JP2020039007A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】燐光性化合物の使用量が少なく、それでいて発光効率が高い発光素子、あるいは、寿命の長い発光素子を提供する。【解決手段】燐光性化合物、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物を含む発光層を一対の電極間に有し、第１の有機化合物及び第２の有機化合物が、励起錯体（エキサイプレックス）を形成する組み合わせである発光素子を提供する。該発光素子は、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用して、エネルギー移動をするため、燐光性化合物の濃度が低くてもエネルギー移動効率が高い。【選択図】なし

Description

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象
を利用した発光素子（以下、有機ＥＬ素子とも記す）に関する。

有機ＥＬ素子の研究開発が盛んにおこなわれている（特許文献１、特許文献２および非特
許文献１参照）。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を
含む層（以下、発光層とも記す）を挟んだものであり、薄型軽量化できる、入力信号に高
速に応答できる、直流低電圧駆動が可能である、などの特性から、次世代のフラットパネ
ルディスプレイ素子として注目されている。

また、このような発光素子を用いたディスプレイは、コントラストや画質に優れ、視野角
が広いという特徴も有している。さらに、有機ＥＬ素子は面光源であるため、液晶ディス
プレイのバックライトや照明等の光源としての応用も考えられている。

有機ＥＬ素子の発光機構は、キャリア注入型である。すなわち、電極間に発光層を挟んで
電圧を印加することにより、電極から注入された電子およびホール（正孔）が再結合して
発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。そして、励起
状態の種類としては、一重項励起状態（Ｓ^＊）と三重項励起状態（Ｔ^＊）が可能である。
また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であると考えられ
ている。

発光性の有機化合物は通常、基底状態が一重項状態である。したがって、一重項励起状態
（Ｓ^＊）からの発光は、同じスピン多重度間の電子遷移であり、蛍光と呼ばれる。一方、
三重項励起状態（Ｔ^＊）からの発光は、異なるスピン多重度間の電子遷移であり、燐光と
呼ばれる。通常、蛍光を発する化合物（以下、蛍光性化合物と記す）は室温において燐光
は観測されず蛍光のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子におけ
る内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、
Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であることを根拠に２５％とされている。

一方、燐光を発する化合物（以下、燐光性化合物と記す）を用いれば、理論上、内部量子
効率を１００％まで上昇させることが可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて高い発
光効率を得ることが可能になる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するため
に、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んにおこなわれている。特に、燐光性
化合物としては、その燐光量子効率の高さゆえに、イリジウム等を中心金属とする有機金
属錯体が注目されており、例えば、特許文献１には、イリジウムを中心金属とする有機金
属錯体が燐光材料として開示されている。

上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消
光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中
に該燐光性化合物が分散するように形成されることが多い。この時、マトリクスとなる化
合物はホスト、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲスト（あるい
はドーパント）と呼ばれる。

また、特許文献２あるいは非特許文献１では、発光層を電子輸送性のよい材料と正孔輸送
性のよい材料を混合して形成する方法が提案されている。例えば、非特許文献１では電子
輸送性のよいトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（略称：Ａｌｑ_３）と、正孔輸
送性のよい４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（
略称：ＮＰＢ）という２種類の材料と、ゲスト（ドーパント）としてメチルキナクリドン
（略称：ｍｑａ）を用いる発光装置が提案されている。

このような構造の発光層では、２種類のホストがそれぞれの機能を分担し、電子も正孔も
バランスよく伝導させることができる。すなわち、電子はＡｌｑ_３を伝導し、正孔はＮＰ
Ｂを伝導して、いずれもｍｑａに至り、ｍｑａを励起状態とすることができる。ｍｑａは
蛍光しか発しないが、特許文献２では、ゲストとして燐光性化合物を用いることで、三重
項励起状態からの発光を得ることが開示されている。

国際公開第２０００／０７０６５５号明細書 米国特許第７５７２５２２号明細書

Ｖｉ−Ｅｎ Ｃｈｏｏｎｇ ｅｔ ａｌ． "Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ａ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ"， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， ７５， １７２ （１９９９）．

イリジウムは稀少元素（クラーク数１×１０^−７％）であり、イリジウムより高価な白金
（クラーク数５×１０^−７％）、金（クラーク数５×１０^−７％）より地表付近に埋蔵さ
れている量は少ない。このため、その安定供給に懸念があり、その使用量の削減が求めら
れる。

しかしながら、一般に燐光性化合物がゲストである場合、ゲストの濃度を過剰に低下させ
ると発光効率が低下する。これは以下のように説明できる。ゲスト分子を励起状態とする
には、大きく分けて２つの過程が考えられる。ひとつは、電子と正孔がゲスト分子に注入
されることによりゲスト分子が励起される直接再結合過程である。他のひとつは、励起さ
れたホスト分子の状態がゲスト分子に移動するエネルギー移動過程である。

直接再結合過程の比率を上げるには、ゲストが高濃度に存在する必要がある。したがって
、ゲストの濃度が低下すると再結合確率が減少し、発光効率が低下する。

一方、エネルギー移動過程に関しては、フェルスター機構とデクスター機構というふたつ
の理論が提唱されている。

フェルスター機構は、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要とせず、ホスト分子
及びゲスト分子間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起こる、とするもの
である。双極子振動の共鳴現象によってホスト分子がゲスト分子にエネルギーを受け渡し
、ホスト分子が基底状態になり、ゲスト分子が励起状態になる。フェルスター機構の速度
定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを数式（１）に示す。

数式（１）において、νは、振動数を表し、ｆ’_ｈ（ν）は、ホスト分子の規格化された
発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、
三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、ε_ｇ（ν
）は、ゲスト分子のモル吸光係数を表し、Ｎは、アボガドロ数を表し、ｎは、媒体の屈折
率を表し、Ｒは、ホスト分子とゲスト分子の分子間距離を表し、τは、実測される励起状
態の寿命（蛍光寿命や燐光寿命）を表し、ｃは、光速を表し、φは、発光量子効率（一重
項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光量子効率、三重項励起状態からのエ
ネルギー移動を論じる場合は燐光量子効率）を表し、Ｋ^２は、ホスト分子とゲスト分子の
遷移双極子モーメントの配向を表す係数（０〜４）である。なお、ランダム配向の場合は
Ｋ^２＝２／３である。

デクスター機構は、ホスト分子とゲスト分子が軌道の重なりを生じる接触有効距離に近づ
き、励起状態のホスト分子の電子と基底状態のゲスト分子の電子の交換を通じてエネルギ
ー移動が起こる、とするものである。デクスター機構の速度定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを数式（２）
に示す。

数式（２）において、ｈは、プランク定数であり、Ｋは、エネルギーの次元を持つ定数で
あり、νは、振動数を表し、ｆ’_ｈ（ν）は、ホスト分子の規格化された発光スペクトル
（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態
からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、ε’_ｇ（ν）は、ゲスト
分子の規格化された吸収スペクトルを表し、Ｌは、実効分子半径を表し、Ｒは、ホスト分
子とゲスト分子の分子間距離を表す。

一般に、デクスター機構によるエネルギー移動が可能な距離は、１ｎｍ程度まで、フェル
スター機構によるエネルギー移動が可能な距離は１０ｎｍ程度までとされている。したが
って、ゲストの濃度が小さくなり、ゲスト分子と励起状態にあるホスト分子との距離が大
きくなるとエネルギー移動の効率が著しく低下する。そのため、ゲストの濃度は３％以上
であることが必須とされてきた。

以上で述べたように、キャリアの再結合からゲストの励起状態が形成されるまでの素過程
を考えると、ゲストを効率よく励起状態にするためにはゲストの濃度を高くする必要があ
る。しかしながら一方で、ゲストが高濃度の場合、ゲストが凝集することによる発光効率
の低下、いわゆる濃度消光が生じてしまうため、ゲストの励起状態が効率よく生成できた
としても、結果として素子の発光効率は低下してしまう。つまり、ゲストの濃度が低いと
、ゲストの励起状態の生成効率が悪くなり、ゲストの濃度が高いと、濃度消光が生じてし
まうため、いずれにしても発光効率が低下するというジレンマがあった。

本発明の一態様はこのような現状に鑑み、新規な発光機構を用いることにより、よりゲス
トの濃度を低下させた発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は高
効率な発光装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、長寿命な発光装
置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、劣化の少ない発光装置を提供
することを課題とする。また、本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置を提供すること
を課題とする。本発明の一態様は上記の課題の少なくとも１つを解決する。

本発明の一態様は、燐光性化合物、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物を含む発光
層を一対の電極間に有し、第１の有機化合物及び第２の有機化合物が、励起錯体を形成す
る組み合わせであり、第１の有機化合物と第２の有機化合物の重量の和に対する燐光性化
合物の重量の比率が、０．１％以上２．５％以下、好ましくは０．１％以上１．５％以下
、より好ましくは０．１％以上０．５％以下である発光素子である。

また、本発明の一態様は、燐光性化合物、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物を含
む発光層を一対の電極間に有し、少なくとも一つの第１の有機化合物及び少なくとも一つ
の第２の有機化合物が、励起錯体を形成する組み合わせであり、励起錯体が燐光性化合物
に作用して、燐光性化合物が燐光を発光し、第１の有機化合物と第２の有機化合物の重量
の和に対する燐光性化合物の重量の比率が、０．１％以上２．５％以下、好ましくは０．
１％以上１．５％以下、より好ましくは０．１％以上０．５％以下である発光素子である
。

また、本発明の一態様は、燐光性化合物、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物を含
む発光層を一対の電極間に有し、第１の有機化合物または第２の有機化合物は、その一重
項励起子から、第１の有機化合物と第２の有機化合物の励起錯体が形成されるものであり
、第１の有機化合物と第２の有機化合物の重量の和に対する燐光性化合物の重量の比率が
、０．１％以上２．５％以下、好ましくは０．１％以上１．５％以下、より好ましくは０
．１％以上０．５％以下である発光素子である。

また、本発明の一態様は、燐光性化合物、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物を含
む発光層を一対の電極間に有し、第１の有機化合物及び第２の有機化合物は、第１の有機
化合物のアニオン及び第２の有機化合物のカチオンから、第１の有機化合物と第２の有機
化合物の励起錯体が形成されるものであり、第１の有機化合物と第２の有機化合物の重量
の和に対する燐光性化合物の重量の比率が、０．１％以上２．５％以下、好ましくは０．
１％以上１．５％以下、より好ましくは０．１％以上０．５％以下である発光素子である
。

上記発光素子において、励起錯体の励起エネルギーが燐光性化合物に移動して、該燐光性
化合物が燐光を発することが好ましい。

上記発光素子において、第１の有機化合物及び第２の有機化合物の少なくとも一方が蛍光
性化合物であることが好ましい。

上記発光素子において、燐光性化合物は、イリジウムを有する有機金属錯体であることが
好ましい。

上記発光素子において、励起錯体の発光スペクトルのピークにおける燐光性化合物のモル
吸光係数が５０００Ｍ^−１ｃｍ^−１以上であることが好ましい。

上記発光素子において、第１の有機化合物は、電子輸送性が正孔輸送性より高く、また、
第２の有機化合物は、正孔輸送性が電子輸送性よりも高いことが好ましい。

本発明の一態様の発光素子は、発光装置、電子機器、及び照明装置に適用することができ
る。

上述のエネルギー移動過程において、ホスト分子からゲスト分子へのエネルギー移動効率
Φ_ＥＴは、数式（３）で表されると考えられる。ｋ_ｒは、ホスト分子の発光過程（ホスト
分子の一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光、ホスト分子の三重項励
起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光）の速度定数を表し、ｋ_ｎは、非発光過
程（熱失活や項間交差）の速度定数を表し、τは、実測されるホスト分子の励起状態の寿
命を表す。

数式（３）より、エネルギー移動効率Φ_ＥＴを高くするためには、エネルギー移動の速度
定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを、他の競合する速度定数ｋ_ｒ＋ｋ_ｎ（＝１／τ）に比べて遙かに大きく
すれば良いことがわかる。そして、そのエネルギー移動の速度定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを大きくす
るためには、数式（１）及び数式（２）より、フェルスター機構、デクスター機構のどち
らの機構においても、ホスト分子の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移
動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は
燐光スペクトル）とゲスト分子の吸収スペクトルとの重なりが大きい方が良いことがわか
る。

また、ホスト分子の発光スペクトルのピークでのゲスト分子の吸光率が高いほどホスト分
子からゲスト分子へのエネルギー移動過程が生じやすいことがわかる。

すなわち、ホスト分子の励起状態のエネルギー準位とゲスト分子の励起状態のエネルギー
準位をほぼ等しくなるように設定し、かつ、ゲスト分子の励起状態への遷移確率を高める
ことにより、よりエネルギー移動しやすくなる。

しかしながら、この条件では、従来のようにホストを単一の材料とする場合には、逆に励
起状態のゲスト分子のエネルギーが基底状態のホスト分子に移動する過程も生じやすくな
り、結局、発光効率が低下してしまう。

この問題に関しては、励起錯体を用いて解決できる。ここで励起錯体に関して詳説する。
励起錯体（エキサイプレックス、ｅｘｃｉｐｌｅｘ）は、励起状態における異種分子間の
相互作用によって形成される。励起錯体は、比較的深い最低空分子軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏ
ｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位をもつ材
料と、浅い最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｔｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅ
ｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位をもつ材料間との間で形成しやすいことが一般に知ら
れている。

ここで、本発明の一態様で適用する第１の有機化合物と第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位
及びＬＵＭＯ準位は異なる。具体的には、エネルギー準位は、第１の有機化合物のＨＯＭ
Ｏ準位＜第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位＜第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位＜第２の有
機化合物のＬＵＭＯ準位という関係が成り立つ。

なお、この条件が成立しても必ず励起錯体が形成されるわけではなく、例えば、非特許文
献１にある、Ａｌｑ_３とＮＰＢとの間では励起錯体は形成できない。そして、励起錯体を
形成できない場合は、以下の効果を得ることはできないことに注意すべきである。

第１の有機化合物と第２の有機化合物により励起錯体が形成された場合、励起錯体のＬＵ
ＭＯ準位は、第１の有機化合物に由来し、ＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物に由来する
。したがって、励起錯体のエネルギー差は、第１の有機化合物のエネルギー差、及び第２
の有機化合物のエネルギー差よりも小さくなる。つまり、第１の有機化合物と第２の有機
化合物のそれぞれの発光波長に比べて、励起錯体の発光波長は長波長となる。

励起錯体の形成過程は大きく分けて以下の２つの過程が考えられる。第１はエレクトロプ
レックス（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌｅｘ）の形成によるものである。本明細書において、エレ
クトロプレックスとは、基底状態の第１の有機化合物及び基底状態の第２の有機化合物か
ら、直接、励起錯体が形成されることを指す。具体的には、第１の有機化合物のアニオン
と第２の有機化合物のカチオンが隣接した場合、両者は励起錯体を形成する。

上記の関係から、第１の有機化合物は電子トラップ性の化合物であり、第２の有機化合物
はホールトラップ性の化合物であるので、第１の有機化合物のアニオンと第２の有機化合
物のカチオンから、直接エレクトロプレックスが形成されることになる。

形成されたエレクトロプレックスの発光スペクトルは、第１の有機化合物と第２の有機化
合物のそれぞれの発光波長に比べて、長波長側に存在する。

第１の有機化合物（又は第２の有機化合物）の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペ
クトルとの重なりよりも、エレクトロプレックスの発光スペクトルと燐光性化合物の吸収
スペクトルとの重なりは大きくなる。本発明の一態様の発光素子は、エレクトロプレック
スの発光スペクトルとゲストである燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用して
、エネルギー移動をするため、エネルギー移動効率が高い。したがって、本発明の一態様
では、外部量子効率が高い発光素子を実現することができる。

前述の通り、一般には、電子及びホールがホスト中で再結合した場合、励起状態のホスト
分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が励起状態に至り、発光する
。

ここで、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動する前に、ホスト分子自体が
目的としない波長で発光する、又は励起エネルギーが熱エネルギーとなることで、励起エ
ネルギーの一部を失う（失活する）。特に、ホスト分子が一重項励起状態である場合は、
三重項励起状態である場合に比べて励起寿命が短いため、一重項励起子の失活が起こりや
すい。励起子の失活は、発光素子の寿命の低下につながる要因の一つである。

一方、本発明の一態様では、第１の有機化合物及び第２の有機化合物がキャリアを持った
状態（カチオン又はアニオン）から、エレクトロプレックスを形成するため、励起寿命の
短い一重項励起子の形成を抑制することができる。つまり、一重項励起子を形成すること
なく、直接励起錯体を形成する過程が存在しうる。これにより、上記一重項励起子の失活
も抑制することができる。したがって、寿命が長い発光素子を実現することができる。

このようにしてホストの一重項励起状態の発生を抑制し、エレクトロプレックスからゲス
ト分子にエネルギー移動をおこなって発光効率が高い発光素子を得る概念は、従前にない
。

もう一つの過程としては、ホストである第１の有機化合物及び第２の有機化合物の一方が
一重項励起子を形成した後、基底状態の他方と相互作用して励起錯体を形成する素過程が
考えられる。エレクトロプレックスとは異なり、この場合は一旦、ホストの一重項励起子
が生成してしまうが、これは速やかに励起錯体に変換されるため、やはり一重項励起子の
失活を抑制することができる。

ホストの一重項励起子が速やかに励起錯体に変換されることは、後述する実験結果からも
明らかである。したがって、ホストが失活することを抑制することができる。このため、
本発明の一態様では、寿命の長い発光素子を実現することができる。

また、この場合も形成された励起錯体の発光スペクトルは、第１の有機化合物と第２の有
機化合物のそれぞれの発光波長に比べて、長波長側に存在する。

また、この場合も、第１の有機化合物（又は第２の有機化合物）の発光スペクトルと燐光
性化合物の吸収スペクトルとの重なりよりも、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物
の吸収スペクトルとの重なりは大きくなる。本発明の一態様の発光素子は、励起錯体の発
光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用して、エネルギー移動を
するため、エネルギー移動効率が高い。したがって、本発明の一態様では、外部量子効率
が高い発光素子を実現することができる。

なお、上記の関係から、第１の有機化合物は電子トラップ性の化合物であり、一方で第２
の有機化合物はホールトラップ性の化合物である。これら化合物のＨＯＭＯ準位の差、及
びＬＵＭＯ準位の差が大きい場合（具体的には差が０．３ｅＶ以上）、電子は優先的に第
１の有機化合物に入り、ホールは優先的に第２の有機化合物に入る。この場合、一重項励
起子を経て励起錯体が形成される過程よりも、エレクトロプレックスが形成される過程の
方が優先されると考えられる。

ところで、励起錯体は励起状態でのみエネルギー準位が存在するという概念が成立する。
したがって、励起錯体を構成する分子は基底状態では、独立した２つあるいはそれ以上の
分子となり、これらの分子が基底状態で何らかの錯体を構成することはない。

例えば、励起状態の励起錯体から基底状態のゲスト分子にエネルギーが移動して、ゲスト
分子が励起状態となったとして、そのゲスト分子が他の分子を励起しようとしても、本発
明の一態様においては、励起する対象となる分子は第１の有機化合物か第２の有機化合物
以外には存在しない。そして、第１の有機化合物か第２の有機化合物を励起するには、励
起状態のゲスト分子のエネルギーが足りないので、これらを励起することはできない。

すなわち、ゲスト分子の励起状態が該エキサイプレックスに逆エネルギー移動してしまい
、ゲスト分子が発光する前に失活する（すなわち発光効率を損なう）という現象は、原理
的に生じないと考えられる。このことも、発光効率を高くできる一因である。

上記の通り、本発明の一態様では、エネルギー移動する分子間の励起状態と基底状態のエ
ネルギー差をほぼ等しくすることが好ましい。すなわち、励起錯体の励起エネルギー準位
とゲストの励起エネルギー準位はほぼ等しくする。一方、励起錯体を構成する第１の有機
化合物と第２の有機化合物の励起エネルギー準位は、励起錯体の励起エネルギー準位より
高くなる。

すなわち、励起状態にあるゲスト分子が、第１の有機化合物や第２の有機化合物を励起さ
せようとしてもエネルギーが不足するため、ゲスト分子から他の分子にエネルギー移動す
る確率は著しく低くなる。このため、本発明の一態様では発光効率が高められる。また、
熱失活を抑制できるので発光素子の寿命を伸ばし、劣化を抑制し、信頼性を高められる。

また、上述の通り、第１の有機化合物又は第２の有機化合物の一重項励起子から、励起錯
体が形成されることがある。すなわち、第１の有機化合物及び第２の有機化合物の一方が
一重項励起子を形成した後、基底状態の他方と相互作用することで励起錯体を形成する素
過程が考えられる。そして、この過程は非常に速やかにおこなわれると考えられる。

一重項励起子は励起寿命が短い（τが小さい）ため、通常は、ホストの一重項励起子から
ゲストに励起エネルギーが移動する前に、励起エネルギーの一部が失われる（目的としな
い波長の発光または熱失活する）という問題がある（数式（３）におけるΦ_ＥＴが小さく
なりがちな傾向にある）。

しかしながら、本発明の一態様では、ホストの一重項励起子は速やかに励起錯体を形成す
るため、このような失活を抑制することができる。しかも、励起錯体の励起寿命は比較的
長いため、エネルギー移動効率Φ_ＥＴを高めることとなると考えられる。したがって、素
子の効率だけでなく寿命にも影響すると考えられるホストの一重項励起子の失活を抑制す
ることができ、寿命の長い発光素子を実現することができる。

なお、励起錯体の励起エネルギーは燐光性化合物に十分にエネルギー移動し、励起錯体か
らの発光は素子から実質的に観察されないことが好ましい。したがって、ホストの励起錯
体を介して燐光性化合物にエネルギーを移動して、該燐光性化合物が、燐光を発すること
が好ましい。

また、上述したエネルギー移動の概念からは、第１の有機化合物および第２の有機化合物
の少なくとも一方が蛍光性化合物（すなわち、一重項励起状態から発光や熱失活が起こり
やすい化合物）である場合に有効となる。したがって、第１の有機化合物および第２の有
機化合物の少なくとも一方が蛍光性化合物であることが好ましい。

なお、ホストに用いる有機化合物（第１の有機化合物および／または第２の有機化合物）
に燐光性化合物を用いると、該有機化合物自体が発光しやすくなり、ゲストへのエネルギ
ー移動が妨げられる。この場合、該有機化合物が効率よく発光すればよいが、ホストであ
る該有機化合物は濃度消光の問題が発生するため、高い発光効率を達成するのは困難であ
る。したがって、該有機化合物には、蛍光性化合物を用い、上述の構成によりエネルギー
移動することが好ましい。

なお、上述の効果は第１の有機化合物と第２の有機化合物より励起錯体が形成されること
で初めて得られる。例えば、非特許文献１に記載されている方法では、励起錯体が形成さ
れないため、ゲスト分子を励起する過程は直接再結合過程によるほかなく、発光効率が十
分に高くない。

一般に、励起錯体を発光素子の発光層に用いると、発光色を制御できるなどの利用価値は
あるものの、発光効率は大きく低下するのが常である。したがって、励起錯体を用いた発
光素子は、高効率な発光素子を得るには適さないと従来は考えられてきた。

しかしながら、本発明の一態様で示すように、励起錯体を燐光性化合物へのエネルギー移
動の媒体に用いることで、逆に極限まで発光効率を高めることができることを本発明者等
は見出した。これは、従来の固定概念とは相反する技術思想である。

また、本発明の一態様では、励起錯体の励起エネルギー準位とゲストの励起状態のエネル
ギー準位をほぼ等しくなるように設定し、かつ、ゲストの励起状態への遷移確率を高める
ことにより、よりエネルギー移動過程の確率を高める。その結果、ゲストの濃度を０．１
％以上２．５％以下、好ましくは０．１％以上１．５％以下、より好ましくは０．１％以
上０．５％以下としても十分なエネルギー移動を実現できる。そして、この濃度であれば
濃度消光を抑制することができるため、発光効率を極限まで高めることができる。

本発明の一態様の発光素子を示す図。 実施例１に係る吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 実施例２に係る吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 実施例３に係る発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例３に係る発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例３に係る発光素子の電圧−電流特性を示す図。 実施例３に係る発光素子の輝度−色度特性を示す図。 実施例３に係る発光素子の輝度−電流効率を示す図。 実施例３に係る発光素子の輝度−パワー効率を示す図。 実施例３に係る発光素子の輝度−外部量子効率特性を示す図。 実施例３に係る発光素子の発光スペクトルを示す図。 実施例４に係る発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例４に係る発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例４に係る発光素子の電圧−電流特性を示す図。 実施例４に係る発光素子の輝度−色度特性を示す図。 実施例４に係る発光素子の輝度−電流効率を示す図。 実施例４に係る発光素子の輝度−パワー効率を示す図。 実施例４に係る発光素子の輝度−外部量子効率特性を示す図。 実施例４に係る発光素子の発光スペクトルを示す図。 実施例５に係る発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例５に係る発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例５に係る発光素子の電圧−電流特性を示す図。 実施例５に係る発光素子の輝度−色度特性を示す図。 実施例５に係る発光素子の輝度−電流効率を示す図。 実施例５に係る発光素子の輝度−パワー効率を示す図。 実施例５に係る発光素子の輝度−外部量子効率特性を示す図。 実施例５に係る発光素子の輝度−外部エネルギー効率特性を示す図。 実施例５に係る発光素子の発光スペクトルを示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について説明する。本実施の形態の発光素
子は、発光物質であるゲストと、該ゲストを分散するホストとを発光層に有する。具体的
には、ゲストとして燐光性化合物を用い、ホストとして第１の有機化合物と第２の有機化
合物とを用いる。また、第１の有機化合物及び第２の有機化合物は、励起錯体を形成する
組み合わせである。

なお、本実施の形態において、ホストとして用いる有機化合物のそれぞれの三重項励起エ
ネルギーの準位（Ｔ^＊準位）は、ゲストのＴ^＊準位よりも高いことが好ましい。ホストの
Ｔ^＊準位がゲストのＴ^＊準位よりも低いと、発光に寄与するゲストの三重項励起エネルギ
ーをホストが消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。

なお、上述のように、ゲストのＴ^＊準位を励起錯体のＴ^＊準位とほぼ等しくする場合には
、ゲストのＴ^＊準位は第１の有機化合物（または第２の有機化合物）のＴ^＊準位より低く
なるため、多くの場合、この問題は克服できる。

ホストを構成する第１の有機化合物と第２の有機化合物は励起錯体を形成する。形成され
た励起錯体が発光する場合、その発光波長は、第１の有機化合物と第２の有機化合物のそ
れぞれの発光波長（蛍光波長）に比べて、長波長側に存在する。換言すれば、励起錯体を
形成することで、第１の有機化合物の蛍光スペクトルや第２の有機化合物の蛍光スペクト
ルを、より長波長側に位置する発光スペクトルに変換することができる。

したがって、第１の有機化合物（または第２の有機化合物）の蛍光スペクトルが、たとえ
燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯に比べて短波長側に位置し、該吸収帯との
重なりがなかったとしても、励起錯体を形成することで、その蛍光スペクトルを長波長の
発光スペクトルに変換し、該吸収帯との重なりを大きくすることができる。

本実施の形態の発光素子は、この励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペク
トルとの重なりを利用して、励起錯体から燐光性化合物へのエネルギー移動をするため、
ゲストの濃度が０．１％以上２．５％以下、好ましくは０．１％以上１．５％以下、より
好ましくは０．１％以上０．５％以下であっても、十分なエネルギー移動効率が得られる
。

なお、励起錯体の発光スペクトルとゲストの吸収スペクトルを十分に重ねるためには、発
光スペクトルのピークのエネルギー値と、吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯
のピークのエネルギー値との差が０．３ｅＶ以内であることが好ましい。より好ましくは
０．２ｅＶ以内であり、最も好ましいのは０．１ｅＶ以内である。

本実施の形態の発光素子について図１を用いて説明する。

図１（Ａ）は、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間にＥＬ層１０２を有する発光
素子を示した図である。図１（Ａ）における発光素子は、第１の電極１０１の上に順に積
層した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注
入層１１５と、さらにその上に設けられた第２の電極１０３から構成されている。

第１の電極１０１としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金
、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば
、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素又は
酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タング
ステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。

これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル
法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛膜は、酸化イ
ンジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法
により形成することができる。また、ＩＷＺＯ膜は、酸化インジウムに対し酸化タングス
テンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパ
ッタリング法により形成することができる。

この他、グラフェン、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる
。

但し、ＥＬ層１０２のうち、第１の電極１０１に接して形成される層が、後述する有機化
合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を用いて形成される場合に
は、第１の電極１０１に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、
電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニ
ウム、銀、アルミニウムを含む合金（例えば、Ａｌ−Ｓｉ）等も用いることもできる。

第１の電極１０１は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形
成することができる。

第２の電極１０３は、仕事関数の小さい（好ましくは３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気
伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、
元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカ
リ金属、およびカルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム、およ
びこれらを含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウ
ム等の希土類金属およびこれらを含む合金の他、アルミニウムや銀などを用いることがで
きる。

但し、ＥＬ層１０２のうち、第２の電極１０３に接して形成される層が、後述する有機化
合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いる場合には、仕事関数の大
小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−
酸化スズ等様々な導電性材料を用いることができる。

なお、第２の電極１０３を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いるこ
とができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを
用いることができる。

ＥＬ層１０２は、少なくとも発光層１１３を有する。ＥＬ層１０２の一部には公知の物質
を用いることもでき、低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき
る。なお、ＥＬ層１０２を形成する物質には、有機化合物のみからなるものだけでなく、
無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。

ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他、図１（Ａ）に示すように正孔注入性の高い物質を含
んでなる正孔注入層１１１、正孔輸送性の高い物質を含んでなる正孔輸送層１１２、電子
輸送性の高い物質を含んでなる電子輸送層１１４、電子注入性の高い物質を含んでなる電
子注入層１１５などを適宜組み合わせて積層することにより形成される。

正孔注入層１１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質とし
ては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウ
ム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀
酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。ま
た、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）
等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４
，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル
）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，
６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（
９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：Ｐ
ＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる
。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳ
Ｓ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。

また、正孔注入層１１１として、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合して
なる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に
正孔が発生するため、正孔注入性および正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物
としては、発生した正孔の輸送に優れた材料（正孔輸送性の高い物質）であることが好ま
しい。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ
１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル
−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬ
Ｐ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：
ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：
ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン
（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フ
ェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバ
ゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体
を用いることができる。

また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９
，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（
略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ
−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、
９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，
１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス
［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブ
チル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）
ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）
フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層１１１に用いてもよい。

正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオ
レン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４
’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］
ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに
述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、
電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、
正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。

また、正孔輸送層１１２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導
体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。

また、正孔輸送層１１２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤな
どの高分子化合物を用いることもできる。

発光層１１３は、発光物質を含む層である。本実施の形態の発光層１１３は、ゲストとし
て燐光性化合物を有し、ホストとして第１の有機化合物及び第２の有機化合物を有する。
ホストは、２種以上用いることができる。ホストの総重量（ホストが第１の有機化合物及
び第２の有機化合物の場合はそれらの重量の和）に対して、ゲストの重量の比率は０．１
％以上２．５％以下、好ましくは０．１％以上１．５％以下、より好ましくは０．１％以
上０．５％以下とする。

燐光性化合物としては、有機金属錯体が好ましく、イリジウム錯体が特に好ましい。なお
、上述のフェルスター機構によるエネルギー移動を考慮すると、燐光性化合物の最も長波
長側に位置する吸収帯のモル吸光係数は、２０００Ｍ^−１・ｃｍ^−１以上が好ましく、５
０００Ｍ^−１・ｃｍ^−１以上が特に好ましい。

このような大きなモル吸光係数を有する化合物としては、例えば、ビス（３，５−ジメチ
ル−２−フェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジ
フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ
）］）、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミ
ジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（２
，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）ビス［４−メチル−２−（
３−メチル−４−ピリミジニル−κＮ３）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２−フェ
ニルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｂｑ
−Ｐ）_２（ａｃａｃ）］）などが挙げられる。特に、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）
］のように、モル吸光係数が５０００Ｍ^−１・ｃｍ^−１以上に達する材料を用いると、外
部量子効率が３０％程度に達する発光素子が得られる。

第１の有機化合物及び第２の有機化合物としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢ
ｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニ
ル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（
ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７
ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニ
ル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）のような電子
を受け取りやすい化合物のうちいずれか一と、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、４−フェニル−４
’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡ１ＢＰ）、及び、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）のようなホールを
受け取りやすい化合物のうちいずれか一と、を組み合わせることが好ましい。ただし、こ
れらに限定されることなく、励起錯体を形成できる組み合わせであればよい。

２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、およびこれらを用いる際に燐光性化合物とし
て適切な［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）
］の主な物性値は表１の通りである。

２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢが混合された発光層１１３では、ＬＵＭＯ準位
は、−２．７８ｅＶ、ＨＯＭＯ準位は−５．４６ｅＶとなる。これは、２ｍＤＢＴＰＤＢ
ｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢの励起錯体のＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位と同じである。そして
、燐光性化合物である［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］のＬＵＭＯ準位、ＨＯＭ
Ｏ準位も同じレベルである。

一方、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］のＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位は、ともにこ
れより低いため、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］は電子をトラップしやすいことが
わかる。このため、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］を燐光性化合物に用いた場合に
は、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］を用いた場合より直接再結合過程の確率が
高いことが示唆される。

また、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］も［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］
も三重項励起状態のエネルギー準位（Ｔ^＊準位）は２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩやＰＣＢＮ
ＢＢのＴ^＊準位よりも０．１電子ボルト以上低いので、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄ
ｐｍ）］や［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］が三重項励起状態となった後、その状態
が２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩやＰＣＢＮＢＢの三重項励起状態にエネルギー移動する確率
は小さい。特に［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］では、０．１８電子ボルトも低いの
で、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］はより発光効率が高いことが示唆される。

電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とし
ては、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍ
ｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ
_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチア
ゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体が挙げられる。また、２−（４
−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３
，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリア
ゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフ
ェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡ
Ｚ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）
、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：Ｂｚ
Ｏｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン−
ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）
−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオ
クチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイ
ル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べ
た物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔
よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよ
い。

また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したも
のとしてもよい。

電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、リ
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用
いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることがで
きる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。

あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複
合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が
発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。

この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく
、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族
化合物等）を用いることができる。

電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には
、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグ
ネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金
属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バ
リウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いること
もできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることも
できる。

なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４
、電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗
布法等の方法で形成することができる。

ＥＬ層は、図１（Ｂ）に示すように、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に複数
積層されていても良い。この場合、積層された第１のＥＬ層１０４と第２のＥＬ層１０５
との間には、電荷発生層１０６を設けることが好ましい。電荷発生層１０６は上述の複合
材料で形成することができる。

また、電荷発生層１０６は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよ
い。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質と
を含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。

このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、
材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすること
が容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である
。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。

また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１
のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、３つ以上のＥＬ層を
有する発光素子の場合でも同様である。

ＥＬ層１０２は、図１（Ｃ）に示すように、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間
に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入
バッファー層１１６、電子リレー層１１７、及び第２の電極１０３と接する複合材料層１
１８を有していても良い。

第２の電極１０３と接する複合材料層１１８を設けることで、特にスパッタリング法を用
いて第２の電極１０３を形成する際に、ＥＬ層１０２が受けるダメージを低減することが
できるため、好ましい。複合材料層１１８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にア
クセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。

さらに、電子注入バッファー層１１６を設けることで、複合材料層１１８と電子輸送層１
１４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層１１８で生じた電子を電
子輸送層１１４に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層１１６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層１１６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。

なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこ
れらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチ
ウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化
物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む
））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロ
セン等の有機化合物を用いることもできる。

なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層１１４の材料と同様の材
料を用いて形成することができる。

さらに、電子注入バッファー層１１６と複合材料層１１８との間に、電子リレー層１１７
を形成することが好ましい。電子リレー層１１７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層１１７を設けることで、電子注入バッファー層１１６へ電子を
速やかに送ることが可能となる。

複合材料層１１８と電子注入バッファー層１１６との間に電子リレー層１１７が挟まれた
構造は、複合材料層１１８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層１１
６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。

電子リレー層１１７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭ
Ｏ準位は、複合材料層１１８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送
層１１４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。

また、電子リレー層１１７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層１１８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１４
に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネ
ルギー準位の数値としては、電子リレー層１１７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵ
ＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよ
い。

電子リレー層１１７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層１１７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的には、ＣｕＰｃ、
ＳｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰ
ｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａ
ｌｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａ
ｌｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６
，２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）
のいずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層１１７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）
及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃｏ
ｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層１１７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物
（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土
類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン
（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層１１７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層１１７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層１１８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。

具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３
．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物
質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお
、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層１１７を形成する為に用い
る材料として、好ましい材料である。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が挙
げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］
フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオ
ロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤ
Ｉ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５
’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）、メタ
ノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル）等を用いるこ
とができる。

なお、電子リレー層１１７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層１１７を形成すれば良い。

正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、及び電子輸送層１１４は前述の材
料を用いてそれぞれ形成すれば良い。

以上により、本実施の形態のＥＬ層１０２を作製することができる。

上述した発光素子は、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に生じた電位差により
電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そし
て、この発光は、第１の電極１０１または第２の電極１０３のいずれか一方または両方を
通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１または第２の電極１０３のいずれ
か一方、または両方が可視光に対する透光性を有する電極となる。

なお、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に設けられる層の構成は、上記のもの
に限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第
１の電極１０１及び第２の電極１０３から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領
域を設けた構成であれば上記以外のものでもよい。

つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の
高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性の物質（電子及
び正孔の輸送性の高い物質）、又は正孔ブロック材料等から成る層を、発光層と自由に組
み合わせて構成すればよい。

本実施の形態で示した発光素子を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置や、トランジ
スタによって発光素子の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発光装置を作製する
ことができる。また、該発光装置を電子機器又は照明装置等に適用することができる。

以上のように、本発明の一態様の発光素子を作製することができる。本実施の形態は、他
の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子に適用することができる、第１の有機化合物、
第２の有機化合物、及び燐光性化合物の組み合わせの一例について図２を用いて説明する
。

本実施例で用いる燐光性化合物は、ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）
（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（
ｄｐｍ）］）である。また、本実施例で用いる第１の有機化合物は、２−［３−（ジベン
ゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢ
ＴＰＤＢｑ−ＩＩ）である。また、本実施例で用いる第２の有機化合物は、４、４’−ジ
（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）である。以上の材料の化学式を以下に示す。

＜吸収スペクトル＞
図２（Ａ）および図２（Ｂ）に燐光性化合物である［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ
）］のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（吸収スペクトルＡ）を示す。吸収
スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用い、
ジクロロメタン溶液（０．０９３ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定をおこな
った。

＜発光スペクトル＞
また、同じく図２（Ａ）および図２（Ｂ）に、第１の有機化合物である２ｍＤＢＴＰＤＢ
ｑ−ＩＩの薄膜の発光スペクトル（発光スペクトル１）、第２の有機化合物であるＰＣＢ
ＮＢＢの薄膜の発光スペクトル（発光スペクトル２）、及び２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩと
ＰＣＢＮＢＢの混合材料の薄膜の発光スペクトル（発光スペクトル３）を示す。図２（Ａ
）において、横軸は、波長（ｎｍ）を示し、縦軸は、モル吸光係数ε（Ｍ^−１・ｃｍ^−１
）及び発光強度（任意単位）を示す。図２（Ｂ）において、横軸は、エネルギー（ｅＶ）
を示し、縦軸は、モル吸光係数ε（Ｍ^−１・ｃｍ^−１）及び発光強度（任意単位）を示す
。

図２（Ａ）の吸収スペクトルＡから、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］が、５０
０ｎｍ付近にブロードな吸収帯を有することがわかる。この吸収帯が、発光に強く寄与す
る吸収帯であると考えられる。

発光スペクトル３は、発光スペクトル１、２よりも長波長（低エネルギー）側にピークを
有する。そして、発光スペクトル３のピークは、発光スペクトル１、２のピークに比べて
、該吸収帯と近い位置に存在する。図２（Ａ）および図２（Ｂ）より、吸収スペクトルＡ
の発光に強く寄与する吸収帯と最も重なりが大きい発光スペクトルは、発光スペクトル３
であることがわかった。具体的には、吸収スペクトルＡのピークと発光スペクトル３のピ
ークの差は０．１０ｅＶであった。

２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ及びＰＣＢＮＢＢの混合材料の発光スペクトルは、単体の発光
スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側にピークを有することがわかった。このこと
から、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢを混合することで、励起錯体が形成され
ることが示唆された。

該混合材料の発光スペクトルは、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の吸収スペク
トルにおいて発光に強く寄与すると考えられる吸収帯と重なりが大きいことがわかった。
よって、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢの混合材料をホスト、［Ｉｒ（ｍｐｐ
ｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］をゲストに用いた発光素子は、該混合材料の発光スペクトルと
燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用して、エネルギー移動をするため、エネ
ルギー移動効率が高いことが示唆された。したがって、外部量子効率が高い発光素子を得
られることが示唆された。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子に適用することができる、第１の有機化合物、
第２の有機化合物、及び燐光性化合物の組み合わせの一例について図３を用いて説明する
。

本実施例で用いる燐光性化合物は、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピ
リミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）であ
る。また、本実施例で用いる第１の有機化合物は、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩである。ま
た、本実施例で用いる第２の有機化合物は、ＰＣＢＮＢＢである。本実施例で用いた材料
の化学式を以下に示す。なお、実施例１で示した材料の化学式は省略する。

＜吸収スペクトル＞
図３（Ａ）および図３（Ｂ）に燐光性化合物である［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］
のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（吸収スペクトルＢ）を示す。吸収スペ
クトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用い、ジク
ロロメタン溶液（０．０９３ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定をおこなった
。

＜発光スペクトル＞
また、同じく図３（Ａ）および図３（Ｂ）に、第１の有機化合物である２ｍＤＢＴＰＤＢ
ｑ−ＩＩの薄膜の発光スペクトル（発光スペクトル４）、第２の有機化合物であるＰＣＢ
ＮＢＢの薄膜の発光スペクトル（発光スペクトル５）、及び２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩと
ＰＣＢＮＢＢの混合材料の薄膜の発光スペクトル（発光スペクトル６）を示す。図３（Ａ
）において、横軸は、波長（ｎｍ）を示し、縦軸は、モル吸光係数ε（Ｍ^−１・ｃｍ^−１
）及び発光強度（任意単位）を示す。図３（Ｂ）において、横軸は、エネルギー（ｅＶ）
を示し、縦軸は、モル吸光係数ε（Ｍ^−１・ｃｍ^−１）及び発光強度（任意単位）を示す
。

図３（Ａ）の吸収スペクトルＢから、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］が、５２０ｎ
ｍ付近にブロードな吸収帯を有することがわかる。この吸収帯が、発光に強く寄与する吸
収帯であると考えられる。

発光スペクトル６は、発光スペクトル４、５よりも長波長（低エネルギー）側にピークを
有する。そして、発光スペクトル６のピークは、発光スペクトル４、５のピークに比べて
、該吸収帯と近い位置に存在する。図３（Ａ）および図３（Ｂ）より、吸収スペクトルＢ
の発光に強く寄与する吸収帯と最も重なりが大きい発光スペクトルは、発光スペクトル６
であることがわかった。具体的には、吸収スペクトルＢのピークと発光スペクトル６のピ
ークの差は０．０２ｅＶであった。

２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ及びＰＣＢＮＢＢの混合材料の発光スペクトルは、単体の発光
スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側にピークを有することがわかった。このこと
から、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢを混合することで、励起錯体が形成され
ることが示唆された。

該混合材料の発光スペクトルのピークは、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］の吸収ス
ペクトルにおいて発光に強く寄与すると考えられる吸収帯と重なりが大きいことがわかっ
た。また、モル吸光係数も５０００Ｍ^−１・ｃｍ^−１以上である。よって、２ｍＤＢＴＰ
ＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢの混合材料をホスト、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］
をゲストに用いた発光素子は、該混合材料の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペク
トルとの重なりを利用して、エネルギー移動をするため、エネルギー移動効率が高いこと
が示唆された。さらに、ゲストの濃度が低くても十分にエネルギー移動することが期待で
きる。

本実施例では、燐光性化合物である有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス［４−（
２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト）］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）をゲストとして用いた発光素子において、ゲストの
濃度を増減させて、特性を調べた。［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］の構造を以下
に示す。

また、本実施例で用いる第１の有機化合物は、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩである。また、
本実施例で用いる第２の有機化合物は、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）である。なお、２
ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＡ１ＢＰの組み合わせは、実施例１の２ｍＤＢＴＰＤＢ
ｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢの組み合わせと同様、励起錯体を形成し、その発光スペクトルの
位置も実施例１と概ね同じである。

本実施例では、それぞれゲストの濃度が異なる発光素子１、発光素子２、発光素子３を作
製し、その特性を比較した。発光素子１、発光素子２、発光素子３の構造は図１（Ａ）に
示すものである。本実施例で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。ただし、既に示し
たものは除く。

まず、陽極として機能する第１の電極１０１として１１０ｎｍの膜厚でケイ素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）が成膜されたガラス基板を用意した。ＩＴＳＯ表面は、２ｍ
ｍ角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は２ｍｍ×２ｍ
ｍとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し
、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置内の加熱室において１７０
℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。次に、ＩＴＳＯが形成
された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内の蒸着室に設けられたホルダーに固
定した。

蒸着室を１０^−４Ｐａに減圧した後、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル
）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＤＢＴ３Ｐ−
ＩＩ：酸化モリブデン＝４：２（重量比）となるように共蒸着することにより、正孔注入
層１１１を形成した。膜厚は４０ｎｍとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそ
れぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。

続いて、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍ蒸着することにより正孔輸送層１１２を形成した。

さらに、正孔輸送層１１２上に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＡ１ＢＰと、［Ｉ
ｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：［
Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：ｘ（重量比）となるように４０
ｎｍ共蒸着することによって発光層１１３を形成した。ここで、発光素子１ではｘ＝０．
０１、発光素子２ではｘ＝０．０２５、発光素子３ではｘ＝０．０５とした。

次に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを１０ｎｍ、続いてバソフェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）を２０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１４を形成した。すなわち、本実
施例では電子輸送層１１４は厚さ１０ｎｍの２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩの第１の電子輸送
層と、厚さ２０ｎｍのＢＰｈｅｎの第２の電子輸送層よりなる。

さらに電子輸送層１１４上にフッ化リチウムを１ｎｍとなるように蒸着することによって
電子注入層１１５を形成した。以上でＥＬ層１０２が形成された。上述した蒸着過程にお
いては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

最後に、陰極として機能する第２の電極１０３としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、
発光素子を完成させた。発光素子の積層構造を表２に示す。なお、表中、ｘは、発光素子
１では０．０１、発光素子２では０．０２５、発光素子３では０．０５である。

以上により得られた発光素子（発光素子１乃至発光素子３）を、窒素雰囲気のグローブボ
ックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業（封止時に８０℃に
て１時間熱処理）を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお
、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子１乃至発光素子３の電流密度−輝度特性を図４に示す。図４では縦軸が輝度（ｃ
ｄ／ｍ^２）、横軸が電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を示す。また、発光素子１乃至発光素子３
の電圧−輝度特性を図５に示す。図５では縦軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）、横軸が電圧（Ｖ）
を示す。発光素子１乃至発光素子３の電圧−電流特性を図６に示す。図６では縦軸が電流
（ｍＡ）、横軸が電圧（Ｖ）を示す。発光素子１乃至発光素子３の色度−輝度特性を図７
に示す。図７では縦軸が色度、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。

発光素子１乃至発光素子３の電流効率−輝度特性を図８に示す。図８では縦軸が電流効率
（ｃｄ／Ａ）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子１乃至発光素子３のパワー効
率−輝度特性を図９に示す。図９では縦軸がパワー効率（ｌｍ／Ｗ）、横軸が輝度（ｃｄ
／ｍ^２）を示す。発光素子１乃至発光素子３の外部量子効率−輝度特性を図１０に示す。
図１０では縦軸が外部量子効率（％）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子１乃
至発光素子３の発光スペクトルを図１１に示す。図１１では縦軸が発光強度（任意単位）
、横軸が波長（ｎｍ）を示す。

なお、図４乃至図１１において、ＬＥ１は発光素子１を、ＬＥ２は発光素子２を、ＬＥ３
は発光素子３を示す。

図４乃至図１１より、ゲストの濃度の低い発光素子１が発光素子２や発光素子３よりも発
光効率が高いことがわかる。表３に発光素子１乃至発光素子３の主な特性を示す。表３に
おいて、ＬＥ１は発光素子１を、ＬＥ２は発光素子２を、ＬＥ３は発光素子３を示す。表
３からわかるように、ホストの総重量に対するゲストの重量比を１％とした発光素子１で
あっても、よりゲストの重量比の高い発光素子２や発光素子３より優れた特性が得られる
ことがわかった。

本実施例では、燐光性化合物である有機金属錯体、（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）ビス［４−メチル−２−（３−メチル−４−ピリミジニル−
κＮ３）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄ
ｉｂｍ）］）をゲストとして用いた発光素子において、ゲストの濃度を増減させて、特性
を調べた。［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］の構造を以下に示す。

また、本実施例で用いる第１の有機化合物は、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩである。また、
本実施例で用いる第２の有機化合物は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）である。ＮＰＢの構造式を以下に示す。なお
、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＮＰＢの組み合わせは、実施例１と同様、励起錯体を形成
し、その発光スペクトルの位置も実施例１と概ね同じである。

本実施例では、それぞれゲストの濃度が異なる発光素子４、発光素子５、発光素子６を作
製し、その特性を比較した。発光素子４、発光素子５、発光素子６の構造は図１（Ａ）に
示すものである。

まず、陽極として機能する第１の電極１０１として１１０ｎｍの膜厚でケイ素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）が成膜されたガラス基板を用意した。ＩＴＳＯ表面は、２ｍ
ｍ角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は２ｍｍ×２ｍ
ｍとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し
、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置内の加熱室において１７０
℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。次に、ＩＴＳＯが形成
された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内の蒸着室に設けられたホルダーに固
定した。

蒸着室を１０^−４Ｐａに減圧した後、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデン（ＶＩ）とを、
ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝４：２（重量比）となるように共蒸着することによ
り、正孔注入層１１１を形成した。膜厚は４０ｎｍとした。

続いて、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍ蒸着することにより正孔輸送層１１２を形成した。

さらに、正孔輸送層１１２上に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＮＰＢと、［Ｉｒ（５ｍｄ
ｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］を、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＮＰＢ：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐ
ｍ）_２（ｄｉｂｍ）］＝０．８：０．２：ｘ（重量比）となるように４０ｎｍ共蒸着する
ことによって発光層１１３を形成した。ここで、発光素子４ではｘ＝０．０１、発光素子
５ではｘ＝０．０２５、発光素子６ではｘ＝０．０５とした。

次に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを１０ｎｍ、続いてＢＰｈｅｎを２０ｎｍ蒸着すること
により、電子輸送層１１４を形成した。さらに電子輸送層１１４上にフッ化リチウムを１
ｎｍとなるように蒸着することによって電子注入層１１５を形成した。以上でＥＬ層１０
２が形成された。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

最後に、陰極として機能する第２の電極１０３としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、
発光素子を完成させた。発光素子の積層構造を表４に示す。なお、表中、ｘは、発光素子
４では０．０１、発光素子５では０．０２５、発光素子６では０．０５である。

以上により得られた発光素子（発光素子４乃至発光素子６）を、窒素雰囲気のグローブボ
ックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業（封止時に８０℃に
て１時間熱処理）を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお
、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子４乃至発光素子６の電流密度−輝度特性を図１２に示す。図１２では縦軸が輝度
（ｃｄ／ｍ^２）、横軸が電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を示す。また、発光素子４乃至発光素
子６の電圧−輝度特性を図１３に示す。図１３では縦軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）、横軸が電
圧（Ｖ）を示す。発光素子４乃至発光素子６の電圧−電流特性を図１４に示す。図１４で
は縦軸が電流（ｍＡ）、横軸が電圧（Ｖ）を示す。発光素子４乃至発光素子６の色度−輝
度特性を図１５に示す。図１５では縦軸が色度、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。

発光素子４乃至発光素子６の電流効率−輝度特性を図１６に示す。図１６では縦軸が電流
効率（ｃｄ／Ａ）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子４乃至発光素子６のパワ
ー効率−輝度特性を図１７に示す。図１７では縦軸がパワー効率（ｌｍ／Ｗ）、横軸が輝
度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子４乃至発光素子６の外部量子効率−輝度特性を図１８
に示す。図１８では縦軸が外部量子効率（％）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光
素子４乃至発光素子６の発光スペクトルを図１９に示す。図１９では縦軸が発光強度（任
意単位）、横軸が波長（ｎｍ）を示す。

なお、図１２乃至図１９において、ＬＥ４は発光素子４を、ＬＥ５は発光素子５を、ＬＥ
６は発光素子６を示す。

図１２乃至図１９より、ゲストの濃度の低い発光素子４が発光素子５や発光素子６よりも
発光効率が高いことがわかる。表５に発光素子４乃至発光素子６の主な特性を示す。なお
、表５において、ＬＥ４は発光素子４を、ＬＥ５は発光素子５を、ＬＥ６は発光素子６を
示す。表５からわかるように、ホストの総重量に対するゲストの重量比を１％とした発光
素子４であっても、よりゲストの重量比の高い発光素子５や発光素子６より優れた特性が
得られることがわかった。

本実施例では、燐光性化合物である有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２−フ
ェニルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｂ
ｑ−Ｐ）_２（ａｃａｃ）］）をゲストとして用いた発光素子において、ゲストの濃度を増
減させて、特性を調べた。［Ｉｒ（ｄｂｑ−Ｐ）_２（ａｃａｃ）］の構造を以下に示す。

また、本実施例で用いる第１の有機化合物は、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩである。また、
本実施例で用いる第２の有機化合物は、ＮＰＢである。なお、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ
とＮＰＢの組み合わせは、実施例１（２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＰＣＢＮＢＢの組み合
わせ）と同様、励起錯体を形成し、その発光スペクトルの位置も実施例１と概ね同等であ
る。

本実施例では、それぞれゲストの濃度が異なる発光素子７、発光素子８、発光素子９を作
製し、その特性を比較した。発光素子７、発光素子８、発光素子９の構造は図１（Ａ）に
示すものである。

まず、陽極として機能する第１の電極１０１として１１０ｎｍの膜厚でケイ素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）が成膜されたガラス基板を用意した。ＩＴＳＯ表面は、２ｍ
ｍ角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は２ｍｍ×２ｍ
ｍとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し
、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置の加熱室において１７０℃
で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。次に、ＩＴＳＯが形成さ
れた面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内の蒸着室に設けられたホルダーに固定
した。

蒸着室を１０^−４Ｐａに減圧した後、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデン（ＶＩ）とを、
ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝４：２（重量比）となるように共蒸着することによ
り、正孔注入層１１１を形成した。膜厚は４０ｎｍとした。

続いて、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍ蒸着することにより正孔輸送層１１２を形成した。

さらに、正孔輸送層１１２上に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩとＮＰＢと、［Ｉｒ（ｄｂｑ
−Ｐ）_２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＮＰＢ：［Ｉｒ（ｄｂｑ−Ｐ）
_２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：ｘ（重量比）となるように４０ｎｍ共蒸着すること
によって発光層１１３を形成した。ここで、発光素子７ではｘ＝０．０１、発光素子８で
はｘ＝０．０２５、発光素子９ではｘ＝０．０５とした。

次に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを１０ｎｍ、続いてＢＰｈｅｎを２０ｎｍ蒸着すること
により、電子輸送層１１４を形成した。さらに電子輸送層１１４上にフッ化リチウムを１
ｎｍとなるように蒸着することによって電子注入層１１５を形成した。以上でＥＬ層１０
２が形成された。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

最後に、陰極として機能する第２の電極１０３としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜し、
発光素子を完成させた。発光素子の積層構造を表６に示す。なお、表中、ｘは、発光素子
７では０．０１、発光素子８では０．０２５、発光素子９では０．０５である。

以上により得られた発光素子（発光素子７乃至発光素子９）を、窒素雰囲気のグローブボ
ックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業（封止時に８０℃に
て１時間熱処理）を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお
、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子７乃至発光素子９の電流密度−輝度特性を図２０に示す。図２０では縦軸が輝度
（ｃｄ／ｍ^２）、横軸が電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を示す。また、発光素子７乃至発光素
子９の電圧−輝度特性を図２１に示す。図２１では縦軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）、横軸が電
圧（Ｖ）を示す。発光素子７乃至発光素子９の電圧−電流特性を図２２に示す。図２２で
は縦軸が電流（ｍＡ）、横軸が電圧（Ｖ）を示す。発光素子７乃至発光素子９の色度−輝
度特性を図２３に示す。図２３では縦軸が色度、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。

発光素子７乃至発光素子９の電流効率−輝度特性を図２４に示す。図２４では縦軸が電流
効率（ｃｄ／Ａ）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子７乃至発光素子９のパワ
ー効率−輝度特性を図２５に示す。図２５では縦軸がパワー効率（ｌｍ／Ｗ）、横軸が輝
度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子７乃至発光素子９の外部量子効率−輝度特性を図２６
に示す。図２６では縦軸が外部量子効率（％）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光
素子７乃至発光素子９の外部エネルギー効率−輝度特性を図２７に示す。図２７では縦軸
が外部エネルギー効率（％）、横軸が輝度（ｃｄ／ｍ^２）を示す。発光素子７乃至発光素
子９の発光スペクトルを図２８に示す。図２８では縦軸が発光強度（任意単位）、横軸が
波長（ｎｍ）を示す。

なお、図２０乃至図２８において、ＬＥ７は発光素子７を、ＬＥ８は発光素子８を、ＬＥ
９は発光素子９を示す。

図２０乃至図２８より、ゲストの濃度の低い発光素子７が発光素子８や発光素子９よりも
発光効率が高いことがわかる。表７に発光素子７乃至発光素子９の主な特性を示す。なお
、表７において、ＬＥ７は発光素子７を、ＬＥ８は発光素子８を、ＬＥ９は発光素子９を
示す。表７からわかるように、ホストの総重量に対するゲストの重量比を１％とした発光
素子７であっても、よりゲストの重量比の高い発光素子８や発光素子９より優れた特性が
得られることがわかった。

１０１ 第１の電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 第２の電極
１０４ 第１のＥＬ層
１０５ 第２のＥＬ層
１０６ 電荷発生層
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電子注入バッファー層
１１７ 電子リレー層
１１８ 複合材料層

Claims (5)

1. 一対の電極間に、発光層を有し、
   前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含み、
   前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークは、前記第１の有機化合物の発光スペクトルのピーク及び前記第２の有機化合物の発光スペクトルのピークに比べて、前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯と近い位置にあり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．２ｅＶ以内である、発光素子。
2. 一対の電極間に、発光層を有し、
   前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含み、
   前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークは、前記第１の有機化合物の発光スペクトルのピーク及び前記第２の有機化合物の発光スペクトルのピークに比べて、前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯と近い位置にあり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．１ｅＶ以内である、発光素子。
3. 一対の電極間に、発光層を有し、
   前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含み、
   前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークは、前記第１の有機化合物の発光スペクトルのピーク及び前記第２の有機化合物の発光スペクトルのピークに比べて、前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯のピークと近い位置にあり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．２ｅＶ以内である、発光素子。
4. 一対の電極間に、発光層を有し、
   前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含み、
   前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークは、前記第１の有機化合物の発光スペクトルのピーク及び前記第２の有機化合物の発光スペクトルのピークに比べて、前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯のピークと近い位置にあり、
   前記励起錯体の発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．１ｅＶ以内である、発光素子。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物の重量の和に対する前記燐光性化合物の重量の比率が、０．１％以上２．５％以下である、発光素子。

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