CN109972200B - 连续提拉单晶硅生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法，属于半导体材料制备领域，包括化料、稳定、引颈、放肩、转肩、等径、收尾，化料功率在前期进行逐渐升功率加热，中期保持在稳定功率，后期化料功率进行降低；稳定过程晶转和锅转的转动方向相反，热场温度调整为引颈温度，加料设备保持加料状态；放肩过程将晶体生长速度降低，加料设备处于加料状态，加料量逐渐进行增长；转肩过程在放肩加料量基础上增加；等径前期给定温度控制，并在前期进行降温处理。本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法，可减少晶体生长埚内投料量，并实现了单晶炉的不间断加料，减少了二次加料时间，实现了加料与晶体生长的同步进行，埚内初始晶体生长晶体料源较少，电阻率分布更加均匀。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料制备技术领域，更具体地说，是涉及一种连续提拉单晶硅生长方法。
背景技术
单晶硅制备通常包括晶体生长和制成硅片两个主要环节。随着光伏行业的成熟和发展，要求太阳能电池具有更高的转换效率，这对晶硅材料提出了更高的内在品质要求，特别是少子寿命、杂质含量、缺陷密度等衡量单晶硅内在品质的核心指标更加严格。少子寿命和太阳能电池的转换效率直接相关，而杂质和缺陷（内错等）是影响少子寿命的两大主要因素。目前，单晶硅生长最常用的是直拉法，RCZ技术（多次装料拉晶技术）已经从研发阶段进入大规模推广应用阶段，而CCZ技术（连续拉晶技术）则从研发阶段向小试阶段过渡，为了提高单晶硅的质量，降低生产成本，提高生产效率，CCZ生长单晶硅技术需要进一步研发、优化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种连续提拉单晶硅生长方法，以解决CCZ生长单晶硅技术中存在的单晶硅质量差、生产效率低的技术问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种连续提拉单晶硅生长方法，包括：
化料：化料功率在前期进行逐渐升功率加热，中期保持在稳定功率，后期化料功率需要进行降低；化料功率在前期保持在高于晶体引颈功率10kw-20kw，给定固定埚转，埚转在1-5转之间；化料后期降低功率加热，化料功率低于热场晶体引颈功率10kw-20kw，加料设备保持固定的加料状态，对坩埚内部的加料量为0-300g/min；当硅料融化重量达到预定值后，停止进行加料；
稳定：对晶体晶转、埚转、热场温度的调整，晶体晶转为5-15转，埚转为2-15转，晶体晶转和锅转的转动方向相反，热场温度调整为引颈温度，在1420℃-1480℃之间，加料设备保持加料状态；
引颈：引颈功率为55kw -65kw，引颈过程为插入带有晶向的籽晶，并给定籽晶向上的力，晶体开始生长，并在生长过程中消除部分籽晶位错，使晶体按原子顺序生长，加料设备停止加料；
放肩：将晶体生长速度降低至0.5mm/min -1.5 mm/min之间，稳定拉速，并对热场温度逐渐降低，加料设备处于加料状态，加料量保持在0-200g/min之间，加料量逐渐进行增长；
转肩：对热场的降温，晶体生长速度逐渐升高，加料速度进行适当的调整，在放肩加料量基础上增加0-100g/min；
等径：与采用RCZ或CZ晶体生长参数保持基本一致，等径前期0-200mm给定温度为1420℃-1480℃，并在前期进行降温处理；
收尾：加料量进行归零，晶体直径逐渐缩小，离开熔液。
进一步地，化料前期坩埚内硅料温度处于0-1460℃增长的过程中，化料中期维持化料温度在1460℃-1520℃的过程中，后期为硅料在埚内为半熔融状态。
进一步地，所述化料中期维持化料温度为1480℃-1500℃。
进一步地，所述稳定过程中，所述晶体晶转为8-12转，所述埚转为5-12转。
进一步地，所述稳定过程中，所述晶体晶转为10转，所述埚转为2-10转。
进一步地，所述稳定过程中，热场温度在1440℃-1460℃之间。
进一步地，所述稳定过程中，热场温度为1450℃。
进一步地，所述等径过程的降温处理，按正常RCZ晶体生长方法降温2-5℃；加料设备随拉速的高低进行相应的变化，加料量保持在20 g/min -200g/min。
进一步地，所述等径过程的降温处理，所述按正常RCZ晶体生长方法降温4℃；所述加料量保持在50 g/min -150g/min。
进一步地，所述等径过程的降温处理，所述加料量保持在100g/min。
本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的有益效果在于：与现有技术相比，本发明连续提拉单晶硅生长方法，可减少晶体生长埚内投料量，并实现了单晶炉的不间断加料，减少了二次加料时间，实现了晶体生长的连续性，可实现加料工序与晶体生长工序的同时进行，大幅度降低了晶体生长时间，增加了单位时间内的晶体生长产量，提升了晶体生长效率，降低了生产成本；同时，坩埚内部初始硅料重量少于RCZ晶体生长，并根据分凝系数，生产的晶体电阻率质量，高于RCZ生产方法；通过调整引颈、放肩、等径等生长的工艺参数，以及控制拉速和改善温度场等方法，解决了CCZ位错的产生难题，消除或降低内部缺陷，提高少子寿命，提高太阳能电池的转换效率，消除或降低对太阳能电池的不良影响。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
现对本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法进行说明。所述连续提拉单晶硅生长方法，包括化料、稳定、引颈、放肩、转肩、等径、收尾、稳定、引颈过程中的加料方法及加料量的控制；
各步骤工艺过程如下：
化料过程中加料设备处于稳定状态，化料过程包含对坩埚固有硅料加热及CCZ对坩埚进行再加料过程；
化料前期进行逐渐升功率进行加热，中期保持在稳定功率，后期化料功率需要进行降低；化料前期过程功率保持在晶体引颈状态增加10kw-20kw，并给定固定埚转，其埚转在1-5转之间；
化料前期为坩埚内硅料处于0-1460℃增长的过程中，中期为维持在化料温度在1460℃-1520℃的过程中，后期为硅料再埚内为半熔融状态；
化料后期需要降低加热工艺配方，注意加料速度及化料速度，功率降低到热场进行晶体引颈状态功率降低10kw至20kw，加料设备保持固定的加料状态，对坩埚内部的加料量为0-300g/min；
当硅料融化重量达到预定值后，停止进行加料；
稳定状态包含对单晶炉配方进行优化，优化包括对晶体晶转、埚转、热场温度的调整，晶体晶转为5-15转、埚转为2-15转，晶体晶转和埚转转动方向相反；热场温度调整为引颈温度，在1420℃-1480℃之间；加料设备保持待加料状态；
引颈过程为插入带有晶向的籽晶，引颈功率为55kw -65kw，并给定籽晶向上的力，晶体开始生长，并在生长过程中消除部分籽晶位错，有利于晶体按原子顺序生长，此过程加料设备停止加料；引颈功率可以为58 kw、60 kw、63 kw等。
放肩过程中规定固定配方，并将晶体生长速度进行降低至0.5 mm/min -1.5 mm/min之间，稳定拉速，并对热场温度逐渐降低，加料设备处于加料状态，加料量保持在0-200g/min之间固定数值，加料量逐渐进行增长；
转肩过程包含对热场的降温，晶体生长速度逐渐升高，加料速度进行适当的调整，在放肩加料量基础上增加0-100g/min。
等径过程中按RCZ或CZ晶体生长参数保持基本一致，等径前期0-200mm给定温度控制，给定温度为1420℃-1480℃，并在前期进行降温处理，按正常RCZ晶体生长方法降温2℃-5℃；加料设备随着拉速的高低进行相应的变化，加料量保持在20 g/min -200g/min。
收尾过程中将CCZ加料量进行归零，按正常收尾工艺进行收尾，保持加料设备稳定状态；
然后从引颈到收尾过程继续循环。
本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法，与现有技术相比，投料从前期到后期逐渐增加，可减少晶体生长坩埚内的投料量，同时实现了单晶炉的不间断加料，减少了二次加料时间，实现了晶体生长的连续性，实现了加料工序与晶体生长工序的同时进行，大幅度降低了晶体生长时间，增加了单位时间内的晶体生长产量，提升了晶体生长效率，降低了生产成本；同时，由于坩埚内环的设置，加料空间和晶体生长空间隔开，在晶体生长初期坩埚内部初始硅料重量少于RCZ晶体生长，并根据分凝系数，生产的晶体电阻率质量，高于RCZ生产方法；通过调整引颈、放肩、等径等生长的工艺参数，以及控制拉速和改善温度场等方法，减少位错的产生，达到控制位错密度的目的，消除或降低内部缺陷，提高少子寿命，提高太阳能电池的转换效率，消除或降低对太阳能电池的不良影响。通过以上工艺生产出的单晶硅，电阻率集中度上比较好，单晶电阻率控制在目标电阻率±0.1Ω·cm。例如，设定单晶头部电阻为1.5Ω·cm，单晶整体为1.4-1.6Ω·cm之间，而RCZ只有0.6-1.5Ω·cm之间。
其中，引颈是将籽晶快速往上提升，使长出的晶体直径缩小到一定的大小。引颈过程中，缓慢向熔体下降，避免热冲击，降至离熔体0.5～1mm处，等待1小时，待籽晶与熔体温度相近时，开始引颈。引颈的过程必须要进行“缩颈”，以减少籽晶的位错向晶体的扩展。
缩颈是生长到一定长度的缩小的细长颈晶体，以防止籽晶中的位错延伸到晶体中。
放肩：经“缩颈”一定长度后，开始缓慢放肩，将晶体控制到所需直径，要获得高品质的单晶，放肩的角度一定要小，肩型要缓，放肩角小于60度为好。
其中，本发明使用的坩埚是在RCZ单晶炉基础上的更改，包括单晶炉的改造和热场的改造。其中，坩埚包含外坩埚及内坩埚，内坩埚和外坩埚之间为加料空间，满足连续提拉法生长单晶硅对坩埚的加料，坩埚内环空间为晶体生长空间，外坩埚为盆型，内坩埚为环状，内坩埚放入到外坩埚当中，内坩埚上设有通料孔，使得内、外埚之间建立硅液流通通道，满足内环与外埚之间硅料的流通。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述化料中期维持化料温度为1480℃-1500℃。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述稳定过程中，所述晶体晶转为8-12转，所述埚转为5-12转。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述稳定过程中，晶体晶转为10转，埚转为2-10转。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述稳定过程中，热场温度在1440℃-1460℃之间。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述稳定过程中，热场温度为1450℃。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述等径过程的降温处理，按正常RCZ晶体生长方法降温2℃-5℃；加料设备随拉速的高低进行相应的变化，加料量保持在20g/min -200g/min。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述等径过程的降温处理，按正常RCZ晶体生长方法降温4℃；加料量保持在50 g/min -150g/min。
作为本发明提供的连续提拉单晶硅生长方法的一种具体实施方式，所述等径过程的降温处理，加料量保持在100g/min。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，包括：
化料：化料功率在前期进行逐渐升功率加热，中期保持在稳定功率，后期化料功率需要进行降低；化料功率在前期保持在高于晶体引颈功率10kw-20kw，给定固定埚转，埚转在1-5转之间；化料后期降低功率加热，化料功率低于热场晶体引颈功率10kw-20kw，加料设备保持固定的加料状态，对坩埚内部的加料量为0-300g/min；当硅料融化重量达到预定值后，停止进行加料；化料过程中加料设备处于稳定状态，化料过程包含对坩埚固有硅料加热及CCZ对坩埚进行再加料过程；
稳定：对晶体晶转、埚转、热场温度的调整，晶体晶转为5-15转，埚转为2-15转，晶体晶转和锅转的转动方向相反，热场温度调整为引颈温度，在1420℃-1480℃之间，加料设备保持加料状态；
引颈：引颈功率为55kw -65kw，引颈过程为插入带有晶向的籽晶，并给籽晶向上的力，晶体开始生长，使晶体按原子顺序生长，加料设备停止加料；
放肩：将晶体生长速度降低至0.5mm/min -1.5mm/min之间，稳定拉速，并对热场温度逐渐降低，加料设备处于加料状态，加料量保持在0-200g/min之间，加料量逐渐进行增长；
转肩：对热场的降温，晶体生长速度逐渐升高，加料速度进行适当的调整，在放肩加料量基础上增加0-100g/min；
等径：与采用RCZ或CZ晶体生长参数保持基本一致，等径前期0-200mm给定温度为1420℃-1480℃，并在前期进行降温处理；
收尾：加料量进行归零，晶体直径逐渐缩小，离开熔液；
然后从引颈到收尾过程继续循环。
2.如权利要求1所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，化料前期坩埚内硅料温度处于0-1460℃增长的过程中，化料中期维持化料温度在1460℃-1520℃的过程中，后期为硅料在埚内为半熔融状态。
3.如权利要求2所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述化料中期维持化料温度为1480℃-1500℃。
4.如权利要求1所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述稳定过程中，所述晶体晶转为8-12转，所述埚转为5-12转。
5.如权利要求1所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述稳定过程中，热场温度在1440℃-1460℃之间。
6.如权利要求5所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述稳定过程中，热场温度为1450℃。
7.如权利要求1所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述等径过程的降温处理，按正常RCZ晶体生长方法降温2℃-5℃；加料设备随拉速的高低进行相应的变化，加料量保持在20 g/min -200g/min。
8.如权利要求7所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述等径过程的降温处理，所述按正常RCZ晶体生长方法降温4℃；所述加料量保持在50 g/min -150g/min。
9.如权利要求8所述的连续提拉单晶硅生长方法，其特征在于，所述等径过程的降温处理，所述加料量保持在100g/min。
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Family Cites Families (9)
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| JPH042686A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH0416588A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-21 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 単結晶の製造方法及びその装置 |
| JP3769800B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2006-04-26 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 単結晶引上装置 |
| CN112680786B (zh) * | 2011-04-20 | 2023-11-28 | Gtat Ip控股有限责任公司 | 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统 |
| CN102242395A (zh) * | 2011-06-17 | 2011-11-16 | 常州天合光能有限公司 | 用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉 |
| CN102345157A (zh) * | 2011-10-09 | 2012-02-08 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种太阳能级直拉单晶硅的连续复投的生产方法 |
| CN104499048A (zh) * | 2014-12-07 | 2015-04-08 | 海安县石油科研仪器有限公司 | 一种连续加料的单晶硅生长工艺 |
| CN106591945B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-03-19 | 安徽电气集团股份有限公司 | 一种多晶硅复投方法 |
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- 2019-04-18 CN CN201910313320.5A patent/CN109972200B/zh not_active Expired - Fee Related
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