JP2021136286A - 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 - Google Patents

浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】基板の浮上精度を向上させることが可能な浮上搬送装置を提供することである。【解決手段】一実施の形態にかかる浮上搬送装置1は、基板30の下面に気体を噴射して基板30を浮上させながら基板30を搬送する浮上搬送装置であって、基板30に気体を噴射する複数の噴射口11と、複数の噴射口11に気体を供給する下流側流路22と、下流側流路22に気体を供給する上流側流路21と、上流側流路21に気体を供給する気体供給口27と、を備え、上流側流路21の断面積が下流側流路22の断面積よりも大きくなるように構成されている。【選択図】図3

Description

本発明は浮上搬送装置、及びレーザ処理装置に関し、例えば基板を浮上させながら基板を搬送する浮上搬送装置、及びレーザ処理装置に関する。
液晶ディスプレイパネルや有機ELパネルなどの製造プロセスでは、使用する基板が大型であるため、基板を浮上させながら基板を搬送する浮上搬送装置が広く用いられている。特許文献1には、基板に気体を吹き付けて基板を浮上させて搬送する浮上搬送装置に関する技術が開示されている。
特開2019−192681号公報
基板を浮上させながら搬送する浮上搬送装置においては、基板の浮上量のばらつきが生じるという問題がある。特に、基板に対しレーザ照射を行うレーザ処理装置においては、基板の浮上量のばらつきはレーザ処理後の基板上の膜等の品質に大きな影響を与えることから、基板の浮上精度向上が求められる。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態にかかる浮上搬送装置は、基板の下面に気体を噴射して基板を浮上させながら基板を搬送する浮上搬送装置であって、基板に気体を噴射する複数の噴射口と、複数の噴射口に気体を供給する第1流路と、第1流路に気体を供給する第2流路と、第2流路に気体を供給する気体供給口と、を備え、第2流路の断面積が第1流路の断面積よりも大きくなるように構成されている。
一実施の形態にかかるレーザ処理装置は、上述の浮上搬送装置と、基板に照射するレーザ光を発生させるレーザ発生装置と、を備える。
前記一実施の形態によれば、基板の浮上精度を向上させることが可能な浮上搬送装置を提供することができる。
実施の形態1にかかる浮上搬送装置を説明するための分解斜視図である。 実施の形態1にかかる浮上搬送装置を説明するための上面図である。 実施の形態1にかかる浮上搬送装置の下板の上面図である。 実施の形態1にかかる浮上搬送装置の断面図である。 実施の形態1にかかる浮上搬送装置の他の構成例を説明するための図(下板の上面図)である。 実施の形態2にかかる浮上搬送装置の噴射口付近の断面図である。 柱状部材を説明するための斜視図である。 柱状部材を孔部に挿入する動作を説明するための断面図である。 柱状部材を孔部に挿入する動作を説明するための断面図である。 実施の形態3にかかるレーザ処理装置の断面図である。
<実施の形態1>
以下、図面を参照して実施の形態1について説明する。図1は、実施の形態1にかかる浮上搬送装置を説明するための分解斜視図である。図2は、実施の形態1にかかる浮上搬送装置を説明するための上面図である。図3は、実施の形態1にかかる浮上搬送装置の下板の上面図である。図4は、実施の形態1にかかる浮上搬送装置の断面図である。図4に示すように、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1は、基板30の下面に気体を噴射して基板30を浮上させながら、基板30を搬送方向(x軸プラス方向)に搬送する装置である。
図1に示すように、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1は、上板10および下板20を備える。上板10は、浮上搬送装置1の上側(z軸方向プラス側)に配置されている。下板20は、上板10の下側(z軸方向マイナス側)に配置されている。例えば、上板10および下板20は、アルミニウム合金等の金属材料(メッキ処理を施してもよい)を用いて構成することができる。
図1、図2に示すように、上板10の表面には、上側に気体を噴射する複数の噴射口11が設けられている。各々の噴射口11は、例えば、上板10にz軸方向に伸びる穴を空けることで形成することができる。また、後述するように、各々の噴射口11は、上板10に設けた孔部に柱状部材(側部が鉛直方向に切り欠かれた柱状部材)を挿入することで形成してもよい(実施の形態2参照)。
図4に示すように、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1は、複数の噴射口11からz軸方向プラス側に気体を噴射し、この噴射された気体を基板30の下面に衝突させることで、基板30を浮上させる。そして、搬送手段(不図示)を用いて基板30を搬送方向(x軸プラス方向)に移動させることで、基板30を浮上させながら基板を搬送方向に搬送することができる。
図2に示す例では、複数の噴射口11がx軸方向およびy軸方向に所定の間隔で規則的に配置されている例を示した。しかし本実施の形態では、複数の噴射口11の配置は図2に示す配置に限定されることはなく、任意の配置とすることができる。また、上板10の外周付近には、レベリングボルト42(図4参照)を挿入するための複数の貫通孔12が形成されている。
図1に示すように、上板10の下側には下板20が配置されている。図1、図3に示すように、下板20の上板10側(つまりz軸方向プラス側)の表面には、上板10が有する複数の噴射口11に気体を供給するための複数の流路21、22が設けられている。
具体的には、図3に示すように、下板20の表面には、上流側流路21および下流側流路22が形成されている。なお、本明細書では、各々の流路21、22において、気体供給口27側を上流側、噴射口11側を下流側としている。
上流側流路21は、気体供給口27から供給された気体を下板20のy軸方向プラス側およびy軸方向マイナス側の各々に供給するための流路である。つまり、上流側流路21は、下板20のy軸方向プラス側に設けられた流路21_1と下板20のy軸方向マイナス側に設けられた流路21_2と、気体供給口27から供給された気体を流路21_1および流路21_2の各々に供給する流路21_3と、を有する。図3に示す例では、上流側流路21(流路21_1〜21_3)はH型であり、気体供給口27は、気体供給口27を基準として上流側流路21が点対称となる位置に設けられている。
下流側流路22は、気体供給口27から上流側流路21を経由して供給された気体を、上板10に設けられた複数の噴射口11に供給するための流路である。下流側流路22の上流側の端部は上流側流路21と接続されている。また、下流側流路22の下流側は流路が枝分かれしており、枝分かれした流路の各々の端部23は、各々の噴射口11(図2参照)と接続されている。具体的には、各々の下流側流路22は、上流側流路21との接続箇所からy軸方向に伸びる流路(幹)と、この流路(幹)からx軸方向に伸びる複数の流路(枝)と、を備える。そして、x軸方向に伸びる複数の流路(枝)の各々の端部23が、各々の噴射口11(図2参照)と接続されている。
図3に示す例では、上流側流路21(流路21_1、21_2)は、x軸方向に伸びるように設けられており、複数の下流側流路22の上流側の端部の各々は、互いに略等間隔となるように上流側流路21(流路21_1、21_2)に接続されている。
具体的には、上流側流路21の流路21_1のy軸方向プラス側には、複数の下流側流路22が設けられており、各々の下流側流路22の上流側の端部は互いに略等間隔となるように流路21_1に接続されている。同様に、上流側流路21の流路21_1のy軸方向マイナス側には、複数の下流側流路22が設けられており、各々の下流側流路22の上流側の端部は互いに略等間隔となるように流路21_1に接続されている。なお、上流側流路21の流路21_2に接続されている複数の下流側流路22についても同様の構成である。ここで、「略等間隔」とは、等間隔である場合に加えて、等間隔から若干ずれている場合も含まれることを意味している。
また、本実施の形態では、上流側流路21の断面積が下流側流路22の断面積よりも大きくなるように構成している。つまり、上流側流路21は、気体供給口27から供給された気体を各々の下流側流路22に供給する流路としての機能を有するので、上流側流路21を通過する気体の量は下流側流路22を通過する気体の量よりも多い。したがって、上流側流路21の断面積を下流側流路22の断面積よりも大きくすることで、気体供給口27から噴射口11までの流路抵抗を低減できる。よって、上流側流路21および下流側流路22における気体の圧力損失を低減することができ、気体供給口27に供給された気体の圧力と同等程度の圧力を保持した気体を噴射口11に供給することができる。
すなわち本実施の形態では、上流側流路21の断面積を下流側流路22の断面積よりも大きくしているので、気体供給口27から供給された気体が上流側流路21に均一に行き渡るようにすることができる。そして、上流側流路21に気体が均一に行き渡った後に、気体が下流側流路22へと流れるようにすることができる。よって、下流側流路22において気体(圧縮気体)の圧力が低減することを抑制することができる。したがって、各々の噴射口11から噴射される気体の流量にばらつきが生じることを抑制できるので、基板30の浮上精度を向上させることができる。
例えば本実施の形態において、上流側流路21の断面積および下流側流路22の断面積は、各々の流路の幅や深さで調整することができる。例えば、上流側流路21の幅が下流側流路22の幅よりも広くなるようにしてもよい。また、上流側流路21の深さが下流側流路22の深さよりも深くなるようにしてもよい。また、上流側流路21の幅が下流側流路22の幅よりも広くなるようにするとともに、上流側流路21の深さが下流側流路22の深さよりも深くなるようにしてもよい。
また、本実施の形態では、上流側流路21の断面積が気体供給口27の断面積よりも大きくなるように構成してもよい。このような構成とすることで、上流側流路21に気体が均一に行き渡るようにすることができる。なお、上流側流路21には気体供給口27に配管を接続することで気体が供給されるが、このときの気体供給口27の断面積とは、例えば気体供給口27に接続される継手取り付け用のタップ穴の断面積である。
また、本実施の形態では、下流側流路22の断面積が噴射口11の断面積と略同一となるように構成してもよい。このような構成とすることで、各々の噴射口11から噴射される気体の流量にばらつきが生じることをより効果的に抑制することができる。ここで、「略同一」とは、下流側流路22の断面積と噴射口11の断面積とが同一である場合に加えて、これらの断面積が若干ずれている場合も含まれることを意味している。
なお、図3に示す上流側流路21および下流側流路22の配置は一例であり、本実施の形態では、上流側流路21および下流側流路22の配置は任意に決定することができる。すなわち、気体供給口27から上流側流路21および下流側流路22を経由して噴射口11に気体を供給できる構成であれば、上流側流路21および下流側流路22の配置はどのような配置としてもよい。
また、下板20の外周付近には、レベリングボルト42(図4参照)を挿入するための複数の貫通孔25が形成されている。下板20の各々の貫通孔25の位置は、上板10の各々の貫通孔12の位置と対応している。
本実施の形態において、上板10および下板20は、締結用ボルトを用いて互いに締結されている。例えば、上板10および下板20は、下板20側から挿入された複数の締結用ボルト41(図4参照)を用いて互いに締結することができる。
上述のように、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1は、気体供給口27から供給された気体を、上流側流路21および下流側流路22を経由して、噴射口11に供給している。したがって、図4に示すように、複数の噴射口11から基板30の下面に気体を噴射して、基板30を浮上させることができる。ここで、基板30は典型的にはガラス基板であるが、浮上搬送装置1を用いて搬送する基板30はガラス基板に限定されることはない。
また、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1は、上板10および下板20の2枚の板を用いて浮上搬送装置1を構成している。このような構成とすることで、上板10と下板20の接触面に隙間が生じることを抑制することができ、上板10と下板20の接触面から気体が漏れることを抑制することができる。よって、複数の噴射口11から噴射される気体の流量にばらつきが生じことを抑制することができるので、基板30の浮上精度をより効果的に向上させることができる。
なお、上記説明では下板に流路21、22を形成した例を示したが、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1では、上板10および下板20の少なくとも一方に流路21、22を形成してもよい。すなわち、上記説明のように、下板20のみに流路21、22を形成してもよい。また、上板10のみに流路21、22を形成してもよい。また、上板10および下板20の両方に流路21、22を形成してもよい。
また、本実施の形態では、図4に示すように、下板20の厚さが上板10の厚さよりも薄くなるように構成してもよい。このように、下板20の厚さを上板10の厚さよりも薄くした場合は、上板10と下板20とを複数の締結用ボルト41(図4参照)で締結した際に、上板10と下板20の接触面において、薄い方の下板20が上板10の表面(接触面)に倣ってたわむため、上板10と下板20の接触面における隙間を塞ぐことができる。したがって、上板10と下板20の接触面から気体が漏れることをより確実に抑制することができる。
なお、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1では、浮上搬送装置1の基板30と対向する面(つまり、上板10の上面)の面精度を高くする必要があるため、上板10の厚さを厚くする必要がある。したがって、本実施の形態では、上板10の厚さを厚くし、下板20の厚さを薄くする構成が好ましい。
また、図4に示すように、本実施の形態にかかる浮上搬送装置1には、浮上搬送装置1の下面から下側に突出している複数のレベリングボルト42が設けられている。図4に示すように、本実施の形態では、複数のレベリングボルト42が設置面35と接触することで、浮上搬送装置1が設置面35に設置される。
レベリングボルト42は、浮上搬送装置1の上板10および下板20に設けられた貫通孔13、28に設けられており、貫通孔13、28内を上下方向(z軸方向)に変位可能に構成されている。例えば、レベリングボルト42は上板10および下板20の少なくとも一方と螺合するように構成されており、レベリングボルト42を回転させることで、浮上搬送装置1の下面からのレベリングボルト42の突出量を変更することができる。
また、下板20の下面には、下板20に設けた流路21、22に気体を供給するための気体供給口27(図3参照)が設けられている。図4に示すように、レベリングボルト42を設置面35と接触させて浮上搬送装置1を設置した場合は、浮上搬送装置1(下板20)の下面と設置面35との間に空間が形成される。よって、この空間に配管(不図示)を配置し、この配管を通して気体供給口27に気体を供給するように構成してもよい。
また、例えば、レベリングボルト42の設置面35と接触する面(接触面)の面精度を、下板20の下面の面精度よりも高くしてもよい。つまり、浮上搬送装置1を設置する際に、設置面35と接触する箇所をレベリングボルト42の接触面(下面)に限定した場合は、浮上搬送装置1の設置精度は、レベリングボルト42の接触面(下面)の面精度に依存する。よって、レベリングボルト42の接触面(下面)の面精度を高くすることで、浮上搬送装置1の設置精度を高くすることができる。
次に、本実施の形態にかかる浮上搬送装置の他の構成例について説明する。図5は、本実施の形態にかかる浮上搬送装置の他の構成例を説明するための図(下板の上面図)である。図5では、下板50に形成されている流路51、52を示すとともに、上板(不図示)に形成されている噴射口11の位置を示している。
図5に示すように、下板50の表面には、上流側流路51および下流側流路52が形成されている。上流側流路51は、x軸方向に伸びるように形成されており、気体供給口27から供給された気体を下板50のx軸方向に供給する。図5に示す例では、上流側流路51はI型であり、気体供給口27は、気体供給口27を基準として上流側流路51が点対称となる位置に設けられている。
下流側流路52は、気体供給口27から上流側流路51を経由して供給された気体を、複数の噴射口11に供給するための流路である。下流側流路52の上流側の端部は上流側流路51と接続されている。また、下流側流路52の下流側は流路が枝分かれしており、枝分かれした流路の各々の端部は噴射口11の各々と接続されている。具体的には、各々の下流側流路52は、上流側流路51との接続箇所からy軸方向に伸びる流路(幹)と、この流路(幹)からx軸方向に伸びる複数の流路(枝)と、を備える。図5に示す例では、各々の下流側流路52の下流側の端部(枝の端部)のうちの一部が噴射口11と接続されている。また、一部の噴射口11が上流側流路51と接続さている。
また、図5に示す例では、上流側流路51は、x軸方向に伸びるように設けられており、複数の下流側流路52の上流側の端部の各々は、互いに略等間隔となるように上流側流路51に接続されている。具体的には、上流側流路51のy軸方向プラス側には、複数の下流側流路52が設けられており、各々の下流側流路52の上流側の端部は互いに略等間隔となるように上流側流路51に接続されている。同様に、上流側流路51のy軸方向マイナス側には、複数の下流側流路52が設けられており、各々の下流側流路52の上流側の端部は互いに略等間隔となるように上流側流路51に接続されている。
図5に示す例においても、上流側流路51の断面積が下流側流路52の断面積よりも大きくなるように構成している。したがって、気体供給口27から噴射口11までの流路抵抗を低減できるため、上流側流路51および下流側流路52における気体の圧力損失を低減して、気体供給口27に供給された気体の圧力と同等程度の圧力を保持した気体を噴射口11に供給することができる。よって、各々の噴射口11から噴射される気体の流量にばらつきが生じることを抑制することができるので、基板30の浮上精度を向上させることができる。
以上で説明した本実施の形態により、基板の浮上精度を向上させることが可能な浮上搬送装置を提供することができる。
<実施の形態2>
次に、実施の形態2について説明する。
実施の形態2では、実施の形態1で説明した浮上搬送装置1の噴射口付近の他の構成例について説明する。なお、実施の形態2にかかる浮上搬送装置の噴射口付近以外の構成については、実施の形態1で説明した浮上搬送装置1の構成と同様であるので、重複した説明は省略する。
図6は、本実施の形態にかかる浮上搬送装置の噴射口付近の断面図である。図6に示すように、浮上搬送装置の上面、つまり浮上搬送装置の上板10には孔部70が形成されている。孔部70には、柱状部材60が設けられている。図7に示すように、柱状部材60は、側面が鉛直方向(z軸方向)に切り欠かれた切り欠き部61を備えている。このように、切り欠き部61を備える柱状部材60を孔部70に設けることで、噴射口11を形成することができる。
具体的には、図6に示すように、浮上搬送装置の上板10には、孔部70として、第1孔部71および第2孔部72が形成されている。第1孔部71は、浮上搬送装置(上板10)の上面側(z軸方向プラス側)に形成されている。第2孔部72は、第1孔部71よりも浮上搬送装置(上板10)の内部側(z軸方向マイナス側)に形成されている。図6に示す構成例では、第1孔部71の直径は第2孔部72の直径よりも小さく、柱状部材60は第2孔部72に設けられている。柱状部材60は、第2孔部72に挿入または圧入により設けられる。
このような構成とすることで、第2孔部72の側面と柱状部材60の切り欠き部61との間に隙間75が形成される。下流側流路22から供給された気体は、この隙間75を通過して、第1孔部71へと流れて、浮上搬送装置(上板10)の上面から噴射される。そして、噴射された気体が基板30の下面に衝突することで、基板30が浮上する。このように本実施の形態では、第2孔部72に柱状部材60を設けて噴射口11を形成しているので、噴射口11を容易に形成することができる。
また、図6に示す構成例では、第1孔部71の直径が第2孔部72の直径よりも小さくなるように構成している。このような構成とすることで、柱状部材60が外側(z軸方向プラス側)に抜け出てしまうことを抑制することができる。なお、本実施の形態では、柱状部材60が抜けない程度の力で、柱状部材60が第2孔部72に圧入されている場合は、第1孔部71の直径と第2孔部72の直径とを同一としてもよい(つまり、1つの孔部として形成してもよい)。
また、本実施の形態では、第2孔部72の側面と柱状部材60の切り欠き部61との隙間75の断面積が、下流側流路22の断面積よりも小さくなるようにしている。このような構成とすることで、柱状部材60を通過する前と通過した後とで圧力差を生成することができる。
すなわち、柱状部材60の隙間75の断面積が下流側流路22の断面積よりも小さいので、下流側流路22の圧力が柱状部材60の隙間75の出口側の圧力よりも高くなる。このため、上流側流路21および下流側流路22の全体において、圧力が均一になるようにすることができる。換言すると、柱状部材60の隙間75の断面積が下流側流路22の断面積よりも小さいので、柱状部材60の隙間75を通過する際に気体が絞られる。このため、上流側流路21および下流側流路22に気体が均一に行き渡った後に、気体が隙間75を通過するようにすることができる。したがって、上流側流路21および下流側流路22において圧力が偏ることを抑制することができる。よって、各々の噴射口11から噴射される気体の流量にばらつきが生じることを抑制することができる。
また、本実施の形態では、柱状部材60の側面に形成する切り欠き部61の形状を単純な形状としている。つまり、本実施の形態では、柱状部材60の側面を鉛直方向(z軸方向)に切り欠くことで切り欠き部61を形成している。したがって、柱状部材60の隙間75から噴出される気体を安定にすることができるので、基板30を安定的に浮上させることができる。
詳細に説明すると、基板30と浮上搬送装置1との間の微小な空間を流れる気体78、79(図6参照)は、気体軸受理論に基づく現象で説明される。この微小な空間を流れる気体78、79は層流状態で流れる。例えば、柱状部材60に形成される切り欠き部の形状をスパイラル形状などの複雑な形状とした場合は、噴射口11から噴射される気体は渦を伴う乱流となる。このような乱流が基板30に接触すると、基板30の浮上挙動が乱れて基板30の浮上量が変動する場合がある。
これに対して本実施の形態では、柱状部材60の側面を鉛直方向(z軸方向)に切り欠くことで切り欠き部61を形成している。このように、本実施の形態では、柱状部材60の側面に形成する切り欠き部61の形状を単純な形状としているので、柱状部材60の隙間75から噴出される気体が乱流となることを抑制することができる。したがって、基板30を安定的に浮上させることができる。この場合は、基板30と浮上搬送装置1との間の微小な空間を流れる気体78、79を層流状態とすることができる。
また、本実施の形態では、柱状部材60に複雑な形状を形成する必要がないので、柱状部材60の加工が容易になる。つまり、柱状部材60に単純な加工を施すことで、隙間75を通過する気体に十分な流路抵抗を与えることができる。
また、例えば、第2孔部72に柱状部材60を設けることなく噴射口11を形成する場合は、噴射口11の径を極小に加工する必要があるが、このような加工では深さ方向に深く加工することは困難である。これに対して本実施の形態のように、孔部70(第2孔部72)に柱状部材60を設けて噴射口11を形成した場合は、極小の穴開け加工が不要となるので、狭い流路を有する噴射口11を容易に形成することができる。
なお、図6、図7では、第2孔部72のxy平面における断面形状が円形で、柱状部材60が円柱状(つまり、xy平面における断面形状が円形)の場合を示した。しかし本実施の形態では、第2孔部72のxy平面における断面形状は円形以外としてもよい。また、柱状部材60のxy平面における断面形状も円形以外としてもよい。例えば、第2孔部72のxy平面における断面形状を多角形状としてもよく、この場合は、柱状部材60のxy平面における断面形状も多角形状としてもよい。一例を挙げると、第2孔部72のxy平面における断面形状を四角としてもよく、この場合は、柱状部材60を四角柱(xy平面における断面形状が四角)としてもよい。なお、柱状部材60の形状を円柱状以外とした場合でも、柱状部材60の側面に鉛直方向(z軸方向)に切り欠かれた切り欠き部を形成する。
また、本実施の形態では、図7に示す柱状部材60のように、柱状部材60の先端側の周囲が切り欠かれた逃がし構造65を備えていてもよい。例えば、図7に示す柱状部材60は円柱状であり、z軸方向において中央に位置する第1領域62と、端部側に位置する第2領域63と、を備える。そして、第2領域63の断面(xy平面)における円の直径を、第1領域62の断面(xy平面)における円の直径よりも小さくすることで(切り欠くことで)、逃がし構造65を形成することができる。
このように逃がし構造65を形成した場合は、柱状部材60を第2孔部72に挿入(圧入でもよい。以下、同様。)する際に、柱状部材60が第2孔部72に対して傾くことを抑制することができる。よって、第2孔部72の適切な位置に柱状部材60を挿入することができる。
図8は、柱状部材を孔部に挿入する動作を説明するための断面図である。すなわち、図8の左図に示すように、第2孔部72に柱状部材60を挿入する際は、第2孔部72のz軸方向マイナス側から柱状部材60を挿入する。なお、図8では図6と比べて上板10の上下方向を逆にしている。そして、柱状部材60をz軸方向プラス側に押すことによって、図8の右図に示すように第2孔部72に柱状部材60が挿入(圧入)される。このとき、柱状部材60の先端側に逃がし構造65を設けることで、第2孔部72に柱状部材60を挿入した際に、第2孔部72に対して柱状部材60が傾くことを抑制することができる。したがって、図8に示すように、第2孔部72の適切な位置に柱状部材60を挿入することができる。
例えば、図9に示すように、柱状部材60に逃がし構造65を設けていない場合は、第2孔部72に対して柱状部材60が傾く場合がある。つまり、図9の左図に示すように、第2孔部72に対して柱状部材60が傾いている状態で柱状部材60を押し込むと、傾いた状態を維持したまま柱状部材60が第2孔部72に挿入(圧入)される。このように、傾いたまま柱状部材60が第2孔部72に挿入されると、第2孔部72に傷がついたり、流路(図6の隙間75参照)が塞がれたりする場合がある。
これに対して、柱状部材60の先端側に逃がし構造65を設けた場合は、第2孔部72に柱状部材60を挿入した際に、第2孔部72に対して柱状部材60が傾くことを抑制することができる(図8参照)。したがって、第2孔部72の適切な位置に柱状部材60を挿入することができる。
なお、図7に示すように、逃がし構造65は柱状部材60の2つの第2領域63(上下両端側)に設けてもよく(つまり、第2領域63が逃がし構造65に対応する)、2つの第2領域63のうちの一方のみに形成してもよい。柱状部材60の第2領域63の一方のみに逃がし構造65を形成する際は、第2孔部72に柱状部材60を挿入する際に先端側となる方(z軸方向プラス側)に、逃がし構造65を形成する。
<実施の形態3>
次に、実施の形態3について説明する。実施の形態3では、実施の形態1、2で説明した浮上搬送装置1をレーザ処理装置に使用した場合について説明する。図10は、実施の形態3にかかるレーザ処理装置2の断面図である。図10に示すように、レーザ処理装置2は、浮上搬送装置1とレーザ発生装置90とを備える。
浮上搬送装置1は、基板30の下面に気体を噴射して基板30を浮上させながら基板30を搬送方向(x軸方向プラス側)に搬送する。なお、浮上搬送装置1については上述した浮上搬送装置と同様であるので、重複した説明は省略する。
レーザ発生装置90は、基板30に照射するレーザ光91を発生させる。例えば、レーザ処理装置2はレーザアニール装置であり、この場合はレーザ発生装置90にエキシマレーザ等を用いることができる。レーザ発生装置90から供給されたレーザ光は、光学系(不図示)においてライン状(y軸方向に伸びるライン状)となり、基板30の上面にはライン状、具体的には焦点がy軸方向に伸びるレーザ光91(ラインビーム)が照射される。例えば、基板30上には非晶質膜が形成されており、この非晶質膜にレーザ光91を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。
上述のように、浮上搬送装置1は、複数の噴射口11から噴射される気体の流量にばらつきが生じことを抑制することができるので、基板30を精度よく浮上させることができる。したがって、上述の浮上搬送装置1をレーザ処理装置2に使用することで、レーザ照射の際の照射精度を高めることができる。具体的には、レーザ照射時に基板30に照射されるレーザ光の焦点深度(DOF:Depth of Focus)から外れてしまうことを抑制することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
1 浮上搬送装置
2 レーザ処理装置
10 上板
11 噴射口
12 貫通孔
20、50 下板
21、51 上流側流路(第2流路)
21_1、21_2、21_3 流路
22、52 下流側流路(第1流路)
23 端部
25 貫通孔
27 気体供給口
30 基板
35 設置面
41 締結用ボルト
42 レベリングボルト
60 柱状部材
61 切り欠き部
65 逃がし構造
70 孔部
71 第1孔部
72 第2孔部
75 隙間
90 レーザ発生装置
91 レーザ光

Claims (20)

  1. 基板の下面に気体を噴射して前記基板を浮上させながら前記基板を搬送する浮上搬送装置であって、
    前記基板に気体を噴射する複数の噴射口と、
    前記複数の噴射口に前記気体を供給する第1流路と、
    前記第1流路に気体を供給する第2流路と、
    前記第2流路に前記気体を供給する気体供給口と、を備え、
    前記第2流路の断面積が前記第1流路の断面積よりも大きくなるように構成されている、
    浮上搬送装置。
  2. 前記第2流路の断面積は、前記気体供給口の断面積よりも大きい、請求項1に記載の浮上搬送装置。
  3. 前記第1流路の断面積は前記噴射口の断面積と略同一である、請求項1に記載の浮上搬送装置。
  4. 前記第1流路の上流側の第1端部は前記第2流路と接続されており、
    前記第1流路の下流側は流路が枝分かれしており、当該枝分かれした流路の各々の端部である第2端部は前記噴射口の各々と接続されている、
    請求項1に記載の浮上搬送装置。
  5. 前記第2流路は、前記浮上搬送装置の上面と平行な所定の方向に伸びるように設けられており、
    複数の前記第1流路の各々の第1端部は、互いに略等間隔となるように前記第2流路に接続されている、
    請求項4に記載の浮上搬送装置。
  6. 前記気体供給口は、当該気体供給口を基準として前記第2流路が点対称となる位置に設けられている、請求項5に記載の浮上搬送装置。
  7. 前記浮上搬送装置の上面には孔部が形成されており、
    側面が鉛直方向に切り欠かれた切り欠き部を備える柱状部材を前記孔部に設けることで前記噴射口が形成される、請求項1に記載の浮上搬送装置。
  8. 前記孔部に前記柱状部材を設けることで形成された、前記孔部の側面と前記柱状部材の前記切り欠き部との隙間の断面積は、前記第1流路の断面積よりも小さい、請求項7に記載の浮上搬送装置。
  9. 前記柱状部材は、当該柱状部材の先端側の周囲が切り欠かれた逃がし構造を備える、請求項7に記載の浮上搬送装置。
  10. 前記孔部は、前記浮上搬送装置の上面側に位置する第1孔部と、当該第1孔部よりも前記浮上搬送装置の内部側に位置する第2孔部と、を備え、
    前記第1孔部の直径は前記第2孔部の直径よりも小さく、
    前記柱状部材は前記第2孔部に設けられている、
    請求項7に記載の浮上搬送装置。
  11. 前記浮上搬送装置は、
    前記基板側に配置され、前記気体を噴射する複数の前記噴射口を有する上板と、
    前記第1流路、前記第2流路、及び前記気体供給口が形成された下板と、を備える、
    請求項1に記載の浮上搬送装置。
  12. 前記下板の厚さが前記上板の厚さよりも薄くなるように構成されている、請求項11に記載の浮上搬送装置。
  13. 基板の下面に気体を噴射して前記基板を浮上させながら前記基板を搬送する浮上搬送装置と、
    前記基板に照射するレーザ光を発生させるレーザ発生装置と、を備え、
    前記浮上搬送装置は、
    前記基板に気体を噴射する複数の噴射口と、
    前記複数の噴射口に前記気体を供給する第1流路と、
    前記第1流路に気体を供給する第2流路と、
    前記第2流路に前記気体を供給する気体供給口と、を備え、
    前記第2流路の断面積が前記第1流路の断面積よりも大きくなるように構成されている、
    レーザ処理装置。
  14. 前記第2流路の断面積は、前記気体供給口の断面積よりも大きい、請求項13に記載のレーザ処理装置。
  15. 前記第1流路の断面積は前記噴射口の断面積と略同一である、請求項13に記載のレーザ処理装置。
  16. 前記第1流路の上流側の第1端部は前記第2流路と接続されており、
    前記第1流路の下流側は流路が枝分かれしており、当該枝分かれした流路の各々の端部である第2端部は前記噴射口の各々と接続されている、
    請求項13に記載のレーザ処理装置。
  17. 前記第2流路は、前記浮上搬送装置の上面と平行な所定の方向に伸びるように設けられており、
    複数の前記第1流路の各々の第1端部は、互いに略等間隔となるように前記第2流路に接続されている、
    請求項16に記載のレーザ処理装置。
  18. 前記気体供給口は、当該気体供給口を基準として前記第2流路が点対称となる位置に設けられている、請求項17に記載のレーザ処理装置。
  19. 前記浮上搬送装置の上面には孔部が形成されており、
    側面が鉛直方向に切り欠かれた切り欠き部を備える柱状部材を前記孔部に設けることで前記噴射口が形成される、請求項13に記載のレーザ処理装置。
  20. 前記孔部に前記柱状部材を設けることで形成された、前記孔部の側面と前記柱状部材の前記切り欠き部との隙間の断面積は、前記第1流路の断面積よりも小さい、請求項19に記載のレーザ処理装置。
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