JP6519139B2 - 透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳しくは、光透過性と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れた透明電極、この透明電極を備えた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す。）を利用した有機ＥＬ素子（有機電界発光素子ともいう。）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。

このような有機ＥＬ素子は、２枚の電極間に有機材料からなる発光層を配置した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は、透明電極として構成される。

透明電極としては、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている（例えば、特許文献１及び２参照。）。しかしながら、ＩＴＯは、レアメタルのインジウムを使用しているため材料コストが高く、また、抵抗を下げるために成膜後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。

そこで、電気伝導率の高い銀（Ａｇ）を導電性層として、該導電性層の下層に芳香族性に関与しない非共有電子対を有する含窒素有機化合物からなる中間層を設けることで、前記含窒素有機化合物と銀との間に強い相互作用が働いて、優れた光透過率と導電性とを両立した透明電極を作製できる技術等が提案されている（例えば、特許文献３〜６参照。）。
しかしながら、特許文献３〜６に開示されている導電性層の主な形成方法は乾式法である。乾式法は、溶媒を用いない点が利点であるが、成膜速度が遅いという問題があった。
一方、導電性層を湿式法により形成する場合、導電性層の下層である中間層の有機溶媒に対するリンス耐久性が鍵であり、使用できる有機溶媒が極めて限定的になってしまうといった問題があった。
また、長期耐久性を確認するための高温保存下における強制劣化試験での光透過率変化がやや大きく長期耐久性に懸念があった。

特開２００２−０１５６２３号公報 特開２００６−１６４９６１号公報 国際公開第２０１３／１０５５６９号 国際公開第２０１３／１４１０９７号 国際公開第２０１３／１６１７５０号 国際公開第２０１３／１８００２０号

本発明は上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、優れた耐久性に加え、多様な有機溶媒に対する耐性を有する中間層を持つ透明電極、当該透明電極を備えた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、前記導電性層が、金、銀又は銅を主成分として含有し、前記中間層が、硬化性組成物により形成されており、前記硬化性組成物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有することで、優れた耐久性に加え、多様な有機溶媒に対する耐性を有することを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明にかかる上記課題は、以下の手段により解決される。

１．導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、
前記導電性層が、金、銀又は銅を主成分として含有し（ただし、平均アスペクト比（アスペクト＝長さ／直径）が１０〜１００００である導電性繊維を除く）、
前記中間層が、硬化性組成物により形成されており、
前記硬化性組成物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有し、
前記導電性層の厚さが、５〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする透明電極。

２．前記導電性層が、銀を主成分として含有することを特徴とする第１項に記載の透明電極。

３．前記中間層及び前記導電性層がともに、湿式法で形成されることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明電極。

４．前記硬化性組成物が、熱硬化性組成物又は光硬化性組成物であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明電極。

５．前記硬化性組成物が、重合性組成物であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明電極。

６．前記重合性組成物が、ビニル基を有する１種類のモノマーからなる組成物であることを特徴とする第５項に記載の透明電極。

７．前記重合性組成物が、ビニル基を有する２種類以上のモノマーからなる共重合性組成物であることを特徴とする第５項に記載の透明電極。

８．前記重合性組成物が、ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性組成物であることを特徴とする第５項に記載の透明電極。

９．前記重合性組成物が、分子内に二つ以上のビニル基を有するモノマーを含有する組成物であることを特徴とする第５項から第８項までのいずれか一項に記載の透明電極。

１０．前記重合性組成物が、ラジカル重合開始剤を用いて重合される組成物であることを特徴とする第５項から第９項までのいずれか一項に記載の透明電極。

１１．前記硬化性組成物が、ピリジン、トリアジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、チアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、アザジベンゾチオフェン、キノリン、ベンズチアジアゾール、フェナントロリン、イミダゾール、トリアゾール又はピラジン骨格を有する重合性化合物を含有する組成物であることを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明電極。
１２．第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の透明電極を備えていることを特徴とする電子デバイス。

１３．陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陽極又は陰極が、第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の透明電極を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

本発明によれば、優れた耐久性に加え、多様な有機溶媒に対する耐性を有する中間層を持つ透明電極、当該透明電極を備えた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。

本発明の効果の発現機構、作用機構については明確にはなっていないが、以下のように推察される。
本発明の透明電極は、導電性層が、中間層に隣接して、金、銀又は銅を主成分として含有し、中間層が、硬化性組成物により形成されており、当該硬化性組成物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物（以下、含窒素芳香族複素環化合物ともいう。）を含有している。
これにより、中間層の上部に導電性層を成膜する際、導電性層を構成する金属原子が銀原子の場合、中間層に含有されている該芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子と相互作用し、中間層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集を抑制することができたものと推察される。また、金及び銅を主成分として導電性層に含有する場合も同様に働くものと考えられる。

具体的な機構としては、本発明に係る硬化性組成物により形成された中間層は、導電性層が主成分として含有する、金原子、銀原子又は銅原子が、まずこれらの金属原子と親和性のある原子を有する硬化性組成物により形成された中間層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。

なお、一般的には、中間層表面において付着した金属原子が表面を拡散しながら結合して３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により、島状に成膜しやすいと考えられる。
しかし、本発明においては、中間層に含有されている銀親和性化合物である芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物により、島状成長が抑制され、層状成長が促進されると推察される。
また、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を硬化性組成物に含有させることで強制劣化条件下においても、脱離することなく初期の添加量を維持することができるため、透明電極の性能向上に寄与し、本発明の効果が得られるものと推定している。
このため、中間層に含有させる方法としては、硬化性樹脂の一部の置換基として芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有させることがより有効であると推定している。

したがって、薄い層厚でありながらも均一な層厚の導電性層が得られるようになる。その結果、より薄い層厚として光透過率を保ちつつも、導電性が確保された透明電極とすることができたものと推察される。
さらに、硬化性組成物を中間層に用いることにより、従来の低分子からなる有機化合物では使用できなかった溶媒を用いることができ、溶媒のリンスに対する耐性の向上を図ることができるため、湿式法による成膜が可能となり、作製条件の幅が広がる点で有効である。

本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第１例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第２例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の第３例を示す概略断面図 本発明の透明電極を備えた有機ＥＬ素子を用いて発光面を大面積化した照明装置の概略断面図 実施例にて作製した有機ＥＬ素子を具備した発光パネルの概略断面図

本発明の透明電極は、導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、前記導電性層が、金、銀又は銅を主成分として含有し（ただし、平均アスペクト比（アスペクト＝長さ／直径）が１０〜１００００である導電性繊維を除く）、前記中間層が、硬化性組成物により形成されており、前記硬化性組成物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有し、前記導電性層の厚さが、５〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする。この特徴は、本実施形態に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、銀を主成分として含有することが好ましい。これにより、中間層に含有される芳香族複素環化合物の窒素原子と強い相互作用を形成することができる。

本発明の実施態様としては、前記中間層及び前記導電性層がともに、湿式法で形成されることが好ましい。これにより、透明電極の大面積化及び作製コストの低減が可能となる。

本発明の実施態様としては、前記硬化性組成物が、熱硬化性組成物又は光硬化性組成物であることが好ましい。これにより、加熱又は光照射という簡便な方法で、中間層を形成することができ、さらに中間層の各種有機溶媒に対するリンス耐久性が向上させることができる。

本発明の実施態様としては、重合反応により容易に中間層を形成することができる観点から、前記硬化性組成物が重合性組成物であることが好ましい。

本発明の実施態様としては、前記重合性組成物が、ビニル基を有する１種類のモノマーからなる組成物であることが、重合反応を容易に起こさせることができる点で好ましい。

本発明の実施態様としては、前記重合性組成物が、ビニル基を有する２種類以上のモノマーからなる共重合性組成物であることが、有機合成により得やすく、共重合反応しやすい点で好ましい。

本発明の実施態様としては、前記重合性組成物が、ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性組成物であることが、共重合反応しやすい点で好ましい。また、分子構造、分子形状や特性を考慮した共重合性組成物とすることで、中間層の膜状態としての自由度を向上させたり、すき間を埋めてより密度の高い膜にさせたりすることが可能となり、高温・高湿下での長期間の保存性に優れた透明電極を作製することもできる点で好ましい。

本発明の実施態様としては、前記重合性組成物が、分子内に二つ以上のビニル基を有するモノマーを含有する組成物であることが、より確実に重合反応を起こさせることができる点で好ましい。

本発明の実施態様としては、前記重合性組成物が、ラジカル重合開始剤を用いて重合される組成物であること好ましい。これにより、より確実に重合反応を起こし、特定箇所による重合性度のムラが少なく、全体的にリンス耐久性に優れた中間層を形成することができる。

本発明の透明電極は、本発明の効果発現の観点から電子デバイスに好適に具備され得る。

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ素子であって、本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の効果発現の観点から前記陽極又は陰極として、本発明の透明電極を好適に具備する。

以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。
なお、本発明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

≪１．透明電極≫
＜透明電極の構成＞
図１に示すように、透明電極１は、導電性層１ｂと、導電性層１ｂに隣接して設けられる中間層１ａとを備えている。具体的には、透明電極１は、中間層１ａと、この中間層１ａの上部に導電性層１ｂとが積層された２層構造であり、例えば、基板１１の上部に、中間層１ａ、導電性層１ｂの順に設けられている。中間層１ａは、硬化性組成物により形成される層である。導電性層１ｂは、金、銀又は銅を主成分として構成されている層であり、銀を主成分とすることがより好ましい。

なお、導電性層１ｂの主成分とは、導電性層１ｂを構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。例えば、銀を主成分とする場合、導電性層１ｂにおける銀の構成比率としては、６０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることが特に好ましい。
また、透明電極１の透明とは、測定光波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
また、透明電極１としてのシート抵抗値は、２０Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５〜２０ｎｍ、好ましくは５〜１２ｎｍの範囲で選ばれる。
次に、このような積層構造の透明電極１が設けられる基板１１、透明電極１を構成する中間層１ａ及び導電性層１ｂの順に、詳細な構成を説明する。

（基板）
本発明の透明電極１が形成される基板１１としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基板１１は、透明であっても不透明であってもよい。本発明の透明電極１が、基板１１側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基板１１は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板１１としては、ガラス、石英又は透明樹脂フィルムを挙げることができる。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、中間層１ａとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等のフィルムが挙げられる。

上記したように、樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％）が０．０１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のバリアー性フィルム（バリアー膜等ともいう。）であることが好ましい。さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、及び水蒸気透過度が１×１０^−５ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下の高バリアー性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリアー性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機ＥＬ素子の劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、当該バリアー性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層（無機層）と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリアー性フィルムの作製方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
一方、基板１１を不透明な材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。

（中間層）
本発明に係る中間層は、硬化性組成物により形成されており、当該硬化性組成物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有する。
これにより、中間層に隣接して導電性層を成膜する際、導電性層を構成する主成分である金原子、銀原子又は銅原子が中間層に含有されている該芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子と相互作用し、中間層表面上での金原子、銀原子又は銅原子の拡散距離が減少し、特異箇所でのこれらの金属原子の凝集を抑制することができる。

［硬化性組成物］
本発明に係る中間層は、硬化性組成物により形成されることを特徴とする。
硬化性組成物とは、硬化させる処理を行うことにより硬化する化合物を含有する組成物である。したがって、基板上に所定の方法により硬化性組成物を配設した段階では、流動性がある状態である。
硬化性組成物は、加熱又は光照射により硬化性組成物を硬化させる方法が簡便であるため、熱硬化性組成物又は光硬化性組成物であることが好ましい。

さらに、硬化性組成物は、重合性組成物であることが好ましい。
重合反応としては、ラジカル重合、カチオン重合及びアニオン重合等が挙げられる。
重合反応を起こす方法としては、加熱工程、光照射工程及びその両方の工程を経るという方法等が挙げられ、用いた硬化性組成物の種類、目的とする中間層の性能に応じて適宜選択することができる。

本発明に係る重合性組成物は、重合反応を引き起こしやすく、有機合成もしやすいという観点から、ビニル基を有する１種類のモノマーであることが好ましい。
−ＣＨ＝ＣＨ_２で表されるビニル基は、ラジカルが１位の炭素原子上の一つのπ電子を奪うことで、他の炭素原子との間に新たな結合をつくり出すラジカル反応を引き起こす。
つまりラジカルが反応の開始剤となっていることから、基板上に原料溶液を配設した後に加熱や光照射を行ったり、中間層を硬化させる前にあらかじめラジカル重合開始剤を含有させたりすることで、ラジカルを発生させることができれば、容易に重合させることができ、中間層が形成されることが期待できる。

本発明に係る重合性組成物は、ビニル基を有する２種類以上のモノマーからなる共重合性組成物であることも好ましい。重合性組成物が、１種類のモノマーでない場合であっても、同様に重合反応が進むことから、共重合性組成物であることも好ましい。
また、本発明に係る重合性組成物は、ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性組成物であってもよい。チオール基とビニル基との間の反応は、チオール−エン反応と呼ばれ、ビニル基同士の重合と同様に容易に重合できる。

ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性組成物は、ビニル基を有するモノマー又はチオール基を有するモノマーの含有比率を変化させることで、もたらされる効果の大きさも変化するが、リンス耐久性の向上や、共重合性組成物とすることによりもたらされる高温・高湿下での長時間保存性の向上といった所望の目的に応じて適宜調整することができる。
また、本発明に係る重合性組成物は、より確実に重合反応を起こさせることができる点で、分子内に二つ以上のビニル基を有するモノマーを含有する組成物であることも好ましい。

本発明に係る中間層の硬化前の原料溶液に、ラジカル重合開始剤が含有されていることも好ましい。
ラジカル重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ｐ−アニシル、ジフェニルエタンジオン、２−ベンゾイル安息香酸、４，４′−ジクロロベンゾフェノン、２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オン、２−エチルアントラキノン、ジフェニル（２，４，６−トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−イソニトロソプロピオフェノン等が挙げられる。
これらを硬化前の中間層の原料溶液に含有させることで、重合反応がより起こりやすくなり、特定箇所による重合のムラが少なく、全体的にリンス耐久性に優れた中間層を形成することができる等、所望の目的に応じて、上記のラジカル重合開始剤及び公知のラジカル重合開始剤を使用することができる。

本発明において、「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」とは、非共有電子対を有する窒素原子であって、当該非共有電子対が不飽和環状化合物の芳香族性に必須要素として直接的に関与していない窒素原子のことをいう。すなわち、共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、非共有電子対が、化学構造式上、芳香性発現のために必須のものとして関与していない窒素原子をいう。
以下、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」について説明する。

窒素原子は第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となるため、通常窒素原子の結合本数は３本である。
例えば、アミノ基（−ＮＲ^１Ｒ^２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１Ｒ^２）、ニトロ基（−ＮＯ_２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ_２）、アジド基（−Ｎ_３）、ウレア結合（−ＮＲ^１Ｃ＝ＯＮＲ^２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ^１Ｒ^２）などが挙げられ、これらは本発明における「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」に該当する。なお、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ置換基を表す。
このうち、例えば、ニトロ基（−ＮＯ_２）の共鳴式は、下記のように表すことができる。ニトロ基における窒素原子の非共有電子対は、厳密には、酸素原子との共鳴構造に利用されているが、本発明においては、ニトロ基の窒素原子も非共有電子対を有することと定義する。

一方、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。例えば、下記に示すように、テトラブチルアンモニウムクロライド（略称：ＴＢＡＣ）は、四つ目のブチル基が窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）は、イリジウム原子と窒素原子が配位結合している中性の金属錯体である。これらの化合物は窒素原子を有するものの、その非共有電子対がそれぞれイオン結合、配位結合に利用されてしまっているため、本発明における「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」には該当しない。

すなわち、本発明は、結合に利用されていない窒素原子の非共有電子対を有効利用するというものである。
なお、下記に示す構造式において、左側はテトラブチルアンモニウムクロライド（略称：ＴＢＡＣ）、右側はトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）の構造を示す。

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。

ピリジン環の場合、下記に示すように、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。
したがって、ピリジン環の窒素原子は、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」に該当する。以下に、ピリジン環の分子軌道を示す。

ピロール環の場合は、下記に示すように、５員環内を構成する炭素原子の一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員されている。

したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、芳香族性発現のために必須のものとして利用されてしまっているため、本発明における「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」には該当しない。
以下に、ピロール環の分子軌道を示す。

一方、イミダゾール環は、下記に示すように、５員環内に二つの窒素原子が１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。窒素原子Ｎ^１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子である。一方、窒素原子Ｎ^２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子である。
したがって、イミダゾール環の窒素原子Ｎ^１は、本発明における「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」に該当する。以下に、イミダゾール環の分子軌道を示す。

また、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合も同様である。例えば、δ−カルボリンは、下記に示すように、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格及びピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は、１個の不対電子のみを、ピロール環の窒素原子Ｎ^４は、非共有電子対を、それぞれπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。

したがって、δ−カルボリンの二つの窒素原子のうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」に該当するが、ピロール環の窒素原子Ｎ^４はこれに該当しない。
このように、ピリジン環やピロール環は、その骨格が縮環化合物中に組み込まれている場合でも、その効果が阻害されたり抑制されたりすることはなく、単環として利用したときとなんら相違はない。以下に、δ−カルボリンの分子軌道を示す。

以上のように、本発明で規定する「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」は、その非共有電子対を導電性層の主成分である金、銀又は銅と強い相互作用を発現するために重要である。そのような窒素原子としては、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。
窒素原子と金、銀又は銅との間に働く相互作用の強さは、窒素原子の求核性の強さから推察できる。すなわち、求核性が強いほど、これらの金属原子への配位力も強く、相互作用も強い、というものである。

さらに求核性の強さは、塩基性の強さに相関があることが知られている。ブレンステッド・ローリーの定義による塩基性とは、プロトンを受け取る性質のことであるから、これを能動的に言い換えると、攻撃対象がプロトンである、といえる。
塩基性の強さを定量的に理解するためには、共役酸のｐＫａ値（酸解離定数）を参照するのがよい。共役酸とは、塩基にプロトンが付加した姿であり、ｐＫａ値とは、数値が小さいほど酸性（プロトン放出能）が強いことを表す。
したがって、共役酸のｐＫａ値が大きければ大きいほど、塩基性が強いことを意味する。

ＨＡは酸、Ｂは塩基、Ａ⁻は共役塩基、ＨＢ^＋は共役酸を表す。
本発明は、中間層の含窒素芳香族複素環化合物と金属原子との相互作用を利用している。そこで上記の観点から、主な含窒素芳香族複素環化合物の共役酸のｐＫａ値を参照した。なお、ｐＫａ値は山中宏、日野亨、中川昌子、坂本尚夫著「新編ヘテロ環化合物 基礎編」講談社サイエンティフィク、２００４年３月１日、巻末の一覧表を用いた（表１参照。）。

上記の観点から、イミダゾール環やピリジン環で表される構造に由来する構造を多く有する化合物が中間層に含有されていると、より強い相互作用が発現すると考えられる。

中間層の成膜方法としては、湿式法を用いる方法として塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等や、乾式法を用いる方法として蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。湿式法で用いる有機溶媒としては、特に制限はないが、高い汎用性及び環境負荷の抑制という観点から、エタノール、ｎ−プロパノール、２−プロパノール、ＰＧＭＥ（１−メトキシ−２−プロパノール）、酢酸メチル、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）及び水のうちいずれかであることが好ましい。
本発明に係る中間層は、硬化性組成物に含有される芳香族複素環化合物による原料溶液を基板上に配設し、続いて基板上の原料溶液を加熱又は光照射等をすることで、中間層を形成する。したがって、硬化前の段階で意図しない反応が起こることは好ましくなく、原料溶液を高温加熱し、気化させて成膜する蒸着法等の乾式法よりも温和な条件で成膜できる湿式法を用いる方が好ましい。

以下に、本発明に係る中間層に含有される硬化性組成物を構成する、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物の具体例（モノマーの状態）を示すが、これに限定されるものではない。

［合成例：Ｐ−７０の合成］
本発明にかかる有機化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成することができる。一例として、Ｐ−７０の合成方法を示す。

（１）中間体１の合成
２００ｍｌナスフラスコに、δ−カルボリン（１０ｇ、０．０５９ｍｏｌ）、ヨードベンゼン（１．５ｅｑ．）、Ｋ_３ＰＯ_４（２ｅｑ．）、Ｃｕ_２Ｏ（０．２ｅｑ．）及びｄｉｐｉｖａｌｏｙｌ ｍｅｔｈａｎｅ（０．５ｅｑ．）を含むＤＭＳＯ（１００ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、１５０℃で１０時間還流した。
その後、室温まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体１の白色固体（１１ｇ、収率８２％）を得た。

（２）中間体２の合成
１００ｍｌナスフラスコに、中間体１（１０ｇ、０．０４１ｍｏｌ）及びＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシイミド）（１．２ｅｑ．）、及びＤＭＦ（５０ｍｌ）を加え溶解し、窒素雰囲気下、８０℃で８時間加熱撹拌した。
その後室温まで戻した後、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体２の白色固体（１０ｇ、収率７８％）を得た。

（３）中間体３の合成
１００ｍｌナスフラスコに、中間体２（１０ｇ、０．０３２ｍｏｌ）、δ−カルボリン（１．２ｅｑ．）、Ｋ_３ＰＯ_４（２ｅｑ．）、Ｃｕ_２Ｏ（０．２ｅｑ．）及びｄｉｐｉｖａｌｏｙｌ ｍｅｔｈａｎｅ（０．５ｅｑ．）を含むＤＭＳＯ（５０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、１５０℃で１５時間還流した。
その後、室温まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体３の白色固体（１０ｇ、収率８０％）を得た。

（４）中間体４の合成
１００ｍｌナスフラスコに、中間体３（１０ｇ、０．０２４ｍｏｌ）及びＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシイミド）（１．２ｅｑ．）、及びＤＭＦ（５０ｍｌ）を加え溶解し、窒素雰囲気下、８０℃で１０時間加熱撹拌した。
その後室温まで戻した後、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体４の白色固体（１０ｇ、収率７８％）を得た。

（５）Ｐ−７０の合成
１００ｍｌナスフラスコに、中間体４（１０ｇ、０．０２０ｍｏｌ）、Ｖｉｎｙｌ ｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ ｐｉｎａｃｏｌ ｅｓｔｅｒ（１．５ｅｑ．）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．０２５ｅｑ．）、Ｋ_２ＣＯ_３（３ｅｑ．）、を含むＤｉｏｘａｎｅ（５０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、１００℃で１３時間還流した。
その後、室温まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、Ｐ−７０の白色固体（５．８ｇ、収率６５％）を得た。

（導電性層）
本発明に係る導電性層１ｂは、金、銀又は銅を主成分として含有している。また、導電性層１ｂは、中間層１ａ上に成膜された層である。
導電性層１ｂは、金、銀又は銅を主成分として構成されている層が、必要に応じて、複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

導電性層１ｂは、層厚が５〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、５〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
層厚が２０ｎｍ以下である場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極１の光透過率が向上するため好ましい。また、層厚が５ｎｍ以上である場合には、層の導電性が十分になるため好ましい。

なお、以上のような中間層１ａと、この上部に成膜された導電性層１ｂとからなる積層構造の透明電極１は、導電性層１ｂの上部が保護膜で覆われていてもよいし、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極１の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、中間層１ａの下部、すなわち中間層１ａと基板１１との間にも、必要に応じた層を設けた構成としてもよい。

導電性層１ｂは、銀（Ａｇ）を主成分として含有する合金から構成されていてもよく、そのような合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。

導電性層１ｂの成膜方法としては、湿式法を用いる方法として塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等や、乾式法を用いる方法として蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。本発明に係る導電性層は、その下層に有機溶媒に対するリンス耐久性が高い中間層を設けているため、湿式法を用いる方が、作製コストの低減の観点から好ましい。湿式法で形成した導電性層をリンスする有機溶媒として好ましいものは、中間層のリンスに用いることが好ましい有機溶媒と同様である。

湿式法を用いて導電性層を形成する場合、金、銀又は銅を主成分とする導電性インクを用いることが好ましい。これらは、導電性層の層厚を薄くすることで、高い光透過性を実現している本構成においては、粒径の小さい１０ナノメートル前後のナノ粒子からなる導電性インクや、錯体からなる導電性インクを用いることが特に好ましい。

しかしながら、市販されている導電性インクの多くは、電気回路や光反射膜の作製等が主な用途であるため、これらを通常の使用方法により用いて、光透過性に優れた薄膜の作製をすることは困難である。そこで、該導電性インクを溶媒で希釈する方法や、薄膜形成プロセス条件を最適化させるなどの工夫が必要となる。
希釈する溶媒としては、本発明の透明電極１の効果を阻害しない限りにおいて、有機溶媒や水系溶媒等、従来公知のものを特に制限なく使用することができる。
また、導電性層１ｂは、中間層１ａ上に成膜されることにより、必要に応じて、導電性層成膜後の高温アニール処理（例えば、１００℃以上の加熱プロセス）等を行ってもよい。

＜透明電極の効果＞
以上のような構成の透明電極１は、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有する硬化性組成物から形成される中間層１ａ上に、金、銀又は銅を主成分として構成されている導電性層１ｂを有している。
これにより、中間層の上部に導電性層を成膜する際には、導電性層に主成分として含有される金原子、銀原子又は銅原子が中間層１ａに含有される前記芳香族複素環化合物と相互作用し、導電性層に主成分として含有される金原子、銀原子又は銅原子の中間層表面での拡散距離が減少し、凝集も抑えられる。

ここで、銀を導電性層の主成分として用いる場合を一例として説明すると、一般的に銀を主成分として構成されている導電性層の成膜においては、島状成長型（ＶＷ型）で薄膜成長するため、銀粒子が島状に孤立しやすく、膜厚が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。
したがって、導電性を確保するには膜厚を厚くする必要があるが、膜厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。
しかしながら、本発明構成の透明電極１によれば、上述したように中間層１ａ上において銀の凝集が抑えられるため、銀を主成分として構成されている導電性層１ｂの成膜においては、層状成長型（ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。

また、本発明の透明電極１の透明とは、測定光波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいうが、中間層１ａとして用いられる上述した各材料は、銀を主成分とした導電性層１ｂと比較して、十分に光透過性の良好な膜を形成する。一方、透明電極１の導電性は、主に、導電性層１ｂによって確保される。したがって、上述のように、銀を主成分として構成されている導電性層１ｂが、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなることにより、透明電極１の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になるのである。

（光学調整層）
図１Ｂに示すように、本発明の透明電極２においては、基板１２上に中間層２ａ及び導電性層２ｂに加えて、光学調整層２ｃをさらに備えることも好ましい。光学調整層２ｃは、導電性層２ｂ上に成膜された層である。
光学調整層は、有機化合物、無機化合物どちらを主成分としていてもよく、必要に応じて、光学調整層を構成する層が、複数の層を積層した構成であってもよい。

光学調整層は、中間層とともに導電性層を挟持する構成となっている。金属を主成分としてなる導電性層の反射成分を低減させて、光透過性を向上させるためには、このような構成であることが好ましい。
光透過性を最大限に向上させた、優れた透明電極を作製するためには、中間層及び光学調整層に含有される化合物の屈折率や膜厚を考慮して、最適化する必要があり、これらは光学シミュレーションにより見積もることができる。

なお、光学調整層は、光透過性の向上のために適宜設けられるものであるが、導電性層の隣接層であることを鑑み、該導電性層の主成分である金、銀又は銅と強く相互作用する化合物を含有することが、密着性や耐スクラッチ性及び長時間保存性等の観点から好ましい。
したがって、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物等を用いることが特に好ましい。
なお、以下においては、光学調整層を含まない透明電極１を用いて説明している場合であっても、同様に光学調整層２ｃを含む透明電極２を用いることができる。

