JP2020129683A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 501
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 325
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 325
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 237
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 237
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 188
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 139
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 139
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 539
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 31
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 13
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 8
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 description 68
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000027 scanning ion microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
Description
LED等の半導体発光素子の小型化・大電流化に伴い、半導体発光素子を備える半導体発光装置等の半導体装置に要求される信頼性の要求レベルがますます高まってきている。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、並びに、工程および工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
[半導体装置]
まず、実施の形態1に係る半導体装置1の構成について図1を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体装置1の断面図である。
次に、実施の形態1に係る半導体装置1の製造方法について図面に基づいて説明する。
まず、図3A〜図3Bに示すフローにより、半導体素子10の半導体積層構造11を形成する。図3A〜図3Bは、半導体素子10の半導体積層構造11を形成するためのフローを示す図である。
次に、図4A〜図4Iに示すフローにより、半導体素子10の第1電極(第1p側電極12、第1n側電極13)を形成する。図4A〜図4Iは、半導体素子10の第1電極を形成するためのフローを示す図である。
次に、図5A〜図5Dに示すフローにより、半導体素子10に金属バンプ30を形成する。図5A〜図5Dは、半導体素子10に金属バンプ30を形成するためのフローを示す図である。
次に、図6A〜図6Bに示すフローにより、金属バンプ30を介して半導体素子10を実装基板20にフリップチップボンディングにより実装する。図6A〜図6Bは、金属バンプ30を介して半導体素子10を実装基板20に実装するフローを示す図である。
次に、実施の形態1に係る半導体装置1の効果の検証を行ったので、比較例の半導体装置100と比較しながら、以下、この検証結果について説明する。比較例の半導体装置100は、図29Bに示される半導体装置と同様の構成であり、金属バンプ130の硬度が高くなっている。
C=Rz/2+1−A*B*k・・・(式5)
次に、実施の形態2に係る半導体装置1Aについて、図18および図19を用いて説明する。図18は、実施の形態2に係る半導体装置1Aの断面図である。図19は、同半導体装置1Aの金属バンプ30Aの拡大断面図と、同金属バンプ30Aにおける結晶粒径の高さ位置依存性を示す図である。図19において、縦軸は、金属バンプ30Aの高さを示しており、横軸は、金属バンプ30Aの結晶粒径を示している。
次に、実施の形態3に係る半導体装置1Bについて、図24および図25を用いて説明する。図24は、実施の形態3に係る半導体装置1Bの断面図である。図25は、同半導体装置1Bの金属バンプ30Bの拡大断面図と、同金属バンプ30Bにおける結晶粒径の高さ位置依存性を示す図である。図25において、縦軸は、金属バンプ30Bの高さを示しており、横軸は、金属バンプ30Bの結晶粒径を示している。
以上、本開示に係る半導体装置について、実施の形態1〜3に基づいて説明したが、本開示は、上記の各実施の形態に限定されるものではない。
10 半導体素子
11 半導体積層構造
11a 基板
11b n型半導体層
11c 活性層
11d p型半導体層
12 第1p側電極
12a 反射電極
12b、13b バリア電極
12c、13c シード層
12d、13d カバー電極
12S シード膜
13 第1n側電極
13a オーミックコンタクト層
14 酸化膜
15、16、24 レジスト
16a、24a 開口部
20 実装基板
21 基板
22 第2p側電極
23 第2n側電極
30、30A、30B、30C 金属バンプ
30X、30Y、30Z 金めっき膜
30R、30AR、30BR 仮想バンプ
31、31A 第1の層
31a 遷移領域
32、32A 第2の層
33 第3の層
34 第4の層
35 第5の層
40 保持用金属管
50 金属ステージ
60 シェアセンサ
Claims (13)
- 実装基板と、
金からなる金属バンプを介して前記実装基板に配置された発光ダイオードチップとを備え、
前記発光ダイオードチップは、基板と、前記基板側から順に積層された第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層を有する半導体積層構造と、前記第2導電型半導体層に接して配置された第1電極とを有し、
前記実装基板は、セラミックからなる基板と第2電極とを有し、
前記金属バンプは、前記第1電極に接する第1の層と、前記第1電極とは反対側に位置する第2の層とを有し、
前記第1の層を構成する結晶の平均結晶粒径は、前記第2の層を構成する結晶の平均結晶粒径よりも大きく、
前記第2の層は、前記第1電極から離間している
半導体装置。 - 断面視で結晶方位の違いをコントラストの違いで表した場合に、前記第1の層における単一のコントラストを示す領域の占める割合が、前記第2の層における単一のコントラストを示す領域の占める割合よりも大きい
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の層の結晶が前記第2の層の結晶よりも水平方向に広がった形状である
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の層の水平方向の平均結晶粒径をr11、
前記第1の層の高さ方向の平均結晶粒径をr12、
前記第2の層の水平方向の平均結晶粒径をr21、
前記第2の層の高さ方向の平均結晶粒径をr22としたとき、
r11>r12、r21<r22、r12/r11<r22/r21の関係式を満たす
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の層と前記第2の層との界面の最大高さ粗さは、前記第2の層の平均結晶粒径以上である
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の層の平均結晶粒径は、前記界面の最大高さ粗さ以上である
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、前記金属バンプと接する金からなる表面層を含む少なくとも2層からなり、
前記表面層の厚さをA、
前記表面層の平均結晶粒径をB、
前記第1の層の厚さをC、
前記第1の層と前記第2の層との界面の最大高さ粗さをRzとしたとき、
C>Rz/2+1−A*B/8の関係式を満たす
請求項5または6に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子、前記実装基板および前記金属バンプにおける前記実装基板に対して垂直な方向の断面において、
前記金属バンプの断面積をSとし、前記金属バンプの高さをHとしたとき、
前記第1電極に接する前記第1の層と前記第1電極との接合部である第1の接合部の幅は、S/Hよりも長い
請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2の層は、前記S/Hよりも短い幅を有する
請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、前記第2導電型半導体層に接して配置され、前記活性層からの光を反射する金属膜を含む
請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の層は、少なくとも1μmの厚みがある
請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、Tiからなるバリア電極を含む積層構造で構成される
請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記セラミックは、AlNの焼結体である
請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018016712 | 2018-02-01 | ||
JP2018016712 | 2018-02-01 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019553995A Division JP6698231B2 (ja) | 2018-02-01 | 2018-12-20 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020211747A Division JP7122363B2 (ja) | 2018-02-01 | 2020-12-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020129683A true JP2020129683A (ja) | 2020-08-27 |
JP6814903B2 JP6814903B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=67478058
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019553995A Active JP6698231B2 (ja) | 2018-02-01 | 2018-12-20 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2020078211A Active JP6814903B2 (ja) | 2018-02-01 | 2020-04-27 | 半導体装置 |
JP2020211747A Active JP7122363B2 (ja) | 2018-02-01 | 2020-12-21 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019553995A Active JP6698231B2 (ja) | 2018-02-01 | 2018-12-20 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020211747A Active JP7122363B2 (ja) | 2018-02-01 | 2020-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11183615B2 (ja) |
JP (3) | JP6698231B2 (ja) |
CN (3) | CN113764565A (ja) |
WO (1) | WO2019150825A1 (ja) |
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-
2018
- 2018-12-20 CN CN202111018478.3A patent/CN113764565A/zh active Pending
- 2018-12-20 CN CN201880088260.5A patent/CN111670488B/zh active Active
- 2018-12-20 US US16/966,393 patent/US11183615B2/en active Active
- 2018-12-20 JP JP2019553995A patent/JP6698231B2/ja active Active
- 2018-12-20 CN CN202110861192.5A patent/CN113611785B/zh active Active
- 2018-12-20 WO PCT/JP2018/047041 patent/WO2019150825A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-04-27 JP JP2020078211A patent/JP6814903B2/ja active Active
- 2020-12-21 JP JP2020211747A patent/JP7122363B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-20 US US17/506,244 patent/US11417805B2/en active Active
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- 2022-07-08 US US17/860,776 patent/US11742461B2/en active Active
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JP7122363B2 (ja) | 2018-02-01 | 2022-08-19 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置 |
US11742461B2 (en) | 2018-02-01 | 2023-08-29 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7122363B2 (ja) | 2022-08-19 |
CN113764565A (zh) | 2021-12-07 |
US11742461B2 (en) | 2023-08-29 |
JPWO2019150825A1 (ja) | 2020-02-06 |
JP2021057608A (ja) | 2021-04-08 |
CN111670488A (zh) | 2020-09-15 |
JP6698231B2 (ja) | 2020-05-27 |
US11417805B2 (en) | 2022-08-16 |
US20200365771A1 (en) | 2020-11-19 |
CN113611785B (zh) | 2022-05-27 |
JP6814903B2 (ja) | 2021-01-20 |
US11183615B2 (en) | 2021-11-23 |
CN111670488B (zh) | 2021-08-17 |
CN113611785A (zh) | 2021-11-05 |
US20220052231A1 (en) | 2022-02-17 |
US20220344547A1 (en) | 2022-10-27 |
WO2019150825A1 (ja) | 2019-08-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200427 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200427 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200722 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |