JP2019515333A

JP2019515333A - 位置選択的に置換されたセルロースエステル及びそれから製造されたフィルム

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Publication number: JP2019515333A
Application number: JP2018555220A
Authority: JP
Inventors: アレンブーンマシュー; ハーランバーククリストファー; ボーデンマッケンジーピーター; エー．フィッシュジェニファー; ガラスセルボエドゥアルド; ベアトリスマッケンジーエレイン; ジョセフマレスキーロバート; ウェインマコーネルウェズリー; ウィリアムノーマンデイビッド; スターンズタバサ; ワンピン
Original assignee: Eastman Chemical Co
Current assignee: Eastman Chemical Co
Priority date: 2016-04-22
Filing date: 2017-04-12
Publication date: 2019-06-06
Also published as: CN109071881A; KR102295936B1; US10759872B2; US12006376B2; US20170307796A1; EP3445812A4; TW201809015A; JP2023174805A; KR20180136995A; US10640577B2; WO2017184395A1; US20170306054A1; US11643477B2; KR102389044B1; TW202219150A; EP3445813A4; CN109071880B; US20220235149A1; TWI758209B; US20200223946A1

Abstract

複数のピバロイル置換基及び複数のアリール−アシル置換基を有する位置選択的に置換されたセルロースエステルをその製造方法とともに開示する。そのようなセルロースエステルは、＋Ａ光学フィルム及び／又は＋Ｃ光学フィルムなどのフィルムにおける使用に適していることができる。そのようなセルロースエステルを使用して調製された光学フィルムは、例えば、液晶ディスプレイにおける補償フィルム及び／又は３−Ｄ技術で使用される円偏光を生成する波長板などの様々な商業的用途を有する。【選択図】図１（ａ）

Description

発明の分野
本出願は、一般に、セルロースエステル組成物、セルロースエステル組成物の製造方法、及び、それから製造される光学フィルムに関する。

発明の背景
セルローストリアセテート（「ＣＴＡ」又は「ＴＡＣ」）、セルロースアセテートプロピオネート（「ＣＡＰ」）及びセルロースアセテートブチレート（「ＣＡＢ」）などのセルロースエステルは液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）産業のための広範な様々なフィルムに使用されている。最も顕著なものは、偏光シートとともに使用される保護フィルム及び補償フィルムとしてのそれらの使用である。これらのフィルムは、典型的には、溶媒キャスティングによって製造され、次いで、配向したヨウ素化ポリビニルアルコール（「ＰＶＯＨ」）偏光フィルムのいずれかの側にラミネートされて、構造剛性を高めながら、ＰＶＯＨ層を引っ掻き及び湿気侵入から保護することができる。補償フィルム（波長板としても知られている）として使用される場合に、それらは偏光子スタックとラミネートされてもよいし、又は、そうでなければ偏光子と液晶層との間に含まれてもよい。波長板は、ＬＣＤのコントラスト比、広視野角及びカラーシフト性能を改善するように作用することができる。ＬＣＤ技術において著しい進歩があったが、まだ、改良が必要である。

発明の概要
本出願は位置選択的に置換されたセルロースエステルを開示し、それは、
（ａ）複数の発色団−アシル置換基、及び、
（ｂ）複数のピバロイル置換基、
を含み、前記セルロースエステルはヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）が約０〜約０．９の範囲にあり、
前記セルロースエステルはピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）が約０．１〜約１．２の範囲にあり、
前記セルロースエステルは発色団−アシル置換度（「ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．４〜約１．６の範囲にあり、
位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６となるようになっており、
ここで、発色団−アシルは、
（ｉ）（Ｃ_６−２０）アリール−アシル（式中、アリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、
（ｉｉ）ヘテロアリール−アシル（式中、ヘテロアリールはＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、
（ｉｉｉ）

（式中、アリールはＣ_１−６アリールであり、アリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、又は、
（ｉｖ）

（式中、ヘテロアリールは、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、
から選ばれ、
各Ｒ^１は、ニトロ、シアノ、（Ｃ_１−６）アルキル、ハロ（Ｃ_１−６）アルキル、（Ｃ_６−２０）アリール−ＣＯ_２−、（Ｃ_６−２０）アリール、（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員ヘテロアリール、又は、

から独立して選ばれる。

本発明はまた、位置選択的に置換されたセルロースエステルを用いて製造された組成物、フィルム及び液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）を開示する。

図面の簡単な説明
本発明の実施形態を、以下の図面を参照して本明細書で説明する。
図１（ａ）は各々が０ｎｍのＲ_ｅ及び−４０ｎｍのＲ_ｔｈを有する２つの従来のセルローストリアセテート（「ＴＡＣ」）フィルムを有する一対の交差偏光子を通過するバックライトを概略的に示す。図１（ｂ）は図１（ａ）に示す構造の光透過率又は光漏れの計算等高線プロットを示す。図２（ａ）は０．５のＮ_ｚ及び２７０ｎｍのＲ_ｅを有する波長板を一対の交差偏光子の間に有するものを通過するバックライトを概略的に示し、各偏光子は波長板に隣接するゼロ遅延ＴＡＣフィルムを含む。図２（ｂ）は図２（ａ）に示される構造の光透過率又は光漏れの計算等高線プロットを示す。図３（ａ）は、下部偏光子及び上部偏光子を通過するバックライトを概略的に示し、ここで、その１対の偏光子は交差されており、それらの間に１つの＋Ａプレート（Ｒ_ｅ＝１３７．５ｎｍ）及び１つの＋Ｃプレート（Ｒ_ｔｈ＝１００ｎｍ）を有し、ここで、各偏光子は＋Ａプレート及び＋Ｃプレートにそれぞれ隣接するゼロ遅延ＴＡＣフィルムを含む。図３（ｂ）は図３（ａ）に示す構造の光透過率又は光漏れの計算等高線プロットを示す。図４（ａ）はＡ−Ｂ構成の本発明による多層フィルムを示す。図４（ｂ）はＡ−Ｂ−Ａ構成の本発明による多層フィルムを示す。

詳細な説明
本発明は、以下の本発明の詳細な説明及びそこに提供される実施例を参照することにより、より容易に理解されうる。本発明は、記載された特定の方法、配合及び条件に限定されず、それ自体変更し得ることが理解されるべきである。また、本明細書で使用する用語は、本発明の特定の態様を説明することを目的とするのみであり、限定することを意図するものではないことも理解されるべきである。

定義
本明細書及び下記の特許請求の範囲において、以下の意味を有すると定義されるいくつかの用語を参照する。

値は、「約」又は「およそ」として所与の数を表すことができる。同様に、範囲は、本明細書において、「約」１つの特定の値から、及び／又は、「約」別の特定の値までとして表現されうる。そのような範囲が表される場合に、別の態様は、１つの特定の値から、及び／又は、別の特定の値までを包含する。同様に、先行する「約」の使用により、値が近似値として表現される場合には、特定の値が別の態様を形成することが理解されるであろう。

本明細書で使用されるときに、用語「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、１つ又は複数のことを意味する。

本明細書で使用されるときに、用語「及び／又は」は、２つ以上の項目のリストで使用される場合に、リストされた項目のいずれか１つが単独で使用されうること、又は、リストされた項目の２つ以上の任意の組み合わせが使用されうることを意味する。例えば、組成物が成分Ａ、Ｂ及び／又はＣを含むものとして記載されている場合に、組成物はＡのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡとＢとの組み合わせ、ＡとＣとの組み合わせ、ＢとＣとの組み合わせ、又は、Ａ、Ｂ、及びＣの組み合わせを含むことができる。

本明細書で使用されるときに、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」は、その用語の前に記載される対象から、その用語の後に記載される１つ以上の要素に転換するために使用される、無制限の転換用語であり、転換用語の後に記載される要素は必ずしも対象を構成する唯一の要素ではない。

本明細書で使用されるときに、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」及び「有する（ｈａｖｅ）」は、上記の「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」と同じ無制限の意味を有する。

本明細書で使用されるときに、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」は、上記の「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」と同じ無制限の意味を有する。

光学フィルムの製造に使用するのに適した位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数のアルキル−アシル置換基及び複数のアリール−アシル置換基を含むことができる。本明細書で使用されるときに、用語「アシル置換基」は、以下の構造を有する置換基を意味する。

セルロースエステル中のそのようなアシル基は、一般に、セルロースのピラノース環にエステル結合を介して（すなわち、酸素原子を通して）結合されている。

本明細書で使用されるときに、用語「アリール−アシル」置換基は、「Ｒ」がアリール基であるアシル置換基を意味する。本明細書で使用されるときに、用語「アリール」は、アレーン（すなわち、単環式又は多環式芳香族炭化水素）中の環炭素から水素原子を除去することによって形成される一価の基を意味する。ある場合には、アリール−アシル基の前に炭素単位がある：例えば（Ｃ_５−６）アリール−アシル、（Ｃ_６−１２）アリール−アシル又は（Ｃ_６−２０）アリール−アシル。様々な実施形態での使用に適したアリール基の例としては、限定するわけではないが、フェニル、ベンジル、トリル、キシリル及びナフチルが挙げられる。このようなアリール基は置換されていても又は非置換であってもよい。

本明細書で使用されるときに、用語「アルキル−アシル」は、「Ｒ」がアルキル基であるアシル置換基を意味する。本明細書で使用されるときに、用語「アルキル」は、非芳香族炭化水素から水素原子を除去することによって形成される一価の基を意味し、ヘテロ原子を含みうる。本明細書での使用に適したアルキル基は、直鎖、枝分かれ鎖又は環状であることができ、飽和又は不飽和であることができる。本明細書での使用に適したアルキル基は（Ｃ_１−２０）、（Ｃ_１−１２）、（Ｃ_１−５）又は（Ｃ_１−３）アルキル基を包含する。様々な実施形態において、アルキルは、Ｃ_１−５直鎖アルキル基であることができる。さらに他の実施形態において、アルキルはＣ_１−３直鎖アルキル基であることができる。適切なアルキル基の具体例としては、限定するわけではないが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、シクロペンチル及びシクロヘキシル基が挙げられる。アルキル−アシル基の例としては、アセチル、プロピオニル、ブチロイルなどが挙げられる。

「ハロアルキル」は、少なくとも１つの水素がハロゲン基で置換されているアルキル置換基を意味する。ハロアルキル基中の炭素単位はしばしば含まれ、例えばハロ（Ｃ_１−６）アルキルである。ハロアルキル基は直鎖又は枝分かれ鎖であることができる。ハロアルキルの非限定的な例としては、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジブロモエチルなどが挙げられる。

「ヘテロアリール」は、アリール環中の炭素単位の少なくとも１つがＯ、Ｎ及びＳなどのヘテロ原子で置換されているアリールを意味する。ヘテロアリールは環が単環又は多環であることができる。しばしば、ヘテロアリール環系を構成する単位は、例えば５〜２０員環系を含む。５員ヘテロアリールは、ヘテロアリール環を形成する５個の原子を有する環系を意味する。ヘテロアリールの非限定的な例としては、ピリジニル、キノリニル、ピリミジニル、チオフェニルなどが挙げられる。

「アルコキシ」は、アルキル−Ｏ−又は酸素基に末端結合したアルキル基を意味する。しばしば炭素単位が含まれ、例えば（Ｃ_１−６）アルコキシである。アルコキシの非限定的な例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシなどが挙げられる。

「ハロアルコキシ」は、水素の少なくとも１つがハロゲンで置換されているアルコキシを意味する。しばしば炭素単位が含まれ、例えばハロ（Ｃ_１−６）アルコキシである。ハロアルコキシの非限定的な例としては、トリフルオロメトキシ、ブロモメトキシ、１−ブロモ−エトキシなどが挙げられる。

「ハロ」は、フルオロ、クロロ、ブロモ又はヨードなどのハロゲンを意味する。

本明細書で使用されるときに、用語「実質的に」は５％以内を意味する。例えば、実質的に垂直とは、８４．５度〜９４．５度の範囲を意味する。

実質的に消費されるとは、少なくとも９５％以上が消費されることを意味する。

用語「ナフトイル」は、

（１−ナフトイル）、または

（２−ナフトイル）
を意味する。

可塑剤は、可塑性、可撓性及び脆性の改善など、樹脂又はポリマーの特性を改善するために樹脂又はポリマーに添加される物質である。本発明での使用に適した可塑剤の例としては、ＡｂｉｔｏｌＥ、Ｐｅｒｍａｌｙｎ３１００、Ｐｅｒｍａｌｙｎ２０８５、Ｐｅｒｍａｌｙｎ６１１０、Ｆｏｒａｌｙｎ１１０、Ａｄｍｅｘ５２３、ＯｐｔｉｆｉｌｍＥｎｈａｎｃｅｒ４００、Ｕｎｉｐｌｅｘ５５２、Ｕｎｉｐｌｅｘ２８０、Ｕｎｉｐｌｅｘ８０９、トリフェニルホスフェート、トリ（エチレングリコール）ビス（２−エチルヘキソエート）、トリ（エチレングリコール）ビス（ｎ−オクタノエート）、ジエチルフタレート及びそれらの組み合わせが挙げられる。

「置換度」は、アンヒドログルコース単位（「ＡＧＵ」）当たりの置換基という置換基の置換レベルを記載するために使用される。一般に、従来のセルロースは、置換されうる各ＡＧＵ中に３つのヒドロキシル基を含む。したがって、ＤＳは０〜３の値をとることができる。しかしながら、低分子量セルロース混合エステルは、末端基の寄与から３をわずかに上回る全置換度を有することができる。低分子量セルロース混合エステルは本開示で引き続きより詳細に論じられる。ＤＳは統計的平均値であるため、１の値はすべてのＡＧＵが単一の置換基を有することを保証しない。ある場合には、置換されていないアンヒドログルコース単位が存在してもよく、いくつかは２個、いくつかは３個の置換基を有していてよく、しばしばその値は非整数である。全ＤＳはアンヒドログルコース単位当たりの全ての置換基の平均数として定義される。ＡＧＵ当たりの置換度は、特定の置換基、例えば、ヒドロキシル、アセチル、ブチリル又はプロピオニルを参照することもできる。さらに、置換度は、アンヒドログルコース単位のどの炭素単位かを特定することができる。

数値範囲
本記載は、数値範囲を使用して、本発明に関連する特定のパラメータを定量化する。数値範囲が提供されるときに、そのような範囲は範囲の下限値のみを記載している特許請求の範囲の限定及び範囲の上限値のみを記載している特許請求の範囲の限定のための文言上の支持を提供するものと解釈されるべきであることは理解されるべきである。例えば、１０〜１００の開示の数値範囲は「１０を超える」（上限なし）及び「１００未満」（下限なし）を示す特許請求の範囲に対して文言上の支持を提供する。

本記載は本発明に関連する特定のパラメータを定量化するために特定の数値を使用し、ここで、該特定の数値は数値範囲の明示部分ではない。本明細書で提供される各特定の数値は、幅広い、中間的な及び狭い範囲の文言上の支持を提供するものと解釈されるべきであると理解されるべきである。各特定の数値に関連する広い範囲はその数値プラス及びマイナス６０パーセントの数値であり、２桁の有効数字に丸められている。各特定の数値に関連する中間範囲はその数値プラス及びマイナス３０パーセントの数値であり、有効数字２桁に丸められている。各特定の数値に関連する狭い範囲はその数値プラス及びマイナス１５パーセントの数値であり、有効数字２桁に丸められている。例えば、本明細書が６２°Ｆの特定の温度を記述している場合には、そのような記載は、２５°Ｆ〜９９°Ｆ（６２°Ｆ＋／−３７°Ｆ）の広い数値範囲、４３°Ｆ〜８１°Ｆ（６２°Ｆ＋／−１９°Ｆ）の中間の数値範囲、５３°Ｆ〜７１°Ｆ（６２°Ｆ＋／−９°Ｆ）の狭い数値範囲の文言上の支持を提供する。これらの広い、中間の及び狭い数値範囲は、特定の値だけでなく、これらの特定の値の差にも適用されるべきである。したがって、本明細書が１１０ｐｓｉａの第一の圧力及び４８ｐｓｉａの第二の圧力（６２ｐｓｉの差）を記載する場合には、これらの２つのストリームの間の圧力差に関する、広い、中間の及び狭い範囲は、それぞれ２５〜９９ｐｓｉ、４３〜８１ｐｓｉ、５３〜７１ｐｓｉである。

特許又は刊行物が参照されている本出願を通して、これらの参考文献の開示は、それらの全体が、本発明と矛盾しない範囲で、本出願に参照により組み込まれることが意図されており、それにより、本発明が関係する技術水準をより完全に記載している。

上述のように、セルロースエステルから製造されたフィルムは液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）に使用することができる。一般に、ＬＣＤは、交差偏光子のセットを含む偏光子スタッキングを使用する。ＬＣＤに使用される典型的な交差偏光子のセットに関して、特に視野角が増加すると、対角線に沿って有意な光漏れが生じる（コントラスト比が悪くなる）ことがある。様々な光学フィルムを使用して、この光漏れを補正又は「補償」することができる。これらのフィルムは使用される液晶セルのタイプに依存して変化する特定の明確な複屈折（又は遅延）を有することができる。なぜなら、液晶セル自体もまた補正されなければならないある程度の望ましくない光学遅延を付与するからである。これらの補償フィルムの中には他の補償フィルムよりも作製が容易なものがあるため、しばしば性能とコストとの間で妥協が行われる。また、大部分の補償フィルム及び保護フィルムは溶媒キャスティングによって製造されるが、溶融押出によってより多くのフィルムを作製し、環境に優しくない溶媒を取り扱う必要性を排除するという圧力がある。溶媒及び溶融キャスティングの両方によって作製することができる、より制御可能な光学遅延を有する材料があることにより、これらのフィルムの作製におけるより大きな融通性が可能になる。

光学フィルムは、一般に、屈折率ｎに関連する複屈折に関して定量化される。屈折率は、一般にポリマーについては典型的には１．４〜１．８の範囲であり、セルロースエステルについては約１．４６〜１．５０であり得る。屈折率が高ければ高いほど、光波はその所与の材料を伝搬するのが遅くなる。

未配向等方性材料については、屈折率は入射する光波の偏光状態にかかわらず同じである。材料が配向されるか又は異方性になると、屈折率は材料の方向に依存するようになる。本発明の目的のためには、機械方向（ＭＤ）、横断方向（ＴＤ）及び厚さ方向にそれぞれ対応する、ｎ_ｘ、ｎ_ｙ及びｎ_ｚで示される３つの重要な屈折率がある。材料がより異方性になると（例えば、延伸によって）、任意の２つの屈折率間の差異が増加する。この差異を「複屈折率」と呼ぶ。選択すべき材料方向の組み合わせが多数存在するので、それに対応して異なる複屈折率値がある。最も一般的な２つ、すなわち、平面複屈折率（又は「面内」複屈折率）Δ_ｅ及び厚さ複屈折率（又は「面外」複屈折率）Δ_ｔｈは以下のように定義される。
（１ａ） Δ_ｅ＝ｎ_ｘ−ｎ_ｙ
（１ｂ） Δ_ｔｈ＝ｎ_ｚ−（ｎ_ｘ＋ｎ_ｙ）／２

複屈折率Δ_ｅは、ＭＤ方向とＴＤ方向との間の相対面内配向の尺度であり、無次元である。対照的に、Δ_ｔｈは平均面配向に対して厚さ方向の配向の尺度を与える。

光学フィルムに関してしばしば使用される別の用語は、光学遅延Ｒである。Ｒは対象のフィルムの複屈折率×厚さｄとの積である。このように、
（２ａ）Ｒ_ｅ＝Δ_ｅｄ＝（ｎ_ｘ−ｎ_ｙ）ｄ
（２ｂ）Ｒ_ｔｈ＝Δ_ｔｈｄ＝［ｎ_ｚ−（ｎ_ｘ＋ｎ_ｙ）／２］ｄ

遅延は、２つの直交する光波間の相対位相シフトの直接的な尺度であり、典型的にはナノメートル（ｎｍ）の単位で報告される。Ｒ_ｔｈの定義は、Ｒ_ｔｈがどのように計算されるかに依存して、いくつかの立案者間で、特に符号（＋／−）に関して異なることに留意されたい。

材料はまた、それらの複屈折率／遅延の挙動に関して変化することも知られている。例えば、ほとんどの材料は、延伸されたときに、延伸方向に沿ってより高い屈折率を示し、延伸に垂直な方向により低い屈折率を示す。これは、分子レベルで、屈折率が典型的にポリマー鎖の軸に沿って高く、鎖に対して垂直に低いためである。これらの材料は、一般に「正の複屈折」と呼ばれ、現在市販されているセルロースエステルを含む最も標準的なポリマーを表す。後で説明するように、正の複屈折性材料を使用して、正又は負の複屈折性フィルム又は波長板を作製することができることに留意されたい。

混乱を避けるために、ポリマー分子自体の複屈折挙動は「固有複屈折」と呼ばれ、ポリマーの特性である。材料光学系の観点から、固有複屈折率は、全ての鎖が完全に一方向に整列して材料が完全に延伸された場合に生じる複屈折の尺度である（大部分のポリマーについては、完全に整列することができないのでこれは理論上の限界である）。本発明の目的のために、これは所定量の鎖配向に対する所定のポリマーの感度の尺度も提供する。例えば、高い固有複屈折率を有するサンプルは、フィルムの相対的な応力レベルがほぼ同じであっても、低い固有複屈折率を有するサンプルよりも、フィルム形成中により大きな複屈折率を示すことになる。

ポリマーは、正、負又はゼロの固有複屈折率を有することができる。負の固有複屈折率のポリマーは、延伸方向に（平行方向に対して）垂直でより高い屈折率を示す。特定のスチレン系樹脂及びアクリル系樹脂はかなり嵩張った側基のために、負の固有複屈折挙動を有することがある。組成に依存して、芳香族環構造を有するいくつかのセルロースエステルも負の固有複屈折率を示すことがある。これとは対照的に、ゼロ固有複屈折率は特殊な場合であり、延伸では複屈折を示さず、したがって固有複屈折率がゼロである材料を表す。このような材料は、光学的な遅延又は歪みを示さずに、モールド成形され、延伸され、又は、加工中に他の方法で応力が課されることができるので、特定の光学用途には理想的でありうる。

ＬＣＤに使用される実際の補償フィルムは、３つの屈折率がすべて異なり、２つの光学軸が存在する二軸性フィルム、及び、３つの屈折率のうちの２つが同一である、１つだけの光学軸を有する一軸性フィルムを含む、様々な形態をとることができる。光学軸がフィルムの厚さを通してねじれ又は傾いている、他のクラスの補償フィルム（例えば、ディスコティックフィルム）もあるが、これらは一般的に重要ではない。一般に、作製することができる補償フィルムのタイプは、ポリマーの複屈折特性（すなわち、正、負又はゼロの固有複屈折率）によって制限される。以下に、いくつかの例を示す。

一軸性フィルムの場合には、
（３ａ）ｎ_ｘ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｚ「＋Ａ」光学フィルム
となるような屈折率を有するフィルムは「＋Ａ」光学フィルムとして表される。このようなフィルムでは、フィルムのｘ方向（機械方向）は高い屈折率を有し、一方、ｙ方向及び厚さ方向はほぼ同じ大きさで（ｎ_ｘ未満で）ある。このタイプのフィルムは、ｘ軸に沿った光学軸を有する正の一軸性結晶構造とも呼ばれる。このようなフィルムは、例えばフィルム延伸機を使用して正の固有複屈折材料を一軸延伸することによって製造することができる。

対照的に、「−Ａ」一軸性フィルムは
（３ｂ）ｎ_ｘ＜ｎ_ｙ＝ｎ_ｚ「−Ａ」光学フィルム
（上式中、ｘ−軸屈折率は他の方向（それらはほぼ等しい）よりも低い）により定義される。−Ａ光学フィルムを製造する１つの方法は、負の固有複屈折ポリマーを延伸することであるか、又は、負の（固有）複屈折液晶ポリマーを表面上にコーティングして、分子が好ましい方向に整列するようにすることである（例えば、下層エッチング化配向層を使用することによる）。

遅延に関して、「±Ａ」光学フィルムは、（３ｃ）に示すＲ_ｅとＲ_ｔｈとの間の下記の関係を有する。
（３ｃ）Ｒ_ｔｈ＝−Ｒ_ｅ／２「±Ａ」光学フィルム

別のクラスの一軸性光学フィルムは、「＋Ｃ」又は「−Ｃ」であることができるＣ光学フィルムである。Ｃ光学フィルムとＡ光学フィルムの違いは、Ｃ光学フィルムでは、固有屈折率（又は光学軸）がフィルム面内と対照的に、厚み方向にあることである。したがって、
（４ａ）ｎ_ｚ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｘ「＋Ｃ」光学フィルム
（４ｂ）ｎ_ｚ＜ｎ_ｙ＝ｎ_ｘ「−Ｃ」光学フィルム

Ｃ光学フィルムは、フィルムの溶媒キャスティング中に形成される応力を利用することによって製造することができる。引張応力は、一般に、キャスティングベルトによって課される拘束のためにフィルムの平面内に生成され、それはまた本質的に等二軸延伸されている。これらは、フィルムの平面内に鎖を整列させる傾向があり、正及び負の固有複屈折率材料についてそれぞれ−Ｃ又は＋Ｃフィルムをもたらす。ディスプレイに使用される多くのセルロースエステルフィルムは溶媒キャストされ、そして多くは本質的に正の複屈折性であるので、溶媒キャストされたセルロースエステルは、通常、−Ｃ光学フィルムのみを生成することは明らかである。これらのフィルムは一軸延伸して＋Ａ光学フィルムを製造することもできる（初期のキャストされた状態の遅延が非常に低いと仮定して）。

一軸性光学フィルムに加えて、二軸配向性フィルムを使用することも可能である。二軸性フィルムは、主方向（これらの主軸の方向に沿った）３つの屈折率ｎ_ｘ、ｎ_ｙ及びｎ_ｚを単に列挙することを含む様々な方法で定量化される。一般に、ｎ_ｘ≠ｎ_ｙ≠ｎ_ｚである。

１つの特定の二軸配向性フィルムは、一対の交差偏光子又は平面内スイッチング（ＩＰＳ）モード液晶ディスプレイの光漏れを補償するための特有の光学特性を有する。光学フィルムは、約０．４〜約０．９の範囲の、又は、約０．５に等しいパラメータＮ_ｚを有し、ここで、Ｎ_ｚは
（５）Ｎｚ＝（ｎ_ｘ−ｎ_ｚ）／（ｎ_ｘ−ｎ_ｙ）
として定義される。

このパラメータは、面内複屈折に対して有効な面外複屈折を与える。一対の交差偏光子のための補償フィルムとして使用される場合に、Ｎ_ｚは約０．５となるように選択することができる。Ｎ_ｚが約０．５である場合には、対応する面外遅延Ｒ_ｔｈは約０．０ｎｍに等しい。

光学フィルムの補償効果を示すために、補償フィルムあり及びなしの一対の交差偏光子の以下の光透過率又は漏れはコンピュータシミュレーションによって計算される。

図１（ａ）は両方ともＲ_ｅ＝０ｎｍ及びＲ_ｔｈ＝−４０ｎｍを有する２つの従来のセルローストリアセテート（「ＴＡＣ」）フィルムを有する一対の交差偏光子を通過するバックライトを概略的に示す。図１（ｂ）は０°〜８０°の極角及び０°〜３６０°の方位角を有する、図１（ａ）の構成構造による光透過又は光漏れの計算等高線プロットを示す。計算結果は、偏光子透過軸に沿って４５°で約２．２％の光漏れが存在することを示している。

図２（ａ）は、Ｎ_ｚ＝０．５、Ｒ_ｅ＝２７０ｎｍの１つの波長板及び２つのゼロ遅延ＴＡＣフィルム（Ｒ_ｅ＝０ｎｍ及びＲ_ｔｈ＝０ｎｍ）を含む一対の交差偏光子を通過するバックライトを概略的に示す。図２（ｂ）は、０°〜８０°の極角及び０°〜３６０°の方位角を有する、図２（ａ）の構成構造による光透過又は光漏れの計算等高線プロットを示す。計算結果は、最大光漏れが、偏光子の透過軸に沿って４５°で約０．０３％に低減され、図１に示された場合に比べて大きな改善であることを示す。したがって、Ｎ_ｚ＝０．５及びＲ_ｅ＝２７０ｎｍの波長板は光漏れを低減する役割を果たすことができる。もちろん、このような結果は、２７０のＲ_ｅとともに０．５のＮ_ｚである波長板だけに限定されない。例えば、波長板は、とりわけ、−２７０ｎｍのＲ_ｅを有する−Ａ光学フィルムであってもよい。この波長板がセルロース系エステルである場合には、ゼロ遅延フィルムの１つを置き換えることができ、ＰＶＡ層に直接接着することができ、これは製造コストを低減する可能性がある。以下に記載されるように、本明細書に示される様々な実施形態は、セルロースエステルを含む、約０．４〜約０．９の範囲、又は、約０．５のＮ_ｚを有する光学フィルム（例えば、波長板）に関する。

図３（ａ）は、１つの＋Ａ光学フィルム（Ｒ_ｅ＝１３７．５ｎｍ）、１つの＋Ｃ光学フィルム（Ｒ_ｔｈ＝１００ｎｍ）及び２つのゼロ遅延ＴＡＣフィルム（Ｒ_ｅ＝０ｎｍ及びＲ_ｔｈ＝０ｎｍ）を有する一対の交差偏光子を通過するバックライトを概略的に示す。図３（ｂ）は、０°〜８０°の極角及び０°〜３６０°の方位角を有する、図３（ａ）の構成構造による光透過又は光漏れの計算等高線プロットを示す。計算結果は、最大光漏れが偏光子透過軸に沿って４５°で約０．０４％に低減され、これも図１に示された場合と比較して大きな改善であることを示している。したがって、示される遅延を有する正のＡ及びＣ光学フィルムは光漏れを減少させる役割を果たした。波長板は−Ｃ光学フィルム（例えば、−１００ｎｍのＲ_ｔｈを有する）と組み合わされた−Ａ光学フィルム（例えば、−１３７．５ｎｍのＲ_ｅを有する）であってもよいことは指摘される必要がある。−Ａ光学フィルムは、下部ゼロ遅延フィルムを置き換え、ＰＶＡ層に直接接着することができ、これは製造コストを低減することになりうる。本明細書に示される様々な実施形態はセルロースエステルを含む−Ａ光学フィルムに関する。

上記のシミュレーション例は、適切な光学フィルム（例えば、波長板）を加えることによって、一対の交差偏光子の光漏れを大幅に低減できることを実証する。これらの光学フィルムは面内スイッチング（「ＩＰＳ」）モード液晶ディスプレイの光漏れを補償するために使用することができる。というのは、理論に束縛されることを望むわけではないが、ＩＰＳ―ＬＣＤの光漏れは主に交差偏光子によるものと考えられるからである。

種々の実施形態において、アリール−アシル置換基がピラノース環のＣ２及びＣ３に優先的に導入される、位置選択的に置換されたセルロースエステルを使用することができる。位置選択性は、炭素１３ＮＭＲ分光法によりセルロースエステル中のＣ６、Ｃ３及びＣ２における相対置換度（「ＲＤＳ」）を決定することによって測定することができる（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１９９１，２４，３０５０−３０５９）。１つのタイプのアシル置換基の場合、又は、第二のアシル置換基が少量（ＤＳ＜０．２）で存在する場合には、ＲＤＳは環炭素の組み込みによって最も容易に直接決定することができる。２つ以上のアシル置換基が同様の量で存在する場合には、環ＲＤＳを決定することに加えて、カルボニル炭素の組み込みによって各置換基のＲＤＳを独立して決定するために、セルロースエステルを追加の置換基で完全に置換することが時に必要とされる。従来のセルロースエステルでは、位置選択性は一般的に観察されず、Ｃ６／Ｃ３、Ｃ６／Ｃ２又はＣ３／Ｃ２のＲＤＳ比は一般にほぼ１以下である。本質的には、従来のセルロースエステルはランダムコポリマーである。対照的に、適切な溶媒に溶解したセルロースに１つ以上のアシル化試薬を添加するときに、セルロースのＣ６位はＣ２及びＣ３位よりもはるかに速くアシル化される。その結果、Ｃ６／Ｃ３比及びＣ６／Ｃ２比は有意に１より大きく、このことは６，３−又は６，２−増強された位置選択的に置換されたセルロースエステルの特徴である。

位置選択的に置換されたセルロースエステル及びその調製方法の例は、ＵＳ２０１０／００２９９２７、ＵＳ２０１０／０２６７９４２及びＵＳ８，３５４，５２５に記載されており、その内容を参照により本明細書に取り込む。一般に、これらの出願はイオン性液体中にセルロースを溶解させること、次いで、それをアシル化試薬と接触させることによるセルロースエステルの調製に関する。したがって、本発明の様々な実施形態において、位置選択的に置換されたセルロースエステルを調製するために、２つの一般的方法を使用することができる。１つの方法において、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、所望の置換度（「ＤＳ」）及び重合度（「ＤＰ」）を有するセルロースエステルを提供するのに十分な接触温度及び接触時間で、最初にセルロース溶液を１つ以上のアルキルアシル化試薬と接触させ、次いで、セルロース溶液をアリール−アシル化試薬と接触させる段階的添加を用いて調製することができる。この段階的添加において、アルキル基を含むアシル基をＣ６に優先的に導入することができ、アリール基を含むアシル基をＣ２及び／又はＣ３に優先的に導入することができる。あるいは、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、セルロース溶液を１つ以上のアルキルアシル化試薬と接触させ、次いで、アルキル基を含むアシル基がＣ６に優先的に導入されたアルキルエステルを単離させることによって調製することができる。次いで、アルキルエステルを任意の適切な有機溶媒に溶解させ、Ｃ２及び／又はＣ３にアリール基を含むアシル基を優先的に導入することができるアリール−アシル化試薬と、所望の置換度（「ＤＳ」）及び重合度（「ＤＰ」）を有するセルロースエステルを提供するのに十分な接触温度及び接触時間で接触させることができる。このようにして調製されたセルロースエステルは、一般に以下の構造を含む：

（上式中、Ｒ^２，Ｒ^３及びＲ^６は水素（ただし、Ｒ^２，Ｒ^３及びＲ^６は同時に水素ではない）、アルキル−アシル基、及び／又は、アリール−アシル基（例えば、上記のもの）であり、エステル結合を介してセルロースに結合されている）。

これらの方法によって調製されるセルロースエステルの重合度（「ＤＰ」）は少なくとも１０であることができる。他の実施形態において、セルロースエステルのＤＰは少なくとも５０、少なくとも１００又は少なくとも２５０であることができる。他の実施形態において、セルロースエステルのＤＰは、約５〜約１００の範囲、又は、約１０〜約５０の範囲であることができる。

本明細書における使用に適したアシル化試薬としては、限定するわけではないが、本明細書に記載の位置選択的に置換されたセルロースエステルのアシル置換基に使用するのに適した上記のアルキル又はアリール基を含むアルキル又はアリールカルボン酸無水物、カルボン酸ハロゲン化物及び／又はカルボン酸エステルを挙げることできる。適切なカルボン酸無水物の例としては、限定するわけではないが、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水ピバロイル酸、無水安息香酸及び無水ナフトイルが挙げられる。カルボン酸ハロゲン化物の例としては、限定するわけではないが、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイル、ベンゾイル及びナフチル塩化物又は臭化物が挙げられる。カルボン酸エステルの例としては、限定するわけではないが、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイル、ベンゾイル及びナフトイルメチルエステルが挙げられる。１つ以上の実施形態において、アシル化試薬は、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水ピバロイル、無水ベンゾイル及び無水ナフトイルからなる群より選ばれる１つ以上のカルボン酸無水物であることができる。

本出願は、（ａ）複数の発色団−アシル置換基及び（ｂ）複数のピバロイル置換基を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルであって、前記セルロースエステルは約０〜約０．９の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、前記セルロースエステルは約０．１〜約１．２の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、前記セルロースエステルは約０．５〜約１．６の範囲の発色団−アシル置換度（「ＤＳ_Ｃｈ」）を有し、前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６であるようになっており、前記発色団−アシルは、（ｉ）アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている（Ｃ_６−２０）アリール−アシル、（ｉｉ）ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、該ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されているヘテロアリール−アシル、（ｉｉｉ）

（式中、アリールはＣ_１−６アリールであり、アリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、又は、（ｉｖ）

（式中、ヘテロアリールは、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、該ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）
から選ばれ、
各Ｒ^１はニトロ、シアノ、（Ｃ_１−６）アルキル、ハロ（Ｃ_１−６）アルキル、ハロ、（Ｃ_６−２０）アリール−ＣＯ_２−、（Ｃ_６−２０）アリール、（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ（Ｃ_１−６）アルコキシ、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員ヘテロアリール、又は、

から独立して選ばれる、位置選択的に置換されたセルロースエステルを開示する。

１つの実施形態において、ＤＳ_Ｐｖは約０．２〜約０．８の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_Ｐｖは約０．１〜約０．６の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_Ｐｖは約０．８〜約１．２の範囲にある。

１つの実施形態において、ＤＳ_Ｃｈは約０．５〜約１．５の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_Ｃｈは約０．４〜約０．８の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_ｃｈは約０．８〜約１．６の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_Ｃｈは約０．７〜約１．０の範囲にある。

１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約０．６の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約０．４の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．４〜約０．９の範囲にある。

１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．２〜約０．３の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約１．０〜約１．３の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたベンゾイル、又は、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたナフトイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたベンゾイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたナフトイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルはナフトイルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルはベンゾイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約０．６の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．１〜約０．６の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約０．５〜約１．５の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。

１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約１．１の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．４の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約０．３〜約１．１の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．３の範囲にある。

１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約１．０の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約０．８〜約１．３の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は約０．１〜約１．４の範囲にある。

１つの実施形態において、位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６の範囲となるようになっている。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．３より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．４より大きい。

１つの実施形態において、位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．８〜約１．６の範囲となるようになっている。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．３より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．４より大きい。

１つの実施形態において、位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．９〜約１．６の範囲になるようになっている。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．１より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．２より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．３より大きい。この実施形態の１つのクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ−Ｃ３ＤＳ_Ｃｈは０．４より大きい。

１つの実施形態において、発色団−アシルは非置換又は置換ベンゾイル、又は、非置換又は置換ナフトイルであり、ＤＳ_ＯＨは約０．２〜約０．３の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約１．０〜約１．３の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。

１つの実施形態において、発色団−アシルは非置換又は置換ベンゾイル、又は、非置換又は置換ナフトイルであり、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約０．６の範囲であり、ＤＳ_Ｐｖは約０．１〜約０．６であり、ＤＳ_Ａｒは約０．５〜約１．５の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_Ａｋ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。

１つの実施形態において、発色団−アシルは、約２００ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲の吸収最大値（λｍａｘ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルは、約２３０ｎｍ〜約２７０ｎｍの範囲の吸収最大値（λｍａｘ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルは、約２４７ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲の吸収最大値（λｍａｘ）を有する。

１つの実施形態において、発色団−アシルは、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された（Ｃ_６−２０）アリール−アシルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルはヘテロアリール−アシルであり、ヘテロアリールは、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは

（上式中、アリールはＣ_１−６アリールであり、該アリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）である。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは

（上式中、ヘテロアリールはＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、該ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）である。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたベンゾイル、又は、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたナフトイルから選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたベンゾイルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたナフトイルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、ナフトイルは２−ナフトイルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、ナフトイルは１−ナフトイルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは

（上式中、＊はセルロースエステルの酸素に対する発色団−アシル置換基の結合点を示す）から選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はペンタノイルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。

１つの実施形態において、発色団−アシルは

１つの実施形態において、発色団−アシルは

１つの実施形態において、位置選択性セルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。

この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル又はヘキサノイルから選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基は、アセチル又はプロピオニルから選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はプロピオニルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はアセチルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はブチリルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換はペンタノイルである。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基はヘキサノイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約１．１〜約１．４の範囲にある。このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基の置換度（「ＤＳ_ＡＫ」）は、約０．１〜約１．１の範囲にある。

フィルム
本出願はまた、（ａ）複数の発色団−アシル置換基及び（ｂ）複数のピバロイル置換基を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルを含むフィルムを開示し、前記セルロースエステルは約０〜約０．９の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、前記セルロースエステルは約０．１〜約１．２の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、前記セルロースエステルは約０．５〜約１．６の範囲の発色団−アシル置換度（「ＤＳ_Ｃｈ」）を有し、そして前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６であるようになっており、前記発色団−アシルは、（ｉ）アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている（Ｃ_６−２０）アリール−アシル、（ｉｉ）ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、該ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されているヘテロアリール−アシル、（ｉｉｉ）

（式中、ヘテロアリールは、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）から選ばれ、各Ｒ^１はニトロ、シアノ、（Ｃ_１−６）アルキル、ハロ（Ｃ_１−６）アルキル、（Ｃ_６−２０）アリール−ＣＯ_２−、（Ｃ_６−２０）アリール、（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員ヘテロアリール、又は、