≪２．透明電極の用途≫
上述した構成の透明電極１は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極１を用いることができる。
以下では、用途の一例として、本発明の透明電極１を用いた有機ＥＬ素子の実施の形態を説明する。

≪３．有機ＥＬ素子の第１例≫
＜有機ＥＬ素子の構成＞
図２は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極１を用いた有機ＥＬ素子の第１例を示す概略断面図である。
以下に、この図に基づいて有機ＥＬ素子の構成を説明する。

図２に示すとおり、有機ＥＬ素子１００は、透明基板（基板）１３上に設けられており、透明基板１３側から順に、透明電極１、有機材料等を用いて構成された有機機能層３、及び対向電極５ａをこの順に積層して構成されている。この有機ＥＬ素子１００においては、透明電極１として、先に説明した本発明の透明電極１を用いている。このため、有機ＥＬ素子１００は、発生させた光（以下、発光光ｈと記す。）を、少なくとも透明基板１３側から取り出すように構成されている。

また、有機ＥＬ素子１００の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明電極１がアノード（すなわち陽極）として機能し、対向電極５ａがカソード（すなわち陰極）として機能することとする。この場合、例えば、有機機能層３は、アノードである透明電極１側から順に正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄ／電子注入層３ｅを積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。正孔注入層３ａ及び正孔輸送層３ｂは、正孔輸送注入層として設けられていてもよい。電子輸送層３ｄ及び電子注入層３ｅは、電子輸送注入層として設けられていてもよい。また、これらの有機機能層３のうち、例えば、電子注入層３ｅは無機材料で構成されているものとしてもよい。

また、有機機能層３は、これらの層の他に正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を非発光性の補助層を介して積層させた構造としてもよい。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらに、カソードである対向電極５ａも、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成においては、透明電極１と対向電極５ａとで有機機能層３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子１００における発光領域となる。
また、以上のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１の導電性層１ｂに接して補助電極１５が設けられていてもよい。

以上のような構成の有機ＥＬ素子１００は、有機材料等を用いて構成された有機機能層３の劣化を防止することを目的として、透明基板１３上において後述する封止材１７で封止されている。この封止材１７は、接着剤１９を介して透明基板１３側に固定されている。ただし、透明電極１及び対向電極５ａの端子部分は、透明基板１３上において有機機能層３によって互いに絶縁性を保った状態で封止材１７から露出させた状態で設けられていることとする。

以下、上述した有機ＥＬ素子１００を構成するための主要各層の詳細を、透明基板１３、透明電極１、対向電極５ａ、有機機能層３の発光層３ｃ、有機機能層３の他の層、補助電極１５及び封止材１７の順に説明する。

（透明基板）
透明基板１３は、先に説明した本発明の透明電極１が設けられる基板１１であり、先に説明した基板１１のうち、光透過性を有する透明な基板１１が用いられる。

（透明電極（アノード））
透明電極１は、先に説明した本発明の透明電極１であり、透明基板１３側から順に中間層１ａ及び導電性層１ｂを順に成膜した構成である。ここでは特に、透明電極１はアノードとして機能するものであり、導電性層１ｂが実質的なアノードとなる。

（対向電極（カソード））
対向電極５ａは、有機機能層３に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

対向電極５ａは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。
また、対向電極５ａとしてのシート抵抗値は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
なお、この有機ＥＬ素子１００が、対向電極５ａ側からも発光光ｈを取り出すものである場合には、上述した導電性材料のうちから選択される光透過性の良好な導電性材料により対向電極５ａが構成されていればよい。

（発光層）
発光層３ｃは、発光材料が含有されているが、中でも発光材料としてリン光発光ドーパント（リン光発光材料、リン光発光化合物、リン光性化合物）が含有されていることが好ましい。
この発光層３ｃは、電極又は電子輸送層３ｄから注入された電子と、正孔輸送層３ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層３ｃの層内であっても発光層３ｃと隣接する層との界面であってもよい。
このような発光層３ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層３ｃ間には非発光性の補助層（図示せず）を有していることが好ましい。

発光層３ｃの層厚の総和は、好ましくは、１〜１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍの範囲内である。なお、発光層３ｃの層厚の総和とは、発光層３ｃ間に非発光性の補助層が存在する場合には、当該補助層も含む層厚である。
複数層を積層した構成の発光層３ｃの場合、個々の発光層の層厚としては、１〜５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、１〜２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の層厚の関係については、特に制限はない。

以上のように構成されている発光層３ｃは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
また発光層３ｃは、複数の発光材料が混合されて構成されていてもよく、またリン光発光ドーパント（リン光発光性化合物）と蛍光ドーパント（蛍光発光材料、蛍光性化合物）とが混合されて構成されていてもよい。
発光層３ｃは、ホスト化合物（発光ホスト）と発光材料（発光ドーパント）を含有し、発光材料をより発光させることが好ましい。

（ホスト化合物）
発光層３ｃに含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層３ｃに含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）の化合物が好ましい。
ここでいうガラス転移温度とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２１−２０１２に準拠した方法により求められる値である。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号明細書、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等が挙げられる。

（発光材料）
（１）リン光発光ドーパント
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光ドーパントが挙げられる。
リン光発光ドーパントとは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光ドーパントを用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光発光ドーパントの発光の原理としては２種挙げられる。
一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光ドーパントに移動させることでリン光発光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。
もう一つは、リン光発光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

リン光発光ドーパントは、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、少なくとも一つの発光層３ｃに２種以上のリン光発光ドーパントが含有されていてもよく、発光層３ｃにおけるリン光発光ドーパントの濃度比が発光層３ｃの厚さ方向で変化していてもよい。
リン光発光ドーパントは、好ましくは発光層３ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。

本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Ｎａｔｕｒｅ，３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．，２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．，４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２０１１−１８１３０３号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報等である。
中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合のうち少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。

（２）蛍光ドーパント
本発明に係る蛍光発光性ドーパント（以下、「蛍光ドーパント」ともいう。）について説明する。
本発明に係る蛍光ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。
本発明に係る蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いてもよい。
遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１−２１３６４３号公報、特開２０１０−９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

（注入層：正孔注入層、電子注入層）
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層３ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層３ａと電子注入層３ｅとがある。
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層３ａであれば、アノードと発光層３ｃ又は正孔輸送層３ｂとの間、電子注入層３ｅであれば、カソードと発光層３ｃ又は電子輸送層３ｄとの間に存在させてもよい。

正孔注入層３ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

電子注入層３ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層３ｅはごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲内が好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層３ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層３ａ、電子阻止層も正孔輸送層３ｂに含まれる。正孔輸送層３ｂは、単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３個スターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層３ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層３ｂの層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。この正孔輸送層３ｂは、上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。

また、正孔輸送層３ｂの材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
このように、正孔輸送層３ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層３ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層３ｅ、正孔阻止層も電子輸送層３ｄに含まれる。電子輸送層３ｄは、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層３ｄの電子輸送材料、及び積層構造の電子輸送層３ｄにおいて発光層３ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる。）としては、カソードより注入された電子を発光層３ｃに伝達する機能を有していればよい。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層３ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層３ｃの材料としても用いられるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層３ｄの材料として用いることができるし、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。

電子輸送層３ｄは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層３ｄの層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層３ｄは、上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。

また、電子輸送層３ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに、電子輸送層３ｄには、カリウムやカリウム化合物等を含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層３ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。

また、電子輸送層３ｄの材料（電子輸送性化合物）として、上述した中間層１ａを構成する材料と同様のものを用いてもよい。これは、電子注入層３ｅを兼ねた電子輸送層３ｄであっても同様である。

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、上記した有機機能層３の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層３ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の電子輸送層３ｄの構成を、必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層３ｃに隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層３ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の正孔輸送層３ｂの構成を、必要に応じて、電子阻止層として用いることができる。
正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲内である。

（補助電極）
補助電極１５は、透明電極１の抵抗を下げる目的で設けられるものであって、透明電極１の導電性層１ｂに接して設けられる。補助電極１５を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面１３ａからの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極１５の作製方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法等が挙げられる。補助電極１５の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極１５の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。

（封止材）
封止材１７は、有機ＥＬ素子１００を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤１９によって透明基板１３側に固定されるものであってもよく、封止膜であってもよい。このような封止材１７は、有機ＥＬ素子１００における透明電極１及び対向電極５ａの端子部分を露出させる状態で、少なくとも有機機能層３を覆う状態で設けられている。また、封止材１７に電極を設け、有機ＥＬ素子１００の透明電極１及び対向電極５ａの端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。

板状（フィルム状）の封止材１７としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料を更に薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。

中でも、素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。
さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、及びＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が、１×１０^−３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のものであることが好ましい。

また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材１７として用いてもよい。この場合、上述した基板材料に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

また、このような板状の封止材１７を透明基板１３側に固定するための接着剤１９は、封止材１７と透明基板１３との間に挟持された有機ＥＬ素子１００を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤１９は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることもできる。

なお、有機ＥＬ素子１００を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤１９は、室温（２５℃）から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤１９中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
封止材１７と透明基板１３との接着部分への接着剤１９の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、板状の封止材１７と透明基板１３と接着剤１９との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

一方、封止材１７として封止膜を用いる場合、有機ＥＬ素子１００における有機機能層３を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子１００における透明電極１及び対向電極５ａの端子部分を露出させる状態で、透明基板１３上に封止膜が設けられる。
このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機ＥＬ素子１００における有機機能層３の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。さらに、封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜とともに、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。

