CN104499048A - 一种连续加料的单晶硅生长工艺 - Google Patents

一种连续加料的单晶硅生长工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN104499048A
CN104499048A CN201410733252.5A CN201410733252A CN104499048A CN 104499048 A CN104499048 A CN 104499048A CN 201410733252 A CN201410733252 A CN 201410733252A CN 104499048 A CN104499048 A CN 104499048A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
crystal
growth
single crystal
quartz crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410733252.5A
Other languages
English (en)
Inventor
金雪松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HAI'AN COUNTY PETROLEUM SCIENTIFIC RESEARCH INSTRUMENT Co Ltd
Original Assignee
HAI'AN COUNTY PETROLEUM SCIENTIFIC RESEARCH INSTRUMENT Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HAI'AN COUNTY PETROLEUM SCIENTIFIC RESEARCH INSTRUMENT Co Ltd filed Critical HAI'AN COUNTY PETROLEUM SCIENTIFIC RESEARCH INSTRUMENT Co Ltd
Priority to CN201410733252.5A priority Critical patent/CN104499048A/zh
Publication of CN104499048A publication Critical patent/CN104499048A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt

Abstract

本发明公开了区熔法生长N型硅单晶工艺。它的技术方案是这样实现的：将一个很细的籽晶快速插入熔融晶柱的顶部，先拉出一个直径约3mm，长约10～20mm的细颈，然后在拉速不低于5～6mm/min，温度降至1420～1460℃之间时放肩至较大的直径，所述熔融晶柱固定于卡盘，一个金属线圈沿所述熔融晶柱长度方向缓慢移动并通过所述熔融晶柱，在金属线圈中通过高功率的射频电流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得所述熔融晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料再结晶为单晶。本发明具有以下有益效果：由于区熔法不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。

Description

一种连续加料的单晶硅生长工艺
技术领域
本发明涉及硅单晶制备技术领域，具体涉及一种连续加料的单晶硅生长工艺。
背景技术
作为最理想的可再生能源，太阳能具有“取之不尽，用之不竭”的特点，而利用太阳能发电具有环保等优点，而且不必考虑其安全性问题。据统计， 2007年全国一次能源消耗26.5亿吨标煤，而我国地表每年吸收太阳能达17000亿吨煤。我国有158完平方公里荒漠，假如太阳能利用率达到10%，即荒漠区10%土地上的太阳能转化，就可以满足全国2007年的能源需求。欧洲联盟国家在2010年太阳能光电转换的电力占所有总电力的1.5％。我国十二五计划表示到要达到 “‘十二五’末非化石能源在一次能源消费中的比重达到11.4%”这一目标，中国未来数年必将掀起太阳能等新兴能源产业的投资浪潮。在能源短缺，环境保护问题日益严重的我国，研究低成本高效率地利用太阳能尤为重要。
近30年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。而其中的太阳光伏发电是世界上节约能源、倡导绿色电力的一种主要的高新技术产业。发展光伏产业已经成为全球各国解决能源与经济发展、环境保护之间矛盾的最佳途径之一。目前晶体硅太阳能电池占据着光伏产业的主导地位，占世界太阳能电池市场的80％。
发明内容
本发明的目的是提供一种获得较高氧含量、大直径和较长的单晶硅棒的连续加料的单晶硅生长工艺。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：一种连续加料的N型单晶硅生长工艺，它的工艺流程包括：加料-熔化-缩颈生长-放肩生长-等径生长-收尾-降温，使用连续加料法在单晶硅生长的同时不断地向所述熔化工序使用的石英坩埚内补充添加多晶硅原料，保持所述石英坩埚中有恒定的硅熔体，保持硅熔体液面不变处于稳定状态。
进一步地，所述工艺流程具体工序包括：
a、加料：将多晶硅原料及杂质放入所述石英坩埚内；
b、熔化：所述加料完成后，长晶炉关闭并抽真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后加热，至温度达到1420℃~1460℃之间，初始加热功率为25~80kw，加热时间180~390min；熔化硅料时加热温度为70~105kw，加热时间60~180min；
c、缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，待其熔化至固液态共存时，然后将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到4-6mm，其中，所述籽晶旋转速度为2.5~10r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述籽晶相反，转速为1~5r/min；
d、放肩生长：长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体逐步增大直径，达到预定值；
e、等径生长：长完细颈和肩部之后，通过控制拉速和熔体温度，以达到晶体直径恒定，所述晶体旋转速度为2.5~20r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述晶体相反，转速为1.3~10r/min；
f、二次加料：向所述工序a所述的石英坩埚内补充添加多晶硅原料；
g、收尾、降温：接着所述工序e继续调整转速收尾，待单晶棒与熔体分离后快速冷却降温。
进一步地，所述连续加料法为液态连续加料法或固态连续加料法。
进一步地，所述N型单晶硅的掺杂剂为磷。
本发明具有以下有益效果：本发明是让单晶硅生长的同时不断地向石英坩埚内补充添加多晶硅原料，以此来保持石英坩埚中有恒定的硅熔体，致使硅熔体液面不变而处于稳定状态，减少电阻率的轴向偏析现象，并可以生长出较长的单晶棒以增加产量，提高了生产效率。
具体实施方式
实施例1：
a、加料：将多晶硅原料及杂质放入所述石英坩埚内；
b、熔化：所述加料完成后，长晶炉关闭并抽真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后加热，至温度达到1420℃，初始加热功率为25kw，加热时间180min；熔化硅料时加热温度为70kw，加热时间60min；
c、缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，待其熔化至固液态共存时，然后将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到4mm，其中，所述籽晶旋转速度为2.5r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述籽晶相反，转速为1r/min
d、放肩生长：长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体逐步增大直径，达到预定值；
e、等径生长：长完细颈和肩部之后，通过控制拉速和熔体温度，以达到晶体直径恒定，所述晶体旋转速度为2.5r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述晶体相反，转速为1.3r/min；
f、二次加料：向所述工序a所述的石英坩埚内补充添加多晶硅原料；
g、收尾、降温：接着所述工序e继续调整转速收尾，待单晶棒与熔体分离后快速冷却降温。
实施例2：
a、加料：将多晶硅原料及杂质放入所述石英坩埚内；
b、熔化：所述加料完成后，长晶炉关闭并抽真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后加热，至温度达到1440℃，加热功率为50kw，加热时间280min；熔化硅料时加热温度为85kw，加热时间120min；
c、缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，待其熔化至固液态共存时，然后将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到5mm，其中，所述籽晶旋转速度为7r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述籽晶相反，转速为3r/min
d、放肩生长：长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体逐步增大直径，达到预定值；
e、等径生长：长完细颈和肩部之后，通过控制拉速和熔体温度，以达到晶体直径恒定，所述晶体旋转速度为12r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述晶体相反，转速为6.5r/min；
f、二次加料：向所述工序a所述的石英坩埚内补充添加多晶硅原料；
g、收尾、降温：接着所述工序e继续调整转速收尾，待单晶棒与熔体分离后快速冷却降温。
实施例3：
 a、加料：将多晶硅原料及杂质放入所述石英坩埚内；
b、熔化：所述加料完成后，长晶炉关闭并抽真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后加热，至温度达到1460℃，初始加热功率为80kw，加热时间390min；熔化硅料时加热温度为105kw，加热时间180min；
c、缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，待其熔化至固液态共存时，然后将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到6mm，其中，所述籽晶旋转速度为10r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述籽晶相反，转速为5r/min
d、放肩生长：长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体逐步增大直径，达到预定值；
e、等径生长：长完细颈和肩部之后，通过控制拉速和熔体温度，以达到晶体直径恒定，所述晶体旋转速度为20r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述晶体相反，转速为10r/min；
f、二次加料：向所述工序a所述的石英坩埚内补充添加多晶硅原料；
g、收尾、降温：接着所述工序e继续调整转速收尾，待单晶棒与熔体分离后快速冷却降温。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本发明的技术方案所做的其他修改或者等同替换，只要不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (4)

1.一种连续加料的N型单晶硅生长工艺，它的工艺流程包括：加料-熔化-缩颈生长-放肩生长-等径生长-收尾-降温，其特征在于，使用连续加料法在单晶硅生长的同时不断地向所述熔化工序使用的石英坩埚内补充添加多晶硅原料，保持所述石英坩埚中有恒定的硅熔体，保持硅熔体液面不变处于稳定状态。
2.根据权利要求1所述的一种连续加料的N型单晶硅生长工艺，其特征在于，所述工艺流程具体工序包括：
a、加料：将多晶硅原料及杂质放入所述石英坩埚内；
b、熔化：所述加料完成后，长晶炉关闭并抽真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后加热，至温度达到1420℃~1460℃之间，初始加热功率为25~80kw，加热时间180~390min；熔化硅料时加热温度为70~105kw，加热时间60~180min；
c、缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，待其熔化至固液态共存时，然后将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到4-6mm，其中，所述籽晶旋转速度为2.5~10r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述籽晶相反，转速为1~5r/min；
d、放肩生长：长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体逐步增大直径，达到预定值；
e、等径生长：长完细颈和肩部之后，通过控制拉速和熔体温度，以达到晶体直径恒定，所述晶体旋转速度为2.5~20r/min，所述石英坩埚旋转方向与所述晶体相反，转速为1.3~10r/min；
f、二次加料：向所述工序a所述的石英坩埚内补充添加多晶硅原料；
g、收尾、降温：接着所述工序e继续调整转速收尾，待单晶棒与熔体分离后快速冷却降温。
3.根据权利要求1所述的一种连续加料的N型单晶硅生长工艺，其特征在于，所述连续加料法为液态连续加料法或固态连续加料法。
4.根据权利要求1或2所述的一种连续加料的N型单晶硅生长工艺，其特征在于，所述N型单晶硅的掺杂剂为磷。
CN201410733252.5A 2014-12-07 2014-12-07 一种连续加料的单晶硅生长工艺 Pending CN104499048A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410733252.5A CN104499048A (zh) 2014-12-07 2014-12-07 一种连续加料的单晶硅生长工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410733252.5A CN104499048A (zh) 2014-12-07 2014-12-07 一种连续加料的单晶硅生长工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104499048A true CN104499048A (zh) 2015-04-08

Family

ID=52940497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410733252.5A Pending CN104499048A (zh) 2014-12-07 2014-12-07 一种连续加料的单晶硅生长工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104499048A (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105063744A (zh) * 2015-07-15 2015-11-18 包头市山晟新能源有限责任公司 硅单晶拉制方法
CN105483818A (zh) * 2015-12-25 2016-04-13 邢台晶龙电子材料有限公司 一种m2型单晶硅放肩方法
CN106544726A (zh) * 2016-11-30 2017-03-29 江苏恒合科技有限公司 一种拉晶、加料、化料、分离杂质同步进行的连续拉制单晶硅棒的方法
CN107268071A (zh) * 2017-06-06 2017-10-20 界首市七曜新能源有限公司 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺
CN109972200A (zh) * 2019-04-18 2019-07-05 邢台晶龙电子材料有限公司 连续提拉单晶硅生长方法
CN110195256A (zh) * 2019-06-10 2019-09-03 苏州亚傲鑫企业管理咨询有限公司 单晶硅多次加料连续生长的装置和工艺
CN110257901A (zh) * 2019-07-15 2019-09-20 乐山新天源太阳能科技有限公司 大直径高效n型单晶硅的制备工艺
CN111663177A (zh) * 2020-05-29 2020-09-15 包头美科硅能源有限公司 一种掺镓单晶硅的镓金属加入方法及镓金属放置结构体
CN112195514A (zh) * 2020-09-17 2021-01-08 李黎莎 一种大直径单晶硅生产设备
CN112941615A (zh) * 2019-12-10 2021-06-11 有研半导体材料有限公司 一种区熔硅单晶的收尾方法
WO2023185537A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 Tcl中环新能源科技股份有限公司 一种提高单晶产出的工艺

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1037933A (zh) * 1988-04-28 1989-12-13 日本钢管株式会社 制备硅单晶的方法和设备
CN1696355A (zh) * 2004-05-11 2005-11-16 上海卡姆丹克半导体有限公司 一种拉制硅单晶工艺方法
CN1788113A (zh) * 2003-07-18 2006-06-14 袁建中 重复加料生长晶体的装置及其方法
CN101135061A (zh) * 2006-08-02 2008-03-05 西尔特朗公司 用于将固体原材料供应至单晶生长器的装置和方法
CN101319364A (zh) * 2008-06-03 2008-12-10 天津市环欧半导体材料技术有限公司 掺镓元素太阳能单晶的生产方法
JP2010030867A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Sumco Corp シリコン単結晶の育成方法
CN102242395A (zh) * 2011-06-17 2011-11-16 常州天合光能有限公司 用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉
CN102995108A (zh) * 2012-11-27 2013-03-27 无锡市蓝德光电科技有限公司 一种连续加料硅单晶炉
CN103422161A (zh) * 2013-06-04 2013-12-04 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 一种n型太阳能硅单晶料的制备方法
CN103608496A (zh) * 2011-04-14 2014-02-26 吉特发展有限责任公司 具有均匀多重掺杂物的硅锭及其制造方法和装置
CN104024491A (zh) * 2011-12-26 2014-09-03 硅电子股份公司 制造单晶硅的方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1037933A (zh) * 1988-04-28 1989-12-13 日本钢管株式会社 制备硅单晶的方法和设备
CN1788113A (zh) * 2003-07-18 2006-06-14 袁建中 重复加料生长晶体的装置及其方法
CN1696355A (zh) * 2004-05-11 2005-11-16 上海卡姆丹克半导体有限公司 一种拉制硅单晶工艺方法
CN101135061A (zh) * 2006-08-02 2008-03-05 西尔特朗公司 用于将固体原材料供应至单晶生长器的装置和方法
CN101319364A (zh) * 2008-06-03 2008-12-10 天津市环欧半导体材料技术有限公司 掺镓元素太阳能单晶的生产方法
JP2010030867A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Sumco Corp シリコン単結晶の育成方法
CN103608496A (zh) * 2011-04-14 2014-02-26 吉特发展有限责任公司 具有均匀多重掺杂物的硅锭及其制造方法和装置
CN102242395A (zh) * 2011-06-17 2011-11-16 常州天合光能有限公司 用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉
CN104024491A (zh) * 2011-12-26 2014-09-03 硅电子股份公司 制造单晶硅的方法
CN102995108A (zh) * 2012-11-27 2013-03-27 无锡市蓝德光电科技有限公司 一种连续加料硅单晶炉
CN103422161A (zh) * 2013-06-04 2013-12-04 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 一种n型太阳能硅单晶料的制备方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105063744A (zh) * 2015-07-15 2015-11-18 包头市山晟新能源有限责任公司 硅单晶拉制方法
CN105483818A (zh) * 2015-12-25 2016-04-13 邢台晶龙电子材料有限公司 一种m2型单晶硅放肩方法
CN106544726A (zh) * 2016-11-30 2017-03-29 江苏恒合科技有限公司 一种拉晶、加料、化料、分离杂质同步进行的连续拉制单晶硅棒的方法
CN107268071A (zh) * 2017-06-06 2017-10-20 界首市七曜新能源有限公司 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺
CN109972200A (zh) * 2019-04-18 2019-07-05 邢台晶龙电子材料有限公司 连续提拉单晶硅生长方法
CN110195256A (zh) * 2019-06-10 2019-09-03 苏州亚傲鑫企业管理咨询有限公司 单晶硅多次加料连续生长的装置和工艺
CN110257901A (zh) * 2019-07-15 2019-09-20 乐山新天源太阳能科技有限公司 大直径高效n型单晶硅的制备工艺
CN110257901B (zh) * 2019-07-15 2021-05-28 乐山新天源太阳能科技有限公司 大直径高效n型单晶硅的制备工艺
CN112941615A (zh) * 2019-12-10 2021-06-11 有研半导体材料有限公司 一种区熔硅单晶的收尾方法
CN112941615B (zh) * 2019-12-10 2022-05-20 有研半导体硅材料股份公司 一种区熔硅单晶的收尾方法
CN111663177A (zh) * 2020-05-29 2020-09-15 包头美科硅能源有限公司 一种掺镓单晶硅的镓金属加入方法及镓金属放置结构体
CN112195514A (zh) * 2020-09-17 2021-01-08 李黎莎 一种大直径单晶硅生产设备
WO2023185537A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 Tcl中环新能源科技股份有限公司 一种提高单晶产出的工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104499048A (zh) 一种连续加料的单晶硅生长工艺
CN103741214B (zh) 一种多晶硅铸锭工艺
CN102936747B (zh) 一种采用大尺寸坩埚铸锭类单晶的方法
CN101974779B (zh) 一种制备<110>区熔硅单晶的方法
CN102296354B (zh) 一种硅料的铸锭方法
CN102849743B (zh) 一种反向诱导凝固提纯多晶硅的方法及设备
CN103741206B (zh) 一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺
CN103668450B (zh) 可减少多晶硅铸锭中细晶产生的铸锭工艺
CN103741213B (zh) 一种多晶硅铸锭用熔料工艺
CN102260900B (zh) 提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺
CN103422161A (zh) 一种n型太阳能硅单晶料的制备方法
CN103420380B (zh) 电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的方法及装置
CN105154978B (zh) 砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法
CN101597787B (zh) 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法
CN103436956A (zh) 速熔缓长晶高效多晶硅铸锭工艺
CN107268071A (zh) 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺
CN102719890B (zh) 利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法
CN104746134B (zh) 采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法
CN103469302A (zh) 缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺
CN103898603A (zh) 一种双电源多晶硅铸锭工艺
CN106676628A (zh) 一种<100>晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法
CN103541002B (zh) 应用于多晶硅铸锭的双电源自适应控制工艺
CN103436957A (zh) 双模式控制熔化保温的多晶硅铸锭工艺
CN104649276A (zh) 电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置
CN103882518B (zh) 一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150408