から独立して選ばれる。

このフィルムの１つの実施形態において、発色団−アシルは（Ｃ_６−２０）アリール−アシルであり、ここでアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_６−２０）アリール−アシルはベンゾイル又はナフトイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_６−２０）アリール−アシルはベンゾイルである。

この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_６−２０）アリール−アシルはナフトイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ナフトイルは２−ナフトイルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ナフトイルは１−ナフトイルである。

このフィルムの１つの実施形態において、発色団−アシルは、ヘテロアリール−アシルであり、ここで、ヘテロアリールはＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

このフィルムの１つの実施形態において、発色団−アシルは

（上式中、アリールはＣ_１−６アリールであり、そしてアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）である。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

（上式中、ヘテロアリールは、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）である。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

このフィルムの１つの実施形態において、発色団−アシルは、

（上式中、＊はセルロースエステルの酸素に対する発色団−アシル置換基の結合点を示す）から選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

１つの実施形態において、発色団−アシルは、約２００ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲の吸収最大値（λｍａｘ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−アシル置換基をさらに含む。

このフィルムの１つの実施形態において、発色団−アシルは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたナフトイルであり、ＤＳ_ＯＨは約０．２〜約０．３の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約１．１〜約１．３の範囲にある。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは約０．５μｍ〜約５μｍの範囲の厚さを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは約５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸光学フィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは４５度延伸光学フィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは一軸延伸光学フィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは二軸延伸光学フィルムである。

このフィルムの別の実施形態において、フィルムは斜め４５°に延伸され、それで、３Ｄディスプレイ、ＯＬＥＤ及び他の用途のためのロールツーロールラミネーション法による円偏光子製造生産量を増加させる。

１つの実施形態は上記フィルムを含む偏光板である。１つの実施形態は上記フィルムを含む円偏光子である。

１つの実施形態は上記フィルムを含む多層フィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムはＡプレートフィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。

この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、ラミネーション、コーティング又は共キャスティングによって調製された少なくとも２つのフィルムを含む。この実施形態の１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、ラミネーション、コーティング又は共キャスティングによって調製される。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムはラミネーションによって調製される。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムはコーティングによって調製される。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは共キャスティングによって調製される。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは透過率ｂ^＊値が０．８未満である。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは透過率ｂ^＊値が０．７未満である。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは透過率ｂ^＊値が０．６未満である。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムはｂ^＊が０．５未満である。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは透過率ｂ^＊値が０．４未満である。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは透過率ｂ^＊値が０．３未満である。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは、５８９ｎｍの波長で測定して約０．００１〜約０．０２０の範囲の複屈折率（「Δｎ」）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは、５８９ｎｍの波長で測定して約０．００６〜約０．０２０の範囲の複屈折率（「Δｎ」）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは、５８９ｎｍの波長で測定して約０．００８〜約０．０２０の範囲のΔｎを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは、５８９ｎｍの波長で測定して約０．００９〜約０．０２０の範囲のΔｎを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは５μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは、５８９ｎｍの波長で測定して約０．０１〜約０．０２０の範囲のΔｎを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは約４．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは約３．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは約２．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さである。１つの実施形態において、フィルムは約１．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは約０．９未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは約０．８未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは約０．７未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは約０．６未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは約０．５未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。１つの実施形態において、フィルムは０．４未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さである。１つの実施形態において、フィルムは約０．３未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さである。１つの実施形態において、フィルムは約０．２未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。

フィルムの厚さは、延伸前のフィルム厚さ及び延伸条件によることができる。延伸後、フィルムの厚さは約１μｍ〜約５００μｍ、約５μｍ〜約２００μｍ、約１０μｍ〜約１２０μｍ、約２０μｍ〜約１００μｍ、約３０μｍ〜約８０μｍ、約４０μｍ〜約８０μｍ又は約２０μｍ〜約１４０μｍであることができる。このフィルムの１つの実施形態において、延伸後のフィルムの厚さは、約０．５μｍ〜約２０μｍの範囲である。

延伸前に、フィルムの平均厚さは、約１μｍ〜約５００μｍ、約５μｍ〜約２００μｍ、約１０μｍ〜約１２０μｍ、約２０μｍ〜約１００μｍ、約３０μｍ〜約８０μｍ、又は、約４０μｍ〜約８０μｍである。このフィルムの１つの実施形態において、延伸前のフィルムの厚さは約０．５μｍ〜約２０μｍの範囲にある。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは＋Ｃフィルム、−Ｃフィルム又は＋Ａフィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは０．５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。

この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは＋Ｃフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは０．５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは−Ｃフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは０．５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは＋Ａフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは０．５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは−Ａフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは０．５μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは、約１４μｍ〜約１９μｍの範囲の厚さで約５８９ｎｍの波長で測定して、約４４ｎｍ〜約２４４ｎｍの範囲の面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）を有する。１つの実施形態において、フィルムは、約８μｍ〜約１６μｍの範囲の厚さで約５８９ｎｍの波長で測定して、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲のＲ_ｔｈを有する。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは、約２μｍ〜約１５μｍの範囲の厚さで約５８９ｎｍの波長で測定して約−１００ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは延伸されていない。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは約２μｍ〜約１７μｍの範囲の厚さで約５８９ｎｍの波長で測定して約−５０ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲の面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは延伸されていない。

このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは約２μｍ〜約１７μｍの範囲の厚さで約５８９ｎｍの波長で測定して約−０．５ｎｍ〜約５ｎｍの範囲の面内遅延（「Ｒ_ｅ」）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは延伸されていない。

１つの実施形態において、フィルムは、−０．５＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜５及び−１．６＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．５の関係を満たす正の面内遅延を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延ある。

１つの実施形態において、フィルムは、０．５＜Ｒ_ｔｈ（４５０）／Ｒ_ｔｈ（５５０）＜２．５及び０．４＜Ｒ_ｔｈ（６５０）／Ｒ_ｔｈ（５５０）＜１．３の関係を満たす正の面外遅延を有し、ここで、Ｒ_ｔｈ（４５０）、Ｒ_ｔｈ（５５０）及びＲ_ｔｈ（６５０）はそれぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延である。

フィルムは１種以上の上記の位置選択的に置換されたセルロースエステル含むことができる。１つの実施形態において、フィルムは、約０．１〜約１．２の範囲のＤＳ_Ｐｖを有する位置選択的に置換されたセルロースエステルを含む。

このフィルムの１つの実施形態において、発色団−アシルは、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたベンゾイル、又は、非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたナフトイルであり、ＤＳ_ＯＨは約０．２〜約０．３の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にあり、ＤＳ_Ａｒは約１．０〜約１．３の範囲にある。

１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約０．６の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．１〜約０．６の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約０．５〜約１．５の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約１．１の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．４の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約０．３〜約１．１の範囲にある。１つの実施形態において、ＤＳ_ＯＨは約０．１〜約１．０の範囲にあり、ＤＳ_Ｐｖは約０．３〜約０．５の範囲にあり、ＤＳ_Ｃｈは約０．８〜約１．３の範囲にある。

１つの実施形態において、位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６の範囲にあるようになっている。１つの実施形態において、位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．８〜約１．６の範囲にあるようになっている。１つの実施形態において、位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．９〜約１．６の範囲にあるようになっている。

フィルムは多層フィルムに加工することができる。多層フィルムは、溶媒共キャスティング、溶融共押出、ラミネーション又はコーティング法によって製造することができる。これらの手順は当該技術分野で一般的に知られている。多層構造を形成するための溶媒共キャスティング、溶融共押出、ラミネーション及びコーティング方法の例は、ＵＳ２００９／００５０８４２、ＵＳ２００９／００５４６３８及びＵＳ２００９／００９６９６２に見出される。

多層構造を形成するための溶媒共キャスティング、溶融共押出、ラミネーション及びコーティング法のさらなる例は、ＵＳ４，５９２，８８５；ＵＳ７，１７２，７１３；ＵＳ２００５／０１３３９５３；及びＵＳ２０１０／００５５３５６に見出され、その内容の全体を参照により本明細書中に取り込む。

多層フィルムは、Ａ−Ｂ構造又はＡ−Ｂ−Ａ構造（それぞれ図４（ａ）及び図４（ｂ））に構成することができる。１つの実施形態において、層Ａは本明細書に開示のセルロースエステルから作製することができ、そして層Ｂは、本明細書に開示のセルロースエステル、別のセルロースエステル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー又はシクロオレフィンコポリマーから作製することができる。層Ｂはまた、上述のポリマーの組み合わせから作製することもできる。別のセルロースエステルの例としては、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースプロピオネート及びセルロースブチレートが挙げられる。二層構造の場合には、層は異なるセルロースエステルを用いて作製する。三層構造の場合には、上部及び下部層は同じセルロースエステルを使用して作製し、中間層は異なるセルロースエステルを使用して作製する。Ａ−Ｘ−Ｂ（Ｘは接着層又は結合層である）及びＢ−Ａ−Ｂなどの他の構成も可能である。各層の厚さは同じであっても又は異なっていてもよい。各層の厚さを変化させることにより、所望の光学遅延及び逆光学分散を得ることができる。延伸前後の層Ａの厚さは約１〜約２０μｍ、延伸後の層Ｂの厚さは約１９〜約１２０μｍの範囲であることができる。

特定の面内遅延（Ｒ_ｅ）値を得るために、多層フィルムを延伸することができる。延伸温度、延伸比、延伸タイプ（例えば、４５°、一軸又は二軸）、予熱時間及び温度、ならびに、延伸後のアニーリング時間及び温度などの延伸条件を調整することによって、所望のＲ_ｅ、Ｒ_ｔｈ及び逆光分散を達成することができる。延伸温度は１３０℃〜２００℃の範囲であることができる。延伸比は、機械方向（ＭＤ）で１．０〜１．４の範囲であることができ、横断方向（ＴＤ）で１．１〜２．０の範囲であることができる。予熱時間は１０〜３００秒の範囲であることができ、予熱温度は延伸温度と同じであることができる。ポストアニーリング時間は、０〜３００秒の範囲であることができ、ポストアニーリング温度は延伸温度より１０℃〜４０℃低い範囲であることができる。

光学補償フィルムの分野において、光の位相遅延が波長によって変化し、色シフトを引き起こすことが知られている。色シフトが最小になるように光学デバイスを設計するときに、補償フィルムのこの波長依存（又は分散）特性を考慮に入れることができる。波長分散曲線は、正、非又は負の遅延（又は遅れ）を有する補償フィルムに関して「通常」、「フラット」又は「逆」と定義される。正の遅延を有する補償フィルム（正のＡ−プレート又はＣ−プレート）は、位相遅延の値がより短い波長に向かって漸増的に正である通常分散曲線、又は、位相遅れの値がより短い波長に向かって漸減的に正である逆分散曲線を有することができる。負の遅延を有する補償フィルム（負のＡ−プレート又はＣ−プレート）は、位相遅延の値がより短い波長に向かって漸増的に負である通常分散曲線、又は、位相遅延の値がより短い波長に向かって漸減的に負である逆分散曲線を有することができる。これらの曲線の例示的な形状は図１に示されている。

波長板は、その屈折率プロファイルに従って、通常、以下のように命名される。
正Ａ−プレート：ｎ_ｘ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｚ；負Ａ−プレート：ｎ_ｘ＜ｎ_ｙ＝ｎ_ｚ
正Ｃ−プレート：ｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＜ｎ_ｚ；負Ｃ−プレート：ｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚ
（上式中、ｎ_ｘ及びｎ_ｙは平面内屈折率を表し、そしてｎ_ｚは厚さ屈折率を表す）。

上記波長板は一軸複屈折板である。波長板は、二軸複屈折性であってもよく、ｎ_ｘ、ｎ_ｙ、及びｎ_ｚはすべて等しくなく、慣習的に二軸フィルムと呼ばれる。

１／４波長（λ／４）に等しい面内遅延（Ｒ_ｅ）を有するＡプレートは１／４波長板（ＱＷＰ）と呼ばれる。理想的な無彩色ＱＷＰは、あらゆる波長においてλ／４の面内遅延を有する。これを達成するためには、ＱＷＰの波長分散を逆にしなければならず、以下の式を満たす必要がある。
Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＝０．８１８及びＲ_ｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＝１．１８２であり、
上式中、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）はそれぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延である。

無彩色（又は広帯域）波長板は、最適な表示品質を生じるように各波長で同様に光を方向付けることができるので、非常に望ましい。しかしながら、一般的な波長板は、通常分散曲線を示し、広帯域波長板用途には適さない。したがって、面内遅延及び面外遅延について逆波長分散特性を有する波長板が必要とされている。

Ａ−プレートは、視野角を改善するための補償フィルムとして液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に一般に使用されている。それはまた、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）ディスプレイデバイスに使用することができる。例えば、直線偏光子とともにＱＷＰを使用して、円偏光子をＯＬＥＤデバイスに提供し、ＯＬＥＤによって反射される周囲光を低減して、表示品質を改善する。これらの用途は、典型的には、面内位相シフト補償のためにＡ−プレートによって提供される面内遅延を利用する。例えば、Ｃ−プレートと組み合わせたＡ−プレートは、斜めの視野角での交差偏光子の光漏れを低減するのに特に有用である。

１つの実施形態は上記フィルムを含み、Ａ−プレートフィルムである多層フィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。この実施形態の１つのサブクラスでは、多層フィルムは一軸延伸されている。

この実施形態の１つのクラスにおいて、Ａ−プレートフィルムは負のＡ−プレートフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。

この実施形態の１つのクラスにおいて、Ａ−プレートフィルムは正のＡ−プレートフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、別のセルロースエステル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー又はそれらの組み合わせを含む別のフィルムをさらに含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、上記セルロースエステルはセルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート又はそれらの組み合わせである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースアセテートブチレートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースアセテートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースアセテートプロピオネートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースプロピオネートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースブチレートである。

この実施形態の１つのクラスにおいて、別のフィルムはポリカーボネートを含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、別のフィルムはポリエステルを含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、別のフィルムはポリイミドを含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、別のフィルムはシクロオレフィンポリマーを含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、別のフィルムはシクロオレフィンコポリマーを含む。

１つの実施形態は上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さで５８９ｎｍにて測定して、約−３００ｎｍ〜約０ｎｍの範囲にある面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）を有し、該多層フィルムは延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は上記フィルムを含む多層フィルムであって、５８９ｎｍで測定される面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）は約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さで５８９ｎｍにて測定して約−２００ｎｍ〜約−５０ｎｍの範囲にあり、該多層フィルムは延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は、上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは波長（λ）５５０ｎｍで約４０〜約１６０ｎｍの範囲、約５０〜１５０ｎｍの範囲、約１００〜約１５０ｎｍの範囲又は約１１０〜１５０ｎｍの範囲に面内遅延（Ｒ_ｅ）、及び、約０〜約−２００ｎｍの範囲、約０〜−１５０ｎｍの範囲又は約−３０〜約１００ｎｍの範囲に面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２５の関係を満たす正の面内遅延を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延である。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは、５５０ｎｍの光波長で約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）を有する。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは５５０ｎｍの光波長で約−２００ｎｍ〜約０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は、上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは波長５５０ｎｍで測定して約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２００〜約２０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は、上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２００〜約２０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有し、そして０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．２５の関係を満たす正の面内遅延（Ｒ_ｅ）を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）はそれぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で測定された面内遅延である。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は、上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２０〜約−２００の面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有し、そして０．７５＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜０．９及び１．０５＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２の関係を満たす正の面内遅延（Ｒ_ｅ）を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）はそれぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で測定された面内遅延である。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態は、上記フィルムを含む多層フィルムであって、該多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２５の関係を満たす正の面内遅延を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）はそれぞれ、４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは波長（λ）５５０ｎｍで約４０〜約１６０ｎｍの範囲、約５０〜１５０ｎｍの範囲、約１００〜１５０ｎｍの範囲又は約１１０〜１５０ｎｍの範囲にある面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約０〜約−２００ｎｍの範囲、約０〜−１５０ｎｍの範囲又は約−３０〜−１００ｎｍの範囲にある面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、５５０ｎｍの光波長で約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）を有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは５５０ｎｍの光波長で約−２００ｎｍ〜約０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは５５０ｎｍの波長で測定して約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２００〜約２０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２００〜約２０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有し、そして０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２５の関係を満足する正の面内遅延（Ｒ_ｅ）を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で測定された面内遅延である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約２０〜約−２００ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有し、そして０．７５＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜０．９及び１．０５＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２の関係を満たす正の面内遅延（Ｒ_ｅ）を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で測定された面内遅延である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。このサブクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。

種々の実施形態において、可塑剤、安定剤、ＵＶ吸収剤、粘着防止剤、スリップ剤、潤滑剤、染料、顔料、遅延調整剤などの添加剤は、上記の光学フィルムを調製するのに用いられる位置選択的に置換されたセルロースエステルと混合されうる。これらの添加剤の例は、例えば、米国特許出願公開第２００９／００５０８４２号、米国特許第２００９／００５４６３８号及び米国特許出願第２００９／００９６９６２号明細書に見出すことができ、その内容を参照により本明細書に取り込む。

上記フィルムのいずれも、溶媒キャスティング、溶融押出、ラミネーション又はコーティング法によって作製することができる。これらの手順は、当該技術分野で一般的に知られている。溶媒キャスティング、溶融押出、ラミネーション及びコーティング法の例は、例えば、米国特許出願公開第２００９／００５０８４２号、米国特許出願公開第２００９／００５４６３８号及び米国特許出願公開第２００９／００９６９６２号明細書に見出すことができ、その内容を参照により本明細書に取り込む。フィルムを形成するための溶媒キャスティング、溶融押出、ラミネーション及びコーティング法のさらなる例は、例えば、米国特許第４，５９２，８８５号及び第７，１７２，７１３号明細書ならびに米国特許出願公開第２００５／０１３３９５３号及び米国特許出願公開第２０１０／００５５３５６号に見出すことができ、その内容を参照により本明細書に取り込む。

本明細書に記載の位置選択的に置換されたセルロースエステルを使用して所望のＲ_ｅ及びＲ_ｔｈ値を得るのを助けるために、フィルム（単層又は多層）を延伸することができる。延伸温度、延伸タイプ（４５度、一軸又は二軸）、延伸比、予熱時間及び温度などの延伸条件、ならびに延伸後のアニーリング時間及び温度を調節することにより、所望のＲ_ｅ及びＲ_ｔｈを達成することができる。正確な延伸条件は、位置選択的に置換されたセルロースエステルの特定の組成、可塑剤の量及びタイプ、及び、その特定の組成物のガラス転移温度に依存しうる。したがって、特定の延伸条件は広範囲に変化しうる。様々な実施形態において、延伸温度は、約１６０〜約２００℃の範囲でありうる。さらに、機械方向（「ＭＤ」）での１．０に基づく延伸比は、横断方向（「ＴＤ」）で約１．３〜約２．０の範囲でありうる。予熱時間は、約１０〜約３００秒の範囲であることができ、予熱温度は、延伸温度と同じであることができる。ポストアニーリング時間は、約０〜約３００秒の範囲であることができ、ポストアニーリング温度は延伸温度より約１０℃〜約４０℃低い範囲にあることができる。フィルムの厚さは、延伸前のフィルム厚さ及び延伸条件に依存しうる。延伸後に、フィルムの厚さは約１μｍ〜約５００μｍ、約５μｍ〜約２００μｍ又は約１０μｍ〜約１２０μｍ、約２０μｍ〜約１００μｍ、約３０μｍ〜約８０μｍ又は約４０μｍ〜約６０μｍであることができる。

光学特性に加えて、本明細書に記載の位置選択的に置換されたセルロースエステルから調製されるフィルムは他の有益な特徴を有する。ＬＣＤディスプレイに使用される多くの従来のセルロースエステルは、寸法安定性に影響を及ぼし、フィルムの光学的値を変化させる比較的高い湿分吸収性を有する。本明細書に記載の位置選択的に置換されたセルロースエステルから調製されるフィルムは低い湿分吸収性を有し、フィルムの光学的値は、高い湿度及び温度でほとんど変化しない。したがって、種々の実施形態において、位置選択的に置換されたセルロースエステルは、２質量％未満の湿分、１質量％未満の湿分、又は０．５質量％未満の湿分を含有することができる。他の様々な実施形態において、セルロースエステルフィルムのＲ_ｅの変化は、６０℃、相対湿度１００％で２４０時間貯蔵した場合に、４％未満、１％未満又は０．５％未満であることができる。

本明細書に記載の位置選択的に置換されたセルロースエステルは、驚くほど熱的に安定であり、フィルムの溶融押出に非常に有用である。したがって、本発明の１つの態様は、３３０℃、３４０℃又は３５０℃での熱重量分析による質量損失が１０％未満である位置選択的に置換されたセルロースエステルに関する。

本発明のフィルムは光学補償フィルムとして使用することができる。本明細書に記載の光学補償フィルムはＬＣＤに使用することができる。特に、上述の光学フィルムはＬＣＤの偏光子スタックにおける補償フィルムの一部又は全部として使用することができる。上述のように、偏光子スタックは、一般に、液晶層の両側に配置された２つの交差偏光子を含む。補償フィルムは液晶層と偏光子の１つとの間に配置することができる。１つ以上の実施形態において、上述の単層光学フィルムは、それ自体、ＬＣＤの補償フィルム（すなわち、波長板）として使用することができる。このような実施形態において、ＬＣＤの液晶層と偏光フィルタの１つとの間に単層光学フィルムを配置することができる。他の実施形態において、上記の正のＡ−プレートはＬＣＤの補償フィルム（すなわち、波長板）に使用することができる。このような実施形態において、Ａ−プレートは、少なくとも１つの追加の光学フィルムに隣接して配置することができ、このような追加の光学フィルムは正のＣ−プレートであることができる。前述の実施形態のいずれにおいても、本明細書に記載の光学フィルムを含むように調製されたＬＣＤは面内スイッチング（「ＩＰＳ」）モードで動作することができる。

本明細書に記載の光学補償フィルムはＯＬＥＤにおいても使用することができる。例えば、円偏光子を形成する直線偏光子と組み合わされたＱＷＰである。円偏光子をＯＬＥＤデバイスの前に置くと、特にＱＷＰが理想に近い逆分散を有する場合には、ＯＬＥＤ金属電極から反射される周囲光を低減し、高いコントラスト比及び低い色シフトなどの改善された表示品質とすることができる。

本明細書に記載の光学補償フィルムは円偏光子にも使用することができる。特に、直線偏光を円偏光に変換するのに用いることができる、１つ以上の上述の本発明のポリマーフィルムを含む単一の１／４波長板を調製することができる。この態様は、円偏光三次元（「３Ｄ」）眼鏡及び／又は３Ｄメディアディスプレイ、例えば、テレビジョン（「３−ＤＴＶ」）において使用するのに特に価値があることができる。したがって、１つ以上の実施形態において、上述の単層光学フィルムを含む単一の１／４波長板を調製することができる。他の様々な実施形態において、上述の正のＡ−プレートを含む単一の１／４波長板を調製することができる。このような１／４波長板は、偏光スタックの上方などの三次元テレビのガラスに適用することができる。さらに、そのよう１／４波長板は３Ｄ眼鏡のガラスに適用することができる。３Ｄ眼鏡の場合には、一方のレンズの光学軸が他方のレンズの光学軸に対して垂直又は実質的に垂直になるように光学フィルムを適用することができる。３Ｄメガネの結果は、ある観察された偏光が１つのレンズでブロックされるが、他方のレンズを通過し、観察される３Ｄ光学効果をもたらす。様々な実施形態において、１つ以上の上述の光学フィルムを含む１／４波長板を、直線偏光子でありうる少なくとも１つの追加の偏光子と共に使用することができる。

本発明による光学補償フィルムは正の面内遅延（Ｒ_ｅ）及び逆面内波長分散特性を有し、短波長側に向かって位相遅延値が漸減的に正である。二層及び多層フィルムに関して、この分散特性は４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの波長で測定された遅延の比で表され、Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１及びＲ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＞１の関係を満たす。Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）の比は０．７１〜０．９９、０．７２〜０．９８、０．７４〜０．９７、０．７６〜０．９６、０．７８〜０．９５、０．８〜０．９又は０．８１〜０．８５とすることができる。Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）の比は１．０１〜１．２４、１．０２〜１．２３、１．０３〜１．２２、１．０４〜１．２１、１．０５〜１．２又は１．１〜１．１９とすることができる。

１つの実施形態において、本発明の光学補償フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）を有する。別の実施形態において、ポリマーフィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約０〜約−２００ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。さらに別の実施形態において、ポリマーフィルムは、０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２５の関係を満たす正の面内遅延を有し、ここで、Ｒ_４５０、Ｒ_５５０及びＲ_６５０は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で面内遅延である。１つの実施形態において、ポリマーフィルムは、０．７５＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜０．９及び１．０５＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２の関係を満たす正の面内遅延を有する。上記特定された実施形態のいずれか１つにおいて、ポリマーフィルムは、ｎ_ｘ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｚの屈折率プロファイル及び逆波長分散を有する正のＡ−プレートであることができる。

１つの態様において、上記の光学補償フィルムにおける第一のポリマーフィルム及び第二のポリマーフィルムは、ラミネーションによって付着される。別の態様において、第二のポリマーは、溶液キャストによって第一のポリマーフィルム上にコーティングされる。

他の実施形態において、延伸前に、本発明の多層フィルムに小分子又はポリマーなどの添加剤を導入することによって、光学補償フィルムの遅延又は分散特性をさらに高めることができる。望ましくは、添加剤は、延伸の際にフィルムの平面内で整列することができる剛性棒状部分を有する。剛性棒状部分の化学構造は特に限定されない。

本発明のフィルムは、本発明のフィルムを１つ以上の別のフィルムとラミネーション又は共押出することにより多層フィルムに形成することができる。多層フィルムは、１つのフィルムを最初に溶液キャスティングし、溶液キャスティングによって形成された第一のフィルム上に別のフィルムを溶液キャスティングすることによって得ることができる。１つの実施形態において、第一又は第二の溶液キャスティングフィルムは本発明のフィルムである。

また、本出願は、
（１）（ａ）複数の発色団−アシル置換基及び（ｂ）複数のピバロイル置換基を含む位置選択的に置換されたセルロースエステルを含む層（Ａ）、ここで、前記セルロースエステルは約０〜約０．９の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、前記セルロースエステルは約０．１〜約１．２の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、前記セルロースエステルは約０．４〜約１．６の範囲の発色団−アシル置換度（「ＤＳ_Ｃｈ」）を有し、前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３での発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６での発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．１〜約１．６であるようになっており、前記発色団−アシルは、アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された（Ｃ_６−２０）アリール−アシル、ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、該ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたヘテロアリールアシル、アリールがＣ_１−６アリールであり、該アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された、

又は、
ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、該ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された、

から選ばれ、ここで、各Ｒ^１はニトロ、シアノ、（Ｃ_１−６）アルキル、ハロ（Ｃ_１−６）アルキル、（Ｃ_６−２０）アリール−ＣＯ_２−、（Ｃ_６−２０）アリール、（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員ヘテロアリール、又は、

から独立して選ばれる、

（２）セルロースエステル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー又はそれらの組み合わせを含む層（Ｂ）、
を含む、多層フィルムを開示する。

１つの実施形態において、層（Ｂ）は、複数の（Ｃ_１−６）アルキル−ＣＯ−置換基を含むセルロースエステルを含み、前記セルロースエステルは約０．２５〜約１．３０の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ２」）を有し、前記セルロースエステルは約１．７０〜約２．７５の範囲の（Ｃ_１−６）アルキル−ＣＯ−置換度（「ＤＳ_Ａｃｙｌ」）を有する。この実施態様の１つのクラスにおいて、セルロースエステルは、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート又はそれらの組み合わせである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースアセテートブチレートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースアセテートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースアセテートプロピオネートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースプロピオネートである。この実施形態の１つのクラスにおいて、セルロースエステルはセルロースブチレートである。

１つの実施形態において、層（Ｂ）はポリカーボネートを含む。１つの実施形態において、層（Ｂ）はポリエステルを含む。１つの実施形態において、層（Ｂ）はポリイミドを含む。１つの実施形態において、層（Ｂ）はシクロオレフィンポリマーを含む。１つの実施形態において、層（Ｂ）はシクロオレフィンコポリマーを含む。

１つの実施形態において、多層フィルムは、溶媒共キャスティング、溶融共押出、ラミネーション又はコーティング法によって作製される。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは溶媒共キャスティング法によって作製される。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは溶融共押出法によって作製される。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムはラミネーション法によって作製される。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムはコーティング法によって作製される。

１つの実施形態において、多層フィルムはＡ−Ｂ構成で１つの層（Ａ）及び１つの層（Ｂ）を含む。１つの実施形態において、多層フィルムは、Ａ−Ｂ−Ａ構成で２つの層（Ａ）及び１つの層（Ｂ）を含む。

１つの実施形態において、多層フィルムは少なくとも一方向に延伸されている。１つの実施形態において、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは約２０〜約１４０μｍの範囲の厚さで５８９ｎｍで測定して約−３００ｎｍ〜約０ｎｍの範囲にある面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）を有し、ここで、多層フィルムは延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、フィルムは約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さで５８９ｎｍにて測定して、約−２００ｎｍ〜約−５０ｎｍの範囲にある５８９ｎｍで測定される面外遅延（「Ｒ_ｔｈ」）を有し、ここで、多層フィルムは延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸、または４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸方向、二軸方向又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで、約４０〜約１６０ｎｍの範囲、約５０〜１５０ｎｍの範囲、約１００〜１５０ｎｍの範囲、又は、約１１０〜１５０ｎｍの範囲にある面内遅延（Ｒ_ｅ）、約０〜約−２００ｎｍ、約０〜−１５０ｎｍの範囲、又は、約−３０〜−１００ｎｍの範囲にある面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は、約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．２５の関係を満たす正の面内遅延を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延である。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は、約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは５５０ｎｍの光波長で約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）を有する。このフィルムの１つの実施形態において、フィルムは５５０ｎｍの光波長で約−２００ｎｍ〜約０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は、約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、５５０ｎｍの波長で測定して、約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２００〜約２０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は、約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２００〜約２０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有し、そして０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２５の関係を満たす正の面内遅延（Ｒｅ）を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で測定された面内遅延である。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は、約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムは、波長（λ）５５０ｎｍで約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）及び約−２０〜約−２００ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有し、そして０．７５＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．９及び１．０５＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２の関係を満たす正の面内遅延（Ｒ_ｅ）を有し、ここで、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長で測定された面内遅延である。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、層（Ａ）は、約１μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する。このクラスの１つのサブクラスでは、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。

１つの実施形態において、多層フィルムはＡ−プレートフィルムである。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは、一軸、二軸又は４５度に延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは一軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスにおいて、多層フィルムは二軸延伸されている。この実施形態の１つのクラスでは、多層フィルムは４５度に延伸されている。

この実施形態の１つのクラスにおいて、Ａ−プレートフィルムは負のＡ−プレートフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。

この実施形態の１つのクラスにおいて、Ａ−プレートフィルムは正のＡ−プレートフィルムである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、多層フィルムは、２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、多層フィルムは４５度、一軸又は二軸延伸されている。

方法
本出願はまた、位置選択的に置換されたセルロースエステルの製造方法であって、該方法は
（１）位置選択的に脱保護されたセルロースエステル（「ＲＤＣＥ」）を得るために十分な条件下で非位置選択的に置換されたセルロースエステル（「ＮＳＣＥ」）を脱アシル化剤（「ＤＡ」）と接触させることを含み、
ここで、ＤＡは一度に又は連続段階で添加され、
ＤＡはアミン化合物であり、
ＲＤＣＥのヒドロキシル置換基のＣ２置換度（「Ｃ２ＤＳ_ＯＨ」）又はＲＤＣＥのヒドロキシル置換基のＣ３置換度（「Ｃ３ＤＳ_ＯＨ」）はＲＤＣＥのヒドロキシル置換基のＣ６置換度（「Ｃ６ＤＳ_ＯＨ」）より大きい、方法を開示する。

この方法の１つの実施形態において、Ｃ２ＤＳ_ＯＨはＣ３ＤＳ_ＯＨよりも大きい。

ＲＤＣＥの調製のための条件は当業者に知られている。条件は、温度、時間、溶媒、添加順序の調整、添加剤の添加などを含む。反応温度は調整することができる（例えば、約２０℃〜約８０℃の範囲内）。時間は調整することができる（例えば、約５時間〜約４８時間の範囲）。溶媒系は調整することができる（例えば、溶媒の使用又は不使用、及び、溶媒混合物の使用）。添加剤は、例えば、（Ｃ_２−８）アルカン酸であることができる。

ＲＤＣＥは当業者に公知のアシル化剤でさらに処理して、位置選択的に置換されたセルロースエステルを合成することができる。

本方法の１つの実施形態において、条件は（Ｃ_２−８）アルカン酸の添加を含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸は酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプリル酸、ピバル酸、１−もしくは２−ナフトエ酸又は安息香酸から選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度及び約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間を含む。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸は酢酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸はプロピオン酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸は酪酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸はイソ酪酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−６）アルカン酸は吉草酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸はカプリル酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸はピバリン酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸は１−ナフトエ酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸は２−ナフトエ酸である。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、（Ｃ_２−８）アルカン酸は安息香酸である。

本方法の１つの実施形態において、アミン化合物は、メチルアミン、エチルアミン、ヒドロキシルアミン、ヒドラジン及び／又はそれらの溶媒和物、水和物又は塩から選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、アミン化合物はメチルアミンである。この実施形態の１つのクラスにおいて、アミン化合物はエチルアミンである。この実施形態の１つのクラスにおいて、アミン化合物はヒドロキシルアミンである。この実施形態の１つのクラスにおいて、アミン化合物はヒドラジンである。

この実施形態の１つのクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、アミン化合物はメチルアミンである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、アミン化合物はエチルアミンである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、アミン化合物はヒドロキシルアミンである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、アミン化合物はヒドラジンである。

本方法の１つの実施形態において、条件は、溶媒なしで反応を実施することを含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、及び、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

本方法の１つの実施形態において、条件は、（Ｃ_１−８）アルカノール又はピリジンから選ばれる１つ以上の溶媒を添加することを含む。この実施形態の１つのクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、及び、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、及び、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、溶媒は（Ｃ_１−８）アルカノールである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、及び、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、（Ｃ_１−８）アルカノールはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール又はイソブタノールから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、及び、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

この実施形態の１つのクラスにおいて、溶媒はジメチルスルホキシド及び（Ｃ_１−８）アルカノールの混合物である。このクラスの１つのサブクラスにおいて、条件はまた、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度、約１５時間〜約２４時間の範囲の反応時間、及び、（Ｃ_２−８）アルカン酸を添加することを含む。

この方法の１つの実施形態において、条件は、約２０℃〜約８０℃の範囲の反応温度を含む。この方法の１つの実施形態において、条件は、約２５℃〜約５０℃の範囲の反応温度を含む。この方法の１つの実施形態において、条件は、約４０℃〜約５０℃の範囲の反応温度を含む。

この方法の１つの実施形態において、ＲＤＣＥのＤＳ_ＯＨは約１．７〜約１．９の範囲にあり、そしてＣ２ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ３ＤＳ_ＯＨであり、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ又はＣ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ＋Ｃ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。

本方法の１つの実施形態において、ＲＤＣＥのＤＳ_ＯＨは約１．８〜約１．９の範囲にあり、そしてＣ２ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ３ＤＳ_ＯＨであり、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ又はＣ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ＋Ｃ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。

本出願は、位置選択的に置換されたセルロースエステルの製造方法であって、
（１）第一の位置選択的に置換されたセルロースエステル（「ＦＲＳＣＥ」）を得るのに十分な条件下の溶媒中で、位置選択的に脱保護されたセルロースエステル（「ＲＤＣＥ」）を立体障害アシル化剤（「ＳＨＡＡ」）と接触させること、ここで、ＲＤＣＥのＣ２ＤＳ_ＯＨ又はＣ３ＤＳ_ＯＨはＲＤＣＥのＣ６ＤＳ_ＯＨより大きく、ここで、ＳＨＡＡは一度に又は連続段階で添加され、前記立体障害アシル基は第一級アルコール位置に対して選択的又は部分的に選択的である、及び、
（２）第二の位置選択的に置換されたセルロースエステル（「ＳＲＳＣＥ」）を得るのに十分な条件下で複数の第一のアシル基（「ＦＡＧ」）を位置選択的に付加するためにＦＲＳＣＥを第一のアシル化剤（「ＦＡＡ」）と接触させること、ここで、ＦＡＧはＣ２又はＣ３アルコール位置に対して選択的であり、ＦＡＡは一度に又は連続段階で添加される、
を含む方法を開示する。

本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは０．８未満の透過率ｂ^＊値を有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは０．７未満の透過率ｂ^＊値を有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは０．６未満の透過率ｂ^＊値を有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは０．５未満の透過率ｂ^＊値を有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは０．４未満の透過率ｂ^＊値を有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは０．３未満の透過率ｂ^＊値を有する。

本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約４．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約３．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約２．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約１．０未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．９未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、本方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．８未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、本方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．７未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．６未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．５未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．４未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは約０．３未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。本方法の１つの実施形態において、本方法から調製された位置選択的に置換されたセルロースエステルをフィルムに加工するときに、フィルムは、約０．２未満の％曇り度を有する。この実施形態の１つのクラスにおいて、フィルムは１μｍ〜約２０μｍの厚さを有する。

本方法の１つの実施形態において、ＲＤＣＥは、非位置選択的に置換されたセルロースエステルを脱アシル化剤（「ＤＡ」）と、ＲＤＣＥを得るのに十分な条件下で接触させることを含む方法によって調製され、ここで、ＤＡは一度又は連続段階で添加され、ＤＡはフッ化物塩、水酸化物塩又はアミン化合物から選ばれ、位置選択的に脱保護されたセルロースエステルは第二級アルコール位置で選択的に脱保護されたものである。

この実施形態の１つのクラスにおいて、ＲＤＣＥのＤＳ_ＯＨは約１．７〜約１．９の範囲にあり、そしてＣ２ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ３ＤＳ_ＯＨであり、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ又はＣ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。このクラスの１つのサブクラスでは、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ＋Ｃ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。

この実施形態の１つのクラスにおいて、ＲＤＣＥのＤＳ_ＯＨは約１．８〜約１．９の範囲にあり、そしてＣ２ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ３ＤＳ_ＯＨであり、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ又はＣ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。このクラスの１つのサブクラスでは、Ｃ２ＤＳ_ＯＨ＋Ｃ３ＤＳ_ＯＨ＞Ｃ６ＤＳ_ＯＨである。

本方法の１つの実施形態において、ＳＨＡＡはピバロイル無水物又はピバロイルハロゲン化物から選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＳＨＡＡは約０．２〜約０．５当量の範囲で存在する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡはアセチル無水物、アセチルハロゲン化物、プロピオニル無水物、プロピオニルハロゲン化物、ブチリル無水物、ブチリルハロゲン化物、イソブチロイル無水物、イソブチロイルハロゲン化物、非置換又は置換ベンゾイル無水物、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物、非置換又は置換ナフトイル無水物、又は、非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物から選ばれ、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイル無水物又は２−ナフトイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイルハロゲン化物又は２−ナフトイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。

このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは発色団−アシル−Ｘであり、ここで、Ｘはクロロ、ブロモ又はヨードであり、そして発色団−アシルは、（ｉ）アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された（Ｃ_６−２０）アリール−アシル、（ｉｉ）ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたヘテロアリール−アシル、（ｉｉｉ）アリールがＣ_１−６アリールであり、アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された、

又は、（ｉｖ）ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された、

から独立して選ばれる。

このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。

このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは（Ｃ_６−２０）アリール−アシルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、発色団−アシルはヘテロアリール−アシルである。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは

である。

このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは

である。

この実施形態の１つのクラスにおいて、ＳＨＡＡは、約０．３〜約０．５当量の範囲で存在する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡはアセチル無水物、アセチルハロゲン化物、プロピオニル無水物、プロピオニルハロゲン化物、ブチリル無水物、ブチリルハロゲン化物、イソブチロイル無水物、イソブチロイルハロゲン化物、非置換又は置換ベンゾイル無水物、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物、非置換又は置換ナフトイル無水物、又は、非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物から選ばれ、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイル無水物又は２−ナフトイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイルハロゲン化物又は２−ナフトイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。

から独立して選ばれる。

このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは（Ｃ_６−２０）アリール−アシルである。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、発色団−アシルはヘテロアリール−アシルである。このサ下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは

である。

この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは

である。

本方法の１つの実施形態において、ＳＨＡＡはピバロイル無水物である。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＳＨＡＡは約０．２〜約０．５当量の範囲で存在する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡはアセチル無水物、アセチルハロゲン化物、プロピオニル無水物、プロピオニルハロゲン化物、ブチリル無水物、ブチリルハロゲン化物、イソブチロイル無水物、イソブチロイルハロゲン化物、非置換又は置換ベンゾイル無水物、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物、非置換又は置換ナフトイル無水物、又は、非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物から選ばれ、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイル無水物又は２−ナフトイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイルハロゲン化物又は２−ナフトイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。

