JP7451803B2

JP7451803B2 - 発光素子および発光装置

Info

Publication number: JP7451803B2
Application number: JP2023076493A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 哲史瀬尾; 信晴大澤; 智子沼田; 英子吉住; 裕史門間; 晴恵尾坂; 邦彦鈴木; 保彦竹村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2011-02-28
Filing date: 2023-05-08
Publication date: 2024-03-18
Anticipated expiration: 2032-02-27
Also published as: JP2021182637A; TWI563702B; KR102093655B1; KR20120100751A; JP2012195573A; JP2019054270A; US20210175429A1; KR20220110717A; KR20190112696A; US20120217487A1; TW202220957A; JP6050007B2; JP2017063217A; JP6320494B2; JP6568292B2; KR102248531B1; TW201707252A; JP6928636B2; US10505120B2; US10930852B2

Description

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象
を利用した発光素子（以下、有機ＥＬ素子とも記す）に関する。

有機ＥＬ素子の研究開発が盛んにおこなわれている（特許文献１、非特許文献１および非
特許文献２参照）。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物
を含む層（以下、発光層とも記す）を挟んだものであり、薄型軽量化できる・入力信号に
高速に応答できる・直流低電圧駆動が可能であるなどの特性から、次世代のフラットパネ
ルディスプレイ素子として注目されている。また、このような発光素子を用いたディスプ
レイは、コントラストや画質に優れ、視野角が広いという特徴も有している。さらに、有
機ＥＬ素子は面光源であるため、液晶ディスプレイのバックライトや照明等の光源として
の応用も考えられている。

有機ＥＬ素子の発光機構は、キャリア注入型である。すなわち、電極間に発光層を挟んで
電圧を印加することにより、電極から注入された電子および正孔が再結合して発光物質が
励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。励起状態には、一重項励
起状態と三重項励起状態がある。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、前者
は後者の３分の１であると考えられている。なお、本明細書では、一重項励起状態（三重
項励起状態）とは、特にことわらない限り、一重項励起状態（三重項励起状態）のうち、
エネルギー準位が最も低いものを指す。

発光性の有機化合物は通常、基底状態が一重項状態である。したがって、一重項励起状態
からの発光は、同じスピン多重度間の電子遷移であるため蛍光と呼ばれる。一方、三重項
励起状態からの発光は、異なるスピン多重度間の電子遷移であるため燐光と呼ばれる。こ
こで、蛍光を発する化合物（以下、蛍光性化合物と記す）は室温において、通常、燐光は
観測されず蛍光のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における
内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、上
記の一重項励起状態と三重項励起状態の比率を根拠に２５％とされている。

一方、燐光を発する化合物（以下、燐光性化合物と記す）を用いれば、内部量子効率は１
００％にまで高めることが理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて高い発光
効率を得ることが可能になる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために
、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んにおこなわれている。

特に、その燐光量子効率の高さゆえに、燐光性化合物としてイリジウム等を中心金属とす
る有機金属錯体が注目されており、例えば、特許文献１には、イリジウムを中心金属とす
る有機金属錯体が燐光材料として開示されている。

上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消
光や三重項－三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中
に該燐光性化合物が分散するようにして形成することが多い。この時、マトリクスとなる
化合物はホスト、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲストと呼ば
れる。

このような、燐光性化合物をゲストとして用いる発光素子における発光の一般的な素過程
はいくつかあるが、それらについて以下に説明する。

（１）電子及び正孔がゲスト分子において再結合し、ゲスト分子が励起状態となる場合（
直接再結合過程）。
（１－１）ゲスト分子の励起状態が三重項励起状態のときゲスト分子は燐光を発する。
（１－２）ゲスト分子の励起状態が一重項励起状態のとき一重項励起状態のゲスト分子は
三重項励起状態に項間交差し、燐光を発する。

つまり、上記（１）の直接再結合過程においては、ゲスト分子の項間交差効率、及び燐光
量子効率さえ高ければ、高い発光効率が得られることになる。

（２）電子及び正孔がホスト分子において再結合し、ホスト分子が励起状態となる場合（
エネルギー移動過程）。

（２－１）ホスト分子の励起状態が三重項励起状態のとき、ホスト分子の三重項励起状態
のエネルギー準位（Ｔ１準位）がゲスト分子のＴ１準位よりも高い場合、ホスト分子から
ゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が三重項励起状態となる。三重項励起
状態となったゲスト分子は燐光を発する。なお、ゲスト分子の一重項励起状態のエネルギ
ー準位（Ｓ１準位）へのエネルギー移動も形式上あり得るが、多くの場合ゲスト分子のＳ
１準位の方がホスト分子のＴ１準位よりも高エネルギー側に位置しており、主たるエネル
ギー移動過程になりにくいため、ここでは割愛する。

（２－２）ホスト分子の励起状態が一重項励起状態のとき、ホスト分子の一重項励起状態
のエネルギー準位（Ｓ１準位）がゲスト分子のＳ１準位およびＴ１準位よりも高い場合、
ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動し、ゲスト分子が一重項励起状態又は
三重項励起状態となる。三重項励起状態となったゲスト分子は燐光を発する。また、一重
項励起状態となったゲスト分子は、三重項励起状態に項間交差し、燐光を発する。

つまり、上記（２）のエネルギー移動過程においては、ホスト分子の三重項励起エネルギ
ー及び一重項励起エネルギーの双方が、いかにゲスト分子に効率良く移動できるかが重要
となる。

このエネルギー移動過程を鑑みれば、ホスト分子からゲスト分子に励起エネルギーが移動
する前に、ホスト分子自体がその励起エネルギーを光又は熱として放出して失活してしま
うと、発光効率が低下することになる。

＜エネルギー移動過程＞
以下では、分子間のエネルギー移動過程について詳述する。

まず、分子間のエネルギー移動の機構として、以下の２つの機構が提唱されている。ここ
で、励起エネルギーを与える側の分子をホスト分子、励起エネルギーを受け取る側の分子
をゲスト分子と記す。

≪フェルスター機構（双極子－双極子相互作用）≫
フェルスター機構は、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要としない。ホスト分
子及びゲスト分子間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起こる。双極子振
動の共鳴現象によってホスト分子がゲスト分子にエネルギーを受け渡し、ホスト分子が基
底状態になり、ゲスト分子が励起状態になる。フェルスター機構の速度定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを
数式（１）に示す。

数式（１）において、νは、振動数を表し、ｆ’_ｈ（ν）は、ホスト分子の規格化された
発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、
三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、ε_ｇ（ν
）は、ゲスト分子のモル吸光係数を表し、Ｎは、アボガドロ数を表し、ｎは、媒体の屈折
率を表し、Ｒは、ホスト分子とゲスト分子の分子間距離を表し、τは、実測される励起状
態の寿命（蛍光寿命や燐光寿命）を表し、ｃは、光速を表し、φは、発光量子効率（一重
項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光量子効率、三重項励起状態からのエ
ネルギー移動を論じる場合は燐光量子効率）を表し、Ｋ^２は、ホスト分子とゲスト分子の
遷移双極子モーメントの配向を表す係数（０～４）である。なお、ランダム配向の場合は
Ｋ^２＝２／３である。

≪デクスター機構（電子交換相互作用）≫
デクスター機構は、ホスト分子とゲスト分子が軌道の重なりを生じる接触有効距離に近づ
き、励起状態のホスト分子の電子と基底状態のゲスト分子の電子の交換を通じてエネルギ
ー移動が起こる。デクスター機構の速度定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを数式（２）に示す。

数式（２）において、ｈは、プランク定数であり、Ｋは、エネルギーの次元を持つ定数で
あり、νは、振動数を表し、ｆ’_ｈ（ν）は、ホスト分子の規格化された発光スペクトル
（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態
からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、ε’_ｇ（ν）は、ゲスト
分子の規格化された吸収スペクトルを表し、Ｌは、実効分子半径を表し、Ｒは、ホスト分
子とゲスト分子の分子間距離を表す。

