JP2021519536A - 圧電層を支持基板上に転写する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
圧電層の転写は、厚い圧電基板をキャリア基板に結合し、その後、厚い圧電基板を薄くして、RFデバイスを製造するための所望の厚さの薄い圧電層のみをキャリア基板上に残すことを伴う。
- 圧電基板を提供する、
- ハンドル基板を提供する、
- ハンドル基板または圧電基板の主面上に光重合可能な接着剤層を堆積する、
- 接着層を介して圧電基板をハンドル基板に接着し、ヘテロ構造を形成する、
- 接着層を重合させるために、前記ヘテロ構造に光束を照射して、前記ドナー基板を形成する。
- 光重合性接着剤層の厚さは2μmと8μmとの間である、
- 光重合性接着剤層はスピンコーティングによって堆積される、
- 結合工程は、20℃と50℃との間、好ましくは20℃と30℃との間の温度で実施される、
- 光束は圧電基板を通して適用される、
- 照射はパルス化される、
- 光束の波長は320nmと365nmとの間である、
- ハンドル基板およびキャリア基板は、ハンドル基板の材料とキャリア基板の材料との間の熱膨張係数の差が5%以下、好ましくはほぼ0%であるような材料で作成される、
- ハンドル基板は、シリコン、サファイア、多結晶窒化アルミニウム(AlN)、またはガリウムヒ素(GaAs)で作成される。
- 上記の製造プロセスを実施することにより得られたドナー基板を提供する、
- 圧電基板に脆弱化ゾーンを形成して、転写される圧電層の境界を定める、
- キャリア基板を提供する、
- キャリア基板および/または圧電基板の主面上に誘電体層を形成する、
- ドナー基板をキャリア基板に結合し、前記誘電体層は結合界面にある、
- 300°C以下の温度で、脆弱化されたゾーンに沿ってドナー基板を分割および分離する。
- 誘電体層は、圧電基板上にスピンコーティングによって堆積されたガラス層である、
- プロセスは、結合前に、酸化物層、または窒化物層、または窒化物と酸化物の組み合わせを含む層、またはキャリア基板上の少なくとも1つの酸化物層と1つの窒化物層との重ね合わせの形成を含む、
- 脆弱化ゾーンは、原子種を圧電基板に注入することによって形成される、
- ハンドル基板は、シリコン、サファイア、多結晶窒化アルミニウム(AlN)、またはガリウムヒ素(GaAs)で作られた基板である、
- 重合した接着剤層の厚さは2μmと8μmとの間である。
Claims (7)
- 圧電層(3)をキャリア基板(6)に転写するプロセスであって、
ハンドル基板(2)に接合された圧電基板(3)と、前記圧電基板(3)と前記ハンドル基板(2)との間の界面に位置する重合接着剤層(10)とを含む、ヘテロ構造(4)からなるドナー基板(40)を提供するステップと、
前記圧電基板(3)に脆弱化ゾーン(7)を形成して、転写される圧電層(31)の境界を定めるステップと、
キャリア基板(6)を提供するステップと、
前記キャリア基板(6)および/または前記圧電基板(3)の主面上に、誘電体層(8)を形成するステップと、
前記ドナー基板(40)をキャリア基板(6)に結合するステップであって、前記誘電体層(8)は該結合界面にある、該ステップと、
前記ドナー基板(40)を、300°C以下の温度で、前記脆弱化されたゾーン(7)に沿って分割および分離するステップと
を備えたことを特徴とするプロセス。 - 前記誘電体層(8)は、前記圧電基板上にスピンコーティングによって堆積されたガラス層であることを特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- 前記結合の前に、酸化物層、または窒化物層、または窒化物と酸化物との組み合わせを含む層、または少なくとも1つの酸化物層とキャリア基板(6)上の1つの窒化物層との重ね合わせの、前記形成を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のプロセス。
- 前記脆弱化ゾーン(7)は、前記圧電基板に原子種(9)を注入することによって形成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のプロセス。
- 前記ハンドル基板(2)は、シリコン、サファイア、多結晶窒化アルミニウム(AlN)、またはガリウムヒ素(GaAs)で作られた基板であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のプロセス。
- 前記重合接着剤層(10)の厚さは、2μmと8μmとの間であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のプロセス。
- 圧電層(31)の対向する2つの面上での電極(71、72)の堆積を含む、バルク音響波デバイス(70)を製造するプロセスであって、前記圧電層(31)を、請求項1ないし6のいずれか1つに記載のプロセスの手段によって製造することを特徴とするプロセス。
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