JP2021050112A - 炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021050112A JP2021050112A JP2019173463A JP2019173463A JP2021050112A JP 2021050112 A JP2021050112 A JP 2021050112A JP 2019173463 A JP2019173463 A JP 2019173463A JP 2019173463 A JP2019173463 A JP 2019173463A JP 2021050112 A JP2021050112 A JP 2021050112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- single crystal
- silicon carbide
- carbide single
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 230
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 112
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 57
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 31
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 138
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
基板ウェハ中の転位は素子中に伝播されることから、現状の製法にて作製された転位密度に面内で偏りがある炭化珪素単結晶ウェハを使用して素子を作製した場合、素子の歩留まりが領域によって悪化する不具合があることが現状の課題である。しかしながら、本発明の炭化珪素単結晶ウェハ、すなわち、ウェハ中に含まれる転位密度が3500個/cm2以下であり、かつ転位密度分布が、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記転位密度の差が平均値の50%未満である炭化珪素単結晶ウェハを用いれば、上記素子作製において面内の均一性が良いことから、どの領域においても歩留まりが向上し不良品の低減を図ることができ、上記課題を回避できる。
更に、素子を作製するプロセスにおいて、素子製品の歩留まりに面内領域的バラつきが生じた際、現状ウェハを使用していると、プロセス起因かウェハ起因か要因の切り分けができず、プロセス改善を長期化させることも現状の課題である。しかしながら、上述した本発明の炭化珪素単結晶ウェハを使用すれば、ウェハ起因の歩留まり劣化要因が無いことから、不具合があった際にプロセス要因に特化することが可能であり、プロセス改善が迅速に行え、投入する予算的、時間的に利点があり、上記課題を回避できる。
ガス成長法により製造された炭化珪素単結晶ウェハであって、ウェハ中に含まれる刃状転位密度、すなわち、フォトルミネッセンス測定あるいはX線トポグラフィ測定等の手法により評価される刃状転位密度が3000個/cm2以下であり、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記刃状転位密度の差が平均値の50%未満である、又は、
ガス成長法により製造された炭化珪素単結晶ウェハであって、ウェハ中に含まれるらせん転位密度、すなわち、フォトルミネッセンス測定あるいはX線トポグラフィ測定等の手法により評価されるらせん転位密度が500個/cm2以下であり、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記らせん転位密度の差が50%未満である、ものである。
ここで、KOHエッチピットは、KOHエッチング処理を施した後、光学顕微鏡観察で評価されるエッチピット密度であり、全転位密度に相当するものである。
本発明の炭化珪素単結晶ウェハは、このような条件を組み合わせることで実現できる。
図6(a)に示すような種結晶表面温度(温度勾配0.06℃/mm程度)及び原料ガス流速でSiC単結晶51を成長させたら、図6(b)に示すように、曲率半径が4932mmで僅かに上に凸(僅かに凸面)のSiC単結晶が得られた。単結晶の内部応力は、図3から10Mpa以下と推定される。
図7(a)に示すような種結晶表面温度(温度勾配0.08℃/mm程度)及び原料ガス流速でSiC単結晶51を成長させたら、図7(b)に示すように、曲率半径が606mmで下に凸(凹面)のSiC単結晶が得られた。単結晶の内部応力は、図3から30Mpa程度と推定される。
図8に実施例2を示す。図はガス法によって成長させた結晶中(2.5mm成長位置)と種結晶中の転位密度を調べた結果である。種結晶は通常の成長法である昇華法によって成長させた結晶であり、結晶面内に転位密度の分布が大きいことがわかる。それに対し、ガス法によって2.5mm成長させた結晶では、転位密度が大幅に減少し、さらに、結晶面内で場所によらず、ばらつきの少ない転位密度になっていることが分かる。この結果より、ガス法によって成長させた結晶では、転位の分布が一様化していることが実施例からも明らかになっている。
1 原料ガス供給手段
10 台座
20 断熱容器
30 密閉容器
40 コイル(加熱手段)
50a 第1の種結晶
50b 第2の種結晶
51 単結晶
Claims (6)
- 炭化珪素単結晶ウェハであって、ウェハ中に含まれる転位密度が3500個/cm2以下であり、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記転位密度の差が平均値の50%未満であることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
- ガス成長法により製造された炭化珪素単結晶ウェハであって、
前記ウェハ中に含まれる刃状転位密度が3000個/cm2以下であり、
前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記刃状転位密度の差が平均値の50%未満であることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。 - ガス成長法により製造された炭化珪素単結晶ウェハであって、前記ウェハ中に含まれるらせん転位密度が500個/cm2以下であり、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記らせん転位密度の差が50%未満であることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
- 請求項1〜3の何れか一項に記載の炭化珪素単結晶ウェハにおいて、前記ウェハ中に含まれる転位は、同一種の転位同士の距離が、150μm以上の一定距離以上に近寄ることなく分散していることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
- 炭化珪素からなる種結晶を載置した空間に水素ガス、モノシラン、および炭化水素ガスを含む原料ガスを供給すると共に、モノシラン分圧を4kPa以上とし、前記空間内を温度2400℃〜2700℃に加熱し、前記種結晶に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、
前記炭化珪素単結晶の成長結晶表面の径方向温度勾配が0.1℃/mm以下となり、かつ前記成長結晶表面の曲率半径が4.5m以上となるように、前記空間内の温度制御と前記原料ガスの供給を制御することにより、成長した炭化珪素単結晶の成長長さが3mm以上であり、内部応力が10MPa以下の炭化珪素単結晶インゴットを得ることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。 - 請求項5に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法で炭化珪素単結晶インゴットを得、これをカットして炭化珪素単結晶ウェハとすることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019173463A JP7393900B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
US17/027,840 US20210108334A1 (en) | 2019-09-24 | 2020-09-22 | Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer |
CN202310782655.8A CN116791195A (zh) | 2019-09-24 | 2020-09-24 | 碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法 |
CN202011015571.4A CN112626618B (zh) | 2019-09-24 | 2020-09-24 | 碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法 |
US18/362,117 US20230374699A1 (en) | 2019-09-24 | 2023-07-31 | Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019173463A JP7393900B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021050112A true JP2021050112A (ja) | 2021-04-01 |
JP7393900B2 JP7393900B2 (ja) | 2023-12-07 |
Family
ID=75156983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019173463A Active JP7393900B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20210108334A1 (ja) |
JP (1) | JP7393900B2 (ja) |
CN (2) | CN116791195A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4286572A1 (en) | 2022-06-03 | 2023-12-06 | Resonac Corporation | Sic single crystal substrate |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114264652A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-04-01 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法 |
CN115058765A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-16 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种碳化硅复合基板的制造方法 |
CN116657249A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-08-29 | 上海天岳半导体材料有限公司 | 一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014028757A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-02-13 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 炭化珪素単結晶インゴット及びそれから切り出した基板 |
JP2016044081A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 |
WO2016133172A1 (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット |
JP2018177591A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP2018186252A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 大陽日酸株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780174A (en) * | 1986-12-05 | 1988-10-25 | Lan Shan Ming | Dislocation-free epitaxial growth in radio-frequency heating reactor |
JP4100228B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-06-11 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素単結晶とその製造方法 |
JP2006124247A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Shikusuon:Kk | 炭化珪素単結晶および炭化珪素基板 |
US7449065B1 (en) * | 2006-12-02 | 2008-11-11 | Ohio Aerospace Institute | Method for the growth of large low-defect single crystals |
US8293623B2 (en) * | 2007-09-12 | 2012-10-23 | Showa Denko K.K. | Epitaxial SiC single crystal substrate and method of manufacture of epitaxial SiC single crystal substrate |
JP2010184833A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ |
JP5585268B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 単結晶炭化珪素膜付き基材及び単結晶炭化珪素膜の製造方法並びに単結晶炭化珪素膜付き基材の製造方法 |
JP5803265B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-11-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板および炭化珪素インゴットの製造方法 |
JP5716998B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2015-05-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素結晶インゴットおよび炭化珪素結晶ウエハ |
EP2852699A4 (en) * | 2012-04-20 | 2016-04-20 | Ii Vi Inc | HIGH-DIAMETER, HIGH-QUALITY SIC CRYSTALS AND METHOD AND DEVICE |
US9738991B2 (en) * | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US9797064B2 (en) * | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
WO2015035170A1 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | Gtat Corporation | Bulk silicon carbide having low defect density |
JP5931825B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2016-06-08 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
JP6233058B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板の製造方法 |
US9279192B2 (en) * | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
JP6584428B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2019-10-02 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶基板 |
JP6584253B2 (ja) * | 2015-09-16 | 2019-10-02 | ローム株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造装置、SiCエピタキシャルウェハの製造方法、および半導体装置 |
US20170321345A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Ii-Vi Incorporated | Large Diameter Silicon Carbide Single Crystals and Apparatus and Method of Manufacture Thereof |
JP6824088B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-02-03 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素のエピタキシャル成長方法 |
CN107268071A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-10-20 | 界首市七曜新能源有限公司 | 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺 |
US11519098B2 (en) * | 2020-01-29 | 2022-12-06 | Wolfspeed, Inc. | Dislocation distribution for silicon carbide crystalline materials |
-
2019
- 2019-09-24 JP JP2019173463A patent/JP7393900B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-22 US US17/027,840 patent/US20210108334A1/en active Pending
- 2020-09-24 CN CN202310782655.8A patent/CN116791195A/zh active Pending
- 2020-09-24 CN CN202011015571.4A patent/CN112626618B/zh active Active
-
2023
- 2023-07-31 US US18/362,117 patent/US20230374699A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014028757A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-02-13 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 炭化珪素単結晶インゴット及びそれから切り出した基板 |
JP2016044081A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 |
WO2016133172A1 (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット |
JP2018177591A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP2018186252A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 大陽日酸株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4286572A1 (en) | 2022-06-03 | 2023-12-06 | Resonac Corporation | Sic single crystal substrate |
KR20230168161A (ko) | 2022-06-03 | 2023-12-12 | 가부시끼가이샤 레조낙 | SiC 단결정 기판 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7393900B2 (ja) | 2023-12-07 |
CN112626618A (zh) | 2021-04-09 |
CN116791195A (zh) | 2023-09-22 |
US20210108334A1 (en) | 2021-04-15 |
CN112626618B (zh) | 2023-07-21 |
US20230374699A1 (en) | 2023-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7393900B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
CN107002281B (zh) | 碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 | |
WO2010044484A1 (ja) | 炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶ウェハ | |
CN113227465B (zh) | SiC半导体衬底及其制造方法和制造装置 | |
US10153207B2 (en) | Method for manufacturing a silicon carbide wafer using a susceptor having draining openings | |
JP4585359B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
TWI750634B (zh) | 碳化矽晶圓、碳化矽晶錠、碳化矽晶錠製造方法以及碳化矽晶圓製造方法 | |
KR20180016585A (ko) | 에피택셜 탄화규소 단결정 웨이퍼의 제조 방법 | |
KR20160111437A (ko) | SiC 종결정의 가공 변질층의 제거 방법, SiC 종결정, 및 SiC 기판의 제조 방법 | |
JP2017065954A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
EP2921575A1 (en) | Silicon carbide single crystal substrate and process for producing same | |
CN111819311A (zh) | 碳化硅单晶的制造方法 | |
JP5614387B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴット | |
JP7161784B2 (ja) | 炭化珪素インゴット、ウエハ及びその製造方法 | |
Okamoto et al. | Quality Evaluation of 150 mm 4H-SiC Grown at over 1.5 mm/h by High-Temperature Chemical Vapor Deposition Method | |
JP2018140903A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
WO2015012190A1 (ja) | SiC基板の製造方法 | |
TWI767309B (zh) | 碳化矽晶錠之製造方法以及製造碳化矽晶錠之系統 | |
JP2009256145A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶及びその製造方法 | |
JP2003137694A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
CN113322520A (zh) | 晶片及其制造方法 | |
WO2017043215A1 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
WO2020241578A1 (ja) | SiC単結晶インゴットの製造方法 | |
JP6628673B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200828 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230724 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7393900 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |