JP2019523994A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 支持構造であって、
   多結晶セラミックコアと、
   前記多結晶セラミックコアに結合された第１の接着層と、
   前記第１の接着層に結合された導電層と、
   前記導電層に結合された第２の接着層と、
   前記第２の接着層に結合されたバリア層と
   を含む、支持構造と、
   前記支持構造に結合された酸化シリコン層と、
   前記酸化シリコン層に結合された実質的単結晶シリコン層と、
   前記実質的単結晶シリコン層に結合されたエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層と
   を含む基板。
2. 前記多結晶セラミックコアが窒化アルミニウムを含む、請求項１に記載の基板。
3. 前記エピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層がエピタキシャル窒化ガリウム層を含む、請求項２に記載の基板。
4. 前記エピタキシャル窒化ガリウム層が、約５μｍ以上の厚さを有する、請求項３に記載の基板。
5. 前記実質的単結晶シリコン層が、厚さ約０．５μｍの剥離シリコン層を含む、請求項１に記載の基板。
6. 前記実質的単結晶シリコン層が、剥離シリコン層と、前記剥離シリコン層上に成長したエピタキシャルシリコン層とを含み、前記実質的単結晶シリコン層が約０．５μｍの厚さを有する、請求項１に記載の基板。
7. 前記第１の接着層は、前記多結晶セラミックコアを封入する第１のテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を含み、
   前記導電層は、前記第１のＴＥＯＳ層を封入するポリシリコン層を含み、
   前記第２の接着層は、前記ポリシリコン層を封入する第２のＴＥＯＳ層を含み、
   前記バリア層は、前記第２のＴＥＯＳ層を封入する窒化シリコン層を含む、請求項１に記載の基板。
8. 前記第１のＴＥＯＳ層は約１０００Åの厚さを有し、
   前記ポリシリコン層は約３０００Åの厚さを有し、
   前記第２のＴＥＯＳ層は約１０００Åの厚さを有し、
   前記窒化シリコン層は約４０００Åの厚さを有する、請求項７に記載の基板。
9. 支持構造であって、
   多結晶セラミックコアと、
   前記多結晶セラミックコアに結合された第１の接着層と、
   前記第１の接着層に結合された導電層と、
   前記導電層に結合された第２の接着層と、
   前記第２の接着層に結合されたバリアシェルと
   を含む、支持構造と、
   前記支持構造に結合された接合層と、
   前記接合層に結合された実質的単結晶シリコン層と、
   前記実質的単結晶シリコン層に結合されたエピタキシャル単結晶シリコン層と
   を含む設計された基板構造。
10. 前記多結晶セラミックコアは多結晶窒化ガリウムを含み、
    前記第１の接着層はテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含み、
    前記導電層はポリシリコンを含み、
    前記第２の接着層はＴＥＯＳを含み、
    前記バリアシェルは窒化シリコンを含み、
    前記接合層は酸化シリコンを含む、請求項９に記載の設計された基板構造。
11. 前記エピタキシャル単結晶シリコン層に結合されたエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層をさらに含む、請求項９に記載の設計された基板構造。
12. 前記エピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層から前記エピタキシャル単結晶シリコン層へと通過する複数のビアをさらに含む、請求項１１に記載の設計された基板構造。
13. 前記実質的単結晶シリコン層と前記エピタキシャル単結晶シリコン層との間に配置された１つ以上のバッファ層をさらに備える、請求項９に記載の設計された基板構造。
14. 前記エピタキシャル単結晶シリコン層が歪んでいる、請求項９に記載の設計された基板構造。
15. 前記エピタキシャル単結晶シリコン層が、１μｍ〜２０μｍの範囲の厚さであることを特徴とする、請求項９に記載の設計された基板構造。