|
CN1053146A
(zh)
|
1991-02-04 |
1991-07-17 |
中国科学院西安光学精密机械研究所 |
砷化镓衬底上的混合并质外延
|
|
JP3326704B2
(ja)
*
|
1993-09-28 |
2002-09-24 |
富士通株式会社 |
Ｉｉｉ／ｖ系化合物半導体装置の製造方法
|
|
JP3761935B2
(ja)
*
|
1994-09-19 |
2006-03-29 |
株式会社東芝 |
化合物半導体装置
|
|
US5740192A
(en)
*
|
1994-12-19 |
1998-04-14 |
Kabushiki Kaisha Toshiba |
Semiconductor laser
|
|
US5585648A
(en)
*
|
1995-02-03 |
1996-12-17 |
Tischler; Michael A. |
High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
|
|
US5656538A
(en)
*
|
1995-03-24 |
1997-08-12 |
The Board Of Trustees Of The University Of Illinois |
Halide dopant process for producing semi-insulating group III-V regions for semiconductor devices
|
|
JP3688843B2
(ja)
*
|
1996-09-06 |
2005-08-31 |
株式会社東芝 |
窒化物系半導体素子の製造方法
|
|
JP4018177B2
(ja)
*
|
1996-09-06 |
2007-12-05 |
株式会社東芝 |
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
|
|
US6232138B1
(en)
*
|
1997-12-01 |
2001-05-15 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Relaxed InxGa(1-x)as buffers
|
|
JP3728093B2
(ja)
*
|
1998-03-31 |
2005-12-21 |
京セラ株式会社 |
半導体装置
|
|
US20010042503A1
(en)
|
1999-02-10 |
2001-11-22 |
Lo Yu-Hwa |
Method for design of epitaxial layer and substrate structures for high-quality epitaxial growth on lattice-mismatched substrates
|
|
JP3809464B2
(ja)
*
|
1999-12-14 |
2006-08-16 |
独立行政法人理化学研究所 |
半導体層の形成方法
|
|
DE10196596B4
(de)
*
|
2000-09-08 |
2009-03-05 |
Showa Denko K.K. |
Verfahren zur Herstellung einer Kristallschicht in einer Verbindungshalbleiter-Mehrschichtsstruktur
|
|
US6697412B2
(en)
|
2001-04-13 |
2004-02-24 |
Triquint Semiconductor, Inc. |
Long wavelength laser diodes on metamorphic buffer modified gallium arsenide wafers
|
|
JP4054631B2
(ja)
*
|
2001-09-13 |
2008-02-27 |
シャープ株式会社 |
半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置
|
|
JP3854560B2
(ja)
*
|
2002-09-19 |
2006-12-06 |
富士通株式会社 |
量子光半導体装置
|
|
JP2004200671A
(ja)
*
|
2002-12-03 |
2004-07-15 |
Nec Corp |
量子井戸構造を有する半導体光素子およびその製造方法
|
|
CN100364192C
(zh)
*
|
2003-04-28 |
2008-01-23 |
松下电器产业株式会社 |
半导体发光元件及其制造方法
|
|
JP2006019713A
(ja)
*
|
2004-06-03 |
2006-01-19 |
Showa Denko Kk |
Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびそれを用いたｌｅｄ
|
|
JP4916434B2
(ja)
*
|
2005-03-16 |
2012-04-11 |
パナソニック株式会社 |
窒化物半導体装置及びその製造方法
|
|
JP4187175B2
(ja)
*
|
2006-03-13 |
2008-11-26 |
国立大学法人東北大学 |
窒化ガリウム系材料の製造方法
|
|
JP2008091789A
(ja)
*
|
2006-10-04 |
2008-04-17 |
Hitachi Cable Ltd |
発光ダイオード
|
|
CN101689586B
(zh)
*
|
2007-06-15 |
2012-09-26 |
罗姆股份有限公司 |
氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法
|
|
JP2009152448A
(ja)
*
|
2007-12-21 |
2009-07-09 |
Dowa Electronics Materials Co Ltd |
窒化物半導体素子およびその製造方法
|
|
US8299480B2
(en)
*
|
2008-03-10 |
2012-10-30 |
Kabushiki Kaisha Toshiba |
Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same, and epitaxial wafer
|
|
JPWO2009118979A1
(ja)
*
|
2008-03-28 |
2011-07-21 |
パナソニック株式会社 |
窒化物半導体発光装置
|
|
JP5040004B2
(ja)
*
|
2008-06-23 |
2012-10-03 |
スタンレー電気株式会社 |
成膜装置および半導体素子の製造方法
|
|
JP5453780B2
(ja)
*
|
2008-11-20 |
2014-03-26 |
三菱化学株式会社 |
窒化物半導体
|
|
JP5394717B2
(ja)
*
|
2008-12-15 |
2014-01-22 |
日本オクラロ株式会社 |
窒化物半導体光素子の製造方法
|
|
JP2010251458A
(ja)
*
|
2009-04-14 |
2010-11-04 |
Sony Corp |
半導体層およびその製造方法ならびに半導体レーザおよびその製造方法
|
|
US8293628B2
(en)
*
|
2009-05-28 |
2012-10-23 |
Technion Research & Development Foundation Ltd. |
Strain-controlled atomic layer epitaxy, quantum wells and superlattices prepared thereby and uses thereof
|
|
WO2012016377A1
(en)
*
|
2010-08-03 |
2012-02-09 |
Industrial Technology Research Institute |
Light emitting diode chip, light emitting diode package structure, and method for forming the same
|
|
JP2012038973A
(ja)
*
|
2010-08-09 |
2012-02-23 |
Siltronic Ag |
シリコンウエハ及びその製造方法
|
|
JP2012089651A
(ja)
*
|
2010-10-19 |
2012-05-10 |
Showa Denko Kk |
Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、多波長発光ｉｉｉ族窒化物半導体層及び多波長発光ｉｉｉ族窒化物半導体層の形成方法
|
|
JP5568486B2
(ja)
*
|
2011-01-05 |
2014-08-06 |
富士フイルム株式会社 |
放射線撮影用電子カセッテ
|
|
WO2012140844A1
(ja)
*
|
2011-04-12 |
2012-10-18 |
パナソニック株式会社 |
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
|
|
JP5624940B2
(ja)
*
|
2011-05-17 |
2014-11-12 |
古河電気工業株式会社 |
半導体素子及びその製造方法
|
|
JP5252042B2
(ja)
*
|
2011-07-21 |
2013-07-31 |
住友電気工業株式会社 |
Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子を作製する方法
|
|
TWI462334B
(zh)
*
|
2011-08-01 |
2014-11-21 |
Lextar Electronics Corp |
發光二極體結構與其製造方法
|
|
US9960315B2
(en)
*
|
2013-01-09 |
2018-05-01 |
Sensor Electronic Technology, Inc. |
Light emitting heterostructure with partially relaxed semiconductor layer
|
|
WO2014110195A1
(en)
*
|
2013-01-09 |
2014-07-17 |
Sensor Electronic Technology, Inc. |
Light emitting heterostructure with partially relaxed semiconductor layer
|
|
WO2015053341A1
(ja)
*
|
2013-10-09 |
2015-04-16 |
国立大学法人大阪大学 |
Ｉｉｉ族元素窒化物結晶の製造方法、ｉｉｉ族元素窒化物結晶、半導体装置、およびｉｉｉ族元素窒化物結晶製造装置
|
|
JP6175009B2
(ja)
*
|
2014-02-06 |
2017-08-02 |
住友化学株式会社 |
高耐圧窒化ガリウム系半導体デバイス及びその製造方法
|
|
KR20150104420A
(ko)
*
|
2014-03-05 |
2015-09-15 |
삼성전자주식회사 |
반도체 소자 및 그의 제조 방법
|
|
US9608103B2
(en)
|
2014-10-02 |
2017-03-28 |
Toshiba Corporation |
High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride
|
|
JP6589662B2
(ja)
*
|
2016-01-27 |
2019-10-16 |
住友電気工業株式会社 |
半導体積層体および受光素子
|
|
JP2017143139A
(ja)
*
|
2016-02-09 |
2017-08-17 |
株式会社東芝 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
CA3025350C
(en)
*
|
2016-05-26 |
2021-11-16 |
Robbie Jorgenson |
Group iiia nitride growth system and method
|
|
JP6819009B2
(ja)
*
|
2017-01-16 |
2021-01-27 |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 |
半導体基板の製造方法
|
|
CN106129197B
(zh)
*
|
2016-08-31 |
2019-04-09 |
中联西北工程设计研究院有限公司 |
一种垂直结构led紫光外延结构及其制备方法
|
|
US10665759B2
(en)
*
|
2016-09-27 |
2020-05-26 |
Lumileds Llc |
Reflective structure for light emitting devices
|
|
US10403794B2
(en)
|
2017-03-30 |
2019-09-03 |
Epistar Corporation |
Semiconductor device
|
|
EP3834224A1
(en)
*
|
2018-08-09 |
2021-06-16 |
Array Photonics, Inc. |
Hydrogen diffusion barrier for hybrid semiconductor growth
|
|
TWI803556B
(zh)
*
|
2018-12-28 |
2023-06-01 |
晶元光電股份有限公司 |
半導體疊層、半導體元件及其製造方法
|
|
US11688825B2
(en)
*
|
2019-01-31 |
2023-06-27 |
Industrial Technology Research Institute |
Composite substrate and light-emitting diode
|