JP2020108161A - 基板を製造するための方法 - Google Patents
基板を製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020108161A JP2020108161A JP2020037232A JP2020037232A JP2020108161A JP 2020108161 A JP2020108161 A JP 2020108161A JP 2020037232 A JP2020037232 A JP 2020037232A JP 2020037232 A JP2020037232 A JP 2020037232A JP 2020108161 A JP2020108161 A JP 2020108161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coefficient
- trenches
- thermal expansion
- substrate
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
a.例えばシリコンの支持基板1を用意するステップ;
b.支持基板1の一方の面、上記前面1aの上へのLiTaO3の層3の移転ステップ。
a.第1の熱膨張係数を有し、第1の方向に互いに平行な第1の複数のトレンチ及び上記第1の方向とは平行でない第2の方向に互いに平行な第2の複数のトレンチを、前面と呼ばれる一方の面に有する支持基板を用意するステップと、
b.上記支持基板へドナー基板から有用層を移転させるステップであって、上記有用層が上記第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を有する、移転させるステップと
を含む方法において、
製造するための方法は、中間層が上記支持基板の上記前面と上記有用層との間に挿入され、上記中間層が上記第1の熱膨張係数と上記第2の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することで注目される。
a.第1の熱膨張係数を有し、第1の方向に互いに平行な第1の複数のトレンチ及び上記第1の方向とは平行でない第2の方向に互いに平行な第2の複数のトレンチを、前面と呼ばれる一方の面に有する、支持基板と、
b.上記第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を有し、上記支持基板の上に配置された有用層と
から構成される基板において、
上記基板は、中間層が上記支持基板の上記前面と上記有用層との間に挿入され、上記中間層が上記第1の熱膨張係数と上記第2の熱膨張係数との間の膨張係数を有することで注目される、基板をやはり包含する。
第1の実施形態によれば、本発明は、シリコンの支持基板10の用意を含む。
第2の実施形態は、中間層20が支持基板10の前面11というよりはむしろドナー基板30に形成されること、及びプラズマ活性化が支持基板10の前面11になされることが第1の実施形態とは異なっている。
Claims (14)
- 受け取り側基板上に配置された有用層(31)を備えている基板を製造するための方法であって、
a.第1の熱膨張係数を示し、第1の方向に互いに平行な第1の複数のトレンチ(12)及び前記第1の方向とは平行でない第2の方向に互いに平行な第2の複数のトレンチ(13)を、前面(11)と呼ばれる一方の面に有する支持基板(10)を用意するフェーズと、
b.前記支持基板(10)上にドナー基板(30)から有用層(31)を移転させるフェーズであり、前記有用層(31)が、前記第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を有する、移転させるフェーズと、
を含む製造するための方法において、
中間層が前記支持基板(10)の前記前面(11)と前記有用層(31)との間に挿入され、前記中間層(20)が前記第1の熱膨張係数と前記第2の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することを特徴とする、製造するための方法。 - 前記有用層(31)の移転のフェーズb.が、前記支持基板(10)との前記ドナー基板(30)の組み立て、及び前記有用層(31)を形成するための前記ドナー基板(30)の薄化を含む、請求項1に記載の製造するための方法。
- 前記ドナー基板(30)の前記薄化が、機械的薄化により行われる、請求項2に記載の製造するための方法。
- 前記中間層(20)が、前記有用層(31)の移転のフェーズb.の前に、前記支持基板(10)の上に又は前記ドナー基板(30)の上に形成される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記中間層(20)が、ガラス材料を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記中間層(20)が、リスト:TEOS、BPSG、PSG、USGに含まれる材料のうちの少なくとも1つを含む、請求項5に記載の製造するための方法。
- 前記第1の複数のトレンチ(12)の前記トレンチが、3〜10ミリメートル毎に規則的に配置される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第2の複数のトレンチ(13)の前記トレンチが、3〜10ミリメートル毎に規則的に配置される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第1及び第2の複数のトレンチの前記トレンチが、1と100μmとの間の深さを有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第1及び第2の複数のトレンチ(13)の前記トレンチが、1と100μmとの間の幅を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記中間層(31)が、リスト:LiTaO3、LiNbO3に含まれる材料のうちの少なくとも1つを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第1の熱膨張係数と前記第2の熱膨張係数との間の差が、5よりも大きく、好ましくは10よりも大きい、請求項1〜11のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記支持基板(10)が、リスト:シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウムに含まれる材料のうちの少なくとも1つを含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- c.第1の熱膨張係数を有し、第1の方向に互いに平行な第1の複数のトレンチ(12)及び前記第1の方向とは平行でない第2の方向に互いに平行な第2の複数のトレンチ(13)を、前面(11)と呼ばれる一方の面に含む支持基板(10)と、
d.前記第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を有し、前記支持基板(10)の上に配置された有用層(31)と、
を備える基板において、
中間層が前記支持基板(10)の前記前面(11)と前記有用層(31)との間に挿入され、前記中間層(20)が前記第1の熱膨張係数と前記第2の熱膨張係数との間に含まれる膨張係数を有することを特徴とする、基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1501519A FR3039003B1 (fr) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | Procede de fabrication d'un substrat |
FR1501519 | 2015-07-17 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017567605A Division JP6716838B2 (ja) | 2015-07-17 | 2016-07-13 | 基板を製造するための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020108161A true JP2020108161A (ja) | 2020-07-09 |
JP6834088B2 JP6834088B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=55129903
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017567605A Active JP6716838B2 (ja) | 2015-07-17 | 2016-07-13 | 基板を製造するための方法 |
JP2020037232A Active JP6834088B2 (ja) | 2015-07-17 | 2020-03-04 | 基板を製造するための方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017567605A Active JP6716838B2 (ja) | 2015-07-17 | 2016-07-13 | 基板を製造するための方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10943778B2 (ja) |
EP (1) | EP3326195B1 (ja) |
JP (2) | JP6716838B2 (ja) |
KR (1) | KR102072549B1 (ja) |
CN (1) | CN107851552B (ja) |
FR (1) | FR3039003B1 (ja) |
SG (2) | SG10201913219RA (ja) |
WO (1) | WO2017012940A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3079659B1 (fr) | 2018-03-29 | 2020-03-13 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat donneur pour la realisation d'une structure integree en trois dimensions et procede de fabrication d'une telle structure integree |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS574133A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Fujitsu Ltd | Device for pattern image pickup |
JPH0992895A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子とその製造方法 |
JP2001127577A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Tdk Corp | 圧電振動部品 |
JP2012053277A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスおよび高調波発生デバイス |
JP2012519974A (ja) * | 2009-03-09 | 2012-08-30 | ソイテック | 熱膨張係数が局所的に適合するヘテロ構造の生成方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR930011909B1 (ko) | 1991-05-16 | 1993-12-22 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법 |
JPH0982585A (ja) | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Hamamatsu Photonics Kk | シリコンウエハの貼り合わせ方法 |
EP1238388B1 (de) * | 1999-12-17 | 2005-03-02 | Argillon GmbH | Piezoelektrischer ultraschallwandler, der ein gehäuse und eine isolierschicht umfasst |
FR2817394B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
JP2003124767A (ja) | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
FR2855650B1 (fr) | 2003-05-30 | 2006-03-03 | Soitec Silicon On Insulator | Substrats pour systemes contraints et procede de croissance cristalline sur un tel substrat |
FR2857502B1 (fr) | 2003-07-10 | 2006-02-24 | Soitec Silicon On Insulator | Substrats pour systemes contraints |
EP1801625B1 (en) * | 2004-10-12 | 2019-11-20 | NGK Insulators, Ltd. | Optical waveguide substrate and harmonics generating device |
JP2008301066A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Yamajiyu Ceramics:Kk | タンタル酸リチウム(lt)又はニオブ酸リチウム(ln)単結晶複合基板 |
US8664747B2 (en) * | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
WO2014129979A1 (en) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Agency For Science, Technology And Research | Surface acoustic wave device |
-
2015
- 2015-07-17 FR FR1501519A patent/FR3039003B1/fr active Active
-
2016
- 2016-07-13 WO PCT/EP2016/066609 patent/WO2017012940A1/fr active Application Filing
- 2016-07-13 CN CN201680041816.6A patent/CN107851552B/zh active Active
- 2016-07-13 US US15/743,004 patent/US10943778B2/en active Active
- 2016-07-13 SG SG10201913219RA patent/SG10201913219RA/en unknown
- 2016-07-13 KR KR1020187001215A patent/KR102072549B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-13 EP EP16741587.6A patent/EP3326195B1/fr active Active
- 2016-07-13 JP JP2017567605A patent/JP6716838B2/ja active Active
- 2016-07-13 SG SG11201800289QA patent/SG11201800289QA/en unknown
-
2020
- 2020-03-04 JP JP2020037232A patent/JP6834088B2/ja active Active
- 2020-11-11 US US17/095,550 patent/US11837463B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-20 US US18/470,975 patent/US20240014027A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS574133A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Fujitsu Ltd | Device for pattern image pickup |
JPH0992895A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子とその製造方法 |
JP2001127577A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Tdk Corp | 圧電振動部品 |
JP2012519974A (ja) * | 2009-03-09 | 2012-08-30 | ソイテック | 熱膨張係数が局所的に適合するヘテロ構造の生成方法 |
JP2012053277A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスおよび高調波発生デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107851552B (zh) | 2021-06-15 |
SG11201800289QA (en) | 2018-04-27 |
JP6716838B2 (ja) | 2020-07-01 |
JP6834088B2 (ja) | 2021-02-24 |
US10943778B2 (en) | 2021-03-09 |
CN107851552A (zh) | 2018-03-27 |
WO2017012940A1 (fr) | 2017-01-26 |
EP3326195A1 (fr) | 2018-05-30 |
JP2018528639A (ja) | 2018-09-27 |
SG10201913219RA (en) | 2020-02-27 |
US20190088462A1 (en) | 2019-03-21 |
FR3039003A1 (fr) | 2017-01-20 |
FR3039003B1 (fr) | 2017-07-28 |
US20240014027A1 (en) | 2024-01-11 |
US20210066063A1 (en) | 2021-03-04 |
US11837463B2 (en) | 2023-12-05 |
KR20180017174A (ko) | 2018-02-20 |
KR102072549B1 (ko) | 2020-02-03 |
EP3326195B1 (fr) | 2022-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI776822B (zh) | 複合基板、表面彈性波裝置及複合基板之製造方法 | |
CN109417367B (zh) | 声表面波器件用复合基板的制造方法 | |
JP3774782B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
JP4657002B2 (ja) | 複合圧電基板 | |
JP6890599B2 (ja) | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 | |
WO2020044925A1 (ja) | 複合基板および複合基板の製造方法 | |
US20240014027A1 (en) | Method for manufacturing a substrate | |
JP5182379B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
JP5299676B2 (ja) | 圧電薄膜音響共振器およびその製造方法 | |
JP2023143949A (ja) | 高周波フィルタ用の基板を製造するためのプロセス | |
JP5277999B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
JPH06275525A (ja) | Soi基板及びその製造方法 | |
WO2020027918A1 (en) | Thin film acoustic wave devices with composite substrate | |
JPH01199457A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
JP2015056580A (ja) | Memsデバイス及びmemsデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200319 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6834088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |