TW201505138A - 電子裝置及其製造方法 - Google Patents

電子裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201505138A
TW201505138A TW102147476A TW102147476A TW201505138A TW 201505138 A TW201505138 A TW 201505138A TW 102147476 A TW102147476 A TW 102147476A TW 102147476 A TW102147476 A TW 102147476A TW 201505138 A TW201505138 A TW 201505138A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat
electronic device
composite material
heat spreader
manufacturing
Prior art date
Application number
TW102147476A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI633636B (zh
Inventor
Motonobu Sato
Original Assignee
Nat Inst Of Advanced Ind Scien
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Inst Of Advanced Ind Scien filed Critical Nat Inst Of Advanced Ind Scien
Publication of TW201505138A publication Critical patent/TW201505138A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI633636B publication Critical patent/TWI633636B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

本發明在製造藉均熱片以連接半導體晶片與可進行半導體晶片之散熱之散熱片的電子裝置時，係使用第1碳奈米管而於半導體晶片背面形成第1均熱片，使用第2碳奈米管而於散熱片上形成第2均熱片，並貼合第1均熱片與第2均熱片；其中該半導體晶片於基板表面形成有元件層。依據上述構造，可實現以較簡化之構造達成熱阻極低而效率良好之散熱之可靠度較高的電子裝置。

Description

電子裝置及其製造方法 技術領域
本發明有關於一種電子裝置及其製造方法。
背景技術
近年，電子裝置，諸如半導體裝置之散熱技術已存在於半導體元件與散熱片之間配置上下面已附有高導熱性黏著材料之TIM1、TIM2之均熱片之技術等。且，亦已開發於半導體元件與散熱片之間形成碳奈米管(CNT)之散熱技術(參照諸如專利文獻1~3)。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-192656號公報
專利文獻2：日本專利特開2010-192661號公報
專利文獻3：日本專利特開2010-267706號公報
發明概要
然而，使用上述CNT之散熱技術均於半導體元件與散熱片之接合部位發生熱阻之增大，而存在無法充分散 熱之問題。
本發明乃有鑑於上述問題而設計，目的在提供一種可藉較簡化之構造而實現熱阻極低而效率良好之散熱之可靠度較高之電子裝置及其製造方法。
本發明之電子裝置包含有：電子零件，於基板表面形成有元件層；散熱片，可進行前述電子零件之散熱；及，均熱片，係設於前述電子零件背面與前述散熱片之間；前述均熱片包含：第1均熱片，係形成於前述電子零件背面，並設有第1碳奈米管；及，第2均熱片，係形成於前述散熱片，並設有第2碳奈米管。
本發明之電子裝置之製造方法乃藉均熱片連接電子零件與可進行前述電子零件之散熱的散熱片，其中電子零件於基板表面形成有元件層；該製造方法之特徵在於包含以下步驟：使用第1碳奈米管而於前述電子零件背面形成第1均熱片之步驟；使用第2碳奈米管而於前述散熱片上形成第2均熱片之步驟；及，貼合前述第1均熱片與前述第2均熱片之步驟。
依據本發明，可實現以較簡化之構造而達成熱阻極低且效率良好之散熱之可靠度較高之電子裝置。
1‧‧‧矽基板
1a‧‧‧切割線
2‧‧‧第1均熱片
3‧‧‧基台
4‧‧‧第2均熱片
5‧‧‧散熱翼片
6‧‧‧焊球
10‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧元件層
12‧‧‧基材
13‧‧‧觸媒材料
14‧‧‧CNT
15‧‧‧金屬材料
20‧‧‧散熱片
21‧‧‧基材
22‧‧‧觸媒材料
23‧‧‧CNT
24‧‧‧金屬材料
30‧‧‧支持基板
40‧‧‧安裝基板
圖1A為依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖1B為接續圖1A，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖1C為接續圖1B，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖2A為接續圖1C，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖2B為接續圖2A，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖2C為接續圖2B，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖3A為接續圖2C，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖3B為接續圖3A，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖4A為接續圖3B，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖4B為接續圖4A，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖4C為接續圖4B，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖4D為接續圖4C，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖5A為接續圖4D，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
圖5B為接續圖5A，而依步驟順序顯示本實施形態之電子裝置之製造方法之概略截面圖。
用以實施發明之形態
以下，參照圖示詳細說明應用本發明之具體實施形態。
本實施形態中，將一同揭露包含MOS構造之電晶體元件作為功能元件之半導體裝置作為電子裝置及其製造方法。另，除本實施形態之MOS電晶體以外，亦可應用包含各種記憶體元件、電容器元件等作為功能元件之裝置作為半導體裝置。
圖1A~圖5B為依步驟順序顯示本實施形態之半導體裝置之製造方法之概略截面圖。
首先，形成各半導體晶片。
如圖1A所示，準備表面上已形成有元件層11之半導體基板諸如矽基板1。
元件層11乃諸如於絕緣膜內形成MOS構造之電晶體元件作為功能元件及其配線構造等而構成。
接著，如圖1B所示，將矽基板1之表面側(元件層11側)載置固定於支持基板30上。
其次，如圖1C所示，藉背面研磨而研削矽基板1之背面，並將矽基板1削薄至預定厚度。
然後，如圖2A所示，使CNT14成長於矽基板1背面上。
詳而言之，乃先藉濺鍍法等使諸如Ti、TiN、Ta、TaN等鍍層至數nm左右~20nm左右之厚度。藉此，而可於矽基板1背面上形成位障金屬之基材12。
接著，藉真空蒸鍍法等，使觸媒材料鍍層至諸如數nm左右之厚度。觸媒材料則使用由Co、Ni、Fe、Ti、V等中選出之1種或2種以上之混合材料。舉例言之，可選擇Co/Ti或Co/V。藉此，即可於矽基板1背面之基材12上形成觸媒材料13。
其次，藉諸如熱CVD法將成長溫度設在400℃~450℃之低溫範圍內之值，在此乃設為450℃左右，並執行碳奈米管(CNT)之成長處理。藉此，而可使CNT14自存在矽基板1之背面上之觸媒材料13豎立而形成。CNT14可形成諸如數μm左右~數百μm左右之長度。CNT乃導熱率高於基板材料之矽而散熱性良好之材料。
然後，如圖2B所示，形成嵌入CNT14之金屬材料15。
詳而言之，乃於矽基板1之背面上形成諸如Cu作為導熱性較高之金屬材料15，藉電鍍法等而嵌入CNT13。藉此，即可於矽基板1背面上形成CNT14與嵌入CNT14之金屬材料15之複合材料。金屬材料15可使用諸如Ag、Au等取代Cu。且，亦可使用金屬奈米粒子分散液等取代鍍覆。
接著，如圖2C所示，去除複合材料之多餘之金屬材料15。
詳而言之，可藉諸如化學機械研磨(CMP)法而研磨去除 複合材料之金屬材料15至複合材料內之CNT14先端露出為止。藉此，而可形成由複合材料所構成，自平坦表面露出CNT14先端之第1均熱片2。
其次，如圖3A所示，就矽基板1進行切割處理，而就各半導體晶片沿切割線1a加以切割。
然後，如圖3B所示，自支持基板30分離各半導體晶片10。
半導體晶片10乃於矽基板1之表面上形成元件層11而成。半導體晶片10背面上則形成有第1均熱片2。
接著，形成散熱片。
如圖4A所示，準備散熱片之基台3。基台3則由諸如Cu或Al等導熱性較高之金屬材料所構成。
然後，如圖4B所示，使CNT23成長於基台3背面上。
詳而言之，乃先藉濺鍍法等使諸如Ti、TiN、Ta、TaN等鍍層至數nm左右~20nm左右之厚度。藉此，而於基台3背面上形成位障金屬之基材21。
其次，藉真空蒸鍍法等將觸媒材料鍍層至諸如數nm左右之厚度。觸媒材料可使用Co、Ni、Fe、Ti、V等中選出之1種或2種以上之混合材料。舉例言之，可選擇Co/Ti或Co/V。藉此，而可於基台3背面之基材21上形成觸媒材料22。
接著，藉諸如熱CVD法將成長溫度設在400℃~450℃之低溫範圍內之值，在此乃設為450℃左右，並執行碳奈米管(CNT)之成長處理。藉此，而可使CNT23自存在基 台3之背面上之觸媒材料22豎立而形成。CNT23可形成諸如數μm左右~數百μm左右之長度。CNT乃導熱率高於基底材料之Cu等而散熱性良好之材料。
然後，如圖4C所示，形成嵌入CNT23之金屬材料24。
詳而言之，乃於基台3背面上形成諸如Cu作為導熱性較高之金屬材料24，藉電鍍法等而嵌入CNT23。藉此，即可於基台3背面上形成CNT23與嵌入CNT23之金屬材料24之複合材料。金屬材料24可使用諸如Ag、Au等取代Cu。且，亦可使用金屬奈米粒子分散液等取代鍍覆。
接著，如圖4D所示，去除複合材料之多餘之金屬材料24。
詳而言之，乃藉諸如CMP法，而研磨去除複合材料之金屬材料24至複合材料內之CNT23先端露出為止。藉此，而可形成由複合材料所構成，自平坦表面露出CNT23先端之第2均熱片4。
然後，如圖5A所示，於基台3表面上形成散熱翼片5。散熱翼片5宜由與基台3相同之導熱性較高之金屬所形成。依據上述，即可形成於基台3表面上設有散熱翼片5而成之散熱片20。散熱片20背面上則形成有第2均熱片4。
其次，如圖5B所示，使半導體晶片10之第1均熱片2表面與散熱片20之第2均熱片4表面對向，並使兩者直接接觸。第1及第2均熱片2、4之各表面已藉CMP法而業經平坦處理，已形成平坦性良好之狀態，兩者則在真空環境中 在預定壓力下接觸而黏著固定。此時，亦可於接合面上形成銦層，並在加壓之同時進行加熱接合。
半導體晶片10之元件層11於表面之端子上配設有諸如焊球6，並使其等與預定之安裝基板40電性連接。依據上述，即可形成本實施形態之半導體裝置。
本實施形態之半導體裝置中，使第1及第2均熱片2、4之表面對向並黏著固定，而構成均熱片。此時，第1及第2均熱片2、4所構成之均熱片本身、均熱片與半導體晶片10之間、均熱片與散熱片20之間，不存在熱阻較大之居間物。如上所述，依據本實施形態，可製得可以較簡化之構造實現熱阻極低而效率良好之散熱之可靠度較高之半導體裝置。
產業上之可利用性
依據本發明，可實現可以較簡化之構造達成熱阻極低而效率良好之散熱之可靠度較高之電子裝置。
1‧‧‧矽基板
2‧‧‧第1均熱片
3‧‧‧基台
4‧‧‧第2均熱片
5‧‧‧散熱翼片
6‧‧‧焊球
10‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧元件層
12‧‧‧基材
13‧‧‧觸媒材料
14‧‧‧CNT
15‧‧‧金屬材料
20‧‧‧散熱片
21‧‧‧基材
22‧‧‧觸媒材料
23‧‧‧CNT
24‧‧‧金屬材料
40‧‧‧安裝基板

Claims (6)

  1. 一種電子裝置，其特徵在於包含有：電子零件，於基板表面形成有元件層；散熱片，可進行前述電子零件之散熱；及均熱片，係設於前述電子零件背面與前述散熱片之間；前述均熱片包含：第1均熱片，係形成於前述電子零件背面，並設有第1碳奈米管；及第2均熱片，係形成於前述散熱片上，並設有第2碳奈米管。
  2. 如請求項1之電子裝置，其中前述第1均熱片包含前述第1碳奈米管與第1金屬之第1複合材料，前述第2均熱片包含前述第2碳奈米管與第2金屬之第2複合材料，並且前述第1複合材料及前述第2複合材料均具有平坦面，且係以前述平坦面彼此貼合。
  3. 如請求項2之電子裝置，其中前述第1複合材料及前述第2複合材料係以前述平坦面彼此直接貼合。
  4. 一種電子裝置之製造方法，該電子裝置係藉均熱片連接電子零件與可進行前述電子零件之散熱的散熱片，其中該電子零件於基板表面形成有元件層；該製造方法之特徵在於包含以下步驟： 使用第1碳奈米管而於前述電子零件背面形成第1均熱片之步驟；使用第2碳奈米管而於前述散熱片上形成第2均熱片之步驟；及貼合前述第1均熱片與前述第2均熱片之步驟。
  5. 如請求項4之電子裝置之製造方法，其中前述第1均熱片係使用前述第1碳奈米管與第1金屬之第1複合材料而形成，前述第2均熱片係使用前述第2碳奈米管與第2金屬之第2複合材料而形成，並且前述第1複合材料及前述第2複合材料均具有平坦面，且係以前述平坦面彼此貼合。
  6. 如請求項5之電子裝置之製造方法，其中前述第1複合材料及前述第2複合材料係以前述平坦面彼此直接貼合。
TW102147476A 2013-07-23 2013-12-20 電子裝置及其製造方法 TWI633636B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013152986A JP6191303B2 (ja) 2013-07-23 2013-07-23 電子デバイス及びその製造方法
JP2013-152986 2013-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201505138A true TW201505138A (zh) 2015-02-01
TWI633636B TWI633636B (zh) 2018-08-21

Family

ID=52392923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102147476A TWI633636B (zh) 2013-07-23 2013-12-20 電子裝置及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9508627B2 (zh)
JP (1) JP6191303B2 (zh)
TW (1) TWI633636B (zh)
WO (1) WO2015011849A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI686906B (zh) * 2018-12-13 2020-03-01 宋健民 半導體晶片的均溫及其製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6828486B2 (ja) * 2017-02-10 2021-02-10 富士通株式会社 放熱シート、放熱シートの製造方法、及び電子装置
US10446466B1 (en) 2018-05-03 2019-10-15 Raytheon Company Mechanically improved microelectronic thermal interface structure for low die stress
CN111370379B (zh) * 2018-12-26 2022-03-25 宋健民 半导体晶片的均温及其制造方法
KR102584991B1 (ko) * 2019-06-14 2023-10-05 삼성전기주식회사 반도체 패키지
TWI788769B (zh) * 2021-01-27 2023-01-01 大陸商河南烯力新材料科技有限公司 導熱結構與電子裝置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7118941B2 (en) * 2003-06-25 2006-10-10 Intel Corporation Method of fabricating a composite carbon nanotube thermal interface device
US20080131655A1 (en) * 2006-03-21 2008-06-05 Barbara Wacker Double Layer Carbon Nanotube-Based Structures and Methods for Removing Heat from Solid-State Devices
US8039961B2 (en) * 2003-08-25 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite carbon nanotube-based structures and methods for removing heat from solid-state devices
US7612370B2 (en) * 2003-12-31 2009-11-03 Intel Corporation Thermal interface
US8389119B2 (en) * 2006-07-31 2013-03-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Composite thermal interface material including aligned nanofiber with low melting temperature binder
JP2008169267A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 放熱材とその製造方法
JP5104688B2 (ja) 2007-10-22 2012-12-19 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法並びに電子機器
JP5013116B2 (ja) * 2007-12-11 2012-08-29 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法並びに電子機器
JP5239768B2 (ja) * 2008-11-14 2013-07-17 富士通株式会社 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法
JP2010192656A (ja) 2009-02-18 2010-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 接合体及びこれを利用した放熱構造体とその製造方法
JP2010192661A (ja) 2009-02-18 2010-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 放熱部品とその製造方法、およびこれを用いた放熱装置と放熱方法
JP5212253B2 (ja) 2009-05-13 2013-06-19 富士通株式会社 シート状構造体の製造方法
CN101899288B (zh) * 2009-05-27 2012-11-21 清华大学 热界面材料及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI686906B (zh) * 2018-12-13 2020-03-01 宋健民 半導體晶片的均溫及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015011849A1 (ja) 2015-01-29
TWI633636B (zh) 2018-08-21
JP2015023256A (ja) 2015-02-02
US9508627B2 (en) 2016-11-29
JP6191303B2 (ja) 2017-09-06
US20160141222A1 (en) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201505138A (zh) 電子裝置及其製造方法
US10396009B2 (en) Heat dissipation material and method of manufacturing thereof, and electronic device and method of manufacturing thereof
TW202329351A (zh) 用於堆疊晶粒的熱旁路
US9892994B2 (en) Graphene based filler material of superior thermal conductivity for chip attachment in microstructure devices
JP5628312B2 (ja) ナノチューブの熱インターフェース構造
US8194407B2 (en) Heat radiation material, electronic device and method of manufacturing electronic device
TWI320227B (en) Die exhibiting an effective coefficient of thermal expansion equivalent to a substrate mounted thereon, and processes of making same
JP6127417B2 (ja) 放熱材料の製造方法
TWI355048B (en) Heat-dissipation semiconductor package and heat-di
JP5707810B2 (ja) 半導体モジュールの製造方法
TW201227905A (en) Semiconductor device
JP7373061B2 (ja) 熱伝導体、熱伝導性材料、及び半導体デバイスのパッケージ構造
TW201205737A (en) Semiconductor device
US20140374897A1 (en) Thermal interface material for integrated circuit package and method of making the same
TW415053B (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
US20210280492A1 (en) Heat spreading layer integrated within a composite ic die structure and methods of forming the same
US10319700B1 (en) Stacked semiconductor architecture including semiconductor dies and thermal spreaders on a base die
EP3175480A1 (en) Nano-thermal agents for enhanced interfacial thermal conductance
US20140094006A1 (en) Transistor formation using cold welding
JP2010199367A (ja) 放熱材料及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法
JP6223903B2 (ja) カーボンナノチューブシート及び電子機器とカーボンナノチューブシートの製造方法及び電子機器の製造方法
TW200941197A (en) Active solid cooler and fabricating method therefor
CN111354717A (zh) 包括热屏蔽堆叠体的单片三维集成电路及其制造方法
US20150325495A1 (en) Electronic device and method for manufacturing the same, and substrate structure and method for manufacturing the same
TW202224119A (zh) 具有直接晶片附接至電路板之積體電路總成

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees