔｕにある時に測定することができる。
[0063] 特性はペリクルの赤外線放射であってもよい、及び／又は、マスクアセンブリのスキャン動作中のペリクルのたわみであってもよい。
[0064] 方法は、マスクアセンブリをマスクアセンブリ検査ツールに移送し、次にマスクアセンブリ検査ツールを使用してペリクルの特性を測定することを含むことができる。
[0065] 次の測定技術のうちの１つ以上を用いてペリクルの１つ以上の特性を測定することができる：ＥＵＶ反射測定、ＥＵＶ透過測定、偏光解析法、ラマン分光法、Ｘ線反射測定、顕微鏡検査、共振測定、走査熱負荷測定、ポンプダウン又は通気中のペリクルのたわみ。
[0066] 方法は、ペリクルアセンブリをマスクから取り外すことと、ペリクルアセンブリをペリクルアセンブリ検査ツールに移送することと、それからペリクルアセンブリ検査ツールを使用してペリクルの特性を測定することと、を含むことができる。
[0067] 次の測定技術のうちの１つ以上を用いてペリクルの１つ以上の特性を測定することができる：ＥＵＶ透過測定（マスクから取り外されたペリクルアセンブリ）、ＥＵＶ反射測定、複屈折測定、偏光解析法、フーリエ変換赤外分光法、ラマン分光法、Ｘ線反射測定、顕微鏡検査、共振測定、圧力差によるペリクル変位の測定、ポンプダウン又は通気中のたわみ、走査熱負荷測定、フレーム変形測定。
[0068] 本発明の異なる態様の特徴は、本発明の他の態様の特徴と組み合わせることができる。
[0069] 本発明の実施形態を、単なる例として添付の概略図を参照して以下に説明する。
[0070] リソグラフィ装置及び放射源を備えたリソグラフィシステムの概略図である。 [0071] 本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの概略図である。 [0072] 図２に示されたマスクアセンブリの一部を構成する突起の概略図である。 [0073] 本発明の一実施形態に係る方法を示すプロセスフローである。 [0074] 本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリ及びコンテナの概略図である。 [0075] 本発明の一実施形態に係る方法を示すプロセスフローである。 [0076] 本発明の一実施形態に係る方法を示すプロセスフローである。 [0077] 本発明の一実施形態に係る方法を示すプロセスフローである。 [0078] ペリクルアセンブリを作製する方法を概略的に示す。 [0078] ペリクルアセンブリを作製する方法を概略的に示す。 [0078] ペリクルアセンブリを作製する方法を概略的に示す。 [0078] ペリクルアセンブリを作製する方法を概略的に示す。 [0079] ペリクルアセンブリを使用してマスクアセンブリを形成する方法を概略的に示す。 [0079] ペリクルアセンブリを使用してマスクアセンブリを形成する方法を概略的に示す。 [0079] ペリクルアセンブリを使用してマスクアセンブリを形成する方法を概略的に示す。 [0080] 本発明の一実施形態に係る方法を示すプロセスフローである。
[0081] 図１は、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリを含むリソグラフィシステムを示している。このリソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、マスクＭＡを含むマスクアセンブリ１５を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ、及び基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。照明システムＩＬは、放射ビームＢがマスクＭＡに入射する前にこの放射ビームＢを調整するように構成される。投影システムは、（マスクＭＡによりパターン形成された）放射ビームＢを基板Ｗ上に投影するように構成される。基板Ｗは、予め形成されたパターンを含むことができる。この場合、リソグラフィ装置は、パターン形成された放射ビームＢを、基板Ｗ上に予め形成されたパターンに対して位置合わせする。
[0082] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは、全て外部環境から隔離できるように構築及び配置することができる。大気圧未満の圧力のガス（例えば、水素）を放射源ＳＯ内に提供することができる。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、真空を提供することができる。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、大気圧を十分に下回る圧力の少量のガス（例えば、水素）を提供することができる。
[0083] 図１に示される放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれることがあるタイプのものである。例えばＣＯ２レーザであってもよいレーザ１は、燃料エミッタ３から供給されるスズ（Ｓｎ）等の燃料に、レーザビーム２を介してエネルギを付与するように構成される。以下の説明ではスズについて言及するが、任意の好適な燃料を使用することができる。燃料は、例えば、液状であってもよく、例えば、金属又は合金であってもよい。燃料エミッタ３は、例えば小滴の形態のスズを、軌道に沿ってプラズマ形成領域４に向けて誘導するように構成されたノズルを備えることができる。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４のスズに入射する。スズにレーザエネルギを付与することにより、プラズマ形成領域４にプラズマ７が生じる。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマのイオンの脱励起及び再結合中にプラズマ７から放出される。
[0084] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に、法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）によって集光及び合焦される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍ等の所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成される多層構造を有することができる。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することができる。以下で考察されるように、第１焦点はプラズマ形成領域４にあってもよく、第２焦点は中間焦点６にあってもよい。
[0085] レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源の他の実施形態では、コレクタ５は、ＥＵＶ放射をかすめ入射角で受け、そのＥＵＶ放射を中間焦点に合焦させるように構成されたいわゆるかすめ入射コレクタであってもよい。かすめ入射コレクタは、例えば複数のかすめ入射リフレクタを備えた入れ子型コレクタであってもよい。かすめ入射リフレクタは、光軸Ｏを中心に軸方向に対称に配置することができる。
[0086] 放射源ＳＯは１つ以上の汚染トラップ（図示せず）を含むことができる。例えば、汚染トラップは、プラズマ形成領域４及び放射コレクタ５の間に配置することができる。汚染トラップは、例えば回転フォイルトラップであってもよい、又は汚染トラップの任意の他の適切な形態であってもよい。
[0087] レーザ１は、放射源ＳＯから分離することができる。この場合、レーザビーム２は、レーザ１から放射源ＳＯへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）を使って送ることができる。レーザ１及び放射源ＳＯは、合わせて放射システムとみなすことができる。
[0088] コレクタ５により反射された放射は、放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、点６で合焦され、プラズマ形成領域４の像を形成する。この像は、照明システムＩＬに対する仮想放射源として作用する。放射ビームＢが合焦される点６は、中間焦点と呼ばれることがある。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源の閉鎖構造９の開口部８上又は開口部８付近に位置付けられるように構成される。
[0089] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調整するように構成された照明システムＩＬ内へと通過する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は、共に所望の断面形状及び所望の角度分布を有する放射ビームＢを供給する。放射ビームＢは、照明システムＩＬを通過し、支持構造ＭＴにより保持されるマスクアセンブリ１５に入射する。マスクアセンブリ１５は、マスクＭＡと、ペリクルフレーム１７により定位置に保持されたペリクル１９とを備える。マスクＭＡは、放射ビームＢを反射し、放射ビームＢにパターン形成する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はこれらのミラーデバイスの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることができる。
[0090] マスクＭＡから反射した後、パターン形成された放射ビームＢは、投影システムＰＳに入射する。投影システムは、基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラーを備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、マスクＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば縮小係数４を適用することができる。図１において、投影システムＰＳは２つのミラーを有しているが、投影システムは、任意の数のミラー（例えば、６個のミラー）を備えることができる。
[0091] リソグラフィ装置は、例えば、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンを基板Ｗ上に投影する（すなわち、動的露光）スキャンモードで使用することができる。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小率及び像反転特性により決めることができる。基板Ｗに入射するパターン形成された放射ビームは放射バンドを含むことができる。この放射バンドは、露光スリットと呼ばれることがある。スキャン露光中、基板テーブルＷＴ及び支持構造ＭＴは、この露光スリットが基板Ｗの露光フィールド上を進むように動作することができる。
[0092] 図１に示された放射源ＳＯ及び／又はリソグラフィ装置は、図示されていないコンポーネントを含むことができる。例えば、放射源ＳＯにスペクトルフィルタを設けることができる。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過的であるが、赤外線放射等の他の放射波長を実質的にブロックするものであってもよい。
[0093] リソグラフィシステムの他の実施形態では、放射源ＳＯは他の形態を取ることができる。例えば、代替的な実施形態では、放射源ＳＯは１つ以上の自由電子レーザを含むことができる。１つ以上の自由電子レーザは、１つ以上のリソグラフィ装置に供給できるＥＵＶ放射を放つように構成することができる。
[0094] 以上で簡単に説明されたように、マスクアセンブリ１５はマスクＭＡに隣接して設けられたペリクル１９を備える。ペリクル１９は放射ビームＢの経路に設けられ、その結果、放射ビームＢが照明システムＩＬからマスクＭＡに近づく時と、マスクＭＡにより投影システムＰＳへ反射される時のいずれの場合にも放射ビームＢはペリクル１９を通過する。ペリクル１９は（少量のＥＵＶ放射を吸収するが）ＥＵＶ放射に対して実質的に透明な薄膜を含む。ペリクル１９はマスクＭＡを粒子汚染から保護する役割を果たす。ペリクル１９は本明細書ではＥＵＶ透明ペリクルと呼ばれることがある。
[0095] リソグラフィ装置ＬＡ内部をクリーンな環境に維持するための努力がなされても、リソグラフィ装置ＬＡ内部に粒子が存在する可能性がある。ペリクル１９がない場合は、粒子はマスクＭＡ上に付着する可能性がある。マスクＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン及び基板Ｗに転写されるパターンに不都合な影響を及ぼす可能性がある。都合がよいことに、ペリクル１９は、マスクＭＡに粒子が付着するのを防止するために、マスクＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを提供する。
[0096] ペリクル１９は、ペリクル１９の表面に入射する粒子が放射ビームＢの焦点面内にないようにマスクＭＡから十分離れて配置される。このようにペリクル１９とマスクＭＡとを分離することには、ペリクル１９の表面上に粒子がある場合に放射ビームＢにパターンを付与する程度を減らす働きがある。放射ビームＢ内に粒子が存在しても、その位置が放射ビームＢの焦点面内でない（即ち、マスクＭＡの表面でない）場合には、粒子の像は基板Ｗの表面で合焦しないことが理解されるだろう。一部の実施形態では、ペリクル１９とマスクＭＡの間の間隔は、例えば２ｍｍ～３ｍｍ（例えば、約２．５ｍｍ）であってもよい。
[0097] 図２は、マスクアセンブリ１５を断面図でより詳細に示す。マスクＭＡはパターン面２４を有する。ペリクル１９を支持するペリクルフレーム１７は装着構造２２を備える。装着構造２２は、ペリクルフレームのマスクＭＡへの取り外し可能な装着を可能にする（即ち、ペリクルフレームのマスクに対する装着及び取り外しを可能にする）ように構成することができる。装着構造２２は、マスクＭＡに設けられた装着機構（図示せず）と係合するように構成される。装着機構は、例えばマスクＭＡから延びる突起であってもよい。装着構造２２は、例えば、突起と係合し、ペリクルフレーム１７をマスクＭＡに固定するロック部材を含むことができる。
[0098] 複数の装着構造及び対応する装着機構を設けることができる。装着構造は、ペリクルフレーム１７周りに（例えばフレームの一方の側に２個及びフレームの反対側に２個）分布させることができる。対応する装着機構はマスクＭＡの外周周りに分布させることができる。
[0099] 装着構造２２はマスクＭＡに対してペリクルフレーム１７を吊るすことができる。つまり、ペリクルフレーム１７とマスクＭＡとの間に間隔があってもよく、その結果、その間にペリクル１９とマスクとの間の空間に対してガスが流出入できる隙間が存在する。隙間はペリクルフレーム１７の外周周りに延びるスリットの形態であってもよく、スリットはペリクルフレームをマスクＭＡに接続する装着構造により分断される。ペリクルフレーム１７とマスクＭＡとの間の間隔は、例えば２００ミクロン～３００ミクロンであってもよい。この間隔は比較的狭いため、ペリクル１９とマスクＭＡとの間の空間に対するガスの流出入は制限される。
[00100] 代替的な実施形態では、装着構造はペリクルフレーム１７がマスクＭＡに接触するようなものであってもよい。
[00101] 以上で述べたように、複数の装着構造及び対応する装着機構を設けることができる。各装着構造は、例えばロック部材を含むことができ、対応する各装着機構は（スタッドと呼ばれることがある）突起を含むことができる。ロック部材及び突起は、ペリクルフレームとマスクとの間の運動学的接続を形成することができる。これによって、マスクの大きな歪みを引き起こすことなくペリクルフレームをマスクに装着することが可能になる。
[00102] 装着構造は、マスクフレームをマスクに装着する際の装着構造と装着機構との間の横方向のスライド運動を防止するように、また、マスク検査が行われた後の後続のペリクル装着の際のスライド運動がなくなるように構成することができる。斯かるスライド運動を防止することによって、防止しなかった場合に発生する可能性がある汚染粒子が回避されるという利点がもたらされる。
[00103] 図３に示された一実施形態では、突起２７はマスクＭＡから延び、遠位ヘッド２８を含む。ロック部材は遠位ヘッド２８の真下の突起２７（スタッド）と係合し、これによりペリクルフレームをマスクに固定するように構成することができる。装着構造は、ロック部材をスタッドに抗して付勢するように構成された弾性機構を備えることができる。ロック部材は、弾性付勢に抗して力を印加することによりスタッドから解放することができる。
[00104] 図３はマスクＭＡの前面から延びる突起２７を示しているが、一実施形態では、その代わりに突起をマスクの側面に設けることができる。一実施形態では、マスクの側面に設けることができる突起もあれば、マスクの前面に設けることができる突起もある。
[00105] 図３に見ることができるように、一実施形態では、突起はマスクＭＡに固定されたベース２９を含む。ベースの底面にリップ３１が設けられ、リップはベースの表面にリセス３３を画定する。ベース２９をマスクＭＡに固定するためにリセス３３に接着剤が供給される。リセスに供給される接着剤の量はリセスの容積未満であり、ベースがマスクＭＡに押し付けられた時に接着剤はリセス内に完全に留まる。接着剤は乾燥するにつれて縮み、これによりベース２９をマスクＭＡの方に引き寄せるため、リップ３１は接着剤によりマスクＭＡに押し付けられる。その結果、リセスとマスクＭＡとが協働して、接着剤を保持する実質的に密閉された空間を画定する。これは、クリーンな環境への接着剤からのガス放出が実質的に回避されるために有利である。
[00106] しかし、突起をマスクＭＡに接着することは任意の他の適切な手法で達成することができる。別の実施形態では、溝、例えば略Ｕ字型の溝を突起のベース内のガス抜きのために設けることができる。斯かるケースでは、Ｕ字型の溝は（マスクＭＡと協働して）突起のベース面にアイランドを画定する。接着剤は毛管作用によって溝に引き込まれ、溝の一部が接着剤のガス放出のために開いた状態で突起をマスクＭＡに固定する。
[00107] 突起がリセス３３を画定するリップ３１を有する更に別の実施形態では、ガス抜きのために、リセス３３の一部が接着剤のガス放出のために開くように、リップ３１に１つ以上の開口を有することで足りる。
[00108] 上記の実施形態では、突起のベースの溝又は突起リップ３１の開口は、接着剤のガス放出がペリクルとマスクとの間の空間に直接侵入することが防止されるように構成される。従って、接着剤のガス放出が時間と共に発生する可能性があるものの、そのガス放出はペリクルフレームの外側に向かって発生し、よって汚染に敏感な可能性のあるペリクル又はパターンマスク領域の重大な汚染が発生せず、これによりマスク上のヘイズが防止される。
[00109] 使用される接着剤の量は、例えば約５０ミクロンであってもよい。接着剤は、例えばHuntsman Advanced Materials社のAraldite（登録商標）タイプ、Epotec（登録商標）等のエポキシ接着剤又は任意の他のＥＵＶに適切な軟質又は硬質接着剤であってもよい。
[00110] 突起２７がマスクＭＡの前面から延びる一実施形態では、突起はマスクのパターン面から数ミリメートル離れた所に配置することができる。斯かる実施形態では、突起２７のベース２９からガス放出する材料はマスクＭＡのパターン面に入射し、投影パターンに欠陥を引き起こす可能性がある。斯かる状況では、突起２７をマスクＭＡに固定する接着剤のガス放出を防止することが特に有利である。（以上で説明したように）接着剤を保持する実質的に密閉された空間に接着剤を供給することでこの利点がもたらされる。
[00111] 突起２７及びマスク間の結合は永続的であっても一時的であってもよい。突起は、例えば（例えば以上で説明した）接着剤、又は他の手段を使用することによりマスクＭＡに固定することができる。例えば、突起は、ねじ又はクランプ等の機械的取り付け具を使用して、突起をマスクに引き付けるように誘導された静電力又は磁力により、（ファンデルワールス接着力を使用する）光学的結合又は任意の他の適切な手段によりマスクに固定することができる。突起のマスクへの装着は、突起を容易かつ清潔に取り外せるようなやり方で（例えば、マスクＭＡに付着する可能性がある粒子又はガス放出分子及び種がほとんど放出されないように）行われる。代替的な実施形態では、突起はマスクＭＡの不可欠な部分（即ち、取り外し不可能）であってもよい。
[00112] ＥＵＶ反射性を与えるためにマスクＭＡ上に材料の多層スタックを供給することができる。この多層スタックはＥＵＶ吸収層で部分的に被覆することができ、この部分的被覆により、リソグラフィ装置により基板上に投影されるパターンがマスクに与えられる。マスクの外縁には基板上に投影されないが、代わりに他の用途を有する他のパターンを設けることができる。例えば、これらのパターンはアライメントマークを含むことができ、またマスクのＩＤを示すことができる。
[00113] （この文書で説明される任意の他の実施形態と組み合わせることができる）一実施形態では、突起２７が装着されるマスクＭＡの表面の一部は、材料の多層スタック又はＥＵＶ吸収層を含まない。その代わりに、これらはマスクＭＡの表面のその部分から除去される（又はマスクの表面のその部分には存在していなかった）。結果として、突起はマスクが形成される材料に直接装着される。これはマスクの基板材料への突起の装着と呼ばれる（又は同等に、マスク基板への突起の装着と呼ばれる）ことがある。マスク基板は、例えばガラスから形成することができる。マスク基板は、例えば低熱膨張剤（ＬＴＥＭ）から形成することができる。
[00114] このように突起を装着することは、突起２７及びマスクＭＡ間の結合の強さが多層スタック又は吸収層の材料特性に影響されないため有利である。その代わりに、結合はマスク基板の材料だけで決定される。更なる利点は、突起２７は多層スタック又は吸収層に装着されないため、突起を装着する際のこれらの層の損傷及び結果として生じる汚染粒子の発生が回避されることである。
[00115] 追加の利点は、後にマスクＭＡから突起２７及び接着剤を除去することが必要になった場合にこれをより簡単に行えることである。特に、多層スタック又は吸収層は接着剤が位置する場所に存在しないため、接着剤除去プロセスがこれらを損傷するリスクを冒すことはない。これにより、結果として汚染粒子が発生することも回避される。
[00116] 代替的な構成では、装着構造（複数を含む）はマスク上に設けることができ、装着機構（複数を含む）はペリクルフレーム上に設けることができる。
[00117] 図２には、汚染粒子２６が概略的に示されている。汚染粒子２６はペリクル１９に衝突し、ペリクルに保持される。ペリクル１９は、汚染粒子をマスクＭＡのパターン面２４から十分離れたところに保持するため、汚染粒子はリソグラフィ装置ＬＡにより基板上に結像されない。
[00118] ペリクル１９は、例えばポリシリコン（ｐＳｉ）膜等の材料から形成することができる。ポリシリコン（ｐＳｉ）膜はＥＵＶ放射に対して実質的に透明である。ペリクル１９は、代替的にＥＵＶ放射に対して実質的に透明な何らかの他の材料、例えばグラフェン、シリセン等から形成することができる。本明細書におけるＥＵＶ透明ペリクル又はＥＵＶ放射に対して実質的に透明な膜は、ペリクル１９が入射ＥＵＶ放射の少なくとも６５％、好ましくは少なくとも８０％、及びより好ましくは入射ＥＵＶ放射の少なくとも９０％を透過させることを意味する。ペリクル１９上の水素ラジカル、プラズマ及び微量の酸素の効果を低減するのに役立ち得るキャッピング層を設けることができる。キャッピング層はペリクル上及びペリクルフレーム上の両方に設けることができる。
[00119] 本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリは、使用中に実質的に欠陥がない状態を保つマスクパターンを提供することができる（マスクパターンはペリクルにより汚染から保護される）。以上で述べたように、（例えば、スリットの形態を取る）ペリクルフレームとマスクの分離をもたらすことができ、ペリクルとマスクとの間の空間に対するガスの流出入が可能になる。これにより、マスクアセンブリのポンプダウン及びガス抜きをマスクアセンブリを損傷することなく行うことが可能になる。
[00120] 図４は、マスク検査ツールによるマスクパターンの検査を可能にするマスクアセンブリの取り扱いを示すプロセスフローである。ペリクル１９はＥＵＶ放射に対して実質的に透明であるが、マスク検査ツールにより使用される検査ビームに対して実質的に不透明であってもよい（又はマスク検査ツールがマスクパターンを正確に検査できるように少なくとも十分に透明でない）。プロセスフローはこの問題に対処する。マスク検査ツールは、例えば非ＥＵＶ波長の放射ビーム（例えば、ＤＵＶ、ＶＩＳ又はＩＲ放射）を検査ビームとして使用することができる。マスク検査ツールは、例えば電子ビーム（ｅビーム）等の粒子ビームを検査ビームとして使用することができる。
[00121] マスクアセンブリは、リソグラフィ装置からペリクル着脱ツールに移送される。ペリクル着脱ツールの内部に、制御されたクリーンな環境が提供される。ペリクル着脱ツールは、装着構造２２（図２参照）をマスクＭＡから係合解除するように構成された装着構造アクチュエータを備える。これらのアクチュエータは装着構造２２を係合解除するために使用され、そして、ペリクルフレーム１７は（ＥＵＶ透明ペリクル１９と共に）マスクＭＡから取り外される。
[00122] そして、マスクＭＡに代替ペリクルが装着される。代替ペリクルは、ＥＵＶ透明ペリクルとは異なる材料から形成される。代替ペリクルは、非晶質フッ素重合体（例えば、テフロンＡＦ又はサイトップ）等の材料から形成することができ、マスク検査ツールにより使用される検査ビーム（例えば、ＤＵＶ放射ビーム又はｅビーム）に対して実質的に透明である。「検査ビームに対して実質的に透明」という用語は、代替ペリクルはマスク検査を実行できるように検査ビームを十分によく透過させることを意味するよう意図されている。代替ペリクルは、例えば検査ビームの少なくとも８０％、より好ましくは検査ビームの少なくとも９０％を透過させることができる。
[00123] 代替ペリクルは、ＥＵＶ透明ペリクルをマスクＭＡに装着するために使用されるものと同じ装着機構に装着することができる。別の構成では、代替ペリクルは、代替ペリクルを受けるためだけに使用され、ＥＵＶ透明ペリクルには使用されない代替装着機構を使用してマスクＭＡに装着することができる。代替装着機構は、ＥＵＶ透明ペリクルにより使用される装着機構よりもマスクのパターン領域から更に遠くに設けることができる。代替装着機構を使用することは、代替ペリクルを装着する際にＥＵＶ透明ペリクル装着機構が損傷する可能性を避ける（代替ペリクルを装着する際にＥＵＶ透明ペリクル装着機構が接触されない）ため有利である。代替装着機構をマスクのパターン領域から更に遠くに設けることは、汚染粒子が装着機構からパターン領域に移動するリスクを低下させるため有利である。代替装着機構は、例えばマスクＭＡの両側に設けることができる。
[00124] 代替ペリクルは、マスクＭＡ上に設けられた代替装着機構と係合するように構成された装着構造を備えることができる。代替装着構造は、例えば代替ペリクルを支持するフレーム上に設けることができる。
[00125] 代替ペリクルは、マスク検査ツールによるマスク検査中は所定の位置にあるため、代替ペリクルは（検査ビームに対して実質的に透明であるため）検査対応ペリクルと呼ぶことができる。代替ペリクルは仮ペリクルと呼ぶこともできる。
[00126] 次に、すでに代替ペリクルと共にマスクを備えたマスクアセンブリは、マスク検査ツールに移送される。マスク検査ツールはマスクパターン上の汚染を検査する。汚染が見つかった場合は、汚染を除去するためにマスクＭＡの洗浄を実行することができる。代替ペリクルは、マスクを洗浄できるように（例えば、ペリクル着脱ツールを使用して）取り外すことができる。装着機構（例えば、突起）は、このようなマスクの洗浄中はマスクＭＡ上の所定の位置に留まることができる。これはＥＵＶ透明ペリクルを受けるために使用される装着機構を含み、また、（斯かる装着機構が存在する場合は）代替ペリクルを受けるために使用される装着機構を含むことができる。洗浄後、代替ペリクルはマスクＭＡに（例えば、ペリクル着脱ツールを使用して）再装着することができる。マスクアセンブリは、マスク検査ツールに戻され、ここで更なる検査が実行され、汚染が除去されたことがチェックされる。
[00127] 次に、マスクアセンブリはマスク検査ツールからペリクル着脱ツールに移送される。次に、ペリクル着脱ツールはマスクＭＡから代替ペリクルを取り外す。
[00128] 次に、ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルはマスクＭＡに装着される。これは先にマスクＭＡから取り外されたのと同じペリクルフレーム及びペリクルであってもよい、又は新しいペリクルフレーム及びペリクルであってもよい。同じペリクルフレーム及びペリクルが再使用される場合は、ペリクルはマスクＭＡに再装着される前に洗浄することができる。
[00129] 次に、すでにマスクＭＡ、ペリクルフレーム１７及びＥＵＶ透明ペリクル１９を備えたマスクアセンブリ１５は、リソグラフィ装置に移送される。リソグラフィ装置はマスクＭＡから基板上にパターンを投影するために使用される。
[00130] マスク検査ツール及びペリクル着脱ツールは、マスクアセンブリの移送を最小限にするために互いに一体化することができる。
[00131] 代替ペリクルは、ＤＵＶ透明ペリクル、又はＥＵＶ透明ペリクルの代わりに使用される任意の適切なペリクル（即ち、検査対応又は仮ペリクル）であってもよい。代替ペリクルは、マスク検査ツールにより使用される放射ビーム又は粒子ビーム（例えば、ｅビーム）に対して実質的に透明であってもよい。
[00132] 代替的なアプローチでは、ペリクルフレーム１７及びＥＵＶ透明ペリクル１９は、ペリクル着脱ツールを使用してマスクＭＡから取り外し、次に、マスクに代替ペリクルを装着することなくマスク検査ツールに引き渡すことができる。マスク検査ツールによるマスクＭＡの検査の後、ペリクルフレーム１７及びＥＵＶ透明ペリクル１９は、ペリクル着脱ツールによりマスクに再装着することができる（又は新しいペリクルフレーム１７及びＥＵＶ透明ペリクル１９を装着することができる）。このアプローチはマスクの検査を可能にするが、マスクは，マスクの検査中又はマスク検査ツールへの及びマスク検査ツールからの移送中にペリクルにより保護されないという欠点を含む。マスク検査ツールは、例えばペリクル着脱ツールの環境又はリソグラフィ装置の環境よりもそれほど厳密に制御されていないクリーンな環境を有することができる。例えば汚染粒子が、検査後かつペリクルフレーム１７及びＥＵＶ透明ペリクル１９がマスクに装着される前にマスクＭＡに付着する可能性がある。これはマスク検査後に起こるために、汚染粒子は検出されず、基板上に投影されるパターンに欠陥をもたらす可能性がある。この欠点は、マスクＭＡがマスク検査中、及びマスク検査ツールへの及びマスク検査ツールからの移送中にペリクルにより保護されるため、図４に示される方法により回避される。マスクＭＡは、プロセスのごく一部であるＥＵＶ透明ペリクルと代替（例えば、ＤＵＶ透明）ペリクルとの交換の間だけ保護されない。ペリクル着脱ツール内に提供される環境は、これがマスクＭＡが保護されない唯一の環境であることを考慮して、厳密に制御（例えば、他の環境よりもより厳密に制御）することができる。
[00133] 一実施形態では、マスクＭＡは、不使用時のＥＵＶ透明ペリクルではなく代替ペリクルを装着することができる。代替ペリクルは、例えばＤＵＶ透明ペリクルを含むことができる。ＤＵＶ透明ペリクル材料はＥＵＶ透明ペリクル材料よりもガス放出に悩まされず、従って、ＤＵＶ透明ペリクルを備えたマスクアセンブリの在庫が使用される場合に、経時的なガス放出による汚染が少ないことを予想することができる。
[00134] 以上では、ペリクルフレームをマスクから取り外し、その後ペリクルフレームを再装着するという文脈で説明してきたが、ペリクル着脱ツールは、これまでペリクルが設けられていなかったマスクにペリクルフレームを装着するために使用することもできる。
[00135] 図４に示されるプロセスの間、マスクアセンブリは常にクリーンな環境に保たれる。ペリクル着脱ツールの内部は、マスク検査ツールの内部と同様に制御されたクリーンな環境である。ペリクル着脱ツール及びマスク検査ツール間におけるマスクアセンブリの移送は２つの手法のどちらかで実現することができる。ペリクル着脱ツールとマスク検査ツールとの連結は、これらを直接結合するポートにより行うことができる。ポートは外部環境から封鎖される。ポートは、これら２つのツールの制御されたクリーンな環境を結合することができ、これによりマスクアセンブリは、制御されたクリーンな環境から出ることなくペリクル着脱ツールからマスク検査ツールに直接移動することが可能になる。
[00136] 代替的なアプローチでは、マスクアセンブリはクリーンな環境を提供するコンテナに配置することができ、そして、コンテナ内でペリクル着脱ツールからマスク検査ツールに移送することができる。コンテナの内部は、ペリクル着脱ツールの制御されたクリーンな環境に連結することができ、その結果、マスクアセンブリは制御されたクリーンな環境から出ることなく（例えば、適切なハンドラを使用して）コンテナ内に配置可能である。次にコンテナは、コンテナ内にクリーンな環境が維持されるように密封される。次にコンテナはマスク検査ツールに搬送される。マスク検査ツールにおいて、コンテナ内のクリーンな環境は、マスク検査ツール内の制御されたクリーンな環境に連結され、次にマスクアセンブリはマスク検査ツール内に移送される。上記のステップは、マスクアセンブリをペリクル着脱ツールに返送するために逆に行われる。
[00137] コンテナは、ペリクル及びペリクルフレームを備えたペリクルアセンブリの移送用にクリーンな環境を提供するために使用することもできる。例えば、ペリクルアセンブリはコンテナを使用してペリクル着脱ツールに搬送することができる。
[00138] 一実施形態では、マスクを組み付けてマスクアセンブリに（又はペリクルアセンブリに）なるように構成された交換可能なビューウィンドウを有するコンテナがリソグラフィ装置に提供される。スキャナ、即ち検査ツールに移送されるコンテナに交換可能な膜（交換可能なビューウィンドウ）を設けることにより、マスクは常に保護される。粒子への主要な暴露は、コンテナ間でレチクルが交換される場合に制御された環境で起こる。交換可能な保護膜は、露光時にＥＵＶに対して透明となるように選択し、検査装置に設けられる場合に検査に対して透明となるように交換することができる。交換可能な膜付近のコンテナの底部側は、壊れやすい膜を保護するために閉じることができる。検査中、保護膜を有するマスクはレチクル段にロードされ、交換可能な膜は検査中に使用される光源と適合するように選択される。次にマスクは、粒子を最小限にするクリーンな環境において（検査に適した膜を有する）コンテナＡから（露光に適した膜を有する）コンテナＢに移される。露光中、保護膜を有するマスクはレチクル段にロードされ、交換可能な膜は露光中に使用される光源と適合するように選択される。
[00139] 制御されたクリーンな環境間でマスクアセンブリ（又はペリクルアセンブリ）を移送するために使用できるコンテナの一例が、図５に概略的に示されている。コンテナ３０は、マスクアセンブリ１５の形状と概ね一致した形状を有する。コンテナ３０は、凹部３３を含むプレート３２を備える。凹部３３はペリクル１９から離間してペリクルのたるみを収容する。凹部３３とペリクルの面との間隔は、例えば、約０．５ｍｍ～約１ｍｍ（例えば、約０．７ｍｍ以上）であってもよい。「ペリクルの面」という用語は、ペリクルの辺と対応し、たるみがない場合に位置するであろう平面を指すものと解釈することができる。
[00140] ペリクル１９の外側へのたるみは、ペリクル１９とマスクＭＡとの間の空間内の圧力がこの空間の外の圧力よりも大きい場合に生じる可能性がある。これは、コンテナ３０の制御されたクリーンな環境内の圧力が低下しつつある場合に生じる可能性がある。なぜなら、ペリクルフレーム１７とマスクＭＡとの間にはスリットがあるものの、これらのスリットは比較的小さく、ガスの流れを制限することができるからである。ペリクル１９の外側へのたるみは重力によって生じる可能性もある。
[00141] コンテナ３０は、既知のコンテナがリセス３３を有しないことを除き、ペリクル無しでＥＵＶマスクを搬送するように構成された既知のコンテナと概ね一致してもよい。リセス３３の深さは、例えば約３ｍｍであってもよい。これは、以上で述べたように約２ｍｍ～約２．５ｍｍの高さを有することができるペリクルフレーム１７及びペリクル１９を収容し、ペリクルの外側へのたるみを収容する空間を提供する。
[00142] コンテナ３０は更に、マスクアセンブリ１５上方に配置できるカバー３４を備える。カバーは開放箱（即ち、蓋のない箱）の形態を有する。プレート３２は、カバー３４と一体となるフロアの機能を果たし、マスクアセンブリ１５を包み込むコンテナ３０を形成する。プレート３２とカバー３４との間に、コンテナの内部を外部環境から隔離する機能を果たすシール３６が設けられる。シール３６は任意の適切な形態を有することができる（図示されている黒い円板は例示に過ぎない）。
[00143] マスクアセンブリ１５をコンテナ３０内部に配置できるように、開口部の任意の適切な開口形態を使用することができる。
[00144] コンテナ３０は、真空位置と真空でない位置との間でマスクアセンブリ１５（又はペリクルアセンブリ）を搬送するために使用することができる。真空位置及び非真空位置はいずれも制御されたクリーンな環境であってもよい。例えば、ペリクル着脱ツールは真空状態になく、マスク検査ツールは真空状態になくてもよい。この場合、コンテナは、マスクアセンブリ１５（又はペリクルアセンブリ）を、（例えば、リソグラフィ装置内部の）真空環境から非真空環境へ、及びその逆に搬送することができる。
[00145] コンテナ３０は、コンテナの内部を真空から大気圧に引き上げるためにガスを導入可能なポート（図示せず）を備えることができる。以上で更に詳しく述べたように、ペリクルフレーム１７及びマスクＭＡの間にスリットがあるものの、これらは比較的小さく、ペリクル１９及びマスクＭＡの間の空間へのガスの流入を制限することができる。ガスがコンテナ３０に導入されている時に、マスクＭＡ側へのペリクルのたるみが発生する可能性がある。しかし、ペリクル１９の面とマスクＭＡとの間の間隔は、ペリクルがマスクと接触しないように十分大きく構成されている。コンテナ３０へのガスの流入は、ペリクル１９の両側の圧力差が確実に（ペリクルがマスクＭＡに接触する可能性が回避されるとともに、ペリクルの破損が回避されるように十分に低くてもよい）所望の閾値未満に保たれるように制御することができる。
[00146] マスクアセンブリ１５をリソグラフィ装置に移送する前にコンテナ３０内に真空を提供するために、必要に応じてポートからガスを排出することができる。ガスは、ペリクル１９の両側の圧力差が所望の閾値未満に保たれるように十分に低い速度で排出することができる（閾値は、ペリクルがコンテナ３０に接触する可能性が回避され、ペリクルの破損が回避されるように十分に低くてもよい）。
[00147] ペリクルアセンブリがマスクＭＡを伴わずに搬送される一実施形態では、ペリクルの一方の側の圧力上昇は起こり得ない。それにもかかわらず、例えば重力によるペリクル１９のたるみが生じる可能性はある。コンテナ３０のリセス３３は、ペリクルがたるむ範囲よりも大きい深さを有することができる。これによってペリクルがコンテナに接触すること、及び結果として生じるペリクルの潜在的損傷が回避される。リセス３３の深さは、例えば約３ｍｍであってもよい。
[00148] 図６は、本発明の一実施形態に係る方法のステップを高いレベルで示すプロセスフローである。図６に示されるように、これらのステップのうち一部は、ペリクル製造場所で実行することができ、一部のステップは（マスクショップと呼ばれることがある）マスク製造場所で実行することができ、また、一部のステップは（集積回路を製作することができる）リソグラフィＦＡＢで実行することができる。
[00149] ペリクル製造場所において、ペリクルがポリシリコン等の適切な材料から形成され、ペリクルフレームに結合（例えば接着）される。次にペリクル及びペリクルフレームは汚染の有無が検査される。汚染が見つかった場合は、ペリクル及びペリクルフレームは洗浄され、その汚染が除去される。次に、ペリクル及びペリクルフレームは、クリーンな環境を提供するコンテナでマスクショップに搬送される。コンテナは、例えば、図５に関連して以上で説明されたコンテナに対応してもよい。
[00150] マスクショップにおいてマスクが製造される。これは、後にリソグラフィ装置により基板上に投影されるパターンをマスク上に提供することを含む。ペリクルフレームはマスクに固定され、ペリクル、ペリクルフレーム及びマスクを備えたマスクアセンブリが形成される。次にマスクアセンブリは汚染の有無が検査される。汚染が見つかった場合は、マスクアセンブリは洗浄され、その汚染が除去される（例えば、ペリクルは取り外され、マスクは洗浄され、同じ又は新しいペリクルが再装着される）。次に、マスクアセンブリは、クリーンな制御された環境を提供するコンテナに配置され、リソグラフィＦＡＢに搬送される。コンテナは、例えば、図５に関連して以上で説明されたコンテナに対応してもよい。
[00151] リソグラフィＦＡＢにおいて、マスクアセンブリはコンテナからリソグラフィ装置内に移送される。リソグラフィ装置は、パターンをマスクから基板上に従来のやり方で投影する。マスクアセンブリは、ペリクル汚染及び／又はマスク汚染の有無が定期的に検査される。ペリクル汚染の検査は、例えばリソグラフィ装置内で行うことができる（しかし、リソグラフィ装置の外側の独立ツールで行うこともできる）。マスクパターンの検査は、例えばマスク検査ツールを使用して実行することができる。マスクアセンブリは必要に応じて洗浄し、その後パターンを基板上に投影するために再度使用することができる。
[00152] 図７は、マスクショップで実行できるマスクアセンブリ製造ステップをより詳細に示している。マスクが従来のやり方で製造される。マスクはＥＵＶリソグラフィ装置で使用される反射マスクである。製造後、マスクは、マスクの製造中に生じたと思われる汚染を除去するために洗浄される。次に、マスクの裏面は汚染の有無が検査される（マスクの裏面上の汚染粒子はマスクの使用中の望ましくない局部的な歪みを生じさせる可能性がある）。次に、マスクのパターン面は汚染の有無が検査される（以上で述べたように、斯かる汚染は投影パターンに欠陥を導入する可能性がある）。一実施形態では、検査の順序は逆であってもよい、即ち、最初にパターン面、次に裏面が検査されてもよい。一実施形態では、検査のうちの１つを省略することができる（例えば裏面が検査されない）。
[00153] ペリクルフレームに装着されたペリクルをペリクル製造者から受け取る。ペリクルはマスクに装着され、マスクアセンブリが形成される。ペリクルフレームをマスクに装着することは、装着構造を装着機構に係合することを含むことができる（ただし、任意の他の結合／装着形態も可能である）。装着構造は突起と係合するように構成されたロック部材を備えることができる。一実施形態では、複数の突起（例えば、スタッド）がマスクから延びることができる。ペリクルフレームは、突起と係合し，ペリクルフレームをマスクに固定するロック部材を備えることができる。突起はマスクの前面及び／又は側面に設けることができる。
[00154] マスクアセンブリのペリクルは汚染の有無が検査される。マスクに対してペリクルフレームを着脱すること及びペリクルの汚染の有無を検査することは、同じツールにより実行することができる。ここではマスクショップに関連して述べられているが、これはまたリソグラフィＦＡＢにも当てはまり得る。
[00155] ペリクルは、汚染が見つかった場合は取り外し、洗浄することができる。マスクパターンの検査が必要な場合がある。これが必要ない場合は、マスクアセンブリは、リソグラフィＦＡＢに搬送するためにコンテナに配置される。コンテナは、例えば、図５に関連して以上で説明されたコンテナに対応してもよい。
[00156] マスクパターンの検査が必要な場合、これは図４に関連して以上で説明されたものと対応する方法を用いて実行することができる。つまり、（ＥＵＶ透明）ペリクル及びペリクルフレームは取り外し、代替ペリクルに交換することができる。これにより（以上で更に詳しく説明したように）マスク検査ツールを使用したマスクパターンの検査が可能になる。検査は突起をマスクから取り外すことなく実行することができる。マスクパターンの検査後、代替ペリクルはＥＵＶ透明ペリクルに交換される。そして、結果として生じるマスクアセンブリはコンテナでリソグラフィＦＡＢに搬送することができる。
[00157] 図７に示され、以上で更に詳しく説明されたように、マスクパターンの検査は、ペリクルが存在しない（即ち、ＥＵＶ透明ペリクルも代替ペリクルも存在しない）状態で実行することができる。このアプローチの欠点は、ペリクルが存在しない間にマスクパターン上に汚染が導入される可能性があることである。検査はマスクから突起を取り外すことなく実行することができる。
[00158] 汚染が見つかった場合は、マスクは洗浄され、汚染が除去される。マスクの洗浄はペリクルが存在しない状態で実行することができる。突起はマスクの洗浄中マスク上に留まることができる。突起はマスクに永続的に結合することができる（即ち、突起はマスクの取り外し不可能な部分である）。
[00159] 一部の例では、マスク洗浄プロセスの一部として突起をマスクから取り外すことが望ましいこともある。突起が接着剤によりマスクに装着された場合は、突起を取り外すのに用いられるプロセスは、突起を装着するのに使用された接着剤の形態に依存することができる。接着剤が軟性接着剤（即ち、溶ける接着剤）である場合は、突起は接着剤を溶かすことによりマスクから取り外すことができる。これによって接着剤もマスクから取り除かれる。接着剤が硬性接着剤である（即ち、マスクに適合する溶媒に溶けない）場合は、突起はマスクから機械的に取り外される。そして硬性接着剤はマスクから機械的に取り除かれる。代替的な実施形態では、以上で述べたように、磁気若しくは静電装着、光学的接着、又は機械的締め付け等の、突起の結合の他の形態が考えられる。これらが用いられる場合は、突起は適切な技法を用いて取り外される（例えば、静電装着が用いられている場合は、装着するために用いられている電圧を取り除く）。
[00160] 突起及び接着剤がマスクから除去されると、マスクのマスク洗浄が実行される。次に、ペリクルフレーム及びペリクルを受ける交換用突起をマスク上に接着することができる。マスクパターンの汚染の検査は、突起のマスクへの接着の前及び／又は後に実行することができる。ペリクルは、マスクへの装着の前及び／又は後に汚染の有無を検査することができる。
[00161] 図８は、リソグラフィＦＡＢで実行されるプロセスをより詳細に示す。リソグラフィ装置の内部で実行されるプロセス部分は破線で識別される。
[00162] （図５に関連して以上で説明されたコンテナに対応してもよい）コンテナに保持されたマスクアセンブリがリソグラフィ装置で受け取られる。コンテナはリソグラフィ装置のロードロックに入れられ、真空にポンプダウンされる。次に、マスクアセンブリはコンテナから取り出される。マスクの裏面は、リソグラフィ装置内にある検査ツールを使用して汚染の有無が検査される。ペリクルは、リソグラフィ装置にある検査ツールを使用して汚染の有無が検査される。汚染が発見されない場合は、マスクはリソグラフィ装置により使用されパターンが基板上に投影される。
[00163] 基板の露光が完了すると、マスクアセンブリはロードロック内でコンテナに戻される。コンテナ及びロードロックにガスが導入され、コンテナ及びマスクアセンブリはリソグラフィ装置から取り外される。
[00164] 汚染が見つかった場合は、マスクアセンブリはリソグラフィ装置から取り外される。これは、マスクアセンブリをロードロック内でコンテナに戻し、そしてコンテナ及びロードロックにガスを導入することを含む。次に、マスクアセンブリ及びコンテナはロードロックから除去される。そして、次のステップは見つかった汚染の性質に依存する。汚染がペリクルだけに見つかった場合は、ペリクルは新しいペリクル（及びペリクルフレーム）と交換することができる。これは以上でより詳細に説明されたペリクル着脱ツールで実行することができる。
[00165] マスクパターンの汚染（又はマスクの裏面の汚染）が疑わしい又はその存在が判明した場合は、マスク検査ツールを使用したマスクの検査を実行することができる。この後にマスクの洗浄が行われ、汚染を除去することができる。マスクの洗浄は、突起をマスク上の所定の位置に残した状態で実行することができる。そして、マスクの洗浄後に、マスク検査ツールを使用してマスクの更なる検査を実行することができる。マスクに汚染がないことが判明した場合は、ペリクル及びフレームがマスクに装着され、そして、マスクはコンテナでリソグラフィ装置に搬送される。
[00166] 洗浄により汚染が除去されなかった場合は、マスクは追加洗浄のためにマスクショップに戻される。この追加洗浄は、突起を所定の位置に残したまま実行することができる。代替的には、突起は追加洗浄が行われる前に取り外すことができる。
[00167] ペリクルをマスクに着脱するツールは、ペリクル検査ツールから分離していてもよい。代替的には、ペリクルの着脱に加えて検査をも行う単一のツールを設けることができる。
[00168] 図９は、本発明の一実施形態に係るペリクルアセンブリを作製する方法を概略的に示している。まず図９Ａを参照すると、シリコンウェーハ５０上にペリクルが形成される。化学蒸着（ＣＶＤ）を用いてウェーハ５０上にポリシリコンを蒸着させる。ポリシリコンの上部にキャッピング材料を蒸着させることができる。次に、シリコンウェーハ５０の矩形領域が、シリコンウェーハ周辺部により支持されたポリシリコンの薄層を残してエッチング除去される。膜と呼ばれることもあるポリシリコンの薄層はペリクル５２を形成する。ポリシリコンの薄層は、例えば１００ｎｍ未満の厚さを有することができ、例えば約５０ｎｍの厚さを有することができる。一実施形態では、ペリクルは約８０ｍｍ×８０ｍｍの大きさであってもよい。
[00169] ペリクル５２の周辺部周りにシリコンウェーハ５０が存在することは、ペリクル５２の緊張性を保つ硬性フレームを提供するため有利である。ペリクル５２は、形成されるやり方により作製された時にピンと張っている。ポリシリコンの結晶化の性質によってポリシリコンの収縮が引き起こされる。この収縮によってペリクル５２から皺が除去され、緊張性が与えられる（これはペリクルのプレストレスとみなすことができる）。もしウェーハ５０がペリクル５２を支持する硬性フレームを提供せず、逆に柔軟性を有するフレームが提供されれば、ペリクル５２の緊張性によってフレームが内側に曲がってしまうだろう。このように内側に曲がる結果として、ペリクル５２の緊張性が失われてしまう。方法の残りのステップによって、ウェーハ５０の外側部分は、ペリクル５２の緊張性が失われることなく除去することが可能になる。もしペリクル５２の緊張性が失われるならば、ペリクルの制御されないたるみが生じ、ペリクルに皺が見られるだろう。
[00170] ペリクル５２の膜の外縁周りに延びるウェーハ５０の部分は、ペリクルの境界部分５５と呼ばれることがある（境界部分の外縁は破線で示される）。
[00171] 図９Ｂは、ウェーハ５０に固定されるカバーを概略的に示す。図９Ｂの左側の図は、上から見た上面カバー５４及びウェーハ５０を示す。図９Ｂの右側の図は、断面で見た上面カバー５４、ウェーハ５０及び他のコンポーネントを示す。上面カバー５４は、使用時のマスクから最も遠いペリクルの側で境界部分５５に押し付けられる。
[00172] 図９Ｂの右側の破線は、ペリクル５２の膜の位置を示す。この実施形態では、ウェーハ５０の底面にあるペリクル５２の膜である。これは、ウェーハの矩形領域を除去するのに用いられたエッチングをウェーハの上面に適用したためである。斯かる実施形態では、ペリクル５２の膜と上面カバー５４との間に隙間がある。従って、上面カバー５４は平らな内表面を有することができる。代替的な実施形態では、ペリクル５２の膜はウェーハ５０の上面にある（エッチングはウェーハの底面に適用された）。斯かる実施形態では、ペリクル５２の膜と上面カバー５４との間に隙間がなく、従って、上面カバーはペリクルのたるみを収容するリセスを含む。
[00173] ウェーハ５０の反対側にフレーム５８及び底面カバー５６が設けられる。フレーム５８は境界部分５５に固定される。フレーム５８は、内側への湾曲に抵抗可能であり、従って、ペリクル５２の緊張性を保つことができるほど十分な硬性がある。フレーム５８は、接着剤又は任意の他の適切な手段を用いて境界部分５５に固定することができる。底面カバー５６はウェーハ５０に押し付けられ、ペリクル膜５２の底面及びフレーム５８の両方を覆う。
[00174] 図９Ｂから、上面カバー５４はペリクル膜５２の上面を覆い、底面カバー５６はペリクル膜の底面を覆うことが見て取れる。このように、カバー５４、５６はその間にペリクル膜５２を含む密封された空間を形成する。上面カバー５４、底面カバー５６及びフレーム５８は、ウェーハ５０に装着される時にペリクル膜５２の周囲に汚染物質が導入される可能性を最小限にするために、クリーンな状態でウェーハ５０に取り付けられる。実際、ペリクルを作製し、次いでフレーム５８及びカバー５４、５６を装着するプロセス全体は、クリーンな状態で実行することができる。
[00175] 図９Ｃに概略的に示されるように、底面カバー５６を超えて延びるウェーハ５０の部分をトリミングするために切削ツール（例えば、フライス盤）が使用される。図９Ｃでは、ウェーハ５０の右側部分はすでに除去されている。ウェーハ５０の上部は、矢印６０で示される方向に切断することにより今まさに除去されるところである。次いでウェーハ５０の他の部分が除去される。ペリクル膜５２は密封された環境内に含まれているため、このようなウェーハの切断にはペリクル膜に汚染物質が導入されるリスクがない。
[00176] ウェーハ５０の端がトリミングされると、残っているアセンブリは図９Ｄに示されるペリクルアセンブリ６２である。ペリクルアセンブリは、ペリクル膜５２、基板境界部分５５、フレーム５８、上面カバー５４及び底面カバー５６を備える。ペリクルアセンブリ６２は、汚染物質が侵入できない密封された環境にペリクル膜５２を保持する。フレーム５８はペリクルを支持し、その緊張性を保つ。
[00177] 図示された実施形態では、底面カバー５６はフレーム５８を覆う。これは、フレームに孔が設けられる実施形態において有利である。斯かる孔は、ペリクルの使用中にガスの通過を可能にすることを目的としているが、その他の時間中は汚染物質が孔を通ってペリクル膜５２に到達する可能性がある。底面カバー５６は、底カバーと基板境界部分５５との間に孔を外部環境から隔離するシールを提供することによりこのことが起きないようにする。
[00178] 上面カバー５４及び底面カバー５６は、１つ以上のクランプで基板境界部分５５に押し付けられる。１つ以上のクランプは従来構造であってもよい。
[00179] 図９に関連して記載及び図示されたステップは、ペリクルの緊張性を保ち、ペリクルの汚染を防止するペリクルアセンブリ６２を提供する。ペリクルアセンブリ６２は、例えば単一の場所で製造することができる。これは、例えば、ペリクルを第１の製造場所で製造した後に第２の場所に搬送して支持フレームに装着すること（第２の場所への搬送中に汚染物質が導入される可能性がある）と比較して有利である。
[00180] ペリクルアセンブリ６２は、例えば、ペリクル製造場所からペリクルがリソグラフィ装置により使用されるマスクに装着されるマスクショップに運ぶことができる。図１０は、ペリクルをマスクに装着するためのプロセスを概略的に示している。プロセスは、例えばマスクショップ（即ち、パターンマスクが作製される工場）で実行することができる。
[00181] 第１のステップ（図示せず）において、ペリクルアセンブリ６２は、ペリクルアセンブリの外側から汚染を除去するために洗浄される。洗浄後、ペリクルアセンブリ６２はクリーンな環境に保持され、汚染物質がペリクルアセンブリに衝突することが回避される。クリーンな環境内で、ペリクル配置ツール６４がフレーム５８に取り付けられる。ペリクル配置ツール６４は、フレーム５８に設けられた盲穴（即ち、フレームを完全には貫通しないフレームの外面に設けられた開口）に受容されるアーム６６を備える。ペリクル配置ツール６４はフレーム５８をしっかりと保持し、上面カバー５４を基板境界部分５５に押し付ける（これにより上面カバー５４を所定の位置に保持する）。ペリクル配置ツールがフレーム５８に取り付けられると、カバー５４、５６を境界部分５５に押し付けている１つ以上のクランプが除去される。そして、底面カバー５６は図１０Ａに示されているようにフレーム５８から取り外すことができる。図示されているように、これによりペリクル膜５２の底面は露出される。フレーム５８も露出される。
[00182] 図１０Ｂを参照すると、ペリクル配置ツール６４は、ペリクル膜５２及びフレーム５８をマスクＭＡに対して位置決めし、フレーム５８をマスクに押圧するように使用される。フレーム５８は、任意の適切なやり方でマスクＭＡに固定することができる。これは、例えば（以上で更に詳しく説明したように）マスクＭＡ上に設けられた装着機構にフレームを装着することを含むことができる。そしてペリクル配置ツール６４は取り外される。これは上面カバー５４を伴う。
[00183] マスクアセンブリと呼ばれることがある、結果として生じるアセンブリ７０は図１０Ｃに示されている。マスクアセンブリ７０は、ペリクルフレーム５８及びペリクル５２が固定されたマスクＭＡを備える。マスクアセンブリ７０は、（例えば以上でより詳細に説明されたマスクアセンブリコンテナと対応してもよい）適切なコンテナで格納及び／又は搬送することができる。
[00184] 図９及び１０は、シリコンウェーハ５０に関して本発明の実施形態を説明しているが、他の適切な基板を使用することができる。
[00185] 図１１は、本発明の一実施形態に係るペリクルを監視する方法を概略図に示す。方法は、基板を露光するためにリソグラフィ装置で使用されているマスクアセンブリから始まる。
[00186] 方法の第１のステップは、ペリクルの１つの特性（又はペリクルの２つ以上の特性）のｉｎ ｓｉｔｕ測定である。図１を参照すると、ペリクルの特性のｉｎ ｓｉｔｕ測定は、マスクアセンブリ１５が支持構造ＭＴにより保持されている時に実行される測定を意味する。ペリクル破損のリスク増大に関連する特性の変化が見られる場合は、そのペリクルアセンブリはマスクから取り外され、新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00187] 一実施形態では、ペリクルのｉｎ ｓｉｔｕ測定は赤外線センサを使用して実行することができる。基板の露光中、ペリクルはペリクルにより吸収されるＥＵＶ放射により加熱される。その結果、ペリクルは、波長がペリクルの温度に関連する赤外線を放出する。赤外線の波長がより短い波長に移行する場合、これはペリクルの温度が上昇したことを示す。ペリクルの大きな温度上昇は、ペリクル破損のリスクを増大させるペリクルへの損傷を示すことができる。従って、マスクアセンブリはリソグラフィ装置から取り外され、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00188] 一実施形態では、マスクアセンブリのスキャン動作中に生じるペリクルの変形を測定することができる。変形は、例えばマスク側へのペリクルのたわみであってもよく、例えば横シヤー干渉計を使用して、ペリクルを通過したＥＵＶ放射の波面収差を測定することにより決定することができる。例えばマスクアセンブリが最初にスキャン動作を受けた時に観察された変形と比較した変形の増減は、ペリクルの応力の変化を示す。ペリクルの応力の増減がペリクル破損のリスク増大と対応する場合は、マスクアセンブリはリソグラフィ装置から取り外され、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00189] 方法の次のステップは、最後のオフライン検査から所定の期間が経過したかどうかを決定することである。「オフライン」という用語は、ペリクルアセンブリがリソグラフィ装置内でｉｎ ｓｉｔｕにない時（即ち、マスクアセンブリが支持構造により保持されていない時）に行われる検査を意味するものと解釈することができる。所定の期間は、ペリクルが損傷を受ける時間の関数としての統計的尤度に基づくことができる。
[00190] 所定の期間が経過した時、マスクアセンブリはマスクアセンブリ検査ツールに移送される。これはリソグラフィ装置からマスクアセンブリを取り外すことを含むことができる。マスクアセンブリは、リソグラフィ装置からマスクアセンブリ検査ツールに移送するために（例えば図５に示されたコンテナ３０と対応する）コンテナに配置することができる。
[00191] マスクアセンブリ検査ツールはマスクアセンブリを検査してペリクルの損傷を監視する。マスクアセンブリ検査ツールはペリクルの１つの特性（又は２つ以上の特性）を測定する。リソグラフィ装置の動作中にペリクル破損のリスク増大に関連する特性の変化が見られる（例えばペリクルの損傷が判明した）場合は、そのペリクルアセンブリはマスクアセンブリから取り外され、新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00192] マスクアセンブリ検査ツールによりペリクルが損傷していないことが判明した場合は、ペリクルアセンブリ（即ち、ペリクル及びペリクルフレーム）は、（例えば以上で更に詳しく説明したように）ペリクルフレーム取り外しツールを使用してマスクから取り外すことができる。この取り外しの後、ペリクルアセンブリはマスクとは独立に処理される。ペリクルアセンブリはペリクル検査ツールに移送される。ペリクルアセンブリは、この移送の間密封されたコンテナに配置することができる。マスクはマスク検査ツールに移送される。マスクは、この移送の間密封されたコンテナに保持することができる。ペリクル検査ツールによるペリクルアセンブリの検査は、マスク検査ツールによるマスクの検査と並行して実行することができる。
[00193] ペリクル検査ツールはペリクルの１つの特性（又は２つ以上の特性）を測定する。リソグラフィ装置の動作中にペリクル破損のリスク増大に関連する特性の変化が見られる（例えばペリクルの損傷が判明した）場合は、そのペリクルアセンブリはマスクアセンブリから取り外され、新しいペリクルアセンブリに交換される。例えば、ペリクルの損傷が判明した場合は、そのペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換することができる。
[00194] マスクが汚染されていることが判明した場合は、マスクは汚染を除去するために洗浄される。マスクの洗浄によって汚染が除去されない場合は、マスクは新しいマスクに交換される。
[00195] ペリクルが損傷していないことが確認される（又は新しいペリクルに交換される）と、マスク及びペリクルアセンブリは、ペリクルアセンブリのマスクへの取り付けが行われる取り付け／取り外しツールに（例えば密封されたコンテナを使用して）搬送される。その後ペリクルアセンブリは（例えば密封されたコンテナで）リソグラフィ装置に戻される。そして、マスクアセンブリを使用した基板の露光がリソグラフィ装置により実行可能となる。
[00196] 本発明の実施形態は、後続のリソグラフィ装置の動作中、（ペリクル故障と呼ばれることがある）ペリクル破損のリスク増大を引き起こすペリクルの損傷を監視する。斯かる損傷が見つかった時は、ペリクルアセンブリは取り外され、別のペリクルアセンブリに交換される。これは、リソグラフィ装置の動作中にペリクルが故障するリスクを最小限にするため有利である。リソグラフィ装置の動作中のペリクル故障は、マスク及び／又はリソグラフィ装置の汚染を引き起こすおそれがあるため望ましくない。
[00197] （図１１に示されていない）一実施形態では、マスクアセンブリの検査（例えばマスク上のｉｎ ｓｉｔｕのペリクルの検査）は、ペリクルアセンブリの単独の検査よりも頻繁に実行することができる。この場合において、マスクアセンブリの検査でペリクル破損のリスク増大に関連するペリクル損傷が見つからない場合は、マスクアセンブリは、マスク及びペリクルアセンブリが分離されることなくリソグラフィ装置ＬＡに戻され、追加の検査を行うことができる。
[00198] マスクアセンブリ検査ツールは、次の１つ以上の測定技術を用いてペリクルの１つ以上の特性を測定することができる：ＥＵＶ反射測定、ＥＵＶ透過測定、偏光解析法、ラマン分光法、Ｘ線反射測定、顕微鏡検査、共振測定、走査熱負荷測定、ポンプダウン又は通気時のペリクルのたわみ。これらはそれぞれ以下で説明される。
[00199] ＥＵＶ反射測定－ＥＵＶ放射がペリクルに向けられ、ペリクルの反射の局所的変化をセンサが監視する。ＥＵＶ反射の局所的変化は、ペリクル上のキャッピング材料の劣化（又は他の変化）を示す。このようなキャッピング材料の劣化又は変化はペリクルの破損リスクを示す。斯かる劣化又は他の変化が見つかった場合は、ペリクルアセンブリはマスクから取り外され、交換される。ＥＵＶ反射測定はペリクルの反射の広域的変化を監視することもできる。この場合も、（先に測定された値であってもよい反射の基準値と比較した）ＥＵＶ反射の変化はペリクル上のキャッピング材料の劣化又は他の変化を示す。この場合も、斯かる変化が見られる場合は、ペリクルアセンブリはマスクから取り外され、交換される。
[00200] ＥＵＶ透過測定（マスク上のｉｎ ｓｉｔｕのペリクル）－ＥＵＶ放射がペリクルに向けられる。ペリクルを通過するＥＵＶ放射はマスクで反射され、ペリクルを通って戻る。この反射されたＥＵＶ放射が監視される。監視は、マスクアセンブリが使用される前にＥＵＶ放射を測定及びマッピングし、次いで後に測定されるマップを最初のマップと比較することにより行うことができる。マップ間の差異はペリクルの変化又はマスクの変化のいずれかを示す。差異の性質は、ペリクルの変化とマスクの変化を区別するために使用することができる。ペリクルの大きな変化が見られる場合は、ペリクルアセンブリは交換することができる。マスクの大きな変化が見られる場合は、マスクは洗浄することができる。
[00201] 偏光解析法－この技術は波長範囲にわたってペリクルの反射の変化を測定する。反射された放射の測定スペクトルが（例えば、先に行われた基準測定と比較して）変化する場合、これはペリクルの材料特性の変化（例えば、酸化）を示す。これらの変化はペリクル破損のリスク増大を示すことができる。また、材料特性の変化は露光中のペリクルの光学性能に影響を与えることがある。従って、ペリクルの材料特性の変化が偏光解析法により決定された場合は、ペリクルアセンブリは交換される。
[00202] ラマン分光法－この技術はペリクルの応力の局所的変化を測定する。ラマン分光法は単色光の非弾性散乱に基づく分光技術である。単色光はレーザ光源から提供することができる。光子がペリクルからの非弾性散乱を受ける時、光子の周波数は変化する。光子の周波数の変化はペリクルの応力に依存する。従って、ペリクルの応力の変化はラマン分光法を用いて観察可能である。ペリクルの応力の変化はペリクル破損のリスク増大を示すことができる。ペリクルの応力の変化は広域的変化であってもよく、又は局所的変化であってもよい。応力の局所的変化は応力集中と呼ばれることがある。ペリクル破損のリスク増大を示すペリクルの応力変化が見られる場合は、ペリクルアセンブリは交換される。
[00203] Ｘ線反射測定－この技術は、ｘ線の放射線をかすめ入射角でペリクルに向け、ペリクルからのｘ線の鏡面反射の強度を測定する。反射されたｘ線の強度は、ペリクルの密度、厚さ又は粗さのうちの１つ以上を決定するために解析される。粗さはペリクルの表面粗さ又はペリクルの材料層間の界面の粗さであってもよい。密度、厚さ又は粗さのいずれかが、損傷していないペリクルで予想される値から大きく乖離することは、ペリクル破損のリスク増大を示すことができる。この場合には、ペリクルアセンブリは取り外され、新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00204] 顕微鏡検査－ペリクルの局所的な欠陥を検査するために顕微鏡を使用することができる。検査は手動であってもよい、又は、例えばペリクルの欠陥を監視するための画像解析ソフトウェアを使用して自動化されていてもよい。検査はペリクルの粒子及び／又は穴の数、サイズ及び／又は形状を決定することができる。粒子が見つかった場合、又はペリクル破損のリスク増大を生じさせる穴が見つかった場合は、ペリクルアセンブリは取り外され、新しいペリクルアセンブリに交換される。例えば、ペリクルに穴が見つかった場合、これはマスクアセンブリを真空にポンプダウンする、又はマスクアセンブリを通気する際にペリクル破損の受け入れ難いリスクを生じさせることがある（ペリクルの両側の大きな圧力差がポンピング又は通気中に生じることがある）。ペリクルアセンブリを交換することで斯かる破損が生じないようにする。
[00205] 共振測定－ペリクルアセンブリに振動が加えられ、共振周波数が発見されるまで振動数が調整される。これはマスクアセンブリを使用する前にペリクルが損傷していないことが分かっている時に行うことができる。後続のペリクルアセンブリの検査中に、ペリクルアセンブリに再び振動が加えられる。共振周波数が先に観察された共振周波数から乖離することは、ペリクルの応力の広域的変化及び／又はマスクアセンブリの他のある部分の応力の変化を示す。ペリクル故障のリスク増大に関連する損傷を示す共振周波数の変化が観察される場合は、ペリクルアセンブリは交換される。
[00206] 走査熱負荷測定－この技術では、レーザビーム等の熱源がペリクルに対してスキャンされる。同時にペリクルの温度は、例えば高温計を使用して測定される。高温計は、ペリクルの局所的な高温部（即ち、ペリクルの残りの部分よりも高温の部分）を特定するために使用することができる。ホットスポットと呼ばれることがある局所的な高温部が見られる場合、これはペリクルの故障のリスク増大を示すことができる。この場合にはペリクルアセンブリは取り外されて交換される。ペリクルに供給された熱でペリクルに皺パターンが生成される。この皺パターンの周期（又は他のフィーチャ）はペリクルの応力と関連する。従って、皺パターンは、ペリクルの応力がペリクルの故障のリスク増大を生じさせるようなものであるかどうかを決定するために解析することができる。故障のリスク増大が存在する場合は、ペリクルアセンブリは取り外されて交換される。
[00207] ポンプダウン又は通気時のペリクルのたわみ－マスクアセンブリは、真空にポンプダウン可能又は大気圧に通気可能なチャンバに移送することができる。チャンバは最初、マスクアセンブリを受け入れる時に大気圧であってもよい。そしてチャンバは制御されたやり方で真空にポンプダウンされる。図２に関連して以上で更に詳細に説明したように、ペリクルフレーム及びマスク間に隙間が存在するが、隙間は比較的狭く、ガスの流れを制限する。結果として、チャンバが真空にポンプダウンされている時は、ペリクル及びマスク間の圧力はチャンバの圧力よりも高くなる。この圧力差はペリクルの外側へのたわみを生じさせ、この外側へのたわみは適切なセンサ（例えばカメラ）を使用して測定される。その後チャンバは制御されたやり方で大気圧に通気することができる。これは、ペリクルの内側へのたわみを生じさせ、このペリクルの内側へのたわみもまた適切なセンサ（例えばカメラ）を使用して測定することができる。ペリクルのたわみの程度はペリクルの応力に依存する。所定の閾値の範囲外のたわみはペリクル故障のリスク増大を示すことができる。
[00208] ペリクルアセンブリがマスクから取り外された時のペリクルの検査は、次の方法のうちの１つ以上を含むことができる：ＥＵＶ透過測定、ＥＵＶ反射測定、複屈折測定、偏光解析法、フーリエ変換赤外分光法、ラマン分光法、Ｘ線反射測定、顕微鏡検査、共振測定、圧力差によるペリクル変位の測定、ポンプダウン又は通気時のペリクルたわみ、走査熱負荷測定、フレーム変形測定。これらの大部分は以上で説明された通りである。以上で説明されていないもの、又はペリクルアセンブリがマスクから取り外された時に異なる形態を取ることがあるものは以下に説明される。
[00209] ＥＵＶ透過測定（マスクから取り外されたペリクルアセンブリ）－ＥＵＶ放射ビームがペリクルに向けられ、ペリクルが透過したＥＵＶ放射の量はペリクルの反対側に配置されたセンサを使用して測定される。これによって、ペリクルの透過の局所的変化が測定可能になる。例えば、ペリクルのテスト基準は８５％±２％の透過率であってもよい。ペリクルの透過率がこれよりも高い（例えば８７％以上）場合、これはペリクルから材料（例えばキャッピング層材料）の損失が発生したことを示すことができる。この状況ではペリクル故障のリスク増大が発生する可能性があり、従って、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換することができる。ペリクルの透過率がテスト基準よりも低い（例えば８３％以下）場合、これはペリクルの酸化（例えばキャッピング層の酸化）が起こったことを示すことができる。ペリクル故障のリスク増大は酸化から生じる可能性があり、従って、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換することができる。
[00210] 複屈折測定‐光弾性測定と呼ばれることもある複屈折測定は、ペリクル膜の応力の局所的変化を測定するために使用することができる。複屈折は、例えばペリクルを通るように放射ビームを向け、放射ビームの偏光の変化を測定することにより測定することができる。ペリクルの複屈折の測定は、ペリクルの応力の変化及び／又は局所的応力集中を見つけるために使用することができる。ペリクル故障のリスク増大を示す応力変化又は局所的応力集中が見られる時は、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換することができる。
[00211] フーリエ変換赤外分光法－（例えば波長範囲にわたる）赤外線放射がペリクルに向けられ、その赤外線放射の吸収が測定される。これはペリクル膜の赤外吸収の局所的変化を監視するために使用することができる。この技術はペリクルの放射率の局所的変化を監視するために使用可能である。例えば、ペリクルの最小放射率値は０．３に設定することができる。放射率（例えば局所的放射率）が０．３未満である場合、これはペリクルの損傷を示すことができる。より低い放射率は、リソグラフィ装置において使用中のペリクルの局所的温度を上昇させ、ひいてはペリクル破損のリスク増大を引き起こすおそれがある。従って、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00212] 圧力差によるペリクル変位の測定‐これはペリクルの一方の側にペリクルの他方の側の圧力と異なる圧力をかけることを含む。ペリクルは低圧側にたわむ。たわみの程度はペリクルの応力に依存し、所定の閾値の範囲外のたわみはペリクル故障のリスク増大を示すことができる。一実施形態では、２パスカルの圧力差に対して５００μｍの最大閾値たわみを設定することができる。たわみが５００μｍよりも大きい場合、これは（例えばポンプダウン又は通気中に）ペリクルが破損するリスクが大きいことを示し、従って、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換される。別の例において、たわみが４００μｍ未満の場合、これはペリクル内の応力が元々作製された（即ちペリクルフレームに装着されているがリソグラフィ装置で使用する前の）ペリクル内の応力よりも大幅に高いことを示すことができる。ペリクル内の応力が大幅に増大することは、リソグラフィ装置による使用中にペリクルが破損するリスクが高いことを意味することができる。従って、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00213] フレーム変形測定‐これはペリクルフレームに力を加え、ペリクルフレームを変形させた後、ペリクルフレームの変形中に生じるペリクルの皺を監視することを含む。ペリクルの皺の位置はペリクル内の応力を示す。皺の位置の当初測定は、ペリクルが基準測定を行うために使用される前に実行することができる。使用後、基準測定で見られたものと比較した皺の位置の変化がペリクルの応力の変化を示す。ペリクル破損のリスク増大に関連するペリクルの応力の大幅な変化が見られる場合は、ペリクルアセンブリは新しいペリクルアセンブリに交換される。
[00214] 以上で更に詳細に述べたように、マスクから取り外された後のペリクルの検査は、マスクの検査及び／又は洗浄と並行して実行することができる。
[00215] 例えば上記の技術のうちの１つ以上を用いてペリクルを監視することによって、ペリクルの損傷を早期に同定することが可能になり、従って、ペリクルの故障が発生する前にペリクルアセンブリを交換することが可能になる。ペリクルの故障が、例えば基板の露光中にリソグラフィ装置で発生した場合、これはリソグラフィ装置の問題のある汚染を引き起こすおそれがある。この問題は、ペリクル故障のリスク増大に関連するペリクルの損傷を監視し、このような損傷が見つかった時に必要に応じてペリクルを交換することにより回避される。
[00216] ペリクルの汚染検査はペリクルの損傷検査と同時に実行することができる。
[00217] ペリクルの損傷を監視することに関連する本発明の実施形態は、この文献中の他のどこかに記載された本発明の他の実施形態と組み合わせることができる。
[00218] マスクアセンブリの様々な発明の態様が以上で説明され、本発明の具体的な実施形態との関連で図に示されている。様々な方法の様々な態様が以上で説明された。説明及び／又は図示された任意の態様は単一の実施形態で組み合わせ可能なことが理解されるだろう。例えば、一実施形態の１つ以上の特徴を、別の実施形態の１つ以上の特徴と組み合わせることができる。２つ以上の発明の態様を含む実施形態が説明されているが、本明細書では１つの発明の態様しか含まない実施形態も考えられることもまた理解されるだろう。一般に、説明された任意の実施形態の任意の特徴は切り離して使用することができる、又は説明された実施形態の任意の他の特徴と任意に組み合わせて使用することができる。
[00219] 本明細書ではリソグラフィ装置との関連で本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は、他の装置に用いることができる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（若しくは他の基板）等のオブジェクト若しくはマスク（若しくは他のマスク）を測定又は処理する任意の装置の一部を構成することができる。これらの装置は、一般的に、リソグラフィツールと呼ばれることがある。斯かるリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
[00220] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４～２０ｎｍの範囲、例えば、１３～１４ｎｍの範囲の波長を有する電磁放射を包含するとみなすことができる。ＥＵＶ放射は、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった４～１０ｎｍの範囲等の１０ｎｍ未満の波長を有することができる。
[00221] 本明細書ではＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、他の用途を有することができることは理解されるべきである。他の用途として可能なものには、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が含まれる。
[00222] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。以上の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、以下の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることができる。

Claims (58)

  1. マスクと、ペリクルフレームにより保持された取り外し可能なＥＵＶ透明ペリクルと、を備えたマスクアセンブリを受け取るステップと、
    前記ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルを前記マスクから取り外すステップと、
    検査ツールを使用して前記マスク上のマスクパターンを検査するステップと、
    その後ペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルを前記マスクに装着するステップと、
    を含む、方法。
  2. 前記ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルを前記マスクから取り外した後、前記検査ツールの検査ビームに対して実質的に透明な材料から形成された代替ペリクルを保持する代替ペリクルフレームを前記マスクに装着することと、
    検査ツールを使用して前記マスク上の前記マスクパターンを検査した後、前記ペリクルフレームにより保持された前記ＥＵＶ透明ペリクルを前記マスクに装着するために、前記代替ペリクルフレームにより保持された前記代替ペリクルを前記マスクから取り外すことと、
    を更に含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記ペリクルフレームを前記マスクから取り外すことは、装着構造を装着機構から係合解除することを含み、
    前記ペリクルフレームを前記マスクに装着することは、前記装着構造を装着機構に係合させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記装着機構は、前記マスクに結合され、
    前記装着構造は、前記ペリクルフレームに結合される、請求項３に記載の方法。
  5. 前記装着機構は、前記マスク上の前記マスクパターンを検査した後にペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルの後の装着に使用できるように、前記装着構造を前記装着機構から係合解除することにより前記ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルを前記マスクから取り外した後にも前記マスクに結合される、請求項３又は４に記載の方法。
  6. 前記装着構造は、突起を含む装着機構と係合するように構成されたロック部材を含む、請求項３～５のいずれか一項に記載の方法。
  7. 後で前記マスクに装着される前記ＥＵＶ透明ペリクル及びペリクルフレームは、前記マスクから取り外されたのと同じ前記ＥＵＶ透明ペリクル及びペリクルフレームである、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記代替ペリクルは、前記マスク検査ツールにより使用されるＥＵＶ以外の放射ビームに対して実質的に透明である、請求項１～７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記マスク検査ツールにより使用される前記ＥＵＶ以外の放射ビームはＤＵＶ放射ビームである、請求項８に記載の方法。
  10. 前記代替ペリクルは、前記マスク検査ツールにより使用される粒子ビームに対して実質的に透明である、請求項２～７のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記マスク検査ツールにより使用される前記粒子ビームは、電子ビームである、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記代替ペリクルは、前記代替ペリクルのためだけに使用され、前記ＥＵＶ透明ペリクルの装着には使用されない装着構造を使用して前記マスクに装着される、請求項２～１１のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記代替ペリクルは、前記ＥＵＶ透明ペリクルの前記装着機構が前記代替ペリクルに接触しないように前記マスクに装着される、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記マスクは、前記方法の初めから終わりまでクリーンな環境にある、請求項１～１３のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記方法は更に、密封されたコンテナ内の前記マスクアセンブリをリソグラフィ装置からペリクル着脱ツールに移送することを含む、請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記方法は更に、密封されたコンテナ内の前記マスク、前記ペリクルアセンブリ又は前記マスクアセンブリから選択された１つ以上をペリクル着脱ツールからマスク検査ツールに移送することを含む、請求項１～１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記マスク検査ツールは、前記マスクアセンブリが同じ環境に留まるように前記ペリクル着脱ツールと一体化される、請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法。
  18. 前記方法は更に、前記マスク又は前記ペリクルを洗浄することを含む、請求項１～１７のいずれか一項に記載の方法。
  19. 前記装着機構は、洗浄中前記マスクに結合されたままである、請求項１８に記載の方法。
  20. 前記装着機構は、洗浄前に前記マスクから取り外される、請求項１８に記載の方法。
  21. 前記密封されたコンテナは、前記ペリクルのたるみを収容するように構成された凹部を有する、請求項１５又は１６に記載の方法。
  22. 前記コンテナの前記凹部と前記マスクアセンブリの前記ペリクルの面との間の間隔は、０．５ｍｍ～２ｍｍである、請求項２１に記載の方法。
  23. 前記コンテナの前記凹部と前記マスクアセンブリの前記ペリクルの面との間の間隔は、０．５ｍｍ～１ｍｍである、請求項２２に記載の方法。
  24. マスクと、前記マスクに取り外し可能に装着できるように構成されたペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルと、を備えたマスクアセンブリを受け取るステップと、
    前記マスクから前記ペリクルフレーム及びＥＵＶ透明ペリクルを取り外すステップと、
    前記マスクに取り外し可能に装着できるように構成された代替ペリクルフレームにより保持され、前記ＥＵＶ透明ペリクルを形成するために使用された材料と異なる、検査ツールの検査ビームに対して実質的に透明な材料から形成された代替ペリクルを、前記マスクに装着するステップと、
    前記検査ツールで前記検査ビームを使用して前記マスク上のマスクパターンを検査するステップと、
    前記マスクから前記代替ペリクルを取り外すステップと、
    その後ペリクルフレームにより保持されたＥＵＶ透明ペリクルを前記マスクに装着するステップと、
    を含む、方法。
  25. 前記代替ペリクルフレームは、前記ＥＵＶ透明ペリクルフレームと異なる位置で前記マスクに装着される、請求項２４に記載の方法。
  26. マスクアセンブリを内部に配置することができる開口と、
    前記マスクアセンブリを内部に位置決めする時に前記開口を塞ぐシールと、を備え、
    前記ペリクルの外側へのたるみを収容するように構成されたフロアを有する、
    マスクアセンブリコンテナ。
  27. 前記フロアは、前記マスクアセンブリが前記密封されたコンテナに保持される時、ペリクル面から０．５ｍｍ～１ｍｍ、又はそれ以上離れている、請求項２６に記載のマスクアセンブリコンテナ。
  28. ペリクルフレーム装着構造を受けるように構成された突起を備えたマスクであって、
    前記突起の底面は、前記ベースの表面にリセスを画定するリップを有し、
    前記突起は、前記リセス内の接着剤により前記マスクに装着される、マスク。
  29. 前記接着剤の量は、前記リセスの容積未満である、請求項２８に記載のマスク。
  30. 前記接着剤は、前記リセス及び前記マスクが前記接着剤を保持する実質的に密閉された空間を形成するように前記突起を前記マスクに引き寄せる、請求項２８又は２９に記載のマスク。
  31. 前記突起は、前記リセス及び前記マスクが接着剤のガス放出のために部分的に開放された空間を形成するように前記リップに開口を有する、請求項２８又は２９に記載のマスク。
  32. 前記突起は、前記マスクの基板材料に装着される、請求項２８～３１のいずれか一項に記載のマスク。
  33. ペリクルアセンブリを内部に配置することができる開口と、
    前記ペリクルアセンブリを内部に位置決めする時に前記開口を塞ぐシールと、を備え、
    前記ペリクルの外側へのたるみを収容するように構成されたフロアを有する、
    ペリクルアセンブリコンテナ。
  34. ペリクルフレーム装着構造を受けるように構成された少なくとも３つの突起を備えたマスクであって、
    前記突起は、前記マスクに取り外し可能に装着される、マスク。
  35. 前記突起は、前記マスクの基板材料に装着される、請求項３３に記載のマスク。
  36. ペリクルアセンブリを作製する方法であって、
    基板上に膜を形成し、基板材料をエッチング除去して前記膜を露出することにより基板周辺部により支持されたペリクル膜を設けることと、
    前記膜に接する前記基板の一部に支持フレームを装着することと、
    前記基板の一方の側に第１のカバーを、前記基板の反対側に第２のカバーを設け、これらを共締めして前記ペリクル膜を含む密封された環境を形成することと、
    を含む、方法。
  37. 前記第１のカバーは、前記基板に押し付けられる、請求項３６に記載の方法。
  38. 前記第２のカバーは、前記基板に押し付けられる、請求項３６又は３７に記載の方法。
  39. 前記方法は更に、前記第１及び第２のカバーを超えて突出する前記基板の部分を切り取ることを含む、請求項３６～３８のいずれか一項に記載の方法。
  40. 前記基板は、シリコンウェーハである、請求項３６～３９のいずれか一項に記載の方法。
  41. 前記第２のカバーは、前記支持フレームが前記密封された環境内に位置決めされるように前記支持フレームを覆う、請求項３６～４０のいずれか一項に記載の方法。
  42. 前記第１のカバーは、前記ペリクル膜のたるみを収容するように構成されたリセスを含む、請求項３６～４１のいずれか一項に記載の方法。
  43. 前記方法は、ペリクル製造場所で実行される、請求項３６～４２のいずれか一項に記載の方法。
  44. 請求項３６～４３のいずれか一項に記載の方法と、
    ペリクル位置決めツールを前記支持フレームに装着し、前記第２のカバーを前記ペリクルアセンブリから取り外し、前記支持フレームをマスクに装着し、前記ペリクル位置決めツールを使用して前記ペリクルアセンブリから前記第１のカバーを取り外す、ことによりマスクアセンブリを形成することと、
    を含む、方法。
  45. 前記ペリクル位置決めツールは、前記支持フレームに設けられた盲穴に受容されるアームを含む、請求項４４に記載の方法。
  46. 前記方法は、マスクショップで実行される、請求項４４又は４５に記載の方法。
  47. 前記方法は更に、前記マスクアセンブリをコンテナ内に入れることと、前記コンテナを密封することと、を含む、請求項４４～４６のいずれか一項に記載の方法。
  48. 基板境界部から延びるペリクル膜と、
    前記基板境界部に装着された支持フレームと、
    第１のカバーと、
    第２のカバーと、を備え、
    前記第１及び第２のカバーは、前記基板境界部の反対側に設けられ、前記ペリクル膜を含む密封された環境を形成する、
    ペリクルアセンブリ。
  49. 前記第２のカバーは、前記支持フレームが前記密封された環境内に位置決めされるように前記支持フレームを覆う、請求項４８に記載のペリクルアセンブリ。
  50. 前記第１及び第２のカバーは、前記基板境界部に押し付けられる、請求項４８又は４９に記載のペリクルアセンブリ。
  51. ペリクルフレーム装着構造を受けるように構成された突起を備えたマスクであって、
    前記突起のベース面は、溝を有し、これにより接着剤が前記溝と前記マスクとにより囲まれた容積に毛管作用により引き込まれ、
    前記突起は、前記接着剤により前記マスクに装着され、
    前記溝は、接着剤のガス放出のために部分的に開放された、マスク。
  52. ペリクルアセンブリ及びマスクを備えたマスクアセンブリのペリクルを監視する方法であって、
    前記ペリクルの特性を測定し、ペリクル破損のリスク増大に関連する前記特性の変化を監視することと、
    斯かる変化が見られた時に前記ペリクルアセンブリを前記マスクから取り外し、新しいペリクルアセンブリに交換することと、
    を含む、方法。
  53. 前記ペリクルの前記特性は、前記マスクアセンブリが前記リソグラフィ装置内でｉｎ ｓｉｔｕにある時に測定される、請求項５２に記載の方法。
  54. 前記特性は、前記ペリクルの赤外線放射である、及び／又は、前記マスクアセンブリのスキャン動作中の前記ペリクルのたわみである、請求項５３に記載の方法。
  55. 前記方法は、前記マスクアセンブリをマスクアセンブリ検査ツールに移送し、次に、前記マスクアセンブリ検査ツールを使用して前記ペリクルの前記特性を測定することを含む、請求項５２～５４のいずれか一項に記載の方法。
  56. 次の１つ以上の測定技術：ＥＵＶ反射測定、ＥＵＶ透過測定、偏光解析法、ラマン分光法、Ｘ線反射測定、顕微鏡検査、共振測定、走査熱負荷測定、ポンプダウン又は通気時のペリクルのたわみ、を用いて前記ペリクルの１つ以上の特性を測定する、請求項５５に記載の方法。
  57. 前記方法は、前記ペリクルアセンブリを前記マスクから取り外すことと、前記ペリクルアセンブリをペリクルアセンブリ検査ツールに移送することと、それから前記ペリクルアセンブリ検査ツールを使用して前記ペリクルの前記特性を測定することと、を含む、請求項５２～５６のいずれか一項に記載の方法。
  58. 次の１つ以上の測定技術：ＥＵＶ透過測定（マスクから取り外されたペリクルアセンブリ）、ＥＵＶ反射測定、複屈折測定、偏光解析法、フーリエ変換赤外分光法、ラマン分光法、Ｘ線反射測定、顕微鏡検査、共振測定、圧力差によるペリクル変位の測定、ポンプダウン又は通気時のたわみ、走査熱負荷測定、フレーム変形測定、を用いて前記ペリクルの１つ以上の特性を測定する、請求項５７に記載の方法。
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