JP2020145372A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速動作を可能にする半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置1は、第1メモリセルと、前記第1メモリセルに接続され、金属配線層L1中で第1方向D1に延びる配線BLI<1>と、前記配線BLI<1>に接続されるセンスアンプユニットSAU<1>と、前記センスアンプユニットSAU<1>に接続され、前記金属配線層L1中で前記第1方向に延びる配線rBLI<1>と、前記配線rBLI<1>に接続されるラッチ回路XDL<1>とを備え、前記配線BLI<1>のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記配線rBLI<1>のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向する。【選択図】図11
Description
実施形態は、半導体記憶装置に関する。
半導体記憶装置としてNAND型フラッシュメモリが知られている。
高速動作を可能にする半導体記憶装置を提供する。
実施形態の半導体記憶装置は、第1メモリセルと、前記第1メモリセルに接続され、第1配線層中で第1方向に延びる第1配線と、前記第1配線に接続される第1センスアンプと、前記第1センスアンプに接続され、前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第2配線と、前記第2配線に接続される第1ラッチ回路とを含み、前記第1配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第2配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向する。
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。図面は模式的なものである。なお、以下の説明において、略同一の機能および構成を有する構成要素については、同一符号を付す。参照符号を構成する文字の後の数字、および参照符号を構成する数字の後の文字は、同じ文字および数字を含んだ参照符号によって参照され、かつ同様の構成を有する要素同士を区別するために用いられている。同じ文字および数字を含んだ参照符号で示される要素を相互に区別する必要がない場合、これらの要素は同じ文字および数字のみを含んだ参照符号により参照される。
<第1実施形態>
以下に、第1実施形態に係る半導体記憶装置1について説明する。
以下に、第1実施形態に係る半導体記憶装置1について説明する。
[構成例]
(1)メモリシステム
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1を含むメモリシステム4の構成の一例を示すブロック図である。
(1)メモリシステム
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1を含むメモリシステム4の構成の一例を示すブロック図である。
図1に示されるように、メモリシステム4は、半導体記憶装置1およびメモリコントローラ3を含み、ホスト装置5により制御される。メモリシステム4は、例えば、SSD(solid state drive)またはSDTMカード等である。
半導体記憶装置1は、メモリコントローラ3により制御される。メモリコントローラ3は、ホスト装置5から命令を受け取り、当該受け取った命令に基づいて半導体記憶装置1を制御する。
メモリコントローラ3は、ホストインタフェースユニット31、CPU(central processing unit)32、RAM(random access memory)33、ROM(read only memory)34、およびメモリインタフェースユニット35を含む。メモリコントローラ3は、例えばSoC(System-on-a-chip)として構成される。
ROM34はファームウェア(プログラム)を格納する。RAM33は、当該ファームウェアを保持可能であり、CPU32の作業領域として使用される。RAM33はさらに、データを一時的に保持し、バッファおよびキャッシュとして機能する。ROM34に格納されていてRAM33上にロードされたファームウェアがCPU32により実行されることにより、メモリコントローラ3は、後述する読み出し動作および書き込み動作等を含む種々の動作、ならびに、ホストインタフェースユニット31およびメモリインタフェースユニット35の機能の一部を実行する。
ホストインタフェースユニット31は、バスを介してホスト装置5に接続され、メモリコントローラ3とホスト装置5との間の通信を司る。メモリインタフェースユニット35は、半導体記憶装置1に接続され、メモリコントローラ3と半導体記憶装置1との間の通信を司る。
(2)半導体記憶装置の構成
図2は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1の構成の一例を示すブロック図である。なお、図2では、各ブロック間の接続の一部を矢印線で図示しているが、ブロック間の接続は図示されているものに限定されない。
図2は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1の構成の一例を示すブロック図である。なお、図2では、各ブロック間の接続の一部を矢印線で図示しているが、ブロック間の接続は図示されているものに限定されない。
図2に示されるように、半導体記憶装置1は、メモリセルアレイ11、センスアンプモジュール12、データレジスタ13、カラムデコーダ14、ロウデコーダ15、入出力回路16、ステータスレジスタ17、アドレスレジスタ18、コマンドレジスタ19、ロジック制御回路20、シーケンサ21、レディ/ビジー制御回路22、および電圧生成回路23を含む。
メモリセルアレイ11は、複数のブロックBLK(BLK0、BLK1、・・・、BLK(L−1))(Lは2以上の整数)を含む。ブロックBLKは、ビット線およびワード線に関連付けられた複数の不揮発性メモリセルを含み、例えばデータの消去単位となる。半導体記憶装置1では、書き込みデータWDがメモリセルアレイ11に記憶される書き込み動作、読み出しデータRDがメモリセルアレイ11から読み出される読み出し動作等の、各種動作が実行される。
入出力回路16は、メモリコントローラ3との信号DQの入出力を制御する。信号DQは、コマンドCMD、データDAT、アドレス情報ADD、および、ステータス情報STS等を含む。コマンドCMDは、例えば、ホスト装置5からの命令を実行するための命令を含む。データDATは、書き込みデータWDまたは読み出しデータRDを含む。アドレス情報ADDは、例えば、ロウアドレスRAおよびカラムアドレスCAを含む。ステータス情報STSは、例えば、書き込み動作および読み出し動作における半導体記憶装置1のステータスに関する情報を含む。
より具体的には、入出力回路16は、入力回路および出力回路を備え、入力回路および出力回路が次に述べる処理を行う。入力回路は、メモリコントローラ3から、書き込みデータWD、アドレス情報ADD、およびコマンドCMDを受信する。入力回路は、受信した書き込みデータWDをデータレジスタ13に転送し、受信したアドレス情報ADDをアドレスレジスタ18に転送し、受信したコマンドCMDをコマンドレジスタ19に転送する。一方、出力回路は、ステータスレジスタ17からステータス情報STSを受け取り、データレジスタ13から読み出しデータRDを受け取る。出力回路は、受け取ったステータス情報STSおよび読み出しデータRDを、メモリコントローラ3に送信する。ここで、入出力回路16とデータレジスタ13は、データバスを介して接続される。データバスは、例えば、信号DQ0〜DQ7に対応する8本のデータ線IO0〜IO7を含む。なお、データ線IOの本数は、8本に限定されるものではなく、例えば16本または32本であってもよく、任意に設定可能である。
ステータスレジスタ17は、ステータス情報STSを保持し、当該ステータス情報STSを、シーケンサ21の指示に基づいて入出力回路16に転送する。
アドレスレジスタ18は、入出力回路16から転送されるアドレス情報ADDを保持する。アドレスレジスタ18は、アドレス情報ADD中のカラムアドレスCAをカラムデコーダ14に転送し、アドレス情報ADD中のロウアドレスRAをロウデコーダ15に転送する。
コマンドレジスタ19は、入出力回路16から転送されるコマンドCMDを保持し、コマンドCMDをシーケンサ21に転送する。
ロジック制御回路20は、メモリコントローラ3から、例えば、チップイネーブル信号CEn、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号WEn、リードイネーブル信号REn、およびライトプロテクト信号WPnを受信する。ロジック制御回路20は、受信される信号に基づいて、入出力回路16およびシーケンサ21を制御する。
チップイネーブル信号CEnは、半導体記憶装置1をイネーブルにするために使用される信号である。コマンドラッチイネーブル信号CLEは、半導体記憶装置1に入力される信号DQ0〜DQ7がコマンドCMDであることを入出力回路16に通知するために使用される信号である。アドレスラッチイネーブル信号ALEは、半導体記憶装置1に入力される信号DQ0〜DQ7がアドレス情報ADDであることを入出力回路16に通知するために使用される信号である。ライトイネーブル信号WEnおよびリードイネーブル信号REnはそれぞれ、例えば信号DQ0〜DQ7の入力および出力を入出力回路16に対して命令するために使用される信号である。ライトプロテクト信号WPnは、データの書き込みおよび消去の禁止を半導体記憶装置1に指示するために使用される信号である。
シーケンサ21は、コマンドレジスタ19に保持されるコマンドCMDに基づいて、半導体記憶装置1全体の動作を制御する。例えば、シーケンサ21は、センスアンプモジュール12、データレジスタ13、カラムデコーダ14、ロウデコーダ15、および電圧生成回路23等を制御して、書き込み動作および読み出し動作等を実行する。
レディ/ビジー制御回路22は、シーケンサ21による制御に従ってレディ/ビジー信号R/Bnを生成し、生成したレディ/ビジー信号R/Bnをメモリコントローラ3に送信する。レディ/ビジー信号R/Bnは、半導体記憶装置1がメモリコントローラからの命令を受け付けるレディ状態にあるか、あるいは命令を受け付けないビジー状態にあるかを通知するために使用される信号である。
電圧生成回路23は、シーケンサ21による制御に基づいて、書き込み動作および読み出し動作等に使用される電圧を生成し、生成した電圧を、メモリセルアレイ11、センスアンプモジュール12、およびロウデコーダ15等に供給する。例えば、電圧生成回路23は、読み出しおよび書き込み等の動作でワード線WLに印加する各種電圧を、ロウデコーダ15に供給する。
センスアンプモジュール12は、メモリセルアレイ11から読み出されたデータをセンスして読み出しデータRDを生成し、生成した読み出しデータRDをデータレジスタ13に転送する。また、センスアンプモジュール12は、データレジスタ13から書き込みデータWDを受け取り、受け取った書き込みデータWDをメモリセルアレイ11に転送する。
データレジスタ13は、複数のラッチ回路を含む。ラッチ回路は、書き込みデータWDおよび読み出しデータRDを保持する。データレジスタ13は、入出力回路16から受け取った書き込みデータWDを一時的に保持し、センスアンプモジュール12に転送する。データレジスタ13は、センスアンプモジュール12から受け取った読み出しデータRDを一時的に保持し、入出力回路16に転送する。
カラムデコーダ14は、アドレスレジスタ18から受け取ったカラムアドレスCAを、例えば書き込み動作または読み出し動作の際にデコードする。カラムデコーダ14は、当該デコードの結果に基づいて、データレジスタ13中のラッチ回路を選択する。
ロウデコーダ15は、アドレスレジスタ18からロウアドレスRAを受け取り、受け取ったロウアドレスRAをデコードする。ロウデコーダ15は、当該デコードの結果に基づいて、読み出し動作および書き込み動作等の各種動作を実行する対象のブロックBLKを選択し、さらに、ストリングユニットSUを選択する。ロウデコーダ15は、当該選択したブロックBLKに、電圧生成回路23から供給される電圧を転送可能である。
(3)NAND型フラッシュメモリのメモリセルアレイ
図3は、図2に示したメモリセルアレイ11の回路構成の一例として、メモリセルアレイ11に含まれる複数のブロックBLKのうち1つのブロックBLKの回路構成の一例を示す図である。例えば、メモリセルアレイ11に含まれる複数のブロックBLKの各々は、図3に示される回路構成を有する。
図3は、図2に示したメモリセルアレイ11の回路構成の一例として、メモリセルアレイ11に含まれる複数のブロックBLKのうち1つのブロックBLKの回路構成の一例を示す図である。例えば、メモリセルアレイ11に含まれる複数のブロックBLKの各々は、図3に示される回路構成を有する。
図3に示されるように、ブロックBLKは、例えば4つのストリングユニットSU0〜SU3を含む。各ストリングユニットSUは、複数のNANDストリングNSを含む。複数のNANDストリングNSは各々、ビット線BL0〜BLm(mは1以上の整数)のうち或るビット線BLに対応付けられ、例えばメモリセルトランジスタMT0〜MT7ならびに選択トランジスタST1およびST2を含む。メモリセルトランジスタMTは、制御ゲートおよび電荷蓄積層を含んでおり、データを不揮発に記憶する。選択トランジスタST1およびST2は各々、各種動作時における、当該選択トランジスタST1およびST2を含むNANDストリングNSの選択に使用される。
