JP2007284434A

JP2007284434A - キノキサリン誘導体、およびキノキサリン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器

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Publication number: JP2007284434A
Application number: JP2007073638A
Authority: JP
Inventors: Masakazu Egawa; 昌和江川; Sachiko Kawakami; 祥子川上; Harue Nakajima; 晴恵中島; Nobuharu Osawa; 信晴大澤; Tetsushi Seo; 哲史瀬尾; Ryoji Nomura; 亮二野村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2006-03-21
Filing date: 2007-03-20
Publication date: 2007-11-01
Anticipated expiration: 2027-03-20
Also published as: JP5063155B2

Abstract

【課題】新規なバイポーラ性の有機化合物を提供することを目的とする。特に、熱的安定性に優れたバイポーラ性の有機化合物を提供することを目的とする。また、電気化学的に安定なバイポーラ性の有機化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体を提供する。また、一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体はバイポーラ性を有しているため、発光素子に用いることで、駆動電圧が低く、消費電力の小さい発光素子および発光装置を得ることができる。また、発光効率の高い発光素子を得ることができる。
【化１】

【選択図】なし

Description

本発明は、キノキサリン誘導体、およびキノキサリン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器に関する。

有機化合物は無機化合物に比べて、多様な構造をとることが可能であり、適切な分子設計により様々な機能を有する材料を与える可能性がある。これらの利点から、近年、機能性有機材料を用いたフォトエレクトロニクスやエレクトロニクスに注目が集まっている。

例えば、有機化合物を機能性材料として用いたエレクトロニクスデバイスの例として、太陽電池や発光素子、有機トランジスタ等が挙げられる。これらは有機化合物の電気物性および光物性を利用したデバイスであり、特に発光素子はめざましい発展を見せている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が発光層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光すると考えられている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

このような発光素子は有機材料に依存した問題が多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。

発光素子の最も基本的な構造としては、正孔輸送性の有機化合物からなる正孔輸送層と、電子輸送性の有機化合物からなる電子輸送性発光層を積層させた合計約１００ｎｍ程度の薄膜を電極で挟んだ構造が知られている（例えば、非特許文献１参照）。

非特許文献１に記載されている発光素子に電圧を印加すると、発光性および電子輸送性を有する有機化合物からの発光を得ることができる。

また、非特許文献１に記載されている発光素子は、正孔の輸送は正孔輸送層が行い、電子の輸送および発光は電子輸送層が行うという、機能分離が適切に行われている。しかし、積層した層の界面では、様々な相互作用（例えば、エキサイプレックスの形成等）が生じ、その結果、発光スペクトルの変化や発光効率の低下が生じる場合がある。

界面での相互作用に起因した発光スペクトルの変化や発光効率の低下を抑制するため、さらに機能分離した発光素子が考えられた。例えば、正孔輸送層と電子輸送層との間に発光層を挟む構造の発光素子が提案されている（例えば、非特許文献２参照）。

非特許文献２に記載されているような発光素子において、界面で生じる相互作用をより効果的に抑制するには、電子輸送性および正孔輸送性の両方を有するバイポーラ性の有機化合物を用いて発光層を形成することが好ましい。

しかしながら、有機化合物の多くは正孔輸送性または電子輸送性に偏ったモノポーラ性の材料である。

したがって、電子輸送性および正孔輸送性の両方を有するバイポーラ性の有機化合物の開発が求められている。

特許文献１では、バイポーラ性のキノキサリン誘導体について記載されている。しかしながら、熱的安定性等の特性は未だ十分ではなく、より熱的安定性の高いバイポーラ性の有機化合物の開発が求められている。
Ｃ．Ｗ．タン、外１名、アプライドフィジクスレターズ、ｖｏｌ．５１、Ｎｏ．１２、９１３−９１５（１９８７）チハヤアダチ、外３名、ジャパニーズジャーナルオブアプライドフィジクス、ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．２、Ｌ２６９−Ｌ２７１（１９８８）国際公開第２００４／０９４３８９号パンフレット

上記問題を鑑み、本発明は、新規なバイポーラ性の有機化合物を提供することを目的とする。特に、熱的安定性に優れたバイポーラ性の有機化合物を提供することを目的とする。また、電気化学的に安定なバイポーラ性の有機化合物を提供することを目的とする。

また、本発明のバイポーラ性の有機化合物を用いることで、駆動電圧が低く、消費電力の小さい発光素子および発光装置を提供することを目的とする。また、本発明のバイポーラ性の有機化合物を用いることで、長寿命な発光素子および発光装置を提供することを目的とする。

また、本発明のバイポーラ性の有機化合物を用いることで、消費電力が小さく、熱的安定性が高く、長寿命な電子機器を提供することを目的とする。

本発明の一は、一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（１−１）〜一般式（１−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（１−１）〜一般式（１−３）において、βは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ^３〜Ａｒ^４は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（２）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（２−１）〜一般式（２−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（２−１）〜一般式（２−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（３）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（３−１）〜一般式（３−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（３−１）〜一般式（３−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（４）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（４−１）〜一般式（４−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（４−１）〜一般式（４−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（５）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（５−１）〜一般式（５−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（５−１）〜一般式（５−３）において、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（６−１）〜一般式（６−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（６−１）〜一般式（６−３）において、βは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ^３〜Ａｒ^４は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（７）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（７−１）〜一般式（７−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（７−１）〜一般式（７−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（８）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（８−１）〜一般式（８−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（８−１）〜一般式（８−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（９）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（９−１）〜一般式（９−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（９−１）〜一般式（９−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、一般式（１０）で表されるキノキサリン誘導体である。

（式中、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（１０−１）〜一般式（１０−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（１０−１）〜一般式（１０−３）において、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）

また、本発明の一は、上記キノキサリン誘導体を用いた発光素子である。具体的には、一対の電極間に上述したキノキサリン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は上述したキノキサリン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は上述したキノキサリン誘導体と蛍光を発光する物質を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は上述したキノキサリン誘導体と燐光を発光する物質を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の発光装置は、一対の電極間に発光物質を含む層を有し、発光物質を含む層に上記のキノキサリン誘導体を含む発光素子を有することを特徴とする。またさらに、発光素子の発光を制御する制御手段を有することを特徴とする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュールを含む。また本明細書中における発光装置は、発光素子にＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも含むものとする。

また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。

本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であり、電子輸送性および正孔輸送性の双方に優れている。また、本発明のキノキサリン誘導体はガラス転移温度が高く、優れた熱的安定性を有する。また、本発明のキノキサリン誘導体は、電気化学的な酸化や還元に対して安定である。

さらに、本発明のキノキサリン誘導体はバイポーラ性を有しているため、発光素子に用いることで、駆動電圧が低く、消費電力の小さい発光素子および発光装置を得ることができる。また、発光効率の高い発光素子を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は高いガラス転移温度を有するため、発光素子に用いることで、熱的安定性の高い発光素子および発光装置を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は電気化学的な酸化や還元に対して安定であるため、発光素子に用いることで、長寿命な発光素子および発光装置を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体を用いることで、消費電力が小さく、熱的安定性が高く、長寿命な電子機器を得ることができる。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明のキノキサリン誘導体について説明する。

本発明のキノキサリン誘導体は、一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体である。

一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（２）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

より好ましくは、一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（３）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

さらに好ましくは、一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（４）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

さらに好ましくは、一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（５）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体である。

一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（７）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

より好ましくは、一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（８）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

さらに好ましくは、一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（９）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

さらに好ましくは、一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体のうち、一般式（１０）で表されるキノキサリン誘導体であることが好ましい。

上記一般式（１）〜一般式（３）および一般式（６）〜一般式（８）において、Ａｒ^１、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。具体的には、構造式（１１−１）〜構造式（１１−６）に示す置換基が挙げられる。

上記一般式（１）〜一般式（２）および一般式（６）〜一般式（７）において、α、β、γは、それぞれ、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。具体的には、構造式（１２―１）〜構造式（１２−６）に示す置換基が挙げられる。

上記一般式（１）〜一般式（１０）において、Ｒ^１〜Ｒ^５、Ｒ^３１、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。具体的には、構造式（１３−１）〜構造式（１３−１０）に示す置換基が挙げられる。

また、上記一般式（２）〜一般式（５）および一般式（７）〜一般式（１０）において、Ｒ^６〜Ｒ^１０、Ｒ^１１〜Ｒ^２４、Ｒ^３２〜Ｒ^３６、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。具体的には、構造式（１４−１）〜構造式（１４−９）に示す置換基が挙げられる。

一般式（１）および一般式（５）で表されるキノキサリン誘導体の具体例としては、構造式（２１）〜（３６６）で表されるキノキサリン誘導体を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。

本発明のキノキサリン誘導体の合成には、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記の反応スキーム（Ａ−１）〜（Ａ−２）および（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）に示す反応によって製造することができる。

まず、カルバゾールを骨格に含む化合物（化合物Ａ）と、Ｎ−ブロモコハク酸イミド（ＮＢＳ）、Ｎ−ヨードコハク酸イミド（ＮＩＳ）、臭素（Ｂｒ_２）、ヨウ化カリウム（ＫＩ）、ヨウ素（Ｉ_２）等のハロゲンまたはハロゲン化物とを反応させ、３−ハロゲン化カルバゾールを骨格に含む化合物（化合物Ｂ）を合成した後、さらにパラジウム触媒（Ｐｄ触媒）などの金属触媒を用いたアリールアミンとのカップリング反応を行うことによって化合物Ｃを得る。合成スキーム（Ａ−１）において、ハロゲン元素（Ｘ）は、ヨウ素又は臭素であることが好ましい。また、Ｒ^３１は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。また、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。

まず、カルバゾールを骨格に含む化合物（化合物Ｄ）と芳香族化合物のジハロゲン化物とを反応させて、Ｎ−（ハロゲン化アリール）カルバゾールを骨格に含む化合物（化合物Ｅ）を合成した後、さらにパラジウムなどの金属触媒を用いてアリールアミンとのカップリング反応を行うことによって化合物Ｆを与える。合成スキーム（Ａ−２）において、芳香族化合物のジハロゲン化物のハロゲン元素（Ｘ_１、Ｘ_２）は、ヨウ素又は臭素であることが好ましい。また、Ｘ^１とＸ^２とは、同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。また、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。

合成スキーム（Ｂ−１）に示す反応により、本発明のキノキサリン誘導体を合成することができる。合成スキーム（Ｂ−１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、βは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、それぞれ、炭素数６〜２６のアリール基を表す。また、Ｘ^１は、ハロゲン元素を表す。Ｘ^１は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。

合成スキーム（Ａ−１）で合成した化合物Ｃから、合成スキーム（Ｂ−２）に示す反応により、本発明のキノキサリン誘導体を合成することができる。合成スキーム（Ｂ−２）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。また、Ｘ^１は、ハロゲン元素を表す。Ｘ^１は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。

合成スキーム（Ａ−２）で合成した化合物Ｆから、合成スキーム（Ｂ−３）に示す反応により、本発明のキノキサリン誘導体を合成することができる。合成スキーム（Ｂ−３）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。また、Ｘ^１は、ハロゲン元素を表す。Ｘ^１は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。

また、合成スキーム（Ｂ−４）に示す反応により、本発明のキノキサリン誘導体を合成することができる。合成スキーム（Ｂ−４）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、βは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、それぞれ、炭素数６〜２６のアリール基を表す。また、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ、ハロゲン元素を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。

合成スキーム（Ａ−１）で合成した化合物Ｃから、合成スキーム（Ｂ−５）に示す反応により、本発明のキノキサリン誘導体を合成することができる。合成スキーム（Ｂ−５）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。また、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ、ハロゲン元素を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。

合成スキーム（Ａ−２）で合成した化合物Ｆから、合成スキーム（Ｂ−６）に示す反応により、本発明のキノキサリン誘導体を合成することができる。合成スキーム（Ｂ−６）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。また、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ、ハロゲン元素を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。

なお、合成スキーム（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）において、一般式（１−１ａ）で表される化合物は、一般式（１）におけるＡが一般式（１−１）である場合に対応し、一般式（１−２ａ）で表される化合物は、上述した一般式（１）におけるＡが一般式（１−２）である場合に対応し、一般式（１−３ａ）で表される化合物は、上述した一般式（１）におけるＡが一般式（１−３）である場合に対応する。また、一般式（６−１ａ）で表される化合物は、上述した一般式（６）におけるＡが一般式（６−１）である場合に対応し、一般式（６−２ａ）で表される化合物は、一般式（６）におけるＡが一般式（６−２）である場合に対応し、一般式（６−３ａ）で表される化合物は、上述した一般式（６）におけるＡが一般式（６−３）である場合に対応する。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であり、電子輸送性および正孔輸送性の双方に優れている。よって、本発明のキノキサリン誘導体をエレクトロニクスデバイスに用いることにより、良好な電気特性を得ることができる。また、本発明のキノキサリン誘導体はガラス転移温度が高く、熱的安定性に優れているため、本発明のキノキサリン誘導体をエレクトロニクスデバイスに用いることにより、熱的安定性に優れたエレクトロニクスデバイスを得ることができる。また、本発明のキノキサリン誘導体は繰り返しの電気化学的な酸化−還元サイクルに対して安定であるため、本発明のキノキサリン誘導体をエレクトロニクスデバイスに用いることにより、長寿命なエレクトロニクスデバイスを得ることができる。

（実施の形態２）
本発明のキノキサリン誘導体を用いた発光素子の一態様について図１（Ａ）を用いて以下に説明する。

本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有している。当該複数の層は、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を積層することによって作製される。これらの層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように積層されており、このことはすなわち、電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、積層されたものである。

本形態において、発光素子は、第１の電極１０２と、第１の電極１０２の上に順に積層した第１の層１０３、第２の層１０４、第３の層１０５、第４の層１０６と、さらにその上に設けられた第２の電極１０７とから構成されている。なお、本形態では第１の電極１０２は陽極として機能し、第２の電極１０７は陰極として機能するものとして以下説明をする。

基板１０１は発光素子の支持体として用いられる。基板１０１としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０２としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン：ＴｉＮ）等を使用することもできる。

第１の層１０３は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても第１の層１０３を形成することができる。

また、第１の層１０３として、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いることができる。特に、有機化合物と、有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料は、優れた正孔注入性、正孔輸送性を有する。これは、有機化合物と無機化合物との間で電子移動が生じてキャリア密度が増大するためである。

また、第１の層１０３として有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いた場合、第１の電極１０２とオーム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず第１の電極を形成する材料を選ぶことができる。

複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好ましい。特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、かつ炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

第２の層１０４を形成する物質としては、正孔輸送性の高い物質、具体的には、芳香族アミン（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物であることが好ましい。広く用いられている材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下、ＮＰＢと記す）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、第２の層１０４は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであってもよい。

第３の層１０５は、発光性の物質を含む層である。本実施の形態では、第３の層１０５は実施の形態１で示した本発明のキノキサリン誘導体を含む。本発明のキノキサリン誘導体は、青〜緑色の発光を示すため、発光性物質として発光素子に好適に用いることができる。

第４の層１０６は、電子輸送性の高い物質を用いることができる。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

第２の電極１０７を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユ−ロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０７と第４の層１０６との間に、電子注入を促す機能を有する層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素を含むＩＴＯ等様々な導電性材料を第２の電極１０７として用いることができる。

なお、電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極１０７からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

また、第１の層１０３、第２の層１０４、第３の層１０５、第４の層１０６の形成方法は、蒸着法や、インクジェット法、スピンコート法などの種々の方法を用いることができる。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０７との間に電圧を加えることにより電流が流れる。そして、発光性の高い物質を含む層である第３の層１０５において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり第３の層１０５に発光領域が形成されるような構成となっている。

発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０７のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０７のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図１（Ａ）に示すように、光は第１の電極１０２を通って基板側から取り出される。また、第２の電極１０７のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図１（Ｂ）に示すように、光は第２の電極１０７を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０７がいずれも透光性を有する物質からなるものである場合、図１（Ｃ）に示すように、光は第１の電極１０２および第２の電極１０７を通って、基板側および基板側と逆側の両方から取り出される。

なお第１の電極１０２と第２の電極１０７との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。第１の電極１０２および第２の電極１０７から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば、上記以外のものでもよい。このような素子構造を採用することで、発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を効果的に抑制することができる。

つまり、層の積層構造については特に限定されない。電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質、正孔ブロック材料を本発明で開示されるキノキサリン誘導体と自由に組み合わせればよい。

図２に示す発光素子は、陰極として機能する第１の電極３０２の上に電子輸送性の高い物質からなる第１の層３０３、発光性物質を含む第２の層３０４、正孔輸送性の高い物質からなる第３の層３０５、正孔注入性の高い物質からなる第４の層３０６、陽極として機能する第２の電極３０７とが順に積層された構成となっている。なお、３０１は基板である。

本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブ型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、ＴＦＴと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。このプロセスにより、ＴＦＴによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。スタガ型のＴＦＴでもよいし逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、若しくはＮ型またはＰ型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。

本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性を有し、また発光性を有する材料である。このため、本実施の形態に示すように、他の発光性物質を含有することなく発光層として用いることが可能である。

また、バイポーラ性であるため、積層した膜の界面に発光領域が偏りにくい。従って、駆動中、エキサイプレックスの生成などに起因する発光スペクトル変化や発光効率変化がほとんどない、良好な特性を有する発光素子を作製できる。また、発光効率の高い発光素子を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体を用いた膜では微結晶成分がほとんど生成しないので、質のよい膜を形成することができる。このため、電界集中による絶縁破壊に起因する素子不良の少ない発光素子を作製することができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であり、キャリア輸送性（電子輸送性および正孔輸送性）に優れた材料であるため、発光素子に用いることで、発光素子の駆動電圧を低減することができ、消費電力の低減に繋がる。

また、本発明のキノキサリン誘導体はガラス転移温度が高いため、発光素子に用いることで、熱的安定性に優れた発光素子を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、酸化反応および引き続く還元反応、還元反応および引き続く酸化反応を繰り返しても安定である。つまり、電気化学的に安定である。よって、本発明のキノキサリン誘導体を発光素子に用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。

実施の形態２で示した第３の層１０５を、本発明のキノキサリン誘導体を他の物質に分散させた構成とすることで、本発明のキノキサリン誘導体からの発光を得ることができる。本発明のキノキサリン誘導体は青〜青緑色の発光を示すため、青〜青緑色の発光を示す発光素子を得ることができる。

ここで、本発明のキノキサリン誘導体を分散させる物質としては、種々の材料を用いることができ、実施の形態２で述べた正孔輸送の高い物質や電子輸送性の高い物質の他、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−ビフェニル（略称：ＣＢＰ）や、２，２’，２”−（１，３，５−ベンゼントリ−イル）−トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］（略称：ＴＰＢＩ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などが挙げられる。

本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であり、キャリア輸送性（電子輸送性および正孔輸送性）に優れた材料であるため、発光素子に用いることで、発光素子の駆動電圧を低減することができ、消費電力の低減に繋がる。

なお、第３の層１０５以外は、実施の形態２に示した構成を適宜用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２および実施の形態３で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。

実施の形態２で示した第３の層１０５を、本発明のキノキサリン誘導体に発光性の物質を分散させた構成とすることで、発光性の物質からの発光を得ることができる。

本発明のキノキサリン誘導体はバイポーラ性を有している。また本発明のキノキサリンを用いて形成される膜では微結晶成分の発生が非常に少なく、質の良い膜が得られる。従って、他の発光性物質を分散させる材料として好適に用いることができる。

本発明のキノキサリン誘導体を他の発光性物質を分散させる材料として用いる場合、発光性物質に起因した発光色を得ることができる。また、本発明のキノキサリン誘導体に起因した発光色と、キノキサリン誘導体中に分散されている発光性物質に起因した発光色が混色された発光を得ることもできる。

ここで、本発明のキノキサリン誘導体に分散させる発光性物質としては、種々の材料を用いることができる。具体的には、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ジュロリジン−４−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、５，１２−ジフェニルテトラセン（略称：ＤＰＴ）、クマリン６、ペリレン、ルブレンなどの蛍光を発光する物質を用いることができる。また、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）などの燐光を発光する物質を用いることができる。

本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であり、キャリア輸送性（電子輸送性および正孔輸送性）に優れた材料であるため、本発明のキノキサリン誘導体を用いることで、発光素子の駆動電圧を低減することができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であるため、積層した膜の界面に発光領域が偏りにくく、エキサイプレックス生成に起因した発光スペクトルの変化や、発光効率の変化が少ない良好な特性を有する発光素子を作製できる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であるため、積層した膜の界面に発光領域が偏りにくい。そのため、燐光を発光する物質を用いた場合には、Ｔ−Ｔ消滅（アニヒレイション）を防ぐことができる。よって、発光効率の高い発光素子を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、酸化反応および引き続く還元反応、還元反応および引き続く酸化反応を繰り返しても安定である。つまり、電気化学的に安定である。よって、本発明のキノキサリン誘導体を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子を得ることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子（以下、積層型素子という）の態様について、図３を参照して説明する。この発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態２で示した発光物質を含む層と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態２で示した発光素子は、１つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。

図３において、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されている。第１の電極５０１と第２の電極５０２は実施の形態２と同様なものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２〜実施の形態４と同様なものを適用することができる。

電荷発生層５１３には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態２で示した複合材料であり、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。

なお、電荷発生層５１３は、有機化合物と金属酸化物の複合体と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合体を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合体を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。

第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２に挟まれる電荷発生層５１３は、第１の電極５０１と第２の電極５０２の間に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれば、どのような構成でも良い。

本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、低い電流密度で高輝度発光可能な長寿命素子を実現できる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明のキノキサリン誘導体を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタ（ＳＩＴ）の活性層として用いる形態を例示する。

素子の構造としては、図４に示すように、本発明のキノキサリン誘導体を含む薄膜状の活性層１２０２をソース電極１２０１およびドレイン電極１２０３で挟み、ゲート電極１２０４が活性層１２０２に埋め込まれた構造を適用する。ゲート電極１２０４は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極１２０１およびドレイン電極１２０３は、ソース−ドレイン間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。

このような素子構造において、ゲート電圧を印加しない状態においてソース−ドレイン間に電圧を印加すると、発光素子で見られるような電流が流れる（ＯＮ状態となる）。そして、その状態でゲート電圧を印加するとゲート電極１２０４周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなる（ＯＦＦ状態となる）。以上の機構により、トランジスタとして動作する。

縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、キャリア輸送性と良好な膜質を兼ね備えた材料が活性層に求められるが、本発明のキノキサリン誘導体はその条件を十分に満たしており、有用である。また、本発明のキノキサリン誘導体は、高いガラス転移温度を有しているため、熱的安定性の高い有機半導体素子を得ることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明のキノキサリン誘導体を用いて作製された発光装置について説明する。

本実施の形態では、本発明のキノキサリン誘導体を用いて作製された発光装置について図５を用いて説明する。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。この発光装置は、点線で示された駆動回路部（ソース側駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）６０３を含んでいる。これらは発光素子の発光を制御するものである。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線である。また、配線６０８は外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、発光物質を含む層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

発光物質を含む層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光物質を含む層６１６は、実施の形態１で示した本発明のキノキサリン誘導体を含んでいる。また、発光物質を含む層６１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、または、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。

さらに、発光物質を含む層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、Ｍｇ−Ａｇ、Ｍｇ−Ｉｎ、Ａｌ−Ｌｉ、ＬｉＦ、ＣａＦ_２等）を用いることが好ましい。なお、発光物質を含む層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料は水や酸素の透過率が小さい材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明のキノキサリン誘導体を用いて作製された発光装置を得ることができる。

本発明の発光装置は、実施の形態１で示したキノキサリン誘導体を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、熱的安定性の高い発光装置を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、電気化学的に安定であるため、長寿命な発光装置を得ることができる。

また、本発明のキノキサリン誘導体は、バイポーラ性であり、キャリア輸送性（電子輸送性および正孔輸送性）に優れた材料であるため、本発明のキノキサリン誘導体を用いることで、発光素子の駆動電圧を低減することができ、発光装置の消費電力を低減することができる。特に、発光性物質として燐光発光性物質を用いた場合、発光効率も高く、より消費電力の低減された発光装置を得ることができる。

以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブ型の発光装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用の素子を設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。図６には本発明を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。図６において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間には発光物質を含む層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、陰極をパターニングすることができる。また、パッシブ型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する本発明の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態７に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態１に示したキノキサリン誘導体を含み、熱的安定性が高い表示部を有する。また、長寿命の表示部を有する。また、消費電力の低減された表示部を有する。

本発明のキノキサリン誘導体を用いて作製された発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図７に示す。

図７（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置において、表示部９１０３は、実施の形態２〜５で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、低電圧駆動が可能であり、長寿命であるという特徴を有している。また、熱的安定性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９１０３も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体９１０１や支持台９１０２の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。

図７（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態２〜５で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、低電圧駆動が可能であり、長寿命であるという特徴を有している。また、熱的安定性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９２０１や筐体９２０２の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。

図７（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、実施の形態２〜５で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、低電圧駆動が可能であり、長寿命であるという特徴を有している。また、熱的安定性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９４０３も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９４０１や筐体９４０２の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。

図７（Ｄ）は本発明の係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、実施の形態２〜５で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、低電圧駆動が可能であり、長寿命であるという特徴を有している。また、熱的安定性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９５０１の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。

以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、低消費電力で、長寿命であり、熱的安定性の高い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。

また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図８を用いて説明する。

図８は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図８に示した液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライト９０３、筐体９０４を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。また、バックライト９０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている。

本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、同時に液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明の発光装置は長寿命であり、熱的安定性に優れているため、本発明の発光装置を用いた液晶表示装置も、長寿命であり、熱的安定性に優れている。

図９は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図９に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は、高輝度の発光が可能であるため、細かい作業をする場合など、手元を明るく照らすことが可能である。

図１０は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である。本発明の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図７（Ａ）で説明したような、本発明に係るテレビ装置を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。

本実施例では、構造式（１５９）で表される本発明のキノキサリン誘導体である４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の合成方法を具体的に示す。

［ステップ１］
２−（４−ブロモフェニル）−３−フェニルキノキサリンの合成方法について説明する。

（ｉ）（４−ブロモフェニル）フェニルアセチレンの合成
（４−ブロモフェニル）フェニルアセチレンの合成スキームを（Ｃ−１）に示す。

ｐ−ブロモヨードベンゼン２８．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）、フェニルアセチレン１０．２ｇ（０．１０ｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド７０１ｍｇ（１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）１９０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を１０００ｍＬ三口フラスコへ入れ、窒素置換をしてからテトラヒドロフラン３５０ｍＬ、トリエチルアミン１８ｍＬを加えて室温で１２時間攪拌した。反応後、反応混合物を３％塩酸水溶液で洗浄し、水層を酢酸エチルで抽出した。抽出液と有機層を合わせて飽和食塩水により洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥した。混合物をセライト、フロリジール、アルミナを過して濾過し、ろ液を濃縮して得られた固体を、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の固体を１５ｇ収率５８％で得た。

（ｉｉ）１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルエタンジオンの合成
１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルエタンジオンの合成スキームを（Ｃ−２）に示す。

（４−ブロモフェニル）フェニルアセチレン１０．０ｇ（３８．９ｍｍｏｌ）、ヨウ素４．７ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１００ｍＬを３００ｍＬ三口フラスコへ入れ１５５℃で４時間撹拌した。反応後、反応溶液を冷ましてから、１ｗｔ％硫酸ナトリウム水溶液へ、反応溶液を投入した。析出した固体を吸引濾過により回収し、ろ物をエタノールに溶かして、セライトを通してろ過し、ろ液を濃縮した。得られた固体を酢酸エチルに溶かし、再度セライトを通して濾過し、ろ液を濃縮した。得られた固体を酢酸エチル、ヘキサンにより１回目の再結晶をしたところ目的物の固体を１．５ｇ得た。ろ液を更にアセトン、ヘキサンにより２回目の再結晶をしたところ目的物の固体を６．７ｇ得た。２回の再結晶により合わせて８．２ｇの目的物を得て、収率は７２％であった。

（ｉｉｉ）２−（４−ブロモフェニル）−３−フェニルキノキサリンの合成
２−（４−ブロモフェニル）−３−フェニルキノキサリンの合成スキームを（Ｃ−３）に示す。

１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルエタンジオン８．２ｇ（２９ｍｍｏｌ）、ｏ−フェニレンジアミン３．１ｇ（３１ｍｍｏｌ）を３００ｍＬナスフラスコへ入れ、エタノール１００ｍＬを加えてから２時間還流した。反応後、析出した固体を吸引濾過により回収した。回収した固体をエタノールにより洗浄し、乾燥したところ、目的物の淡黄色固体を７．３ｇ収率６９％で得た。

［ステップ２］
４−（カルバゾール−９−イル）−ジフェニルアミン（略称：ＹＧＡ）の合成方法について説明する。

（ｉ）Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールの合成
Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールの合成スキームを（Ｃ−４）に示す。

まず、Ｎ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールの合成方法について説明する。３００ｍＬの三口フラスコに、１，４−ジブロモベンゼンを５６．３ｇ（０．２４ｍｏｌ）、カルバゾールを３１．３ｇ（０．１８ｍｏｌ）、よう化銅を４．６ｇ（０．０２４ｍｏｌ）、炭酸カリウムを６６．３ｇ（０．４８ｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテルを２．１ｇ（０．００８ｍｏｌ）入れ、窒素置換し、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（略称：ＤＭＰＵ）を８ｍＬ加え、１８０℃で６時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷ましてから、吸引ろ過により沈殿物を除去し、ろ液を希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥した。乾燥後、反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して、得られた油状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）により精製して得られた固体を、クロロホルム／ヘキサンにより再結晶したところ、目的物であるＮ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールの淡褐色プレート状結晶を２０．７ｇ、収率３５％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物がＮ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールであることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ＝８．１４（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），δ＝７．７３（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），δ＝７．４６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），δ＝７．４２−７．２６（ｍ，６Ｈ）。

（ｉｉ）４−（カルバゾール−９−イル）−ジフェニルアミン（略称：ＹＧＡ）の合成
ＹＧＡの合成スキームを（Ｃ−５）に示す。

２００ｍＬの三口フラスコに、合成手順（ｉ）で得たＮ−（４−ブロモフェニル）カルバゾールを５．４ｇ（１７．０ｍｍｏｌ）、アニリンを１．８ｍＬ（２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１００ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを３．９ｇ（４０ｍｍｏｌ）入れ、窒素置換し、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を０．１ｍＬ、トルエンを５０ｍＬ加えて、８０℃、６時間撹拌した。反応混合物を、フロリジール、セライト、アルミナを通してろ過し、ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）により精製したところ目的物である４−（カルバゾール−９−イル）−ジフェニルアミン（略称：ＹＧＡ）を４．１ｇ、収率７３％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が４−（カルバゾール−９−イル）−ジフェニルアミン（略称：ＹＧＡ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ＝８．４７（ｓ，１Ｈ），δ＝８．２２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），δ＝７．４４−７．１６（ｍ，１４Ｈ），δ＝６．９２−６．８７（ｍ，１Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲチャートを図５２（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図５２（Ｂ）は、図５２（Ａ）における６．７ｐｐｍ〜８．６ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

［ステップ３］
４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の合成
４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の合成スキームを（Ｃ−６）に示す。

２−（４−ブロモフェニル）−３−フェニルキノキサリン２．０ｇ（５．５９ｍｍｏｌ）、４−（カルバゾール−９−イル）−ジフェニルアミン（略称：ＹＧＡ）２．０７ｇ（５．５９ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．１６１ｇ（０．２７９ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム２．６８ｇ（２７．９３ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにトルエン３０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）０．５７ｇ（０．２７９ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で６時間撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、ろ過、濃縮し得られた物をトルエンに溶かしてからセライト、フロリジール、アルミナを通した。ろ液を濃縮し、残渣をクロロホルム、メタノール、ヘキサンにより再結晶したところ目的物の黄色固体を２．２５ｇ、収率６５％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．１１−７．１４（ｍ，３Ｈ），７．２１−７．４８（ｍ，１９Ｈ），７．５９−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．７８（ｍ，２Ｈ），８．１３−８．２０（ｍ，４Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲチャートを図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

ＹＧＡ１ＰＱの分解温度（Ｔｄ）を示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ３２０型）により測定したところ、Ｔｄ＝４２４℃であり、良好な熱的安定性を示すことが分かった。

また、ＹＧＡ１ＰＱのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１２に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図１２に示した。図１２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では３９６ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＹＧＡ１ＰＱのトルエン溶液（励起波長３６８ｎｍ）の発光スペクトルと励起スペクトルを図１３に示す。図１３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４８６ｎｍ（励起波長３６８ｎｍ）であった。

また、ＹＧＡ１ＰＱの薄膜の吸収スペクトルを図７１に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図７１に示した。図７１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。薄膜の場合では４０６ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＹＧＡ１ＰＱの薄膜（励起波長４０６ｎｍ）の発光スペクトルを図７２に示す。図７２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長は薄膜の場合では５１３ｎｍ（励起波長４０６ｎｍ）であった。

また、この薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＹＧＡ１ＰＱのＨＯＭＯ準位は−５．４５ｅＶであった。図７１の吸収スペクトルのＴａｕｃプロットから吸収端は２．６６ｅＶであった。従って、ＹＧＡ１ＰＱの固体状態のエネルギーギャップは２．６６ｅＶと見積もられ、このことはＹＧＡ１ＰＱのＬＵＭＯ準位が−２．７９ｅＶであることを意味する。

また、ＹＧＡ１ＰＱの基底状態における最適分子構造を、密度汎関数法（ＤＦＴ）のＢ３ＬＹＰ／６−３１１（ｄ，ｐ）により見積もった。ＤＦＴは、電子相関を考慮しないハートリー・フォック（ＨＦ）法に比較して計算精度が良く、同レベルの計算精度である摂動法（ＭＰ）法よりも計算コストが小さいため、本計算で採用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ（ＨＰＣ）（ＳＧＩ社製、Ａｌｔｉｘ３７００ＤＸ）を用いて行った。ＤＦＴで構造最適化した分子構造において時間依存密度汎関数法（ＴＤＤＦＴ）のＢ３ＬＹＰ／６−３１１（ｄ，ｐ）を適用することにより、ＹＧＡ１ＰＱの一重項励起エネルギー（エネルギーギャップ）を算出したところ、一重項励起エネルギーは２．７７ｅＶと算出された。また、ＹＧＡ１ＰＱの三重項励起エネルギーを算出したところ、２．４３ｅＶと算出された。以上の結果から、本発明のキノキサリン誘導体は、励起エネルギーの大きい物質であることがわかる。特に、三重項励起エネルギーの大きい物質であることがわかる。

本実施例では、構造式（３２０）で表される本発明のキノキサリン誘導体である４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）の合成方法を具体的に示す。

［ステップ１］
２，３−ビス（４−ブロモフェニル）キノキサリンの合成方法について説明する。２，３−ビス（４−ブロモフェニル）キノキサリンの合成スキームを（Ｄ−１）に示す。

窒素雰囲気下、４，４’−ジブロモベンジル３０．０ｇ（８１．５ｍｍｏｌ）とｏ−フェニレンジアミン９．００ｇ（８３．２ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液（２００ｍＬ）を８０℃で３時間加熱、還流した。反応溶液を室温に冷却した後、反応溶液を水で洗浄した。水層をクロロホルムで抽出し、有機層と合わせて飽和食塩水で洗浄し、さらに有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮を行い、目的物である２，３−ビス（４−ブロモフェニル）キノキサリンを白色固体として３３ｇ、収率９２％で得た。

［ステップ２］
４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）の合成方法について説明する。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）の合成スキームを（Ｄ−２）に示す。

２，３−ビス（４−ブロモフェニル）キノキサリン５．０ｇ（１３．５１ｍｍｏｌ）、実施例１のステップ２で合成した４−（カルバゾール−９−イル）ジフェニルアミン９．９４ｇ（２９．７３ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．３９ｇ（０．６７６ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．４９ｇ（６７．５７ｍｍｏｌ）を３００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにトルエン８０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）１．４ｇ（０．６７６ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で６時間撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、ろ過、濃縮し得られた物をトルエンに溶かしてからセライト、フロリジール、アルミナを通した。ろ液を濃縮し、得られた残渣をクロロホルム／メタノール／ヘキサンにより再結晶したところ目的物の黄色固体を９．３４ｇ、収率７３％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．０２−７．０７（ｍ，２Ｈ），７．１７−７．５６（ｍ，３６Ｈ），７．７４−７．７７（ｍ，２Ｈ），８．１２−８．１９（ｍ，６Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲチャートを図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

ＹＧＡＰＱの分解温度（Ｔｄ）を示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ３２０型）により測定したところ、Ｔｄ＝４５０℃であり、良好な熱的安定性を示すことが分かった。

また、示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ、パーキンエルマー社製、Ｐｙｒｉｓ１）を用いてガラス転移温度を測定した。まず、サンプルを４０℃／ｍｉｎの速度で４００℃まで加熱して試料を溶融させた後、４０℃／ｍｉｎの速度で室温まで冷却した。その後１０℃／ｍｉｎの速度で４００℃まで昇温することにより、図２８のＤＳＣチャートを得た。図２８において、Ｘ軸に温度、Ｙ軸に熱量が示されている。Ｙ軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、ＹＧＡＰＱのガラス転移温度（Ｔｇ）は１５０℃であり、融点は４００℃以上であることがわかった。このことから、ＹＧＡＰＱは高いガラス転移温度を有することがわかった。

また、ＹＧＡＰＱのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１５に示す。また、ＹＧＡＰＱの薄膜の吸収スペクトルを図１６に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図１５および図１６に示した。図１５および図１６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では４００ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では４１０ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＹＧＡＰＱのトルエン溶液（励起波長３９７ｎｍ）の発光スペクトルと励起スペクトルを図１７に示す。また、ＹＧＡＰＱの薄膜（励起波長４１０ｎｍ）の発光スペクトルを図１８に示す。図１７および図１８において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４８８ｎｍ（励起波長３９７ｎｍ）、薄膜の場合で５３１ｎｍ付近と６３０ｎｍ（励起波長４１０ｎｍ）であった。

また、この薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＹＧＡＰＱのＨＯＭＯ準位は−５．４２ｅＶであった。図１６の吸収スペクトルのＴａｕｃプロットから吸収端は２．６６ｅＶであった。従って、ＹＧＡＰＱの固体状態のエネルギーギャップは２．６６ｅＶと見積もられ、このことはＹＧＡＰＱのＬＵＭＯ準位が−２．７６ｅＶであることを意味する。

また、ＹＧＡＰＱの基底状態における最適分子構造を、密度汎関数法（ＤＦＴ）のＢ３ＬＹＰ／６−３１１（ｄ，ｐ）により見積もった。ＤＦＴは、電子相関を考慮しないハートリー・フォック（ＨＦ）法に比較して計算精度が良く、同レベルの計算精度である摂動法（ＭＰ）法よりも計算コストが小さいため、本計算で採用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ（ＨＰＣ）（ＳＧＩ社製、Ａｌｔｉｘ３７００ＤＸ）を用いて行った。ＤＦＴで構造最適化した分子構造において時間依存密度汎関数法（ＴＤＤＦＴ）のＢ３ＬＹＰ／６−３１１（ｄ，ｐ）を適用することにより、ＹＧＡＰＱの一重項励起エネルギー（エネルギーギャップ）を算出したところ、一重項励起エネルギーは２．６４ｅＶと算出された。また、ＹＧＡＰＱの三重項励起エネルギーを算出したところ、２．３８ｅＶと算出された。以上の結果から、本発明のキノキサリン誘導体は、励起エネルギーの大きい物質であることがわかる。特に、三重項励起エネルギーの大きい物質であることがわかる。

また、示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ、パーキンエルマー社製、Ｐｙｒｉｓ１）を用いてガラス転移温度を測定した。まず、サンプルを４０℃／ｍｉｎの速度で３３０℃まで加熱した後、４０℃／ｍｉｎの速度で室温まで冷却した。その後１０℃／ｍｉｎの速度で３３０℃まで昇温し、４０℃／ｍｉｎの速度で室温まで冷却することにより、測定した。その結果、ＹＧＡＰＱのガラス転移温度（Ｔｇ）は１５０℃であり、高いガラス転移温度を示すことがわかった。

また、ＹＧＡＰＱの酸化反応特性および還元反応特性を測定した。酸化反応特性および還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、ＹＧＡＰＱの測定は室温で行った。

ＹＧＡＰＱの酸化反応特性については次のようにして調べた。参照電極に対する作用電極の電位を−０．２１Ｖから１Ｖまで変化させた後、１Ｖから−０．２１Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。また、ＹＧＡＰＱの還元反応特性については次のようにして調べた。参照電極に対する作用電極の電位を−０．３Ｖから−２．５Ｖまで変化させた後、−２．５Ｖから−０．３Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

図１９にＹＧＡＰＱの酸化側のＣＶ測定結果を、図２０にＹＧＡＰＱの還元側のＣＶ測定結果をそれぞれ示す。図１９および図２０において、横軸は参照電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（μＡ）を表す。図１９から、０．７Ｖ〜０．８Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋）に酸化を示す電流が観測された。また、図２０から、−１．９４Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋）に還元を示す電流が観測された。

本実施例では、構造式（２７１）で表される本発明のキノキサリン誘導体であるＮ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）の合成方法を具体的に示す。

［ステップ１］
Ｎ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）の合成方法について説明する。

（ｉ）３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールの合成
３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールの合成スキームを（Ｅ−１）に示す。

９−フェニルカルバゾール２４．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）を氷酢酸６００ｍＬに溶かし、Ｎ−ブロモコハク酸イミド１７．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、室温で約１５時間撹拌した。この氷酢酸溶液を氷水１Ｌに撹拌しながら滴下した。析出した白色固体を吸引濾過により回収し、水で３回洗浄した。この固体をジエチルエーテル１５０ｍＬに溶解し、その溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。反応混合物を濾過し、得られたろ液を濃縮し、得られた残渣にメタノールを約５０ｍＬを加え、均一に溶解させた。この溶液を静置することで白色固体が析出した。この固体を回収し乾燥させる事で、白色粉末の３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールを２８．４ｇ（収率８８％）を得た。

［ステップ２］Ｎ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）の合成
ＰＣＡの合成スキームを（Ｅ−２）に示す。

三口フラスコに、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールを１９ｇ（６０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を３４０ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンを１．６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを１３ｇ（１８０ｍｍｏｌ）入れ、窒素置換した後、脱水キシレンを１１０ｍＬ、アニリンを７．０ｇ（７５ｍｍｏｌ）加えた。これを窒素雰囲気下にて９０℃、７．５時間加熱撹拌した。反応終了後、反応液に加熱したトルエン約５００ｍＬを加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、ここにヘキサン−酢酸エチルを加えて超音波を照射した。析出した固体を吸引濾過により回収し、得られた固体を乾燥し、クリーム色粉末のＮ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）１５ｇ（収率７５％）を得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物がＮ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）；６．８４（ｔ、Ｊ＝６．９、１Ｈ）、６．９７（ｄ、Ｊ＝７．８、２Ｈ）、７．２０−７．６１（ｍ、１３Ｈ）、７．９０（ｓ、１Ｈ）、８．０４（ｄ、Ｊ＝７．８、１Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲのチャートを図５１（Ａ）に、図５１（Ａ）における５．０〜９．０ｐｐｍの部分を拡大したものを図５１（Ｂ）に示す。

［ステップ３］Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）の合成
Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）の合成スキームを（Ｅ−３）に示す。

２，３−ビス（４−ブロモフェニル）キノキサリン１．７９ｇ（４．０８ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）３．０ｇ（８．９７ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．１１７ｇ（０．２０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１．９６ｇ（２０．３９ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにトルエン３０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）０．５ｇ（０．２４５ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で６時間撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、ろ過、濃縮し得られた物をトルエンに溶かしてからセライト、フロリジール、アルミナを通した。ろ液を濃縮し、得られた固体を酢酸エチル／メタノールにより再結晶したところ目的物の山吹色固体を２．６０ｇ、収率６７％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物がＮ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝６．９６−７．０１（ｍ，２Ｈ），７．０６−７．５９（ｍ，３６Ｈ），７．６８−７．７２（ｍ，２Ｈ），７．９４−７．９７（ｍ，４Ｈ），８．１０−８．１３（ｍ，２Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲチャートを図２１（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

ＰＣＡＰＱの分解温度（Ｔｄ）を示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ３２０型）により測定したところ、Ｔｄ＝４７７℃であり、良好な熱的安定性を示すことが分かった。

また、ＰＣＡＰＱのトルエン溶液の吸収スペクトルを図２２に示す。また、ＰＣＡＰＱの薄膜の吸収スペクトルを図２３に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図２２および図２３に示した。図２２および図２３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では４０４ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では４２６ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＰＣＡＰＱのトルエン溶液（励起波長３９５ｎｍ）の発光スペクトルと励起スペクトルを図２４に示す。また、ＰＣＡＰＱの薄膜（励起波長４２６ｎｍ）の発光スペクトルを図２５に示す。図２４および図２５において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では５０８ｎｍ（励起波長３９５ｎｍ）、薄膜の場合で５３８ｎｍ（励起波長４２６ｎｍ）であった。

また、この薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＰＣＡＰＱのＨＯＭＯ準位は−５．２９ｅＶであった。図２３の吸収スペクトルのＴａｕｃプロットから吸収端は２．５５ｅＶであった。従って、ＰＣＡＰＱの固体状態のエネルギーギャップは２．５５ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＡＰＱのＬＵＭＯ準位が−２．７４ｅＶであることを意味する。

また、ＰＣＡＰＱの酸化反応特性および還元反応特性を測定した。酸化反応特性および還元反応特性は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。

ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、ＰＣＡＰＱの測定は室温で行った。

ＰＣＡＰＱの酸化反応特性については次のようにして調べた。参照電極に対する作用電極の電位を−０．２６Ｖから０．７Ｖまで変化させた後、０．７Ｖから−０．２６Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。また、ＰＣＡＰＱの還元反応特性については次のようにして調べた。参照電極に対する作用電極の電位を−０．６Ｖから−２．４Ｖまで変化させた後、−２．４Ｖから−０．６Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。

図２６にＰＣＡＰＱの酸化側のＣＶ測定結果を、図２７にＰＣＡＰＱの還元側のＣＶ測定結果をそれぞれ示す。図２６および図２７において、横軸は参照電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（μＡ）を表す。図２６から、０．５０Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋）に酸化を示す電流が観測された。また、図２７から、−２．０１Ｖ付近（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ^＋）に還元を示す電流が観測された。

また、図２６および図２７から、酸化側、還元側両方とも可逆的なピークを与えることが分かった。また、１００回の酸化あるいは還元を繰り返しても、サイクリックボルタモグラムにほとんど変化がないことがわかった。このことは、ＰＣＡＰＱが酸化および還元に対して安定であることを意味している。つまり、電気化学的に安定であることを意味している。

本実施例では、本発明の発光素子について、図２９を用いて説明する。本実施例および実施例５、実施例６で用いた材料の化学式を以下に示す。

（発光素子１）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、蒸着装置を１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極２１０２上に、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層２１０３を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：１（＝ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの蒸着室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。

次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層２１０３上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層２１０４を形成した。

さらに、構造式（３２０）で表される４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）と（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に３０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ここで、ＹＧＡＰＱとＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０５（＝ＹＧＡＰＱ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層２１０５上にビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層２１０６を形成した。

さらに、電子輸送層２１０６上に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）とリチウムを共蒸着することにより、５０ｎｍの膜厚で電子注入層２１０７を形成した。ここで、Ａｌｑとリチウムとの重量比は、１：０．０１（＝Ａｌｑ：リチウム）となるように調節した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子１を作製した。

（比較発光素子２）
発光層２１０５として、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）と（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、３０ｎｍの膜厚で形成した。ここで、ＣＢＰとＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０５（＝ＣＢＰ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。発光層以外は、発光素子１と同様に形成した。

発光素子１および比較発光素子２の電流密度−輝度特性を図３０に示す。また、電圧−輝度特性を図３１に示す。また、輝度−電流効率特性を図３２に示す。また、電圧−電流特性を図３３に示す。また、輝度−パワー効率特性を図３４に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図３５に示す。図３５から、発光素子１および比較発光素子２の発光は、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）の発光であることがわかる。

また、発光素子１において、輝度９８０ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．６６、ｙ＝０．３４）であり、赤色の発光を示した。また、輝度９８０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は１２ｃｄ／Ａ、外部量子効率は１１％であり、高い効率を示した。また、輝度９８０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は４．８Ｖ、電流密度は８．３ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は７．７ｌｍ／Ｗであり、非常に高いパワー効率を示した。

一方、比較発光素子２において、輝度９７０ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．６４、ｙ＝０．３５）であり、赤色の発光を示した。また、輝度９７０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は１１ｃｄ／Ａ、外部量子効率は８．４％であった。また、輝度９７０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は７．８Ｖ、電流密度は８．４ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は４．６ｌｍ／Ｗであった。

また、図３２からわかるように発光素子１と比較発光素子２はほぼ同様な電流効率を示している。しかし、図３１および図３３に示すように、発光素子１は比較発光素子２よりも低電圧で駆動が可能となっている。つまり、ある一定の輝度を得るために必要な電圧が低減されている。その結果、図３４に示すように、発光素子１は比較発光素子２に比べ、パワー効率が向上しており、消費電力が低減されている。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、駆動電圧が低減され、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。

また、発光素子１および比較発光素子２の規格化輝度経時変化を図３６に示す。また、電圧経時変化を図３７に示す。測定は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ^２として行った。図３６より、発光素子１は比較発光素子２に比べ、輝度の経時変化が少ないことがわかる。また、図３７より、発光素子１は比較発光素子２に比べ、電圧の経時変化が少ないことがわかる。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

本実施例では、本発明の発光素子について、図２９を用いて説明する。

（発光素子３）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

さらに、構造式（３２０）で表される４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）と（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に３０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ここで、ＹＧＡＰＱとＩｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０６（＝ＹＧＡＰＱ：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子３を作製した。

（発光素子４）
電子輸送層２１０６として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜した。電子輸送層以外は、発光素子３と同様に形成した。

発光素子３および発光素子４の電流密度−輝度特性を図３８に示す。また、電圧−輝度特性を図３９に示す。また、輝度−電流効率特性を図４０に示す。また、電圧−電流特性を図４１に示す。また、輝度−パワー効率特性を図４２に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図４３に示す。図４３から、発光素子３および発光素子４の発光は、Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）の発光であることがわかる。

また、発光素子３において、輝度９６０ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．７１、ｙ＝０．２８）であり、色純度の良い赤色の発光を示した。また、輝度９６０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は４．７ｃｄ／Ａ、外部量子効率は１２％であり、非常に高い効率を示した。また、輝度９６０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は６．２Ｖ、電流密度は２０ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は２．４ｌｍ／Ｗであり、非常に高いパワー効率を示した。

また、発光素子４において、輝度９３０ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．６５、ｙ＝０．３３）であり赤色の発光を示した。また、輝度９３０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は３．６ｃｄ／Ａ、外部量子効率は７．２％であり、高い効率を示した。また、輝度９３０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は５．８Ｖ、電流密度は２６ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は２．０ｌｍ／Ｗであり、高いパワー効率を示した。

また、図３９および図４１から、発光素子３および発光素子４は駆動電圧が低減されていることがわかる。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、駆動電圧が低減され、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。特に、発光素子３は発光素子４よりもさらに駆動電圧が低減されている。また、図４０からわかるように発光素子３は発光素子４よりも高い電流効率を示している。その結果、図４２に示すように、発光素子３は発光素子４に比べ、パワー効率が向上しており、消費電力が低減されている。

また、発光素子４の規格化輝度経時変化を図４４に示す。また、電圧経時変化を図４５に示す。測定は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ^２として行った。図４４より、発光素子４は、輝度の経時変化が少ないことがわかる。また、図４５より、発光素子４は、電圧の経時変化が少ないことがわかる。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

（発光素子５）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

さらに、構造式（２７１）で表されるＮ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）と（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に３０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ここで、ＰＣＡＰＱとＩｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０８（＝ＰＣＡＰＱ：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層２１０５上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層２１０６を形成した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子５を作製した。

発光素子５の電流密度−輝度特性を図４６に示す。また、電圧−輝度特性を図４７に示す。また、輝度−電流効率特性を図４８に示す。また、電圧−電流特性を図４９に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図５０に示す。図５０から、発光素子５の発光は、Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）の発光であることがわかる。また、輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．６９、ｙ＝０．３０）であり色純度の良い赤色の発光を示した。また、輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は２．１ｃｄ／Ａであり、高い効率を示した。また、輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は５．０Ｖ、電流密度は５１ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は１．３ｌｍ／Ｗであり、高いパワー効率を示した。また、図４７および図４９から、発光素子５は駆動電圧が低減されていることがわかる。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、駆動電圧が低減され、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。

本実施例では、構造式（８６）で表される本発明のキノキサリン誘導体であるＮ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）の合成方法を具体的に示す。

［ステップ１］
Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）の合成
Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）の合成スキームを（Ｈ−１）に示す。

２−（４−ブロモフェニル）−３−フェニルキノキサリン２．０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド２．０ｇ、Ｎ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）１．９ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．１ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン３０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンの１０％ヘキサン溶液０．１ｍＬを加えた。この混合物を８０℃で３時間加熱攪拌した。反応後、反応混合物にトルエンを加え、この懸濁液をフロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を水で洗浄したのち、水層と有機層を分離した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この混合物を吸引ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮し、固体を得た。得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、黄色固体を収量２．５ｇ、収率７３％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物がＮ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝６．９６−７．６６（ｍ，２４Ｈ），７．６６−７．７８（ｍ，２Ｈ），７．９１−７．９６（ｍ，１Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１０−８．１９（ｍ，２Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲチャートを図５５（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図５５（Ｂ）は、図５５（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

また、得られた黄色固体の昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇華精製は７Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を３ｍＬ／ｍｉｎとして２９５℃で１２時間行った。仕込量２．５ｇに対して、収量２．１ｇであり、昇華精製の回収率は８４％であった。

また、ＰＣＡ１ＰＱのトルエン溶液の吸収スペクトルを図５６に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図５６に示した。図５６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では３１５ｎｍ付近および４１１ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＰＣＡ１ＰＱのトルエン溶液（励起波長４１０ｎｍ）の発光スペクトルを図５７に示す。図５７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では５２１ｎｍ（励起波長４１０ｎｍ）であった。

また、ＰＣＡ１ＰＱの薄膜の吸収スペクトルを図７３に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図７３に示した。図７３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。薄膜の場合では４２３ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＰＣＡ１ＰＱの薄膜（励起波長４２３ｎｍ）の発光スペクトルを図７４に示す。図７４において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長は薄膜の場合では５５２ｎｍ（励起波長４２３ｎｍ）であった。

また、この薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＰＣＡ１ＰＱのＨＯＭＯ準位は−５．２２ｅＶであった。図７３の吸収スペクトルのＴａｕｃプロットから吸収端は２．５９ｅＶであった。従って、ＰＣＡ１ＰＱの固体状態のエネルギーギャップは２．５９ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＡ１ＰＱのＬＵＭＯ準位が−２．６３ｅＶであることを意味する。

本実施例では、構造式（２１）で表される本発明のキノキサリン誘導体であるＮ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）の合成方法を具体的に示す。

［ステップ１］
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）の合成
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）の合成スキームを（Ｊ−１）に示す。

２−（４−ブロモフェニル）−３−フェニルキノキサリン１．０ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．３ｇ、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン０．９３ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．０５ｇ（０．１ｍｍｏｌ）を５０ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン２０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンの１０％ヘキサン溶液０．０５ｍＬを加えた。この混合物を８０℃で３時間加熱攪拌した。反応後、反応混合物にトルエンを加え、この懸濁液をフロリジール、セライト、アルミナを通して吸引濾過した。得られたろ液を炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄したのち、水層と有機層に分離した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この混合物を吸引ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮し、固体を得た。得られた固体をクロロホルムとメタノールの混合溶媒で再結晶したところ、黄色固体を収量１．４ｇ、収率７８％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物がＮ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）であることを確認した。

この化合物の^１ＨＮＭＲデータを以下に示す。^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝６．９３−７．４３（ｍ，２６Ｈ），７．５５−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．７１−７．７７（ｍ，２Ｈ），８．１１−８．１９（ｍ，２Ｈ）。また、^１ＨＮＭＲチャートを図５８（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図５８（Ｂ）は、図５８（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

また、得られた黄色固体の昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇華精製は７．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を３ｍＬ／ｍｉｎとして２６６℃で１５時間行った。仕込量は１．４ｇに対して、収量は１．１ｇであり、昇華精製の回収率は７９％であった。

また、ＤＰＡ１ＰＱのトルエン溶液の吸収スペクトルを図５９に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図５９に示した。図５９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では３２５ｎｍ付近および４１０ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＡ１ＰＱのトルエン溶液（励起波長４１０ｎｍ）の発光スペクトルを図６０に示す。図６０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では５５９ｎｍ（励起波長４１０ｎｍ）であった。

また、ＤＰＡ１ＰＱの薄膜の吸収スペクトルを図７５に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図７５に示した。図７５において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。薄膜の場合では４２１ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＡ１ＰＱの薄膜（励起波長４２１ｎｍ）の発光スペクトルを図７６に示す。図７６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長は薄膜の場合では５６６ｎｍ（励起波長４２１ｎｍ）であった。

また、この薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＤＰＡ１ＰＱのＨＯＭＯ準位は−５．３１ｅＶであった。図７５の吸収スペクトルのＴａｕｃプロットから吸収端は２．６０ｅＶであった。従って、ＤＰＡ１ＰＱの固体状態のエネルギーギャップは２．６０ｅＶと見積もられ、このことはＤＰＡ１ＰＱのＬＵＭＯ準位が−２．７１ｅＶであることを意味する。

（発光素子６）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

さらに、構造式（１５９）で表される４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）と（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に３０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ここで、ＹＧＡ１ＰＱとＩｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０６（＝ＹＧＡ１ＰＱ：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子６を作製した。

発光素子６の電流密度−輝度特性を図６１に示す。また、電圧−輝度特性を図６２に示す。また、輝度−電流効率特性を図６３に示す。また、電圧−電流特性を図６４に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図６５に示す。図６５から、発光素子６の発光は、Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）の発光であることがわかる。また、輝度９６０ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．７１、ｙ＝０．２９）であり色純度の良い赤色の発光を示した。また、輝度９６０ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は６．３ｃｄ／Ａ、外部量子効率は１４％であり、非常に高い効率を示した。また、輝度９６０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は６．０Ｖ、電流密度は１５ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は３．３ｌｍ／Ｗであり、非常に高いパワー効率を示した。また、図６２および図６４から、発光素子６は駆動電圧が低減されていることがわかる。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、駆動電圧が低減され、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。

（発光素子７）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

さらに、構造式（８６）で表されるＮ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）と（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に３０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ここで、ＰＣＡ１ＰＱとＩｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０６（＝ＰＣＡ１ＰＱ：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子７を作製した。

発光素子７の電流密度−輝度特性を図６６に示す。また、電圧−輝度特性を図６７に示す。また、輝度−電流効率特性を図６８に示す。また、電圧−電流特性を図６９に示す。また、１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図７０に示す。図７０から、発光素子７の発光は、Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）の発光であることがわかる。また、輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．７０、ｙ＝０．３０）であり色純度の良い赤色の発光を示した。また、輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は４．３ｃｄ／Ａ、外部量子効率は７．４％であり、高い効率を示した。また、輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときの電圧は４．８Ｖ、電流密度は２５ｍＡ／ｃｍ^２、パワー効率は２．８ｌｍ／Ｗであり、高いパワー効率を示した。また、図６７および図６９から、発光素子７は駆動電圧が低減されていることがわかる。よって、本発明のキノキサリン誘導体を用いることにより、駆動電圧が低減され、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。

本実施例では、上述した実施例で用いた材料について説明する。

≪Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）の合成≫
以下では、構造式（４０２）で表される（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）の合成例を具体的に例示する。

［ステップ１］
２，３，５−トリフェニルピラジン（略称：Ｈｔｐｐｒ）の合成について説明する。

まず、窒素雰囲気にて、フェニルリチウムのジブチルエーテル溶液（（株）和光純薬工業製、２．１ｍｏｌ／Ｌ）５．５ｍＬとジエチルエーテル５０ｍＬを混合した溶液を調製した。次に、氷冷しながら、この溶液に２、３−ジフェニルピラジン２．４３ｇを滴下し、室温にて２４時間撹拌した。撹拌後、その混合物に水を加え、ジエチルエーテルにて有機層を抽出した。抽出した有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥後、有機層に活性二酸化マンガンを過剰に加え、よくかき混ぜた後ろ過した。ろ液の溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで再結晶することにより、ピラジン誘導体Ｈｔｐｐｒを得た（黄色粉末、収率５６％）。ステップ１の合成スキームを下記（Ｇ−１）に示す。

［ステップ２］
ジ−μ−クロロ−ビス［ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）］（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２Ｃｌ］_２）の合成について説明する。

２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬとの混合溶媒に、上記ステップ１で得たピラジン誘導体Ｈｔｐｐｒを１．０８ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を０．７３ｇ混合し、その混合物を窒素雰囲気にて１６時間還流した。析出してきた粉末をろ過し、エタノール、エーテル、次いでヘキサンにて洗浄することにより、複核錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２Ｃｌ］_２を得た（橙色粉末、収率９７％）。ステップ２の合成スキームを下記（Ｇ−２）に示す。

［ステップ３］
（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］の合成について説明する。

２−エトキシエタノール４０ｍＬを溶媒として、上記ステップ２で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２Ｃｌ］_２を２．００ｇ、アセチルアセトンを０．３７ｍＬ、炭酸ナトリウムを１．２６ｇ混合し、その混合物を窒素雰囲気下にて１８時間還流した。還流後、その混合物をろ過し、ろ液を一週間放置した。その後、析出した結晶をろ過することにより除去し、ろ液の溶媒を留去した。得られた残渣をジクロロメタンとエタノールの混合溶媒で再結晶し、再結晶により得られた粉末をエタノール、次いでエーテルにて洗浄することにより、有機金属錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］を得た（橙色粉末、収率１６％）。ステップ３の合成スキームを下記（Ｇ−３）に示す。

なお、上記ステップ３で得られた橙色粉末の核磁気共鳴分光法（^１ＨＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、^１ＨＮＭＲチャートを図５３に示す。図５３（Ａ）の縦軸を拡大したものを図５３（Ｂ）に示した。このことから、本合成例１において、上述の構造式（４０２）で表される有機金属錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］が得られたことがわかった。

^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、３００ＭＨｚ）：δ＝１．９２（ｓ，６Ｈ），５．３５（ｓ，１Ｈ），６．４５−６．５４（ｍ，４Ｈ），６．６７（ｔｄ，２Ｈ），６．９１（ｄ，２Ｈ），７．４１−７．５７（ｍ，１２Ｈ），７．８１（ｍ，４Ｈ），８．０８（ｄｄ，４Ｈ），８．９８（ｓ，２Ｈ）。

また、得られた有機金属錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］の分解温度Ｔ_ｄを示差熱熱重量同時測定装置（（株）セイコー電子製、ＴＧ／ＤＴＡ３２０型）により測定したところ、Ｔ_ｄ＝３３１℃であり、良好な熱的安定性を示すことがわかった。

次に、［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］の吸収スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定は紫外可視分光光度計（（株）日本分光製Ｖ５５０型）を用い、脱気したジクロロメタン溶液（０．１０ｍｍｏｌ／Ｌ）を用いて、室温で測定を行った。また、［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］の発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製ＦＳ９２０）を用い、脱気したジクロロメタン溶液（０．３５ｍｍｏｌ／Ｌ）を用いて、室温で測定を行った。測定結果を図５４に示す。横軸は波長、縦軸はモル吸光係数および発光強度を表す。

図５４に示す通り、有機金属錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］は、６２２ｎｍに発光ピークを有しており、溶液からは赤橙色の発光が観測された。

なお、有機金属錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］は、可視光領域にいくつもの吸収ピークが観測される。これは、オルトメタル錯体のようないくつかの有機金属錯体に見られる独特の吸収であり、一重項ＭＬＣＴ遷移、三重項π−π^＊遷移、三重項ＭＬＣＴ遷移などに対応すると類推される。特に、最も長波長側の吸収がブロードな裾を引いており、三重項ＭＬＣＴ遷移であると考えられる。すなわち、有機金属錯体［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］は、三重項励起状態への直接光励起や項間交差が可能な化合物であることが分かった。したがって、得られた発光も三重項励起状態からの発光、すなわち燐光であると考えられる。

［ステップ４］
上述したステップ１で合成した２，３，５−トリフェニルピラジン（略称：Ｈｔｐｐｒ）に関し、ステップ１とは異なる合成方法を例示する。

まず、エタノール２００ｍＬを溶媒として、フェニルグリオキサール（東京化成工業株式会社製）４．６０ｇとｍｅｓｏ−１，２−ジフェニルエチレンジアミン７．２８ｇを混合し、その混合物を窒素雰囲気にて６時間還流した。還流後、この混合物の溶媒を留去し、得られた残渣をエタノールにて再結晶した。再結晶により得られた黄土色粉末をジクロロメタンに溶解し、この溶液に活性二酸化マンガンを過剰に加え、よくかき混ぜた後ろ過した。ろ液の溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで再結晶することにより、ピラジン誘導体Ｈｔｐｐｒを得た（黄色粉末、収率３７％）。ステップ４の合成スキームを下記（Ｇ−１−２）に示す。

本発明の発光素子を説明する図。本発明の発光素子を説明する図。本発明の発光素子を説明する図。本発明の有機半導体素子を説明する図。本発明の発光装置を説明する図。本発明の発光装置を説明する図。本発明の電子機器を説明する図。本発明の電子機器を説明する図。本発明の照明装置を説明する図。本発明の照明装置を説明する図。４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の薄膜の発光スペクトルを示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）の薄膜の吸収スペクトルを示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）の薄膜の発光スペクトルを示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）のＣＶ測定結果を示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）のＣＶ測定結果を示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）の薄膜の吸収スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）の薄膜の発光スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）のＣＶ測定結果を示す図。Ｎ，Ｎ’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ−フェニル−９−フェニルカルバゾール−３−アミン）（略称：ＰＣＡＰＱ）のＣＶ測定結果を示す図。４，４’−（キノキサリン−２，３−ジイル）ビス｛Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニルベンゼンアミン｝（略称：ＹＧＡＰＱ）のＤＳＣチャートを示す図。実施例の発光素子を説明する図。実施例４で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。実施例４で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。実施例４で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。実施例４で作製した発光素子の電圧―電流特性を示す図。実施例４で作製した発光素子の輝度―パワー効率特性を示す図。実施例４で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。実施例４で作製した発光素子の規格化輝度経時変化を示す図。実施例４で作製した発光素子の電圧経時変化を示す図。実施例５で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。実施例５で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。実施例５で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。実施例５で作製した発光素子の電圧―電流特性を示す図。実施例５で作製した発光素子の輝度―パワー効率特性を示す図。実施例５で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。実施例５で作製した発光素子の規格化輝度経時変化を示す図。実施例５で作製した発光素子の電圧経時変化を示す図。実施例６で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。実施例６で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。実施例６で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。実施例６で作製した発光素子の電圧―電流特性を示す図。実施例６で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。Ｎ−フェニル−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。４−（カルバゾール−９−イル）−ジフェニルアミン（略称：ＹＧＡ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）の^１ＨＮＭＲチャートを示す図。Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）のトルエン溶液の吸収スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）のトルエン溶液の発光スペクトルを示す図。実施例９で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。実施例９で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。実施例９で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。実施例９で作製した発光素子の電圧―電流特性を示す図。実施例９で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。実施例１０で作製した発光素子の電流密度―輝度特性を示す図。実施例１０で作製した発光素子の電圧―輝度特性を示す図。実施例１０で作製した発光素子の輝度―電流効率特性を示す図。実施例１０で作製した発光素子の電圧―電流特性を示す図。実施例１０で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図。４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の薄膜の吸収スペクトルを示す図。４−（カルバゾール−９−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡ１ＰＱ）の薄膜の発光スペクトルを示す図。Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）の薄膜の吸収スペクトルを示す図。Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡ１ＰＱ）の薄膜の発光スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）の薄膜の吸収スペクトルを示す図。Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−Ｎ−［４−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）フェニル］ベンゼン−１，４−ジアミン（略称：ＤＰＡ１ＰＱ）の薄膜の発光スペクトルを示す図。

符号の説明

１０１基板
１０２第１の電極
１０３第１の層
１０４第２の層
１０５第３の層
１０６第４の層
１０７第２の電極
３０２第１の電極
３０３第１の層
３０４第２の層
３０５第３の層
３０６第４の層
３０７第２の電極
５０１第１の電極
５０２第２の電極
５１１第１の発光ユニット
５１２第２の発光ユニット
５１３電荷発生層
６０１ソース側駆動回路
６０２画素部
６０３ゲート側駆動回路
６０４封止基板
６０５シール材
６０７空間
６０８配線
６０９ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０素子基板
６１１スイッチング用ＴＦＴ
６１２電流制御用ＴＦＴ
６１３第１の電極
６１４絶縁物
６１６発光物質を含む層
６１７第２の電極
６１８発光素子
６２３ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４ｐチャネル型ＴＦＴ
９０１筐体
９０２液晶層
９０３バックライト
９０４筐体
９０５ドライバＩＣ
９０６端子
９５１基板
９５２電極
９５３絶縁層
９５４隔壁層
９５５発光物質を含む層
９５６電極
１２０１ソース電極
１２０２活性層
１２０３ドレイン電極
１２０４ゲート電極
２００１筐体
２００２光源
２１０１基板
２１０２第１の電極
２１０３複合材料を含む層
２１０４正孔輸送層
２１０５発光層
２１０６電子輸送層
２１０７電子注入層
２１０８第２の電極
９１０１筐体
９１０２支持台
９１０３表示部
９１０４スピーカー部
９１０５ビデオ入力端子
９２０１本体
９２０２筐体
９２０３表示部
９２０４キーボード
９２０５外部接続ポート
９２０６ポインティングデバイス
９４０１本体
９４０２筐体
９４０３表示部
９４０４音声入力部
９４０５音声出力部
９４０６操作キー
９４０７外部接続ポート
９４０８アンテナ
９５０１本体
９５０２表示部
９５０３筐体
９５０４外部接続ポート
９５０５リモコン受信部
９５０６受像部
９５０７バッテリー
９５０８音声入力部
９５０９操作キー
９５１０接眼部

Claims

一般式（１）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（１−１）〜一般式（１−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（１−１）〜一般式（１−３）において、βは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ^３〜Ａｒ^４は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（２）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（２−１）〜一般式（２−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（２−１）〜一般式（２−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（３）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（３−１）〜一般式（３−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（３−１）〜一般式（３−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（４）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（４−１）〜一般式（４−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（４−１）〜一般式（４−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（５）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^５は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（５−１）〜一般式（５−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（５−１）〜一般式（５−３）において、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（６）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（６−１）〜一般式（６−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（６−１）〜一般式（６−３）において、βは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ^３〜Ａｒ^４は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ａｒ^５は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、γは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ｒ^４１およびＲ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（７）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ａｒ^１は、炭素数６〜２５のアリール基を表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（７−１）〜一般式（７−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（７−１）〜一般式（７−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（８）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、αは、炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ａは、一般式（８−１）〜一般式（８−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（８−１）〜一般式（８−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（９）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、それぞれ、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（９−１）〜一般式（９−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（９−１）〜一般式（９−３）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２４は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^３２〜Ｒ^３６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４３〜Ｒ^４６は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。）
一般式（１０）で表されるキノキサリン誘導体。

（式中、Ｒ^６〜Ｒ^１０は、水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１５のアリール基のいずれかを表す。また、Ａは、一般式（１０−１）〜一般式（１０−３）で表されるいずれかの置換基を表し、一般式（１０−１）〜一般式（１０−３）において、Ｒ^３１は、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表し、Ｒ^４１〜Ｒ^４２は、それぞれ、水素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基、または、炭素数６〜２５のアリール基のいずれかを表す。）
一対の電極間に、
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のキノキサリン誘導体を有することを特徴とする発光素子。
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のキノキサリン誘導体を有することを特徴とする発光素子。
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のキノキサリン誘導体と蛍光を発光する物質を有することを特徴とする発光素子。
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のキノキサリン誘導体と燐光を発光する物質を有することを特徴とする発光素子。
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
表示部を有し、
前記表示部は、請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。