これらの膜の作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

（保護膜、保護板）
透明基板１３とともに、有機ＥＬ素子１００及び封止材１７を挟むようにして保護膜若しくは保護板を設けてもよい。この保護膜若しくは保護板は、有機ＥＬ素子１００を機械的に保護するためのものであり、特に封止材１７が封止膜である場合には、有機ＥＬ素子１００に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜若しくは保護板を設けることが好ましい。
以上のような保護膜若しくは保護板としては、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。特に、軽量かつ薄膜化ということから、ポリマーフィルムを用いることが好ましい。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
ここでは一例として、図２に示す有機ＥＬ素子１００の製造方法について説明する。
まず、透明基板１３上に、硬化性組成物により中間層１ａを、１μｍ以下、好ましくは１０〜１００ｎｍの層厚になるように湿式法等の適宜の方法で形成する。次に、銀（又は銀を含有する合金）を主成分とする導電性層１ｂを５〜２０ｎｍの範囲内、好ましくは８〜１２ｎｍの範囲内の層厚になるように湿式法等の適宜の方法により中間層１ａ上に形成し、アノードとなる透明電極１を作製する。

次に、この上に正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄ、電子注入層３ｅの順に成膜し、有機機能層３を形成する。これらの各層の成膜は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０^−６〜１×１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１〜５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。

以上のようにして有機機能層３を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極５ａを、蒸着法やスパッタ法等の適宜の成膜法によって形成する。この際、対向電極５ａは、有機機能層３によって透明電極１に対して絶縁状態を保ちつつ、有機機能層３の上方から透明基板１３の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機ＥＬ素子１００が得られる。その後には、有機ＥＬ素子１００における透明電極１及び対向電極５ａの端子部分を露出させた状態で、少なくとも有機機能層３を覆う封止材１７を設ける。

以上により、透明基板１３上に所望の有機ＥＬ素子が得られる。このような有機ＥＬ素子１００の作製においては、一回の真空引きで一貫して有機機能層３から対向電極５ａまで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板１３を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
このようにして得られた有機ＥＬ素子１００に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極１を＋の極性とし、カソードである対向電極５ａを−の極性として、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

＜有機ＥＬ素子の効果＞
以上説明した有機ＥＬ素子１００は、本発明の光透過性と導電性とを兼ね備えた透明電極１をアノードとして用い、この上部に有機機能層３とカソードとなる対向電極５ａとを設けた構成である。このため、透明電極１と対向電極５ａとの間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子１００での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

≪４．有機ＥＬ素子の第２例≫
＜有機ＥＬ素子の構成＞
図３は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極１を用いた有機ＥＬ素子の第２例を示す概略断面図である。図３に示す第２例の有機ＥＬ素子２００が、図２に示した第１例の有機ＥＬ素子１００と異なるところは、透明電極１をカソードとして用いるところにある。
以下、第１例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２例の有機ＥＬ素子２００の特徴的な構成を説明する。

図３に示すとおり、有機ＥＬ素子２００は、透明基板１３上に設けられており、第１例と同様に、透明基板１３上の透明電極１として先に説明した本発明の透明電極１を用いている。このため有機ＥＬ素子２００は、少なくとも透明基板１３側から発光光ｈを取り出せるように構成されている。ただし、この透明電極１は、カソード（陰極）として用いられる。このため、対向電極５ｂは、アノードとして用いられることになる。

このように構成される有機ＥＬ素子２００の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、第１例と同様である。
第２例の場合の一例としては、カソードとして機能する透明電極１の上部に、電子注入層３ｅ／電子輸送層３ｄ／発光層３ｃ／正孔輸送層３ｂ／正孔注入層３ａをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成された発光層３ｃを有することが必須である。

なお、有機機能層３は、これらの層の他にも、第１例で説明したのと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用される。このような構成において、透明電極１と対向電極５ｂとで有機機能層３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子２００における発光領域となることも第１例と同様である。
また、以上のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的として、透明電極１の導電性層１ｂに接して補助電極１５が設けられていてもよいことも、第１例と同様である。

ここで、アノードとして用いられる対向電極５ｂは、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

以上のように構成されている対向電極５ｂは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。
また、対向電極５ｂとしてのシート抵抗値は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
なお、この有機ＥＬ素子２００が、対向電極５ｂ側からも発光光ｈを取り出せるように構成されている場合、対向電極５ｂを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。

以上のような構成の有機ＥＬ素子２００は、有機機能層３の劣化を防止することを目的として、第１例と同様に封止材１７で封止されている。
以上説明した有機ＥＬ素子２００を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極５ｂ以外の構成要素の詳細な構成、及び有機ＥＬ素子２００の製造方法は、第１例と同様である。このため、詳細な説明は省略する。

＜有機ＥＬ素子の効果＞
以上説明した有機ＥＬ素子２００は、本発明の光透過性と導電性とを兼ね備えた透明電極１をカソードとして用い、この上部に有機機能層３とアノードとなる対向電極５ｂとを設けた構成である。このため、第１例と同様に、透明電極１と対向電極５ｂとの間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子２００での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

≪５．有機ＥＬ素子の第３例≫
＜有機ＥＬ素子の構成＞
図４は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極１を用いた有機ＥＬ素子の第３例を示す概略断面図である。図４に示す第３例の有機ＥＬ素子３００が、図２に示した第１例の有機ＥＬ素子１００と異なるところは、基板１３１側に対向電極５ｃを設け、この上部に有機機能層３と透明電極１とをこの順に積層したところにある。
以下、第１例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第３例の有機ＥＬ素子３００の特徴的な構成を説明する。

図４に示す有機ＥＬ素子３００は、基板１３１上に設けられており、基板１３１側から、アノードとなる対向電極５ｃ、有機機能層３、及びカソードとなる透明電極１がこの順に積層されている。このうち、透明電極１として、先に説明した本発明の透明電極１を用いている。このため、有機ＥＬ素子３００は、少なくとも基板１３１とは逆の透明電極１側から発光光ｈを取り出せるように構成されている。
このように構成される有機ＥＬ素子３００の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは第１例と同様である。

第３例の場合の一例としては、アノードとして機能する対向電極５ｃの上部に、正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。また、電子輸送層３ｄは、電子注入層３ｅを兼ねたもので、電子注入性を有する電子輸送層３ｄとして設けられていることとする。

特に、第３例の有機ＥＬ素子３００に特徴的な構成としては、電子注入性を有する電子輸送層３ｄが、透明電極１における中間層１ａとして設けられているところにある。すなわち、第３例においては、カソードとして用いられる透明電極１が、電子注入性を有する電子輸送層３ｄを兼ねる中間層１ａと、その上部に設けられた導電性層１ｂとで構成されているものである。

このような電子輸送層３ｄは、上述した透明電極１の中間層１ａを構成する材料を用いて構成されている。
なお、有機機能層３は、これらの層の他にも、第１例で説明したと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用されるが、透明電極１の中間層１ａを兼ねる電子輸送層３ｄと、透明電極１の導電性層１ｂとの間には、電子注入層や正孔阻止層が設けられることはない。以上のような構成において、透明電極１と対向電極５ｃとで有機機能層３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子３００における発光領域となることは、第１例と同様である。

また、以上のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１の導電性層１ｂに接して補助電極１５が設けられていてもよいことも、第１例と同様である。
さらに、アノードとして用いられる対向電極５ｃは、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体等が挙げられる。

以上のように構成されている対向電極５ｃは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。
また、対向電極５ｃとしてのシート抵抗値は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、この有機ＥＬ素子３００が、対向電極５ｃ側からも発光光ｈを取り出せるように構成されている場合、対向電極５ｃを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。またこの場合、基板１３１としては、第１例で説明した透明基板１３と同様のものが用いられ、基板１３１の外側に向かう面が光取り出し面１３１ａとなる。

＜有機ＥＬ素子の効果＞
以上説明した有機ＥＬ素子３００は、有機機能層３の最上部を構成する電子注入性を有する電子輸送層３ｄを中間層１ａとし、この上部に導電性層１ｂを設けることにより、中間層１ａと導電性層１ｂとからなる透明電極１をカソードとして設けた構成である。
このため、第１例及び第２例と同様に、透明電極１と対向電極５ｃとの間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子３００での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。
さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。また、対向電極５ｃが光透過性を有する場合には、対向電極５ｃからも発光光ｈを取り出すことができる。

なお、上述の第３例においては、透明電極１の中間層１ａが電子注入性を有する電子輸送層３ｄを兼ねているものとして説明したが、本例はこれに限られるものではなく、中間層１ａが電子注入性を有していない電子輸送層３ｄを兼ねているものであってもよいし、中間層１ａが電子輸送層ではなく電子注入層を兼ねているものであってもよい。また、中間層１ａが有機ＥＬ素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されているものとしてもよく、この場合には、中間層１ａは電子輸送性及び電子注入性を有していない。

さらに、透明電極１の中間層１ａが有機ＥＬ素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されている場合には、基板１３１側の対向電極５ｃをカソードとし、有機機能層３上の透明電極１をアノードとしてもよい。この場合、有機機能層３は、基板１３１上の対向電極（カソード）５ｃ側から順に、例えば、電子注入層３ｅ／電子輸送層３ｄ／発光層３ｃ／正孔輸送層３ｂ／正孔注入層３ａが積層される。そして、この上部に極薄い中間層１ａと導電性層１ｂとの積層構造からなる透明電極１が、アノードとして設けられる。

≪６．有機ＥＬ素子の用途≫
上述した各構成の有機ＥＬ素子は、上述したように面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機ＥＬ素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。

以下では、用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。

≪７．照明装置−１≫
本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した構成の各有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造を有するように構成された有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

なお、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて、混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の三原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。

このような白色有機ＥＬ素子は、各色発光の有機ＥＬ素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機ＥＬ素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の成膜にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で成膜することができ、生産性も向上する。

また、このような白色有機ＥＬ素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、上記した金属錯体や公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
以上に説明した白色有機ＥＬ素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。

≪８．照明装置−２≫
図５は、上記各構成の有機ＥＬ素子を複数用いて発光面を大面積化した照明装置の概略断面図である。
図５に示すとおり、照明装置２１は、透明基板１３上に有機ＥＬ素子１００を備えた複数の発光パネル２２を、支持基板２３上に複数配列（タイリング）することによって発光面を大面積化した構成である。支持基板２３は、封止材１７を兼ねるものであってもよく、この支持基板２３と、発光パネル２２の透明基板１３との間に有機ＥＬ素子１００を挟持する状態で各発光パネル２２をタイリングする。支持基板２３と透明基板１３との間には接着剤１９を充填し、これによって有機ＥＬ素子１００を封止してもよい。なお、発光パネル２２の周囲には、アノードである透明電極１及びカソードである対向電極５ａの端部を露出させておく。ただし、図５においては対向電極５ａの露出部分のみを図示した。
なお、図５では、有機ＥＬ素子１００を構成する有機機能層３として、透明電極１上に、正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄ／電子注入層３ｅを順次積層した構成を一例として示している。

このような構成の照明装置２１では、各発光パネル２２の中央が発光領域Ａとなり、発光パネル２２間には非発光領域Ｂが発生する。このため、非発光領域Ｂからの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面１３ａの非発光領域Ｂに設けてもよい。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。

［実施例１］
《透明電極の作製》
以下に説明するように、透明電極１０１〜１１７を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極１０１〜１１７は、中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極１０１の作製
無アルカリガラス製の基材上に、比較化合物１のＰＧＭＥ（１−メトキシ−２−プロパノール）溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１３０℃で１時間加熱乾燥して重合反応を行い、層厚３０ｎｍの比較化合物１から形成される重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、導電性層材料として錯体銀からなるインクジェットインク（Ｉｎｋ Ｔｅｃ（株）製、ＴＥＣ−ＩＪ−０１０）１．０ｍｌを、エタノールにより１０倍希釈した。この希釈溶液０．１ｍｌを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１２０℃で３０分間焼成し、層厚１０ｎｍの銀からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１０１を作製した。

（２）透明電極１０２の作製
透明電極１０１の作製において、導電性層の層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極１０２を作製した。

（３）透明電極１０３の作製
透明電極１０１と同様の作製手順によって中間層を設けた。
中間層まで成膜した基板を真空槽に移し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、中間層上に、層厚１０ｎｍの銀からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１０３を作製した。

（４）透明電極１０４の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−１のＰＧＭＥ溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１３０℃で３０分間加熱乾燥し、層厚３０ｎｍのＰ−１から形成される重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、導電性層材料として金ナノ粒子からなる導電性インク（シグマ アルドリッチ ジャパン合同会社製、製品番号：７４１９４９、直径５ｎｍ）１．０ｍｌを、エタノールにより１０倍希釈した。この希釈溶液０．１ｍｌを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１２０℃で３０分間焼成し、層厚１０ｎｍの金からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１０４を作製した。

（５）透明電極１０５の作製
透明電極１０４の作製において、導電性層の層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極１０５を作製した。

（６）透明電極１０６の作製
透明電極１０４の作製において、導電性層の構成材料を表２に記載のインクジェットインクに変更した以外は同様にして、透明電極１０６を作製した。

（７）透明電極１０７の作製
透明電極１０３の作製において、中間層の構成材料を表２に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極１０７を作製した。

（８）透明電極１０８〜１１１の作製
透明電極１０１の作製において、中間層の構成材料を表２に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極１０８〜１１１を作製した。

（９）透明電極１１２の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−１５及びアセトフェノンをモル比１００：１で含有するＰＧＭＥ溶液を用い、スピンコート法により塗布・パターニングして、硬化する性質を有する組成物からなる層を形成した。その後、ホットプレート上に移動させて１３０℃で３０分間加熱することで乾燥及び重合反応を行い、層厚３０ｎｍのＰ−１５から形成される重合体を含有する中間層を設けた。
この中間層上に、透明電極１０１の導電性層の作製手順と同様にして導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１１２を作製した。

（１０）透明電極１１３の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−１７及びＰ−３６をモル比１：１００で含有するＰＧＭＥ溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１３０℃で３０分間加熱乾燥し、層厚３０ｎｍのＰ−１７及びＰ−３６から形成される共重合体を含有する中間層を設けた。
この中間層上に、透明電極１０１の導電性層の作製手順と同様にして導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１１３を作製した。

（１１）透明電極１１４の作製
透明電極１１３の作製において、中間層の構成材料を表２に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極１１４を作製した。

（１２）透明電極１１５の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−１６、Ｐ−４７及びＡＩＢＮをモル比１００：１００００：１で含有するトルエン溶液を用い、スピンコート法により塗布・パターニングして、硬化する性質を有する組成物からなる層を形成した。その後、ホットプレート上に移動させて１３０℃で３０分間加熱することで乾燥及び重合反応を行い、１３０℃で３０分間加熱乾燥し、層厚３０ｎｍのＰ−１６及びＰ−４７から形成される共重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、透明電極１０１の導電性層の作製手順と同様にして導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１１５を作製した。

（１３）透明電極１１６及び１１７の作製
透明電極１１１及び１１５の作製において、基材をＰＥＴ（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジン（登録商標）テトロン（登録商標）フィルム Ｋ）に変更した以外は同様にして、透明電極１１６及び１１７を作製した。

《透明電極の評価》
作製した透明電極１０１〜１１７について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値及び高温保存下でのシート抵抗値変化（耐久性）の測定を行った。

（１）光透過率の測定
作製した各透明電極について、分光光度計（日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−３３００）を用い、各透明電極の基板をリファレンスとして、測定光波長５５０ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。
測定結果を表２に示す。

（２）シート抵抗値の測定
作製した各透明電極について、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／□）を測定した。
測定結果を表２に示す。

（３）高温保存下でのシート抵抗値変化の測定
作製した各透明電極について、温度８０℃／相対湿度９０％雰囲気下において保存し、シート抵抗値変化を測定した。具体的には、試験開始前と１２０時間経過後のシート抵抗値を比較して、変化を評価し、結果を表２に示した。シート抵抗値は、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、四探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／□）を測定し、初期シートからの抵抗値の変化を算出した。各透明電極の高温保存下でのシート抵抗値変化は、透明電極１０８のシート抵抗値変化を１００とする相対値で示しており、値が小さいほど変化が少ないことを表し、耐久性が優れている。

（４）まとめ
比較例の透明電極番号１０１〜１０４は、シート抵抗値及び高温保存下でのシート抵抗値がいずれも測定不可となった。これは、湿式法により導電性層を形成した際、中間層がＰＧＭＥ溶媒に溶出して層が乱れてしまい、透明電極としての機能が失われてしまったためである。
また、表２から明らかなように、本発明に係る硬化性組成物から形成された中間層上に導電性層を設けた本発明の透明電極１０４〜１１７は、いずれも光透過率が５３％以上であり、シート抵抗値が１６．９Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極１０１〜１０３は、光透過率が５３％未満であり、シート抵抗値は測定することができなかった。

また、耐久性（高温保存下でのシート抵抗値変化）においても、比較例の透明電極１０１〜１０３が測定できないのに対し、本発明の透明電極１０４〜１１７は、変化が小さく、優れていることが分かった。
また、ＰＥＴのような樹脂フィルムを基材に用いた場合についても、無アルカリガラスと同等の評価結果が得られたことから、基板によらず効果を発現することが確認できた。

以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。

［実施例２］
《透明電極の作製》
以下に説明するように、透明電極２０１〜２１８を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極２０１〜２１８は、中間層と導電性層と光学調整層の積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極２０１の作製
無アルカリガラス製の基材上に、比較化合物２のＭＥＫ溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１１０℃で１時間加熱乾燥し、層厚６０ｎｍの比較化合物２から形成される重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、導電性層材料として錯体銀からなるインクジェットインク（Ｉｎｋ Ｔｅｃ（株）製、ＴＥＣ−ＩＪ−０１０）１．０ｍｌを、エタノールにより１０倍希釈した。この希釈溶液０．１ｍｌを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１２０℃で３０分間焼成し、層厚１０ｎｍの銀からなる導電性層を形成した。

この導電性層上に、Ｋ−１のＭＥＫ溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、層厚５０ｎｍのＫ−１を含有する光学調整層を設け、中間層と導電性層と光学調整層との積層構造からなる透明電極２０１を作製した。

（２）透明電極２０２の作製
透明電極２０１の作製において、導電性層の層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２０２を作製した。

（３）透明電極２０３の作製
透明電極２０１と同様の作製手順によって中間層を設けた。
中間層まで成膜した基板を真空槽に移し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、中間層上に、層厚１０ｎｍの銀からなる導電性層を形成した。

この導電性層上に、大気下で透明電極２０１の光学調整層の作製手順と同様にして光学調整層を形成し、中間層と導電性層と光学調整層の積層構造からなる透明電極２０３を作製した。

（４）透明電極２０４の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−４のＭＥＫ溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１１０℃で１時間加熱乾燥し、層厚６０ｎｍのＰ−４から形成される重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、導電性層材料として金ナノ粒子からなる導電性インク（シグマ アルドリッチ ジャパン合同会社製、製品番号：７４１９４９、直径５ｎｍ）１．０ｍｌを、２−プロパノールにより１０倍希釈した。この希釈溶液０．１ｍｌを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１２０℃で３０分間焼成し、層厚１０ｎｍの金からなる導電性層を形成した。

この導電性層上に、透明電極２０１の光学調整層の作製手順と同様にして光学調整層を形成し、中間層と導電性層と光学調整層の積層構造からなる透明電極２０４を作製した。

（５）透明電極２０５の作製
透明電極２０４の作製において、導電性層の層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２０５を作製した。

（６）透明電極２０６の作製
透明電極２０４の作製において、導電性層の構成材料を表３に記載のインクジェットインクに変更した以外は同様にして、透明電極２０６を作製した。

（７）透明電極２０７の作製
透明電極２０３の作製において、中間層の構成材料を表３に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極２０７を作製した。

（８）透明電極２０８の作製
透明電極２０１の作製において、中間層の構成材料を表３に記載の化合物に変更し、光学調整層を設けなかった以外は同様にして、透明電極２０８を作製した。

（９）透明電極２０９の作製
透明電極２０１の作製において、中間層の構成材料を表３に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極２０９を作製した。

（１０）透明電極２１０及び２１１の作製
透明電極２０１の作製において、中間層及び光学調整層の構成材料を表３に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極２１０及び２１１を作製した。

（１１）透明電極２１２の作製
透明電極２０９の作製において、光学調整層の層厚を２５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２１２を作製した。

（１２）透明電極２１３の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−１４及びベンゾフェノンをモル比２００：１で含有するトルエン溶液を用い、スピンコート法により塗布・パターニングして、硬化する性質を有する組成物からなる層を形成した。その後、ホットプレート上に移動させて１１０℃で１時間加熱することで乾燥及び重合反応を行い、層厚６０ｎｍのＰ−１４から形成される重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、透明電極２１１の導電性層及び光学調整層の作製手順と同様にして導電性層及び光学調整層を形成し、中間層と導電性層と光学調整層の積層構造からなる透明電極２１３を作製した。

（１３）透明電極２１４の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−７７及びＰ−２０をモル比２：１で含有するトルエン溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１１０℃で１時間加熱乾燥し、層厚６０ｎｍのＰ−７７及びＰ−２０から形成される共重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、透明電極２０１の導電性層の作製手順と同様にして導電性層を形成した。また、光学調整層の構成材料を表３に記載の化合物に変更した以外は透明電極２０１の光学調整層の作製手順と同様にして、透明電極２１４を作製した。

（１４）透明電極２１５の作製
透明電極２１４の作製において、中間層の構成材料を表３に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極２１５を作製した。

（１５）透明電極２１６の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−７１、Ｐ−６０及びＡＩＢＮをモル比１００：１００：１で含有するトルエン溶液を用いスピンコート法により塗布・パターニングして、硬化する性質を有する組成物からなる層を形成した。その後、ホットプレート上に移動させて１１０℃で１時間加熱することで乾燥及び重合反応を行い、層厚６０ｎｍのＰ−７１及びＰ−６０から形成される共重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、透明電極２１４の導電性層及び光学調整層の作製手順と同様にして導電性層及び光学調整層を形成し、中間層と導電性層と光学調整層の積層構造からなる透明電極２１６を作製した。

（１６）透明電極２１７及び２１８の作製
透明電極２１１及び２１６の作製において、基材をＰＥＴ（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジン（登録商標）テトロン（登録商標）フィルム Ｋ）に変更した以外は同様にして、透明電極２１７及び２１８を作製した。

《透明電極の評価》
作製した透明電極２０１〜２１８について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値及び高温保存下での光透過率変化（耐久性）の測定を行った。（１）光透過率の測定及び（２）シート抵抗値の測定は実施例１と同様に行った。

（３）高温保存下での光透過率変化の測定
作製した各透明電極について、温度６０℃／相対湿度９０％雰囲気下において保存し、光透過率変化を測定した。具体的には、試験開始前に比較して、１２０時間経過後の光透過率変化を評価し、結果を表３に示した。光透過率は、分光光度計（日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−３３００）を用い、各透明電極の基板をリファレンスとして、測定光波長５５０ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。各透明電極の高温保存下での光透過率変化は、透明電極２０９の光透過率変化を１００とする相対値で示している。

（４）まとめ
比較例の透明電極番号２０１〜２０３は、シート抵抗値及び高温保存下でのシート抵抗値がいずれも測定不可となった。これは、湿式法により導電性層を形成した際、中間層がＭＥＫ溶媒に溶出して層が乱れてしまい、透明電極としての機能が失われてしまったためである。
表３から明らかなように、本発明に係る硬化性組成物から形成された中間層上に導電性層を設けた本発明の透明電極２０４〜２１８は、いずれも光透過率が６２％以上であり、シート抵抗値が１６．５Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極２０１〜２０３は、光透過率が６２％未満のものがあり、シート抵抗値は測定することができなかった。

また、耐久性（高温保存下での光透過率変化）においても、比較例の透明電極２０１〜２０３が測定できないのに対して、本発明の透明電極２０４〜２１８が、変化が小さく、優れていることが分かる。
また、ＰＥＴのような樹脂フィルムを基材に用いた場合についても、無アルカリガラスと同等の評価結果が得られたことから、基板によらず効果を発現することが確認できた。
以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。

［実施例３］
《発光パネルの作製》
透明電極をアノードとして用いた両面発光型の発光パネル４０１〜４１７を作製した。以下、図６を参照して、作製手順を説明する。

（１）発光パネル４０１の作製
無アルカリガラス製の基材上に、比較化合物３の酢酸メチル溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１１０℃で１時間加熱乾燥し、層厚２０ｎｍの比較化合物３から形成される重合体を含有する中間層を設けた。

この中間層上に、導電性層材料として錯体銀からなるインクジェットインク（Ｉｎｋ Ｔｅｃ（株）製、ＴＥＣ−ＩＪ−０１０）１．０ｍｌを、エタノールにより１０倍希釈した。この希釈溶液０．１ｍｌを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１２０℃で３０分間焼成し、層厚１０ｎｍの銀からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１を作製した。

次いで、透明電極１が形成された透明基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、透明電極１の形成面側に蒸着マスクを対向配置した。また、真空蒸着装置内の加熱ボートの各々に、有機機能層３を構成する各材料を、それぞれの層の成膜に最適な量で充填した。なお、加熱ボートは、タングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
次いで、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度４×１０^−４Ｐａまで減圧し、各材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を成膜した。

まず、正孔輸送注入材料としてα−ＮＰＤ（４，４′−Ｂｉｓ［ｐｈｅｎｙｌ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｍｉｎｏ］−１，１′−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）が入った加熱ボートに通電して加熱し、α−ＮＰＤよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送注入層３１を、透明電極１を構成する導電性層１ｂ上に成膜した。この際、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒、層厚２０ｎｍとした。

次いで、ホスト材料Ｈ４の入った加熱ボートと、リン光発光ドーパントＩｒ−４の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４とリン光発光ドーパントＩｒ−４を含有する発光層３ｃを、正孔輸送注入層３１上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：リン光発光ドーパントＩｒ−４＝１００：６となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、層厚は３０ｎｍとした。

次いで、正孔阻止材料としてＢＡｌｑ（［Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）−４−（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ］）が入った加熱ボートに通電して加熱し、ＢＡｌｑよりなる正孔阻止層３３を、発光層３ｃ上に成膜した。この際、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒、層厚１０ｎｍとした。

その後、電子輸送材料として下記に示すＥＴ−６の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ＥＴ−６とフッ化カリウムを含有する電子輸送層３ｄを、正孔阻止層３３上に成膜した。この際、蒸着速度がＥＴ−６：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボートの通電を調節した。また、層厚３０ｎｍとした。
次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボートに通電して加熱し、フッ化カリウムよりなる電子注入層３ｅを、電子輸送層３ｄ上に成膜した。この際、蒸着速度０．０１〜０．０２ｎｍ／秒、層厚１ｎｍとした。

その後、電子注入層３ｅまで成膜した透明基板１３を、真空蒸着装置の蒸着室から、対向電極材料としてＩＴＯのターゲットが取り付けられたスパッタ装置の処理室内に、真空状態を保持したまま移送した。次いで、処理室内において、成膜速度０．３〜０．５ｎｍ／秒で、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯからなる光透過性の対向電極５ａをカソードとして成膜した。以上により、透明基板１３上に有機ＥＬ素子４００を形成した。

その後、有機ＥＬ素子４００を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材１７で覆い、有機ＥＬ素子４００を囲む状態で、封止材１７と透明基板１３との間に接着剤１９（シール材）を充填した。接着剤１９としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材１７と透明基板１３との間に充填した接着剤１９に対して、ガラス基板（封止材１７）側からＵＶ光を照射し、接着剤１９を硬化させて有機ＥＬ素子４００を封止した。

なお、有機ＥＬ素子４００の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの透明基板１３における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域Ａとし、発光領域Ａの全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域Ｂを設けた。また、アノードである透明電極１とカソードである対向電極５ａとは、正孔輸送注入層３１から電子注入層３ｅまでの有機機能層３によって絶縁された状態で、透明基板１３の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

以上のようにして、透明基板１３上に有機ＥＬ素子４００を設け、これを封止材１７と接着剤１９とで封止した発光パネル４０１を作製した。
発光パネル４０１においては、発光層３ｃで発生した各色の発光光ｈが、透明電極１側すなわち透明基板１３側と、対向電極５ａ側すなわち封止材１７側との両方から取り出される。

（２）発光パネル４０２の作製
発光パネル４０１の作製において、導電性層１ｂの層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、発光パネル４０２を作製した。

（３）発光パネル４０３の作製
発光パネル４０１の作製において、導電性層１ｂを蒸着法により形成した以外は同様にして、発光パネル４０３を作製した。なお、蒸着法による作製は、実施例１の透明電極１０３と同様である。

（４）発光パネル４０４の作製
発光パネル４０１の作製において、中間層の構成材料をＰ−３に変更した以外は同様の形成方法により中間層を形成した。
この中間層上に、導電性層材料として金ナノ粒子からなる導電性インク（シグマ アルドリッチ ジャパン合同会社製、製品番号：７４１９４９、直径５ｎｍ）１．０ｍｌを、ｎ−プロパノールにより１０倍希釈した。この希釈溶液０．１ｍｌを、スピンコート法により塗布・パターニングした後、１２０℃で３０分間焼成し、層厚１０ｎｍの金からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極を作製した。
発光パネル４０１の作製において、中間層の構成材料をＰ−３として上記作製した透明電極を用いた以外は同様にして、発光パネル４０４を作製した。

（５）発光パネル４０５の作製
発光パネル４０４の作製において、導電性層の層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、発光パネル４０５を作製した。

（６）発光パネル４０６の作製
発光パネル４０４の作製において、導電性層の構成材料を表４に記載のインクジェットインクに変更した以外は同様にして、発光パネル４０６を作製した。

（７）発光パネル４０７の作製
発光パネル４０３の作製において、中間層の構成材料を表４に記載の化合物に変更した以外は同様にして、発光パネル４０７を作製した。

（８）発光パネル４０８〜４１１の作製
発光パネル４０１の作製において、中間層の構成材料を表４に記載の化合物に変更した以外は同様にして、発光パネル４０８〜４１１を作製した。

（９）発光パネル４１２の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−６７及びアセトフェノンをモル比１５０：１で含有する酢酸メチル溶液を用い、スピンコート法により塗布・パターニングして、硬化する性質を有する組成物からなる層を形成した。その後、ホットプレート上に移動させて１００℃で１時間加熱することで乾燥及び重合反応を行い、層厚２０ｎｍのＰ−６７から形成される重合体を含有する中間層を設けた。
発光パネル４０１の作製において、中間層の構成材料をＰ−６７として、アセトフェノンをラジカル重合開始剤として上記作製した透明電極を用いた以外は同様にして、発光パネル４１２を作製した。

（１０）発光パネル４１３の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−７４及びＰ−３５をモル比５：１で含有する酢酸メチル溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１００℃で１時間加熱乾燥し、層厚２０ｎｍのＰ−７４及びＰ−３５から形成される共重合体を含有する中間層を設けた。
発光パネル４０１の作製において、中間層の構成材料をＰ−７４及びＰ−３５として、上記作製した透明電極を用いた以外は同様にして、発光パネル４１３を作製した。

（１１）発光パネル４１４の作製
発光パネル４１３の作製において、中間層の構成材料を表４に記載の化合物に変更した以外は同様にして、発光パネル４１４を作製した。

（１２）発光パネル４１５の作製
無アルカリガラス製の基材上に、Ｐ−７９、Ｐ−５８及びＡＩＢＮをモル比２００：２００：１で含有する酢酸メチル溶液を用いスピンコート法により塗布・パターニングして、硬化する性質を有する組成物からなる層を形成した。その後、ホットプレート上に移動させて１００℃で１時間加熱することで乾燥及び重合反応を行い、層厚２０ｎｍのＰ−７９及びＰ−５８から形成される共重合体を含有する中間層を設けた。
発光パネル４０１の作製において、中間層の構成材料をＰ−７９及びＰ−５８として、上記作製した透明電極を用いた以外は同様にして、発光パネル４１５を作製した。

（１３）透明電極４１６及び４１７の作製
発光パネル４１１及び４１５の作製において、基材をＰＥＴ（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジン（登録商標）テトロン（登録商標）フィルム Ｋ）に変更した以外は同様にして、発光パネル４１６及び４１７を作製した。

《発光パネルの評価》
作製した発光パネル４０１〜４１７について、下記の方法に従い、光透過率、駆動電圧及び高温保存下での外部量子効率変化（耐久性）の測定を行った。

（１）光透過率の測定
作製した各発光パネルについて、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ製Ｕ−３３００）を用い、各発光パネルの透明電極の基板をリファレンスとして、測定光波長５５０ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。

（２）駆動電圧の測定
上記作製した各発光パネルの透明電極１側（すなわち透明基板１３側）と、対向電極５ａ側（すなわち封止材１７側）との両側での正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ社製）を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。

（３）高温保存下での外部量子効率（ＥＱＥ）変化の測定
上記作製した発光パネルに含まれる各有機ＥＬ素子を、７５℃で、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度と、開始２００時間後の発光輝度を、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて測定した。
発光開始直後の発光輝度に対する開始２００時間後の相対発光輝度を求め、これを外部量子効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ：ＥＱＥ）の尺度とした。数値が小さいほど、発光輝度の変化が小さく、外部量子効率が優れていることを表す。

（４）まとめ
比較例の発光パネル４０１〜４０３は、駆動電圧及び高温保存下でのＥＱＥ変化がいずれも測定することができなかった。これは、湿式法により導電性層を形成した際、中間層が酢酸メチル溶媒に溶出して層が乱れてしまい、透明電極としての機能が失われてしまったためである。
表４から明らかなように、本発明の透明電極を有機ＥＬ素子のアノードに発光パネル４０６〜４１７は、いずれも光透過率が６５％以上であり、駆動電圧が５．６Ｖ以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極を有機ＥＬ素子のアノードに用いた発光パネル４０１〜４０３は、光透過率が６５％未満であり、駆動電圧を測定することができなかった。

また、耐久性（高温保存下での外部量子効率変化）においても、比較例の発光パネル４０１〜４０３が測定できない一方で、発光パネル４０４〜４１７が、優れていることが分かった。
以上から、本発明の有機ＥＬ素子を用いた発光パネルは、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、更に耐久性に優れていることが確認された。
また、実施例１〜３で示したとおり、本発明に係る硬化性組成物を用いて中間層を形成させることで、中間層が多様な溶媒に対する耐性を有しているため、所望の効果を発現するために適した層構成の透明電極及び当該透明電極を具備する発光パネルを作製することができた。

１、２ 透明電極
１ａ、２ａ 中間層
１ｂ、２ｂ 導電性層
２ｃ 光学調整層
３ 有機機能層
３ａ 正孔注入層
３ｂ 正孔輸送層
３ｃ 発光層
３ｄ 電子輸送層
３ｅ 電子注入層
３１ 正孔輸送注入層
３３ 正孔阻止層
５ａ、５ｂ、５ｃ 対向電極
１１、１２ 基板
１３、１３１ 透明基板（基板）
１３ａ、１３１ａ 光取り出し面
１５ 補助電極
１７ 封止材
１９ 接着剤
２１ 照明装置
２２ 発光パネル
２３ 支持基板
１００、２００、３００、４００ 有機ＥＬ素子
Ａ 発光領域
Ｂ 非発光領域
ｈ 発光光

Claims (13)

1. 導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、
   前記導電性層が、金、銀又は銅を主成分として含有し（ただし、平均アスペクト比（アスペクト＝長さ／直径）が１０〜１００００である導電性繊維を除く）、
   前記中間層が、硬化性組成物により形成されており、
   前記硬化性組成物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有し、
   前記導電性層の厚さが、５〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする透明電極。
2. 前記導電性層が、銀を主成分として含有することを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
3. 前記中間層及び前記導電性層がともに、湿式法で形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明電極。
4. 前記硬化性組成物が、熱硬化性組成物又は光硬化性組成物であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明電極。
5. 前記硬化性組成物が、重合性組成物であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明電極。
6. 前記重合性組成物が、ビニル基を有する１種類のモノマーからなる組成物であることを特徴とする請求項５に記載の透明電極。
7. 前記重合性組成物が、ビニル基を有する２種類以上のモノマーからなる共重合性組成物であることを特徴とする請求項５に記載の透明電極。
8. 前記重合性組成物が、ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性組成物であることを特徴とする請求項５に記載の透明電極。
9. 前記重合性組成物が、分子内に二つ以上のビニル基を有するモノマーを含有する組成物であることを特徴とする請求項５から請求項８までのいずれか一項に記載の透明電極。
10. 前記重合性組成物が、ラジカル重合開始剤を用いて重合される組成物であることを特徴とする請求項５から請求項９までのいずれか一項に記載の透明電極。
11. 前記硬化性組成物が、ピリジン、トリアジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、チアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、アザジベンゾチオフェン、キノリン、ベンズチアジアゾール、フェナントロリン、イミダゾール、トリアゾール又はピラジン骨格を有する重合性化合物を含有する組成物であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明電極。
12. 請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の透明電極を備えていることを特徴とする電子デバイス。
13. 陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記陽極又は陰極が、請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の透明電極を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

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