CN105483818A - 一种m2型单晶硅放肩方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种M2型单晶硅放肩方法,涉及单晶硅生产技术领域,在引细颈工艺完成后,籽晶拉速降低,温控器加热功率由额定功率分步逐降,依次经过五次降温步骤后,完成放肩工艺过程,硅棒直径达规定尺寸即可进入下一个工序转肩。通过上述工艺方法完成的放肩工序,放肩由原来需要210分钟-240分钟才能完成缩短为120min-150min内完成,可节省90分钟时间,同时也提高了成功率,成功率可提高40-45%。本发明具有操作简单方便的优点,可有效缩短单晶硅棒放肩时间,提高单晶硅棒生产效率及成功率,便于推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅生产技术领域,尤其涉及一种M2型单晶硅放肩方法。
背景技术
单晶硅的规格一般有两种:M1型(205mm)和M2型(210mm),单晶硅生产过程包括以下工序:拆炉-装料-熔化料-引细颈-放肩-转肩-等径-收尾-停炉。其中,放肩是当引细颈工艺完成后经过调整单晶炉加热功率及温效输出,降低温度与拉速,来控制放肩质量、速度、形状。放肩的形状和角度,将会影响晶棒头部的固液界面形状及晶棒品质。如果降温太快,液面呈现过冷情况,肩的形状因直径快速放大而变成方形,严重时易导致位错的产生而失去单晶的结构。M2型单晶硅棒的放肩工艺更难掌握,目前放肩工艺存在以下问题:
1、放肩时间长,耗时约3.5-4小时,肩高为80mm;耗时较长,且放肩高度过高浪费原料及影响单晶硅棒头部品质。
2、由于直径较大、降温不规范、出现降温后长方断棱、锥肩(放肩过高甚至达到5小时)等问题;
3、放肩的过程中由于温度把握不准确造成温度波动,会导致晶棒头部的空洞型缺陷,造成晶棒寿命降低,进而形成黑心圆和黑芯片。
4、放锥肩所需时间较长且影响单晶头部品质,会造成头部氧含量过高,氧的危害在于,氧可以形成热施主及新施主,使得单晶硅的电阻率均匀性变差;此外,氧还与直拉单晶硅中微缺陷的形成有着密切关系,而硅片表面的微缺陷在器件热氧化工艺中还会影响到器件的成品率。因此,在放肩过程中要求放平肩。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有效缩短单晶硅棒放肩时间、提高单晶硅棒生产效率的M2型单晶硅放肩方法。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:
一种M2型单晶硅放肩方法,引细颈工艺完成后,温控器功率达到额定功率,籽晶拉速降至0.65-0.75mm/min,单晶炉加热功率分步逐降,包括以下步骤:
(一)温控器功率第一次降低额定功率的0.055‰,使炉内温度降温趋势稳定,进行第一次降温;
(二)温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,使炉内温度逐步变低,进行第二次降温;
(三)温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,通过电脑控制炉温自动递减降温,进行第三次降温;
(四)第三次降温后,肩部直径达到65mm,温控器功率继续降低0.055‰,进行第四次降温;
(五)第四次降温后,肩部直径达到110mm,温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,1进行第五次降温;
(六)第五次降温后,肩部直径达到190mm,温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,同时给定埚升0.100mm/min,进行第六次降温;
(七)待硅棒直径达规定尺寸210~214mm时可进入下一个工序转肩。
优选的,温控器的额定功率为40KW~45KW、且与80型单晶炉配套应用,籽晶拉速降至0.7mm/min,单晶炉加热功率分步逐降如下:
(一)温控器功率第一次降低0.25KW,持续时间为15min,使炉内温度降温趋势稳定,进行第一次降温;
(二)温控器功率继续降低0.5KW,持续时间为15min,使炉内温度逐步变低,进行第二次降温;
(三)温控器功率继续降低0.5KW,同时温控器功率输出递减量为-0.05~-0.075KW/分钟,持续时间为30min,通过电脑控制炉温自动递减降温,进行第三次降温;
(四)第三次降温后,肩部直径达到65mm,温控器功率继续降低0.25KW,温控器功率输出递减量为-0.075~-0.1KW/分钟,持续时间为30min,进行第四次降温;
(五)第四次降温后,肩部直径达到110mm,温控器功率继续降低0.25KW,持续时间为30min,进行第五次降温;
(六)第五次降温后,肩部直径达到190mm,温控器功率继续降低0.25KW,同时给定埚升0.100mm/min,温控器功率输出递减量为-0.075~-0.1KW/分钟,进行第六次降温;
(七)待硅棒直径达规定尺寸210~214mm时可进入下一个工序转肩。
优选的,所述温控器为英国欧陆EUROTHERM温控器3504。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:引细颈工艺完成后,通过控制温控器功率进行五次降温,完成放肩工序,由原来放肩需要210分钟-240分钟才能完成缩短为120min-150min内完成,可节省90分钟时间,同时也提高了成功率,成功率可提高40-45%。本发明具有操作简单方便的优点,可有效缩短单晶硅棒放肩时间,提高单晶硅棒生产效率及成功率,便于推广应用。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
一种M2型单晶硅放肩方法,引细颈工艺完成后,温控器功率达到额定功率,籽晶拉速降至0.65-0.75mm/min,单晶炉加热功率分步逐降,包括以下步骤:
(一)温控器功率第一次降低额定功率的0.055‰,使炉内温度降温趋势稳定,进行第一次降温;
(二)温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,使炉内温度逐步变低,进行第二次降温;
(三)温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,通过电脑控制炉温自动递减降温,进行第三次降温;
(四)第三次降温后,肩部直径达到65mm,温控器功率继续降低0.055‰,进行第四次降温;
(五)第四次降温后,肩部直径达到110mm,温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,1进行第五次降温;
(六)第五次降温后,肩部直径达到190mm,温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,同时给定埚升0.100mm/min,进行第六次降温;
(七)待硅棒直径达规定尺寸210~214mm时可进入下一个工序转肩。
对于80型单晶炉来说,温控器选用英国欧陆EUROTHERM温控器3504,其额定功率为45KW,籽晶拉速降至0.7mm/min,单晶炉加热功率分步逐降如下:
(一)温控器功率第一次降低0.25KW,持续时间为15min,使炉内温度降温趋势稳定,进行第一次降温;
(二)温控器功率继续降低0.5KW,持续时间为15min,使炉内温度逐步变低,进行第二次降温;
(三)温控器功率继续降低0.5KW,同时温控器功率输出递减量为-0.05~-0.075KW/分钟,持续时间为30min,通过电脑控制炉温自动递减降温,进行第三次降温;
(四)第三次降温后,肩部直径达到65mm,温控器功率继续降低0.25KW,温控器功率输出递减量为-0.075~-0.1KW/分钟,持续时间为30min,进行第四次降温;
(五)第四次降温后,肩部直径达到110mm,温控器功率继续降低0.25KW,持续时间为30min,进行第五次降温;
(六)第五次降温后,肩部直径达到190mm,温控器功率继续降低0.25KW,同时给定埚升0.100mm/min,温控器功率输出递减量为-0.075~-0.1KW/分钟,进行第六次降温;
(七)待硅棒直径达规定尺寸210~214mm时可进入下一个工序转肩。
经过上述五次降温过程完成单晶硅棒的放肩过程,达到M2型单晶硅要求尺寸。
下表为3个批次单晶硅生产过程中的放肩工艺参数:
引细颈工艺完成后,通过控制温控器功率进行五次降温,完成放肩工序,由原来放肩需要210分钟-240分钟才能完成缩短为120min-150min内完成,可节省90分钟时间,同时也提高了成功率,成功率可提高40-45%。本发明具有操作简单方便的优点,可有效缩短单晶硅棒放肩时间,提高单晶硅棒生产效率及成功率,便于推广应用。
Claims (3)
1.一种M2型单晶硅放肩方法,其特征在于:引细颈工艺完成后,温控器功率达到额定功率,籽晶拉速降至0.65-0.75mm/min,单晶炉加热功率分步逐降,包括以下步骤:
(一)温控器功率第一次降低额定功率的0.055‰,使炉内温度降温趋势稳定,进行第一次降温;
(二)温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,使炉内温度逐步变低,进行第二次降温;
(三)温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,通过电脑控制炉温自动递减降温,进行第三次降温;
(四)第三次降温后,肩部直径达到65mm,温控器功率继续降低0.055‰,进行第四次降温;
(五)第四次降温后,肩部直径达到110mm,温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,1进行第五次降温;
(六)第五次降温后,肩部直径达到190mm,温控器功率继续降低额定功率的0.11‰,同时给定埚升0.100mm/min,进行第六次降温;
(七)待硅棒直径达规定尺寸210~214mm时可进入下一个工序转肩。
2.根据权利要求1所述的M2型单晶硅放肩方法,其特征在于:温控器的额定功率为45KW、且与80型单晶炉配套应用,籽晶拉速降至0.7mm/min,单晶炉加热功率分步逐降如下:
(一)温控器功率第一次降低0.25KW,持续时间为15min,使炉内温度降温趋势稳定,进行第一次降温;
(二)温控器功率继续降低0.5KW,持续时间为15min,使炉内温度逐步变低,进行第二次降温;
(三)温控器功率继续降低0.5KW,同时温控器功率输出递减量为-0.05~-0.075KW/分钟,持续时间为30min,通过电脑控制炉温自动递减降温,进行第三次降温;
(四)第三次降温后,肩部直径达到65mm,温控器功率继续降低0.25KW,温控器功率输出递减量为-0.075~-0.1KW/分钟,持续时间为30min,进行第四次降温;
(五)第四次降温后,肩部直径达到110mm,温控器功率继续降低0.25KW,持续时间为30min,进行第五次降温;
(六)第五次降温后,肩部直径达到190mm,温控器功率继续降低0.25KW,同时给定埚升0.100mm/min,温控器功率输出递减量为-0.075~-0.1KW/分钟,进行第六次降温;
(七)待硅棒直径达规定尺寸210~214mm时可进入下一个工序转肩。
3.根据权利要求1所述的M2型单晶硅放肩方法,其特征在于:所述温控器为英国欧陆EUROTHERM温控器3504。
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