CN107268071A - 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺 - Google Patents
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Abstract
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,包括加料,熔化,缩颈生长,放肩生长,等径生长,尾部生长步骤。本发明将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理,释放单晶硅原料内部应力,减少长晶时产生的位错,改善结晶质量;熔化时先将温度升至800~900℃,将长晶炉抽成真空,再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力,另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉,保证单晶硅原料的纯度;本发明制得的单晶硅内部缺陷少,结晶质量高,作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率,同时使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域,具体涉及一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
与多晶硅相比,单晶硅在制备上工艺相对复杂,晶体内部容易产生各种位错、缺陷并混有各种杂质,长晶时结晶质量较差,进而影响到作为太阳能电池板使用时的光电转化效率,同时现有工艺制得的单晶硅使用寿命短。
发明内容
本发明为解决上述问题,提供一种杂质缺陷少、结晶质量高的太阳能电池板用单晶硅制备工艺。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,包括以下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料经低温加热处理后,用去离子水清洗,然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压,然后打开石墨加热器电源,加热至800~900℃,将长晶炉抽成真空,再次将氩气充入长晶炉,加热至熔化温度以上,将单晶硅原料熔化,得单晶硅熔体;
(3)缩颈生长:当单晶硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中,缩颈生长时将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小;
(4)放肩生长:缩颈生长完成后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;
(5)等径生长:放肩生长结束,借着拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在一固定值生长;
(6)尾部生长:等径生长结束,将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与单晶硅熔体液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出。
所述步骤(1)中低温加热处理时控制温度在400~500℃。
所述步骤(1)中杂质的种类依电阻的N或P型而定,可以为硼、磷、锑或砷。
所述步骤(2)中融化温度至少在1450℃以上。
所述步骤(3)中籽晶的直径缩小至3~5mm。
所述步骤(5)中等径生长时晶棒直径在固定值正负2mm之间波动。
本发明的有益效果为:将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理,释放单晶硅原料内部应力,减少长晶时产生的位错,改善结晶质量;用去离子水进行清洗去除单晶硅原料表面附着的各种离子,避免杂质混入晶棒内;熔化时先将温度升至800~900℃,将长晶炉抽成真空,再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力,另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉,保证单晶硅原料的纯度;本发明制得的单晶硅内部缺陷少,结晶质量高,作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率,同时使用寿命长。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合实施例,进一步阐述本发明。
实施例1
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,包括以下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料经400℃低温加热处理后,用去离子水清洗,然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定,可以为硼、磷、锑或砷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压,然后打开石墨加热器电源,加热至800℃,将长晶炉抽成真空,再次将氩气充入长晶炉,加热至熔化温度1450℃以上,将单晶硅原料熔化,得单晶硅熔体;
(3)缩颈生长:当单晶硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中,由于籽晶与单晶硅熔体接触时的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉,缩颈生长时将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小至3mm,由于位错线与生长轴成一个交角,只要缩颈够长,位错便能长出晶体表面,产生零位错的晶体;
(4)放肩生长:缩颈生长完成后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;
(5)等径生长:放肩生长结束,借着拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在一固定值生长,等径生长时晶棒直径在固定值正负2mm之间波动,这段直径固定的部分即称为等径部分,单晶硅片取自于等径部分;
(6)尾部生长:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线,于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开,这一过程称之为尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。
实施例2
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,包括以下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料经450℃低温加热处理后,用去离子水清洗,然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定,可以为硼、磷、锑或砷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压,然后打开石墨加热器电源,加热至850℃,将长晶炉抽成真空,再次将氩气充入长晶炉,加热至熔化温度1450℃以上,将单晶硅原料熔化,得单晶硅熔体;
(3)缩颈生长:当单晶硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中,由于籽晶与单晶硅熔体接触时的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉,缩颈生长时将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小至4mm,由于位错线与生长轴成一个交角,只要缩颈够长,位错便能长出晶体表面,产生零位错的晶体;
(4)放肩生长:缩颈生长完成后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;
(5)等径生长:放肩生长结束,借着拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在一固定值生长,等径生长时晶棒直径在固定值正负2mm之间波动,这段直径固定的部分即称为等径部分,单晶硅片取自于等径部分;
(6)尾部生长:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线,于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开,这一过程称之为尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。
实施例3
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,包括以下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料经500℃低温加热处理后,用去离子水清洗,然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定,可以为硼、磷、锑或砷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压,然后打开石墨加热器电源,加热至900℃,将长晶炉抽成真空,再次将氩气充入长晶炉,加热至熔化温度1450℃以上,将单晶硅原料熔化,得单晶硅熔体;
(3)缩颈生长:当单晶硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中,由于籽晶与单晶硅熔体接触时的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉,缩颈生长时将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小至5mm,由于位错线与生长轴成一个交角,只要缩颈够长,位错便能长出晶体表面,产生零位错的晶体;
(4)放肩生长:缩颈生长完成后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;
(5)等径生长:放肩生长结束,借着拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在一固定值生长,等径生长时晶棒直径在固定值正负2mm之间波动,这段直径固定的部分即称为等径部分,单晶硅片取自于等径部分;
(6)尾部生长:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线,于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开,这一过程称之为尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例,并不用来限制本发明,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料经低温加热处理后,用去离子水清洗,然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压,然后打开石墨加热器电源,加热至800~900℃,将长晶炉抽成真空,再次将氩气充入长晶炉,加热至熔化温度以上,将单晶硅原料熔化,得单晶硅熔体;
(3)缩颈生长:当单晶硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中,缩颈生长时将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小;
(4)放肩生长:缩颈生长完成后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;
(5)等径生长:放肩生长结束,借着拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在一固定值生长;
(6)尾部生长:等径生长结束,将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与单晶硅熔体液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中低温加热处理时控制温度在400~500℃。
3.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中杂质的种类依电阻的N或P型而定。
4.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(1)中杂质为硼、磷、锑或砷。
5.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(2)中融化温度至少在1450℃以上。
6.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(3)中籽晶的直径缩小至3~5mm。
7.如权利要求1所述的一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,其特征在于,所述步骤(5)中等径生长时晶棒直径在固定值正负2mm之间波动。
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