JP2021052186A - 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、必要に応じて、レジスト膜を剥離するためのドライアッシング工程(例えば、プラズマアッシング処理)が行われる。
例えば特許文献1には、フッ化水素酸、特定の塩基性化合物、水および特定の有機溶剤を含有し、任意で防食剤を含有するフォトリソグラフィー用剥離液が開示されている(請求項1、段落0040など)。
このような各種の除去処理の際に、基板上に設けられた配線材料およびプラグ材料などの金属層に処理液が接触する場合がある。この場合に、金属層に接触した処理液が金属層を腐食させてしまうことがあり、その結果、半導体デバイスとしての所望の性能が得られなくなることがある。
このような粒子状の欠陥は、処理液に含まれる成分に由来すると考えられる。
また、本発明は、基板洗浄方法およびレジストの除去方法を提供することも目的とする。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
有機アルカリ化合物と、防食剤と、有機溶剤と、Caと、Feと、Naと、を含有する半導体デバイス用の処理液であって、
上記処理液中において、上記有機アルカリ化合物に対する、上記Caの質量割合、上記Feの質量割合および上記Naの質量割合がいずれも、10−12〜10−4である、処理液。
[2]
上記処理液中において、上記防食剤に対する、上記Caの質量割合、上記Feの質量割合および上記Naの質量割合がいずれも、10−12〜10−4である、上記[1]に記載の処理液。
[3]
上記Caの含有量、上記Feの含有量および上記Naの含有量がいずれも、上記処理液の全質量に対して、0.1質量ppt〜10質量ppbである、上記[1]または[2]に記載の処理液。
[4]
さらに水を含有し、
上記水の含有量が、上記処理液の全質量に対して、20〜98質量%であり、
上記有機溶剤の含有量が、上記処理液の全質量に対して、1〜40質量%である、上記[1]〜[3]のいずれか1つに記載の処理液。
[5]
さらに水を含有し、
上記水の含有量が、上記処理液の全質量に対して、1〜40質量%であり、
上記有機溶剤の含有量が、上記処理液の全質量に対して、20〜98質量%である、上記[1]〜[3]のいずれか1つに記載の処理液。
[6]
さらにハロゲン酸を含有する、上記[1]〜[5]のいずれか1つに記載の処理液。
[7]
上記処理液のpHが、9よりも大きく、15よりも小さい、上記[1]〜[6]のいずれか1つに記載の処理液。
[8]
回転粘度計を用いて上記処理液の室温における粘度を測定した場合に、回転数1000rpmにおける上記処理液の粘度に対する、回転数100rpmにおける上記処理液の粘度の比率が、1〜20である、上記[1]〜[7]のいずれか1つに記載の処理液。
[9]
上記有機アルカリ化合物が、後述する式(1)で表される化合物および後述する式(2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物を含む、上記[1]〜[8]のいずれか1つに記載の処理液。
後述する式(1)中、R4A〜R4Dは、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、ベンジル基またはアリール基を表す。X−は、カウンターアニオンを表す。
後述する式(2)中、R1およびR2は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、または、ヒドロキシエチル基を表し、R3は、それぞれ独立に、水素原子、または、ヒドロキシエチル基を表す。ただし、後述する式(2)中、アルカノール基が少なくとも1つは含まれる。
[10]
上記半導体デバイスがCoを含む金属層を備えた基板を有し、
上記処理液が、上記金属層に対する処理に使用される、上記[1]〜[9]のいずれか1つに記載の処理液。
[11]
上記半導体デバイスの製造時にレジスト膜が形成され、
上記処理液が、上記レジスト膜および上記レジスト膜の残渣物の少なくとも一方であるレジストの除去に使用される、上記[1]〜[10]のいずれか1つに記載の処理液。
[12]
上記防食剤が、後述する式(A)で表される化合物、後述する式(B)で表される化合物、後述する式(C)で表される化合物、および、置換若しくは無置換のテトラゾール、から選択される少なくとも1種の化合物を含む、上記[1]〜[11]のいずれか1つに記載の処理液。
後述する式(A)において、R1A〜R5Aは、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の炭化水素基、水酸基、カルボキシ基、または、置換若しくは無置換のアミノ基を表す。ただし、構造中に水酸基、カルボキシ基および置換若しくは無置換のアミノ基から選ばれる基を少なくとも1つ含む。
後述する式(B)において、R1B〜R4Bは、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
後述する式(C)において、R1C、R2CおよびRNは、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。また、R1CとR2Cとが結合して環を形成してもよい。
[13]
上記[1]〜[12]のいずれか1つに記載の処理液を用いて、Coを含む金属層を備えた基板を洗浄する洗浄工程Bと、を有する、基板洗浄方法。
[14]
上記洗浄工程Bで使用された上記処理液の排液を回収する排液回収工程Cと、
回収された上記処理液の排液を用いて、新たに準備されるCoを含む金属層を備えた基板を洗浄する洗浄工程Dと、
上記洗浄工程Dで使用された上記処理液の排液を回収する排液回収工程Eと、
上記洗浄工程Dと上記排液回収工程Eとを繰り返す工程と、
を有する、上記[13]に記載の基板洗浄方法。
[15]
上記洗浄工程Bの前に、上記処理液を調製する処理液調製工程Aと、
上記処理液調製工程Aの前に、上記有機アルカリ化合物、上記防食剤および上記有機溶剤の少なくとも1つから、Caイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去するイオン除去工程F、または、上記処理液調製工程Aの後であって上記洗浄工程Bを行う前に、上記処理液中のCaイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去するイオン除去工程Gと、を有する、上記[13]または[14]に記載の基板洗浄方法。
[16]
上記処理液調製工程Aが、水を用いて前記処理液を調製する工程であり、
上記イオン除去工程Fが、上記有機アルカリ化合物、上記防食剤、上記有機溶剤および上記水の少なくとも1つから、Caイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去する工程である、上記[15]に記載の基板洗浄方法。
[17]
上記洗浄工程Bの前に、水を用いて上記処理液を調製する処理液調製工程Aと、
上記処理液調製工程Aの前に、上記水に対して除電を行う除電工程I、または、上記処理液調製工程Aの後であって上記洗浄工程Bを行う前に、上記処理液に対して除電を行う除電工程Jと、を有する、上記[13]〜[16]のいずれか1つに記載の基板洗浄方法。
[18]
レジスト膜および上記レジスト膜の残渣物の少なくとも一方であるレジストを、上記[1]〜[12]のいずれか1つに記載の処理液を用いて除去する工程を有する、レジストの除去方法。
なお、本発明において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本発明において「準備」というときには、特定の材料を合成ないし調合等して備えることのほか、購入等により所定の物を調達することを含む意味である。
また、本発明において、「ppm」は「parts-per-million(10−6)」を意味し、「ppb」は「parts-per-billion(10−9)」を意味し、「ppt」は「parts-per-trillion(10−12)」を意味し、「ppq」は「parts-per-quadrillion(10−15)」を意味する。
また、本発明において、1Å(オングストローム)は、0.1nmに相当する。
また、本発明における基(原子群)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、本発明の効果を損ねない範囲で、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「炭化水素基」とは、置換基を有さない炭化水素基(無置換炭化水素基)のみならず、置換基を有する炭化水素基(置換炭化水素基)をも包含するものである。このことは、各化合物についても同義である。
また、本発明における「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、または、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線または放射線を意味する。本発明中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線またはEUV光などによる露光のみならず、電子線またはイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
また、本発明において、「(メタ)アクリレート」はアクリレートおよびメタクリレートの双方、または、いずれかを表す。
本発明の処理液は、有機アルカリ化合物と、防食剤と、有機溶剤と、Caと、Feと、Naと、を含有する半導体デバイス用の処理液であって、上記処理液中において、上記有機アルカリ化合物に対する、上記Caの質量割合、上記Feの質量割合および上記Naの質量割合がいずれも、10−12〜10−4である。
以下、本発明の処理液中に含まれるCa原子、Fe原子およびNa原子を、「特定金属元素」と総称する場合がある。
本発明の処理液によれば、欠陥の発生を低減でき、半導体デバイスに含まれる金属層に対する腐食防止性に優れ、かつ、半導体デバイスの製造時に使用されるレジストの除去性にも優れる。この理由の詳細は、未だ明らかになっていない部分もあるが、以下の理由によるものと推測される。
しかしながら、処理液中の有機アルカリ化合物に対する特定金属元素の量が多すぎる場合、処理液に含まれる塩およびこれに由来する成分が粒子状の欠陥になって、この粒子状の欠陥が半導体デバイスの構成部材に付着して、半導体デバイスの不良を生じさせることが、本発明者らの検討により明らかになった。
さらに、本発明者らは、処理液中の有機アルカリ化合物に対する特定金属元素の量が少なすぎる場合、その理由は明らかになっていないが、かえって半導体デバイスに粒子状の欠陥が生じることも知見している。
このことから、本発明者らは、有機アルカリ化合物に対するCa、FeおよびNaのそれぞれの質量割合を特定の範囲内にすることで、上述した各効果が得られたと推測している。
また、本発明の処理液は、有機溶剤を含有するので、処理液と半導体デバイスの製造時に使用されるレジスト(特に有機系のレジスト)との相溶性が高まり、レジスト(特に有機系のレジスト)の除去性が向上することも知見している。
本発明の処理液は、有機アルカリ化合物を含有する。有機アルカリ化合物の機能としては、レジストの除去性の向上、および、欠陥の低減などが挙げられる。
本発明において、有機アルカリ化合物とは、アルカリ性を示す有機化合物を意味する。
有機アルカリ化合物としては、4級アンモニウム塩、アルカノールアミン、アルキルヒドロキシルアミン、および、アルキルヒドロキシルアミン塩などが挙げられ、上述したレジストの除去性および欠陥の低減がより向上する観点から、4級アンモニウム塩およびアルカノールアミンが好ましく用いられる。また、これらの化合物のうち、4級アンモニウム塩は、pH調整剤としても機能する。
式(1)中、R4A〜R4Dは、それぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、ブチル基など)、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシブチル基など)、ベンジル基、または、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基、ナフタレン基など)を表す。なかでも、アルキル基、ヒドロキシエチル基およびベンジル基が好ましい。
式(1)中、X−は、カウンターアニオンを表す。カウンターアニオンとしては、特に限定されないが、例えば、カルボン酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、ホスホン酸イオン、硝酸イオンなどの各種の酸アニオン、水酸化物イオン、および、ハロゲン化物イオン(例えば、塩化物イオン、フッ化物イオン、臭化物イオンなど)などが挙げられる。
なかでも、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、および、コリンヒドロキシドを用いることが好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよびジメチルビス(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシドを用いることがより好ましい。
4級アンモニウム塩は単独でも2種類以上の組み合わせで用いてもよい。
アルカノールアミンは、下記式(2)で表される化合物が好ましい。
式(2)中、R1およびR2は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、または、ヒドロキシエチル基を表し、R3は、それぞれ独立に、水素原子、または、ヒドロキシエチル基を表す。ただし、式(2)中、アルカノール基が少なくとも1つは含まれる。
アルカノールアミンとしては、具体的には、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第3ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノール、イソブタノールアミン、2−アミノ−2−エトキシ−プロパノール、およびジグリコールアミンとしても知られている2−アミノ−2−エトキシ−エタノールがある。
アルカノールアミンは単独でも2種類以上の組み合わせで用いてもよい。
アルキルヒドロキシルアミンの塩は、上述したアルキルヒドロキシルアミンの無機酸塩または有機酸塩が好ましく、Cl、S、N、および、Pなどの非金属が水素と結合してできた無機酸の塩がより好ましく、塩酸、硫酸、および、硝酸のいずれかの酸の塩がさらに好ましい。
アルキルヒドロキシルアミンおよびアルキルヒドロキシルアミン塩は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
有機アルカリ化合物は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。2種以上の有機アルカリ化合物を組み合わせて用いる場合には、その総量が上述の範囲内となることが好ましい。
また、第4級アンモニウム化合物は、公知の方法により精製することができる。例えば、国際公開第2012/043496号明細書に記載されている炭化ケイ素を用いた吸着精製に加えて、フィルタ濾過を繰り返すことで精製を行うことができる。
防食剤は、半導体デバイスの配線などになる金属層(特に、Co)のオーバーエッチングを解消する機能を有する。防食剤は、腐食防止剤と称されることがある。
防食剤としては特に限定されないが、例えば、1,2,4−トリアゾール(TAZ)、5−アミノテトラゾール(ATA)、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、3−アミノ−1H−1,2,4トリアゾール、3,5−ジアミノ−1,2,4−トリアゾール、トリルトリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、ナフトトリアゾール、1H−テトラゾール−5−酢酸、2−メルカプトベンゾチアゾール(2−MBT)、1−フェニル−2−テトラゾリン−5−チオン、2−メルカプトベンゾイミダゾール(2−MBI)、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、2−メルカプトチアゾリン、2,4−ジアミノ−6−メチル−1,3,5−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、ビスムチオールI、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,5−ペンタメチレンテトラゾール、1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、ホスフェート阻害剤、アミン類、ピラゾール類、プロパンチオール、シラン類、第2級アミン類、ベンゾヒドロキサム酸類、複素環式窒素阻害剤、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、1,1,3,3−テトラメチル尿素、尿素、尿素誘導体類、尿酸、エチルキサントゲン酸カリウム、グリシン、ドデシルホスホン酸、イミノ二酢酸、酸、ホウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、スルホラン、2,3,5−トリメチルピラジン、2−エチル−3,5−ジメチルピラジン、キノキサリン、アセチルピロール、ピリダジン、ヒスタジン(histadine)、ピラジン、グルタチオン(還元型)、システイン、シスチン、チオフェン、メルカプトピリジンN−オキシド、チアミンHCl、テトラエチルチウラムジスルフィド、2,5−ジメルカプト−1,3−チアジアゾールアスコルビン酸、アスコルビン酸、カテコール、t−ブチルカテコール、フェノール、および、ピロガロールが挙げられる。
また、ベンゾトリアゾールとしては、2,2’−{[(4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタノール、2,2’−{[(5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタノール、2,2’−{[(4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタン、または2,2’−{[(4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスプロパン、および、N,N−ビス(2−エチルヘキシル)−(4または5)−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−メチルアミン等も用いることができる。
防食剤は、単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。
上記式(B)において、R1B〜R4Bは、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
上記式(C)において、R1C、R2CおよびRNは、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。また、R1CとR2Cとが結合して環を形成してもよい。
また、炭化水素基が置換されている場合の置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、および、置換若しくは無置換のアミノ基(アミノ基が置換されている場合の置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がより好ましい)が挙げられる。
なお、式(A)においては、構造中に水酸基、カルボキシ基および置換若しくは無置換のアミノ基(アミノ基が置換されている場合の置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がより好ましい)から選ばれる基を少なくとも1つ含む。
式(A)で表される化合物としては、例えば、1−チオグリセロール、L−システイン、チオリンゴ酸等が挙げられる。
R1B〜R4Bで表される置換若しくは無置換の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基およびt−ブチル基等の炭素数1〜6の炭化水素基が好ましく挙げられる。
式(B)で表される化合物としては、例えば、カテコール、t−ブチルカテコール等が挙げられる。
R1C、R2CおよびRNで表される置換若しくは無置換の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1〜6の炭化水素基が好ましく挙げられる。
また、R1CとR2Cとが結合して環を形成してもよく、例えば、ベンゼン環が挙げられる。R1CとR2Cとが結合して環を形成した場合、さらに置換基(例えば、炭素数1〜5の炭化水素基)を有していてもよい。
式(C)で表される化合物としては、例えば、1H−1,2,3−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、2,2’−{[(4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタノール(商品名「IRGAMET 42」、BASF社製)、N,N−ビス(2−エチルヘキシル)−(4または5)−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−メチルアミン(商品名「IRGAMET 39」、BASF社製)等が挙げられる。
防食剤は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。2種以上の防食剤を組み合わせて用いる場合には、その総量が上述の範囲内となることが好ましい。
防食剤の精製方法は、特に限定されないが、例えば、ろ過、イオン交換、蒸留、吸着精製、再結晶、再沈殿、昇華およびカラムを用いた精製などの公知の方法が用いられ、これらの方法を組み合わせて適用することもできる。
本発明の処理液は、特定金属元素を含有する。本発明における特定金属元素とは、上述した通り、Ca、FeおよびNaのことをいい、本発明の処理液においては、Ca、FeおよびNaをいずれも含有する。
ここで、特定金属元素は、イオン、錯化合物、金属塩および合金など、いずれの形態であってもよい。また、特定金属元素は、粒子(パーティクル)状態であってもよい。
特定金属元素は、処理液に含まれる各成分(原料)に不可避的に含まれている金属元素であってもよいし、処理液の製造時に不可避的に含まれる金属元素であってもよいし、意図的に添加したものであってもよい。
本発明において、処理液中の特定金属元素のそれぞれの含有量は、ICP−MS法(誘導結合プラズマ質量分析法)によって測定される。ICP−MS法による特定金属元素のそれぞれの含有量の測定は、例えば、NexION350S(製品名、PerkinElmer社製)に準じた装置を用いて行うことができる。
ここで、ICP−MS法では、処理液中の特定金属元素のそれぞれの総質量、すなわち、イオン性金属(金属イオン)と非イオン性金属(例えば、粒子状の特定金属元素。すなわち金属粒子。)との合計質量(「総メタル量」ともいう。)として定量される。したがって、本発明において、単に「処理液中の特定金属元素のそれぞれの含有量」という場合には、上述した特定金属元素の形態に関わらず、処理液中の上記特定金属元素のそれぞれの総含有量(総メタル量)を指す。
ここで、処理液中の特定金属元素の含有量が高いと、処理液が金属層の表面に吸着しやすくなり、防食剤の吸着効率を向上できると推測される。このように、防食性の効果を高めるためには、特定金属元素の含有量が高い方が好ましいが、残渣物除去性および欠陥性能等が低下する傾向にある。そのため、防食剤に対する特定金属元素の質量割合を上述した範囲内にすることで、これらの性能を高いレベルで両立できる。
本発明の処理液は、有機溶剤を含有する。有機溶剤を含有することで、レジストの除去性をより向上できたり、腐食防止効果をより向上できたりする。
有機溶剤としては、公知の有機溶剤をいずれも用いることができるが、親水性有機溶剤が好ましい。親水性有機溶剤とは、水といずれの比率においても均一に混合可能な有機溶剤のことを意味する。
親水性有機溶剤としては、具体的には、水溶性アルコール系溶剤、水溶性ケトン系溶剤、水溶性エステル系溶剤、水溶性エーテル系溶剤(例えば、グリコールジエーテル)、スルホン系溶剤、スルホキシド系溶剤、ニトリル系溶剤、および、アミド系溶剤などが挙げられ、所望の効果を得るためにこれらのいずれも用いることができる。
これらの中でも、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリ(プロピレングリコール)メチルエーテル、および、ジエチレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。
有機溶剤は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。2種以上の有機溶剤を組み合わせて用いる場合には、その総量が上述の範囲内となることが好ましい。
精製方法としては、特に限定されないが、ろ過、イオン交換、蒸留、吸着精製、再結晶、再沈殿、昇華およびカラムを用いた精製などの公知の方法を用いることができ、これらを組み合わせて適用することもできる。
Ca、FeおよびNaの含有量が小さい有機溶剤は、本発明の各実施態様においても使用することができ、例えば、後述するキットや濃縮液の作製、製造における装置、および、容器の洗浄用途などにも好適に用いることができる。
本発明の処理液は、さらに水を含有することが好ましい。
水は、特に限定されないが、半導体製造に使用される超純水を用いることが好ましく、その超純水をさらに精製し、無機陰イオン及び金属イオンなどを低減させた水を用いることがより好ましい。精製方法は特に限定されないが、ろ過膜又はイオン交換膜を用いた精製、および、蒸留による精製が好ましい。また、例えば、特開2007―254168号公報に記載されている方法により精製を行なうことが好ましい。
水に含まれるCa、FeおよびNaの含有量はそれぞれ、水の全質量に対して、0.1質量ppt〜10質量ppbであることが好ましい。Ca、FeおよびNaの含有量が小さい水は、本発明の各実施態様で使用することができ、例えば、後述するキットおよび濃縮液の作製、製造に使用する装置、および容器の洗浄用途などにも好適に用いることができる。
本発明の処理液は、有機溶剤の含有量、および、水の含有量を変更して組成を調整することができる。処理液中の水の含有量が有機溶剤の含有量よりも多い処理液を「水系処理液」といい、処理液中の有機溶剤の含有量が水の含有量よりも多い処理液を「溶剤系処理液」ともいう。
水系処理液とする場合、水の含有量が、処理液の全質量に対して20〜98質量%であり、有機溶剤の含有量が、処理液の全質量に対して1〜40質量%であることが好ましい。
水系処理液とする場合の水の含有量は、35〜98質量%が好ましく、50〜95質量%がより好ましい。
水系処理液とする場合の有機溶剤の含有量は、処理液の全質量に対して、5〜35質量%が好ましく、10〜30質量%がより好ましい。
溶剤系処理液とする場合、水の含有量が、処理液の全質量に対して1〜30質量%であり、有機溶剤の含有量が、処理液の全質量に対して20〜98質量%であることが好ましい。
溶剤系処理液とする場合の水の含有量は、処理液の全質量に対して、2〜25質量%が好ましく、4〜20質量%がより好ましい。
溶剤系処理液とする場合の有機溶剤の含有量は、処理液の全質量に対して、40〜98質量%が好ましく、45〜98質量%がより好ましく、50〜95質量%がさらに好ましい。
本発明の処理液は、さらにハロゲン酸を含有することが好ましい。処理液がハロゲン酸を含有することで、半導体デバイスの製造時に、絶縁膜および金属層などのエッチングによって生じる残渣物(エッチング残渣物)の除去性が向上する。
ハロゲン酸としては、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、および、ヨウ化水素などのハロゲン化水素が挙げられ、これらの中でもエッチング残渣物の除去性がより向上する点から、フッ化水素が好ましい。
処理液中のハロゲン酸の含有量は、処理液の全質量に対して、0.01〜5質量%が好ましく、0.05〜5質量%がより好ましく、0.1〜3質量%がさらに好ましい。
ハロゲン酸は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。2種以上の処理液を組み合わせて用いる場合には、その総量が上述の範囲内となることが好ましい。
本発明の処理液は、上記以外の他の添加剤を含有してもよい。このような他の添加剤としては、例えば、キレート剤などが挙げられる。
キレート剤は、残渣物中に含まれる酸化した金属とキレート化する。このため、キレート剤を添加することで処理液のリサイクル性が向上する。
キレート剤としては、特に限定されないが、ポリアミノポリカルボン酸であることが好ましい。
ポリアミノポリカルボン酸は、複数のアミノ基および複数のカルボン酸基を有する化合物であり、例えば、モノ−またはポリアルキレンポリアミンポリカルボン酸、ポリアミノアルカンポリカルボン酸、ポリアミノアルカノールポリカルボン酸、およびヒドロキシアルキルエーテルポリアミンポリカルボン酸が含まれる。
キレート剤は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。2種以上のキレート剤を組み合わせて用いる場合には、その総量が上述の範囲内となることが好ましい。
本発明の処理液は、粗大粒子を実質的に含まないことが好ましい。
粗大粒子とは、例えば、粒子の形状を球体とみなした場合において、直径0.2μm以上の粒子を指す。また、粗大粒子を実質的に含まないとは、光散乱式液中粒子測定方式の市販される測定装置を用いて処理液を測定した場合に、処理液1mL中直径0.2μm以上の粒子が10個以下であることをいう。
なお、処理液に含まれる粗大粒子とは、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物および無機固形物などの粒子、ならびに、処理液の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物および無機固形物などの粒子等であり、最終的に処理液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
処理液中に存在する粗大粒子の量は、レーザを光源として、液相で測定することができる。
粗大粒子の除去方法としては、例えば、後述するフィルタリング等の処理が挙げられる。
本発明の処理液のpHは、9よりも大きく、15よりも小さいことが好ましい。このように処理液のpHがアルカリ領域にあることで、有機アルカリ化合物および/または防食剤と特定金属元素との塩の除去性がより向上する。これにより、レジストの除去性能がより向上したり、金属層の腐食防止性がより向上したり、残渣物除去性が向上する。
処理液のpHの下限値は、9よりも大きいことが好ましいが、レジストの除去性能、金属の腐食防止性および残渣物除去性がより一層向上するという観点から、9.3以上がより好ましく、11以上がさらに好ましい。
処理液のpHの上限値は、15よりも小さいことが好ましいが、欠陥の発生がより低減するという観点から、14.5以下がより好ましく、14.2以下がさらに好ましい。
処理液のpHは、公知のpHメーターを用いて測定することができる。
なお、処理液の粘度の測定における室温は、概ね20〜25℃であり、好ましくは23℃である。
処理液の粘度は、回転粘度計DV−E(製品名、ブルックフィールド社製)に準ずる装置を用いて測定される。
本発明の処理液は、半導体デバイス用の処理液である。本発明においては、「半導体デバイス用」とは、半導体デバイスの製造の際に用いられるという意味である。本発明の処理液は、半導体デバイスを製造するためのいずれの工程にも用いることができ、例えば、基板上に存在する絶縁膜、レジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの処理に用いることができる。
処理液は、感活性光線性または感放射線性組成物を用いてレジスト膜を形成する工程の前に、組成物の塗布性を改良するために基板上に塗布されるプリウェット液、レジスト膜およびレジスト膜の残渣物の少なくとも一方であるレジストの除去に使用されるレジスト除去液(剥離液)、金属膜または絶縁膜上に付着したエッチング残渣物等の残渣物の除去などに用いられる洗浄液(例えば、リンス液など)、パターン形成用の各種レジスト膜の除去に用いられる溶液(例えば、除去液および剥離液など)、および、永久膜(例えば、カラーフィルタ、透明絶縁膜、樹脂製のレンズ)等を半導体基板から除去するために用いられる溶液(例えば、除去液および剥離液など)、などとして用いられる。また、パターン形成用の各種レジストの現像液としても使用できる。なお、永久膜の除去後の半導体基板は、再び半導体デバイスの使用に用いられることがあるため、永久膜の除去は、半導体デバイスの製造工程に含むものとする。
本発明の処理液は、上記用途のうち、1つの用途のみに用いられてもよいし、2以上の用途に用いられてもよい。
このような問題に対して、本発明の処理液は、半導体デバイスがCoを含む金属層を備えた基板を有する場合に、この金属層に対する処理に好適に使用される。これは、本発明の処理液に含まれる防食剤が、Coを含む金属層の腐食を効果的に抑制できたためと考えられる。特に、本発明においては、処理液に含まれる特定金属元素がCoを含む金属層の表面により効果的に吸着して、防食剤の吸着効率を向上できると推測される。
本発明における処理液は、その原料を複数に分割したキットとしてもよい。特に、処理液が、ヒドロキシルアミンおよびヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくとも1種を含有する場合、または、4級アンモニウム塩を含有する場合にはキットとすることが好ましい。
特に限定はされないが、処理液をキットとする具体的な方法としては、例えば、第1液としてヒドロキシルアミンおよびヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくとも1種の有機アルカリ化合物を水および/または有機溶剤に含有する液組成物を準備し、第2液として防食剤などその他成分を含有する液組成物を準備する態様が挙げられる。その使用例としては、両液を混合して処理液を調液し、その後、適時に上述した用途に適用することが好ましい。上記以外の各成分は、第1液および第2液のどちらに含有させてもよい。このようにすることで、液性能の劣化を招かずにすみ、所望の作用を効果的に発揮させることができる。第1液および第2液における各成分の含有量は、先に述べた含有量を元に、混合後の含有量として適宜設定できる。
また他の例としては、第1液として4級アンモニウム塩を含有する液組成物を準備し、第2液として防食剤などその他成分を含有する液組成物を準備する態様が挙げられる。両液を混合して処理液を調液し、その後、適時に上述した用途に適用することが好ましい。上記以外の各成分は第1液および第2液のどちらに含有させてもよい。このようにすることで、液性能の劣化を招かずにすみ、所望の作用を効果的に発揮させることができる。第1液および第2液における各成分の含有量は、先に述べた含有量を元に、混合後の含有量として適宜設定できる。
また、処理液は、濃縮液として準備してもよい。この場合、使用時に水および/または有機溶剤で希釈して使用することができる。
本発明の処理液は、(キットおよび濃縮液であるか否かに関わらず)腐食性等が問題とならない限り、任意の容器に充填して保管、運搬、そして使用することができる。容器としては、半導体用途向けに、容器内のクリーン度が高く、不純物の溶出が少ないものが好ましい。使用可能な容器としては、アイセロ化学(株)製の「クリーンボトル」シリーズ、および、コダマ樹脂工業製の「ピュアボトル」などが挙げられるが、これらに限定されない。この容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂およびポリエチレン−ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される1種以上の樹脂、またこれとは異なる樹脂、または、ステンレス、ハステロイ、インコネルおよびモネルなど、防錆および金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。
このような内壁がフッ素系樹脂である容器の具体例としては、例えば、Entegris社製 FluoroPurePFA複合ドラム等が挙げられる。また、特表平3−502677号公報の第4頁等、国際公開第2004/016526号パンフレットの第3頁等、および、国際公開第99/46309号パンフレットの第9頁および16頁等に記載の容器も用いることができる。
上記電解研磨された金属材料は、クロムおよびニッケルからなる群から選択される少なくとも1種を含有し、クロムおよびニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して25質量%超である金属材料であることが好ましく、例えばステンレス鋼、およびニッケル−クロム合金等が挙げられる。
金属材料におけるクロムおよびニッケルの含有量の合計は、金属材料全質量に対して25質量%以上が好ましく、30質量%以上がより好ましい。
なお、金属材料におけるクロムおよびニッケルの含有量の合計の上限値としては特に制限されないが、一般的に90質量%以下が好ましい。
ニッケル−クロム合金としては、例えば、ハステロイ(商品名、以下同じ。)、モネル(商品名、以下同じ)、およびインコネル(商品名、以下同じ)等が挙げられる。より具体的には、ハステロイC−276(Ni含有量63質量%、Cr含有量16質量%)、ハステロイ−C(Ni含有量60質量%、Cr含有量17質量%)、ハステロイC−22(Ni含有量61質量%、Cr含有量22質量%)等が挙げられる。
また、ニッケル−クロム合金は、必要に応じて、上記した合金の他に、さらに、ホウ素、ケイ素、タングステン、モリブデン、銅、およびコバルト等を含有していてもよい。
なお、金属材料はバフ研磨されていることが好ましい。バフ研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を用いることができる。バフ研磨の仕上げに用いられる研磨砥粒のサイズは特に制限されないが、金属材料の表面の凹凸がより小さくなりやすい点で、#400以下が好ましい。
なお、バフ研磨は、電解研磨の前に行われることが好ましい。
また、金属材料は、研磨砥粒のサイズなどの番手を変えて行われる複数段階のバフ研磨、酸洗浄、および磁性流体研磨などを、1または2以上組み合わせて処理されたものであってもよい。
本発明の処理液の製造、収容容器の開封および/または洗浄、処理液の充填などを含めた取り扱い、処理分析、および、測定は、全てクリーンルームで行うことが好ましい。クリーンルームは、14644−1クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ISO(国際標準化機構)クラス1、ISOクラス2、ISOクラス3、ISOクラス4のいずれかを満たすことが好ましく、ISOクラス1またはISOクラス2を満たすことがより好ましく、ISOクラス1を満たすことがさらに好ましい。
本発明の処理液は、特定金属元素のそれぞれの質量割合を所望の範囲内にしたり、異物および粗大粒子などを除去したりするために、フィルタリングされたものであることが好ましい。
フィルタリングに使用されるフィルタは、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。フィルタを構成する材料としては、例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、ならびに、ポリエチレンおよびポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン樹脂(高密度、超高分子量を含む)等が挙げられる。これらの中でも、ポリアミド系樹脂、PTFE、および、ポリプロピレン(高密度ポリプロピレンを含む)が好ましく、これらの素材により形成されたフィルタを使用することで、残渣欠陥やパーティクル欠陥の原因となり易い極性の高い異物をより効果的に除去できる他、本発明の特定金属元素の量をより効率的に減らすことができる。
なお、臨界表面張力の値は、製造メーカーの公称値である。臨界表面張力が上記範囲のフィルタを使用することで、残渣欠陥やパーティクル欠陥の原因となり易い極性の高い異物をより効果的に除去できる他、本発明の特定金属元素の量をより効率的に減らすことができる。
さらに、本発明の特定金属元素のそれぞれの量を低減する観点からは、フィルタの孔径を0.05μm以下とすることが好ましい。特定金属元素の量を調整する場合のフィルタの孔径としては、0.005μm以上0.04μm以下がより好ましく、0.01μm以上0.02μm以下がさらに好ましい。上記の範囲内であると、ろ過に必要な圧力が低く維持ができ、効率良く濾過することができ、所望の効果を顕著に得ることができる。
1回目のフィルタリングの孔径より2回目以降の孔径が同じ、または、小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第1のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社(旧日本マイクロリス株式会社)または株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択できる。また、ポリアミド製の「P−ナイロンフィルター(孔径0.02μm、臨界表面張力77mN/m)」;(日本ポール株式会社製)、高密度ポリエチレン製の「PE・クリーンフィルタ(孔径0.02μm)」;(日本ポール株式会社製)、および高密度ポリエチレン製の「PE・クリーンフィルタ(孔径0.01μm)」;(日本ポール株式会社製)も使用することができる。
フィルタリングでは、粒子性の異物や不純物が除去できるが、上記温度で行われると、処理液中に溶解している粒子性の異物や不純物の量が少なくなるため、フィルタリングがより効率的に行われる。
本発明の基板の洗浄方法は、上記処理液を用いて、Coを含む金属層を備えた基板を洗浄する洗浄工程Bを有する。また、本発明の基板の洗浄方法は、洗浄工程Bの前に、上記処理液を調製する処理液調製工程Aを有していてもよい。
以下の基板の洗浄方法の説明においては、洗浄工程Bの前に処理液調整工程Aを実施する場合を一例として示すが、これに限定されず、本発明の基板の洗浄方法は、予め準備された上記処理液を用いて行われるものであってもよい。
本発明の基板の洗浄方法の洗浄対象物は、Coを含む金属層を備えた基板であれば特に限定されないが、例えば、基板上に、上記金属層、層間絶縁膜、メタルハードマスクを少なくともこの順に備えた積層物が挙げられる。積層物は、さらに、ドライエッチング工程等を経たことにより、金属層の表面を露出するようにメタルハードマスクの表面(開口部)から基板に向かって形成されたホールを有する。
上記のような、ホールを有する積層物の製造方法は特に制限されないが、通常、基板と、金属層と、層間絶縁膜と、メタルハードマスクとをこの順で有する処理前積層物に対して、メタルハードマスクをマスクとして用いてドライエッチング工程を実施して、金属層の表面が露出するように層間絶縁膜をエッチングすることにより、メタルハードマスクおよび層間絶縁膜内を貫通するホールを設ける方法が挙げられる。
なお、メタルハードマスクの製造方法は特に制限されず、例えば、まず、層間絶縁膜上に所定の成分を含む金属膜を形成して、その上に所定のパターンのレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜をマスクとして用いて、金属膜をエッチングすることで、メタルハードマスク(すなわち、金属膜がパターニングされた膜)を製造する方法が挙げられる。
また、積層物は、上述の層以外の層を有していてもよく、例えば、エッチング停止膜、反射防止層等が挙げられる。
図1に示す積層物10は、基板1上に、金属層2、エッチング停止層3、層間絶縁膜4、メタルハードマスク5をこの順に備え、ドライエッチング工程等を経たことで所定位置に金属膜2が露出するホール6が形成されている。つまり、図1に示す洗浄対象物は、基板1と、金属膜2と、エッチング停止層3と、層間絶縁膜4と、メタルハードマスク5とをこの順で備え、メタルハードマスク5の開口部の位置において、その表面から金属膜2の表面まで貫通するホール6を備える積層物である。ホール6の内壁11は、エッチング停止層3、層間絶縁膜4およびメタルハードマスク5からなる断面壁11aと、露出された金属膜2からなる底壁11bとで構成され、ドライエッチング残渣物12が付着している。
また、本発明の基板の洗浄方法は、ドライエッチング工程の後にドライアッシング工程が行われた積層物に対して実施してもよい。
以下、上述した積層物の各層構成材料について説明する。
メタルハードマスクは、Cu、Co、W、AlOx、AlN、AlOxNy、WOx、Ti、TiN、ZrOx、HfOxおよびTaOxからなる群より選択される成分を少なくとも1種含有することが好ましい。ここで、x、yは、それぞれ、x=1〜3、y=1〜2で表される数である。
上記メタルハードマスクの材料としては、例えば、TiN、WO2、ZrO2が挙げられる。
層間絶縁膜の材料は、特に限定されず、例えば、好ましくは誘電率kが3.0以下、より好ましくは2.6以下のものが挙げられる。
具体的な層間絶縁膜の材料としては、SiO2、SiOC系材料、ポリイミドなどの有機系ポリマーなどが挙げられる。
エッチング停止層の材料は、特に限定されない。具体的なエッチング停止層の材料としてはSiN、SiON、SiOCN系材料、AlOxなどの金属酸化物が挙げられる。
金属膜を形成する配線材料は、少なくともコバルトを含有する。また、コバルトは、他の金属との合金であってもよい。
本発明の配線材料は、コバルト以外の金属、窒化金属または合金をさらに含有していてもよい。具体的には、銅、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、および、アルミニウム等が挙げられる。
ここでいう「基板」には、例えば、単層からなる半導体基板、および、多層からなる半導体基板が含まれる。
単層からなる半導体基板を構成する材料は特に限定されず、一般的に、シリコン、シリコンゲルマニウム、GaAsのような第III−V族化合物、またはそれらの任意の組み合わせから構成されることが好ましい。
多層からなる半導体基板である場合には、その構成は特に限定されず、例えば、上述のシリコン等の半導体基板上に金属線および誘電材料のような相互接続構造(interconnect features)などの露出した集積回路構造を有していてもよい。相互接続構造に用いられる金属および合金としては、アルミニウム、銅と合金化されたアルミニウム、銅、チタン、タンタル、コバルト、シリコン、窒化チタン、窒化タンタル、およびタングステンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、半導体基板上に、層間誘電体層、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコンおよび炭素ドープ酸化シリコン等の層を有していてもよい。
処理液調製工程Aは、上記処理液を調製する工程である。本工程で使用される各成分は、上述した通りである。
本工程の手順は特に制限されず、例えば、有機アルカリ化合物、防食剤、および、その他の任意成分を、有機溶剤および任意成分である水に添加して、撹拌混合することにより処理液を調製する方法が挙げられる。なお、有機溶剤および任意成分である水に各成分を添加する場合は、一括して添加してもよいし、複数回に渡って分割して添加してもよい。
また、処理液に含まれる各成分は、半導体グレードに分類されるもの、または、それに準ずる高純度グレードに分類されるものを使用することが好ましい。また、原材料の時点で不純物が多い成分に関しては、フィルタリングによる異物除去、イオン交換樹脂などによるイオン成分低減を行ったものを用いることが好ましい。
洗浄工程Bで洗浄される洗浄対象物としては、上述した積層物が挙げられ、上述した通り、ドライエッチング工程が施されてホールが形成された積層物10が例示される(図1参照)。なお、この積層物10には、ホール6内にドライエッチング残渣物12が付着している。
なお、ドライエッチング工程の後に、ドライアッシング工程が行われた積層物を、洗浄対象物としてもよい。
浸漬バッチ方式(処理槽内で複数枚の洗浄対象物を浸漬し処理するバッチ方式)で洗浄する場合には、洗浄時間は、例えば、60分以内であり、1〜60分であることが好ましく、3〜20分であることがより好ましく、4〜15分であることがさらに好ましい。
機械的撹拌方法としては、例えば、洗浄対象物上で処理液を循環させる方法、洗浄対象物上で処理液を流過または噴霧させる方法、超音波またはメガソニックにて処理液を撹拌する方法等が挙げられる。
本発明の基板の洗浄方法は、洗浄工程Bの後に、洗浄対象物を溶剤ですすいで清浄する工程(リンス工程B2)をさらに有していてもよい。
リンス工程B2は、洗浄工程Bに連続して行われ、リンス溶剤(リンス液)で5秒〜5分にわたってすすぐ工程であることが好ましい。リンス工程B2は、上述の機械的撹拌方法を用いて行ってもよい。
リンス溶剤としては、水酸化アンモニウム水溶液、DI水、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコールが好ましく、水酸化アンモニウム水溶液、DI水およびイソプロピルアルコールであることがより好ましく、水酸化アンモニウム水溶液およびDI水であることがさらに好ましい。
リンス溶剤を洗浄対象物に接触させる方法としては、上述した処理液を洗浄対象物に接触させる方法を同様に適用することができる。
リンス工程B2におけるリンス溶剤の温度は、16〜27℃であることが好ましい。
上述した処理液は、リンス工程B2のリンス溶剤として使用してもよい。
本発明の基板の洗浄方法は、リンス工程B2の後に洗浄対象物を乾燥させる乾燥工程B3を有していてもよい。
乾燥方法としては、特に限定されない。乾燥方法としては、例えば、スピン乾燥法、洗浄対象物上に乾性ガスを流過させる方法、ホットプレート若しくは赤外線ランプのような加熱手段によって基板を加熱する方法、マランゴニ乾燥法、ロタゴニ乾燥法、IPA(イソプロピルアルコール)乾燥法、またはそれらの任意の組み合わせが挙げられる。
乾燥時間は、用いる特定の方法に依存するが、一般的には、30秒〜数分であることが好ましい。
本発明の基板の洗浄方法は、上記処理液調製工程Aの前に、上記有機アルカリ化合物、上記防食剤および上記有機溶剤の少なくとも1つから、Caイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去するイオン除去工程F、および、上記処理液調製工程Aの後であって上記洗浄工程Bを行う前に、上記処理液中のCaイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去するイオン除去工程Gのうち、少なくとも一方の工程を有することが好ましい。
上記イオン除去工程Fおよびイオン除去工程Gの少なくとも一方を実施することで、洗浄工程Bで用いられる処理液中における、有機アルカリ化合物に対するCa、FeおよびNaの質量割合が、上述した範囲に調整されることが好ましい。特に、イオン除去工程Fおよびイオン除去工程Gの両方を実施することで、有機アルカリ化合物に対するCa、FeおよびNaの質量割合が上述した範囲内に調整しやすくなるという利点がある。
処理液中における有機アルカリ化合物に対するCa、FeおよびNaのそれぞれの質量割合を上記の範囲に調整しておくことで、経時後においても処理液の洗浄性能を良好に保持することが可能となり、リサイクル性にも優れる。
イオン除去工程F、および、イオン除去工程Gの具体的な方法としては、特に限定されないが、例えば蒸留やイオン交換膜による精製が挙げられる。
本発明の基板の洗浄方法は、上記洗浄工程Bを行う前に、処理液中の粗大粒子を除去する粗大粒子除去工程Hを有することが好ましい。
処理液中の粗大粒子を低減または除去することで、洗浄工程Bを経た後の洗浄対象物上に残存する粗大粒子の量を低減することができる。この結果、洗浄対象物上の粗大粒子に起因したパターンダメージを抑制でき、デバイスの歩留まり低下および信頼性低下への影響も抑制することができる。
粗大粒子を除去するための具体的な方法としては、例えば、処理液調製工程Aを経た処理液を所定の除粒子径の除粒子膜を用いて濾過精製する方法等が挙げられる。
なお、粗大粒子の定義については、上述のとおりである。
本発明の基板の洗浄方法は、上記処理液調製工程Aにおける上記処理液の調製の際に水を用い、上記処理液調製工程Aの前に上記水に対して除電を行う除電工程I、または、上記処理液調製工程Aの後であって上記洗浄工程Bを行う前に、上記処理液に対して除電を行う除電工程Jを有することが好ましい。
洗浄対象物へ処理液を供給するための接液部の材質は、有機アルカリ化合物に対する特定金属元素の質量割合を所定範囲内に維持するために、処理液に対して金属溶出のない樹脂とすることが好ましい。このような樹脂は電気伝導率が低く、絶縁性のため、例えば、上記処理液を樹脂製の配管に通液した場合、または、樹脂製の除粒子膜および樹脂製のイオン交換樹脂膜により濾過精製を行った場合、処理液の帯電電位が増加して静電気災害を引き起こすおそれがある。
このため、本発明の基板の洗浄方法では、上述の除電工程Iおよび除電工程Jの少なくとも一方の工程を実施し、処理液の帯電電位を低減させることが好ましい。また、除電を行うことで、基板への異物(粗大粒子など)の付着や洗浄対象物へのダメージ(腐食)をより抑制することができる。
除電方法としては、具体的には、水および/または処理液を導電性材料に接触させる方法が挙げられる。
水および/または処理液を導電性材料に接触させる接触時間は、0.001〜1秒が好ましく、0.01〜0.1秒がより好ましい。
樹脂の具体的な例としては、高密度ポリエチレン(HDPE)、高密度ポリプロピレン(PP)、6,6−ナイロン、テトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルの共重合体(PFA)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)、エチレン・四フッ化エチレン共重合体(ETFE)、および、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)などが挙げられる。
導電性材料としては、ステンレス鋼、金、白金、ダイヤモンド、および、グラッシーカーボンなどが挙げられる。
本発明の基板の洗浄方法は、処理液の排液を再利用する態様である場合、下記の工程から構成されることが好ましい。
上記洗浄工程Bと、
上記洗浄工程Bで使用された上記処理液の排液を回収する排液回収工程Cと、
回収された上記処理液の排液を用いて、新たに準備されるCoを含む金属層を備えた基板を洗浄する洗浄工程Dと、
上記洗浄工程Dで使用された上記処理液の排液を回収する排液回収工程Eと、
上記洗浄工程Dと上記排液回収工程Eとを繰り返す工程と、を有して上記処理液の排液をリサイクルする態様が好ましい。
排液回収工程CおよびEにおける排液回収手段は特に限定されない。回収した排液は、上記除電工程Jにおいて上述した樹脂製容器に保存されることが好ましく、この時に除電工程Jと同様の除電工程を行ってもよい。また、回収した排液に濾過等を実施し不純物を除去する工程を設けてもよい。
本発明のレジストの除去方法は、レジスト膜および上記レジスト膜の残渣物の少なくとも一方であるレジストを、上述した処理液を用いて除去する工程(以下、「レジスト除去工程」ともいう。)を有する。本発明における「レジストの除去」とは、レジストの設けられた基板などからレジストを「取り除く」という意味であり、「レジストを剥離して取り除くこと」および「レジストを溶解して取り除くこと」なども含まれる。
本発明のレジストの除去方法は、このように形成されたレジスト膜の除去に使用されてもよいし、レジスト膜をエッチング(プラズマエッチングなどのドライエッチング)および/またはアッシング(プラズマアッシングなどのドライアッシング)などを行うことで生じた残渣物(副生成物も含む)の除去に使用されてもよい。
本発明の処理液を用いたレジストの除去においては、処理対象となるレジスト膜は特に限定されないが、例えば、ポジ型、ネガ型、および、ポジ−ネガ兼用型のフォトレジストが挙げられる。
ポジ型レジストの具体例は、(メタ)アクリレート系樹脂、ケイ皮酸ビニール系樹脂、環化ポリイソブチレン系樹脂、アゾ−ノボラック系樹脂、ジアゾケトン−ノボラック系樹脂、ならびに、ノボラック系樹脂およびポリヒドロキシスチレン系樹脂の少なくとも一方の樹脂、などが挙げられる。
ネガ型レジストの具体例は、アジド−環化ポリイソプレン系樹脂系、アジド−フェノール系樹脂、および、クロロメチルポリスチレン系樹脂などが挙げられる。さらに、ポジ−ネガ兼用型レジストの具体例は、ポリ(p−ブトキシカルボニルオキシスチレン)系樹脂などが挙げられる。
その他、パターニング用のレジストの例として、特許5222804号、特許5244740号、特許5244933号、特許5286236号、特許5210755号、特許5277128号、特許5303604号、特許5216892号、特許5531139号、特許5531078号、および、特許5155803号の各公報に開示されたものを参照することができ、本明細書に引用して取り込む。
レジスト除去工程は、レジストに処理液を接触させることで実施される。この方法は特に限定されないが、例えば、タンクに入れた処理液中にレジストを有する積層物を浸漬する方法、レジスト上に処理液を噴霧する方法、レジスト上に処理液を流す方法、またはそれらの任意の組み合わせが挙げられる。レジスト除去性がより向上するという観点から、レジストを有する積層物を処理液中に浸漬する方法が好ましい。
レジストの除去時間(レジスト除去工程におけるレジストと処理液との接液時間)は、用いる除去方法および処理液の温度などに応じて調整することができ、概ね、15秒〜60分であり、20秒〜30分が好ましい。
処理液のレジスト除去能力をより増進するために、機械的撹拌方法を用いてもよい。機械的撹拌方法としては、上述した基板洗浄方法の項で述べた通りであるので、その説明を省略する。
乾燥方法としては、特に限定されず、上述した基板洗浄方法における乾燥工程B3と同様の方法が挙げられるので、その説明を省略する。
実施例および比較例の各処理液の調製にあたって、各成分は後述する精製を行った後、処理液の調製に用いた。
第1表に示す各成分を混合および攪拌して混合液を得た後、混合液のフィルタリング処理およびろ過処理の少なくとも一方を実施して、実施例および比較例の各処理液を得た。なお、各実施例および比較例の処理液に含まれるCa、FeおよびNaの含有量が第1表に記載の通りになるように、各処理の実施回数を適宜変えて行った。
ここで、フィルタリング処理のフィルタには、Pall社製の「PE−KLEEN」(商品名)およびEntegris社製の「リンスガードHP/HPX」(商品名)を、単独または組み合わせて使用した。また、フィルタリング処理では、各特定金属元素の含有量が第1表の値になるように、1パスまたは循環ろ過を行った。なお、循環ろ過は、1時間以上実施した。
実施例および比較例の各処理液の調製に用いた成分は以下の通りである。
TMAH:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド (セイケム社製)
TEAH:テトラエチルアンモニウムヒドロキシド (セイケム社製)
TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド (セイケム社製)
COH:コリンヒドロキシド (和光純薬工業社製)
AH−212:ジメチルビス(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド (四日市合成社製)
ETMAH:エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド (セイケム社製)
MEA:モノエタノールアミン (和光純薬工業社製)
AEE:2−アミノ−2−エトキシ−エタノール (和光純薬工業社製)
DMSO:ジメチルスルホキシド(和光純薬工業社製)
DPGME:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(和光純薬工業社製)
DEGEE:ジエチレングリコールモノエチルエーテル(和光純薬工業社製)
DEGBE:ジエチレングリコールモノブチルエーテル(和光純薬工業社製)PG:プロピレングリコール(和光純薬工業社製)
水は、特開2007―254168号公報に記載されている方法により精製を行い、水に含まれるCa、FeおよびNaの含有量のそれぞれが、0.1質量ppt〜10質量pptであることを確認した後、処理液の調製に用いた。
5−MBTA:5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール (和光純薬工業社製)
BTA:ベンゾトリアゾール (和光純薬工業社製)
123TZ:1H−1,2,3トリアゾール(和光純薬工業社製社製)
カテコール(和光純薬工業社製社製)
没食子酸(和光純薬工業社製社製)
2−MBT:2−メルカプトベンゾチアゾール(和光純薬工業社製)
IRGAMET 42:2,2’−{[(4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタノール(BASF社製)
IRGAMET 39:N,N−ビス(2−エチルヘキシル)−(4または5)−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−メチルアミン(BASF社製)
Thioglycerol:1−チオグリセロール(和光純薬工業社製)
(ハロゲン酸)
HF:フッ化水素(関東化学社製)
HCl:塩化水素(和光純薬工業社製)
HBr:臭化水素(和光純薬工業社製)
(pH調整剤)
クエン酸(和光純薬工業社製)
<特定金属元素の含有量の測定>
実施例および比較例の処理液を用いて、処理液中の特定金属元素(Ca、FeおよびNa)の各含有量を測定した。具体的には、実施例および比較例の各処理液を用いて、NexION350S(商品名、PerkinElmer社製)を用いて、ICP−MS法により行った。測定結果を第1表に示す。
ICP−MS法による具体的な測定条件は、次の通りである。なお、濃度既知の標準液に対するピーク強度にて検出量を測定して、特定金属元素の質量に換算し、測定に使用した処理液中の特定金属元素の含有量(総メタル含有量)を算出した。
特定金属元素の含有量は、通常のICP−MS法により測定した。具体的には、特定金属元素の分析に使用するソフトウェアとして、ICP−MS用のソフトウェアを用いた。
なお、測定は全てISOクラス2以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。
(ICP−MS法による測定条件)
((標準物質))
清浄なガラス容器内へ超純水を計量投入し、メディアン径50nmの測定対象金属粒子を10000個/mlの濃度となるように添加した後、超音波洗浄機で30分間処理した分散液を輸送効率測定用の標準物質として用いた。
((使用したICP−MS装置))
メーカー:PerkinElmer
型式:NexION350S
((ICP−MSの測定条件))
ICP−MSはPFA製同軸型ネブライザ、石英製サイクロン型スプレーチャンバ、石英製内径1mmトーチインジェクタを用い、測定対象液を約0.2mL/minで吸引した。酸素添加量は0.1L/min、プラズマ出力1600W、アンモニアガスによるセルパージを行った。時間分解能は50μsにて解析を行った。
((ソフトウェア))
特定金属元素の含有量は、メーカー付属の下記解析ソフトを用いて計測した。
Syngistix for ICP−MS ソフトウエア
<pH>
pHメーター(製品名「pH Meter F−51」、堀場製作所製)を用いて、実施例および比較例の各処理液の23℃におけるpHを測定した。
<粘度比>
実施例および比較例の各処理液を用いて、23℃における粘度A(ローターの回転数1000rpm)と、23℃における粘度B(ローターの回転数100rpm)と、を測定して、得られた値から粘度の比率(粘度B/粘度A)を算出した。粘度の測定には、粘度計「DV−E」(製品名、ブルックフィールド社製)を用いた。
<腐食防止性(耐腐食性)>
Coからなる膜(配線モデル、以下「Co膜」ともいう。)を準備して、そのエッチングレートに基づいて、腐食防止性の評価を行った。Co膜の膜厚は、1000Åの膜厚である。エッチングレートが低い場合は、腐食防止性に優れ、エッチングレートが高い場合は、腐食防止性に劣る、といえる。
実施例および比較例の各処理液を用いて、Co膜のエッチング処理をした。具体的には、実施例および比較例の処理液中にCo膜を10分間浸漬して、処理液の浸漬前後におけるCo膜の膜厚差に基づいて、エッチングレート(Å/分)を算出した。
なお、処理前後のCo膜の膜厚は、エリプソメトリー(分光エリプソメーター、商品名「Vase」、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製)を用いて、測定範囲250−1000nm、測定角度70度および75度の条件で測定した。
基板(Si)上に、Co膜、SiN膜、SiO2膜、および、所定の開口部を有するメタルハードマスク(TiN)をこの順で備える積層物(処理前積層物に該当)を形成した。得られた積層物を使用し、メタルハードマスクをマスクとしてプラズマエッチングを実施して、Co膜表面が露出するまでSiN膜およびSiO2膜のエッチングを行い、ホールを形成し、試料1を製造した(図1参照)。この積層物の断面を走査型電子顕微鏡写真(SEM:Scanning Electron Microscope)で確認すると、ホール壁面にはプラズマエッチング残渣物が認められた。
そして、下記の手順により、残渣物除去性を評価した。まず、60℃に調温した各処理液に、用意した上記試料1の切片(約2.0cm×2.0cm)を浸漬し、10分後に試料1の切片を取り出し、直ちに超純水で水洗、N2乾燥を行った。その後、浸漬後の試料1の切片表面をSEMで観察し、プラズマエッチング残渣物の除去性(「残渣物除去性」)について、下記の判断基準にしたがって評価を行った。
「AA」:5分以内にプラズマエッチング残渣物が完全に除去された。
「A」:5分超、8分以下でプラズマエッチング残渣物が完全に除去された。
「B」:8分超、10分以下でプラズマエッチング残渣物が完全に除去された。
「C」:10分超過した時点でプラズマエッチング残渣物が完全に除去されないが、性能に問題ない。
「D」:10分超過した時点でプラズマエッチング残渣物の除去が足らず、性能に影響が出てしまう。
特開2012−194536号の段落0030を参考にして、Si基板上にレジスト膜が形成された試料2を得た。試料2の切片(約2.0cm×2.0cm)を60℃に調温した各処理液に浸漬し、10分後に試料2の切片を取り出し、直ちに超純水で水洗、N2乾燥を行った。その後、浸漬後の試料2の切片表面を目視で観察し、下記判断基準に従って評価した。
「AA」:5分以内にレジストが完全に除去された。
「A」:5分超、8分以下でレジストが完全に除去された。
「B」:8分超、10分以下でレジストが完全に除去された。
「C」:10分超過した時点でレジストが完全に除去されないが、性能に問題ない。
「D」:10分超過した時点でレジストの除去が足らず、性能に影響が出てしまう。
ウェハ上表面検査装置(SP−5、KLA−Tencor社製)により、直径300mmのシリコン基板表面に存在する直径32nm以上の異物数および各異物のアドレスを計測した。
そして、スピン回転ウェハ処理装置(イーケーシーテクノロジーズ社製)に、シリコン基板表面に存在する異物数を計測したウェハをセットした。
次に、セットされたウェハの表面に、実施例および比較例の各処理液を1.5L/minの流量で1分間吐出した。その後、ウェハのスピン乾燥を行った。
得られた乾燥後のウェハについて、ウェハ上表面検査装置を用いて、ウェハ上の異物数およびアドレスを計測した。
そして、上記処理液をスピン乾燥した後に新たに増加した異物に対して、欠陥解析装置(SEM VISION G6、APPLIED MATERIALS社製)を用いてEDX(Energy dispersive X-ray spectrometry:エネルギー分散型X線分析)による元素解析を行った。Ca、FeおよびNaの特定金属元素を含む異物をパーティクルとしてカウントした。得られたパーティクルの数を以下の評価基準にしたがって評価した。結果を第1表に示す。
「A」:特定金属元素を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が0個以上100個未満である。
「B」:特定金属元素を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が100個以上500個未満である。
「C」:特定金属元素を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が500個以上1000個未満である。
「D」:特定金属元素を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が1000個以上である。
以上の評価結果を下記第1表に示す。なお、表中の「10^(−9)」等の「^」の右側にある数値は、指数を意味し、具体的には「10^(−9)」は「10−9」を意味する。
一方、処理液が防食剤を含有しないと、金属層に対する腐食防止性が劣ることが示された(比較例1、2)。
また、有機アルカリ化合物に対する、Caの質量割合、Feの質量割合およびNaの質量割合の少なくとも1つの質量割合が10−12未満であると、欠陥の発生が顕著になることが示された(比較例2)。
また、有機アルカリ化合物に対する、Caの質量割合、Feの質量割合およびNaの質量割合の少なくとも1つの質量割合が10−4を超えると、欠陥の発生が顕著になることが示された(比較例3、4)。
実施例6の処理液について、アース接地した材質SUS316で除電した他、浸漬時間を20分とした他は同様にして、上述した各評価試験を実施した。
評価の結果、いずれの処理液についても、上記の除電工程を経た場合と、経ない場合で残渣物除去性能およびレジスト除去性は変わらず、腐食防止性および欠陥性能の評価においては、除電工程を経た場合に、より腐食防止性および欠陥性能が優れる結果が得られた。
この結果から、除電工程を経ることで、より腐食防止性および欠陥性能が優れることが分かった。
実施例6の各処理液について、それぞれ同じ処理液で上記各評価試験における各処理を25回連続して行った。その後、回収した液をタンクに入れなおし、その液で、再度上記評価をそれぞれ行った(つまり、処理液を換えずに25枚の被処理物を連続して処理し、26枚目の被処理物に対して上述の評価を行なうことで各種性能を評価した。)。
評価の結果、リサイクル試験をした場合と、リサイクル試験をしない場合で、各種評価結果は変わらないことが分かった。この結果から、本発明の処理液は繰り返し基板を処理する場合でも略性能の変化なく使用することでき、リサイクル性に優れることが分かった。
2 金属膜
3 エッチング停止層
4 層間絶縁膜
5 メタルハードマスク
6 ホール
10 積層物
11 内壁
11a 断面壁
11b 底壁
12 ドライエッチング残渣物
Claims (18)
- 有機アルカリ化合物と、防食剤と、有機溶剤と、Caと、Feと、Naと、を含有する半導体デバイス用の処理液であって、
前記処理液中において、前記有機アルカリ化合物に対する、前記Caの質量割合、前記Feの質量割合および前記Naの質量割合がいずれも、10−12〜10−4である、処理液。 - 前記処理液中において、前記防食剤に対する、前記Caの質量割合、前記Feの質量割合および前記Naの質量割合がいずれも、10−12〜10−4である、請求項1に記載の処理液。
- 前記Caの含有量、前記Feの含有量および前記Naの含有量がいずれも、前記処理液の全質量に対して、0.1質量ppt〜10質量ppbである、請求項1または2に記載の処理液。
- さらに水を含有し、
前記水の含有量が、前記処理液の全質量に対して、20〜98質量%であり、
前記有機溶剤の含有量が、前記処理液の全質量に対して、1〜40質量%である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の処理液。 - さらに水を含有し、
前記水の含有量が、前記処理液の全質量に対して、1〜40質量%であり、
前記有機溶剤の含有量が、前記処理液の全質量に対して、20〜98質量%である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の処理液。 - さらにハロゲン酸を含有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の処理液。
- 前記処理液のpHが、9よりも大きく、15よりも小さい、請求項1〜6のいずれか1項に記載の処理液。
- 回転粘度計を用いて前記処理液の室温における粘度を測定した場合に、回転数1000rpmにおける前記処理液の粘度に対する、回転数100rpmにおける前記処理液の粘度の比率が、1〜20である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の処理液。
- 前記有機アルカリ化合物が、式(1)で表される化合物および式(2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の処理液。
式(2): R1R2−N−CH2CH2−O−R3
式(2)中、R1およびR2は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、または、ヒドロキシエチル基を表し、R3は、それぞれ独立に、水素原子、または、ヒドロキシエチル基を表す。ただし、式(2)中、アルカノール基が少なくとも1つは含まれる。 - 前記半導体デバイスがCoを含む金属層を備えた基板を有し、
前記処理液が、前記金属層に対する処理に使用される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の処理液。 - 前記半導体デバイスの製造時にレジスト膜が形成され、
前記処理液が、前記レジスト膜および前記レジスト膜の残渣物の少なくとも一方であるレジストの除去に使用される、請求項1〜10のいずれか1項に記載の処理液。 - 前記防食剤が、式(A)で表される化合物、式(B)で表される化合物、式(C)で表される化合物、および、置換若しくは無置換のテトラゾール、から選択される少なくとも1種の化合物を含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の処理液。
上記式(B)において、R1B〜R4Bは、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。
上記式(C)において、R1C、R2CおよびRNは、それぞれ独立に、水素原子、または、置換若しくは無置換の炭化水素基を表す。また、R1CとR2Cとが結合して環を形成してもよい。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の処理液を用いて、Coを含む金属層を備えた基板を洗浄する洗浄工程Bを有する、基板洗浄方法。
- 前記洗浄工程Bで使用された前記処理液の排液を回収する排液回収工程Cと、
回収された前記処理液の排液を用いて、新たに準備されるCoを含む金属層を備えた基板を洗浄する洗浄工程Dと、
前記洗浄工程Dで使用された前記処理液の排液を回収する排液回収工程Eと、
上記洗浄工程Dと上記排液回収工程Eとを繰り返す工程と、
を有する、請求項13に記載の基板洗浄方法。 - 前記洗浄工程Bの前に、前記処理液を調製する処理液調製工程Aと、
前記処理液調製工程Aの前に、前記有機アルカリ化合物、前記防食剤および前記有機溶剤の少なくとも1つから、Caイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去するイオン除去工程F、または、前記処理液調製工程Aの後であって前記洗浄工程Bを行う前に、前記処理液中のCaイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去するイオン除去工程Gと、を有する、請求項13または14に記載の基板洗浄方法。 - 前記処理液調製工程Aが、水を用いて前記処理液を調製する工程であり、
前記イオン除去工程Fが、前記有機アルカリ化合物、前記防食剤、前記有機溶剤および前記水の少なくとも1つから、Caイオン、FeイオンおよびNaイオンを除去する工程である、請求項15に記載の基板洗浄方法。 - 前記洗浄工程Bの前に、水を用いて前記処理液を調製する処理液調製工程Aと、
前記処理液調製工程Aの前に、前記水に対して除電を行う除電工程I、または、前記処理液調製工程Aの後であって前記洗浄工程Bを行う前に、前記処理液に対して除電を行う除電工程Jと、を有する、請求項13〜16のいずれか1項に記載の基板洗浄方法。 - レジスト膜および前記レジスト膜の残渣物の少なくとも一方であるレジストを、請求項1〜12のいずれか1項に記載の処理液を用いて除去する工程を有する、レジストの除去方法。
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KR20180069185A (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-25 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 및 접착층 세정 조성물 |
KR102460770B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2022-10-28 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 반도체 디바이스용 기판의 세정제 조성물, 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법, 반도체 디바이스용 기판의 제조 방법 및 반도체 디바이스용 기판 |
WO2019151141A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
JP7306373B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2023-07-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ドライエッチング残渣を除去するための洗浄液及びこれを用いた半導体基板の製造方法 |
US11629315B2 (en) | 2018-04-27 | 2023-04-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Aqueous composition and cleaning method using same |
KR20210003740A (ko) | 2018-04-27 | 2021-01-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법 |
US10847375B2 (en) * | 2018-06-26 | 2020-11-24 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer etching |
JP7362662B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-10-17 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄剤用キットおよび洗浄剤の調製方法 |
CN113439326A (zh) * | 2019-02-13 | 2021-09-24 | 株式会社德山 | 含有次氯酸根离子和pH缓冲剂的半导体晶圆的处理液 |
WO2021039701A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 処理液 |
CN111647897B (zh) * | 2020-05-25 | 2022-05-10 | 河北建投能源科学技术研究院有限公司 | 一种超临界二氧化碳循环发电系统纯化剂 |
KR20230031907A (ko) * | 2020-07-30 | 2023-03-07 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 |
US11615985B2 (en) * | 2021-01-04 | 2023-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device with low-galvanic corrosion structures, and method of making same |
EP4307348A1 (en) | 2021-03-08 | 2024-01-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for cleaning semiconductor substrate, and cleaning method |
CN113083818B (zh) * | 2021-03-30 | 2022-09-16 | 河北中天兰清环境科技有限公司 | 一种聚四氟乙烯反应釜的清洁再利用的处理方法 |
US20220365439A1 (en) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface charge release in lithography developing process |
CN113479924B (zh) * | 2021-07-29 | 2022-09-30 | 桂林理工大学 | 一种用于工业副产物石膏制备α高强石膏的转晶剂 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005215627A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Japan Organo Co Ltd | レジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置 |
JP2007134690A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液 |
JP2008509554A (ja) * | 2004-08-03 | 2008-03-27 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスの基板用の洗浄組成物 |
JP2009105299A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液 |
WO2009072529A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体デバイス用基板の洗浄方法及び洗浄液 |
JP2009141310A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mallinckrodt Baker Inc | アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物/アミンまたはアンモニア反応の結合体のオリゴマー型またはポリマー型物質を含有するフッ化物含有フォトレジスト剥離剤または残渣除去洗浄組成物 |
JP2009141311A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mallinckrodt Baker Inc | アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物/アミンまたはアンモニア反応の結合体のオリゴマー型またはポリマー型物質を含有するフッ化物不含フォトレジスト剥離剤または残渣除去洗浄組成物 |
WO2010119753A1 (ja) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法 |
JP2013061426A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Nomura Micro Sci Co Ltd | フォトレジスト膜形成用樹脂溶液の不純物除去方法、不純物除去用濾過部材及び不純物除去用濾過装置 |
JP2013222947A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びにフィルタ装置 |
WO2015068823A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 和光純薬工業株式会社 | 半導体基板用洗浄剤および半導体基板表面の処理方法 |
WO2015089023A1 (en) * | 2013-12-11 | 2015-06-18 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
JP2015118125A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法 |
JP2015524165A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-08-20 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 有機残渣除去を改良するための銅エッチングレートの低い水性洗浄溶液 |
JP2015165561A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-09-17 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
WO2015156171A1 (ja) * | 2014-04-10 | 2015-10-15 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法 |
JP2015201484A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液、及び基板のエッチング加工方法 |
WO2016076033A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法 |
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Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4582602B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2010-11-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法 |
TW573217B (en) * | 2000-12-27 | 2004-01-21 | Sumitomo Chemical Co | Remover composition |
JP4810764B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-11-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
US7316603B2 (en) * | 2002-01-22 | 2008-01-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for tantalum CMP |
JP4304988B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2009-07-29 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
KR100913557B1 (ko) * | 2002-01-28 | 2009-08-21 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 디바이스용 기판의 세정액 및 세정방법 |
CA2544198C (en) * | 2003-10-29 | 2011-07-26 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors |
KR100593668B1 (ko) * | 2004-01-20 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법 |
JP4736445B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2011-07-27 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 |
JP4628209B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-02-09 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
JP2007109744A (ja) | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Tokuyama Corp | 基板洗浄液 |
US20070099810A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Hiroshi Matsunaga | Cleaning liquid and cleaning method |
JP4766115B2 (ja) | 2006-08-24 | 2011-09-07 | ダイキン工業株式会社 | 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法 |
WO2008023753A1 (fr) | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Daikin Industries, Ltd. | Solution pour éliminer un résidu après un procédé de traitement par voie sèche de semi-conducteur et procédé d'élimination du résidu utilisant celle-ci |
JP5000991B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-08-15 | 三洋化成工業株式会社 | エレクトロニクス材料用洗浄剤 |
JP5428200B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2014-02-26 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法及び半導体デバイス用基板の製造方法 |
DE102007058829A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung |
JP5371416B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
JP2010267818A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体基板洗浄液及びそれを用いた半導体基板洗浄方法 |
JP2012044118A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 |
CN103189965A (zh) * | 2010-09-27 | 2013-07-03 | 多摩化学工业株式会社 | 半导体衬底用碱性处理液的精制方法及精制装置 |
JP6157081B2 (ja) | 2012-09-24 | 2017-07-05 | 東京応化工業株式会社 | フォトリソグラフィ用剥離液、及びパターン形成方法 |
EP3060642B1 (en) * | 2013-10-21 | 2019-11-06 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Cleaning formulations for removing residues on surfaces |
JP6200289B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2017-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 |
CN106460196A (zh) * | 2014-03-18 | 2017-02-22 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 蚀刻组合物 |
JP6231423B2 (ja) | 2014-04-09 | 2017-11-15 | 東京応化工業株式会社 | フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法 |
JP6961573B2 (ja) * | 2016-04-08 | 2021-11-05 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、その製造方法、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP6713044B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法及びレジストの除去方法 |
-
2017
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Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005215627A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Japan Organo Co Ltd | レジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置 |
JP2008509554A (ja) * | 2004-08-03 | 2008-03-27 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスの基板用の洗浄組成物 |
JP2007134690A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液 |
JP2009105299A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液 |
WO2009072529A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体デバイス用基板の洗浄方法及び洗浄液 |
JP2009141310A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mallinckrodt Baker Inc | アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物/アミンまたはアンモニア反応の結合体のオリゴマー型またはポリマー型物質を含有するフッ化物含有フォトレジスト剥離剤または残渣除去洗浄組成物 |
JP2009141311A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mallinckrodt Baker Inc | アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物/アミンまたはアンモニア反応の結合体のオリゴマー型またはポリマー型物質を含有するフッ化物不含フォトレジスト剥離剤または残渣除去洗浄組成物 |
WO2010119753A1 (ja) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法 |
JP2013061426A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Nomura Micro Sci Co Ltd | フォトレジスト膜形成用樹脂溶液の不純物除去方法、不純物除去用濾過部材及び不純物除去用濾過装置 |
JP2013222947A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びにフィルタ装置 |
JP2015524165A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-08-20 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 有機残渣除去を改良するための銅エッチングレートの低い水性洗浄溶液 |
WO2015068823A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 和光純薬工業株式会社 | 半導体基板用洗浄剤および半導体基板表面の処理方法 |
JP2015118125A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法 |
WO2015089023A1 (en) * | 2013-12-11 | 2015-06-18 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
JP2015165561A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-09-17 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
JP2015201484A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液、及び基板のエッチング加工方法 |
WO2015156171A1 (ja) * | 2014-04-10 | 2015-10-15 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法 |
WO2016076033A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法 |
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