JPWO2019186053A5

JPWO2019186053A5 -

Info

Publication number: JPWO2019186053A5
Application number: JP2020551935A
Authority: JP
Publication date: 2022-02-21

Description

光放射６または光束は、好ましくは紫外線（ＵＶ）放射である。接着層２の組成に応じて、３２０ｎｍ（ナノメートル）から３６５ｎｍの間の波長を有するＵＶ放射が、好ましくは選択される。

Claims

電気絶縁層を介して圧電層（３）をキャリア基板（１）に接合することによって高周波デバイス用の基板（７）を製作するための方法であって、前記圧電層（３）は、前記電気絶縁層との界接面において粗面（３０）を有し、前記方法は、以下のステップ：
高周波を反射するのに適した粗面（３０）を有する圧電基板（３）を用意するステップと、
誘電層（４）を前記圧電基板（３）の前記粗面（３０）上に堆積するステップと、
キャリア基板（１）を用意するステップと、
光重合性接着層（２）を前記キャリア基板上に堆積するステップと、
前記誘電層（４）および前記光重合性接着層（２）を介して前記圧電基板（３）を前記キャリア基板（１）に結合して、組み立てられた基板（５）を形成するステップと、
前記組み立てられた基板（５）を光束（６）で照射して前記接着層（２）を重合するステップであって、前記接着層（２）および前記誘電層（４）は、一緒になって前記電気絶縁層を形成する、ステップと
を含むことを特徴とする方法。
前記誘電層（４）は、プラズマ増強化学蒸着によって前記圧電基板（３）上に堆積される、酸化ケイ素の層、窒化ケイ素の層、窒化ケイ素と酸化ケイ素の組合せを含む層、および／または少なくとも酸化ケイ素の層および窒化ケイ素の層の重層を含む請求項１に記載の方法。
前記誘電層（４）は、前記圧電基板（３）上にスピンコーティングすることによって堆積されたガラス層である請求項１に記載の方法。
前記光重合性接着層（２）の厚さは、２μｍから８μｍの間に含まれる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
前記光重合性接着層（２）は、スピンコーティングによって堆積される請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
前記結合するステップは、２０から５０℃の間、好ましくは２０℃から３０℃の間に含まれる温度で実施される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
前記光束（６）は、前記圧電基板（３）を通してかけられる請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
前記照射は、パルス化される請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
前記光束（６）は、３２０ｎｍから３６５ｎｍの間に含まれる波長を有する請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
前記キャリア基板（１）は、前記圧電基板（３）が作製される材料のものより低い熱膨張係数を有する材料で作製される請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
前記キャリア基板（１）は、ケイ素、サファイア、多結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、またはヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作製される請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
前記接着層（２）の重合後、前記圧電基板（３）を薄くして、規定された厚さの圧電層（３）を前記キャリア基板（１）に移すステップをさらに含む請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
前記薄くするステップは、エッチングおよび／または化学機械研磨を含む請求項１２に記載の方法。
前記薄くするステップ後、焼き戻しを実施して、前記圧電層を平滑にするステップを含む請求項１２または１３に記載の方法。
前記結合するステップに続く各ステップは、３００℃以下の温度で実施される請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
高周波フィルタ（１０）を製作するための方法であって：
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法を使用して基板（７）を製作するステップと、
前記基板の前記圧電層の表面（３１）上に交互嵌合型電極の対（１１、１２）を形成するステップと
を含む方法。
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法を使用して得ることができる高周波デバイス基板（７）であって、連続的に、キャリア基板（１）と、電気絶縁層（２、４）と、圧電層（３）とを含み、前記圧電層は、前記電気絶縁層との界接面において、高周波を反射するのに適した粗面（３０）を有し、前記電気絶縁層は、前記キャリア基板（１）から前記圧電層（３）にかけて連続的に、重合された接着層（２）と、誘電層（４）とを含む高周波デバイス基板（７）。
請求項１７に記載の高周波デバイス基板（７）と、前記圧電層（３）の表面（３１）上を延びる交互嵌合型電極の対（１１、１２）とを備える高周波フィルタ（１０）。