JPS6372119A - Ｘ線露光用の転写マスク構造体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ｘ線露光用の転写マスク構造体に係り、特に
ＳＥＭ等の電子ビームによる手段を用いてマスクのパタ
ーンの＊察あるいは欠陥の検査を行うことができ、かつ
パターンの保護に好適なＸ線露光用の転写マスク構造体
に関する。

〔従来の技術〕

Ｘ線露光を用いる転写マスクは、従来第２図に示すよう
に、Ｓｉ基板１上にＢＮあるいはＳｉ、　Ｎ４膜２を形
成−し、この上に必要に応じて緩衝膜３を形成し、ｘａ
吸収材である例えばＡｕ等の材料を用いてパターン５を
形成し、次にＳｉ基板１をバックエッチし、最後にパタ
ーン５上に例えばポリイミド等の絶縁体の保護膜７を付
着形成している。

ところで、通常このような転写マスクを用い。

実際に回路パターンを形成する場合、このマスクのパタ
ーンに欠陥があったり、あるいはＸ線を吸収する異物が
あると、形成された回路パターンに欠陥が生じる。

そこで、マスクを製造した後、マスクのパターンの検査
を行い、良品のものを使用している。

一般に、Ｘ線露光に用いる転写マスクは、０．５μｍ以
下のパターン幅を有するもので、通常の可視光による検
査は分解能の点から不可能なため。

ＳＥＭ等の電子ビームを用いた手段により検査を行う必
要がある。

なお、この種の転写マスクの製造方法としては、特開昭
５７−１６２４２８号公報に開示されている技術がある
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、現在提案されている前述のごときポリイミド等
の絶縁体の保護膜７がある転写マスクでは、ＳＥＭ等で
検査した場合、この保護膜７上に電荷が帯電し、著しく
画質を劣化させたり、あるいは撮像することが不可能に
なり、マスクのパターンの十分なＩｔ察あるいは検査が
できなかった。

本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなくし、ＳＥＭ
等の電子ビームによる手段を用いてマスクのパターンの
ｗＡ察あるいは検査を行うことができ、しかもパターン
の保護にも有効なＸ線露光用の転写マスク構造体を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

前記目的は、Ａｕ等のＸ線吸収材によるパターンを形成
後、このパターンを保護するため、ポリイミド等の絶縁
体の保護膜の代わりに、枠体にペリクル膜を張り付けた
枠付ペリクル膜を着脱可能に装着したことによって達成
される。

〔作用〕

枠付ペリクル膜は、形成されたＸ線吸収材からなるマス
クのパターンの保護に用いるが、これは着脱可能である
。このため、ＳＥＭ等で観察あるいは検査を行う場合は
、この枠付ペリクル膜を外し、直接Ｘ線吸収材からなる
パターンを観察あるいは検査することが可能である。

所期のｗＡ察あるいは検査の終了後は、再びこの枠付ペ
リクル膜を装着することによって、マスクのパターンを
保護することが可能となるにのように、ＳＥＭ等で１１
察あるいは検査を行う場合のみ、保護膜としての枠付ペ
リクル膜を外し、＊察あるいは検査を行うことができる
。このため、従来の転写マスクのように、保護膜による
帯電現象がなくなり、ＳＥＭ等の電子ビームによる手段
を用いてパターンの観察あるいは検査を十分に行うこと
が可能となる。

〔実施例〕

以下５本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。

第１図は本発明の転写マスク構造体の一実施例を示す縦
断面図である。

この実施例に示す転写マスクは、例えばＡｕのごとく、
Ｘ線吸収材からなるマスクのパターン５を形成するまで
の過程は、通常の成膜、リソグラフィー技術を利用して
行われる。

すなわち、まず例えばＳｉ基板上にプラズマＣＶＤ等の
成膜法によりＢＮあるいはＳｉ、　Ｎ、膜２を数μｍ厚
に形成する。これらの膜は脆性材であり、こわれやすい
ので、必要により例えばポリイミド等の緩衝材からなる
緩衝膜３を塗布等により数μｍ厚に形成する。次に、Ｘ
線吸収材からなる膜を数千大成膜し、これにＥＢレジス
ト塗布。

ＥＢ直接描画、現像、エツチングを行い、パターン５を
形成する。ついで、Ｓｉ基板をバックエッチし同図に示
される形状のＳｉ基板１とする。

前記転写マスク上には、枠付ペリクル膜４が装着されて
いる。この枠付ペリクル膜４は、例えばＳｉ等で構成さ
れた枠体４ａに、ペリクル膜４ｂを一体に張り付けて構
成されている。そして、この枠付ペリクル膜４は、前記
転写マスク上に着脱可能に装着されている。また、この
枠付ペリクル膜４は転写マスク上に粘着材６を介して装
着されており、この粘着材６により位置固定され、かつ
シールされている。

前記実施例の転写マスク構造体は１次のように使用され
、作用する。

すなわち、前記転写マスクは前述のマスク製造工程が終
了した時点で、形成されたマスクのパターンに欠陥があ
るか、否かの検査を行い１品質の保障をする必要がある
。そうでなければ、このマスクを用いて作られた回路パ
ターンに欠陥が生じ□てしまい、歩留まりの高い生産が
できなくなる。

ところで、Ｘ線露光に使用される転写マスクは。

そのペターン幅が０．５μｍ以下であり、通常の可視光
による顕微鏡検査では見ることが困難であるため、ＳＥ
Ｍ等の電子ビームによる手段がａａあるいは検査に最も
有効である。

しかし、従来の転写マスクでは、パターン上にポリイミ
ド等の絶縁体で形成さ九た保護膜があるため、ＳＥＭ等
により電子ビームを照射した際、前記保護膜上に電荷が
帯電し、パターンを観察あるいは検査することが難しい
。

これに対して、本発明の実施例による転写マスク構造体
では、ＳＥＭ等によりパターンをｖｉｊｌ察あるいは検
査する場合には、枠付ペリクル膜４を外して直接パター
ンをＳＥＭ等で観察あるいは検査する。

また、パターンのｗ４察あるいは検査終了後は、再び枠
付ペリクル膜４を装着することによって、ペリクルｇ４
ｂによりマスクのパターンを保護することができる。

前述のごとく、この実施例によれば、ＳＥＭ等の電子ビ
ームによる手段によりマスクのパターンを十分に観察あ
るいは検査することができ、品質の高いマスクを使用で
きるので、製品の歩留まりを向上させることができる。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明によれば、Ｘ線吸収材により形成さ
れたパターンを有する転写マクス上に、前記パターンを
保護するために、従来の絶縁体の保護膜に代えて、枠体
にペリクル膜を張り付けた枠付ペリクル膜を着脱可能に
装着しており、枠付ペリクル膜を外し、ＳＥＭ等により
電子ビームを照射し、従来困難であったＳＥＭ等の電子
ビームによる手段を用いて十分にマスクのパターンの観
察あるいは欠陥の検査を行うことが可能である。

これにより、品質の高いマスクを使用できるので。

このマスクを使用して製造するＬＳＩ等の歩留まりを向
上させる効果がある。

また１本発明によれば、パターンの観察あるいは検査の
終了後は、再び転写マスク上に枠付ペリクル膜を装着し
、マスクのパターンを保護する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はＸ線露光用の転写マスク構造体の一実施例を示
す断面図、第２図は従来の絶縁体の保護膜をもつＸ線露
光用の転写マスク構造体の断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・ＢＮあるいはＳＬ、Ｎ４膜
。 ３・・・緩衝膜、４・・・枠付ペリクル膜、４ａ・・・
枠体。 ４ｂ・・・ペリクル膜、５・・・マスクパターン。 ６・・・粘着材、７・・・保護膜。 第１凹

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上にメンブレンを形成し、このメンブレン上に
   少なくともＸ線吸収材からなるパターンを形成したＸ線
   露光用の転写マスクにおいて、前記転写マスク上に、枠
   体にペリクル膜を張り付けた枠付ペリクル膜を着脱可能
   に装着したことを特徴とするＸ線露光用の転写マスク構
   造体。