JP2020500159A - スルファミン酸誘導体およびその調製のためのプロセス - Google Patents

スルファミン酸誘導体およびその調製のためのプロセス Download PDF

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Abstract

スルファミン酸誘導体、例えばハロゲン化誘導体およびそれらの金属または有機塩の調製のためのプロセスが本明細書に記載される。本明細書はまた、そうして製造されるスルファミン酸誘導体と、例えば、電気化学的用途のための電解質組成物におけるそれらの使用を記載する。本開示のプロセスは、スルファミン酸誘導体の調製のためのプロセスであって、(i)ある化合物を三酸化硫黄源および第三級アミンと接触させ、約50℃から約300℃の間に含まれる温度で加熱するステップ;および(ii)ステップ(i)で得られた生成物を任意選択で変換して本開示の化合物を生成するステップを含む。

Description

関連出願
本願は、2016年10月19日に出願された米国仮出願第62/410,139号の優先権を適用法の下、主張し、この米国仮出願の内容は、その全体があらゆる目的で、参照により本明細書に組み込まれる。
技術分野
本技術分野は一般に、スルファミン酸誘導体(例えば、ハロゲン化誘導体および、イオン液体を含むそれらの塩)の調製のためのプロセスに関する。本技術分野はまた、これらのスルファミン酸誘導体と、電気化学的用途のための電解質におけるそれらの使用に関する。
背景
スルファミン酸誘導体の中には、その特有の特性のため、電気化学的用途において重要度を増したものがある。こうした化合物の例としては、ビス(フルオロスルホニル)アミド、N−フルオロスルホニル(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、およびそれらの塩、とりわけリチウム塩(一般にLiFSIおよびLiFTFSIと呼ばれる)が挙げられる。これらの特有の特性としては、即ち、これらのフルオロスルホニルアミドをイオン液体中のアニオンとして使用した場合の良好な溶解度、電気化学的安定性、およびイオン液体の粘度および溶融温度を低下させる能力が挙げられる(US6,365,301、US5,874,616、およびUS2011/007086参照)。
これらを調製する公知の方法としては、ハロ硫酸の、イソシアネート、スルフィニルアミンおよびホスファゼンとの反応が挙げられる。しかし、これらの方法は時間がかかり、良好な変換を確保するには典型的には20時間を超える反応時間を必要とする。
様々な酸とさらに反応させて新規の二置換アミド、とりわけビス(フルオロスルホニル)アミドおよびN−フルオロスルホニル−(トリフルオロメタンスルホニル)アミドを生成することができるトリクロロホスファゼンを生み出す様々なアミドと五塩化リンとの反応が、以前に記載されている(R. Appelら、Chem. Ber. 1962年、95巻、625〜626頁;W. Hauboldら、Z. Anorg. Allg. Chem 1967年、352巻、113〜121頁;V. H. W. Roeskyら、Inorg. Nucl. Chem. Lett. 1971年、7巻、171〜175頁;およびK. Xuら、Inorg. Chem. Comm. 1999年、2巻、261〜264頁参照)。これらの主たる欠点は、腐食性および毒性の高いリン化合物を使用することと、副生成物から所望の生成物を分離する必要があることである。
R. Appelら、Chem. Ber. 1962年、95巻、1753〜1755頁;R. Appelら、Chem. Ber. 1964年、97巻、849〜851頁;および米国特許第8,134,027号は、酸とクロロスルホニルイソシアネートとの反応を記載している。得られる生成物は、クロロスルホニル置換アミドである。しかし、反応を完了させるには、長い反応時間、即ち場合によっては24時間を超える時間が必要である。
アミドとSOClおよびクロロスルホン酸との反応は、典型的にはクロロスルホニル基で置換されたアミドを生じるが、これも還流下で24時間後である(M. Beranら、Z. Anorg. Allg. Chem.、2005年、631巻、55〜59頁;M. Beranら、Polyhedron 2010年、29巻、991〜994頁;および中国特許出願第10174724号参照)。
米国特許出願公開第2011/0070486号は、カリウムトリフルオロメタンスルホンイミドを市販されていないフルオロスルホン酸無水物でアシル化することによるN−フルオロスルホニル(トリフルオロメタンスルホニル)アミドの調製を記載する。米国特許第5,874,616号は、トリフルオロメタンスルホニルアミドをアシル化することによる低温でのN−フルオロスルホニル−(トリフルオロメタンスルホニル)アミドの調製を記載するが、毒性が高いフッ化スルフリルを使用しており、これが大量生産を考える場合には、この方法を不適切なものとしている。
他方、スルファミン酸のアシル化も様々なN−スルホニルスルファミン酸の調製に使用されていた(Scozzafava, A.ら、J. Enz. Inhib.、2000年、15巻(5号)、443〜453頁参照)。しかし、この出版物は、置換スルファミン酸および幾つかの塩の調製のみを報告している。
前述の方法は全て長い反応時間を要し、したがって、費用効率の高い製造には適合していない。
ピリジニウム−三酸化硫黄錯体によるハロゲン化されていない(反応性がより高い)アミドのスルホン化も、P. Baumgartenら、Berichte d. D. Chem. Gesellschaft(AおよびBシリーズ)1931年、64巻、1582〜1588頁に記載されている。Gilbert, E.E.、Chem. Rev.、1962年、62巻(6号):549〜589頁に概説されているものと同様、他の三酸化硫黄錯体も調製され、スルホン化に使用されている。
また、あるグループは、三酸化硫黄錯体を使用したアミンとアミドスルフェートのスルホン化による様々なスルファミン酸誘導体の調製を研究した(Kanetani, F.ら、Yuki Gosei Kagaku Kyokaishi(J. Synth. Org. Chem. (Japan))、1974年、32巻、460〜466頁、およびKanetani, F.ら、Bull. Chem. Soc. Jap.、1974年、47巻(11号)、2713〜2716頁参照)。これらの誘導体のハロゲン化スルファミン酸誘導体へのさらなる転換については、記載されていなかった。
スルホン酸塩からスルホニルクロリドを調製することは、有機化学者には公知である(例えば、Bogemann, M.ら編、Schwefel-、Selen-、Tellur-Verbindungen. Methoden der organischen Chemie (Houben-Weyl)、第4版、E. Muller編、IX巻、1955年、Georg Thieme:Stuttgart、391〜394頁、561〜597頁;Vogel, A.、Vogel's Textbook of Practical Organic Chemistry、第5版、1989年、London: Longman Group, Ltd.、1284頁;およびBlotny, G.、Tetrahedron Letters、2003年、44巻(7号):1499〜1501頁参照)。
フッ化スルホニルの調製も、Olah, G.ら、J. Org. Chem.、1961年、26巻(1号):237〜238頁;Olah, G.A.ら、Synthesis、1973年:487〜488頁;Olah, G.ら、Chem. Ber.、1956年、89巻(4号):862〜864頁;およびOlah, G.A.ら、J. Org. Chem.、1979年、44巻(22号):3872〜3881頁に記載されていた。幾つかの化合物は、フッ化硫黄からも調製されている(Hudlicky, M.、Org. Reactions、1988年、35巻:513〜637頁参照)。
したがって、スルファミン酸誘導体の製造のための改善されたプロセスを開発することが非常に望ましい。
米国特許第6,365,301号明細書 米国特許第5,874,616号明細書 米国特許出願公開第2011/007086号明細書 米国特許第8,134,027号明細書 中国特許出願公開第10174724号明細書 米国特許出願公開第2011/0070486号明細書
R. Appelら、Chem. Ber. 1962年、95巻、625〜626頁 W. Hauboldら、Z. Anorg. Allg. Chem 1967年、352巻、113〜121頁 V. H. W. Roeskyら、Inorg. Nucl. Chem. Lett. 1971年、7巻、171〜175頁 K. Xuら、Inorg. Chem. Comm. 1999年、2巻、261〜264頁 R. Appelら、Chem. Ber. 1962年、95巻、1753〜1755頁 R. Appelら、Chem. Ber. 1964年、97巻、849〜851頁 M. Beranら、Z. Anorg. Allg. Chem.、2005年、631巻、55〜59頁 M. Beranら、Polyhedron 2010年、29巻、991〜994頁 Scozzafava, A.ら、J. Enz. Inhib.、2000年、15巻(5号)、443〜453頁 P. Baumgartenら、Berichte d. D. Chem. Gesellschaft(AおよびBシリーズ)1931年、64巻、1582〜1588頁 Gilbert, E. E.、Chem. Rev.、1962年、62巻(6号):549〜589頁 Kanetani, F.ら、Yuki Gosei Kagaku Kyokaishi(J. Synth. Org. Chem. (Japan))、1974年、32巻、460〜466頁 Kanetani, F.ら、Bull. Chem. Soc. Jap.、1974年、47巻(11号)、2713〜2716頁 Bogemann, M.ら編、Schwefel-、Selen-、Tellur-Verbindungen. Methoden der organischen Chemie (Houben-Weyl)、第4版、E. Muller編、IX巻、1955年、Georg Thieme:Stuttgart、391〜394頁、561〜597頁 Vogel, A.、Vogel's Textbook of Practical Organic Chemistry、第5版、1989年、London: Longman Group, Ltd.、1284頁 Blotny, G.、Tetrahedron Letters、2003年、44巻(7号):1499〜1501頁 Olah, G.ら、J. Org. Chem.、1961年、26巻(1号):237〜238頁 Olah, G.A.ら、Synthesis、1973年:487〜488頁 Olah, G.ら、Chem. Ber.、1956年、89巻(4号):862〜864頁 Olah, G.A.ら、J. Org. Chem.、1979年、44巻(22号):3872〜3881頁 Hudlicky, M.、Org. Reactions、1988年、35巻:513〜637頁
概要
一態様によると、スルファミン酸誘導体または1もしくは複数の金属もしくは有機カチオンを有するその塩の調製のためのプロセスがここに記載される。例えば、スルファミン酸誘導体は、式I:
(式中、
は、水素、および直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールまたはC〜C10ヘテロアリール基から選択され、アルキル、アリール、およびヘテロアリール基は任意選択でハロゲン化されているか、またはRおよび隣接窒素原子は一緒になって塩を形成し、ここで、窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、Rは(Mn+1/nもしくはXであり;
は、水素、シアノ、スルホニル、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、任意選択でハロゲン化されたアリーロイル、任意選択でハロゲン化されたヘテロアリーロイル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、任意選択でハロゲン化されたアリールスルホニル、および任意選択でハロゲン化されたヘテロアリールスルホニルから選択され;
は、OH、F、Cl、O(Mn+1/n、O、および任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルコキシから選択され;
(Mn+1/nは、金属カチオンであり、ここで、Mは金属であり、nは1〜4から選択される整数であり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、もしくはMnであり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Sc、およびTiから選択され、例えばMは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはアルミニウムであるか、またはMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であり;
は、例えばアンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、1,3−ジアルキルイミダゾリウム、N−アルキルピロリジニウム、N−アルキルピペリジニウム、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスルホニウム、テトラアルキルホスホニウムなどから選択される有機カチオンを表す)
により定義され、
プロセスは、
i)式:
の化合物を三酸化硫黄源および第三級アミンと接触させ、約50℃から約300℃の間に含まれる温度で加熱するステップ;および
ii)ステップ(i)で得られた生成物を任意選択で変換して式Iの化合物を生成するステップを含む。
上記化合物、または本文書に記載される任意の他の化合物が塩の形態である場合、アニオンのカチオンに対する比は、化合物の電気的中性を意図するものと理解される(例えば、マグネシウムMg2+カチオンが使用される場合、−1電荷の2つのスルファミン酸誘導体が必要とされてもよく、同様に、2つのリチウム(+1)カチオンがスルファミン酸誘導体のジアニオンに結合してもよい)。
一実施形態によると、三酸化硫黄源は、SO(三酸化硫黄それ自体)、およびそのオリゴマーおよびポリマー;HSO(硫酸);H(二硫酸)および他のポリ硫酸、およびそれらの塩;ClSOH(クロロスルホン酸)およびその塩;FSOH(フルオロスルホン酸)およびその塩;SO−アンモニア錯体(スルファミン酸);三酸化硫黄と有機アミンの錯体;三酸化硫黄と他の有機化合物、例えばジオキサン、チオキサン、ジメチルホルムアミドの錯体;ならびに乾燥カルボン酸へのSOの導入により生じるアシルスルフェート、例えば、アセチルスルフェート(CHC(O)OSOH)から選択される。
別の実施形態では、三酸化硫黄源および第三級アミンは、錯体として一緒に添加され、第三級アミンは、下記の化合物:トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−アルキル置換ピロリジンおよびモルホリン、ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、N,N−ジメチルアニリン、ならびに他のアミンから選択される。例えば、錯体は、ピリジン−三酸化硫黄錯体、トリメチルアミン−三酸化硫黄錯体およびトリエチルアミン−三酸化硫黄錯体から選択される。
別の実施形態では、ステップ(i)は、約100℃から約250℃の間、または約150℃から約220℃の間の温度で、例えば、10時間未満、4時間未満、または1時間未満の期間加熱することを含む。一実施形態によると、ステップ(i)は、溶媒を添加することなく実施される。
さらなる実施形態によると、プロセスは、ステップ(i)で得られた生成物を金属塩基と接触させることを含むステップ(ii)を含む。例えば、金属塩基は、金属水酸化物、金属アルコキシド、有機金属、およびグリニャール試薬から選択され、前記金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびアルミニウムから選択され、例えば、金属塩基は金属水酸化物である。
別の実施形態では、プロセスは、ステップ(i)またはステップ(ii)の生成物を強酸で処理する、またはその溶液を酸性イオン交換樹脂に通すステップをさらに含む。例えば、強酸は、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、およびトリフルオロメタンスルホン酸から選択される。
さらなる実施形態では、プロセスは、ステップ(i)で得られた生成物を塩素化剤と接触させることを含むステップ(ii)を含む。例えば、塩素化剤は、無機および有機酸塩化物、例えばPCl、POCl3、SOCl、ClSOH、COCl、ClCOCOCl、塩化硫黄、シアヌル酸クロリド、アセチルクロリド、トリフルオロアセチルクロリド、メタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリド、ベンゾイルクロリド、(トリクロロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルクロリド、トルエンスルホニルクロリドなどから選択され、例えば、塩素化剤は、SOCl、COCl、またはClCOCOClである。さらに別の実施形態では、プロセスは、ステップ(ii)で得られた生成物を、塩素化後、フッ素化剤と接触させるステップをさらに含む。例えば、フッ素化剤は、フッ化物または二フッ化水素塩(例えばアンモニウム、ナトリウム、カリウム、もしくはセシウム塩、例えばKFもしくはKHF)、およびアミンとフッ化水素酸の錯塩(ピリジニウムまたはトリエチルアンモニウムポリヒドロフルオリドなど)から選択される。
さらなる実施形態では、プロセスは、ステップ(i)で得られた生成物を強力なフッ素化剤と接触させることを含むステップ(ii)を含む。別の実施形態では、フッ素化剤は、反応性無機および有機酸フッ化物、例えばPF、POF3、SOF、FSOH、COF、FCOCOF、有機および無機ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロシリケート、テトラフルオロボレート、四フッ化硫黄および有機誘導体(ジエチルアミノ硫黄トリフルオリド(DAST)およびモルホリノ硫黄トリフルオリドなど)、シアヌル酸フルオリド、アセチルフルオリド、トリフルオロアセチルフルオリド、メタンスルホニルフルオリド、トリフルオロメタンスルホニルフルオリド、ベンゾイルフルオリド、(トリフルオロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルフルオリド、トルエンスルホニルフルオリドなどから選択される。
別の態様によると、これは、本明細書に記載されるようなプロセスにより調製されるスルファミン酸誘導体に関する。一実施形態では、スルファミン酸誘導体は、式I:
(式中、
は、水素、および直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、またはC〜C10ヘテロアリール基から選択され、アルキル、アリール、およびヘテロアリール基は任意選択でハロゲン化されているか、またはRおよび隣接窒素原子は一緒になって塩を形成し、ここで、窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、Rは(Mn+1/nもしくはXであり;
は、水素、シアノ、スルホニル、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、任意選択でハロゲン化されたアリーロイル、任意選択でハロゲン化されたヘテロアリーロイル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、任意選択でハロゲン化されたアリールスルホニル、および任意選択でハロゲン化されたヘテロアリールスルホニルから選択され;
は、OH、F、Cl、O(Mn+1/n、O、および任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルコキシから選択され;
(Mn+1/nは、金属カチオンであり、ここで、Mは金属であり、nは1〜4から選択される整数であり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、またはMnであり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Sc、およびTiから選択され、例えばMは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはアルミニウムであるか、またはMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であり;
は、例えばアンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、1,3−ジアルキルイミダゾリウム、N−アルキルピロリジニウム、N−アルキルピペリジニウム、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスルホニウム、テトラアルキルホスホニウムなどから選択される有機カチオンを表す)
により定義される。
一実施形態では、Rは、(Mn+1/nであり、ここで、Mは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、およびMnから選択される。別の実施形態では、Mは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Sc、およびTiから選択されるか、またはMは、Li、NaもしくはKである。
別の実施形態では、Rは、Xであり、アンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、1,3−ジアルキルイミダゾリウム、N−アルキルピロリジニウム、N−アルキルピペリジニウム、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスルホニウム、テトラアルキルホスホニウムイオン、および他の類似のイオンから選択される。場合により、有機カチオンを含む塩は、室温で液体であってよく、そのことによりイオン液体を形成してよい。
一実施形態では、Rは、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、およびペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル基から選択され、他の基は全て、本明細書に定義するとおりである。
さらなる実施形態では、スルファミン酸誘導体は、式II:
(式中、RおよびRは、先に定義した通りであり;
は、水素、シアノ、フッ素、塩素、および直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールまたはC〜C10ヘテロアリール基(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)から選択される)
の化合物である。
別の実施形態では、スルファミン酸誘導体は、式III:
(式中、R、R、およびRは、先に定義した通りである)
の化合物である。
一実施形態では、式IIまたはIII中のRは、フッ素、塩素、および直鎖または分枝鎖C〜C24アルキルから選択され、他の基は全て、本明細書に定義するとおりである。別の実施形態では、Rは、ペルフルオロ化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、ペルフルオロ化されたC〜C10アリール、またはペルフルオロ化されたC〜C10ヘテロアリール基、例えば、ペルフルオロ化された直鎖C〜C24アルキル基であり、他の基は全て、本明細書に定義するとおりである。
別の実施形態では、上記式のいずれか一つによると、Rは、Mn+ 1/nであり、ここで、Mは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、およびAlから選択され、他の基は全て、本明細書に定義するとおりである。あるいは、Rは、直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、およびC〜C10ヘテロアリール(これらは各々、任意選択でペルハロゲン化されている)から選択され、例えば、Rは、ペルハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、例えばペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルキルであり、他の基は全て、本明細書に定義するとおりである。
さらに別の実施形態では、Rは、(Mn+1/nであり、Rは、O(Mn+1/nであり、ここで、Mおよびnは、各場合において同じであって、本明細書に定義するとおりであり、例えば、Mは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であるか、またはMはLiであり、nは1であり、他の基は本明細書に定義するとおりである。さらなる実施形態では、RはFまたはClであり、他の基は、本明細書に定義するとおりである。
本文書はまた、以下に定義するような化合物1〜9、化合物10〜18、化合物19〜27、または化合物28〜36から選択されるスルファミン酸誘導体に関する。
本技術はまたさらに、本文書のプロセスによって調製されるか、または本明細書に定義するとおりのスルファミン酸誘導体を含む電解質または電解質組成物に関する。例えば、電解質は、ポリマー電解質の調製に適する溶媒または溶媒和ポリマーをさらに含んでもよい。電解質は、液体またはゲルの形態(任意選択でセパレータ(膜)を含んでいる)であってもよく、固体の形態であってもよい。
さらに企図されるのが、本明細書に定義するとおりの電解質、電極、および対電極を含む電気化学セル、例えば、バッテリ、エレクトロクロミック素子、またはコンデンサである。一例によると、バッテリは、リチウムまたはリチウムイオンバッテリである。電気もしくはハイブリッド自動車、またはコンピューティングおよび/または遠距離通信デバイスにおけるこれらの電気化学セルの使用も企図される。
上記化合物は電気化学において有用であり得るが、他の使用、例えば化学触媒作用もまた企図されてよい。
本技術の他の特徴は、以下の説明を読むことでより深く理解される。
図1は、実施例13に従い、電極材料として(a)LiFePOおよび(b)グラファイトをそれぞれ用い、本プロセスにより製造したLiFSIを含有する電解質を使用した電池または半電池における形成ステップでの時間の関数としての電位を提示する。
図2は、実施例13に従い、電極材料として(a)LiFePOおよび(b)グラファイトをそれぞれ用い、本プロセスにより製造したLiFSIを含有する電解質を使用した電池または半電池についての放電速度(電源能力)の関数としての放電容量を示す。
図3は、実施例13に従い、電極材料として(a)LiFePOおよび(b)グラファイトをそれぞれ用い、本プロセスにより製造したLiFSIを含有する電解質を使用した電池または半電池についてのサイクル数の関数としての電池容量の変動として示される安定性試験の結果を示す。
図4は、実施例14に従い、グラファイト電極を用い、本プロセスにより製造したLiFTFSIを含有する電解質を使用した2つの同一の半電池における形成ステップでの時間の関数としての電位を提示する。
図5は、実施例14に従い、グラファイト電極を用い、本プロセスにより製造したLiFTFSIを含有する電解質を使用した半電池についてのサイクル数の関数としての電池容量の変動として示される安定性試験の結果を示す。
図6は、実施例15に従い、グラファイト電極を用い、いずれも本プロセスにより製造したLiFSI(三角形)とLiFTFSI(菱形)、およびLiPF(正方形)を含有する電解質を使用した3つの半電池についての放電速度(電源能力)の関数としての比較の放電容量データを示す。
本明細書において使用する技術的および科学的な用語および表現は全て、本技術に関する当業者により一般的に理解されるものと同じ定義を有する。だだし、本明細書において使用する一部の用語および表現の定義を以下に記載する。
「約」という用語は、本文書で使用する場合、近似的に、その辺り、およびおよそを意味する。「約」という用語を数値に関して使用する場合、それは、例えば、その額面値に関して10%のばらつきで数値を上下に修正する。この用語は、例えば、測定装置の実験誤差または丸めを考慮することもできる。
本願において値の範囲に言及している場合、その範囲の下限および上限は、別段の指示がない限り、その定義に常に含まれる。
本明細書に記載する化学構造は、本分野の標準に従い描かれている。また、描かれた原子、例えば炭素原子が不十分な価数を含むように見える場合、価数は、明確に描かれていない場合でも、1または複数の水素原子によって満たされていると想定する。
本明細書において使用する場合、「アルキル」という用語は、直鎖または分枝鎖基を含む、1個から24個の間の炭素原子を有する飽和炭化水素基を指す。アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、イソプロピル、tert−ブチル、sec−ブチル、イソブチルなどが挙げられるが、これに限定されない。「C〜Ciiアルキル」という用語は、数「i」〜数「ii」の炭素原子を有するアルキル基を指す。
本明細書において使用する場合、「アリール」という用語は、単環式または多環式(縮合または非縮合)の共役系において、nを1〜3の整数とした場合に4n+2個のπ(パイ)電子を有し、6〜14個の環原子を有する芳香族基を指す。多環系は、少なくとも一つの芳香環を含む。基は、直接結合していても、C〜Cアルキル基を介して連結していてもよい。アリール基の例としては、フェニル、ベンジル、フェネチル、1−フェニルエチル、トリル、ナフチル、ビフェニル、テルフェニル、インデニル、ベンゾシクロオクテニル、ベンゾシクロヘプテニル、アズレニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナントレニル、アントラセニル、ペリレニルなどが挙げられるが、これに限定されない。アリールという用語は、置換された基または非置換の基を含む。例えば、「C〜Cアリール」という用語は、環状構造中に6〜表示された数「n」の炭素原子を有するアリール基を指す。
本明細書において使用する場合、「ヘテロアリール」という用語は、単環式または多環式の共役系において、nを1〜3の整数とした場合に4n+2個のπ(パイ)電子を有し、5〜14個の環原子を有するアリール基を指し、ここで、少なくとも1個の炭素原子は、ヘテロ原子、例えば窒素、酸素もしくは硫黄により、またはこうしたヘテロ原子を含む基(例えば、NH、NR(Rはアルキル、アシル、アリール、ヘテロアリールもしくはシクロアルキルである)、SO、および他の類似の基)により置き換えられている。多環系は、少なくとも一つのヘテロ芳香環を含む。ヘテロアリールは、直接連結していても、C〜Cアルキル基を介して連結していてもよい。ヘテロアリール基は、可能な場合、炭素原子またはヘテロ原子(例えば窒素)によって分子の残りの部分に連結されていてもよい。
本願は、スルファミン酸誘導体、例えば、式I:
(式中、
は、水素、および直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールまたはC〜C10ヘテロアリール基(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)から選択されるか、またはRおよび隣接窒素原子は一緒になって塩を形成し、ここで、窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、Rは(Mn+1/nもしくはXであり;
は、水素、ならびにシアノ、スルホニル、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、任意選択でハロゲン化されたアリーロイル、任意選択でハロゲン化されたヘテロアリーロイル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、任意選択でハロゲン化されたアリールスルホニル、および任意選択でハロゲン化されたヘテロアリールスルホニル基から選択され;
は、OH、F、Cl、O(Mn+1/n、O、および任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルコキシ、例えば任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜Cアルコキシから選択され;
(Mn+1/nは、金属カチオンであり、ここで、Mは金属であり、nは1〜4の範囲内で選択される整数であり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、またはMnであり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Sc、およびTiから選択され、例えばMは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはアルミニウムであるか、またはMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であり、あるいはMはLiであり、nは1であり;
は、例えばアンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、1,3−ジアルキルイミダゾリウム、N−アルキルピロリジニウム、N−アルキルピペリジニウム、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスルホニウム、テトラアルキルホスホニウム、および他の類似の有機カチオンから選択される有機カチオンを表す)
の化合物の調製のためのプロセスに関する。
一例によると、R、RおよびRのうちの少なくとも一つは、ハロゲン化されている。Rは、水素、ならびに直鎖または分枝鎖C〜Cアルキル、Cアリール、およびC〜Cヘテロアリール基(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)から選択されてもよい。別の例によると、Rおよび隣接窒素原子は、一緒になって塩を形成し、ここで、窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、Rは(Mn+1/nである。異なる例によると、Rおよび隣接窒素原子は、一緒になって塩を形成し、ここで、窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、RはXである。
別の例によると、Rは、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、ペルフルオロ化されたアリーロイル、ペルフルオロ化されたヘテロアリーロイル、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、ペルフルオロ化されたアリールスルホニル、およびペルフルオロ化されたヘテロアリールスルホニル基から選択される。一部の例では、ペルフルオロ化されたC〜C24アルカノイルまたはC〜C24アルカンスルホニル基は、直鎖である。
別の例では、Rは、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜Cアルカノイル、ペルフルオロ化されたCアリーロイル、ペルフルオロ化されたC〜Cヘテロアリーロイル、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜Cアルカンスルホニル、ペルフルオロ化されたCアリールスルホニル、およびペルフルオロ化されたC〜Cヘテロアリールスルホニル基から選択される。一部の例では、ペルフルオロ化されたC〜CアルカノイルまたはC〜Cアルカンスルホニル基は、直鎖である。
別の例によると、スルファミン酸誘導体は、式IIまたはIII:
(式中、
およびRは、先に定義した通りであり;
は、水素、シアノ、フッ素、塩素、および分枝鎖もしくは直鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、またはC〜C10ヘテロアリール基(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)から選択される)
の化合物である。
別の実施形態によると、RおよびRのうちの少なくとも一つは、ハロゲン、即ち、フッ素または塩素原子であり、他の基は全て、先に定義した通りである。例えば、Rはハロゲン、即ち、フッ素または塩素原子である。
一代替例によると、Rは、直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールまたはC〜C10ヘテロアリール基(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)から選択される。例えば、Rは、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、ペルフルオロ化されたC〜C10アリール、およびペルフルオロ化されたC〜C10ヘテロアリールから選択される。一部の例では、ペルフルオロ化されたC〜C24アルキル基は、直鎖である。
一代替例によると、Rは、直鎖または分枝鎖C〜Cアルキル、CアリールまたはC〜Cヘテロアリール基(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)から選択される。例えば、Rは、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C1〜8アルキル、ペルフルオロ化されたCアリール、およびペルフルオロ化されたC〜Cヘテロアリールから選択される。一部の例では、ペルフルオロ化されたC〜Cアルキル基は、直鎖である。
スルファミン酸誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
式中、Rは、先に定義した通りであり、Rは、任意選択でハロゲン化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル基であるか、またはORはO(Mn+1/nもしくはOであり、ここで、M、Xおよびnは、本明細書に定義するとおりである。
本文書に定義するとおりのスルファミン酸誘導体の調製のためのプロセスも記載される。こうしたプロセスの例を、スキーム1に示す。
式中、R、R、Mおよびnは、先に定義した通りである。
SO源としては、特定の反応条件下で三酸化硫黄を生じることができる任意の化合物が挙げられる。例えば、これらの化合物は、下記の試薬:SO(三酸化硫黄それ自体)およびそのオリゴマーおよびポリマー;HSO(硫酸);H(二硫酸)および他のポリ硫酸およびそれらの塩;ClSOH(クロロスルホン酸)およびその塩;FSOH(フルオロスルホン酸)およびその塩;SO−アンモニア錯体(スルファミン酸);三酸化硫黄および有機アミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−アルキル置換ピロリジンおよびモルホリン、ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、N,N−ジメチルアニリン、ならびに他のアミンとの錯体;三酸化硫黄と他の有機化合物、例えばジオキサン、チオキサン、ジメチルホルムアミドとの錯体;ならびに乾燥カルボン酸(無水)へのSOの導入により生じるアシルスルフェート、例えば、アセチルスルフェート(CHC(O)OSOH)から選択してもよい。
上記スキーム1に示す反応で使用される第三級アミンは、3つの有機置換基を有する(即ち、窒素原子に共有結合している水素原子を有しない)アミンである。第三級アミンの例としては、下記のアミン:トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−アルキル置換ピロリジンおよびモルホリン、キヌクリジン、N−メチルイミダゾール、ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、N,N−ジメチルアニリン、ならびに他の類似のアミンが挙げられるが、これに限定されない。例えば、三酸化硫黄源および第三級アミンは、三酸化硫黄−第三級アミン錯体の形態で使用される。
置換スルファミン酸と第三級アミンの塩を置換スルファモイルクロリドへと変換するために使用され得る塩素化剤は、無機および有機酸塩化物、例えば、PCl、POCl3、SOCl、ClSOH、COCl、ClCOCOCl、塩化硫黄、シアヌル酸クロリド、アセチルクロリド、トリフルオロアセチルクロリド、メタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリド、ベンゾイルクロリド、(トリクロロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルクロリド、トルエンスルホニルクロリド、および当業者に公知の他の化合物から選択することができる。一部の塩素化の例では、少量のN,N−ジメチルホルムアミドまたは他のN,N−二置換カルボキサミドを触媒として添加することが有利な場合がある。
置換スルファミン酸と第三級アミンの塩を置換スルファモイルフルオリドへと直接転換するために使用され得るフッ素化剤Aは、反応性無機および有機酸フッ化物、例えば、PF、POF3、SOF、FSOH、COF、FCOCOF、有機および無機ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロシリケート、テトラフルオロボレート、四フッ化硫黄およびその有機誘導体、例えばDAST(ジエチルアミノ硫黄トリフルオリド)およびモルホリノ硫黄トリフルオリド;シアヌル酸フルオリド、アセチルフルオリド、(トリフルオロメチル)ベンゼン、トリフルオロアセチルフルオリド、メタンスルホニルフルオリド、トリフルオロメタンスルホニルフルオリド、ベンゾイルフルオリド、ベンゼンスルホニルフルオリド、トルエンスルホニルフルオリド、ならびに当業者により選択され得る他の化合物から選択することができる。
置換スルファモイルクロリドを置換スルファモイルフルオリドへと転換するために使用され得るフッ素化剤Bとしては、より反応性の低いフッ素化剤、例えばフッ化水素およびフッ化物塩、例えば、アンモニウム、ナトリウム、カリウム、およびセシウムのフッ化物、およびそれらの二フッ化水素相当物(例えばHN HF )が挙げられる。アミンとフッ化水素酸の錯塩、例えばピリジニウムおよびトリエチルアンモニウムポリヒドロフルオリド。加えて、先行する段落に掲出したフッ素化剤Aは全て、フッ素化剤Bとして使用することもできる。
金属塩基としては、塩基性アニオンの対イオンとして、ある金属の少なくとも一つのカチオンを含有する任意の塩基性化合物が挙げられる。公知の例としては、金属水酸化物、アルコキシド、および、特殊な事例では、置換金属アミドが挙げられるが、有機金属およびグリニャール試薬も特に強い塩基として使用する可能性がある。
置換スルファミン酸塩を遊離スルファミン酸に変換するのに適する強酸の例は、置換スルファミン酸よりも低いpKaを有すべきであるか、前記金属カチオンと共に不溶性沈殿を形成すべきである。こうした酸の例としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、およびトリフルオロメタンスルホン酸が挙げられる。酸性イオン交換樹脂も、強酸源として使用する可能性がある。
本明細書に定義するスルファミン酸誘導体を調製するプロセスは、第三級アミンの存在下での、アミンまたはアミドの、三酸化硫黄またはその反応性誘導体の一つでのスルホン化である、第1のステップを含む。こうして得られる生成物は、上記スキーム1における第2の化合物、例えば、RがOである本明細書に定義するとおりの式Iの化合物であり、ここで、Xは、プロトン化された第三級アミンを表し、即ち、式Iの化合物は、置換スルファミン酸の第三級アンモニウム塩(例えば、置換アミドスルホネートの第三級アンモニウム塩)である。スルファモイル基の形成をもたらすこのスルホン化ステップは非常に急速であり、上記の既存のプロセスに対して大きな利点を有する。
この第1のスルホン化ステップの後、追加のステップを実施して式Iにより定義される様々な化合物を得てもよい。これらの追加のステップは、所望の最終生成物に応じて決まる。
第1のカテゴリは、アミドスルホネート基のスルファモイルクロリド基への転換である。この場合、第1のステップで得られる置換スルファミン酸第三級アンモニウム塩を塩素化剤と反応させて酸素原子を塩素原子で置換する。同様に、アミドスルホネート基のスルファモイルフルオリド基への変換が、置換スルファミン酸第三級アンモニウム塩を強力なフッ素化剤と反応させ、それにより酸素原子をフッ素原子で置き換えることにより達成されるか、あるいは、塩素化によって得られるスルファモイルクロリド基が、より穏やかなフッ素化剤を使用してスルファモイルフルオリド基に変換されてもよい。
窒素原子とスルホネート酸素原子の両方に負電荷を持つ二価スルファミン酸の金属塩(例えば置換アザニドスルホネート)(式I参照、ここで、Rは(Mn+1/nであり、RはO(Mn+1/nである)が望ましい場合、第三級アンモニウムカチオンを金属カチオンで置換するために、第1のステップで得られる置換スルファミン酸第三級アンモニウム塩を金属塩基と反応させる。これらの塩を使用して、金属塩を強酸と反応させることにより、または置換スルファミン酸塩の溶液を酸性イオン交換樹脂と接触させることにより、遊離置換スルファミン酸を調製することもできる。
スルファミン酸誘導体を調製するための出発化合物は、置換アミン、および単純なアミドまたは置換アミドから選択される。例えば、第一級アルキルアミンは、N−置換スルファミン酸誘導体、例えば、N−アルキルイミド二硫酸塩、およびN−アルキルイミド二硫酸の他の誘導体を得ることを可能にし、第一級カルボキサミドおよび第一級スルファミドは、混合第二級アミドを得ることを可能にし、N−アルキルアミドは、混合N−アルキル化第二級アミドを提供し得る。
第1のステップにおいて、窒素原子上に少なくとも1個の水素原子を有する置換アミンまたはアミド(カルボキサミドまたはスルホンアミド)化合物(スルホン化されていてもよい)を反応器に入れ、次いで第三級アミンを添加する。得られた混合物は、任意選択で、適切な非反応性溶媒(例えば、DMF、ジオキサン、ジクロロエタンなど)で希釈してもよい。得られた混合物を、溶媒を添加することなく反応させることもできる。第三級アミンは、市販されている製品、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、N−アルキル置換ピロリジンおよびモルホリン、N−メチルイミダゾール、ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、N,N−ジメチルアニリン、ジイソプロピルエチルアミン、キヌクリジンなどから選択してもよい。次いで、場合により、反応が発熱的であり得るため、温度を監視しながらスルホン化剤を反応混合物にゆっくりと添加する。例えば、スルホン化剤は、SO(三酸化硫黄それ自体)およびそのオリゴマーおよびポリマー;HSO(硫酸);H(二硫酸)および他のポリ硫酸およびそれらの塩;ClSOH(クロロスルホン酸)およびその塩;FSOH(フルオロスルホン酸)およびその塩;SO−アンモニア錯体(スルファミン酸);三酸化硫黄および有機アミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−アルキル置換ピロリジンおよびモルホリン、ピコリン、ルチジン、キノリン、N,N−ジメチルアニリン、ならびに他のアミンとの錯体;三酸化硫黄と他の有機化合物、例えばジオキサン、チオキサン、ジメチルホルムアミドとの錯体;ならびに乾燥カルボン酸(即ち、水を含まない)へのSOの導入により生じるアシルスルフェートから選択され、例えば、SOを無水酢酸に導入すると、アセチルスルフェート(CHC(O)OSOH)が得られる。全ての試薬を添加した後、混合物を室温から300℃の間、好ましくは50℃から250℃の間の温度で撹拌する。反応が完了すると、ほとんどの場合、生成物は、さらに使用できる状態の固体形態、または結晶形態で得られ、濾過により分離され、任意選択で再結晶により精製される。
一例によると、プロセスの第1のステップにおいて、置換アミンまたはアミドは、固体状態で三酸化硫黄と第三級アミンの固体錯体と混合され、好ましくは、三酸化硫黄は、ピリジン−三酸化硫黄、トリメチルアミン−三酸化硫黄、またはトリエチルアミン−三酸化硫黄錯体であり、これらは市販されている。混合物中のアミドと三酸化硫黄錯体のモル比は、好ましくはおおよそ1:1であり、即ち、各スルホニル基につき一つが分子に導入される。こうして得られた混合物は、反応混合物を溶融させ、反応を進行させるために、不活性雰囲気下、50℃〜300℃の範囲内、好ましくは100℃〜250℃の範囲内の温度で撹拌し加熱する。反応時間は短く、通常10時間未満もしくは4時間未満、または1時間未満でも終了する。冷却後、置換アミドスルホネート第三級アンモニウム塩が溶融物から結晶化する。化合物を有機溶媒からさらに再結晶することもできるが、そのまま次のステップで使用してもよい。
第三級アンモニウムアミドスルホネートを、無機および有機酸塩化物、例えば、PCl、POCl3、SOCl、ClSOH、COCl、ClCOCOCl、塩化硫黄、シアヌル酸クロリド、アセチルクロリド、トリフルオロアセチルクロリド、メタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリド、ベンゾイルクロリド、(トリクロロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルクロリド、トルエンスルホニルクロリド、および当業者に公知の他の化合物から選択される塩素化剤との反応によってスルファモイルクロリド基へとさらに変換してもよい。場合により、少量のジメチルホルムアミドまたは他のN,N−二置換カルボキサミドを触媒として添加することが有利なことがある。塩素化剤の選択は、プロセスで使用する化合物に依存し、スルファミン酸の各々具体的な誘導体に応じて調整しなければならないが、ほとんどの場合、塩化チオニル(SOCl)を試薬として使用してもよい。第三級アンモニウムアミドスルホネートと塩素化剤とのモル比は、アミドスルホネート基1モルにつき少なくとも1モルの活性のある塩化物が使用されるように設定されるが、反応を促進してその完了を確実にするために過剰量が使用される場合が多い。
変換を遂行するために、適切な塩素化剤と第三級アンモニウムアミドスルホネートをそのまま混合するか、または適切な非反応性溶媒、例えばジクロロエタンで希釈し、混合物を30℃〜300℃の範囲内、好ましくは40℃〜200℃の範囲内の温度、より詳細には、混合物の還流温度に加熱する。反応時間は一般に短く、通常24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満でも完了する。完了後、生成したスルファモイルクロリドは、低極性有機溶媒を使用して反応混合物から抽出することができる。
例えば、プロセスの第2のステップは、先行するステップからの反応混合物を、さらなる精製を行うことなく、塩素化剤、好ましくは、PCl、POCl3、SOCl、ClSOH、COCl、ClCOCOCl、より詳細には、ガス状副生成物を形成し、それ故に所望の生成物の単離をより容易にするSOCl、COCl、ClCOCOClで処理することにより達成してもよい。反応速度を上げるために、第1のステップからの反応混合物をさらに粉砕することもできる。速度は、約5mol%のDMFまたは他のN,N−二置換カルボキサミドを触媒として添加することにより加速させることもできる。反応混合物を溶融させ、反応を進行させるために、混合物を不活性雰囲気下、50℃から300℃の間の温度、好ましくは100℃から250℃の間の温度で撹拌し加熱する。反応時間は一般に短く、反応は典型的には24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満でも完了する。プロセス中に、第三級アミン塩酸塩と、塩素化剤副生成物と、置換スルファミン酸クロリド(スルファモイルクロリド化合物)との複合混合物が得られる。置換スルファミン酸クロリドを精製するために、所望の生成物を溶解し第三級アミン塩を溶解しない溶媒で混合物を抽出する。抽出後、置換スルファミン酸クロリドを蒸留または結晶化して、生成物を純粋または本質的に純粋な化合物として得てもよい。このステップがスルファモイルフルオリド化合物の調製における中間ステップである場合、抽出物は、さらなる精製を全く行うことなくフッ素化ステップにおいて使用することも可能である。
第三級アンモニウムアミドスルホネートのスルファモイルフルオリドへの転換は、とりわけ、2つの可能な方法、第三級アンモニウム塩の直接的フッ素化、または先行する段落に記載のステップにより得られるスルファモイルクロリド基のフッ素化のいずれかにより、達成されてよい。
第三級アンモニウムアミドスルホネートの直接的フッ素化は、出発材料を強力なフッ素化剤と反応させることにより実施され、フッ素化剤は、PF、POF3、SOF、FSOH、COF、FCOCOFを含む反応性無機および有機酸フッ化物、有機および無機ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロシリケート、テトラフルオロボレート、四フッ化硫黄およびその有機誘導体(例えばジエチルアミノ硫黄トリフルオリド(DAST)およびモルホリノ硫黄トリフルオリド)、シアヌル酸フルオリド、アセチルフルオリド、トリフルオロアセチルフルオリド、メタンスルホニルフルオリド、トリフルオロメタンスルホニルフルオリド、ベンゾイルフルオリド、(トリフルオロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルフルオリド、トルエンスルホニルフルオリド、ならびに本分野において公知の他の類似化合物から選択することができる。フッ素化剤の選択はプロセスで使用する化合物に依存し、各々具体的なスルファミン酸誘導体に応じて調整しなければならない。第三級アンモニウムアミドスルホネートとフッ素化剤とのモル比は、アミドスルホネート基1モルにつき少なくとも1モルの活性のあるフッ化物が使用されるように設定されるが、反応を促進し、そして/またはその完了を確実にするために過剰量が使用されてもよい。
この変換を遂行するために、適切なフッ素化剤と第三級アンモニウムアミドスルホネートをそのまま混合するか、または適切な非反応性溶媒、例えばジクロロエタンで希釈する。次いで、混合物を30℃〜300℃の範囲内、好ましくは40℃〜200℃の範囲内の温度で、より詳細には、混合物の還流温度に加熱する。反応時間は短く、一般に24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満でも完了する。反応後、スルファモイルフルオリドを反応混合物から低極性有機溶媒で抽出してもよい。
例えば、直接的フッ素化の場合、第1のステップからの反応混合物(例えば、さらなる精製をしていないもの)をフッ素化剤、例えば四フッ化硫黄またはその有機誘導体の一つ(DAST(ジエチルアミノ硫黄トリフルオリド)またはモルホリノ硫黄トリフルオリドなど)、シアヌル酸フルオリド、アセチルフルオリド、トリフルオロアセチルフルオリド、メタンスルホニルフルオリド、トリフルオロメタンスルホニルフルオリド、ベンゾイルフルオリド、(トリフルオロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルフルオリド、およびトルエンスルホニルフルオリドと混合してもよく、これらは液体であり、毒性のより低い副生成物を形成し、所望の生成物のより容易な単離を可能とする。反応速度を上げるために、前のステップからの反応混合物を、本ステップにおけるその使用の前に粉砕することもできる。混合物を溶融させ、反応を進行させるために、混合物を不活性雰囲気下、50℃〜300℃の範囲内、好ましくは100℃〜250℃の範囲内の温度で撹拌する。反応時間は、典型的には24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満でも完了するため、短い。このプロセス中に、第三級アミンヒドロフルオリドと、フッ素化剤副生成物と、所望の置換スルファミン酸フルオリド(スルファモイルフルオリド化合物)との複合混合物が得られる。置換スルファミン酸フルオリドを精製するため、所望の生成物が可溶であり、不純物の大部分を溶解しないまたはほとんど溶解しない溶媒で混合物を抽出してもよい。抽出後、置換スルファミン酸フルオリドをさらに蒸留または結晶化して、生成物を純粋または本質的に純粋な形態で得ることができる。
他方、間接的フッ素化は、スルファモイルクロリド化合物を反応性フッ素化剤と反応させることにより達成され、フッ素化剤は、反応性無機および有機フッ化物、例えば、PF、POF3、SOF、FSOH、COF、FCOCOF、有機および無機ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロシリケート、テトラフルオロボレート、四フッ化硫黄およびその有機誘導体(DASTまたはモルホリノ硫黄トリフルオリドなど)、シアヌル酸フルオリド、アセチルフルオリド、トリフルオロアセチルフルオリド、メタンスルホニルフルオリド、トリフルオロメタンスルホニルフルオリド、ベンゾイルフルオリド、ベンゼンスルホニルフルオリド、トルエンスルホニルフルオリド、フッ化水素およびフッ化物塩(例えば、アンモニウム、ナトリウム、カリウム、もしくはセシウムのフッ化物または二フッ化水素塩)、ならびにアミンとフッ化水素酸の錯塩(例えばピリジニウムもしくはトリエチルアンモニウムポリヒドロフルオリド)、ならびに当業者に公知の他の化合物から選択してもよい。フッ素化剤の選択は、プロセスで使用する化合物に依存し、生成すべき各スルファミン酸の具体的な誘導体に適応させる。スルファモイルクロリド基と使用するフッ素化剤とのモル比は、各スルファモイルクロリド基につき、少なくとも1モルの活性のあるフッ化物が使用されるように設定されるが、反応を促進し、そして/またはその完了を確実にするために、好ましくは過剰量が使用される。
変換は、適切なフッ素化剤およびスルファモイルクロリド化合物をそのまま、または適切な非反応性溶媒、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トルエン、またはその組合せで希釈して混合し、混合物を30℃〜300℃の範囲内、好ましくは40℃〜200℃の範囲内の温度で、より詳細には混合物の還流温度で加熱することにより実施してもよい。場合により、反応は非常に発熱的であり、そのため、反応を慎重に監視し、フッ素化剤を塩化物に、またはその逆に、ゆっくりと添加すべきである。反応時間は一般に短く、典型的には24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満で終了する。完了後、生成したスルファモイルフルオリドは、低極性有機溶媒を使用して反応混合物から抽出することができる。
例えば、塩素化ステップから抽出したスルファモイルクロリド化合物は、さらなる精製を行うことなく、フッ素化剤、例えば、フッ化水素またはフッ化物塩(例えば、アンモニウム、ナトリウム、カリウム、もしくはセシウムのフッ化物または二フッ化水素塩)、および得るのがより容易であり、他のフッ素化剤に対して経済的優位性を有するアミンとフッ化水素酸の錯塩(例えばピリジニウムまたはトリエチルアンモニウムポリヒドロフルオリド)と混合してもよい。次いで、反応混合物を溶融させ、反応を進行させるために、混合物を不活性雰囲気下、30℃〜300℃の範囲内、好ましくは30℃から150℃の間の温度で撹拌する。反応時間は一般に短く、反応は典型的には24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満で終了する。プロセス中に、フッ素化剤から形成される副生成物と所望の置換スルファミン酸フルオリド化合物との複合混合物が得られる。置換スルファミン酸フルオリドを精製するために、所望の生成物が可溶であり、不純物の大部分を溶解しないまたはほとんど溶解しない溶媒で混合物を抽出してもよい。抽出後、置換スルファミン酸フルオリドを蒸留または結晶化によりさらに精製して、生成物を純粋または本質的に純粋な形態で得てもよい。
窒素原子およびスルホネート酸素原子に負電荷を有する二価のスルファミン酸の塩(例えば置換アザニドスルホネート)を企図する場合、第一級アミンまたはアミドをスルホン化ステップにおける出発材料として使用すべきである。その結果、スルホン化ステップは、第三級アミンN−一置換スルファメートをもたらす。これらの化合物は、適切な金属塩基での処理によって容易に金属塩に転換することができる。この変換を実施するために考慮され得る金属塩基の例は、アルカリおよびアルカリ土類金属の水酸化物、アルコキシド、および置換アミド、有機金属、ならびにグリニャール試薬を含む比較的強い塩基である。
この変換を遂行するため、適切な金属塩基(アミドスルホネートに対してその少なくとも2当量、例えば約2.2当量)と第三級アンモニウムアミドスルホネートを混合して適切な非反応性溶媒、例えば水および/または脂肪族低級アルコール(例えば1〜4個の炭素原子を有するアルコール)で希釈し、混合物を30℃〜300℃の範囲内、もしくは40℃〜200℃の範囲内の温度、または混合物の還流温度で加熱する。反応時間は非常に短く、典型的には24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満で完了する。完了し反応混合物を冷却した後、その溶液から生成物(即ち、アザニドスルホネート)を直接晶出させてもよく、また、混合物を濃縮してもよく、そして、固体残渣を適切な溶媒中で再結晶してもよい。
例えば、反応混合物(第1のステップからの未精製のもの)を少なくとも2当量のアルカリまたはアルカリ土類塩基、例えばLiOH、NaOH、KOH、RbOH、CsOH、Be(OH)、Mg(OH)、Ca(OH)、Sr(OH)、Ba(OH)、またはLi、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、もしくはBaのアルコキシドの溶液に添加する。この反応に使用する溶媒は、水、ならびに低級アルコール、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、プロパノール、およびブタノール、またはそれらの組合せの一つから選択される。反応材料を溶解させるための最小量の溶媒を使用することが好ましい。次いで、混合物を不活性雰囲気下、50℃〜300℃の範囲内、または100℃〜250℃の範囲内の温度で撹拌する。反応は一般に迅速に進行し、典型的には24時間未満で、12時間未満で、または4時間未満でも完了し得る。プロセス中に、遊離第三級アミンと、スルホン化剤副生成物と、前記金属の所望の置換アザニドスルホネートとの複合混合物が得られる。場合により、反応生成物は、冷却すると混合物から晶出する。他の事例では、混合物を濃縮して揮発性化合物を除去し、生成物を溶媒で抽出し、そして/または再結晶して純粋または本質的に純粋な形態で生成物を得る。これらの塩を使用して、金属塩を強酸と反応させることにより、または塩溶液および酸性イオン交換樹脂を接触させることにより、遊離置換スルファミン酸を調製してもよい。これらの遊離置換スルファミン酸は、対応する塩基での中和によって直接得ることができない他の塩を調製するための出発物質として使用することもできる。
場合により、置換スルファミン酸の所望の塩は、カチオンメタセシス、即ち、不溶性化合物の形成および沈殿により引き起こされるイオン反応におけるカチオン交換により調製することができる。例えば、リチウムビス(フルオロスルホニル)イミドは、アセトニトリル中で過塩素酸リチウムとカリウムビス(フルオロスルホニル)イミドから調製することが可能である。両試薬の溶液を混合すると、不溶性の過塩素酸カリウムが沈殿し、一方で、リチウムビス(フルオロスルホニル)アミドが溶液中に残存する。
本明細書に記載のスルファミン酸誘導体は、一部の実施形態において、電気化学セル、例えばバッテリ、エレクトロクロミック素子、およびコンデンサの電解質として、または電解質組成物に使用することができる。こうした電気化学セルは、アノード、カソード、および電解質を含む。例えば、スルファミン酸誘導体は、それらに対して予定されている電気器具の作動温度では液体状態にある。これらは、それら自体が液体であり得るか、または電解質における使用に適した溶媒に可溶化することもできる。こうした電解質をスルファミン酸誘導体のみから、または他の化合物とのそれらの混合物から調製することが可能な場合もある。
一実施形態では、電解質の調製のための化合物は、式IIまたはIII:
(式中、R、R、およびRは、先に定義した通りである)により表され得る。例えば、Rは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、およびAlから選択され;Rは、FおよびClから選択され;Rは、フッ素、塩素、任意選択でハロゲン化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールもしくはC〜C10ヘテロアリール基、例えば、ペルフルオロ化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキル、ペルフルオロ化されたC〜C10アリール、またはペルフルオロ化されたC〜C10ヘテロアリールから選択される。
別の実施形態では、電解質の調製のための化合物は、式IIaまたはIIIa:
(式中、R、R、Mおよびnは、先に定義した通りであり、例えば、Rは(Mn+1/nであり、各場合におけるMは、Li、Na、K、Cs、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、およびAlから選択され、nは、1〜3から選択される整数である)により表され得る。
一実施形態では、電解質は、これらのスルファミン酸誘導体から、ポリマー電解質調製用の適切な電解質溶媒または溶媒和ポリマーに溶解させることにより調製される。リチウムおよびリチウムイオンバッテリに使用する場合、スルファミン酸誘導体のリチウム塩を適切な濃度、例えば0.05と3mol/リットルの間で溶解させてもよい。他のタイプのバッテリの場合、スルファミン酸誘導体の他の塩、例えば、ナトリウムバッテリの場合はナトリウム塩、マグネシウムバッテリの場合はマグネシウム塩などを溶解させるべきである。
電解質溶媒の非限定的例としては、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、グリム、ジグリム、トリグリム、テトラグリム、スルホラン、テトラエチルスルファミド、およびこれらの組合せが挙げられる。様々な添加剤を電解質組成物に添加して、その特性を向上させることもできる。
ポリマーの非限定的例としては、ポリ(エチレンオキシド)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリ(プロピレンオキシド)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリ(ジメチルシロキサン)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリ(アルキレンカーボネート)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリ(アルキレンスルホン)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリ(アルキレンスルファミド)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリウレタンおよびそれらのコポリマーおよびブロックコポリマー、ポリ(ビニルアルコール)およびそのコポリマーおよびブロックコポリマー、ならびにこれらの組合せが挙げられる。加えて、分枝鎖または架橋溶媒和ポリマーを挙げることもできる。
様々な添加剤をポリマー電解質組成物に含ませて、その特性を向上させることもできる。例えば、高および/または低電圧での安定性を向上させるために、(不飽和)カーボネート、例えばビニレンカーボネート、フルオロエチレンカーボネートおよびフルオロビニレンカーボネート、ならびにエタン誘導体(即ち、ビニル化合物)を、例えば電解質の全重量に対して約0.1〜約15重量パーセントの濃度で添加することができる。
別の実施形態では、スルファミン酸誘導体、例えば、上記式IIおよびIII(式中、
は、任意選択でペルハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、アリール、およびヘテロアリール基から選択され;
は、FまたはClであり;
は、フッ素または塩素原子、ならびに直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、C〜C10ヘテロアリール、ペルフルオロ化された直鎖C〜C24アルキル、ペルフルオロ化されたC〜C10アリール、およびペルフルオロ化されたC〜C10ヘテロアリール基から選択される)
の化合物は、アルキル化剤として使用することもできる。
これらの化合物は、有機塩基、例えばアミン、ホスフィン、およびスルフィドと反応して、それぞれN−、P−、およびS−アルキル化された化合物を形成してもよい。場合により、第三級アミンおよび第三級ホスフィンを反応に使用する場合、疎水性アニオンを用いてイオン液体を直接得ることができ、これらは通常、ハロアルカンとの複雑なアルキル化、およびその後の、疎水性アニオンを有するアルカリ金属塩を使用する溶媒中でのアニオンメタセシスによってのみ到達可能である。
下記の非限定的実施例は、例示のみを目的としたものであり、企図されている本技術の範囲をさらに限定するものと解釈すべきではない。
(実施例1)
アンモニウムイミドジスルホネートの調製
この手順は、アンモニア−三酸化硫黄錯体(スルファミン酸)の急速スルホン化能力を示すものである。
微粉状スルファミン酸(9.7094g、0.1mol)を粉末のアンモニウムスルファメート(11.412g、0.1mol)と、凝縮器と磁気撹拌棒を備え、乾燥アルゴン下に置かれた100mL丸底フラスコの中で混合した。油浴中150℃で混合物を加熱し撹拌した。混合物は数分以内に溶融し、再固化して結晶塊となった。次いで混合物を冷却し、IR分析は、標準試料のものと同一のスペクトルを示した。
IR[KBr]/cm−1:非常に広い3228(vs)、3145(sh)、1403(vs)、1263(vs)、1225(vs)、1086(m)、1027(s)、867(s)、598(s)、535(m)、460(w)。
(実施例2)
カリウムイミドジスルホネートの調製
下記のステップb)は、トリメチルアミン−三酸化硫黄錯体を用いて達成した急速なスルホン化を示し、一方で、ステップc)は、金属スルファメートを調製するためのトリアルキルアンモニウム(trialkyalmmonium)スルファメートと金属塩基との反応を示す。
a)トリメチルアンモニウムスルファメート
スルファミン酸(19.418g、0.2mol)を30mLの45%トリメチルアミン水溶液に溶解させ、混合物を静置してゆっくりと蒸発させた。表題化合物が無色の結晶として結晶化し、それを濾過し、オーブン中90℃で乾燥させた。IR分析で結晶水が存在しないことが示され、構造が確認され、スルファメートおよびトリメチルアンモニウムイオンの特性ピークが観察された。
IR[KBr]/cm−1:3318(s)、3269(m)、2955(m)、2700(s)、2475(s)、1546(w)、1476(m)、1427(w)、1222(vs)、1128(m)、1059(s)、985(s)、809(s)、588(s)、562(s)。
b)トリメチルアンモニウムイミドジスルホネート
トリメチルアンモニウムスルファメート(3.12g、20mmol)およびトリメチルアミン−三酸化硫黄錯体(2.78g、20mmol)を、試験管の中で、澄明な溶融物が得られるまでヒートガンを用いて混合した(5分、およそ200℃)。冷却後、塊状物がガラス状固体として再固化した。イミドジスルホネートアニオンとトリメチルアンモニウムカチオンの特性ピークが固体のIRスペクトルに存在していた。
IR[KBr]/cm−1:3231(m)、2956(m)、2703(s)、2475(m)、1477(m)、1427(w)、1384(m)、1259(vs)、1219(vs)、1087(m)、1032(s)、985(s)、879(m)、600(m)、535(w)。
c)カリウムイミドジスルホネート
b)で得られたガラス状固体を、水酸化カリウム(3.4g、60mmol)を含有する水15mLに溶解させ、混合物を10分間加熱還流した。このステップ中に沈殿物は形成されず、それは、KSO(これらの条件では不溶性)が全く、またはごく少量しか形成されなかったことを意味し、この観察結果は、ステップ(b)における定量的反応を示すものである。次いで反応混合物を氷/水浴中で冷却し、pH=7に中和して無色の針状結晶の形態の沈殿物を得た。生成物のIRスペクトルは、カリウムイミドジスルホネート標準試料のものと同一であった。
IR[KBr]/cm−1:3228(s)、1384(m)、1265(vs)、1242(vs)、1228(vs)、1088(m)、1029(s)、985(s)、875(m)、600(s)、537(s)。
(実施例3)
ピリジニウムN−トリフルオロメタンスルホニルスルファメートの調製
この手順は、ピリジン−三酸化硫黄錯体によるトリフルオロメタンスルホニルアミド(トリフルアミド(triflamide))の急速で高収率のスルホン化を示すものである。
トリフルアミド(1.49g、10mmol)およびピリジン−三酸化硫黄錯体(1.75g、11mmol)を、凝縮器を備え、乾燥アルゴン下に置かれた25mL丸底フラスコに量り入れた。ヒートガンを使用して、澄明な帯黄色の溶融生成物が得られるまで混合物を加熱した(およそ180℃)。良好な混合を確保するために、手作業でフラスコを撹拌した(回転させた)。5分後、混合物を冷却し、ガラス状固体がまず得られ、これを約1時間で結晶化させた。試料のF NMR分析は、トリフルアミドがほぼ定量的収率で表題化合物に転換したことを示した。
1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: 8.10 (t, J=7.11 Hz, 2H), 8.55 - 8.67 (m, 1H), 8.94 (d, J=5.31 Hz, 2H), 13.71 (br.s., 2H);
13C NMR (75 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: 120.17 (q, J=324.00 Hz), 127.34 (s), 142.32 (s), 146.40 (s);および
19F NMR (282 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: -78.14 (s).
(実施例4)
トリメチルアンモニウムN−トリフルオロメタンスルホニルスルファメートの調製
この手順は、トリメチルアミン−三酸化硫黄錯体を使用したトリフルアミドの急速で高収率のスルホン化を示すものである。
トリフルアミド(1.49g、10mmol)およびトリメチルアミン−三酸化硫黄錯体(1.39g、10mmol)を、凝縮器を備え、乾燥アルゴン下に置かれた25mL丸底フラスコに量り入れた。ヒートガンを使用して、澄明な帯黄色の溶融生成物が得られるまで混合物を加熱した(約180℃)。良好な混合を確保するために、手作業でフラスコを撹拌した(回転させた)。5分後、混合物を冷却し、生成物を即座に結晶化させた。試料のNMR分析は、19F NMRによって観察されたように、トリフルアミドの大部分が表題化合物に転換したこと、即ち、約97%の収率であったことを示した。
1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: 2.78 (s, 9H), 9.37 (br.s, 2H);
13C NMR (75 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: 44.27 (s), 120.19, (q, J=324.00 Hz);
19F NMR (282 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: -78.14 (s).
(実施例5)
N−(フルオロスルホニル)トリフルオロメタンスルホニルアミド(FTFSI)の調製
この手順は、置換スルファミン酸塩の置換スルファモイルフルオリド化合物への急速で高収率の転換を示すものである。
実施例3に従い新たに調製した、冷却された反応混合物にSOCl(5mL)を添加し、混合物を撹拌し1時間還流させてクロロスルファモイルトリフルアミド中間体を形成した。次いで過剰な塩化チオニルを蒸発させた。ジクロロメタン(5mL)とフッ化カリウム(3g)を添加し、得られた混合物を還流下30分間加熱した。次いで反応混合物を冷却し、慎重に冷水に溶解させ、水酸化カリウムで塩基性化した。テトラブチルアンモニウムクロリド(1g)を添加し、混合物をジクロロメタンで抽出(3×10mL)した。次いで有機層を合わせて濃縮した。NMR分析は、抽出物がテトラブチルアンモニウムN−(フルオロスルホニル)トリフルオロメタンスルホンイミドを含有することを示した。
1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: 0.92 (t, J=7.24 Hz, 3H), 1.31 (sxt, J=7.38 Hz, 2H), 1.46 - 1.71 (m, 2H), 3.02 - 3.29 (m, 2H);および
19F NMR (282 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: -78.03 (d, J=3.88 Hz, 3F), 57.37 (q, J=3.90 Hz, 1F)).
(実施例6)
N−フルオロスルホニル−ノナフルオロブタンスルホニルアミドの調製
このプロセスのステップb)は、置換スルファミドの置換スルファモイルフルオリド化合物への急速で高収率の転換を例示するものである。
a)ノナフルオロブタンスルホニルアミド
液体アンモニア(120mL)を、磁気撹拌器を備える500mLシュレンク型丸底フラスコの中で凝縮させた。−50℃で、ノナフルオロブタンスルホニルフルオリド(84g、284mmol)を撹拌下1時間かけて部分的に凍結したアンモニアに滴下添加した。次いで混合物を室温まで温め、その後一晩撹拌した。フラスコの内容物を冷水で洗浄してビーカーに入れ、塩酸で酸性化してpH<1とし、酢酸エチルで抽出(4×50mL)した。有機層を合わせ、NaSOで乾燥させ、濃縮して80g(95%)の無色油状物を得、これは、静置すると白色ワックス状固体として固化した。
1H NMR (303 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: 8.15 (br.s, 1H);
13C NMR /19F デカップリング後 (76 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: 109.71 (s), 111.59 (s), 114.71 (s), 118.34 (s);および
19F NMR (285 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: -125.31 - -124.84 (m, 2F), -120.66 - -119.92 (m, 2F), -113.03 - -112.74 (m, 2F), -80.13 (tt, J=10.04, 2.45 Hz, 3F).
b)N−フルオロスルホニル−ノナフルオロブタンスルホニルアミド
ステップ(a)からのノナフルオロブタンスルホニルアミド(3.19g、10.7mmol)およびピリジン−三酸化硫黄錯体(1.95g、12.3mmol)を、凝縮器を備え、乾燥アルゴン下に置かれた25mL丸底フラスコに量り入れた。ヒートガンを使用して、澄明な帯黄色の溶融生成物が得られるまで混合物を加熱した(約180℃)。良好な混合を確保するために、手作業でフラスコを撹拌した(回転させた)。15分後、混合物を冷却し、ガラス状固体が形成された。この冷却した混合物にSOCl(5mL)を添加し、混合物を還流下1時間撹拌して、クロロスルファモイルアミド中間体を形成した。過剰な塩化チオニルを蒸発させ、CHCl(5mL)およびフッ化カリウム(3g)を添加し、混合物を還流下30分間加熱した。次いで混合物を冷却し、慎重に冷水に溶解させ、塩基性化した(KOHで)。テトラブチルアンモニウムクロリド(1g)を添加し、混合物をCHClで抽出(3×10mL)した。有機層を合わせて濃縮した。19F NMR分析は、三重線のうちの特徴的な三重線を+58ppmに示し、これは、ノナフルオロブタンスルホニルアミドに結合(2つのCF基と結合)したフルオロスルファモイル基によるものと考えられ、N−フルオロスルホニル−ノナフルオロブタンスルホニルアミドの存在を裏付けるものである。
19F NMR (285 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: -124.96 - -124.82 (m, 2F), -120.06 - -119.91 (m, 2F), -111.50 - -111.32 (m, 2F), -80.23 - -80.18 (m, 3F), 58.05 (tt, J=5.10, 1.30 Hz, 1F).
(実施例7)
N−フルオロスルホニルトリデカフルオロヘキサンスルホニルアミドの調製
a)トリデカフルオロヘキサンスルホニルアミド
液体アンモニア(30mL)を、磁気撹拌器を備えた100mLシュレンク型丸底フラスコの中で凝縮させた。−50℃で、トリデカフルオロヘキサンスルホニルフルオリド(25g、62mmol)を撹拌しながら1時間かけて部分的に凍結したアンモニアに滴下添加した。次いで混合物を室温まで温め、次いで一晩撹拌した。フラスコの内容物を冷水で洗浄してビーカーに入れ、HClで酸性化してpH<1とし、酢酸エチルで抽出(4×50mL)した。有機層を合わせ、NaSOで乾燥させ、濃縮して18g(73%)のワックス状固体を得た。
1H NMR (303 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: 8.15 (br.s, 1H);
19F NMR (285 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: -126.97 - -126.62 (m, 2F), -123.34 (br. m., 2F), -122.43 (br. m., 2F), -121.09 - -120.66 (m, 2F), -114.51 - -114.24 (m, 2F), -81.81 - -81.67 (m, 3F).
b)ピリジニウムN−トリデカフルオロヘキサンスルホニルスルファメート
ステップ(a)からのトリデカフルオロブタンスルホニルアミド(1g、2.5mmol)およびピリジン−三酸化硫黄錯体(0.62g、3.9mmol)を、凝縮器を備え、乾燥アルゴン下に置かれた25mL丸底フラスコに量り入れた。ヒートガンを使用して、澄明な帯黄色の溶融生成物が得られるまで混合物を加熱した(約180℃)。良好な混合を確保するために、手作業でフラスコを撹拌した(回転させた)。15分後、混合物を冷却し、ガラス状固体が形成された。NMR分析は、全てのピリジンがピリジニウムイオンの形態であること、およびスルホニル基に最も近い2つのCF基のシフトによって示されるように、スルホン化がアミド基上で起こったことを裏付けた。
1H NMR (303 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: 7.95 - 8.17 (m, 2H), 8.59 (s, 1H), 8.93 (d, J=4.89 Hz, 2H) 11.52 - 12.99 (br.s, 2H);
19F NMR (285 MHz, DMSO-d6) δ/ppm: -125.80 (br.s., 2F), -122.55 (br.s., 2F), -121.68 (br.s., 2F), -120.46 - -119.94 (m, 2F), -111.53 (br.t, J=14.50 Hz, 2F), -80.58 - -80.01 (m, 3F).
c)テトラブチルアンモニウムN−フルオロスルホニルトリデカフルオロヘキサンスルホンイミド
SOCl(5mL)を、ステップ(b)の冷却した混合物に添加し、これを還流下6時間撹拌してクロロスルファモイルアミド中間体を形成した。過剰な塩化チオニルを蒸発させ、CHCl(5mL)およびKHF(3g)を添加し、混合物を還流下30分間加熱した。次いで反応混合物を冷却し、慎重に冷水に溶解させ、塩基性化した(NaHCOで)。テトラブチルアンモニウムクロリド(1g)を添加し、混合物をCHClで抽出(3×10mL)した。有機層を合わせて濃縮した。19F NMR分析は、三重線のうちの特徴的な三重線を+58ppmに示し、これは、トリデカフルオロヘキサンスルホンイミド基に結合した(2つのCF基と結合、19F−gCOSY実験でも確認された)フルオロスルファモイル基によるものであり、抽出物中のテトラブチルアンモニウムN−フルオロスルホニルトリデカフルオロヘキサンスルホンイミドの存在を実証するものである。
1H NMR (303 MHz, CDCl3) δ/ppm: 0.92 - 1.07 (m, 3H), 1.45 (sxt, J=7.34 Hz, 2H), 1.57 - 1.78 (m, 2H), 3.19 - 3.39 (m, 2H);
19F NMR (285 MHz, CDCl3) δ/ppm: -126.59 - -125.92 (m, 2F), -122.85 (br.s., 2F), -121.89 (br.s., 2F), -120.38 (br.s, 2F), -112.66 - -112.28 (m, 2F), -80.87 (tt, J=9.93, 2.34 Hz, 3F), 57.81 (tt, J=5.35, 1.30 Hz, 1F).
(実施例8)
二カリウムN−トシル−アザニドスルホネートの調製
トシルアミド(3.42g、20mmol)およびピリジン−三酸化硫黄錯体(3.66g、23mmol)を、凝縮器を備え、乾燥アルゴン下に置かれた25mL丸底フラスコに量り入れた。ヒートガンを使用して、澄明な帯黄色の溶融物が得られるまで混合物を加熱した(約200℃)。良好な混合を確保するために、手作業でフラスコを撹拌した(回転させた)。10分後、混合物を放冷し、結晶質固体が形成された。2g量のこの固体を冷水(40mL)に溶解させ、KOHを添加してpHを10にした。次いで酢酸を添加してpHを7.4に設定した。この溶液をイソプロパノール(150mL)に注ぎ、一晩冷蔵庫に入れた。沈殿物が形成され、濾過し、冷イソプロパノールで洗浄し、水/イソプロパノール混合物から再結晶して1.62gの二カリウムN−トシルアザニドスルホネートを得た。
1H NMR (303 MHz, D2O) δ/ppm: 2.41 (s, 3H), 7.37 (d, J=8.51 Hz, 2H), 7.76 (d, J=8.08 Hz, 2H);
13C NMR (76 MHz, D2O) δ/ppm: 22.15 (s), 127.90 (s), 130.68 (s), 142.28 (s), 143.77 (s).
(実施例9)
N−エチル−ビス(フルオロスルホニル)イミドの調製
ピリジニウムN−エチルスルファメート(2.04g、10mmol)およびピリジン−三酸化硫黄錯体(1.75g、11mmol)を、凝縮器を備え、乾燥アルゴン下に置かれた25mL丸底フラスコに量り入れた。ヒートガンを使用して、澄明な帯黄色の溶融生成物が形成されるまで混合物を加熱した(約180℃)。良好な混合を確保するために、手作業でフラスコを撹拌した(回転させた)。5分後、混合物を冷却し、1時間で結晶化した第1のガラス状固体を得た。この冷却した混合物にPOCl(5mL)を添加し、混合物を還流下6時間加熱撹拌して、クロロスルファモイルアミド中間体を形成した。過剰なホスホリルクロリドを蒸発させ、CHCl(5mL)およびKHF(3g)を添加し、混合物を還流下30分間加熱した。次いで反応混合物を冷却し、慎重に冷水に溶解させ、CHClで抽出(2×10mL)した。有機層を合わせて濃縮した。NMR分光分析は、フッ素とエチル基プロトンとの間の特徴的なカップリングが観察されたことから、抽出物中のN−エチル−(ビスフルオロスルホニル)イミドの存在を明らかにした。
1H NMR (303 MHz, CDCl3) δ/ppm: 1.48 (tt, J=7.20, 0.60 Hz, 3H), 4.10 (qt, J=7.09, 1.70 Hz, 2H);
13C NMR (76 MHz, CDCl3) δ/ppm: 14.21 (br.s), 51.56 (br.s);
19F NMR (285 MHz, CDCl3) δ/ppm: 59.08 - 59.12 (m).
(実施例10)
カリウムN−(フルオロスルホニル)トリフルオロメタンスルホンイミド(KFTFSI)の調製
トリフルアミド(14.9g、100mmol)およびピリジン−三酸化硫黄錯体(19.2g、120mmol)を、凝縮器と磁気撹拌棒を備え、乾燥アルゴン下に置かれた100mL丸底フラスコに量り入れた。油浴中、澄明な帯黄色の溶融物が得られるまで(20〜25分)混合物を撹拌し加熱した(180℃)。次いで混合物を70℃に冷却し、塩化チオニル(10mL、140mmol)を凝縮器を通じて添加し、バブラーを使用してガス発生を監視した。ガス発生が停止した後(約3.5時間)、混合物を室温に冷却し、トルエンとCHClの混合物中に溶解させ、火炎乾燥したフッ化カリウム(35g)に添加し、還流下1時間加熱した。次いで混合物を冷却し、溶媒を真空下で蒸発させ、残渣を酢酸ブチルおよびTHFで抽出した。合わせた抽出物を真空下で濃縮し、生成物をジクロロメタンの添加により沈殿させて、17.3g(ほぼ80%)のKFTFSIを得た。
IR[KBr]/cm−1:1375(m)、1356(vs)、1323(s)、1206(vs)、1183(s)、1160(vs)、1080(s)、850(m)、778(m)、744(w)、635(s)、605(m)、575(m)、532(w)。
13C NMR (126 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: 125.34 (dq, J=321.40, 2.30 Hz,);
19F NMR (285 MHz, アセトン-d6) δ/ppm: -77.53 (d, J=3.90 Hz, 3F), 57.53 (q, J=4.20 Hz, 1F).
(実施例11)
アニオン交換によるリチウムビス(フルオロスルホニル)イミドの調製
乾燥KFSI(10.96g、50mmol)およびLiClO(5.32g)の塩を、グローブボックス内で250mL丸底フラスコに量り入れた。アルゴン下で激しく撹拌しながら、カニューレを介して100mLの乾燥アセトニトリルを添加した。塩は即座に溶解し、その後、わずかの間に白色沈殿物が形成され、混合物はおよそ40℃に自然に熱くなった。次いで混合物を一晩撹拌し、KClO沈殿物を濾別した。ろ液を減圧下で濃縮し、結果として得られた油状生成物を高真空下60℃で乾燥させて、11.80g(ほぼ定量的収率)のLiFSIを白色固体として得た。19F NMRスペクトルは、KFSIについて得られたものと事実上同一であった。
(実施例12)
アニオン交換によるリチウムN−(フルオロスルホニル)トリフルオロメタンスルホンイミドの調製
乾燥KFTFSI(13.462g、50mmol)およびLiClO(5.32g)の塩を、グローブボックス内で250mL丸底フラスコに量り入れた。アルゴン下で激しく撹拌しながら、カニューレを使用して100mLの乾燥アセトニトリルを添加した。塩は即座に溶解し、その後、わずかの間に白色沈殿物が形成され、混合物はおよそ35℃に自然に温まった。次いで混合物を一晩撹拌し、KClO沈殿物を濾過により除去した。溶媒を真空下で蒸発させ、結果として得られた油状物を高真空下80℃で乾燥させて、11.80g(ほぼ定量的収率)のLiFTFSIを白色固体として得た。13Cおよび19F NMRスペクトルは、KFTFSIについて得られたものと事実上同一であった。
(実施例13)
Liイオンバッテリにおけるリチウムビス(フルオロスルホニル)イミドの電解質としての使用
電池調製:
実施例11の場合と同様に調製したリチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(LiFSI)を、エチレンカーボネート(EC)とジエチルカーボネート(DEC)の3:7(vol:vol)混合物中に溶解させて、塩濃度が1Mの電解質を得た。
活性挿入カソードを用いて電気化学試験を遂行するために、N−メチルピロリドン(NMP)中84:3:3:10(重量%)の比のLiFePOとカーボンブラックとポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)の混合物を使用してLiFePO(LFP)電極を調製した。次いでこの混合物をアルミニウム電流コレクタ上に塗布した。電極材料は使用前に真空オーブン中120℃で12時間乾燥させた。
活性挿入アノードを用いて電気化学試験を遂行するために、グラファイト(OMAC、Osaka Japan)の電極を、グラファイトおよびカーボンブラックおよびPVDFをNMP中92:2:6(重量%)の比で混合し、次いでこれを銅電流コレクタに塗布することで調製した。電極材料は使用前に真空オーブン中120℃で12時間乾燥させた。
乾燥後、電極をコイン型電池アセンブリに合うサイズに切断(パンチによって)した。グラファイトまたはLFP電極、ポリプロピレンセパレータ、および反対極性の電極としての金属リチウムを使用するこれらのコイン型電池に上記の電解質を使用した。
電池に対する試験:
グラファイトを含む電池は、Li金属に対して2.5Vと0.01Vの間でサイクルに付し、LFPを含有する電池は、Li金属に対して2.0Vと4.0Vの間でサイクルに付した。コイン電池の形成は、C/24の速度で実施した(図1(a)および(b)参照)。
LFPの場合、第1サイクルでの155mAh/gの容量および、97.3%のクーロン効率が得られ、第2サイクルでは、158mAh/gの容量および99%を超えるクーロン効率が得られた。これらの良好な結果は、本プロセスにより調製される塩が、LFP含有電気化学セルにおける使用に適していることを裏付けるものである。
グラファイトの場合、第1サイクルでの355mAh/gの容量および、91.6%のクーロン効率に到達し、これは、SEI(固体電解質界面)層の形成を意味し、第2のサイクルでは、99%のクーロン効率を伴う362mAh/gの容量が得られた。これらの非常に良好な結果は、本プロセスにより製造される塩が、電気化学セルにおいてグラファイトと共に使用するのにも適していることを裏付けるものである。
これらの同じ電池を、放電速度の関数としての放電容量の変動を測定することにより、速度能力について試験を行った(結果を図2(a)および(b)に示す)。LFPの場合、高速度では予想された容量の低下が認められた。対照的に、グラファイトでは、10Cの速度であっても300mAh/gを超える容量の保持が認められ、LiFSI電解質を用いてグラファイト上に形成されたSEI層が非常に良好な品質であることを実証した。
電池をさらに、充電速度C/4および放電速度1Cを使用した安定性試験に付した(結果を図3(a)および(b)に提示する)。LFPを含む電池は、第195サイクルで146mAh/gの優れた容量保持性を示した。グラファイトでは、予想された容量のわずかな減退が認められたが、200サイクル後も容量は依然として322mAh/gであった。
上記の結果は、本プロセスにより製造されたLiFSiが、リチウムまたはリチウムイオンバッテリにおける電解質塩としての使用に適することを裏付けるものである。
(実施例14)
LiイオンバッテリにおけるリチウムN−(フルオロスルホニル)トリフルオロメタンスルホンイミドの電解質としての使用
実施例12の場合と同様に調製したリチウムN−(フルオロスルホニル)トリフルオロメタンスルホンイミド(LiFTFSI)を、エチレンカーボネート(EC)とジエチルカーボネート(DEC)の3:7(vol:vol)混合物中に溶解させて、濃度が1Mの電解質を得た。
活性挿入アノードを用いて電気化学試験を遂行するために、グラファイト(OMAC、Osaka Japan)の電極を実施例13の場合と同様に調製した。電解質をグラファイト電極、ポリプロピレンセパレータ、および反対極性の電極としての金属リチウムを使用したコイン型電池に使用した。電池をLi金属に対して2.5Vと0.01Vの間でサイクルに付した。コイン電池の形成は、C/24の速度で行った(結果を図4に提示する)。
第1サイクルでの363mAh/gの容量および、90%のクーロン効率が達成され、これは、SEI層の形成を意味し、第2サイクルでは、98.7%のクーロン効率を伴う363mAh/gの容量が得られた。これらの非常に良好な結果は、本プロセスに従い調製される塩が、電気化学セルにおいてグラファイトと共に使用するのに適していることを裏付けるものである。
電池をさらに充電速度C/4および放電速度1Cでの安定性試験に付した(グラファイトの場合の結果を図5に提示する)。予想通り、グラファイトを含有する電池は容量のわずかな減退を呈したが、第60サイクルでも容量は依然として310mAh/gに到達した。
(実施例15)
グラファイト電極と共に使用したLiPF、LiFSIおよびLiFTFSIの速度能力の比較
1MのLiPF、LiFSIおよびLiFTFSI溶液を、塩をエチレンカーボネート(EC)とジエチルカーボネート(DEC)の3:7(vol/vol)混合物中に溶解させることにより調製した。LiPF溶液は、2重量%のビニレンカーボネートも含有していた。
実施例13に記載するとおりの金属リチウムおよびグラファイトの電極、ポリプロピレンセパレータ、および電解質としての上記溶液を使用してコイン型電池を調製した。電池は、Li金属に対して2.5Vと0.01Vの間でサイクルに付した。電池は全て、C/24での2つの形成サイクルに付し、次いで、放電速度の関数としての放電容量を測定することにより速度能力を調べた(図6参照)。
LiFSIおよびLiFTFSI塩は、電源能力に関してほぼ同一の特性を呈し、電源能力は、全出力範囲にわたり、LiPFよりもおよそ50mAh/g高かった。これは、LiFSIおよびLiFTFSI電解質の両方の場合にグラファイト上に形成されるSEI層が、LiPFを使用した場合に形成されるものに比べて優れた品質を有することを意味する。したがって、本プロセスに従い調製されるこの2種の塩は、例えば、グラファイトアノードを使用するリチウムまたはリチウムイオンバッテリにおける電解質への使用に非常に適している。
上記実施形態のいずれに対しても、本発明の範囲から逸脱することなく、数多くの変更を加えることができる。本願において言及した参考文献、特許または科学文献は、その全体があらゆる目的で参照により本明細書に組み込まれる。

Claims (41)

  1. 式I:
    のスルファミン酸誘導体の調製のためのプロセスであって、式中、
    は、水素原子、ならびに直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、およびC〜C10ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記基は任意選択でハロゲン化されているか、またはRおよび隣接窒素原子は一緒になって塩を形成し、ここで、前記窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、Rは(Mn+1/nもしくはXであり;
    は、水素原子、ならびにシアノ、スルホニル、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、任意選択でハロゲン化されたC〜C10アリーロイル、任意選択でハロゲン化されたC〜C10ヘテロアリーロイル、任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、任意選択でハロゲン化されたC〜C10アリールスルホニル、および任意選択でハロゲン化されたC〜C10ヘテロアリールスルホニル基からなる群から選択され;
    は、OH、F、Cl、O(Mn+1/n、O、および任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルコキシからなる群から選択され;
    (Mn+1/nは、金属カチオンであり、ここで、Mは金属であり、nは1〜4の範囲から選択される整数であり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、もしくはMnであり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Sc、およびTiから選択され、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはアルミニウムであるか、またはMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であり;
    は、例えばアンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、1,3−ジアルキルイミダゾリウム、N−アルキルピロリジニウム、N−アルキルピペリジニウム、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスルホニウム、テトラアルキルホスホニウムなどから選択される有機カチオンを表し、前記プロセスが、
    i)式:
    の化合物を三酸化硫黄源および第三級アミンと接触させ、約50℃から約300℃の間に含まれる温度で加熱するステップ;および
    ii)ステップ(i)で得られた生成物を任意選択で変換して式Iの化合物を生成するステップ
    を含む、プロセス。
  2. 前記三酸化硫黄源が、SO(三酸化硫黄)およびそのオリゴマーおよびポリマー;HSO(硫酸);H(二硫酸)および他のポリ硫酸およびそれらの塩;ClSOH(クロロスルホン酸)およびその塩;FSOH(フルオロスルホン酸)およびその塩;SO−アンモニア錯体(スルファミン酸);三酸化硫黄と有機アミンの錯体;三酸化硫黄と他の有機化合物、例えばジオキサン、チオキサン、ジメチルホルムアミドの錯体;ならびに乾燥カルボン酸へのSO導入により生じるアシルスルフェート、例えば、アセチルスルフェート(CHC(O)OSOH)から選択される、請求項1に記載のプロセス。
  3. 前記三酸化硫黄源および前記第三級アミンが、錯体として一緒に添加され、前記第三級アミンが、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−アルキル置換ピロリジンおよびモルホリン、ピリジン、ピコリン、ルチジン、キノリン、N,N−ジメチルアニリン、ならびに他のアミンから選択される、請求項1または2に記載のプロセス。
  4. 前記錯体が、ピリジン−三酸化硫黄、トリメチルアミン−三酸化硫黄、およびトリエチルアミン−三酸化硫黄錯体から選択される、請求項3に記載のプロセス。
  5. ステップ(i)が、約100℃から約250℃の間、または約150℃から約220℃の間に含まれる温度で加熱することを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のプロセス。
  6. ステップ(i)における加熱することが、10時間未満、4時間未満、または1時間未満の期間実施される、請求項1から5のいずれか一項に記載のプロセス。
  7. ステップ(i)が、溶媒を添加することなく実施される、請求項1から6のいずれか一項に記載のプロセス。
  8. 前記プロセスが、前記ステップ(i)で得られた生成物を金属塩基と接触させることを含むステップ(ii)を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載のプロセス。
  9. 前記金属塩基が、金属水酸化物、金属アルコキシド、有機金属、およびグリニャール試薬から選択され、前記金属が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびアルミニウムから選択される、請求項8に記載のプロセス。
  10. 前記金属塩基が金属水酸化物である、請求項9に記載のプロセス。
  11. ステップ(i)またはステップ(ii)の生成物を強酸で処理する、またはその溶液を酸性イオン交換樹脂と接触させるステップをさらに含む、請求項1から10のいずれか一項に記載のプロセス。
  12. 前記強酸が、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、およびトリフルオロメタンスルホン酸から選択される、請求項11に記載のプロセス。
  13. 前記プロセスが、前記ステップ(i)で得られた生成物を塩素化剤と接触させることを含むステップ(ii)を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載のプロセス。
  14. 前記塩素化剤が、無機および有機酸塩化物、例えばPCl、POCl3、SOCl、ClSOH、COCl、ClCOCOCl、塩化硫黄、シアヌル酸クロリド、アセチルクロリド、トリフルオロアセチルクロリド、メタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリド、ベンゾイルクロリド、(トリクロロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルクロリド、およびトルエンスルホニルクロリドから選択される、請求項13に記載のプロセス。
  15. 前記塩素化剤が、SOCl、COCl、またはClCOCOClである、請求項13に記載のプロセス。
  16. ステップ(ii)において、前記得られた生成物を前記塩素化剤と接触させた後にフッ素化剤と接触させることをさらに含む、請求項13から15のいずれか一項に記載のプロセス。
  17. 前記フッ素化剤が、フッ化水素、フッ化物または二フッ化水素塩(フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、もしくはフッ化セシウム、または二フッ化水素アンモニウム、二フッ化水素ナトリウム、二フッ化水素カリウム、もしくは二フッ化水素セシウムなど)、およびアミンとフッ化水素酸の錯塩(例えばピリジニウムまたはトリエチルアンモニウムポリヒドロフルオリド)から選択される、請求項16に記載のプロセス。
  18. 前記フッ素化剤が、KFまたはKHFである、請求項17に記載のプロセス。
  19. 前記プロセスが、前記ステップ(i)で得られた生成物をフッ素化剤と接触させることを含むステップ(ii)を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載のプロセス。
  20. 前記フッ素化剤が、反応性無機および有機酸フッ化物、例えばPF、POF3、SOF、FSOH、COF、FCOCOF、有機および無機ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロシリケート、テトラフルオロボレート、四フッ化硫黄およびその有機誘導体(ジエチルアミノ硫黄トリフルオリド(DAST)およびモルホリノ硫黄トリフルオリドなど)、シアヌル酸フルオリド、アセチルフルオリド、トリフルオロアセチルフルオリド、メタンスルホニルフルオリド、トリフルオロメタンスルホニルフルオリド、ベンゾイルフルオリド、(トリフルオロメチル)ベンゼン、ベンゼンスルホニルフルオリド、ならびにトルエンスルホニルフルオリドから選択される、請求項16または19に記載のプロセス。
  21. 請求項1から20のいずれか一項に記載のプロセスによって調製される、スルファミン酸誘導体。
  22. 式I:
    により定義されるスルファミン酸誘導体であって、式中、
    は、水素原子、ならびに直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、およびC〜C10ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記基は任意選択でハロゲン化されているか、またはRおよび隣接窒素原子は一緒になって塩を形成し、ここで、前記窒素原子は負電荷を持ち(アニオンであり)、Rは(Mn+1/nもしくはXであり;
    は、水素原子、ならびにシアノ、スルホニル、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、任意選択でハロゲン化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルカノイル、任意選択でハロゲン化されたC〜C10アリーロイル、任意選択でハロゲン化されたC〜C10ヘテロアリーロイル、任意選択でハロゲン化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、任意選択でハロゲン化されたC〜C10アリールスルホニル、または任意選択でハロゲン化されたC〜C10ヘテロアリールスルホニル基からなる群から選択され;
    は、OH、F、Cl、O(Mn+1/n、O、および任意選択でハロゲン化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルコキシからなる群から選択され;
    (Mn+1/nは、金属カチオンであり、ここで、Mは金属であり、nは1〜4から選択される整数であり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、またはMnであり、例えばMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Sc、およびTiから選択され、例えばMは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはアルミニウムであるか、またはMは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であり;
    は、例えばアンモニウム、アルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアルキルアンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、1,3−ジアルキルイミダゾリウム、N−アルキルピロリジニウム、N−アルキルピペリジニウム、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスルホニウム、およびテトラアルキルホスホニウムから選択される有機カチオンを表す、
    スルファミン酸誘導体。
  23. が、クロロスルホニル、フルオロスルホニル、クロロカルボニル、フルオロカルボニル、直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカノイル、直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニル、ペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルカンスルホニルからなる群から選択される、請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体。
  24. 式II:
    の化合物である、請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体であって、式中、
    およびRは、請求項1または22に定義するとおりであり;
    は、水素、シアノ、フッ素、塩素、および直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールまたはC〜C10ヘテロアリール(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)からなる群から選択される、
    スルファミン酸誘導体。
  25. 前記スルファミン酸誘導体が、式III:
    の化合物であり、式中、RおよびRは、請求項1または22に定義するとおりであり;
    は、水素、シアノ、フッ素、塩素、および直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリールまたはC〜C10ヘテロアリール(これらは各々、任意選択でハロゲン化されている)からなる群から選択される、
    請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体。
  26. が、フッ素、塩素、直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、およびペルフルオロ化された直鎖または分枝鎖C〜C24アルキルから選択される、請求項24または25に記載のスルファミン酸誘導体。
  27. が(Mn+1/nであり、MがLi、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、およびMnから選択されるか、またはLi、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nが1または2である、請求項21から26のいずれか一項に記載のスルファミン酸誘導体。
  28. が、直鎖または分枝鎖C〜C24アルキル、C〜C10アリール、およびC〜C10ヘテロアリール(これらは各々、任意選択でペルハロゲン化されている)から選択される、請求項21から26のいずれか一項に記載のスルファミン酸誘導体。
  29. がO(Mn+1/nであり、ここで、Mは、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、Cu、Sc、Y、Fe、Co、Ni、Ti、Sn、V、Cr、およびMnから選択されるか、またはLi、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、およびBaから選択され、nは1または2であり、あるいは、MはLiであり、nは1である、請求項21から28のいずれか一項に記載のスルファミン酸誘導体。
  30. が、FまたはClである、請求項21から28のいずれか一項に記載のスルファミン酸誘導体。
  31. 下記の化合物1〜9:
    から選択される、請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体。
  32. 下記の化合物10〜18:
    から選択される、請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体。
  33. 下記の化合物19〜27:
    から選択される、請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体であって、式中、Rは請求項22に定義するとおりである、スルファミン酸誘導体。
  34. 下記の化合物28〜36:
    から選択される、請求項21または22に記載のスルファミン酸誘導体であって、式中、Rは、請求項22に定義するとおりであり、Rは、任意選択でハロゲン化された直鎖もしくは分枝鎖C〜C24アルキルであるか、またはORはO(Mn+1/nもしくはOであり、ここで、M、Xおよびnは、本明細書に定義するとおりである、スルファミン酸誘導体。
  35. 請求項1から20のいずれか一項によるプロセスによって調製されるか、または請求項21から34のいずれか一項に定義するとおりのスルファミン酸誘導体を含む電解質。
  36. 相溶性溶媒をさらに含む、請求項35に記載の電解質。
  37. 相溶性溶媒和ポリマーをさらに含む、請求項35に記載の電解質。
  38. 請求項35から37のいずれか一項に定義するとおりの電解質、電極、および対電極を含む電気化学セル。
  39. バッテリ、エレクトロクロミック素子、またはコンデンサである、請求項38に記載の電気化学セル。
  40. 前記バッテリがリチウムまたはリチウムイオンバッテリである、請求項39に記載の電気化学セル。
  41. 電気もしくはハイブリッド自動車、またはコンピューティングおよび/または遠距離通信デバイスにおける請求項38から40のいずれか一項に記載の電気化学セルの使用。
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