JP2020503670A5 - - Google Patents

Claims (32)

1. 所定の圧力条件を含む所定の条件下で動作する真空プラズマ処理用に構成された真空プラズマ処理装置であって、
   真空受容器（３）を含み、
   前記受容器（３）が、ポンピングポート（１３）を含むポンピング室（５）と、処理室（７）とに細分され、前記室（５、７）が、側板又はリム（９）によって分離され、前記側板又はリム（９）が、前記処理室（７）への加工対象物のアクセス開口（５５）を画定するフレーム（５７）を保持し、前記フレーム（５７）が、前記ポンピング室（５）と前記処理室（７）との間に隙間（１１）を相互に画定する多数のスポーク（１２）を用いて前記側板又はリム（９）によって保持され、前記隙間が、動作中にプラズマが前記所定のエッチング条件でその中で燃焼しないように調整され、前記フレーム（５７）が熱負荷の下で自由に伸縮し得るような方式で、前記フレーム（５７）が、前記スポークを用いて前記リム又は側板によって保持される、真空プラズマ処理装置。
2. 前記スポークが、圧縮性部材及び／又は屈曲性部材として構成されている、請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
3. 真空プラズマエッチング装置である、請求項１又は２に記載の真空プラズマ処理装置。
4. 容量結合ＲＦ真空プラズマエッチング装置である、請求項１から３の何れか一項に記載の真空処理装置。
5. 前記真空受容器（３）内に、第１の電極構成（２９）と前記第１の電極構成に面する第２の電極構成（４５、１９ｃ、９）とからなる１つの電極構成と単に動作的に接触するプラズマ空間と、
   前記プラズマ空間（ＰＬ）に露出される第１の電極表面（３１ｉ）を画定する前記第１の電極構成（２９）と、
   前記プラズマ空間（ＰＬ）に露出される第２の電極表面（９ｉ、１９ｉ）を画定し、加工対象物支持体（１９ｃ）の前記表面（１９ｉ）を含む、前記第２の電極構成（４５）と、
   を備え、
   前記第１の電極表面が、前記第２の電極表面より大きく、
   前記第１の電極構成が、整合器装置（３９）を介してＲｆ発生装置（３７）の出力装置（４０）に電気的に接続され、前記Ｒｆ発生装置が、プラズマ供給Ｒｆ信号を発生するように構成される、請求項４に記載の真空プラズマ処理装置。
6. 前記Ｒｆ発生装置（３７）が、前記出力装置（４０）に超高周波数（ｖｈｆ）の少なくとも１つの第１のプラズマ供給信号を生成し、前記出力装置（４０）に前記超高周波数より低い高周波数（ｈｆ）の少なくとも１つの第２のプラズマ供給信号を生成するように構成され、
   前記第１の電極構成（２９、３１、５０）が、前記整合器装置（３９）を介して前記出力装置（４０）に電気的に接続され、動作中に、前記第１及び第２のプラズマ供給信号によって電気的に供給され、
   前記第２の電極構成（４５）が、少なくともエッチング動作中に、システム接地タブ（２３、１０２３）に電気的に接続されている、請求項５に記載の真空プラズマ処理装置。
7. 前記第１の電極構成（２９、３１、５０）が、前記プラズマ空間（ＰＬ）に自由に露出される周囲表面（５０ｉ）を有する金属体（５０）を含み、前記周囲表面（５０ｉ）が、前記第１の電極表面の一部である、請求項５又は６に記載の真空プラズマ処理装置。
8. 前記金属体が、動作中に前記所定の条件においてプラズマが前記貫通開口及び／又は貫通スリット内で燃焼するように調整された貫通開口及び／又は貫通スリットのパターンを含む、請求項７に記載の真空プラズマ処理装置。
9. 前記第１の電極表面が、第１の平面に沿って延びる第１の表面領域と、第２の平面に沿って延びる第２の表面領域とを含み、前記第１及び第２の表面領域が、動作中にプラズマが前記所定の条件において間隙内で間隙に沿って燃焼するように調整された前記間隙を画定し、好ましくは、前記間隙が、できるだけ狭くなるようになる、請求項５から８の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
10. 前記第２の電極表面が、第３の平面に沿って延びる表面領域を含み、前記第１、第２及び第３の平面が、平行平面である、請求項９に記載の真空プラズマ処理装置。
11. 前記金属体（５０）がプレートである、請求項７から１０の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
12. 前記プラズマ空間（ＰＬ）に自由に露出され、浸される前記金属体（５０）の前記周囲表面（５０ｉ）の第１の部分と、前記第１の部分に面する、前記第１の電極表面の第２の部分との間の間隔が、１０ｍｍから４０ｍｍ、好ましくは２０ｍｍである、
    請求項７から１１の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
13. 前記加工対象物支持体に面する前記第１の電極表面の大部分と、前記加工対象物支持体の表面の大部分との間の間隔が、４０ｍｍから８０ｍｍ、好ましくは６５ｍｍである、請求項７から１２の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
14. 前記Ｒｆ発生装置（３７）が、局所的に異なる２つ以上の接点（Ｃ、Ｅ）で前記第１の電極構成（２９）に接続されている、請求項５から１３の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
15. 前記第１のプラズマ供給信号（ｖｈｆ）と前記第２のプラズマ供給信号（ｈｆ）とが、局所的に異なる接点（Ｃ、Ｅ）で前記第１の電極構成（２９）に接続されている、請求項６から１４の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
16. １０ ＭＨｚ ≦ ｆ_ｖｈｆ ≦ ４００ ＭＨｚ、
    又は、
    １０ ＭＨｚ ≦ ｆ_ｖｈｆ ≦ ３００ ＭＨｚ、
    又は、
    ２０ ＭＨｚ ≦ ｆ_ｖｈｆ ≦ ３００ ＭＨｚ、
    又は、
    ２０ ＭＨｚ ≦ ｆ_ｖｈｆ ≦ １００ ＭＨｚ、
    及び、
    ０．０１ ｆ_ｖｈｆ ≦ ｆ_ｈｆ ≦ ０．５ ｆ_ｖｈｆ、
    又は、
    ０．０５ ｆ_ｖｈｆ ≦ ｆ_ｈｆ ≦ ０．５ ｆ_ｖｈｆ
    が成立し、
    ｆ_ｈｆが、前記高周波数供給信号の周波数であり、ｆ_ｖｈｆが、前記超高周波数供給信号の周波数である、請求項６から１５の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
17. 前記フレームに向かって及び前記フレームから駆動可能な加工対象物支持体（１９ｃ）を備える、請求項１から１６の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
18. 加工対象物支持体を含み、前記加工対象物支持体（１９ｃ）が、前記加工対象物のアクセス開口の軸の方向に、前記処理室に向かって及び前記処理室から駆動可能である、請求項１から１７の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
19. 加工対象物支持体を含み、前記加工対象物支持体（１９ｃ）が、前記加工対象物のアクセス開口の軸の方向に前記処理室に向かって及び前記処理室から移動可能ではない、請求項１から１７の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
20. 加工対象物支持体を含み、前記加工対象物支持体（１９ｃ）が、前記加工対象物のアクセス開口の軸の方向に前記処理室に向かって及び前記処理室から移動可能ではなく、前記第１の電極構成（２９）が、加工対象物を搬入／搬出するための、駆動可能である扉（３１ｄ）を含む、請求項５から１７の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
21. 搬入／搬出位置から処理位置へ及びその逆に駆動可能である加工対象物支持体を含み、前記フレームが、前記処理位置における前記加工対象物支持体（１９ｃ）上の加工対象物又は基板（４７）のための下降保持部材として作用する、請求項１から２０の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
22. 前記スポークの少なくとも一部が、各々長さ範囲の方向を定義し、前記長さ範囲のそれぞれの方向が、それぞれのスポーク固定の中心で前記フレーム上の接線と角度αで交差し、９０°＞α≧０°が成立し、これらのスポークが屈曲性部材であるように前記フレームに取り付けられる、請求項１から２１の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
23. 前記スポークの少なくとも一部が、各々長さ範囲の方向を定義し、前記長さ範囲のそれぞれの方向が、それぞれのスポーク固定の中心で前記フレーム上の接線と角度αで交差し、α＝９０°が成立し、これらのスポークが圧縮性部材であるように前記フレームに取り付けられる、請求項１から２１の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
24. 加工対象物支持体を含み、前記加工対象物支持体が、搬入／搬出位置から処理位置へ及びその逆に駆動可能であり、下降保持部材（５７）が、前記エッチング室に露出される加工対象物又は基板の表面の周囲にそれに沿って前記処理位置において前記加工対象物支持体（１９ｃ）に前記加工対象物又は基板を保持するように構成され、前記加工対象物支持体（１９ｃ）が、液体の加熱又は冷却媒体を受容するように構成された流路構成（２０）、及び、熱伝導気体を受容するように構成された更なる流路構成を備え、前記加工対象物又は基板に対する前記加工対象物支持体の支持体表面に穴及び／又はスリットパターンによって放出する、請求項１から２３の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
25. 前記更なる流路構成及び前記支持体表面に放出する穴及び／又はスリットのパターンが、前記支持体表面と基板又は加工対象物との間の空間の周囲に沿って、前記空間のより中央部内でそれに沿った圧力に少なくとも等しい熱伝導気体の圧力を確立するように調整される、請求項２４に記載の真空プラズマ処理装置。
26. 前記側板又はリム（９）が、前記受容器（３）の一部であり、又は、前記受容器（３）の一部を含む、請求項１から２５の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
27. 加工対象物支持体を含み、前記側板又はリムが、別個の分散された弾性接触部材（５６）によって加工対象物の処理位置において前記加工対象物支持体（１９ｃ）に電気的に接続される、請求項１から２６の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
28. 長方形又は正方形の基板用に成形されている、請求項１から２７の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
29. 前記エッチングのための所定の圧力条件が、０．１から０．５Ｐａであり、両方の限界値を含む、請求項１から２８の何れか一項に記載の真空プラズマ処理装置。
30. 請求項１から２９の何れか一項に記載の少なくとも１つの真空プラズマ処理装置を含み、好ましくはコイルトゥコイルフォイル処理プラントを含むインラインプラント、又は、前記部が、中央ハンドラーによるように、ハンドラーによるような選択可能なリズムで少なくとも１つの加工対象物又は基板を搬入及び搬出し得るプラントである、加工対象物又は基板処理プラント。
31. 請求項１から２９の何れか一項以上に記載の真空プラズマ処理装置又は請求項３０に記載のプラントを使用することによって真空プラズマ処理する方法又は真空プラズマ処理された加工対象物又は基板を製造する方法。
32. 反応性気体雰囲気中で行われる、請求項３１に記載の方法。