ここで、ホスト分子からゲスト分子へのエネルギー移動効率Φ_ＥＴは、数式（３）で表さ
れると考えられる。ｋ_ｒは、ホスト分子の発光過程（ホスト分子の一重項励起状態からの
エネルギー移動を論じる場合は蛍光、ホスト分子の三重項励起状態からのエネルギー移動
を論じる場合は燐光）の速度定数を表し、ｋ_ｎは、非発光過程（熱失活や項間交差）の速
度定数を表し、τは、実測されるホスト分子の励起状態の寿命を表す。

まず、数式（３）より、エネルギー移動効率Φ_ＥＴを高くするためには、エネルギー移動
の速度定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを、他の競合する速度定数ｋ_ｒ＋ｋ_ｎ（＝１／τ）に比べて遙かに
大きくすれば良いことがわかる。そして、そのエネルギー移動の速度定数ｋ_ｈ ^＊ _→ｇを大
きくするためには、数式（１）及び数式（２）より、フェルスター機構、デクスター機構
のどちらの機構においても、ホスト分子の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネル
ギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる
場合は燐光スペクトル）とゲスト分子の吸収スペクトル（通常は、燐光であるので、三重
項励起状態と基底状態とのエネルギー差）との重なりが大きい方が良いことがわかる。

例えば、ホスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差が、ゲスト分子の三重
項励起状態と基底状態とのエネルギー差と重なるように選択された材料によって、より効
率的にホストからゲストへのエネルギー移動が生じる。

しかしながら、上記のエネルギー移動は、三重項励起状態のゲスト分子から基底状態のホ
スト分子へも全く同様に生じる。そして、ホスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエ
ネルギー差が、ゲスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差と重なるように
選択された材料では、ゲスト分子の三重項励起状態がホスト分子の三重項励起状態にエネ
ルギー移動しやすいということでもある。このことにより、発光効率の低下が生じる。

このような問題に対しては、例えば、非特許文献１に記載されているように、ホスト分子
の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差をゲスト分子の三重項励起状態と基底状態
とのエネルギー差よりも大きくすることで克服することが提案されている。

非特許文献１では、ホスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差をゲスト分
子のホスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差より０．３電子ボルト（現
在では、０．１５電子ボルトに訂正されている）大きくすることにより、ゲスト分子の三
重項励起状態からホスト分子の三重項励起状態への遷移を生じさせないようにしている。

すなわち、ホスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差をゲスト分子のホス
ト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差より０．１５電子ボルト以上大きく
すると、ゲスト分子の三重項励起状態からホスト分子の三重項励起状態への遷移を十分に
阻止できる。

国際公開第２０００／０７０６５５号パンフレット

ＳｈｉｚｕｏＴｏｋｉｔｏｅｔａｌ．， "Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔｏｆｔｒｉｐｌｅｔｅｎｅｒｇｙｏｎｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔｍｏｌｅｃｕｌｅｓｆｏｒｈｉｇｈｌｙ－ｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｒｇａｎｉｃｂｌｕｅ－ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８３，５６９（２００３）．Ｖｉ－ＥｎＣｈｏｏｎｇｅｔａｌ．， "Ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓｗｉｔｈａｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ" ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５，１７２（１９９９）．

しかしながら、このようにホスト分子とゲスト分子とのエネルギー差が異なるということ
は、上記のフェルスター機構やデクスター機構が起こりにくくなるということを意味し、
そのことによる発光効率の低下が問題となる。本発明の一態様は、このような矛盾を克服
する新しい原理に基づいた発光素子を提供する。

また、上記のように、さまざまな励起過程が存在するが、失活の少ない励起過程は、直接
再結合過程であり、その比率を向上させることが発光効率あるいは外部量子効率の向上に
とって好ましい。本発明の一態様は効率よく直接再結合過程を発生させる方法を関する提
供することを課題とする。また、本発明の一態様は、外部量子効率が高い発光素子を提供
することを課題とする。

本発明の一態様は、燐光性化合物（ゲスト）、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物
を含む発光層を一対の電極間に有し、第１の有機化合物及び第２の有機化合物の三重項励
起状態と基底状態のエネルギー差が、ゲストの三重項励起状態と基底状態のエネルギー差
より０．１５電子ボルト以上大きいことを特徴とする発光素子である。

上記において、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物が、励起錯体を形成する組み合
わせであってもよい。また、第１の有機化合物は電子輸送性が正孔輸送性よりも優れてお
り、第２の有機化合物は正孔輸送性が電子輸送性よりも優れていてもよい。このような特
色を有する場合、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物をそれぞれ、ｎ型ホスト、ｐ
型ホストと称する。

また、本発明の一態様は、ゲスト、ｎ型ホスト、ｐ型ホストを含む発光層を一対の電極間
に有し、ｎ型ホストのＬＵＭＯ（ＬｏｗｅｓｔＵｎｏｃｃｕｐｉｅｄＭｏｌｅｃｕｌ
ａｒＯｒｂｉｔａｌ）準位がゲストのＬＵＭＯ準位よりも０．１電子ボルト以上高いこ
とを特徴とする発光素子である。

なお、ゲストのＬＵＭＯ準位がｎ型ホストのＬＵＭＯ準位より低すぎると電気伝導特性の
上で好ましくない。そのため、ｎ型ホストのＬＵＭＯ準位ＥｎからゲストのＬＵＭＯ準位
Ｅａを差し引いた値、（Ｅｎ－Ｅａ）が０．１電子ボルト以上０．５電子ボルト以下であ
ることが好ましい。

また、本発明の一態様は、ゲスト、ｎ型ホスト、及びｐ型ホストを含む発光層を一対の電
極間に有し、ｐ型ホストのＨＯＭＯ（ＨｉｇｈｅｓｔＯｃｃｕｐｉｅｄＭｏｌｅｃｕ
ｌａｒＯｒｂｉｔａｌ）準位がゲストのＨＯＭＯ準位よりも０．１電子ボルト以上低い
ことを特徴とする発光素子である。

なお、ゲストのＨＯＭＯ準位がｐ型ホストのＨＯＭＯ準位より高すぎると電気伝導特性の
上で好ましくない。そのため、ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位ＥｐからゲストのＨＯＭＯ準位
Ｅｂを差し引いた値、（Ｅｐ－Ｅｂ）が－０．５電子ボルト以上－０．１電子ボルト以下
であることが好ましい。

上記発光素子において、ゲストは、有機金属錯体であることが好ましい。上記発光素子に
おいて、ｎ型ホスト及びｐ型ホストの少なくとも一方が、蛍光性化合物であってもよい。
本発明の一態様の発光素子は、発光装置、電子機器、及び照明装置に適用することができ
る。

本発明の一態様では、発光層は、ｎ型ホスト分子とｐ型ホスト分子とゲスト分子を有する
。もちろん、分子は規則正しく配列している必要は無く、規則性が極めて少ない状態であ
ってもよい。特に発光層を５０ｎｍ以下の薄膜とする場合には、アモルファス状態となる
ことが好ましく、そのために、結晶化しづらい材料の組み合わせを選択することが好まし
い。

また、本発明の一態様は図１（Ａ）に示されるように、基板１０１上に第１の電極１０３
、上記の構成を有する発光層１０２、第２の電極１０４を重ねて設けた発光素子でもよい
。ここで、第１の電極１０３は、陽極と陰極の一方であり、第２の電極１０４は陽極と陰
極の他方である。

また、本発明の一態様は図１（Ｂ）に示されるように、第１の電極１０３、発光層１０２
、第２の電極１０４に加えて、第１のキャリアの注入層１０５、第１のキャリアの輸送層
１０６、第２のキャリアの注入層１０７、第２のキャリアの輸送層１０８を重ねて設けた
発光素子でもよい。ここで、第１のキャリアは電子と正孔の一方であり、第２のキャリア
は電子と正孔の他方である。また、第１の電極が陽極であれば、第１のキャリアは正孔で
あり、第１の電極が陰極であれば、第１のキャリアは電子である。

本発明の一態様では、ホスト（ｎ型ホストおよびｐ型ホスト）分子の三重項励起状態と基
底状態とのエネルギー差を、ゲスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差よ
り０．１５電子ボルト以上高くすることで、ゲスト分子の三重項励起状態からホスト（ｎ
型ホストおよびｐ型ホスト）分子の三重項励起状態への遷移を十分に防止することができ
、外部量子効率が高い発光素子を提供することができる。

その一方、フェルスター機構やデクスター機構を使用するエネルギー移動過程に関しては
、ｎ型ホスト分子とｐ型ホスト分子の励起錯体からゲスト分子にエネルギー移動する過程
を経ることができる。励起錯体は、エネルギーがゲスト分子に移動した段階で、ｎ型ホス
ト分子とｐ型ホスト分子に分裂し、ｎ型ホスト分子（あるいはｐ型ホスト分子）の三重項
励起状態と基底状態とのエネルギー差は、ゲスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエ
ネルギー差より０．１５電子ボルト以上高いので、ゲスト分子の三重項励起状態がｎ型ホ
スト分子（あるいはｐ型ホスト分子）の三重項励起状態にエネルギー移動することはない
。

また、本発明の一態様では、例えば、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位がゲスト分子のＬＵ
ＭＯ準位よりも０．１電子ボルト以上高いことによりｎ型ホスト分子を伝導してきた電子
は、優先的にゲスト分子のＬＵＭＯ準位に入る。その結果、ゲスト分子はアニオンとなり
、正孔を誘引し、ゲスト分子において正孔と電子が再結合する。

また、本発明の一態様では、例えば、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位がゲスト分子のＨＯ
ＭＯ準位よりも０．１電子ボルト以上低いことによりｐ型ホスト分子を伝導してきた正孔
は、優先的にゲスト分子のＨＯＭＯ準位に入る。その結果、ゲスト分子はカチオンとなり
、電子を誘引し、ゲスト分子において正孔と電子が再結合する。

このようにして、本発明の一態様を用いることにより、効率よくゲスト分子にキャリアを
注入し、直接再結合過程の比率を高めることができる。特に、本発明の一態様では、発光
層にｎ型ホストとｐ型ホストを混在して用いているため、電子はｎ型ホスト分子を伝導し
、正孔はｐ型ホスト分子を伝導する傾向がある。その結果、ゲスト分子のＬＵＭＯ準位に
はｎ型ホスト分子から電子が注入され、また、ゲスト分子のＨＯＭＯ準位にはｐ型ホスト
分子から正孔が注入される。

本発明のさまざまな態様を示す図。本発明の一態様の原理を説明する図。本発明の一態様の原理を説明する図。実施例１の発光素子の電流密度－輝度特性を示す図。実施例１の発光素子の電圧－輝度特性を示す図。実施例１の発光素子の輝度－電流効率特性を示す図。実施例１の発光素子の輝度－外部量子効率特性を示す図。実施例１の発光素子の発光スペクトルを示す図。実施例１の発光素子の信頼性試験の結果を示す図。実施例２の発光素子の電流密度－輝度特性を示す図。実施例２の発光素子の電圧－輝度特性を示す図。実施例２の発光素子の輝度－電流効率特性を示す図。実施例２の発光素子の輝度－外部量子効率特性を示す図。実施例２の発光素子の発光スペクトルを示す図。実施例２の発光素子の信頼性試験の結果を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子の原理について図２を用いて説明する。図
２（Ａ）は２つのｎ型ホスト分子（Ｈ＿ｎ＿１、Ｈ＿ｎ＿２）と１つのゲスト分子（Ｇ）
と２つのｐ型ホスト分子（Ｈ＿ｐ＿１、Ｈ＿ｐ＿２）が直線状に並んでいる場合のこれら
の分子のエネルギー状態を示す。各分子は、それぞれＨＯＭＯとＬＵＭＯを有する。

ここでは、説明を簡単にするため、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅｎとゲスト分子のＬ
ＵＭＯ準位Ｅａを等しく、また、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｐとゲスト分子のＨＯ
ＭＯ準位Ｅｂを等しくしてあるが、そのような場合に限られず、－０．３［電子ボルト］
＜Ｅａ－Ｅｎ＜＋０．３［電子ボルト］、－０．３［電子ボルト］）＜Ｅｂ－Ｅｐ＜＋０
．３［電子ボルト］であればよい。また、ｎ型ホスト分子（あるいはｐ型ホスト分子）の
ＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差はゲスト分子のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差より０
．５電子ボルト以上大きいことが好ましい。

ｎ型ホスト分子、ｐ型ホスト分子、ゲスト分子のいずれも、基底状態では、ＨＯＭＯには
２つの電子があり、ＬＵＭＯには電子が無い。例えば、ｎ型ホスト分子Ｈ＿ｎ＿２とゲス
ト分子Ｇとｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿２は、ＨＯＭＯには２つの電子があり、ＬＵＭＯには
電子が無い状態である。

一方、陽極（図の右側）より正孔が、陰極（図の左側）より電子が注入されたため、ｎ型
ホスト分子Ｈ＿ｎ＿１はＬＵＭＯに電子を有し、ｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿１はＨＯＭＯに
電子が１つしかない（正孔が一つある）状態となっている。すなわち、ｎ型ホスト分子Ｈ
＿ｎ＿１はアニオンであり、ｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿１はカチオンである。

電子と正孔は、このようなｎ型ホスト分子とｐ型ホスト分子をホッピングしながら伝導す
る。そして、図２（Ｂ）に示すように、ゲスト分子のＬＵＭＯに電子が、ＨＯＭＯに正孔
が注入され（直接再結合過程）、ゲスト分子は励起状態（分子内励起子、エキシトン）と
なる。このように、直接励起再結合過程でも、特にｎ型ホストおよびｐ型ホストからゲス
トに直接、キャリアが注入される現象を、ＧｕｅｓｔＣｏｕｐｌｅｄｗｉｔｈＣｏ
ｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙＨｏｓｔｓ（ＧＣＣＨ）という。

ところで、図２でも明らかなように、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差
およびｐ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差は、いずれもゲスト分子のＬＵ
ＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差よりかなり大きいので、フェルスター機構やデクスター機構
によって、ゲストの三重項励起状態がｎ型ホストあるいはｐ型ホストの三重項励起状態に
移行する確率は十分に小さい。

すなわち、図２（Ｃ）に示すように、ゲスト分子Ｇおよびｎ型ホスト分子Ｈ＿ｎ＿１の基
底状態（それぞれ、Ｓ０＿Ｇ、Ｓ０＿Ｈ＿ｎ＿１）を基準としたとき、ｎ型ホスト分子Ｈ
＿ｎ＿１の三重項励起状態のエネルギー準位Ｔ１＿Ｈ＿ｎ＿１はゲスト分子Ｇの三重項励
起状態のエネルギー準位Ｔ１＿ＧよりもΔＥｔ（≧０．１５電子ボルト）だけ高いので、
この間の遷移は常温では起こりにくい。なお、図２（Ｃ）でＳ１＿Ｇ、Ｓ１＿Ｈ＿ｎ＿１
は、それぞれ、ゲスト分子Ｇ、ｎ型ホスト分子Ｈ＿ｎ＿１の一重項励起状態のエネルギー
準位である。

図２（Ｃ）では、ｎ型ホスト分子のエネルギー状態について述べたが、ｐ型ホスト分子で
も、その三重項励起状態のエネルギー準位が、ゲスト分子の三重項励起状態のエネルギー
準位より高ければ同様の効果が得られる。

厳密には、分子のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差が、その分子の三重項励起状態と基底
状態とのエネルギー差というわけではないが、一定の相関はある。例えば、後述する（ア
セチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）はゲストとして用いられるが、そのＨＯＭＯ
準位とＬＵＭＯ準位の差は２．５８電子ボルトであるのに対し、その三重項励起状態と基
底状態とのエネルギー差は、２．２２電子ボルトである。また、ｎ型ホストとして用いら
れる２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキ
サリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）は、それぞれ、３．１０電子ボルト、２．５
４電子ボルトであり、ｐ型ホストとして用いられる４、４’－ジ（１－ナフチル）－４’
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＮＢＢ）は、ぞれぞれ、３．１５電子ボルト、２．４０電子ボルトである。

ところで、ゲストとして上記の［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］、ｎ型ホストとして
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ、ｐ型ホストとしてＰＣＢＮＢＢを用いた場合、２ｍＤＢＴＰ
ＤＢｑ－ＩＩの三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差およびＰＣＢＮＢＢの三重項
励起状態と基底状態とのエネルギー差（光学測定の結果では、ぞれぞれ、２．５４電子ボ
ルト、２．４０電子ボルト）は、ゲストの三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差（
光学測定の結果では、２．２２電子ボルト）より０．１８電子ボルト以上高いので、ゲス
トの三重項励起状態がホストに移ることはほとんど無い。

また、ゲストとして（ジピバロイルメタナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピ
ラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）を
用いることもできる。［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の三重項励起状態と基底
状態とのエネルギー差は光学測定の結果では、２．２４電子ボルトである。

したがって、ｎ型ホストとして２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ、ｐ型ホストとしてＰＣＢＮＢ
Ｂを用いた場合、それらの三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差は、［Ｉｒ（ｍｐ
ｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差より０．１６
電子ボルト以上高いので、ゲストの三重項励起状態がホストに移ることはほとんど無い。

以上は、ゲストに電子と正孔が注入される直接再結合過程であるが、ｎ型ホスト分子とｐ
型ホスト分子が励起錯体を形成し、これがゲスト分子にエネルギー移動することにより、
ゲスト分子を励起状態とすることもできる。この場合には、エネルギー移動には、フェル
スター機構やデクスター機構を使用する。

励起錯体（エキサイプレックス、ｅｘｃｉｐｌｅｘ）は、励起状態における異種分子間の
相互作用によって形成される。励起錯体は、比較的深いＬＵＭＯ準位をもつ材料と、浅い
ＨＯＭＯ準位をもつ材料間との間で形成しやすいことが一般に知られている。例えば、前
者としてｐ型ホスト、後者としてｎ型ホストを用いることができる。

ここで、ｎ型ホストとｐ型ホストのＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位は互いに異なり、ｎ型
ホストのＨＯＭＯ準位＜ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位＜ｎ型ホストのＬＵＭＯ準位＜ｐ型ホ
ストのＬＵＭＯ準位という順で高い。

そして、このｎ型ホストとｐ型ホストにより励起錯体が形成された場合、励起錯体のＬＵ
ＭＯ準位は、ｎ型ホストに由来し、ＨＯＭＯ準位は、ｐ型ホストに由来する。したがって
、励起錯体のエネルギー差は、ｎ型ホストのエネルギー差、及びｐ型ホストのエネルギー
差よりも小さくなる。つまり、ｎ型ホストとｐ型ホストのそれぞれの発光波長に比べて、
励起錯体の発光波長は長波長となる。励起錯体の形成過程は大きく分けて以下の２つの過
程が考えられる。

≪エレクトロプレックス（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌｅｘ）≫
本明細書において、エレクトロプレックスとは、基底状態のｎ型ホスト及び基底状態のｐ
型ホストから、直接、励起錯体が形成されることを指す。

前述の通り、フェルスター機構やデクスター機構では、電子及び正孔がホスト中で再結合
した場合、励起状態のホストからゲストに励起エネルギーが移動し、ゲストが励起状態に
至り、発光する。

ここで、ホストからゲストに励起エネルギーが移動する前に、ホスト自体が発光する、又
は励起エネルギーが熱エネルギーとなることで、励起エネルギーの一部を失う。特に、ホ
ストが一重項励起状態である場合は、三重項励起状態である場合に比べて励起寿命が短い
ため、一重項励起子の失活が起こりやすい。励起子の失活は、発光素子の寿命の低下につ
ながる要因の一つである。

一方、本発明の一態様では、ｎ型ホスト及びｐ型ホストが同じ発光層に存在するので、ｎ
型ホスト分子及びｐ型ホスト分子がキャリアを持った状態（アニオンおよびカチオン）か
ら、エレクトロプレックスを形成することが多い。そのため、励起寿命の短いｎ型ホスト
分子の一重項励起子あるいはｐ型ホスト分子の一重項励起子は形成されにくい。

つまり、個々の分子の一重項励起子を形成することなく、直接、励起錯体を形成する過程
がほとんどである。これにより、上記一重項励起子の失活も抑制することができる。そし
て、生じたエレクトロプレックスからゲストにエネルギー移動をおこなって発光効率が高
い発光素子を得ることができる。

≪励起子による励起錯体の形成≫
もう一つの過程としては、ホストであるｎ型ホスト分子及びｐ型ホスト分子の一方が一重
項励起子を形成した後、基底状態の他方と相互作用して励起錯体を形成する素過程が考え
られる。エレクトロプレックスとは異なり、この場合は一旦、ｎ型ホスト分子あるいはｐ
型ホスト分子の一重項励起子が生成してしまうが、これを速やかに励起錯体に変換できれ
ば、やはり一重項励起子の失活を抑制することができる。なお、上述のように、ｎ型ホス
ト及びｐ型ホストが同じ発光層に存在する場合には、この過程は起こりにくい。

例えば、ｎ型ホストは電子トラップ性の化合物であり、一方でｐ型ホストは正孔トラップ
性の化合物である。これら化合物のＨＯＭＯ準位の差、及びＬＵＭＯ準位の差が大きい場
合（具体的には差が０．３ｅＶ以上）、電子は優先的にｎ型ホスト分子に入り、正孔は優
先的にｐ型ホスト分子に入る。この場合、一重項励起子を経て励起錯体が形成される過程
よりも、エレクトロプレックスが形成される過程の方が優先されると考えられる。

ところで、上記のようにして形成された励起錯体からゲスト分子へのエネルギー移動は、
フェルスター機構やデクスター機構によるものであるが、上述のように、これらの機構に
おいては、例えば、ホスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差とゲスト分
子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差が小さい方が好ましい。

この場合、励起錯体の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差は、ｎ型ホスト分子の
ＬＵＭＯ準位とｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位の差に相当し、これらがゲスト分子のＬＵ
ＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差と等しいあるいは近い場合には、効率的にエネルギーが移動
し、ゲスト分子を三重項励起状態とすることができ、励起錯体自らは基底状態となる。

ただし、励起錯体は、励起状態でのみ安定であるので、基底状態に戻ると、ｎ型ホスト分
子とｐ型ホスト分子に分離する。そして、上述のように、これらの三重項励起状態と基底
状態とのエネルギー差は、ゲスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差より
大きいため、ゲスト分子の三重項励起状態がいずれかのホスト分子にエネルギー移動する
ことは室温では極めて起こりにくい。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子の原理について図３を用いて説明する。図
３（Ａ）は２つのｎ型ホスト分子（Ｈ＿ｎ＿１、Ｈ＿ｎ＿２）と１つのゲスト分子（Ｇ）
と２つのｐ型ホスト分子（Ｈ＿ｐ＿１、Ｈ＿ｐ＿２）が直線状に並んでいる場合のこれら
の分子のエネルギーの様子を示す。各分子は、それぞれＨＯＭＯとＬＵＭＯを有する。

ここでは、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅｎはゲスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅａより０．
１電子ボルト以上高く、また、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｐはゲスト分子のＨＯＭ
Ｏ準位Ｅｂより高いとする。また、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差お
よびｐ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位の差は、いずれもゲスト分子のＬＵＭ
Ｏ準位とＨＯＭＯ準位の差より０．５電子ボルト以上大きいことが好ましい。

図３（Ａ）に示すように、陽極（図の右側）より正孔が、陰極（図の左側）より電子が注
入されたため、ｎ型ホスト分子Ｈ＿ｎ＿１はＬＵＭＯにも電子を有し、ｐ型ホスト分子Ｈ
＿ｐ＿１はＨＯＭＯの電子が１つしかない（正孔が一つある）状態となっている。したが
って、ｎ型ホスト分子Ｈ＿ｎ＿１はアニオンであり、ｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿１はカチオ
ンである。

電子と正孔は、このようなｎ型ホスト分子とｐ型ホスト分子をホッピングしながら伝導す
る。図に示すように、ｐ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位はｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位よ
りも高いので、電子はｎ型ホスト分子を伝導する。また、ｎ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位
はｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位よりも低いので、正孔はｐ型ホスト分子を伝導する。

そして、図３（Ｂ）に示すように、ゲスト分子のＬＵＭＯに電子が注入され、ゲスト分子
はアニオンとなる。ここで、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位はゲスト分子のＬＵＭＯ準位
よりも０．１電子ボルト以上高く、もちろん、ｐ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位はさらに高
い。すると、ゲスト分子のＬＵＭＯに入った電子は準安定な状態となり、いわば、ゲスト
分子にトラップされた状態となる。

その結果、ゲスト分子は負の電荷を帯びたアニオンとなるので、周囲にある正孔をクーロ
ン相互作用（図中にＦと表記）によって誘引する。そのため、図３（Ｃ）に示すように、
ｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿２にある正孔がゲスト分子Ｇに注入される。クーロン相互作用は
比較的、遠くまで及ぶため、効率的にゲスト分子内に電子と正孔が集まることとなる。

なお、この際、ゲスト分子ＧのＬＵＭＯにある電子とｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿２のＨＯＭ
Ｏにある正孔と再結合する（すなわち、ゲスト分子ＧのＬＵＭＯにある電子がｐ型ホスト
分子Ｈ＿ｐ＿２のＨＯＭＯに移動する、あるいは、ｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿２のＨＯＭＯ
にある正孔がゲスト分子ＧのＬＵＭＯに移動する）と、その段階で発光が生じる。

また、上記の電子移動が禁制であれば、ｐ型ホスト分子Ｈ＿ｐ＿２のＨＯＭＯにある正孔
がゲスト分子ＧのＨＯＭＯに移動し、ゲスト分子Ｇは励起状態となる。その後、ゲスト分
子Ｇは基底状態に遷移するが、その過程で発光が生じる。

ゲストにクーロン相互作用により正孔を誘引するには、（ｐ型ホストのＨＯＭＯ準位）－
（ゲストのＨＯＭＯ準位）をΔＥｐ、（ｎ型ホストのＬＵＭＯ準位）－（ゲストのＬＵＭ
Ｏ準位）をΔＥｎとするとき、ΔＥｐ＜ΔＥｎ＋０．２［電子ボルト］、好ましくは、Δ
Ｅｐ＜ΔＥｎとするとよい。以上の作用により、ゲスト分子内で正孔と電子が再結合する
。

上記の過程は、ゲスト分子がアニオンとなったために生じる。もし、ゲスト分子の電荷が
中性であれば、ゲスト分子のＨＯＭＯ準位はｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位よりも低いの
で正孔がゲスト分子に注入される可能性は低い。

図３は、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅｎはゲスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅａより高く、
また、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｐはゲスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｂより高い場合
を示したが、逆にｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｐがゲスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｂよ
り０．１電子ボルト以上低く、また、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅｎがゲスト分子の
ＬＵＭＯ準位Ｅａより０．１電子ボルト以上低い場合でも同様の原理で、ゲスト分子内で
効率よく正孔と電子が再結合する。この場合は、ゲスト分子のＨＯＭＯに正孔が最初に注
入され、そのクーロン相互作用によりゲスト分子に電子が注入される。

なお、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅｎがゲスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅａより高く、ま
た、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｐがゲスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｂより低い場合は
、さらに効率的にゲストに電荷を注入し、励起状態とすることができる。その場合は、少
なくともｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅｎがゲスト分子のＬＵＭＯ準位Ｅａより０．１
電子ボルト以上高いか、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位Ｅｐがゲスト分子のＨＯＭＯ準位
Ｅｂより０．１電子ボルト以上低いことが好ましい。

また、アニオンとなったｎ型ホスト分子とカチオンとなったｐ型ホスト分子が隣接する場
合、両者が励起錯体状態となることがある。このとき、近くにあるゲスト分子を励起状態
とするには、上述のエネルギー移動過程を経る必要があるが、その場合には、励起錯体の
励起状態と基底状態とのエネルギー差とゲスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネ
ルギー差ができるだけ近い方がよい。

もし、ｎ型ホスト分子のＬＵＭＯ準位がゲスト分子のＬＵＭＯ準位よりも０．１電子ボル
トだけ高ければ、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位がゲスト分子のＨＯＭＯ準位よりも０．
１電子ボルトだけ低くなるような材料を選択して、励起錯体の励起状態と基底状態とのエ
ネルギー差とゲスト分子の三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差ができるだけ等し
くなるようにすればよい。

具体的には、ゲストとして用いられる［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］のＬＵＭＯ準
位、ＨＯＭＯ準位は、ぞれぞれ、－２．９８電子ボルト、－５．５６電子ボルトであり、
また、ｎ型ホストとして用いられる２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩは、それぞれ、－２．７８
電子ボルト、－５．８８電子ボルトであり、ｐ型ホストとして用いられるＰＣＢＮＢＢは
、ぞれぞれ、－２．３１電子ボルト、－５．４６電子ボルトである。

この組み合わせにおいては、ゲストのＬＵＭＯ準位はｎ型ホストおよびｐ型ホストのＬＵ
ＭＯ準位より低く、特にｎ型ホストのＬＵＭＯ準位より０．２電子ボルト低いため、ゲス
ト分子は電子をトラップしてアニオンとなりやすい。また、ゲスト分子のＨＯＭＯ準位は
ｎ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位よりは高いものの、ｐ型ホスト分子のＨＯＭＯ準位よりは
０．１電子ボルト低い。

したがって、図３に示したように、最初にゲストのＬＵＭＯに電子が注入され、そのクー
ロン相互作用によりゲストに正孔が注入されることにより、発光することとなる。

また、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］のＬＵＭＯ準位は、－２．７７電子ボル
トであり、ｎ型ホスト（２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）のＬＵＭＯ準位（－２．７８電子ボ
ルト）とほとんど同じであり、また、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］のＨＯＭ
Ｏ準位は－５．５０電子ボルトであり、ｐ型ホスト（ＰＣＢＮＢＢ）のＨＯＭＯ準位（－
５．４３電子ボルト）よりも０．０７電子ボルト低い。

これらの数値は［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］が上記のｎ型ホストやｐ型ホス
トと一緒に用いられる場合には、電子やホールをトラップする作用が、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ
）_２（ａｃａｃ）］よりも劣っていることを示している。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図１（Ｂ）を用いて説明する。図
１（Ｂ）は、第１の電極１０３と第２の電極１０４との間にＥＬ層１１０を有する発光素
子を示した図である。図１（Ｂ）における発光素子は、第１の電極１０３の上に順に積層
した第１のキャリアの注入層１０５、第１のキャリアの輸送層１０６、発光層１０２、第
２のキャリアの輸送層１０８、第２のキャリアの注入層１０７と、さらにその上に設けら
れた第２の電極１０４から構成されている。ＥＬ層１１０は発光層１０２以外に、第１の
キャリアの注入層１０５、第１のキャリアの輸送層１０６、第２のキャリアの輸送層１０
８、第２のキャリアの注入層１０７より構成される。なお、ＥＬ層１１０は必ずしもこれ
らの層を全て有する必要は無い。

ここで、第１の電極１０３は陽極あるいは陰極の一方であり、第２の電極１０４は陽極あ
るいは陰極の他方である。また、第１のキャリアは正孔あるいは電子の一方であり、第２
のキャリアは正孔あるいは電子の他方である。また、第１の電極が陽極であれば、第１の
キャリアは正孔であり、第１の電極が陰極であれば、第１のキャリアは電子である。また
、第１のキャリアの注入層１０５、第２のキャリアの注入層１０７は正孔注入層と電子注
入層のいずれかであり、第１のキャリアの輸送層１０６、第２のキャリアの輸送層１０８
は正孔輸送層と電子輸送層のいずれかである。

陽極としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合
物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジ
ウム－酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素又は酸化珪素を含
有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ
Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）
等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜され
るが、ゾル－ゲル法などを応用して作製しても構わない。

例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛膜は、酸化インジウムに対し１～２０ｗｔ％の酸化亜
鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、Ｉ
ＷＺＯ膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０
．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができ
る。この他、グラフェン、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄
、コバルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げら
れる。

但し、ＥＬ層１１０のうち、陽極に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子受
容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、陽極に用
いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、および
これらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを
含む合金（例えば、Ａｌ－Ｓｉ）等も用いることもできる。陽極は、例えばスパッタリン
グ法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

陰極は、仕事関数の小さい（好ましくは３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物
、及びこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、元素周期表の
第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、およ
びカルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム、およびこれらを含
む合金（例えば、Ｍｇ－Ａｇ、Ａｌ－Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類
金属およびこれらを含む合金の他、アルミニウムや銀などを用いることができる。

但し、ＥＬ層１１０のうち、陰極に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子供
与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いる場合には、仕事関数の大小に関わらず
、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様
々な導電性材料を用いることができる。なお、陰極を形成する場合には、真空蒸着法やス
パッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法
やインクジェット法などを用いることができる。

正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、
モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化
物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物
、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フ
タロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフ
タロシアニン系の化合物を用いることができる。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メ
チルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４
，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－
Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル
）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，
６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（
９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：Ｐ
ＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる
。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳ
Ｓ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。

また、正孔注入層として、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複
合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に正孔が
発生するため、正孔注入性および正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物として
は、発生した正孔の輸送に優れた材料（正孔輸送性の高い物質）であることが好ましい。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ
１、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェ
ニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル
－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬ
Ｐ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：
ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：
ＴＣＰＢ）、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン
（略称：ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フ
ェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバ
ゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体
を用いることができる。

また、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－
ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９
，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔ
ｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－Ｂ
ｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（
略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］－２－ｔｅｒｔ
－ブチルアントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン
、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、
９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，
１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス
［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブ
チル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）
ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）
フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。

また、電子受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ等の高分子化合物
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層に用いてもよい。

正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、
ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－
２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’－ビ
ス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェ
ニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた
物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よ
りも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸
送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層
したものとしてもよい。

また、正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、
ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。

また、正孔輸送層には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ－ＴＰＤなどの高
分子化合物を用いることもできる。

発光層１０２は、発光物質を含む層である。本実施の形態の発光層１０２は、ゲストとし
て燐光性化合物を有し、ホストとしてｎ型ホスト及びｐ型ホストを有する。ｎ型ホスト（
あるいはｐ型ホスト）は、２種以上用いることができる。

燐光性化合物としては、有機金属錯体が好ましく、イリジウム錯体が特に好ましい。なお
、上述のフェルスター機構によるエネルギー移動を考慮すると、燐光性化合物の最も長波
長側に位置する吸収帯のモル吸光係数は、２０００Ｍ^－１・ｃｍ^－１以上が好ましく、５
０００Ｍ^－１・ｃｍ^－１以上が特に好ましい。

このような大きなモル吸光係数を有する化合物としては、例えば、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍ
ｅ）_２（ｄｐｍ）］や、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］などが挙げられる。特に、
［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］のように、モル吸光係数が５０００Ｍ^－１・ｃｍ^－
^１以上に達する材料を用いると、外部量子効率が３０％程度に達する発光素子が得られる
。

ｎ型ホストとしては、例えば、上述の２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ以外にも、２－［４－（
３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キ
ノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－
イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）
、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キ
ノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）のような電子を受け取りやすい化合物の
うちいずれか一を用いればよい。

またｐ型ホストとしては、上述のＰＣＢＮＢＢ以外にも、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナ
フチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、及び、
４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルア
ミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）のような正孔を受け取りやすい化合物を用いればよい。た
だし、これらに限定されることなく、例えば、実施の形態１あるいは実施の形態２に示し
たエネルギー準位の関係を満たすｎ型ホストとｐ型ホストの組み合わせであればよい。

電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、
Ａｌｑ_３、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）
、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、
ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト
］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体が挙げられる。

また、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４
－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェ
ニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３
－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，
２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－
（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称
：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（
略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベ
ン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。

また、ポリ（２，５－ピリジン－ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシ
ルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ
－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２
’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を
用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度
を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物
質を電子輸送層として用いてもよい。

また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したも
のとしてもよい。

電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム、セシ
ウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化
物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることがで
きる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、
上述した電子輸送層を構成する物質を用いることもできる。

あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料
を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生す
るため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発
生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子
輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。

電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には
、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグ
ネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金
属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バ
リウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いること
もできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることも
できる。

なお、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層１０２、電子輸送層、電子注入層は、そ
れぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成するこ
とができる。

また、図１（Ｃ）に示すように、陽極と陰極との間に複数のＥＬ層１１０ａ、１１０ｂが
積層されていても良い。この場合、ＥＬ層１１０ａ、１１０ｂはそれぞれ少なくとも発光
層を有する。積層された第１のＥＬ層１１０ａと第２のＥＬ層１１０ｂとの間には、電荷
発生層１１１を設けることが好ましい。電荷発生層１１１は上述の複合材料で形成するこ
とができる。また、電荷発生層１１１は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積
層構造でもよい。

この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含
む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光
素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がること
で高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の
ＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の
構造と組み合わせて用いることができる。

また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、第１のＥＬ層１１０ａの発光色と第２のＥＬ層
１１０ｂの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光す
る発光素子を得ることも可能である。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合で
も同様である。

あるいは、図１（Ｄ）に示すように、陽極２０１と陰極２０９との間に、正孔注入層２０
２、正孔輸送層２０３、発光層２０４、電子輸送層２０５、電子注入バッファー層２０６
、電子リレー層２０７、及び陰極２０９と接する複合材料層２０８を有するＥＬ層２１０
を形成しても良い。

陰極２０９と接する複合材料層２０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて陰
極を形成する際に、ＥＬ層２１０が受けるダメージを低減することができるため、好まし
い。複合材料層２０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を
含有させた複合材料を用いることもできる。

さらに、電子注入バッファー層２０６を設けることで、複合材料層２０８と電子輸送層２
０５との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層２０８で生じた電子を電
子輸送層２０５に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層２０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層２０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。電子輸送性の高い物質としては、先に
説明した電子輸送層２０５の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

また、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこ
れらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチ
ウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化
物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む
））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロ
セン等の有機化合物を用いることもできる。

さらに、電子注入バッファー層２０６と複合材料層２０８との間に、電子リレー層２０７
を形成することが好ましい。電子リレー層２０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層２０７を設けることで、電子注入バッファー層２０６へ電子を
速やかに送ることが可能となる。

複合材料層２０８と電子注入バッファー層２０６との間に電子リレー層２０７が挟まれた
構造は、複合材料層２０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層２０
６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。

電子リレー層２０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭ
Ｏ準位は、複合材料層２０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送
層２０５に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。

また、電子リレー層２０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層２０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層２０５
に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネ
ルギー準位の数値としては、電子リレー層２０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵ
ＭＯ準位は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下とするとよ
い。

電子リレー層２０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層２０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、Ｓ
ｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｔｉｎ（ＩＩ）ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ
（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｚｉｎｃｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌ
ｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β－ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌ
ｏｃｙａｎｉｎｅＩｒｏｎ）及びＰｈＯ－ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ２，９，１６，
２３－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ－２９Ｈ，３１Ｈ－ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）の
いずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層２０７に含まれる金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属－酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属－酸素の二重結
合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がよ
り容易になる。また、金属－酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属－酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。

金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｔｉｎ（ＩＶ）ｏｘｉｄｅｃｏｍｐｌｅｘ）
及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｔｉｔａｎｉｕｍｏｘｉｄｅｃｏ
ｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属－酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはＰｈＯ－ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層２０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物
（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土
類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン
、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子
リレー層２０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり
、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層２０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層２０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層２０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジオクチル－３，４，９，１０－ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ－Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’－ジヘキシル－
３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＨｅｘＰＴＣ）等が挙
げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３－ｆ］［１，１０］
フェナントロリン－２，３－ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３－ジフェニルピリド［２，３－ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３－ビス（４－フルオロフェニル）ピリド［２，３－ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８，－テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４
，５，８，－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロ
ペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’
－ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－ペンタデカフ
ルオロオクチル）－１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴ
ＣＤＩ－Ｃ８Ｆ）、３’，４’－ジブチル－５，５’’－ビス（ジシアノメチレン）－５
，５’’－ジヒドロ－２，２’：５’，２’’－テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）、
メタノフラーレン（例えば、［６，６］－フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル）等を用い
ることができる。

なお、電子リレー層２０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層２０７を形成すれば良い。

正孔注入層２０２、正孔輸送層２０３、発光層２０４、及び電子輸送層２０５は前述の材
料を用いてそれぞれ形成すれば良い。以上により、本実施の形態のＥＬ層２１０を作製す
ることができる。

上述した発光素子は、陽極と陰極との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層におい
て正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、陽極または陰極
のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、陽極または陰極のいず
れか一方、または両方が可視光に対する透光性を有する電極となる。

なお、陽極と陰極との間に設けられる層の構成は、上記のものに限定されない。発光領域
と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、陽極及び陰極から離れた部位
に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば上記以外のものでもよい。

つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の
高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性の物質（電子及
び正孔の輸送性の高い物質）、又は正孔ブロック材料等から成る層を、発光層と自由に組
み合わせて構成すればよい。

本実施の形態で示した発光素子を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置や、トランジ
スタによって発光素子の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発光装置を作製する
ことができる。また、該発光装置を電子機器又は照明装置等に適用することができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子について説明する。本実施例で用いた材料の化
学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子１及び比較発光素子２の作製方法を示す。

（発光素子１）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極として機能する第１の電極を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎ
ｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００
℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒おこなった。

その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置内の加熱室に基板を導入し
、１７０℃で３０分間の真空焼成をおこなった後、基板を３０分程度放冷した。

次に、真空蒸着装置内の蒸着室に基板を導入し、第１の電極が形成された面が下方となる
ように、第１の電極が形成された基板が真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定
された状態で、１０^－４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極上に、ＢＰＡＦＬＰと酸化
モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層を形成した。その膜厚は、４０ｎｍ
とし、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＢＰＡＦＬＰ：酸化
モリブデン）となるように調節した。

次に、正孔注入層上に、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層
を形成した。

さらに、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、及び［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（
ｄｐｍ）］を共蒸着し、正孔輸送層上に発光層を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ
－ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ及び［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の重量比は、０．８
：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－
Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）となるように調節した。また、発光層の膜厚は４０ｎｍとした。

次に、発光層上に２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるよう成膜し、第１の電
子輸送層を形成した。

次に、第１の電子輸送層上にＢＰｈｅｎを膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子
輸送層を形成した。

さらに、第２の電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電
子注入層を形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となる
ように蒸着することで、本実施例の発光素子１を作製した。

（比較発光素子２）
比較発光素子２の発光層は、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ及び［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２
（ｄｐｍ）］を共蒸着することで形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ及び［Ｉ
ｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の重量比は、１：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ
－ＩＩ：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）となるように調節した。また、発光
層の膜厚は４０ｎｍとした。発光層以外は、発光素子１と同様に作製した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以上により得られた発光素子１及び比較発光素子２の素子構造を表１に示す。本実施例に
おいては、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩがｎ型ホスト、ＰＣＢＮＢＢがｐ型ホスト、［Ｉｒ
（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］がゲストである。すなわち、発光素子１では、ｎ型ホ
ストとｐ型ホストが共に発光層内にあるのに対し、比較発光素子２では、ｐ型ホストが発
光層に存在しない。

これらの発光素子を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝さ
れないように封止する作業をおこなった後、発光素子の動作特性について測定をおこなっ
た。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）でおこなった。

発光素子１及び比較発光素子２の電流密度－輝度特性を図４に示す。図４において、横軸
は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、電圧－輝度特
性を図５に示す。図５において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す
。また、輝度－電流効率特性を図６に示す。図６において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を
、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、輝度－外部量子効率特性を図７に示す。図
７において、横軸は、輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸は外部量子効率（％）を示す。

また、発光素子１及び比較発光素子２における輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近のときの電圧
（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）
、パワー効率（ｌｍ／Ｗ）、外部量子効率（％）を表２に示す。

また、発光素子１及び比較発光素子２に０．１ｍＡの電流を流した際の発光スペクトルを
、図８に示す。図８において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す
。また、表２に示す通り、１２００ｃｄ／ｍ^２の輝度の時の発光素子１のＣＩＥ色度座標
は（ｘ，ｙ）＝（０．５６，０．４４）であり、９６０ｃｄ／ｍ^２の輝度の時の比較発光
素子２のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．５５，０．４４）であった。この結果から
、発光素子１及び比較発光素子２は、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］に由来す
る橙色発光が得られたことがわかった。

表２及び図４乃至図７からわかるように、発光素子１は、比較発光素子２に比べて、電流
効率、パワー効率、外部量子効率がそれぞれ高い値を示した。一般に、発光体からの光を
外部に取り出すに際しては、基板その他と大気との間で全反射がおこり、内部量子効率の
２５％乃至３０％しか外部に光を取り出せないとされている。

このことを考慮すると、比較発光素子２ではせいぜい、内部量子効率は６０％弱であると
推定されるが、発光素子１は内部量子効率が８０％程度にまで高まっていると推定できる
。以上の結果から、本発明の一態様を適用することで、外部量子効率の高い素子を実現で
きることが示された。

次に、発光素子１及び比較発光素子２の信頼性試験をおこなった。信頼性試験の結果を図
９に示す。図９において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し
、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。信頼性試験は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に
設定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動した。

比較発光素子２は、１２０時間後の輝度が、初期輝度の５８％であった。また、発光素子
１は、６３０時間後の輝度が、初期輝度の６５％であった。この結果から、発光素子１は
、比較発光素子２に比べて、寿命の長い素子であることがわかった。以上の結果から、本
発明の一態様を適用することで、信頼性の高い素子を実現できることが示された。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子について説明する。本実施例で用いた材料の化
学式を以下に示す。なお、先の実施例で用いた材料の化学式は省略する。

以下に、本実施例の発光素子３の作製方法を示す。

（発光素子３）
まず、ガラス基板上に、ＩＴＳＯをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第
１の電極を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとし
た。

その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成をおこなった後、基板を３０分
程度放冷した。

次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^－４Ｐａ程度まで減圧した後、第
１の電極上に、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層
を形成した。その膜厚は、４０ｎｍとし、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデンの比率は、重量
比で４：２（＝ＢＰＡＦＬＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。

さらに、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａ
ｃ）］を共蒸着し、正孔輸送層上に発光層を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－Ｉ
Ｉ、ＰＣＢＮＢＢ及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］の重量比は、０．８：０．２
：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃ
ａｃ）］）となるように調節した。また、発光層の膜厚は４０ｎｍとした。

次に、第１の電子輸送層上に、ＢＰｈｅｎを膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電
子輸送層を形成した。

さらに、第２の電子輸送層上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層を形成した
。

最後に、陰極として機能する第２の電極として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となる
ように蒸着することで、本実施例の発光素子３を作製した。

以上により得られた発光素子３の素子構造を表３に示す。

発光素子３を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されない
ように封止する作業をおこなった後、発光素子の動作特性について測定をおこなった。な
お、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）でおこなった。

発光素子３の電流密度－輝度特性を図１０に示す。図１０において、横軸は電流密度（ｍ
Ａ／ｃｍ^２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、電圧－輝度特性を図１１に示
す。図１１において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、輝
度－電流効率特性を図１２に示す。図１２において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸
は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、輝度－外部量子効率特性を図１３に示す。図１３
において、横軸は、輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸は外部量子効率（％）を示す。

また、発光素子３における輝度１１００ｃｄ／ｍ^２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ
／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、パワー効率（ｌｍ／Ｗ
）、外部量子効率（％）を表４に示す。

また、発光素子３に０．１ｍＡの電流を流した際の発光スペクトルを、図１４に示す。図
１４において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。また、表４に
示す通り、１１００ｃｄ／ｍ^２の輝度の時の発光素子３のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝
（０．５４，０．４６）であった。この結果から、発光素子３は、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２
（ａｃａｃ）］に由来する橙色発光が得られたことがわかった。

表４及び図１０乃至図１３からわかるように、発光素子３は、電流効率、パワー効率、外
部量子効率がそれぞれ高い値を示した。特に、１１００ｃｄ／ｍ^２の輝度の時の外部量子
効率が２８％と極めて高い値を示した。これは内部量子効率に換算すると、９０％以上と
なる。以上の結果から、本発明の一態様を適用することで、外部量子効率の高い素子を実
現できることが示された。

次に、発光素子３の信頼性試験をおこなった。信頼性試験の結果を図１５に示す。図１５
において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子の
駆動時間（ｈ）を示す。

信頼性試験は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子
３を駆動した。３２０時間後の輝度について、発光素子３は、初期輝度の９２％を保って
いた。以上の結果から、本発明の一態様を適用することで、信頼性の高い素子を実現でき
ることが示された。

有機材料のＴ１準位は、その有機材料の薄膜や溶液の光学測定によって決定することもで
きるが、分子軌道計算によっても得られる。例えば、未知の材料のＴ１準位を見積もるに
は分子軌道計算が使用できる。本実施例では、ゲストとして用いられるＩｒ（ｄｐｐｍ）
_２ａｃａｃ、Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２ｄｐｍ、Ｎ型ホストとして用いられる２ｍＤＢＴ
ＰＤＢｑＩＩ、およびＰ型ホストとして用いられるＰＣＢＮＢＢのＴ１準位をそれぞれ算
出した。

計算方法は以下の通りである。最初に、それぞれの分子の一重項基底状態（Ｓ_０）と三重
項励起状態（Ｔ_１）における最安定構造を、密度汎関数法（ＤＦＴ）を用いて計算した。
さらに、Ｓ_０とＴ_１の最安定構造において振動解析をおこない、零点補正したエネルギー
を求めた。Ｓ_０とＴ_１の零点補正したエネルギーの差から、Ｔ１準位を算出した。

Ｎ型ホスト分子およびＰ型ホスト分子の計算では、全ての原子の基底関数として、６－３
１１Ｇ（それぞれの原子価軌道に三つの短縮関数を用いたｔｒｉｐｌｅｓｐｌｉｔｖ
ａｌｅｎｃｅ基底系の基底関数）を用いた。上述の基底関数により、例えば、Ｈ原子であ
れば、１ｓ～３ｓの軌道が考慮され、また、Ｃ原子であれば、１ｓ～４ｓ、２ｐ～４ｐの
軌道が考慮されることになる。さらに、計算精度向上のため、分極基底系として、Ｈ原子
にはｐ関数を、Ｈ原子以外にはｄ関数を加えた。汎関数にはＢ３ＬＹＰを用いて、交換と
相関エネルギーに係る各パラメータの重みを規定した。

ゲスト分子の計算では、Ｉｒ原子の基底関数にはＬａｎＬ２ＤＺを用いた。Ｉｒ原子以外
の基底関数には６－３１１Ｇを用いた。さらに、計算精度向上のため、分極基底系として
、Ｈ原子にはｐ関数を、Ｈ原子以外にはｄ関数を加えた。汎関数にはＢ３ＰＷ９１を用い
て、交換と相関エネルギーに係る各パラメータの重みを規定した。

なお、量子化学計算プログラムとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ０９を使用した。計算は、ハ
イパフォーマンスコンピュータ（ＳＧＩ社製、Ａｌｔｉｘ４７００）を用いておこなった
。

計算によって得られたＴ１準位は、Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２ａｃａｃは２．１３電子ボルト、
Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２ｄｐｍは２．１３電子ボルト、２ｍＤＢＴＰＤＢｑＩＩは２．
４２電子ボルト、ＰＣＢＮＢＢは２．３１電子ボルトであった。これらの値は、光学測定
で得られたものに近いものであった。

以上の結果より、Ｎ型ホストとして用いられる２ｍＤＢＴＰＤＢｑＩＩ、およびＰ型ホス
トとして用いられるＰＣＢＮＢＢのＴ１準位は、ゲストとして用いられるＩｒ（ｄｐｐｍ
）_２ａｃａｃ、Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２ｄｐｍのＴ１準位よりも０．１５ｅＶ以上高い
ことが分かった。そのため、ゲスト分子の三重項励起状態からＮ型ホスト分子またはＰ型
ホスト分子の三重項励起状態への遷移を十分に防止することができ、外部量子効率が高い
発光素子を得ることができることが示唆された。

このように光学測定で得られるＴ１準位と分子軌道計算によって得られるＴ１準位は非常
に近いものである。したがって、新しい有機化合物を合成せずとも、分子軌道計算をおこ
ない、その有機化合物のＴ１準位を評価し、その有機化合物が発光効率を高める上で有用
か否かを判定できる。

１０１基板
１０２発光層
１０３第１の電極
１０４第２の電極
１０５第１のキャリアの注入層
１０６第１のキャリアの輸送層
１０７第２のキャリアの注入層
１０８第２のキャリアの輸送層
１１０ＥＬ層
１１０ａＥＬ層
１１０ｂＥＬ層
１１１電荷発生層
２０１陽極
２０２正孔注入層
２０３正孔輸送層
２０４発光層
２０５電子輸送層
２０６電子注入バッファー層
２０７電子リレー層
２０８複合材料層
２０９陰極
２１０ＥＬ層

Claims

陽極と陰極との間に、発光層を有し、
前記発光層は、燐光性化合物と、電子輸送性を有する第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、を含み、
前記陽極と前記発光層との間に、芳香族アミン化合物またはカルバゾール誘導体である第３の有機化合物と、アクセプターと、を含み、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記励起錯体の発光スペクトルは、前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯と重なり、
前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位が前記燐光性化合物のＨＯＭＯ準位よりも０．１電子ボルト以上低い発光素子。
陽極と陰極との間に、発光層を有し、
前記発光層は、燐光性化合物と、電子輸送性を有する第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、を含み、
前記陽極と前記発光層との間に、芳香族アミン化合物またはカルバゾール誘導体である第３の有機化合物と、アクセプターと、を含み、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記励起錯体の発光スペクトルは、前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯と重なり、
前記第１の有機化合物の三重項励起状態と基底状態のエネルギー差は、前記燐光性化合物の三重項励起状態と基底状態のエネルギー差より０．１５電子ボルト以上大きく、
前記第２の有機化合物の三重項励起状態と基底状態のエネルギー差は、前記燐光性化合物の三重項励起状態と基底状態のエネルギー差より０．１５電子ボルト以上大きい発光素子。
請求項１または請求項２において、
前記燐光性化合物の最も長波長側に位置する吸収帯のモル吸光係数は、２０００Ｍ ^－１・ｃｍ^－１以上である発光素子。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記燐光性化合物は、有機金属錯体である発光素子。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。