複数のNANDストリングNSの各々において、選択トランジスタST1のドレインが上記対応するビット線BLに接続される。選択トランジスタST1のソースと、選択トランジスタST2のドレインとの間に、メモリセルトランジスタMT0〜MT7が直列接続される。選択トランジスタST2のソースは、ソース線SLに接続される。
同一のブロックBLKに含まれる複数のNANDストリングNSの間では、各NANDストリングNSに含まれるメモリセルトランジスタMT0〜MT7の制御ゲートが各々、ワード線WL0〜WL7のうち対応するワード線WLに共通して接続される。ストリングユニットSU0〜SU3の各々に含まれる複数のNANDストリングNSの選択トランジスタST1のゲート(制御ゲート)は各々、各ストリングユニットSUに対応するセレクトゲート線SGD0〜SGD3に共通して接続される。同一のブロックBLKに含まれる複数のNANDストリングNSの間では、各NANDストリングNSに含まれる選択トランジスタST2のゲートは各々、セレクトゲート線SGSに共通して接続される。
各ビット線BLは、複数のストリングユニットSU間で対応するNANDストリングNSの選択トランジスタST1のドレインに共通して接続される。ソース線SLは、複数のストリングユニットSU間で共有される。
1つのストリングユニットSU内で共通のワード線WLに接続される複数のメモリセルトランジスタMTの集合は、例えばセルユニットCUと称される。例えば、セルユニットCU内のメモリセルトランジスタMTの各々が1ビットデータを保持する場合、当該セルユニットCUの記憶容量に相当するデータのことを、例えば「1ページデータ」と呼ぶ。
以上でメモリセルアレイ11の回路構成について説明したが、メモリセルアレイ11の回路構成は上述したものに限定されない。例えば、各ブロックBLKが含むストリングユニットSUの個数を任意の個数に設計することが可能である。また、各NANDストリングNSが含むメモリセルトランジスタMTならびに選択トランジスタST1およびST2の各々を任意の個数に設計することが可能である。ワード線WLならびにセレクトゲート線SGDおよびSGSの本数は各々、NANDストリングNS中のメモリセルトランジスタMTならびに選択トランジスタST1およびST2の個数に基づいて変更される。
図4は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のメモリセルアレイ11の断面構造の一部の一例を示す断面図である。なお、図4の例では、層間絶縁体が省略されている。
メモリセルアレイ11の構造の一部を、導電体41、42、および49、メモリピラー43、ならびにコンタクトプラグ48が構成する。
半導体記憶装置1は、半導体基板40を含む。ここで、半導体基板40の面に平行な例えば互いに直交する2方向を第1方向D1および第2方向D2として定義し、半導体基板40の面に例えば直交しメモリセルアレイ11が形成される方向を第3方向D3として定義する。また、以下の説明では、第3方向D3の方向を上方とし、第3方向D3と反対方向を下方として説明を行うが、この表記は便宜的なものに過ぎず、例えば重力の方向とは無関係である。
半導体基板40の上方に、絶縁体を介して導電体41が設けられる。導電体41は、ソース線SLとして機能する。導電体41の上方に、10層の導電体42が、各導電体間に絶縁体を介して順次積層される。10層の導電体42は、セレクトゲート線SGS、ワード線WL0〜WL7、およびセレクトゲート線SGDとして機能する。
10層の導電体42中にメモリピラー43が設けられる。メモリピラー43は、例えばD3方向に延びる。メモリピラー43では、ピラー状の半導体44の側面に、トンネル絶縁層45、電荷蓄積層46、およびブロック絶縁層47が順次設けられる。半導体44は、下端において導電体41に達する。メモリピラー43のうち1つの導電体42と交わる部分が、1つのメモリセルトランジスタMT、1つの選択トランジスタST1、または1つの選択トランジスタST2として機能する。半導体44が、NANDストリングNSの電流経路として機能し、各メモリセルトランジスタMTのチャネルが形成される領域となる。半導体44の上端は、コンタクトプラグ48を介して、導電体49に接続される。導電体49は、第1方向D1に延び、ビット線BLとして機能する。また、導電体41上には、導電体LIが設けられる。導電体LIは、第2方向D2に延び、ソース線コンタクトとして機能する。導電体LIは、第2方向D2に沿って例えばライン形状を有する。2つの導電体LIの間に、例えば、1つのストリングユニットSUが配置される。
(4)センスアンプおよびデータレジスタ
図5は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプモジュール12およびデータレジスタ13の構成の一例を示すブロック図である。
図5は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプモジュール12およびデータレジスタ13の構成の一例を示すブロック図である。
図5に示されるように、センスアンプモジュール12は複数のセンスアンプユニットSAUを含み、データレジスタ13は複数のラッチ回路XDLを含む。
センスアンプモジュール12において、センスアンプユニットSAUが、例えばビット線BL毎に設けられる。例えば、16個のビット線BLの組み合わせ毎に、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>が設けられる。各センスアンプユニットSAUは、対応するビット線BLに読み出されたデータをセンスし、また対応するビット線BLに書き込みデータを転送する。
データレジスタ13において、ラッチ回路XDLが、センスアンプユニットSAU毎に設けられる。例えば、上述した16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>毎に、当該センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>が設けられる。なお、図5では、16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>は、ラッチ回路XDL<15:0>として示されている。各ラッチ回路XDLは、対応するセンスアンプユニットSAUに接続される。各ラッチ回路XDLは、対応するセンスアンプユニットSAUを介して1つのビット線BLと対応付けられており、対応するビット線BLに関連するデータを一時的に保持する。また、16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>の各々は、上述した複数のデータ線IOのうちの対応するデータ線IOに接続される。ラッチ回路XDLは、対応するセンスアンプユニットSAUへの接続とデータ線IOとを介して、当該センスアンプユニットSAUと入出力回路16との間でのデータの送受信を可能にする。すなわち、例えばメモリコントローラ3等から受信したデータは、先ずデータ線IOを介してデータレジスタ13中のラッチ回路XDLに保持され、その後、ラッチ回路XDLとセンスアンプユニットSAUとの間の接続を介して、センスアンプモジュール12中のセンスアンプユニットSAUに転送される。逆もまた同じであり、センスアンプユニットSAU中のデータは、ラッチ回路XDLに転送されて保持され、データ線IOを介して入出力回路16に転送された後に半導体記憶装置1の外部に出力される。
図6は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプモジュール12の回路構成の一部の一例を示す図である。以下では、センスアンプモジュール12中の或るセンスアンプユニットSAUの回路構成について詳細に説明する。
図6に示すように、センスアンプモジュール12では、センスアンプユニットSAU毎に高耐圧nチャネルMOSトランジスタ12aが設けられる。1つのセンスアンプユニットSAUは、センスアンプ回路SAC、3つのラッチ回路SDL、UDL、およびLDL、プリチャージ回路121、ならびにバススイッチ122を含む。なお、センスアンプユニットSAUに含まれるラッチ回路の数は、3つに限定されるものではなく、任意の個数に設計することが可能である。例えば、センスアンプユニットSAUに含まれるラッチ回路の数は、各メモリセルトランジスタMTが保持するデータのビット数に基づいて設計される。
トランジスタ12aの第1端子は、センスアンプモジュール12中の配線BLIに接続され、トランジスタ12aの第2端子は、対応するビット線BLに接続される。トランジスタ12aのゲートには制御信号BLSが印加される。制御信号BLSは、例えばシーケンサ21により生成される。
センスアンプユニットSAUでは、センスアンプ回路SAC、3つのラッチ回路SDL、UDL、およびLDL、ならびにプリチャージ回路121が、バスLBUSを介して接続される。
センスアンプ回路SACは、上記対応するビット線BLに読み出されたデータをセンスし、また、上記対応するビット線BLに書き込みデータに応じて電圧を印加する。すなわち、センスアンプ回路SACは、ビット線BLを直接的に制御するモジュールである。
センスアンプ回路SACは、nチャネルMOSトランジスタ12b〜12j、pチャネルMOSトランジスタ12k、およびキャパシタ素子12lを含む。
トランジスタ12bの第1端子は配線BLIに接続され、トランジスタ12bの第2端子はノードSCOMに接続される。トランジスタ12bのゲートには制御信号BLCが印加される。トランジスタ12bにより、上記対応するビット線BLを、制御信号BLCに応じた電位にクランプすることが可能となる。
トランジスタ12cの第1端子は配線BLIに接続され、トランジスタ12cの第2端子には電圧VLSAが印加される。トランジスタ12cのゲートには制御信号NLOが印加される。トランジスタ12dの第1端子はノードSCOMに接続され、トランジスタ12dの第2端子はトランジスタ12kの第1端子に接続される。トランジスタ12dのゲートには制御信号BLXが印加される。トランジスタ12kの第2端子には電源電圧VHSAが印加され、トランジスタ12kのゲートは後述のノードINV_Sに接続される。トランジスタ12eの第1端子はノードSCOMに接続され、トランジスタ12eの第2端子はノードSENに接続される。トランジスタ12eのゲートには制御信号XXLが印加される。キャパシタ素子12lの第1電極はノードSENに接続され、キャパシタ素子12lの第2電極にはクロック信号CLKが入力される。トランジスタ12fの第1端子にはクロック信号CLKが入力され、トランジスタ12fの第2端子はトランジスタ12gの第1端子に接続される。トランジスタ12fのゲートはノードSENに接続される。トランジスタ12gの第2端子はバスLBUSに接続され、トランジスタ12gのゲートには制御信号STBが印加される。
トランジスタ12hの第1端子はノードSENに接続され、トランジスタ12hの第2端子はバスLBUSに接続される。トランジスタ12hのゲートには制御信号BLQが印加される。トランジスタ12iの第1端子はノードSENに接続され、トランジスタ12iの第2端子はトランジスタ12jの第1端子に接続される。トランジスタ12iのゲートには制御信号LSLが印加される。トランジスタ12jの第2端子は接地され、トランジスタ12jのゲートはバスLBUSに接続される。
以上で説明した制御信号BLC、NLO、BLX、XXL、STB、BLQ、およびLSLは、例えばシーケンサ21により生成される。
ラッチ回路SDL、UDL、およびLDLは、データを一時的に保持する。データの書き込み時には、この3つのラッチ回路のうち例えばラッチ回路SDLの保持データに応じて、センスアンプ回路SACはビット線BLを制御する。その他のラッチ回路UDLおよびLDLは、個々のメモリセルトランジスタが2ビット以上のデータを保持する多値動作等を行うために使用される。
ラッチ回路SDLは、例えばインバータ12mおよび12n、ならびに、nチャネルMOSトランジスタ12oおよび12pを含む。インバータ12mの入力端子はノードLAT_Sに接続され、インバータ12mの出力端子はノードINV_Sに接続される。インバータ12nの入力端子はノードINV_Sに接続され、インバータ12nの出力端子はノードLAT_Sに接続される。トランジスタ12oの第1端子はノードINV_Sに接続され、トランジスタ12oの第2端子はバスLBUSに接続される。トランジスタ12oのゲートには制御信号STIが印加される。トランジスタ12pの第1端子はノードLAT_Sに接続され、トランジスタ12pの第2端子はバスLBUSに接続される。トランジスタ12pのゲートには制御信号STLが印加される。例えば、ノードLAT_SおよびINV_Sは、ラッチ回路SDLによって保持されるデータに応じて、ロー(L)レベルまたはハイ(H)レベルを有する。例えば、ノードLAT_Sにおいて保持されるデータがラッチ回路SDLに保持されるデータに相当し、ノードINV_Sにおいて保持されるデータはノードLAT_Sに保持されるデータの反転データに相当する。
ラッチ回路UDLおよびLDLは、例えばラッチ回路SDLと同様の回路構成を有しているため、説明は省略する。このように、各センスアンプユニットSAUにおいて、センスアンプ回路SAC、ならびに、ラッチ回路SDL、UDL、およびLDLは、互いにデータを送受信可能なようにバスLBUSにより接続されている。
プリチャージ回路121は、バスLBUSをプリチャージすることを可能にする。プリチャージ回路121は、例えばnチャネルMOSトランジスタ12qを含む。トランジスタ12qの第1端子はバスLBUSに接続され、トランジスタ12qの第2端子には電圧VHLBが印加される。トランジスタ12qのゲートには制御信号LPCが印加される。プリチャージ回路121がバスLBUSに電圧VHLBを転送することにより、バスLBUSがプリチャージされる。
バススイッチ122は、バスLBUSとバスDBUSとを接続する。バススイッチ122は、例えばnチャネルMOSトランジスタ12rを含む。トランジスタ12rの第1端子はバスLBUSに接続され、トランジスタ12rの第2端子はバスDBUSに接続される。トランジスタ12rのゲートには制御信号DSWが印加される。
以上で説明した制御信号STI、STL、LPC、およびDSWは、例えばシーケンサ21により生成される。
バスDBUSは、データレジスタ13中の対応するラッチ回路XDLに接続される。例えばメモリコントローラ3等から送信されるデータDATは、先ずラッチ回路XDLに保持され、その後、バスDBUSおよびLBUSを介してラッチ回路SDL、LDL、およびUDLのいずれかに転送される。逆もまた同じである。なお、ラッチ回路XDLの構成は、上述したラッチ回路SDLとほぼ同様であるので、説明は省略する。
なお、上記で詳細に説明したセンスアンプモジュール12の回路構成は一例に過ぎず、センスアンプモジュール12としては種々の構成が適用可能である。
次に、図7および図8を参照しながら、図5を参照して説明した16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>と、当該センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>との間の接続関係について説明する。図5に図示したが図7および図8において図示しない他のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>およびラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>の組み合わせについても同様の接続関係である。
図7は、第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置中の複数のセンスアンプユニットSAUと複数のラッチ回路XDLとの間の接続関係の一例を示す図である。
図7の例では、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>が1つのバスcDBUSに共通に接続される。さらに、当該1つのバスcDBUSに、上述した16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>が共通に接続される。このようにして、図5を参照して説明したように、各センスアンプユニットSAUと当該センスアンプユニットSAUに対応するラッチ回路XDLとが接続されることが可能である。なお、バスcDBUSは、例えば、図6に図示したバスDBUSに対応する。
図8は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1中の複数のセンスアンプユニットSAUと複数のラッチ回路XDLとの間の接続関係の一例を示す図である。
図8の例では、4個のセンスアンプユニットSAUと4個のラッチ回路XDLが1つのバスDBUSに共通に接続されている。具体的には以下の通りである。
4個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>が1つのバスDBUS0に共通に接続される。バスDBUS0には、センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>の各々に1対1で対応する4個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<3>が共通に接続される。同様に、4個のセンスアンプユニットSAU<4>〜SAU<7>が1つのバスDBUS1に共通に接続され、バスDBUS1には、センスアンプユニットSAU<4>〜SAU<7>の各々に1対1で対応する4個のラッチ回路XDL<4>〜XDL<7>が共通に接続される。同様に、4個のセンスアンプユニットSAU<8>〜SAU<11>が1つのバスDBUS2に共通に接続され、バスDBUS2には、センスアンプユニットSAU<8>〜SAU<11>の各々に1対1で対応する4個のラッチ回路XDL<8>〜XDL<11>が共通に接続される。同様に、4個のセンスアンプユニットSAU<12>〜SAU<15>が1つのバスDBUS3に共通に接続され、バスDBUS3には、センスアンプユニットSAU<12>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する4個のラッチ回路XDL<12>〜XDL<15>が共通に接続される。このようにして、図5を参照して説明したように、各センスアンプユニットSAUと当該センスアンプユニットSAUに対応するラッチ回路XDLとが接続されることが可能である。なお、バスDBUS0〜DBUS3は、例えば、図6に図示したバスDBUSに相当する。
次に、図7および図8の各々に示したセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>、バスcDBUSあるいはDBUS0、1、2、および3、ならびにラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>の接続のための構造について説明する。先ず、第1実施形態に係る半導体記憶装置1および第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置中の金属配線層の位置関係について説明する。
図9は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1の断面構造の一例を示す図である。以下では、第1実施形態に係る半導体記憶装置1の断面構造について説明するが、第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置も、図9を参照して説明する断面構造と同様の構造をしている。
図4を参照して説明したのと同様に、半導体基板40の上方に、図4に示したメモリピラー43と同じまたは同様の構造を有するメモリセル部celが設けられる。半導体基板40の上面上に、トランジスタTrが設けられる。トランジスタTrは、例えば、周辺回路素子であり、例えばセンスアンプユニットSAU中のトランジスタである。トランジスタTrは、半導体基板40の上面上にゲート絶縁体を介して設けられるゲート電極Gと、半導体基板40の表面に設けられた、ゲート絶縁体下方の領域を挟む1対のソース領域またはドレイン領域S/Dとを含む。
トランジスタTrのゲート電極Gならびにソース領域またはドレイン領域S/D上には、コンタクトプラグCP0が設けられる。各コンタクトプラグCP0の上面は、メモリセル部celの上方に設けられる金属配線層L0中の配線に接続される。金属配線層L0中の或る配線は、例えば、第1方向D1に延びるように設けられ、バスDBUSとして機能する。
金属配線層L0中の配線の上面上にはコンタクトプラグCP1が設けられる。コンタクトプラグCP1の上面は、金属配線層L1中の配線に接続される。金属配線層L1中の或る配線は、例えば、第1方向D1に延びるように設けられ、配線BLIとして機能する。
金属配線層L1中の配線の上面上にはコンタクトプラグCP2が設けられる。コンタクトプラグCP2の上面は、金属配線層L2中の配線に接続される。
以下の説明では、半導体基板40または半導体基板40の上方のゲート電極Gと金属配線層L0中の配線とを接続するコンタクトプラグを総称してコンタクトプラグCP0として説明する。同様に、金属配線層L0中の配線と金属配線層L1中の配線とを接続するコンタクトプラグを総称してコンタクトプラグCP1として説明し、金属配線層L1中の配線と金属配線層L2中の配線とを接続するコンタクトプラグを総称してコンタクトプラグCP2として説明する。
なお、メモリセル部cel、トランジスタTr、金属配線層L0、L1、およびL2中の各配線、ならびに、コンタクトプラグCP0、CP1、およびCP2の間の領域には、(図示していない)層間絶縁体が設けられる。
なお、以下の説明では、上述した第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置についても図9に示した符号と同一の符号を用いて説明を行う。
図10は、図7に示した第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置中のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>およびバスcDBUSのレイアウトの一例を示す図である。なお、図10では、図の参照を容易にするために、上記で示した第3方向D3における各層の位置関係については必ずしも正確に図示してはいない。
センスアンプモジュールが位置する領域において、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>が、第1方向D1に沿ってセンスアンプユニットSAU<0>、センスアンプユニットSAU<1>、・・・、センスアンプユニットSAU<15>の順で互いに隣り合うように順次設けられる。
金属配線層L1において、第1方向D1に延びる16個の配線cBLI<0>〜cBLI<15>が、第2方向D2に沿って配線cBLI<0>、配線cBLI<1>、・・・、配線cBLI<15>の順で互いに間隔を有して隣り合うように順次設けられる。16個の配線cBLI<0>〜cBLI<15>の各々は、図6に図示した配線BLIに対応する。ここで、配線cBLI<k>はセンスアンプユニットSAU<k>に対応し、kは0から15の整数のいずれかである。16個の配線cBLI<0>〜cBLI<15>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域まで延びる。
金属配線層L0において、第1方向D1に延びるバスcDBUSが設けられる。バスcDBUSは、金属配線層L0において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過して延びる。
配線cBLI<0>は、例えば、センスアンプユニットSAU<0>と配線cBLI<0>とが第3方向D3で重なる領域で、金属配線層L1中の配線と金属配線層L0中の配線とを接続するコンタクトプラグCP1a、金属配線層L0中の配線、および、金属配線層L0中の配線と半導体基板40(トランジスタのソース/ドレイン領域)とを接続するコンタクトプラグCP0aを介して、センスアンプユニットSAU<0>に接続される。なお、図10では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP1a、金属配線層L0中の配線、およびコンタクトプラグCP0aを介した接続のうち、コンタクトプラグCP1aのみを図示している。同様に、配線cBLI<1>〜cBLI<15>の各々も、センスアンプユニットSAU<1>〜SAU<15>のうち対応するセンスアンプユニットSAUに接続される。
センスアンプユニットSAU<0>は、例えば、センスアンプユニットSAU<0>とバスcDBUSとが第3方向D3で重なる領域で、半導体基板40と金属配線層L0中の配線とを接続するコンタクトプラグCP0bを介してバスcDBUSに接続される。なお、図10では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP0bは図示していない。同様に、センスアンプユニットSAU<1>〜SAU<15>の各々もバスcDBUSに接続される。
図11は、図8に示した第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>ならびにバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3のレイアウトの一例を示す図である。なお、図11では、図の参照を容易にするために、上記で示した第3方向D3における各層の位置関係については必ずしも正確に図示してはいない。
センスアンプモジュール12が位置する領域において、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>が、第1方向D1に沿ってセンスアンプユニットSAU<0>、センスアンプユニットSAU<1>、・・・、センスアンプユニットSAU<15>の順で互いに隣り合うように順次設けられる。
金属配線層L1において、第1方向D1に延びる16個の配線BLI<0>〜BLI<15>が、第2方向D2に沿って配線BLI<0>、配線BLI<1>、・・・、配線BLI<15>の順で互いに間隔を有して隣り合うように順次設けられる。16個の配線BLI<0>〜BLI<15>の各配線BLIは、図6に図示した配線BLIに相当する。ここで、配線BLI<k>はセンスアンプユニットSAU<k>に対応し、kは0から15の整数のいずれかである。
配線BLI<0>〜BLI<2>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<2>の上方の領域まで延びる。例えば、配線BLI<0>〜BLI<2>の各々の第1方向D1に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線BLI<3>〜BLI<6>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<6>の上方の領域まで延びる。例えば、配線BLI<3>〜BLI<6>の各々の第1方向D1に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線BLI<7>〜BLI<10>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<10>の上方の領域まで延びる。例えば、配線BLI<7>〜BLI<10>の各々の第1方向D1に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線BLI<11>〜BLI<14>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<14>の上方の領域まで延びる。例えば、配線BLI<11>〜BLI<14>の各々の第1方向D1に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線BLI<15>は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域まで延びる。
さらに、金属配線層L1において、第1方向D1に延びる15個の配線rBLI<0>〜rBLI<14>が、第2方向D2に沿って配線rBLI<0>、配線rBLI<1>、・・・、配線rBLI<14>の順で互いに間隔を有して隣り合うように順次設けられる。ここで、配線rBLI<k>は配線BLI<k>に対応し、kは0から14の整数のいずれかである。
配線rBLI<0>〜rBLI<14>の各々は、第1方向D1に沿って配線BLI<0>〜BLI<14>のうち対応する配線BLIと間隔を有して隣り合うように設けられる。例えば、配線rBLI<0>〜rBLI<14>の各々の第1方向D1と反対方向に向く側の端面は、配線BLI<0>〜BLI<14>のうちの対応する配線BLIの第1方向に向く側の端面と対向する。
配線rBLI<0>〜rBLI<2>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<3>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域まで延びる。例えば、配線rBLI<0>〜rBLI<2>の各々の第1方向D1と反対方向に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線rBLI<3>〜rBLI<6>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<7>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域まで延びる。例えば、配線rBLI<3>〜rBLI<6>の各々の第1方向D1と反対方向に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線rBLI<7>〜rBLI<10>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<11>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域まで延びる。例えば、配線rBLI<7>〜rBLI<10>の各々の第1方向D1と反対方向に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
配線rBLI<11>〜rBLI<14>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域で延びる。例えば、配線rBLI<11>〜rBLI<14>の各々の第1方向D1と反対方向に向く側の端面は、第2方向D2に沿って並び、第1方向D1において互いに同一の位置にある。
ここで、配線BLI<k>および配線rBLI<k>は、例えば、図10に図示した配線cBLI<k>を第1方向D1に垂直な面で分断したものに対応し、kは0から14の整数のいずれかである。より具体的には、kが0から2のときには、配線BLI<k>および配線rBLI<k>は、例えば、図10に図示した配線cBLI<k>を、図11に図示する領域Cut0で分断したものに対応する。kが3から6のときには、配線BLI<k>および配線rBLI<k>は、例えば、図10に図示した配線cBLI<k>を、図11に図示する領域Cut1で分断したものに対応する。kが7から10のときには、配線BLI<k>および配線rBLI<k>は、例えば、図10に図示した配線cBLI<k>を、図11に図示する領域Cut2で分断したものに対応する。kが11から14のときには、配線BLI<k>および配線rBLI<k>は、例えば、図10に図示した配線cBLI<k>を、図11に図示する領域Cut3で分断したものに対応する。このとき、例えば、配線BLI<k>の幅と配線rBLI<k>の幅は同一の広さであり、kは0から14の整数のいずれかである。ここで、配線BLI<k>および配線rBLI<k>の幅は、配線BLI<k>および配線rBLI<k>の第2方向D2における長さに対応する。なお、上述したような配線BLI<k>および配線rBLI<k>の形成は、例えばリソグラフィ工程およびエッチングにより実現することが可能である。
金属配線層L0において、第1方向D1に延びるバスDBUS0−1、DBUS1−1、DBUS2−1、およびDBUS3−1が、第1方向D1に沿って間隔を有して順次設けられる。バスDBUS0−1のうち第1方向D1に向く側の端面と、バスDBUS1−1のうち第1方向D1と反対方向に向く側の端面とが対向する。同様に、バスDBUS1−1のうち第1方向D1に向く側の端面と、バスDBUS2−1のうち第1方向D1と反対方向に向く側の端面とが対向する。同様に、バスDBUS2−1のうち第1方向D1に向く側の端面と、バスDBUS3−1のうち第1方向D1と反対方向に向く側の端面とが対向する。
バスDBUS0−1は、金属配線層L0において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくとも、センスアンプユニットSAU<0>の上方の領域から、センスアンプユニットSAU<3>の上方の領域であって、配線rBLI<0>〜rBLI<2>の第1方向と反対方向に向く側の端面がある位置より第1方向D1側の領域まで延びる。
バスDBUS1−1は、金属配線層L0において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくとも、センスアンプユニットSAU<4>の上方の領域から、センスアンプユニットSAU<7>の上方の領域であって、配線rBLI<3>〜rBLI<6>の第1方向と反対方向に向く側の端面がある位置より第1方向D1側の領域まで延びる。
バスDBUS2−1は、金属配線層L0において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくとも、センスアンプユニットSAU<8>の上方の領域から、センスアンプユニットSAU<11>の上方の領域であって、配線rBLI<7>〜rBLI<10>の第1方向と反対方向に向く側の端面がある位置より第1方向D1側の領域まで延びる。
バスDBUS3−1は、金属配線層L0において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくとも、センスアンプユニットSAU<12>の上方の領域から、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域であって、配線rBLI<11>〜rBLI<14>の第1方向と反対方向に向く側の端面がある位置より第1方向D1側の領域まで延びる。
ここで、バスDBUS0−1、DBUS1−1、DBUS2−1、およびDBUS3−1は、例えば、図10に図示したバスcDBUSを第1方向D1に垂直な面で分断したものに対応する。このとき、例えば、バスDBUS0−1、DBUS1−1、DBUS2−1、およびDBUS3−1の各々の幅は互いに同一の広さである。ここで、バスDBUS0−1、DBUS1−1、DBUS2−1、およびDBUS3−1の幅は、バスDBUS0−1、DBUS1−1、DBUS2−1、およびDBUS3−1の第2方向D2における長さに対応する。
さらに、金属配線層L0において、第2方向D2に延びる配線ML0、ML1、ML2、およびML3が設けられる。
配線ML0は、金属配線層L0において、例えば、第2方向D2に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<3>と配線rBLI<1>とが第3方向D3で重なる領域からバスDBUS0−1まで延びる。なお、配線ML0は、バスDBUS0−1と一体となってクランク形状となるように形成されていてもよい。
配線ML1は、金属配線層L0において、例えば、第2方向D2に沿って、少なくとも、バスDBUS1−1から、センスアンプユニットSAU<7>と配線rBLI<5>とが第3方向D3で重なる領域まで延びる。なお、配線ML1は、バスDBUS1−1と一体となってクランク形状となるように形成されていてもよい。
配線ML2は、金属配線層L0において、例えば、第2方向D2に沿って、少なくとも、バスDBUS2−1から、センスアンプユニットSAU<11>と配線rBLI<9>とが第3方向D3で重なる領域まで延びる。なお、配線ML2は、バスDBUS2−1と一体となってクランク形状となるように形成されていてもよい。
配線ML3は、金属配線層L0において、例えば、第2方向D2に沿って、少なくとも、バスDBUS3−1から、センスアンプユニットSAU<15>と配線rBLI<13>とが第3方向D3で重なる領域まで延びる。なお、配線ML3は、バスDBUS3−1と一体となってクランク形状となるように形成されていてもよい。
配線BLI<0>〜BLI<15>の各々は、例えば、図10を参照して配線cBLI<0>〜cBLI<15>について説明したのと同様に、センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>のうち対応するセンスアンプユニットSAUに接続される。
センスアンプユニットSAU<0>は、例えば、センスアンプユニットSAU<0>とバスDBUS0−1とが第3方向D3で重なる領域で、半導体基板40と金属配線層L0中の配線とを接続するコンタクトプラグCP0cを介してバスDBUS0−1に接続される。なお、図11では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP0cは図示していない。同様に、センスアンプユニットSAU<1>〜SAU<3>の各々もバスDBUS0−1に接続される。
上記で説明したセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>の各々とバスDBUS0−1との間の接続と同様に、センスアンプユニットSAU<4>〜SAU<7>の各々はバスDBUS1−1に接続され、センスアンプユニットSAU<8>〜SAU<11>の各々はバスDBUS2−1に接続され、センスアンプユニットSAU<12>〜SAU<15>の各々はバスDBUS3−1に接続される。
バスDBUS0−1は配線ML0に接続されており、配線ML0は、例えば、配線ML0と配線rBLI<1>とが第3方向D3で重なる領域で、金属配線層L0中の配線と金属配線層L1中の配線とを接続するコンタクトプラグCP1bを介して配線rBLI<1>に接続される。なお、図11では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP1bは図示していない。
上記で説明したバスDBUS0−1から配線ML0を介しての配線rBLI<1>への接続と同様に、バスDBUS1−1は配線ML1を介して配線rBLI<5>に接続され、バスDBUS2−1は配線ML2を介して配線rBLI<9>に接続され、バスDBUS3−1は配線ML3を介して配線rBLI<13>に接続される。
以上で説明したバスDBUS0−1、配線ML0、および配線rBLI<1>が、図8に示したDBUS0に対応する。同様に、バスDBUS1−1、配線ML1、および配線rBLI<5>が、図8に示したDBUS1に対応し、バスDBUS2−1、配線ML2、および配線rBLI<9>が、図8に示したDBUS2に対応し、バスDBUS3−1、配線ML3、および配線rBLI<13>が、図8に示したDBUS3に対応する。
上記では、センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>ならびにバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3のレイアウトについて一例を挙げて詳細に説明した。センスアンプモジュール12では、図11に図示したように配線BLI<0>〜BLI<15>およびセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>を設けることができ、図11を参照して詳細に説明したような接続関係を実現することができる。ここで、図11に図示したレイアウトでは、例えば、配線BLI<k>とセンスアンプユニットSAU<k>との接続に使用されるコンタクトプラグCP1aは、kが0から15へと大きい整数になるにしたがって第2方向D2の方向に向かうように並ぶ。なお、図11を参照して詳細に説明したレイアウトは一例に過ぎず、センスアンプモジュール12では、図11に図示したレイアウトと必ずしも一致するレイアウトになっていなくてもよい。例えば、上述した配線BLI<0>〜BLI<15>、配線rBLI<0>〜rBLI<14>、バスDBUS0−1〜DBUS3−1、および、配線ML0〜ML3についての端面の位置および延びる領域等も例示に過ぎず、上述したものに限定されるものではない。さらに、上記では、配線ML0、ML1、ML2、およびML3が金属配線層L0に設けられるものとして説明したが、配線ML0、ML1、ML2、およびML3が他の層に設けられるようにしてもよい。
図12は、第1実施形態に係る半導体記憶装置1における金属配線層L0およびL1中の配線の幅を比較するための図である。
図12では、センスアンプモジュール12が位置する領域における金属配線層L0およびL1中の配線の幅と、データレジスタ13が位置する領域における金属配線層L0およびL1中の配線の幅とが示されている。図示されているように、センスアンプモジュール12が位置する領域では、金属配線層L0中の配線の幅は金属配線層L1中の配線の幅より広い。このため、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、金属配線層L0において、上述した配線ML0〜ML3を、バスDBUS0−1〜DBUS3−1と一体となってクランク形状となるように設けることが可能である。一方、データレジスタ13が位置する領域では、金属配線層L0中の配線の幅は金属配線層L1中の配線の幅より狭い。
図13、図14、および図15は、図8に示した第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>ならびにバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3のレイアウトの他の例を示す図である。
図11に示したレイアウトの例において、いくつかの配線がシールド配線として使用されることが可能である。シールド配線として機能する配線は、例えば電圧生成回路23によって電圧を固定される。例えば、図11に図示した配線rBLI<1>に隣り合う配線rBLI<0>およびrBLI<2>は、図13に図示するように、配線rBLI<1>に対するシールド配線sBLI<0>およびsBLI<2>として使用されることが可能である。
図13では、バスDBUS0に含まれる配線rBLI<1>に対してシールド配線を設ける場合の例を示したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、データが転送される配線である配線rBLI<1>、rBLI<5>、rBLI<9>、およびrBLI<13>の1つまたは複数に対して、このようにシールド配線を設けるようにしてもよい。例えば、配線rBLI<1>と配線rBLI<5>との間、配線rBLI<5>と配線rBLI<9>との間、および、配線rBLI<9>と配線rBLI<13>との間にそれぞれ、少なくとも1本のシールド配線が設けられるようにしてもよい。或る配線rBLIに対するシールド配線を設ける際には、その配線に隣り合う2本の配線のうち一方のみをシールド配線として使用するようにしてもよい。さらに、シールド配線として使用される配線は、このような隣り合う配線に限定されるものではない。
図14に示すレイアウトの例は、図11に示したレイアウトの例において、配線rBLI<0>〜rBLI<2>を複数の配線ML4を用いて並列接続したものに相当する。
配線ML4は、例えば金属配線層L2において、第1方向D1に沿って間隔を有して並ぶように複数設けられ、配線ML4の各々は、例えば、第2方向D2に沿って、配線rBLI<0>の上方の領域から配線rBLI<2>の上方の領域まで延びる。配線ML4の各々は、コンタクトプラグCP2aを介して配線rBLI<0>〜rBLI<2>に接続される。なお、図14では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP2aは図示していない。
図14では、バスDBUS0に含まれる配線rBLI<1>が、隣り合う配線rBLIと並列接続される場合の例を示したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、配線rBLI<1>、rBLI<5>、rBLI<9>、およびrBLI<13>の1つまたは複数がこのように、隣り合う配線rBLIと並列接続されるようにしてもよい。このように互いに並列接続される配線rBLIの本数は、図14に図示した3本である場合に限定されず、例えば2本や4本のような任意の本数であってもよい。
さらに、配線rBLI<1>、rBLI<5>、rBLI<9>、およびrBLI<13>の1つまたは複数について、図13を参照して説明したシールド配線と、図14を参照して説明した並列接続とを組み合わせて用いてもよい。
図15では、図11に図示した配線rBLI<2>を配線rBLI<1>に対するシールド配線sBLI<2>として使用し、配線rBLI<0>を配線rBLI<1>に並列接続させる場合の例が図示されている。配線rBLI<0>と配線rBLI<1>は、複数の配線ML5を用いて並列接続されている。複数の配線ML5の各々が、例えば、第2方向D2に沿って、配線rBLI<0>の上方の領域から配線rBLI<1>の上方の領域まで延びる点を除くと、複数の配線ML5は、図14を参照して説明した複数の配線ML4と同様である。
図16は、図7に示した第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置中のバスcDBUSおよび複数のラッチ回路XDLのレイアウトの一例を示す図である。
データレジスタが位置する領域において、16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>が、第1方向D1に沿ってラッチ回路XDL<0>、ラッチ回路XDL<1>、・・・、ラッチ回路XDL<15>の順で互いに隣り合うように順次設けられる。
図10に図示したバスcDBUSは、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過した後、図16に図示するように、金属配線層L1において、第1方向D1に沿って、少なくともラッチ回路XDL<0>の上方の領域からラッチ回路XDL<15>の上方の領域まで延びる。
バスcDBUSは、例えば、ラッチ回路XDL<0>とバスcDBUSが第3方向D3で重なる領域で、金属配線層L1中の配線と金属配線層L0中の配線とを接続するコンタクトプラグCP1c、金属配線層L0中の配線、および、金属配線層L0中の配線と半導体基板40とを接続するコンタクトプラグCP0dを介して、ラッチ回路XDL<0>に接続される。なお、図16では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP1c、金属配線層L0中の配線、およびコンタクトプラグCP0dを介した接続のうち、コンタクトプラグCP1cのみを図示している。同様に、バスcDBUSは、ラッチ回路XDL<1>〜XDL<15>の各々に接続される。
図17は、図8に示した第1実施形態に係る半導体記憶装置1中のバスDBUSおよび複数のラッチ回路XDLのレイアウトの一例を示す図である。
データレジスタ13が位置する領域において、16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>が、第1方向D1に沿ってラッチ回路XDL<0>、ラッチ回路XDL<1>、・・・、ラッチ回路XDL<15>の順で互いに隣り合うように順次設けられる。
図11に図示した配線rBLI<1>は、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過した後、図17に図示するように、金属配線層L1において、第1方向D1に沿って、少なくともラッチ回路XDL<0>の上方の領域からラッチ回路XDL<3>の上方の領域まで延びる。
図11に図示した配線rBLI<5>は、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過した後、図17に図示するように、金属配線層L1において、第1方向D1に沿って、少なくともラッチ回路XDL<0>の上方の領域からラッチ回路XDL<7>の上方の領域まで延びる。
図11に図示した配線rBLI<9>は、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過した後、図17に図示するように、金属配線層L1において、第1方向D1に沿って、少なくともラッチ回路XDL<0>の上方の領域からラッチ回路XDL<11>の上方の領域まで延びる。
図11に図示した配線rBLI<13>は、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過した後、図17に図示するように、金属配線層L1において、第1方向D1に沿って、少なくともラッチ回路XDL<0>の上方の領域からラッチ回路XDL<15>の上方の領域まで延びる。
配線rBLI<1>は、例えば、ラッチ回路XDL<0>と配線rBLI<1>が第3方向D3で重なる領域で、金属配線層L1中の配線と金属配線層L0中の配線とを接続するコンタクトプラグCP1d、金属配線層L0中の配線、および、金属配線層L0中の配線と半導体基板40とを接続するコンタクトプラグCP0eを介して、ラッチ回路XDL<0>に接続される。なお、図17では、簡潔にするため、コンタクトプラグCP1d、金属配線層L0中の配線、およびコンタクトプラグCP0eを介した接続のうち、コンタクトプラグCP1dのみを図示している。同様に、配線rBLI<1>は、ラッチ回路XDL<1>〜XDL<3>の各々に接続される。
同様に、配線rBLI<5>は、ラッチ回路XDL<4>〜XDL<7>に接続され、配線rBLI<9>は、ラッチ回路XDL<8>〜XDL<11>に接続され、配線rBLI<13>は、ラッチ回路XDL<12>〜XDL<15>に接続される。
[動作例]
次に、第1実施形態に係る半導体記憶装置1における、上述したバスDBUS0〜DBUS3を用いたデータ転送動作について詳細に説明する。以下では、図6に示したラッチ回路SDLとラッチ回路XDLとの間のデータ転送動作を例に挙げて詳細に説明するが、センスアンプユニットSAU中の他のラッチ回路とラッチ回路XDLとの間のデータ転送動作についても同様である。
次に、第1実施形態に係る半導体記憶装置1における、上述したバスDBUS0〜DBUS3を用いたデータ転送動作について詳細に説明する。以下では、図6に示したラッチ回路SDLとラッチ回路XDLとの間のデータ転送動作を例に挙げて詳細に説明するが、センスアンプユニットSAU中の他のラッチ回路とラッチ回路XDLとの間のデータ転送動作についても同様である。
図18は、図6に図示した回路構成図から、ラッチ回路SDLとラッチ回路XDLとの間のデータ転送動作に関連する回路構成を抜粋した回路構成図である。なお、図18では、図6においては省略していた例えばnチャネルMOSトランジスタであるトランジスタ13bが示されている。トランジスタ13bの第1端子は(図示していない)電圧源に接続され、トランジスタ13bの第2端子はバスDBUSに接続される。トランジスタ13bのゲートには制御信号DPCが印加される。
図18に図示するラッチ回路SDLはラッチ部SLUを含む。ラッチ部SLUは、図6に図示したノードLAT_SおよびINV_Sに接続されるインバータ12mおよび12nに対応している。図示されるように、ラッチ部SLUは、図6に図示したノードLAT_Sに対応する正転データ端子Sを有しており、図6に図示したノードINV_Sに対応する反転データ端子SNを有している。
図18に図示するラッチ回路XDLは、例えばnチャネルMOSトランジスタであるトランジスタ13aと、ラッチ部XLUとを含む。ラッチ部XLUは、例えばラッチ部SLUと同様に一方の入力と他方の出力とが接続された2つのインバータ回路を有しており、上記正転データ端子Sに対応する正転データ端子Xと、上記反転データ端子SNに対応する反転データ端子XNを有している。トランジスタ13aの第1端子はバスDBUSに接続され、トランジスタ13aの第2端子は反転データ端子XNに接続される。トランジスタ13aのゲートには制御信号XTIが印加される。
制御信号LPCがHレベルのとき、トランジスタ12qがオン状態となってバスLBUSがプリチャージされる。また、制御信号DPCがHレベルのとき、トランジスタ13bがオン状態となってバスDBUSがプリチャージされる。
制御信号STLがHレベルのとき、トランジスタ12pがオン状態となって、ラッチ回路SDLの正転データ端子SとバスLBUSとの間のデータ転送が可能となる。また、制御信号STIがHレベルのとき、トランジスタ12oがオン状態となって、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNとバスLBUSとの間のデータ転送が可能となる。
制御信号DSWがHレベルのとき、トランジスタ12rがオン状態となって、バスLBUSとバスDBUSとの間のデータ転送が可能となる。制御信号XTIがHレベルのとき、トランジスタ13aがオン状態となって、バスDBUSと反転データ端子XNとの間のデータ転送が可能となる。
以上で説明した制御信号DPCおよびXTIもまた、例えばシーケンサ21により生成される。
図19は、ラッチ回路XDLからラッチ回路SDLへのデータ転送動作における、種々の制御信号の電圧および種々の回路構成要素に印加される電圧の時間変化の一例を示すタイミングチャートである。ラッチ回路SDLへのデータの書き込みは、正転データ端子Sおよび反転データ端子SNのいずれにおいても行うことができる。例えば、正転データ端子Sにデータの書き込みを行う場合は、正転データ端子Sを予めHレベルに設定しておき、反転データ端子SNにデータの書き込みを行う場合は、反転データ端子SNを予めHレベルに設定しておく。図19では、反転データ端子SNへのデータの書き込みとして、Hレベルに対応するデータの転送の後にLレベルに対応するデータの転送が行われる場合の例が示されている。
先ず、Hレベルに対応するデータの転送動作について説明する。
時刻t1において制御信号DPCがHレベルにされることにより、バスDBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t2において制御信号XTIがHレベルにされることにより、ラッチ回路XDLの反転データ端子XNがHレベルであることに応じて、バスDBUSはHレベルを維持する。
一方、時刻t1において制御信号LPCがHレベルにされることにより、バスLBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t2において制御信号DSWがHレベルにされることにより、バスDBUSがHレベルであることに応じて、バスLBUSはHレベルを維持する。
また、時刻t2において制御信号STIがHレベルにされることにより、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNは、バスLBUSがHレベルであることに応じて、予め設定されたHレベルを維持する。
次に、Lレベルに対応するデータの転送動作について説明する。
時刻t11において制御信号DPCがHレベルにされることにより、バスDBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t12において制御信号XTIがHレベルにされることにより、ラッチ回路XDLの反転データ端子XNがLレベルであることに応じて、バスDBUSはHレベルからLレベルに変化する。
一方、時刻t11において制御信号LPCがHレベルにされることにより、バスLBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t12において制御信号DSWがHレベルにされることにより、上述した制御信号XTIの制御によりデータ転送されるバスDBUSがLレベルであることに応じて、バスLBUSはHレベルからLレベルに変化する。
また、時刻t12において制御信号STIがHレベルにされることにより、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNは、バスLBUSがLレベルであることに応じて、予め設定されたHレベルからLレベルに変化する。
このように制御信号DPC、XTI、LPC、DSW、およびSTIの電圧を制御することにより、ラッチ回路XDLの反転データ端子XNに保持されるデータが、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNに転送される。
図20は、ラッチ回路SDLからラッチ回路XDLへのデータ転送動作における、種々の制御信号の電圧および種々の回路構成要素に印加される電圧の時間変化の一例を示すタイミングチャートである。ラッチ回路XDLへのデータの書き込みは、正転データ端子Xおよび反転データ端子XNのいずれにおいても行うことができる。例えば、正転データ端子Xにデータの書き込みを行う場合は、正転データ端子Xを予めHレベルに設定しておき、反転データ端子XNにデータの書き込みを行う場合は、反転データ端子XNを予めHレベルに設定しておく。図20では、反転データ端子XNへのデータの書き込みとして、Hレベルに対応するデータの転送の後にLレベルに対応するデータの転送が行われる場合の例が示されている。また、ここでは、ラッチ回路SDLに保持されるデータが反転データ端子SNから出力される場合の例が示されている。
先ず、Hレベルに対応するデータの転送動作について説明する。
時刻t21において制御信号LPCがHレベルにされることにより、バスLBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t22において制御信号STIがHレベルにされることにより、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNがHレベルであることに応じて、バスLBUSはHレベルを維持する。
次に、時刻t23において制御信号DPCがHレベルにされることにより、バスDBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t24において制御信号DSWがHレベルにされることにより、バスLBUSがHレベルであることに応じて、バスDBUSはHレベルを維持する。
また、時刻t24において制御信号XTIがHレベルにされることにより、ラッチ回路XDLの反転データ端子XNは、バスDBUSがHレベルであることに応じて、予め設定されたHレベルを維持する。
次に、Lレベルに対応するデータの転送動作について説明する。
時刻t31において制御信号LPCがHレベルにされることにより、バスLBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t32において制御信号STIがHレベルにされることにより、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNがLレベルであることに応じて、バスLBUSは、HレベルからLレベルに変化する。
次に、時刻t33において制御信号DPCがHレベルにされることにより、バスDBUSがプリチャージされてHレベルになる。その後、時刻t34において制御信号DSWがHレベルにされることにより、バスLBUSがLレベルであることに応じて、バスDBUSは、HレベルからLレベルに変化する。
また、時刻t34において制御信号XTIがHレベルにされることにより、ラッチ回路XDLの反転データ端子XNは、バスDBUSがLレベルであることに応じて、予め設定されたHレベルからLレベルに変化する。
このように制御信号LPC、STI、DPC、DSW、およびXTIの電圧を制御することにより、ラッチ回路SDLの反転データ端子SNに保持されるデータが、ラッチ回路XDLの反転データ端子XNに転送される。
図21は、図7に示した第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図である。当該波形図は、例えば上記半導体記憶装置を含むチップの消費電流を計測することによって得られる。なお、16個のラッチ回路XDLから16個のセンスアンプユニットSAUへのデータ転送動作についても同様の波形図を得ることができる。図22から図24についても同様である。
図7に示したように、第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置では、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々は、ラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスcDBUSを介して接続される。このため、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々から16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>のうち対応するラッチ回路XDLへのデータ転送動作が行われる場合には、各センスアンプユニットSAUからのデータ転送動作が互いに時間をずらして実行される。すなわち、センスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が16回順次実行される。図21に示す波形図では16個のピークが存在しており、各ピークが、各センスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。
図22は、図8に示した第1実施形態に係る半導体記憶装置1中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図である。当該波形図は、例えば半導体記憶装置1を含むチップの消費電流を計測することによって得られる。なお、図22に示す電流波形図では、縦軸のスケーリングは図21に示した電流波形図と必ずしも一致するものではない。
図8に示したように、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、4個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>の各々は、4個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<3>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスDBUS0を介して接続される。4個のセンスアンプユニットSAU<4>〜SAU<7>の各々は、4個のラッチ回路XDL<4>〜XDL<7>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスDBUS1を介して接続される。4個のセンスアンプユニットSAU<8>〜SAU<11>の各々は、4個のラッチ回路XDL<8>〜XDL<11>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスDBUS2を介して接続される。4個のセンスアンプユニットSAU<12>〜SAU<15>の各々は、4個のラッチ回路XDL<12>〜XDL<15>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスDBUS3を介して接続される。
このため、バスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3の各々について、当該バスに接続される4個のセンスアンプユニットSAUの各々から対応するラッチ回路XDLへのデータ転送動作が行われる場合には、各センスアンプユニットSAUからのデータ転送動作が互いに時間をずらして実行される。すなわち、バスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3の各々について、センスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が4回順次実行される。
図22に示す波形図では、4個のピークが存在している。例えば、4個のピークのうち1個目のピークが、バスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3の各々を介した最初のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。4個のピークのうち2個目のピークが、バスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3の各々を介した2番目のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。4個のピークのうち3個目のピークが、バスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3の各々を介した3番目のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。4個のピークのうち4個目のピークが、バスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3の各々を介した4番目のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。
[効果]
上記第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置では、図10および図16を参照して説明したように、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>が1つのバスcDBUSに共通に接続され、当該1つのバスcDBUSに、センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>が共通に接続される。すなわち、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々は、対応するラッチ回路XDLに同一のバスcDBUSを介して接続される。一般的に、半導体記憶装置の微細化を進める場合、このように、より多くのセンスアンプユニットSAUおよびラッチ回路XDLが同一のバスを介して接続される構成となることがある。当該バスは例えばデータ転送経路として利用されるものであり、より多くのセンスアンプユニットSAUおよびラッチ回路XDLがデータ転送経路を共有することになる。
上記第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置では、図10および図16を参照して説明したように、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>が1つのバスcDBUSに共通に接続され、当該1つのバスcDBUSに、センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>が共通に接続される。すなわち、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々は、対応するラッチ回路XDLに同一のバスcDBUSを介して接続される。一般的に、半導体記憶装置の微細化を進める場合、このように、より多くのセンスアンプユニットSAUおよびラッチ回路XDLが同一のバスを介して接続される構成となることがある。当該バスは例えばデータ転送経路として利用されるものであり、より多くのセンスアンプユニットSAUおよびラッチ回路XDLがデータ転送経路を共有することになる。
したがって、上記比較例に係る半導体記憶装置では、例えば16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々から16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>のうち対応するラッチ回路XDLへのデータ転送動作が行われる場合には、図21を参照して説明したように、各センスアンプユニットSAUからのデータ転送動作が互いに時間をずらして実行される。すなわち、センスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が16回順次実行される。このようなデータ転送動作では、最初のセンスアンプユニットSAUがデータ転送を開始してから最後のセンスアンプユニットSAUがデータ転送を完了するまでの時間は、同一のバスをデータ転送経路として利用するセンスアンプユニットSAUの数が大きくなるにつれて長くなる。
一方、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、16個より少ない例えば4個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>が1つのバスDBUS0に共通に接続され、当該1つのバスDBUS0に、センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>の各々に1対1で対応する4個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<3>が共通に接続される。すなわち、4個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<3>の各々は、対応するラッチ回路XDLに同一のバスDBUS0を介して接続される。同様に、4個のセンスアンプユニットSAU<4>〜SAU<7>の各々は、対応するラッチ回路XDLに同一のバスDBUS1を介して接続される。同様に、4個のセンスアンプユニットSAU<8>〜SAU<11>の各々は、対応するラッチ回路XDLに同一のバスDBUS2を介して接続される。同様に、4個のセンスアンプユニットSAU<12>〜SAU<15>の各々は、対応するラッチ回路XDLに同一のバスDBUS3を介して接続される。
このように、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、同一のバスをデータ転送経路として利用するセンスアンプユニットSAUの数は、上記第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置よりも少ない。そして、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>と16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>との間のデータ転送が4本のバスDBUS0〜DBUS3によって並行して実行されることが可能である。すなわち、バスDBUS0〜DBUS3の各々について、センスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が4回順次実行される。これは、上記第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置と比較すると、データ転送動作が4倍高速化されることを意味する。したがって、第1実施形態に係る半導体記憶装置1によれば、センスアンプモジュール12とデータレジスタ13との間のデータ転送動作を高速化することが可能となる。
さらに、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、図14を参照して説明したように、例えばバスDBUS0に対応する配線rBLI<1>は、配線ML4を設けることにより、隣り合う配線rBLIと並列接続されることが可能である。このような並列接続により、バスDBUS0の抵抗値を低減させることが可能である。このようにバスDBUS0〜DBUS3の抵抗値を低減させることにより、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、上記データ転送動作をさらに高速化することが可能となる。
また、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、例えばLBUSに接続される論理演算回路により、上記データ転送経路としてのバスを介した演算が行われる場合に、LBUSを介した演算回路とのデータ転送の速度を、第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置より高速化することも可能となる。
ここで、上記第1実施形態の比較例に係る半導体記憶装置におけるバスcDBUSは、図10を参照して説明したように、センスアンプモジュールが位置する領域においては金属配線層L0中に設けられる。一方、第1実施形態に係る半導体記憶装置1におけるバスDBUS0〜DBUS3は、図11を参照して説明したように、センスアンプモジュール12が位置する領域において、金属配線層L0に加えて金属配線層L1中にも設けられる。例えば、バスDBUS0は、図11に図示した金属配線層L0中のバスDBUS0−1および配線ML0、ならびに金属配線層L1中の配線rBLI<1>に対応している。同様に、バスDBUS1は、図11に図示した金属配線層L0中のバスDBUS1−1および配線ML1、ならびに金属配線層L1中の配線rBLI<5>に対応している。同様に、バスDBUS2は、図11に図示した金属配線層L0中のバスDBUS2−1および配線ML2、ならびに金属配線層L1中の配線rBLI<9>に対応している。同様に、バスDBUS3は、図11に図示した金属配線層L0中のバスDBUS3−1および配線ML3、ならびに金属配線層L1中の配線rBLI<13>に対応している。
図11を参照して説明したように、配線rBLI<1>、rBLI<5>、rBLI<9>、およびrBLI<13>は、例えば、金属配線層L1中の配線を分断することにより形成可能である。このような配線rBLI<1>、rBLI<5>、rBLI<9>、およびrBLI<13>の形成は、例えば、図11を参照して説明したように金属配線層L1中の配線を1本ずつではなく複数一度に分断することによっても実現可能である。一方、バスDBUS0−1、DBUS1−1、DBUS2−1、およびDBUS3−1は、例えば、金属配線層L0中の配線を分断することにより形成可能である。さらに、配線ML0は、例えば、金属配線層L0中でバスDBUS0−1と一体となってクランク形状となるように形成可能である。同様に、配線ML1はバスDBUS1−1と一体となってクランク形状となるように形成可能であり、配線ML2はバスDBUS2−1と一体となってクランク形状となるように形成可能であり、配線ML3はバスDBUS3−1と一体となってクランク形状となるように形成可能である。このような金属配線層L0中での配線ML0、ML1、ML2、およびML3の形成は、図12を参照して説明したように、センスアンプモジュール12が位置する領域において、金属配線層L0中の配線の幅が金属配線層L1中の配線の幅より広いことにより可能となる。
このように形成される配線およびバスを利用することにより、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、上述したバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3を設けることが可能である。このように、第1実施形態に係る半導体記憶装置1では、例えば半導体記憶装置の微細化を進める場合に生じる各配線層の制約を緩和することが可能となる。
[変形例]
上記では、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>と、当該センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>との間の接続関係について詳細に説明した。しかしながら、本実施形態に係る半導体記憶装置1におけるセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>とラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>との間の接続関係は上述したものに限定されるものではない。
上記では、16個のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>と、当該センスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>の各々に1対1で対応する16個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>との間の接続関係について詳細に説明した。しかしながら、本実施形態に係る半導体記憶装置1におけるセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>とラッチ回路XDL<0>〜XDL<15>との間の接続関係は上述したものに限定されるものではない。
以下では、第1実施形態の第1変形例および第2変形例に係る半導体記憶装置1中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図を示す。なお、以下に示す電流波形図では、縦軸のスケーリングは、図21または図22に示した電流波形図と必ずしも一致するものではない。
さらに、以下では、第1実施形態の第3変形例に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>ならびにバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3のレイアウトの一例を示す。
(1)第1変形例
図23は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体記憶装置1中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図である。
図23は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体記憶装置1中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図である。
第1変形例では、例えば、8個のセンスアンプユニットSAU<0>〜<7>の各々は、8個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<7>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスmDBUS0を介して接続される。8個のセンスアンプユニットSAU<8>〜SAU<15>の各々は、8個のラッチ回路XDL<8>〜XDL<15>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスmDBUS1を介して接続される。
このため、バスmDBUS0およびmDBUS1の各々について、当該バスに接続される8個のセンスアンプユニットSAUの各々から対応するラッチ回路XDLへのデータ転送動作が行われる場合には、各センスアンプユニットSAUからのデータ転送動作が互いに時間をずらして実行される。すなわち、バスmDBUS0およびmDBUS1の各々について、センスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が8回順次実行される。
図23に示す波形図では、8個のピークが存在している。例えば、8個のピークのうち1個目のピークが、バスmDBUS0およびmDBUS1の各々を介した最初のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。8個のピークのうち2個目のピークが、バスmDBUS0およびmDBUS1の各々を介した2番目のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。以下、同様である。
(2)第2変形例
図24は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体記憶装置中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図である。
図24は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体記憶装置中の16個のセンスアンプユニットSAUから16個のラッチ回路XDLへのデータ転送動作の一例を示す電流波形図である。
第2変形例では、例えば、6個のセンスアンプユニットSAU<0>〜<5>の各々は、6個のラッチ回路XDL<0>〜XDL<5>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスmDBUS2を介して接続される。5個のセンスアンプユニットSAU<6>〜SAU<10>の各々は、5個のラッチ回路XDL<6>〜XDL<10>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスmDBUS3を介して接続される。5個のセンスアンプユニットSAU<11>〜SAU<15>の各々は、5個のラッチ回路XDL<11>〜XDL<15>のうち対応するラッチ回路XDLに、同一のバスmDBUS4を介して接続される。
このため、バスmDBUS2、mDBUS3、およびmDBUS4の各々について、当該バスに接続される複数のセンスアンプユニットSAUの各々から対応するラッチ回路XDLへのデータ転送動作が行われる場合には、各センスアンプユニットSAUからのデータ転送動作が互いに時間をずらして実行される。すなわち、バスmDBUS2についてはセンスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が6回順次実行され、バスmDBUS3およびmDBUS4の各々については、センスアンプユニットSAU毎のデータ転送動作が5回順次実行される。
図24に示す波形図では、6個のピークが存在している。6個目のピークの大きさは、1個目から5個目のピークの大きさの約三分の一の大きさである。例えば、1個目のピークが、バスmDBUS2、mDBUS3、およびmDBUS4の各々を介した最初のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。2個目のピークが、バスmDBUS2、mDBUS3、およびmDBUS4の各々を介した2番目のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。以下、5個目のピークまでは同様である。6個目のピークは、バスmDBUS2を介した6番目のセンスアンプユニットSAUからのデータ転送に対応している。
(3)第3変形例
図25は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>ならびにバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3のレイアウトの一例を示す図である。以下では、図11に図示したレイアウトと相違する点を中心に説明する。
図25は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体記憶装置1中のセンスアンプユニットSAU<0>〜SAU<15>ならびにバスDBUS0、DBUS1、DBUS2、およびDBUS3のレイアウトの一例を示す図である。以下では、図11に図示したレイアウトと相違する点を中心に説明する。
図25の例は、図11に図示した配線BLI<11>〜BLI<15>および配線rBLI<11>〜rBLI<14>の代わりに配線mBLI<11>〜mBLI<15>が設けられ、図11に図示したバスDBUS3−1の代わりにバスmDBUS3−1が設けられ、図11に図示した配線ML3が設けられていない点を除くと、図11の例と同様である。ここで、配線mBLI<k>はセンスアンプユニットSAU<k>に対応し、kは11から15の整数のいずれかである。
配線mBLI<11>〜mBLI<15>の各々は、金属配線層L1において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくともセンスアンプユニットSAU<0>の上方の領域からセンスアンプユニットSAU<15>の上方の領域まで延びる点を除くと、図11を参照して説明した配線BLI<11>〜BLI<15>の各々と同様である。
バスmDBUS3−1は、金属配線層L0において、例えば、第1方向D1に沿って、少なくとも、センスアンプユニットSAU<12>の上方の領域から、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過して延びる点を除くと、図11を参照して説明したバスDBUS3−1と同様である。
配線mBLI<11>〜mBLI<15>の各々は、図11を参照して配線BLI<11>〜BLI<15>について説明したのと同様に、センスアンプユニットSAU<11>〜SAU<15>のうち対応するセンスアンプユニットSAUに接続される。
図11を参照して説明したのと同様に、センスアンプユニットSAU<11>はバスDBUS2−1に接続され、バスDBUS2−1は配線ML2を介して配線rBLI<9>に接続される。
センスアンプユニットSAU<12>〜SAU<15>の各々は、図11を参照して説明したバスDBUS3−1への接続と同様に、バスmDBUS3−1に接続される。バスmDBUS3−1は、図8に示したDBUS3に対応する。
バスmDBUS3−1は、図16を参照して説明したバスcDBUSと同様に、センスアンプユニットSAU<15>の上方の領域を経過した後、金属配線層L1において、第1方向D1に沿って、少なくともラッチ回路XDL<0>の上方の領域からラッチ回路XDL<15>の上方の領域まで延びる。バスmDBUS3−1は、図16を参照してバスcDBUSについて説明したのと同様に、ラッチ回路XDL<12>〜XDL<15>の各々に接続される。
上記では、図11に図示した配線BLI<11>〜BLI<15>および配線rBLI<11>〜rBLI<14>の代わりに配線mBLI<11>〜mBLI<15>が設けられる場合について説明した。しかしながら、配線mBLI<11>〜mBLI<15>が設けられずに配線BLI<11>〜BLI<15>および配線rBLI<11>〜rBLI<14>が設けられていてもよい。この場合、配線BLI<11>〜BLI<15>の各々は、図11を参照して説明したのと同様に、センスアンプユニットSAU<11>〜SAU<15>のうち対応するセンスアンプユニットSAUに接続される。
<他の実施形態>
本明細書において“接続”とは、電気的な接続のことを示しており、例えば間に別の素子を介することを除外しない。
本明細書において“接続”とは、電気的な接続のことを示しており、例えば間に別の素子を介することを除外しない。
また、本明細書において用いた例えば“センスアンプモジュール”、“センスアンプユニット”、“センスアンプ回路”、および“データレジスタ”等の名称およびこれらに含まれるとして説明した構成要素の組み合わせは、実施形態を説明するための便宜的なものに過ぎない。
上記ではいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態およびその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…半導体記憶装置、11…メモリセルアレイ、12…センスアンプモジュール、13…データレジスタ、14…カラムデコーダ、15…ロウデコーダ、16…入出力回路、17…ステータスレジスタ、18…アドレスレジスタ、19…コマンドレジスタ、20…ロジック制御回路、21…シーケンサ、22…レディ/ビジー制御回路、23…電圧生成回路、3…メモリコントローラ、31…ホストインタフェースユニット、32…CPU、33…RAM、34…ROM、35…メモリインタフェースユニット、4…メモリシステム、5…ホスト装置、BLK…ブロック、SU…ストリングユニット、NS…NANDストリング、CU…セルユニット、BL…ビット線、WL…ワード線、SGD,SGS…セレクトゲート線、SL…ソース線、MT…メモリセルトランジスタ、ST…選択トランジスタ、40…半導体基板、41,42,49,LI…導電体、43…メモリピラー、44…半導体、45…トンネル絶縁層、46…電荷蓄積層、47…ブロック絶縁層、48…コンタクトプラグ、SAU…センスアンプユニット、SAC…センスアンプ回路、121…プリチャージ回路、122…バススイッチ、12a〜12j,12o〜12r,13a,13b…nチャネルMOSトランジスタ、12k…pチャネルMOSトランジスタ、12l…キャパシタ素子、12m,12n…インバータ、SCOM,INV_S,SEN,LAT_S…ノード、SDL,UDL,LDL,XDL…ラッチ回路、SLU,XLU…ラッチ部、S,X…正転データ端子、SN,XN…反転データ端子、BLI、cBLI,rBLI,mBLI,ML0,ML1,ML2,ML3,ML4,ML5…配線、sBLI…シールド配線、LBUS,DBUS,cDBUS,DBUS0,DBUS1,DBUS2,DBUS3,DBUS0−1,DBUS1−1,DBUS2−1,DBUS3−1,mDBUS3−1…バス、cel…メモリセル部、Tr…トランジスタ、S/D…ソース領域またはドレイン領域、G…ゲート電極、L0,L1,L2…金属配線層、CP0,CP1,CP1a,CP1c,CP1d,CP2…コンタクトプラグ、Cut0,Cut1,Cut2,Cut3…領域
Claims (18)
- 第1メモリセルと、
前記第1メモリセルに接続され、第1配線層中で第1方向に延びる第1配線と、
前記第1配線に接続される第1センスアンプと、
前記第1センスアンプに接続され、前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第2配線と、
前記第2配線に接続される第1ラッチ回路と
を備え、
前記第1配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第2配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向する、
半導体記憶装置。 - 前記第1センスアンプと前記第2配線とに接続される、前記第1配線層とは積層方向において異なる位置にある第2配線層中の第3配線をさらに備える、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第3配線は、前記第1方向に延び、
前記半導体記憶装置は、前記第3配線と前記第2配線とに接続される、前記第2配線層中で前記第1方向と交わる第2方向に延びる第4配線をさらに備える、
請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第3配線の幅は、前記第1配線の幅より広い、請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1配線の幅と前記第2配線の幅は同一の広さである、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2配線に対するシールド配線をさらに備える、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2配線に並列接続される配線をさらに備える、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2配線に対するシールド配線をさらに備える、請求項7に記載の半導体記憶装置。
- 第2メモリセルと、
前記第2メモリセルに接続され、前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第5配線と、
前記第5配線に接続される第2センスアンプと、
前記第2センスアンプに、前記第2配線を介して接続される第2ラッチ回路とをさらに備える、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1センスアンプおよび前記第2センスアンプと前記第2配線とに接続される、前記第1配線層とは積層方向において異なる位置にある第2配線層中の第3配線をさらに備える、請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 前記第5配線のうち前記第1方向に向く側の端面と、前記第1配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第1方向において同一の位置にある、
請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第6配線をさらに備え、
前記第5配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第6配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向し、
前記第6配線はシールド配線である、
請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記第6配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と、前記第2配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面は、前記第1方向において同一の位置にある、
請求項12に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第6配線をさらに備え、
前記第5配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第6配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向し、
前記第2配線と前記第6配線は並列接続される、
請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記第6配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と、前記第2配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面は、前記第1方向において同一の位置にある、
請求項14に記載の半導体記憶装置。 - 第3メモリセルと、
前記第3メモリセルに接続され、前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第7配線と、
前記第7配線に接続される第3センスアンプと、
前記第3センスアンプに、前記第2配線を介して接続される第3ラッチ回路と、
前記第1配線層中で前記第1方向に延びる第8配線とをさらに備え、
前記第7配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第8配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向し、
前記第8配線はシールド配線である、
請求項14に記載の半導体記憶装置。 - 第4センスアンプと、
前記第4センスアンプに接続される、前記第2配線層中で前記第1方向に延びる第9配線と、
前記第9配線に接続される第4ラッチ回路とをさらに備え、
前記第3配線は、前記第1方向に延び、
前記第3配線のうち前記第1方向に向く側の端面は、前記第9配線のうち前記第1方向と反対方向に向く側の端面と対向する、
請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 第5センスアンプと、
前記第5センスアンプに接続される、前記第2配線層中で前記第1方向に延びる第10配線と、
前記第10配線に、前記第2配線層中で前記第2方向に延びる配線を介さずに接続される第5ラッチ回路とをさらに備える、
請求項3に記載の半導体記憶装置。
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