JP2020100517A - 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)化合物半導体基板上にダイヤモンド粒子を含有する溶液を塗布し、その後、前記化合物半導体基板に熱処理を施すことによって、前記化合物半導体基板上に前記ダイヤモンド粒子を付着させる工程と、
前記ダイヤモンド粒子を核として、化学気相成長法により、前記化合物半導体基板上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層を成長させる工程と、
その後、前記化合物半導体基板を減厚して、化合物半導体層とする工程と、
を有し、前記多結晶ダイヤモンド層が、前記化合物半導体層の支持基板として機能する多結晶ダイヤモンド自立基板を得ることを特徴とする多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
図1を参照して、本発明の一実施形態による多結晶ダイヤモンド自立基板100の製造方法は、以下の工程を有する。まず、図1(A),(B)に示すように、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子を含有する溶液を塗布する。これにより、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子含有液膜12が形成される。その後、図1(B),(C)に示すように、化合物半導体基板10に熱処理を施すことによって、ダイヤモンド粒子含有液膜12中の溶媒を蒸発させ、かつ化合物半導体基板10の表面とダイヤモンド粒子14との結合力を強化して、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子14を付着させる。その後、図1(C),(D)に示すように、ダイヤモンド粒子14を核として、化学気相成長法(CVD法:Chemical Vapor Deposition)により、化合物半導体基板10上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層16を成長させる。その後、任意に、図1(D),(E)に示すように、多結晶ダイヤモンド層16の表面を平坦化してもよい。その後、図1(E),(F)に示すように、化合物半導体基板10を減厚して、化合物半導体層18とする。
図1(A)を参照して、まず、化合物半導体基板10を用意する。化合物半導体基板10を構成する化合物半導体は、特に限定されず、化合物半導体層18に形成する半導体デバイスの種類等に応じて適宜選定すればよく、例えば、GaN、AlN、InN、SiC、Al2O3、Ga2O3、MgO、ZnO、CdO、GaAs、GaP、GaSb、InP、InAs、InSb、又はSiGeからなるものとすることが好ましい。また、化合物半導体基板10の厚さは、200μm以上3mm以下とすることが好ましい。200μm未満の場合、化合物半導体基板が反ることにより多結晶ダイヤモンドの剥がれが発生したり、化合物半導体基板の割れを発生する。また、3mm超えの場合、後述の化合物半導体基板10の減厚の工程におけるプロセスタイムや材料コストの観点から好ましくない。
次に、図1(A),(B)に示すように、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子を含有する溶液を塗布して、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子含有液膜12を形成する。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー法、及び浸漬法を挙げることができ、スピンコート法が特に好ましい。スピンコート法によれば、化合物半導体基板10の両面のうちダイヤモンド粒子14を付着させたい片側の表面のみに、ダイヤモンド粒子含有溶液を均一に塗布することができる。
次に、図1(B),(C)に示すように、化合物半導体基板10に熱処理を施す。これにより、ダイヤモンド粒子含有液膜12中の溶媒が蒸発し、かつ化合物半導体基板10の表面とダイヤモンド粒子14との結合力が強化されて、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子14が付着する。熱処理中の化合物半導体基板10の温度は、100℃未満とすることが好ましく、30℃以上80℃以下とすることがより好ましい。100℃未満であれば、ダイヤモンド粒子含有溶液の沸騰に伴う泡の発生を抑制することができるので、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子14が部分的に存在しない部位が発生することがなく、この部位を起点として多結晶ダイヤモンド層16が剥離するおそれもない。30℃以上であれば、化合物半導体基板10とダイヤモンド粒子14とが十分に結合するので、CVD法によって多結晶ダイヤモンド層16を成長させる過程で、スパッタリング作用によりダイヤモンド粒子14が弾き飛ばされるのを抑制することができ、多結晶ダイヤモンド層16を均一に成長させることができる。また、熱処理時間は1分以上30分以下とすることが好ましい。なお、熱処理装置としては、公知の熱処理装置を用いればよく、例えば、加熱したホットプレート上に化合物半導体基板10を載置することにより行うことができる。
次に、図1(C),(D)に示すように、ダイヤモンド粒子14を核として、CVD法により、化合物半導体基板10上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層16を成長させる。CVD法としては、プラズマCVD法および熱フィラメントCVD法等を好適に用いることができる。
次に、図1(D),(E)に示すように、多結晶ダイヤモンド層16の表面を平坦化してもよい。成膜後の多結晶ダイヤモンド層16の表面には過度の凹凸が形成されている。多結晶ダイヤモンド層16の表面を平坦化することにより、その後得られる多結晶ダイヤモンド自立基板100を半導体プロセス装置の試料台へ確実にセット(チャック)することができる。平坦化方法は特に限定されないが、例えば公知の化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法を好適に用いることができる。なお、平坦化後も、多結晶ダイヤモンド層16の厚さは100μm以上とし、500μm以上とすることがより好ましい。
次に、図1(E),(F)に示すように、化合物半導体基板10を減厚して、化合物半導体層18とする。具体的には、化合物半導体基板10を、多結晶ダイヤモンド層16との界面とは反対側の表面から研削及び研磨することにより減厚する。これにより、所望厚さの化合物半導体層18が支持基板としての多結晶ダイヤモンド層16上に積層された多結晶ダイヤモンド自立基板100を得ることができる。化合物半導体層18の厚さは、そこに形成する半導体デバイスの種類や構造に応じて適宜決定することができ、1μm以上500μm以下とすることが好ましい。なお、この研削及び研磨には、公知又は任意の研削法及び研磨法を好適に用いることができ、具体的には平面研削法及び鏡面研磨法を用いることができる。
[本発明例1]
図1(A)〜(F)に示す工程を経て、本発明例1−1に係る多結晶ダイヤモンド自立基板を作製した。
ダイヤモンド粒子の付着方法を変更した以外は、発明例1と同様の方法で多結晶ダイヤモンド自立基板の作製を試みた。
多結晶ダイヤモンド層の厚さを5μmに変更した以外は、発明例1と同様の方法で多結晶ダイヤモンド自立基板の作製を試みた。
[本発明例2]
化合物半導体基板の種類をGaN基板からSiC基板に変更した以外は、発明例1と同様の方法で多結晶ダイヤモンド自立基板の作製を行った。
ダイヤモンド粒子の付着方法を変更した以外は、発明例2と同様の方法で多結晶ダイヤモンド自立基板の作製を試みた。
多結晶ダイヤモンド層の厚さを5μmに変更した以外は、発明例2と同様の方法で多結晶ダイヤモンド自立基板の作製を試みた。
10 化合物半導体基板
12 ダイヤモンド粒子含有液膜
14 ダイヤモンド粒子
16 多結晶ダイヤモンド層
18 化合物半導体層
Claims (7)
- 化合物半導体基板上にダイヤモンド粒子を含有する溶液を塗布し、その後、前記化合物半導体基板に熱処理を施すことによって、前記化合物半導体基板上に前記ダイヤモンド粒子を付着させる工程と、
前記ダイヤモンド粒子を核として、化学気相成長法により、前記化合物半導体基板上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層を成長させる工程と、
その後、前記化合物半導体基板を減厚して、化合物半導体層とする工程と、
を有し、前記多結晶ダイヤモンド層が、前記化合物半導体層の支持基板として機能する多結晶ダイヤモンド自立基板を得ることを特徴とする多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。 - 前記溶液中の前記ダイヤモンド粒子の平均粒径が50nm以下である、請求項1に記載の多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
- 前記溶液中の前記ダイヤモンド粒子が負電荷に帯電している、請求項1又は2に記載の多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
- 前記熱処理では、前記化合物半導体基板の温度を100℃未満に1分以上30分以下保持する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
- 前記多結晶ダイヤモンド層の表面を平坦化する工程をさらに有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
- 前記化合物半導体基板は、GaN、AlN、InN、SiC、Al2O3、Ga2O3、MgO、ZnO、CdO、GaAs、GaP、GaSb、InP、InAs、InSb、又はSiGeからなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
- 前記化合物半導体層の厚さを1μm以上500μm以下とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法。
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