CN115058765A - 一种碳化硅复合基板的制造方法 - Google Patents
一种碳化硅复合基板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115058765A CN115058765A CN202210551939.1A CN202210551939A CN115058765A CN 115058765 A CN115058765 A CN 115058765A CN 202210551939 A CN202210551939 A CN 202210551939A CN 115058765 A CN115058765 A CN 115058765A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quality
- ingot
- crystal
- substrate
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 247
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 98
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 263
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 26
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板得到高质量晶锭；(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；(3)端面与支撑基板键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板。本发明提供的制造方法直接在晶锭的端面进行薄层转移，无需加工晶锭的外周，减少了晶锭切片的工序，提高了效率；而且，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至晶锭耗尽，单晶材料的损耗大大减少，降低了碳化硅复合基板的制造成本。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域，涉及一种碳化硅材料，尤其涉及一种碳化硅复合基板的制造方法。
背景技术
碳化硅单晶具有优异的物理性质，例如非常高的热和化学稳定性、高机械强度、高耐辐射强度、比Si高的击穿电压和高导热性。通过向碳化硅单晶添加合适的杂质，其容易提供p导电型半导体或n导电型半导体，6H-SiC单晶约有3.0eV左右的禁带宽度，4H-SiC单晶约有3.3eV左右的禁带宽度。因此，使用碳化硅单晶的半导体器件可以在高温、高压和高频操作条件下使用。
生长碳化硅单晶的典型方法包括物理气相传输法与液相生长法。物理气相传输法所得晶体中易产生多种类型的缺陷。液相生长法所得碳化硅晶体的缺陷较少，且能够生长大块单晶，但生长速率较低。
CN 101910476A公开了一种液相生长法制造碳化硅单晶的方法，所述方法通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In或Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30-70原子％，并且X的比例为1至25原子％。所述方法进行过程中，由Si、Cr和X组成的源材料充分熔融，并且C充分地从石墨坩埚融入到熔体中，使得由此产生的溶液中的碳浓度达到接近作为溶剂的熔体中碳化硅饱和浓度的水平，并且变得恒定。然后，使用于生长碳化硅的籽晶衬底与溶液接触，并且通过温度梯度法或控制加热装置的操作来冷却溶液，将籽晶衬底周围的溶液过冷却。其通过在溶液中元素的改进添加，提高了溶液法的制备速率，但在批次生产中的效率仍然偏低。
对此，需要提供一种高效率、低成本的碳化硅复合基板的制造方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法能够提高碳化硅复合基板的制造效率，并能够降低晶锭损耗，降低了碳化硅复合基板的制造成本。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板得到高质量晶锭；
(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；
(3)端面与支撑基板键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板；
所述低质量单晶基板的螺型位错密度≥3000/cm2，刃型位错密度≥10000/cm2，基面位错密度≥2000/cm2；
所述高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2。
本发明提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
本发明所述低质量单晶基板包括6H-SiC和/或4H-SiC。
本发明所述低质量单晶基板的螺型位错密度≥3000/cm2，例如可以是3000/cm2、3200/cm2、3500/cm2、3600/cm2、4000/cm2、5000/cm2、6000/cm2或8000/cm2，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述低质量单晶基板的刃型位错密度≥10000/cm2，例如可以是10000/cm2、11000/cm2、12000/cm2、13000/cm2、14000/cm2或15000/cm2，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述低质量单晶基板的基面位错密度≥2000/cm2，例如可以是2000/cm2、2500/cm2、3000/cm2、3500/cm2、4000/cm2、4500/cm2或5000/cm2，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述低质量单晶基板包括较多的螺型位错、刃型位错以及基面位错，直接作为废料会造成材料的浪费，回收再制备也会产生回收的成本。本发明以低质量单晶作为基板，在其基础上进行高质量晶锭的制备，实现了低质量单晶的再利用；且所述碳化硅复合基板制备过程中产生的低质量单晶可以作为生长高质量晶锭的种子基板使用。
本发明所述高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，例如可以是100/cm2、120/cm2、150/cm2、160/cm2、180/cm2或200/cm2，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述高质量晶锭的刃型位错密度≤1000/cm2，例如可以是100/cm2、200/cm2、300/cm2、400/cm2、500/cm2、600/cm2、700/cm2、800/cm2、900/cm2或1000/cm2，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述高质量晶锭的基面位错密度≤200/cm2，例如可以是50/cm2、60/cm2、80/cm2、100/cm2、120/cm2、150/cm2、160/cm2、180/cm2或200/cm2，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
溶液生长法能够降低所得单晶中的螺型位错、刃型位错与基面位错，本发明不对溶液生长法的具体参数做过多限定，只要使所得高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2即可。
优选地，步骤(1)所述高质量晶锭的厚度为5-100mm，例如可以是5mm、10mm、20mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm、80mm、90mm或100mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述高质量晶锭的直径≥低质量单晶基板的直径，当高质量晶锭的直径>低质量单晶基板的直径时，即可以用小直径的低质量单晶基板得到大直径的高质量晶锭，降低成本。
本发明步骤(1)所述溶液生长法所用溶液中包括助熔元素，本发明所述溶液生长法所用溶液中包括晶锭生长所需要的Si元素与C元素，本发明不对Si元素与C元素的含量做过多限定，只要能够使所得高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2即可；所述助熔元素的添加便于石墨坩埚中碳的溶解，提高溶液生长法制备高质量晶锭的效率。
示例性的，所述助熔元素包括Ti、Cr、Sc、Ni、Co、Mn、Mg、Ge、As、B、Dy、Y、Nb、Nd、Fe、Al、Pr、Ce、La或Tb中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括Ti与Cr的组合，Sc与Cr的组合，Co与Mn的组合，Mg与Ge的组合，As与B的组合，Dy与Y的组合，Nb与Nd的组合，Fe与Al的组合，Pr与Ce的组合，La与Tb的组合，Ti、Cr与Sc的组合，Ni、Co与Mn的组合，Mg、Ge与As的组合，B、Dy与Y的组合，Nb、Nd与Fe的组合，Al、Pr、Ce、La与Tb的组合，Ti、Cr、Sc、Ni、Co、Mn与Mg的组合，Ge、As、B、Dy、Y、Nb与Nd的组合，Fe、Al、Pr、Ce、La与Tb的组合，或Ti、Cr、Sc、Ni、Co、Mn、Mg、Ge、As、B、Dy、Y、Nb、Nd、Fe、Al、Pr、Ce、La与Tb的组合。
本发明步骤(1)所述溶液生长法进行时，溶液的温度为1200-2200℃，例如可以是1200℃、1300℃、1400℃、1500℃、1600℃、1700℃、1800℃、1900℃、2000℃、2100℃或2200℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用，所述溶液的温度为溶液的平均温度。
优选地，步骤(1)所述由低质量单晶基板得到高质量晶锭包括：由低质量单晶基板的表面依次生长过渡晶体与高质量晶锭。
所述过渡晶体的厚度为1-10mm，例如可以是1mm、2mm、3mm、4mm、5mm、6mm、7mm、8mm、9mm或10mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述过渡晶体的生长过程中，晶体内部的缺陷密度不断降低至符合高质量晶锭的生长要求。所述过渡晶体的直径≥低质量单晶基板的直径，当过渡晶体的直径与低质量单晶基板的直径相等时，低质量单晶基板、过渡晶体与高质量晶锭的直径相等；当过渡晶体的直径>低质量单晶基板的直径时，过渡晶体生长过程中直径不断提高，而后进行高质量晶锭的生长。
优选地，得到高质量晶锭后，使高质量晶锭与过渡晶体分离。
本发明提供的制造方法，在得到高质量晶锭后，直接在高质量晶锭的端面处进行离子注入；或在高质量晶锭后将高质量晶锭与过渡晶体进行分离，而后对高质量晶锭的两个端面的任意一面进行离子注入。
需要指出的是，选择远离过渡晶体的端面或者靠近过渡晶体的端面进行高质量单晶薄层的转移，会影响复合基板上的高质量单晶薄层的外表面属性。低质量单晶基板分为Si面和C面，若选择低质量单晶基板的Si面生长过渡晶体与高质量晶锭，则在远离过渡晶体的端面进行转移得到的碳化硅复合基板中，高质量单晶薄层的外表面为C面；在靠近过渡晶体的端面进行转移得到的碳化硅复合基板中，高质量单晶薄层的外表面为Si面。
若选择低质量单晶基板的C面生长过渡晶体与高质量晶锭，则在远离过渡晶体的端面进行转移得到的碳化硅复合基板中，高质量单晶薄层的外表面为Si面；在靠近过渡晶体的端面进行转移得到的碳化硅复合基板中，高质量单晶薄层的外表面为C面。
优选地，步骤(2)所述离子注入所用离子包括氢离子和/或氦离子。
优选地，步骤(2)所述弱化层与端面的距离为0.1-10μm，例如可以是0.1μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述弱化层与端面之间的区域为高质量单晶薄层，弱化层与端面的距离对应高质量单晶薄层的厚度。本发明通过本领域常规离子注入的方法，可实现厚度为0.1-10μm的高质量单晶薄层的制备。
本发明提供的制造方法在进行步骤(3)所述键合之前，需要使端面与支撑基板的粗糙度符合键合要求。若端面或支撑基板的键合面不符合键合要求，则进行本领域常规的表面处理。
优选地，步骤(3)所述端面的粗糙度为0.05-1nm，例如可以是0.05nm、0.1nm、0.2nm、0.3nm、0.4nm、0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm或1nm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm，例如可以是0.05nm、0.1nm、0.2nm、0.3nm、0.4nm、0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm或1nm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述支撑基板的键合面尺寸小于端面的尺寸。
本发明所述支撑基板的直径小于端面的直径，键合后施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，将高质量单晶薄层转移至支撑基板，高质量单晶薄层的直径大于支撑基板的直径，使转移后的碳化硅单晶薄层完全覆盖支撑基板。高质量单晶薄层包括与支撑基板连接圆形部分，以及未与支撑基板连接的环状部分，圆形部分与支撑基板组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层的厚度较薄，环状部分无法保持稳定的形态，容易在外力作用下去除。
本发明不对支撑基板的材质做进一步限定，示例性的，所述支撑基板包括低质量碳化硅单晶和/或低质量碳化硅多晶，以降低所述碳化硅复合基板的制造成本。
优选地，步骤(3)所述键合之前，对端面以及支撑基板的键合面分别独立地进行照射。
本发明步骤(3)所述键合在真空条件下进行，通过粒子照射或光子照射，能够去除键合面存在的氧化层与吸附层，使价键露出，从而使键合面的表面保持活性，便于键合的顺利进行。
优选地，步骤(3)所述键合的温度≤100℃，例如可以是20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃或100℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述施加应力的方法包括热处理或机械分离。
优选地，步骤(3)所述高质量晶锭沿弱化层裂开后的残留晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭厚度≤100μm，例如可以是50μm、60μm、70μm、80μm、90μm或100μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明提供的制造方法，在步骤(3)中施加应力，使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本。
优选地，步骤(1)所得高质量晶锭分割得到分割晶锭，用于碳化硅复合基板的制造。
作为本发明提供制造方法的可选方案，在溶液生长法得到高质量晶锭后，可将高质量晶锭进行分割，利用分割后的晶锭进行碳化硅复合基板的制备，从而提高了碳化硅复合基板的制备效率，同时降低了晶锭厚度过大对键合质量的负面影响。
优选地，所述分割晶锭的厚度为0.2-5mm，例如可以是0.2mm、0.5mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明所述制造方法的优选技术方案，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板的表面依次生长过渡晶体与高质量晶锭；所述过渡晶体的厚度为1-10mm；
(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；所述弱化层与端面的距离为0.1-10μm；
(3)粗糙度为0.05-1nm的端面与粗糙度为0.05-1nm的支撑基板在≤100℃的条件下键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板；所述支撑基板的键合面尺寸小于端面的尺寸；
所述低质量单晶基板的螺型位错密度≥3000/cm2，刃型位错密度≥10000/cm2，基面位错密度≥2000/cm2；
所述高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本；
(2)本发明以低质量单晶作为基板，在其基础上进行高质量晶锭的制备，实现了低质量单晶的再利用；且所述碳化硅复合基板制备过程中产生的低质量单晶可作为生长高质量晶锭的种子基板使用。
附图说明
图1与图2为实施例1提供的碳化硅复合基板的制造方法示意图；
图3为实施例2提供的碳化硅复合基板的制造方法示意图；
图4为实施例3提供的碳化硅复合基板的制造方法示意图；
图5为实施例4提供的碳化硅复合基板的制造方法示意图。
其中：11，低质量单晶基板；12，过渡晶体；13，高质量晶锭；130，高质量单晶薄层；1300，圆形部分；1300`，环状部分；14，分割晶锭；200，支撑基板；300，弱化层。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明具体实施方式中，晶体缺陷密度采用熔融KOH腐蚀后，利用光学显微镜观察的方法进行统计，实施例中高质量晶锭满足螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2。
实施例1
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板11的表面依次生长厚度为5mm的过渡晶体12与厚度为50mm的高质量晶锭13；过渡晶体12生长过程中直径不断提高，同时其中的缺陷密度降低至符合生长高质量晶锭13的要求，而后进行高质量晶锭13的生长；控制溶液生长法参数使高质量晶锭13的螺型位错密度为121/cm2、刃型位错密度为578/cm2且基面位错密度为107/cm2；溶液生长法生长晶体时的溶液温度约为1600℃；
(2)高质量晶锭13的端面处进行氢离子注入，形成弱化层300，弱化层300与端面之间为厚度5μm的高质量单晶薄层130(参见图1)；
(3)对端面以及支撑基板200的键合面分别独立地进行照射，然后使端面与支撑基板200在70℃进行键合；支撑基板200的直径小于端面的直径，键合后施加热应力使高质量晶锭13沿弱化层300裂开，将高质量单晶薄层130转移至支撑基板200，高质量单晶薄层130的直径大于支撑基板200的直径；高质量单晶薄层130包括与支撑基板200连接圆形部分1300，以及未与支撑基板200连接的环状部分1300`，圆形部分1300与支撑基板200组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层130的厚度较薄，环状部分1300`无法保持稳定的形态，实现对环状部分1300`的去除(参见图2)。
步骤(3)所述端面的粗糙度需要满足0.05-1nm，支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm，若不满足粗糙度要求，则进行本领域常规的表面处理。
所述低质量单晶基板11满足螺型位错密度为5226/cm2、刃型位错密度为15378/cm2且基面位错密度为4199/cm2。
本实施例步骤(3)中使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
实施例2
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板11的表面依次生长厚度为1mm的过渡晶体12与厚度为5mm的高质量晶锭13；过渡晶体12生长过程中直径不断提高，同时其中的缺陷密度降低至符合生长高质量晶锭13的要求，而后进行高质量晶锭13的生长；控制溶液生长法参数使高质量晶锭13的螺型位错密度为197/cm2、刃型位错密度为979/cm2且基面位错密度为189/cm2；溶液生长法生长晶体时的溶液温度约为1200℃；
(2)高质量晶锭13的端面处进行氢离子注入，形成弱化层300，弱化层300与端面之间为厚度1μm的高质量单晶薄层130；
(3)对端面以及支撑基板200的键合面分别独立地进行照射，然后使端面与支撑基板200在100℃进行键合；支撑基板200的直径小于端面的直径，键合后施加热应力使高质量晶锭13沿弱化层300裂开，将高质量单晶薄层130转移至支撑基板200，高质量单晶薄层130的直径大于支撑基板200的直径；高质量单晶薄层130包括与支撑基板200连接圆形部分1300，以及未与支撑基板200连接的环状部分1300`，圆形部分1300与支撑基板200组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层130的厚度较薄，环状部分1300`无法保持稳定的形态，实现对环状部分1300`的去除。
步骤(3)所述端面的粗糙度需要满足0.05-1nm，支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm，若不满足粗糙度要求，则进行本领域常规的表面处理。
所述低质量单晶基板11满足螺型位错密度为3089/cm2、刃型位错密度为10977/cm2且基面位错密度为2106/cm2。
本实施例步骤(3)中使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
实施例3
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板11的表面依次生长厚度为10mm的过渡晶体12与厚度为100mm的高质量晶锭13；过渡晶体12生长过程中直径不断提高，同时其中的缺陷密度降低至符合生长高质量晶锭13的要求，而后进行高质量晶锭13的生长；控制溶液生长法参数使高质量晶锭13的螺型位错密度为156/cm2、刃型位错密度为886/cm2且基面位错密度为158/cm2；溶液生长法生长晶体时的溶液温度约为2200℃；
(2)高质量晶锭13的端面处进行氢离子注入，形成弱化层300，弱化层300与端面之间为厚度5μm的高质量单晶薄层130；
(3)对端面以及支撑基板200的键合面分别独立地进行照射，然后使端面与支撑基板200在30℃进行键合；支撑基板200的直径小于端面的直径，键合后施加热应力使高质量晶锭13沿弱化层300裂开，将高质量单晶薄层130转移至支撑基板200，高质量单晶薄层130的直径大于支撑基板200的直径；高质量单晶薄层130包括与支撑基板200连接圆形部分1300，以及未与支撑基板200连接的环状部分1300`，圆形部分1300与支撑基板200组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层130的厚度较薄，环状部分1300`无法保持稳定的形态，实现对环状部分1300`的去除。
步骤(3)所述端面的粗糙度需要满足0.05-1nm，支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm，若不满足粗糙度要求，则进行本领域常规的表面处理。
所述低质量单晶基板11满足螺型位错密度为4258/cm2、刃型位错密度为12881/cm2且基面位错密度为3702/cm2。
本实施例步骤(3)中使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
实施例4
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板11的表面依次生长厚度为5mm的过渡晶体12与厚度为50mm的高质量晶锭13，低质量单晶基板11、过渡晶体12与高质量晶锭13的直径相等；控制溶液生长法参数使高质量晶锭13的螺型位错密度为129/cm2、刃型位错密度为553/cm2且基面位错密度为153/cm2；溶液生长法生长晶体时的溶液温度约为1600℃；
(2)高质量晶锭13的端面处进行氦离子注入，形成弱化层300，弱化层300与端面之间为厚度3μm的高质量单晶薄层130(参见图3)；
(3)对端面以及支撑基板200的键合面分别独立地进行照射，然后使端面与支撑基板200在70℃进行键合；支撑基板200的直径小于端面的直径，键合后施加热应力使高质量晶锭13沿弱化层300裂开，将高质量单晶薄层130转移至支撑基板200，高质量单晶薄层130的直径大于支撑基板200的直径；高质量单晶薄层130包括与支撑基板200连接圆形部分1300，以及未与支撑基板200连接的环状部分1300`，圆形部分1300与支撑基板200组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层130的厚度较薄，环状部分1300`无法保持稳定的形态，实现对环状部分1300`的去除。
步骤(3)所述端面的粗糙度需要满足0.05-1nm，支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm，若不满足粗糙度要求，则进行本领域常规的表面处理。
所述低质量单晶基板11满足螺型位错密度为5376/cm2、刃型位错密度为15459/cm2且基面位错密度为4855/cm2。
本实施例步骤(3)中使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
实施例5
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板11的表面依次生长厚度为5mm的过渡晶体12与厚度为50mm的高质量晶锭13，然后将高质量晶锭13与过渡晶体12分离；过渡晶体12生长过程中直径不断提高，同时其中的缺陷密度降低至符合生长高质量晶锭13的要求，而后进行高质量晶锭13的生长；控制溶液生长法参数使高质量晶锭13的螺型位错密度为176/cm2、刃型位错密度为479/cm2且基面位错密度为98/cm2；溶液生长法生长晶体时的溶液温度约为1600℃；
(2)高质量晶锭13的远离过渡晶体12的端面处进行氢离子注入，形成弱化层300，弱化层300与远离过渡晶体12的端面之间为厚度5μm的高质量单晶薄层130(参见图4)；
(3)对远离过渡晶体12的端面以及支撑基板200的键合面分别独立地进行照射，然后使远离过渡晶体12的端面与支撑基板200在70℃进行键合；支撑基板200的直径小于端面的直径，键合后施加热应力使高质量晶锭13沿弱化层300裂开，将高质量单晶薄层130转移至支撑基板200，高质量单晶薄层130的直径大于支撑基板200的直径；高质量单晶薄层130包括与支撑基板200连接圆形部分1300，以及未与支撑基板200连接的环状部分1300`，圆形部分1300与支撑基板200组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层130的厚度较薄，环状部分1300`无法保持稳定的形态，实现对环状部分1300`的去除。
步骤(3)所述端面的粗糙度需要满足0.05-1nm，支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm，若不满足粗糙度要求，则进行本领域常规的表面处理。
所述低质量单晶基板11满足螺型位错密度为6013/cm2、刃型位错密度为17511/cm2且基面位错密度为5136/cm2。
本实施例步骤(3)中使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
实施例6
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，与实施例5相比，除了在靠近过渡晶体12的端面进行离子注入以及键合外，其余均与实施例5相同。
本实施例步骤(3)中使高质量晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
实施例7
本发明提供了一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板11的表面依次生长厚度为5mm的过渡晶体12与厚度为50mm的高质量晶锭13；将高质量晶锭13分割得到厚度为2mm的若干分割晶锭14；过渡晶体12生长过程中直径不断提高，同时其中的缺陷密度降低至符合生长高质量晶锭13的要求，而后进行高质量晶锭13的生长；控制溶液生长法参数使高质量晶锭13的螺型位错密度为117/cm2、刃型位错密度为608/cm2且基面位错密度为133/cm2；溶液生长法生长晶体时的溶液温度约为1600℃(参见图5)；
(2)分割晶锭14的端面处进行氢离子注入，形成弱化层300，弱化层300与端面之间为厚度3μm的高质量单晶薄层130；
(3)对端面以及支撑基板200的键合面分别独立地进行照射，然后使端面与支撑基板200在70℃进行键合；支撑基板200的直径小于端面的直径，键合后施加热应力使高质量晶锭13沿弱化层300裂开，将高质量单晶薄层130转移至支撑基板200，高质量单晶薄层130的直径大于支撑基板200的直径；高质量单晶薄层130包括与支撑基板200连接圆形部分1300，以及未与支撑基板200连接的环状部分1300`，圆形部分1300与支撑基板200组合为所述碳化硅复合基板；由于高质量单晶薄层130的厚度较薄，环状部分1300`无法保持稳定的形态，实现对环状部分1300`的去除。
所述低质量单晶基板11满足螺型位错密度为5990/cm2、刃型位错密度为15754/cm2且基面位错密度为4975/cm2。
本实施例步骤(3)中使分割晶锭中的高质量单晶薄层沿弱化层与晶锭分离，剩余的晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭的厚度≤100μm，不再满足工艺要求，从而实现了批量化制造碳化硅复合基板。剩余的晶锭加工成低质量单晶基板后，可以作为生长高质量晶锭的种子基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的制造成本；
本实施例提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
与实施例1相比，本实施例将高质量晶锭进行分割，利用分割后的晶锭进行碳化硅复合基板的制备，从而提高了碳化硅复合基板的制备效率，同时降低了晶锭厚度过大对键合质量的负面影响。
综上所述，本发明提供的制造方法能够对低质量单晶基板进行再利用，减少了材料的损耗；而且，通过一次性生成厚度足够的高质量晶锭，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至高质量晶锭耗尽，因而，降低了单晶材料的损耗，降低了碳化硅复合基板的生产成本；本发明以低质量单晶作为基板，在其基础上进行高质量晶锭的制备，实现了低质量单晶的再利用；且所述碳化硅复合基板制备过程中产生的低质量单晶可以作为生长高质量晶锭的种子基板使用。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种碳化硅复合基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板得到高质量晶锭；
(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；
(3)端面与支撑基板键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板；
所述低质量单晶基板的螺型位错密度≥3000/cm2，刃型位错密度≥10000/cm2，基面位错密度≥2000/cm2；
所述高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(1)所述高质量晶锭的厚度为5-100mm。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(1)所述由低质量单晶基板得到高质量晶锭包括：由低质量单晶基板的表面依次生长过渡晶体与高质量晶锭；所述过渡晶体的厚度为1-10mm。
4.根据权利要求1或3所述的制造方法，其特征在于，得到高质量晶锭后，使高质量晶锭与过渡晶体分离。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(2)所述弱化层与端面的距离为0.1-10μm。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(3)所述端面的粗糙度为0.05-1nm；
步骤(3)所述支撑基板的键合面粗糙度为0.05-1nm；
步骤(3)所述支撑基板的键合面尺寸小于端面的尺寸。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(3)所述键合之前，对端面以及支撑基板的键合面分别独立地进行照射。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(3)所述高质量晶锭沿弱化层裂开后的残留晶锭重复进行步骤(2)与步骤(3)，直至晶锭厚度≤100μm。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(1)所得高质量晶锭分割得到分割晶锭，用于碳化硅复合基板的制造。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板的表面依次生长过渡晶体与高质量晶锭；所述过渡晶体的厚度为1-10mm；
(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；所述弱化层与端面的距离为0.1-10μm；
(3)粗糙度为0.05-1nm的端面与粗糙度为0.05-1nm的支撑基板在≤100℃的条件下键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板；所述支撑基板的键合面尺寸小于端面的尺寸；
所述低质量单晶基板的螺型位错密度≥3000/cm2，刃型位错密度≥10000/cm2，基面位错密度≥2000/cm2；
所述高质量晶锭的螺型位错密度≤200/cm2，刃型位错密度≤1000/cm2，基面位错密度≤200/cm2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210551939.1A CN115058765B (zh) | 2022-05-18 | 2022-05-18 | 一种碳化硅复合基板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210551939.1A CN115058765B (zh) | 2022-05-18 | 2022-05-18 | 一种碳化硅复合基板的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115058765A true CN115058765A (zh) | 2022-09-16 |
| CN115058765B CN115058765B (zh) | 2024-06-28 |
Family
ID=83199339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210551939.1A Active CN115058765B (zh) | 2022-05-18 | 2022-05-18 | 一种碳化硅复合基板的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115058765B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115261992A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-11-01 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用 |
| CN116084011A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种碳化硅复合衬底及其制造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010070424A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Tokyo Denpa Co Ltd | 高抵抗率高純度酸化亜鉛単結晶の製造方法 |
| JP2014009115A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Toyota Industries Corp | 基板製造方法 |
| US20210108334A1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-15 | Denso Corporation | Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer |
| WO2021105575A1 (fr) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Soitec | Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic cristallin |
| CN112930422A (zh) * | 2018-09-21 | 2021-06-08 | 东洋炭素株式会社 | 器件制作用晶圆的制造方法 |
| CN113658850A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-11-16 | 华为技术有限公司 | 复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备 |
| CN114262936A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-01 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 碳化硅单晶生长方法及裂纹闭合生长方法 |
-
2022
- 2022-05-18 CN CN202210551939.1A patent/CN115058765B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010070424A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Tokyo Denpa Co Ltd | 高抵抗率高純度酸化亜鉛単結晶の製造方法 |
| JP2014009115A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Toyota Industries Corp | 基板製造方法 |
| CN112930422A (zh) * | 2018-09-21 | 2021-06-08 | 东洋炭素株式会社 | 器件制作用晶圆的制造方法 |
| US20210108334A1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-15 | Denso Corporation | Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer |
| WO2021105575A1 (fr) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Soitec | Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic cristallin |
| CN113658850A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-11-16 | 华为技术有限公司 | 复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备 |
| CN114262936A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-01 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 碳化硅单晶生长方法及裂纹闭合生长方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 孟大磊;李璐杰;张政;: "PVT法碳化硅晶体生长热应力分析", 材料研究与应用, no. 03, pages 15 - 19 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115261992A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-11-01 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用 |
| CN116084011A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种碳化硅复合衬底及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115058765B (zh) | 2024-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115058765B (zh) | 一种碳化硅复合基板的制造方法 | |
| KR20130137247A (ko) | 탄화규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 | |
| JP6537590B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| TWI410537B (zh) | Silicon carbide single crystal wafer and its manufacturing method | |
| EP3045571B1 (en) | Method for producing sic single crystal | |
| TW471052B (en) | Silicon focus ring and its manufacturing method | |
| US9732436B2 (en) | SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same | |
| KR20050121677A (ko) | 실리콘 웨이퍼, ｓｏｉ 기판, 실리콘 단결정 육성 방법, 실리콘 웨이퍼 제조 방법 및 ｓｏｉ 기판 제조 방법 | |
| WO2014061337A1 (ja) | ナノカーボン膜の作製方法及びナノカーボン膜 | |
| KR101152857B1 (ko) | 탄화규소 단결정의 성장방법 | |
| EP3926079A1 (en) | Silicon carbide ingot, wafer, method for producing a silicon carbide ingot, and method for manufacturing a wafer | |
| JP2006290705A (ja) | 炭化珪素単結晶の焼鈍方法及び炭化珪素単結晶ウェハ | |
| CN116084011A (zh) | 一种碳化硅复合衬底及其制造方法 | |
| JP7235318B2 (ja) | 少量のバナジウムをドーピングした半絶縁炭化ケイ素単結晶、基板、製造方法 | |
| WO2009107188A1 (ja) | 単結晶ＳｉＣの成長方法 | |
| EP3666935B1 (en) | High-purity silicon carbide single crystal substrate and preparation method therefor | |
| CN114481307B (zh) | 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用 | |
| JP5135545B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット育成用種結晶及びその製造方法 | |
| CN111575801B (zh) | 一种制备方法和晶片生长原料 | |
| CN113322520A (zh) | 晶片及其制造方法 | |
| JP2010280546A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| KR102672043B1 (ko) | 탄화규소 재생 방법 및 이를 이용한 단결정 탄화규소의 제조 방법 | |
| CN106968013B (zh) | 一种制备铱单晶的方法 | |
| JP2022147882A (ja) | Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板と、Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法 | |
| JP2018188330A (ja) | ＳｉＣ単結晶基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |