JP4654389B2 - ダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法,及び半導体デバイスの放熱部 - Google Patents
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
石原直,精密工学会誌66巻1号(2000年)49−53頁)。 NIKKEI MICRODEVICES 2002年11月号 43−45頁。 小松啓,精密機械51巻(1985年)1490頁。
前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスとの接合面及び前記金属製熱伝導体との接合面を,それぞれ表面平均粗さ(Ra)30nm以下に平坦化すると共に,
真空又は不活性ガス雰囲気中に置かれた常温の前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイスとの接合面,及び前記ダイヤモンドスプレッダと金属製熱伝導体との接合面に,アルゴン(Ar)等の希ガスビームを照射して活性化させて接合することで,化学的に結合されていることを特徴とする(請求項1,12)。
前述の接合に際し,ダイヤモンドヒートスプレッダの表面は,前述した表面平均粗さに平坦化され,これにより半導体デバイスや金属製熱伝導体との接合面との間に隙間が生じることがなく,接合面の全面に亘り完全な接合が実現される。
ダイヤモンドヒートスプレッダの表面を,ダイヤモンド砥粒を使用した機械的研磨を行った後,化学的機械研磨(CMP)を行い,前述した表面粗さに迄平坦化する方法である。
この方法では,ダイヤモンドヒートスプレッダの表面に,例えば蒸着等の方法でチタン,金,クロム,ニッケル等の金属膜をダイヤモンドヒートスプレッダの表面荒れの最大値の3倍以上の厚さで堆積させ,これを化学的機械研磨(CMP),又は電解複合研磨により前述した表面粗さに研磨する。
この方法では,ダイヤモンドヒートスプレッダの表面に金属膜,好ましくは接合する金属製熱伝導体と同材質の金属膜を,メッキによってダイヤモンドヒートスプレッダの表面荒れの最大値の3倍以上の厚さで形成し,これを化学的機械研磨(CMP),又は電解複合研磨により前述した表面粗さに研磨する。
この方法では,シリコン(Si)基板上にダイヤモンド膜を気相合成し,その後,このシリコン基板を,化学的機械研磨(CMP)と化学的エッチングにより,例えば化学的エッチングによりシリコン基板を所定の厚みに減じた後,化学的機械研磨(CMP)により研磨して,前述した表面粗さに平坦化したシリコン膜とし,半導体デバイスとの接合面と成す。
ダイヤモンドヒートスプレッダと金属製熱伝導体,及び半導体デバイスとの接合は,本発明にあっては,接合面を化学的に活性化し,この活性化した面相互を接合することにより化学的に結合させている(本明細書において,この接合方法を「表面活性化接合法」という。)。
1.対象
(1)半導体デバイス:マイクロ波出力用ガン・ダイオード
(2)ダイヤモンドヒートスプレッダ:高圧合成ダイヤモンド結晶
(3)金属製熱伝導体:銅製ヒートシンク
2.組み立て方法
図2に示す方法により,化合物半導体(GaAs)マイクロ波発振素子(ガン・ダイオード)である半導体デバイスに,ダイヤモンドヒートスプレッダと銅製のヒートシンクを接合して,放熱部を形成した。
1.対象
(1)半導体デバイス:CD・DVD書込み用レーザ・ダイオード
(2)ダイヤモンドヒートスプレッダ:天然ダイヤモンド
(3)金属製熱伝導体:銅製ヒートシンク
2.組み立て方法
図3に示す方法により,化合物半導体(GaAs)発光素子(レーザ・ダイオード)である半導体デバイスに,ダイヤモンドヒートスプレッダと銅製のヒートシンクを接合して,放熱部を形成した。
1.対象
(1)半導体デバイス:LSIチップ
(2)ダイヤモンドヒートスプレッダ:気相合成ダイヤモンド
(3)金属製熱伝導体:銅製ヒートスプレッダ
2.組み立て方法
図4に示す方法により,ICチップ(LSI)である半導体デバイスに,ダイヤモンドヒートスプレッダと銅製のヒートスプレッダを接合して,放熱部を形成した。
Claims (23)
- 半導体デバイスに接合されるダイヤモンドヒートスプレッダと,前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスの接合面とは反対側の面に接合される金属製熱伝導体により構成される,半導体デバイスの放熱部において,
前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスとの接合面及び前記金属製熱伝導体との接合面を,それぞれ表面平均粗さ(Ra)30nm以下に平坦化すると共に,
真空又は不活性ガス雰囲気中に置かれた常温の前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイスとの接合面,及び前記ダイヤモンドスプレッダと金属製熱伝導体との接合面に,希ガスビームを照射して活性化させて接合することを特徴とするダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。 - 機械研磨とこれに続く化学的機械研磨により前記ダイヤモンドヒートスプレッダ表面を研磨して前記金属製熱伝導体との接合面の前記平坦化を行うことを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダの表面粗さの最大値の3倍以上の厚さに金属膜を堆積し,該堆積された金属膜を化学的機械研磨又は電解複合研磨により研磨して前記金属製熱伝導体との接合面の前記平坦化を行うことを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 機械研磨とこれに続く化学的機械研磨により前記ダイヤモンドヒートスプレッダの表面を研磨して,前記半導体デバイスとの接合面の前記平坦化を行うことを特徴とする請求項2又は3記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダの表面粗さの最大値の3倍以上の厚さに金属膜を堆積し,該堆積された金属膜を化学的機械研磨又は電解複合研磨により研磨して前記半導体デバイスとの接合面の前記平坦化を行うことを特徴とする請求項2又は3記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダの表面に導電性金属膜を形成し,該導電性金属膜上に電気メッキ法により前記金属膜を形成したことを特徴とする請求項3又は5記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダを,不純物のドーピングを伴う気相合成法で形成した導電性ダイヤモンド膜として得ると共に,該ダイヤモンドヒートスプレッダの表面に電気メッキ法により前記金属膜を形成したことを特徴とする請求項3又は5記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダを,気相合成法によりシリコン基板上に成膜されたダイヤモンド膜として得ると共に,前記シリコン基板を化学的機械研磨と化学エッチングにより研磨して前記半導体デバイスとの接合面の前記平坦化を行うことを特徴とする請求項3記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記金属膜表面の反り,凹凸等の変形を,該金属膜の前記研磨により除去することを特徴とする請求項8記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記シリコン基板のそり及び変形を,前記シリコン基板の前記研磨により除去することを特徴とする請求項8又は9記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 前記半導体デバイス,ダイヤモンドヒートスプレッダ及び金属製熱伝導体間の接合を,先ず,金属製熱伝導体と前記ダイヤモンド熱伝導層間において行い,次いで,前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイス間において行うことを特徴とする請求項1〜10いずれか1項記載のダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法。
- 半導体デバイスに接合されるダイヤモンドヒートスプレッダと,前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスの接合面とは反対側の面に接合される金属製熱伝導体により構成され,
前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスとの接合面及び前記金属製熱伝導体との接合面を,それぞれ表面平均粗さ(Ra)30nm以下に平坦化すると共に,真空又は不活性ガス雰囲気中に置かれた常温の前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイスとの接合面,及び前記ダイヤモンドスプレッダと金属製熱伝導体との接合面に,希ガスビームを照射して活性化させて接合することにより,前記各接合面を化学的に結合させたことを特徴とする半導体デバイスの放熱部。 - 前記ダイヤモンドヒートスプレッダが,天然ダイヤモンド,高圧合成ダイヤモンド,又は気相合成ダイヤモンドであることを特徴とする請求項12記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記半導体デバイスが,集積回路,半導体素子,又はパワーデバイスであることを特徴とする請求項12又は13記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記金属製熱伝導体が,銅又はアルミニウム製のヒートシンク又はヒートスプレッダである請求項12〜14いずれか1項記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記金属製熱伝導体がヒートシンクであり,ヒートパイプと空冷ファン,又は水冷ラジエータを備えることを特徴とする請求項12〜15いずれか1項記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダが,研磨により前記表面平均粗さに平坦化された,前記金属製熱伝導体との接合面を有することを特徴とする請求項12〜16いずれか1項記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダが,前記金属製熱伝導体との接合面に前記表面平均粗さに平坦化された金属膜を有することを特徴とする請求項12〜16いずれか1項記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスとの接合面が,研磨により前記表面平均粗さに平坦化されていることを特徴とする請求項17又は18記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダの前記半導体デバイスとの接合面に,前記表面平均粗さに平坦化された金属膜を有することを特徴とする請求項17又は18記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダが,気相合成されたダイヤモンド膜であり,前記半導体デバイスとの接合面に前記表面平均粗さに平坦化されたシリコン膜を有することを特徴とする請求項12記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記金属製熱伝導体が,前記半導体デバイスが半導体素子である場合にはその固定用治具を,ICチップである場合にはそのダイパッドを兼ねることを特徴とする請求項12〜21いずれか1項記載の半導体デバイスの放熱部。
- 前記ダイヤモンドヒートスプレッダの側面を含む全面に導電性金属を積層したことを特徴とする請求項12〜22いずれか1項記載の半導体デバイスの放熱部。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018143344A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009101685A1 (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 半導体素子モジュール及びその製造方法 |
TWI398956B (zh) * | 2009-03-10 | 2013-06-11 | Kinik Co | 具有鑽石材料之散熱結構及其製造方法 |
EP3255555B1 (en) * | 2009-07-21 | 2020-01-29 | Tadao Nakamura | A lower energy comsumption and high speed computer without the memory bottleneck |
JP5935330B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-06-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電子装置 |
TWI607454B (zh) | 2012-02-13 | 2017-12-01 | 中村維男 | 無記憶體瓶頸的行進記憶體,雙向行進記憶體,複雜行進記憶體,及計算機系統 |
JP6318441B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2018-05-09 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 接合方法 |
GB201421259D0 (en) * | 2014-12-01 | 2015-01-14 | Element Six Technologies Ltd | Bonding scheme for diamond components which has low thermal barrier resistance in high power density applications |
JP6875634B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2021-05-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6772995B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2020-10-21 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
JP7172556B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2022-11-16 | 株式会社Sumco | 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法 |
JP7326844B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-08-16 | 富士通株式会社 | 半導体デバイスの放熱構造及びその製造方法、増幅器 |
JP7389472B2 (ja) * | 2019-07-04 | 2023-11-30 | 公立大学法人大阪 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
US11929294B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-03-12 | Nichia Corporation | Composite substrate and method of producing the composite substrate, and semiconductor device comprising the composite substrate |
JP2022184075A (ja) * | 2021-05-31 | 2022-12-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体及びその製造方法、並びに、異種半導体との接合体用モザイクダイヤモンドウェハ |
JP2024006444A (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-17 | 信越半導体株式会社 | ヒートスプレッタ構造付き部材とその作製方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2791429B2 (ja) * | 1996-09-18 | 1998-08-27 | 工業技術院長 | シリコンウェハーの常温接合法 |
JP2004158726A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Kobe Steel Ltd | ヒートスプレッダ付半導体素子及び半導体パッケージ |
-
2006
- 2006-01-16 JP JP2006007944A patent/JP4654389B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2791429B2 (ja) * | 1996-09-18 | 1998-08-27 | 工業技術院長 | シリコンウェハーの常温接合法 |
JP2004158726A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Kobe Steel Ltd | ヒートスプレッダ付半導体素子及び半導体パッケージ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018143344A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
JPWO2018143344A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2019-06-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
GB2573215A (en) * | 2017-02-02 | 2019-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device |
US11107685B2 (en) | 2017-02-02 | 2021-08-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device |
GB2573215B (en) * | 2017-02-02 | 2021-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007189171A (ja) | 2007-07-26 |
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