から独立して選ばれる。

このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは（Ｃ_６−２０）アリール−アシルである。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、発色団−アシルはヘテロアリール−アシルである。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、発色団−アシルは

である。

から独立して選ばれる。

である。

本方法の１つの実施形態において、ＳＨＡＡはピバロイルハロゲン化物である。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＳＨＡＡは約０．２〜約０．５当量の範囲で存在する。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡはアセチル無水物、アセチルハロゲン化物、プロピオニル無水物、プロピオニルハロゲン化物、ブチリル無水物、ブチリルハロゲン化物、イソブチロイル無水物、イソブチロイルハロゲン化物、非置換又は置換ベンゾイル無水物、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物、非置換又は置換ナフトイル無水物、又は、非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物から選ばれ、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイル無水物又は２−ナフトイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡは１−ナフトイルハロゲン化物又は２−ナフトイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイル無水物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。このサブクラスの１つの下位サブクラスにおいて、ＦＡＡはベンゾイルハロゲン化物である。この下位のサブクラスの１つの下位の下位サブクラスにおいて、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。

から独立して選ばれる。

である。

本方法の１つの実施形態において、溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジン、置換ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルアセトアミド、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルピロリドン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、溶媒は、ピリジン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド又はＮ−メチルイミダゾールから選ばれる。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡはアセチル無水物、アセチルハロゲン化物、プロピオニル無水物、プロピオニルハロゲン化物、ブチリル無水物、ブチリルハロゲン化物、イソブチロイル無水物、イソブチロイルハロゲン化物、非置換又は置換ベンゾイル無水物、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物、非置換又は置換ナフトイル無水物、又は、非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物から選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡは、非置換又は置換ベンゾイル無水物、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物、非置換又は置換ナフトイル無水物、又は、非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物から選ばれる。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡは非置換又は置換ベンゾイル無水物である。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。本実施形態の１つのクラスにおいて、非置換又は置換ベンゾイル無水物は無水ベンゾイル又は２−（ベンゾチアゾール−２−イル）ベンゾイル無水物から選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡは非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物である。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。本方法の１つのクラスの実施形態において、非置換又は置換ベンゾイルハロゲン化物はベンゾイルハロゲン化物又は２−（ベンゾチアゾール−２−イル）ベンゾイルハロゲン化物から選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡは非置換又は置換ナフトイル無水物である。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。本実施形態の１つのクラスにおいて、非置換又は置換ナフトイル無水物は１−ナフトイル無水物又は２−ナフトイル無水物から選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡは非置換又は置換ナフトイルハロゲン化物である。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。この実施形態の１つのクラスにおいて、非置換又は置換ナフトイル塩化物は１−ナフトイルハロゲン化物又は２−ナフトイルハロゲン化物から選ばれる。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

本方法の１つの実施形態において、ＦＡＡは発色団−アシル−Ｘであり、ここで、Ｘはクロロ、ブロモ又はヨードであり、そして発色団−アシルは、（ｉ）アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された（Ｃ_６−２０）アリール−アシル、（ｉｉ）ヘテロアリールがＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されたヘテロアリール−アシル、（ｉｉｉ）アリールがＣ_１−６アリールであり、アリールが非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換された、

から独立して選ばれる。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルはヘテロアリール−アシルである。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

この実施形態の１つのクラスにおいて、発色団−アシルは、

である。このクラスの１つのサブクラスにおいて、ＦＡＡは約０．２〜約２．０当量の範囲で存在する。

本方法の１つの実施形態において、本方法は（３）ＳＲＳＣＥを第二のアシル化剤（「ＳＡＡ」）と、第三の位置選択的に置換されたセルロースエステル（「ＴＲＳＣＥ」）を得るために十分な条件下に接触させることをさらに含み、ここで、ＳＡＡは一度に又は連続段階で添加される。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡが少なくとも実質的に消費された後にＳＡＡをＳＲＳＣＥと接触させる。この実施形態の１つのクラスにおいて、ＦＡＡが実質的に消費される前にＳＡＡをＳＲＳＣＥと接触させる。

本発明は以下の実施形態の実施例によってさらに説明することができるが、これらの実施例は単に例示のために含まれており、特に断らない限り本発明の範囲を限定するものではないことは理解されるであろう。

例
材料及び方法
一般手順：
ＮＭＲ特性化：プロトンＮＭＲデータを６００ＭＨｚで操作しているＪＥＯＬモデルＥｃｌｉｐｓｅ−６００ＮＭＲスペクトロメータで得た。サンプルチューブサイズは５ｍｍであり、そしてサンプル濃度は約２０ｍｇ／ｍＬＤＭＳＯ−ｄ_６であった。６４スキャン及び１５秒パルス遅延を用いて各スペクトルを８０℃で記録した。トリフルオロ酢酸−ｄの１滴又は２滴を各サンプルに添加し、注目のスペクトル領域から残存水をシフトした。ケミカルシフトをテトラメチルシランからのピーピーエム（「ｐｐｍ」）で報告し、内部参照としてのＤＭＳＯ−ｄ_６の中央ピークを含む（２．４９ｐｐｍ）。

定量^１３ＣＮＭＲデータを１００ＭＨｚで操作しているＪＥＯＬモデルＧＸ−４００ＮＭＲスペクトロメータで報告した。サンプルチューブサイズは１０ｍｍであり、そしてサンプル濃度は約１００ｍｇ／ｍＬＤＭＳＯ−ｄ_６であった。アセチルアセトン酸クロム（ＩＩＩ）を各サンプルに５ｍｇ／１００ｍｇセルロースエステルで緩和剤として添加した。１００００スキャン及び１秒パルス遅延を用いて各スペクトルを８０℃で典型的に記録した。ケミカルシフトをテトラメチルシランからのピーピーエム（「ｐｐｍ」）で報告し、内部参照としてのＤＭＳＯ−ｄ_６の中央ピークを含む（３９．５ｐｐｍ）。

プロトン及びカーボンＮＭＲの帰属（ａｓｓｉｇｎｍｅｎｔ）、セルロースエステルの様々なアシル基の置換度及び相対置換度（「ＲＤＳ」）はＵＳ２０１２／０２６２６５０に開示の手順を改変することによって決定した。

フィルムの調製のためのセルロースエステルの溶液及びフィルム調製をＵＳ２０１２／０２６２６５０に開示の手順を改変することにより作製した。

略語
ＡｃＯＨは酢酸であり、ａｄｊは調整であり、ＡｒＣｌはアリールアシル塩化物であり、Ｂｔは（２−ベンゾチアゾール−２−イル）ベンゾイルであり、ＢｔＣｌは２−（ベンゾチアゾール−２−イル）ベンゾイル塩化物であり、Ｂｚはベンゾイルであり、ＢｚＣｌは塩化ベンゾイルであり、℃は摂氏温度であり、ＣＰＰｖＮｐはプロピオニル、ピボイル及びナフトイル置換セルロースエステルであり、ＣＰはプロピオニル置換セルロースエステルであり、ＣＰＮｐはプロピオニル、ナフトイル置換セルロースエステルであり、ＣＰＢｚはプロピオニル及びベンゾイル置換セルロースエステルであり、ＤＣＥはジクロロエタンであり、ＤＣＭはジクロロメタンであり、ＤＥＰはジエチルフタレートであり、ＤＭＡＣはジメチルアセトアミドであり、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドであり、ＤＭＳＯ−ｄ_６はペル重水素化ジメチルスルホキシドを意味し、ＤＳ_Ａｒはアリールアシルの置換度であり（ＤＳ_Ａｒ及びＤＳ_Ｃｈは相互互換的に使用される）、ＤＳ_Ｃｈは発色団−アシル置換基の置換度であり、ＤＳ_ＯＨはヒドロキシルの置換度であり、ＤＳ_Ｎｐはナフトイルの置換度であり、ＤＳ_Ｂｚはベンゾイルの置換度であり、ｅｑは当量であり、ＥＸ又はＥｘは実施例であり、ｇはグラムを意味し、ｈは時間であり、Ｉｎｔは中間体であり、ｉＰｒＯＨはイソプロパノールであり、Ｌはリットルであり、ＭＥＫはメチルエチルケトンであり、ＭｅＯＨはメタノールであり、ｍｇはミリグラムを意味し、ＭＩＰＫはメチルイソプロピルケトンであり、ｍｉｎは分であり、ｍＬはミリリットルを意味し、ＮＭＩはＮ−メチルイミダゾールであり、ＮＭＲは核磁気共鳴であり、ＮｐＣｌは２−ナフトイルクロリドであり、Ｐはプロピオニルであり、ＰＯＨはプロピオン酸であり、Ｐｖはピバロイルであり、ＰｖＣｌは塩化ピバロイルであり、Ｐｙｒはピリジンであり、ｒｔは室温であり、ＴＰＰはトリフェニルホスフェートであり、ｗｔ％は質量％であり、Ｆはフラン−２−カルボニルであり、Ｔはチオフェン−２−カルボニルであり、ＢＦＣはベンゾフラン−２−カルボニルであり、ＢＺＴはベンゾ［ｂ］チオフェン−２−カルボニルであり、ＢＺＴＡはベンゾ［ｄ］チアゾール−２−カルボニルであり、ＢＺＯＡはベンゾ［ｄ］オキサゾール−２−カルボニルであり、ＮＭＰは１−メチル−１Ｈ−ピロール−２−カルボニルであり、ＭＣＡは（Ｅ）−メチル３−（４−（クロロカルボニル）フェニル）−２−シアノアクリレートであり、ＣＴｈＡは（Ｅ）−２−シアノ−３−（チオフェン−２−イル）アクリロイルであり、ＴＣＡは（Ｅ）−２−シアノ−３−（ｐ−トリル）アクリロイルであり、ＮａｐＮａｐは６−（クロロカルボニル）ナフタレン−２−イル２−ナフトエートであり、Ｂｐｃは［１，１’−ビフェニル］−４−カルボニルであり、ＢｚＢｚは４−（クロロカルボニル）フェニルベンゾエートであり、ＴＭＢは３，４，５−トリメトキシベンゾイルフラン−２−カルボニルであり、ＣＭＰＡは（Ｅ）−２−シアノ−３−（４−メトキシフェニル）アクリロイルであり、ＴＰＢは４−（チオフェン−２−イル）ベンゾイルであり、ＢＴＢは４−（ベンゾ［ｄ］チアゾール−２−イル）ベンゾイルであり、ＢＯＢは４−（ベンゾ［ｄ］オキサゾール−２−イル）ベンゾイルである。

位置選択性セルロースエステルの合成のための一般手順
中間体
中間体１の調製：
オーバーヘッド撹拌機及びボトムバルブを備えた、窒素下の４つ口２Ｌジャケット付きフラスコに、ｉＰｒＯＨ（２５９ｇ）を添加した。ジャケットを４３℃で設定した。反応器にＥａｓｔｍａｎ（商標）ＣＡＰ４８２−２０（６０ｇ）を、材料を渦に向けているベントファンネルを通して添加した。スラリーを１０分間撹拌した。スラリーに、ＡｃＯＨ（４．５２ｇ，０．４０ｅｑ）及びＤＭＳＯ（２５９ｇ）中のＮ_２Ｈ_４．Ｈ_２Ｏ（１８．１ｇ，１．９０ｅｑ）を添加した。反応混合物を２４時間撹拌した。ドープを水の添加により沈殿させ、生成物を白色固形分として提供した。固形分をフリット上でろ過し、豊富な量の水で洗浄した。生成物をアルミニウムパンに移し、真空中で５５℃にて２日間乾燥した。生成物を^１ＨＮＭＲ、^１３ＣＮＭＲで分析し、ＤＳ_Ｐｒ＝１．１９及びＤＳ_ＯＨ＝１．８１と決定した。

中間体２の調製：
中間体１の変更において、１．７０ｅｑのヒドラジン一水和物を使用した。ピリジンでｉＰｒＯＨ及びＤＭＳＯ溶媒を置き換え、酢酸をプロピオン酸（０．１ｅｑ）で置き換え、そして反応温度を５０℃に設定し、中間体２を提供し、それは中間体１と類似していた：ＤＳ_Ｐｒ＝１．１５及びＤＳ_ＯＨ＝１．８５。

中間体３：ＣＰＰｖの調製：
オーバーヘッド機械撹拌機を備えた、窒素下の１Ｌの４つ口ジャケット付き樹脂ケトル反応フラスコに、無水ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ，６．２７ｍｏｌ）及びＮ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ，１．２３ｍｏｌ）を装填した。この混合物に、粉末を渦に指向させるベントファンネルを用いて工程１からのＣＰ（０．２８８ｍｏｌ）を撹拌しながら添加した。混合物を３５℃で２時間撹拌し、均質混合物を提供した。ドープに、ＤＭＡＣ（０．１９４ｍｏｌ）中の塩化ピバロイル（ＣＰに対して０．４４ｍｏｌ当量）を２５分にわたって滴下して加えた。反応混合物を３５℃で５時間撹拌した。セルロース−プロピオネート−ピバロエート（ＣＰ−Ｐｖとしても知られる）生成物は反応塊を４Ｌの水に注ぎ、均質化させることにより、沈殿し、白色固形分を提供した。固形分をポリプロピレン織物バッグに回収し、そして脱イオン水で連続的に６時間洗浄した。閉じたバッグ中になおも入っている洗浄した生成物を遠心分離して過剰の水を除去し、次いで、生成物をガラス結晶化ディッシュに移し、真空炉内で５５℃及び−２２インチＨｇで一晩乾燥した。生成物を^１ＨＮＭＲ及び^１３ＣＮＭＲにより分析し、ＤＳ_Ｐｒ＝１．１９、ＤＳ_Ｐｖ＝０．３８及びＤＳ_ＯＨ＝１．４３と決定した。

表１は当量Ｎ_２Ｈ_４．Ｈ_２Ｏ、使用したＮ_２Ｈ_４．Ｈ_２Ｏ溶媒、質量％ポリマー、酸（酢酸又はプロピオン酸）、反応時間及び反応温度を用いて合成されたセルロースプロピオネートのリストを提供する。

表２は^１Ｈ及び^１３ＣＮＭＲにより決定した中間体２〜１２についてのヒドロキシル置換度、及び、プロピオニルのＣ２、Ｃ３及びＣ６置換度を提供する。

例１の調製（ＣＰＰｖＮｐ）：
機械撹拌機を備えた、窒素下の５００ｍＬの４つ口フラスコに、ＤＭＡＣ（１７７ｇ）及び中間体１（１７．４７ｇ）を添加した。この混合物にＮＭＩ（３８．６６ｇ）を添加し、そして混合物を一晩室温にて撹拌し、ドープを提供した。このドープにＤＭＡＣ（３．０１ｇ）中のＰｖＣｌ（３．０１ｇ，０．３２ｅｑ）を滴下して２０分にわたって添加し、混合物を室温にて２時間撹拌した。反応混合物にＤＭＡＣ（２１．２８ｇ）中のＮｐＣｌ（２１．２８ｇ，１．４３ｅｑ）を滴下して３０分にわたって添加した。反応混合物を１２時間撹拌した。高速ホモジナイザーを用いて撹拌混合して１．５Ｌの水中にゆっくり注ぐことによりドープを沈殿させ、白色固形分を提供した。固形分を真空ろ過により分離し、次いで、水（４ｘ）及びｉＰｒＯＨ（２ｘ）で再スラリー化し、題記化合物を提供した。生成物を真空中で５５℃にて一晩乾燥した。例１を^１ＨＮＭＲ、^１３ＣＮＭＲで分析して、ＤＳ_Ｐｒ＝１．１８、ＤＳ_ＰＶ＝０．２７、ＤＳ_Ｎｐ＝１．２０及びＤＳ_ＯＨ＝０．３５と決定した。

上記の手順に従って、溶媒、ＰｖＣｌ及びＣｈＣｌ（ＢｚＣｌ又はＮｐＣｌ）の当量を変更して表３中の下記の例を調製した。さらに、中間体を合成するために使用した中間体及び置換度も提供する。

例２６（ＣＰＰｖＦ）の調製：
磁気撹拌バーを備え、セプタムでキャップし、そしてＮ_２で不活性化した、乾燥２５０ｍＬ三角フラスコに無水ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ，１．５３ｍｏｌ）及びＮ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ，０．１６４ｍｏｌ）を装填した。この混合物に、撹拌しながら、工程２からＣＰ−Ｐｖ（０．０．０３４ｍｏｌ）を添加した。混合物を２時間室温にて撹拌して、均質混合物を提供した。ドープに、撹拌しながら、ＤＭＡＣ（０．１２６ｍｏｌ）中の塩化フラノイル（ＣＰ−Ｐｖに対して０．１１４ｍｏｌ当量）を１分間にわたって添加した。反応物をＮ_２ブランケット下に室温にて２４時間撹拌した。均質化しながら１．２Ｌのメタノールに注ぐことにより生成物を沈殿させ、白色固形分（ＣＰ−Ｐｖ−Ｆとも呼ばれる）を提供した。固形分をポリプロピレン織物バッグで回収し、そしてメタノール（２ｘ８００ｍＬ）で洗浄した。洗浄した生成物を、なおも閉じたバッグ中にある間に、洗浄ステーションに移し、そして脱イオン水で連続的に６時間洗浄した。生成物を遠心分離して過剰な水を除去し、次いで、生成物をガラス結晶化ディッシュに移し、そして真空炉内で５５℃及び−２２インチＨｇで一晩乾燥した。生成物を^１ＨＮＭＲ、^１３ＣＮＭＲにより、光学特性を得るために分析した。

表４中の例は、例２６の合成のための手順を改変することにより合成した。各実施例を合成するために使用したＣｈ−Ｃｌの当量数を提供する。各化合物を特性化し、Ｐｒ、Ｐｖ、Ｃｈ及びＯＨ置換基の置換度を決定した。

表５は^１３ＣＮＭＲにより決定した置換度値を提供する。正規化し又は調整された置換度は^１３ＣＮＭＲにより決定された総計アシル及び^１ＨＮＭＲにより決定された総計アシルの比をかけることにより計算した。

表６は^１３ＣＮＭＲにより決定したセルロースエステル骨格のＰＶ及びＮｐの総計置換度とともにＣ２、Ｃ３及びＣ６でのＰｖ及びＮｐの置換度を提供する。

表６に提供したデータを用いて、表７中の値を計算した。データはアリール−アシル基がＣ６位よりもＣ２及びＣ３位に優先することを示す。さらに、Ｃ２位はＣ３位よりも優先される。

フィルムキャスティングの一般手順
溶媒（ＤＣＭ、ＤＣＭ中１０％ＭｅＯＨ、ＤＣＭ中１０％ＤＣＥ、ＭＥＫ又はＭＩＰＫ）及び位置選択性セルロースエステル（１０ｗｔ％）及び場合により可塑剤（１０ｗｔ％、ＤＥＰ又はＴＰＰ）を混合してドープを作製した。次いで、フィルムを、ナイフアプリケータを用いてガラス上にキャスティングし、そしてＤＣＭ系ドープの場合には室温、又は、ＭＥＫ及びＭＩＰＫ系ドープから作製されるドープの場合には強制空気炉中で８５℃で１０分間乾燥した。キャスティングされたフィルムを１００℃及び１２０℃で強制空気炉中で各１０分間アニール処理した。フィルムの厚さをＭｅｔｒｉｃｏｎＰｒｉｓｍＣｏｕｐｌｅｒ２０１０（ＭｅｔｒｉｃｏｎＣｏｒｐ．）を用いて測定した。Ｍ−２０００ＶＥｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ（Ｊ．Ａ．ＷｏｏｌｌａｍＣｏ．）を用いて複屈折率及び遅延を測定した。

例２５．１の調製：
例２５（１０ｗｔ％）、ＴＰＰ（１０ｗｔ％）、ＤＣＭ中１０％ＭｅＯＨのドープを用いてフィルム（１１．９μｍ）をキャスティングした。Δｎ＝０．００６（５８９ｎｍ）、Ｒ_ｔｈ［４５０ｎｍ］／Ｒ_ｔｈ［５５０ｎｍ］＝１．２（分散）；Ｒ_ｔｈ＝０．９２（６５０ｎｍ／５５０ｎｍ）。

表８は本願の化合物のキャスティング結果を提供する。使用した可塑剤とともに、ドープを作製するために使用した溶媒を提供する。ドープを使用してフィルムを調製し、そして複屈折率及び厚さを測定した。複屈折率は５８９ｎｍの波長を用いて取った。フィルムの厚さはＭｅｔｒｉｃｏｎＰｒｉｓｍＣｏｕｐｌｅｒ２０１０（ＭｅｔｒｉｃｏｎＣｏｒｐ．）を用いて測定した。遅延はＭ−２０００ＶＥｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ（Ｊ．Ａ．ＷｏｏｌａｍＣｏ．）を用いて測定した。曇り度及びｂ^＊測定はＨｕｎｔｅｒＬａｂＵｌｔｒａｓｃａｎＶＩＳ比色計を用いて拡散透過モード（１インチ直径ポート）で行った。ドープに場合には、１ｃｍパス長セルを用いた。ドープのｂ^＊及び曇り度では、１０個の測定値を取り、平均を報告した。

溶液キャスティングによる二層フィルムの調製
ポリマードープの調製及びフィルムキャスティング手順（ＥａｓｔｍａｎＶｉｓｕａｌｉｚｅ（商標）材料２３４（「ＶＭ２３４」）フィルムを例として使用）
ＤＣＭ中１３％ＭｅＯＨ、固形分を基準として１０ｗｔ％の可塑剤としてのトリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）とともにＶＭ２３４ポリマーを１２ｗｔ％で溶液として混合した（ＶＭ２３４及びＴＰＰを組み合わせた）。可塑剤タイプは所望のフィルム強度及び光学特性に基づいて調節することができる。典型的なレシピは
５４ｇのＶＭ２３４
６ｇのＴＰＰ（又は他の可塑剤）
３９０ｇの溶媒（ＤＣＭ中１３％ＭｅＯＨ）
を用いる。

１６オンスの広口ジャー内でドープを作製し、室温で１２〜２４時間又は完全に溶液になるまで、ローラー上に配置する。ポリマーは、溶液中に「フィッシュアイ」（即ち、ゲル）が存在しない状態で完全に溶解する必要がある。キャスティングする準備ができたときに、ドープをローラーから除去し、すべての気泡が溶液から出るまで放置する。

３．５の速度に設定されたＧａｒｄＣｏ自動ドローダウンマシンＩＩ及びガラスの表面から３０ミルのドローダウンギャップに設定されたステンレススチールブレードを備えた１０インチのＧａｒｄＣｏ調節可能マイクロメータフィルムアプリケータを使用してガラスプレート上にフィルムをキャスティングする（６０μｍフィルムを目標とする）。ドープは、キャスティングブレードの「フィート」の間に溜りとして注がれる。自動ドローダウンマシンは、ドープ上でキャスティングブレードを押し、所望の厚さに平滑化する。キャスティングされたドープ上に非接触カバーを直ちに配置し、溶媒蒸発速度を遅くして気泡の形成を防止する。この時間の最後に、カバーを１５分間支持して約１ｃｍ開いたままにし、その時点でカバーを完全に取り外し、フィルムをさらに１５分間カバーせずに乾燥させる。

フィルムが乾燥したら、カミソリ刃を用いてそれをキャスティングプレートから取り外し、２枚の紙の間に置く。重い矩形の錘をフィルムのシートの上に置き、カールを防止する。このフィルムを錘の下に最大１週間放置することができる。

次に、フィルムシートをアニーリング、測定及び延伸のための６つのより小さいフィルムに切断する。フィルムのサイズは延伸のタイプによって決定される。一軸（拘束なし）延伸の場合には、フィルムは幅８．８ｃｍ×長さ１２ｃｍである。拘束延伸のためのフィルムは１２ｃｍ×１２ｃｍである。

切断されたフィルムを、３インチ×３インチの正方形を中央で切り取った２つの薄いアルミニウム正方形の間に個々に配置する。フィルムの中央の３インチ×３インチの正方形を除いてフィルム全体をアルミニウムで覆う。すべての測定が行われるのはフィルムのこの部分である。フィルムの各隅に１つずつ、４つのフクロウクリップでアルミニウムプレートを固定する。

次に、固定したフィルムを、アニーリングのためにクッキーシート上に積み重ねる。典型的には、「クッキーシート」あたり６枚のフィルムを積み重ね、３枚のフィルムの２つのスタックとする。次に、フィルムのクッキーシートを１００℃に設定したブルーＭ炉に１０分間入れ、その後直ちに１２０℃に設定したブルーＭ炉に移してさらに１０分間アニーリングさせる。アニーリングプロセスが完了した後に、フィルムを室温まで冷却し、次いで、アルミニウムプレートから取り出し、その後に、測定する。

Ｊ．Ａ．ＷｏｏｌｌａｎＣｏ．，Ｉｎｃ．の分光エリプソメータを用いて、ＪＡＷ社の遅延測定プログラム及びそれに対応するウィンドウズ用Ｖ．Ａ．Ｓ．Ｅ．ソフトウェアで各フィルムの光学特性を測定する。各フィルムの色（Ｂ^＊）及び曇り度を、ＨｕｎｔｅｒＬａｂＵｌｔｒａｓｃａｎＶＩＳ比色計を用いて拡散透過モードで測定する。フィルムの厚さをハンドヘルドのＰｏｓｉｔｅｃｔｏｒ６０００を用いて測定する。

フィルムの調製手順を改変することにより、表９中の下記のフィルムを調製した。

二層コーティング
より若干小さいキャスティングブレード（１０インチの代わりに９インチ）を用いて、上記の手順と一貫して二層基材をキャスティングした。
溶媒中８〜９ｗｔ％のポリマーにて、４オンス広口ジャー中でコーティングをドープする。コーティング中に可塑剤を用いない。典型的なドープレシピは、
４ｇのポリマー（ＵＶ−染料化合物）
４１ｇの溶媒（８７／１３ＤＣＭ／ＭｅＯＨ、又は、ＭＥＫ、又は、基材のために使用される溶媒系と一致している）
からなることができる。
二層フィルムをキャスティングするために、基材を最初にキャスティングし、そして乾燥させる。割り当てられた乾燥方法及び時間の後に、ステンレススチールブレードを備えた１０インチＧａｒｄＣｏ調節可能マイクロメータフィルムアプリケータを、基材フィルムの表面から１〜２ミルのドローダウンギャップに設定する。キャスティングブレードの縁を、（キャスティングブレードが基材をスクラッチしないように）基材フィルムの縁の外側のガラス上に配置する。コーティングドープを基材の上でガラスプレート上に溜りとして注ぎ、基材と同じ手順を用いてフィルムを基材の上にキャスティングしそして乾燥させる。次いで、フィルムを上記の手順と同じ方法で調製する。
二層フィルム上のコーティングの厚さは、ＭｅｔｒｉｃｏｎＭＣＵＭｏｄｅｌ２０１０ＰｒｉｓｍＣｏｕｐｌｅｒを使用して測定することができる。最初に、基材の屈折率を測定し、次いで、屈折率を使用してコーティングの厚さを計算する。

二層フィルムの延伸
窒素タンクをオンにする。延伸機をオンにする。指定された精密カッターを使用してサンプルを準備する。機器に試験パラメータを設定し、所望の温度に予熱することを可能にする。サンプルをクリップに入れて延伸する。コンピュータを使用して、クリップをつかみ、延伸テストを開始する。延伸オーブンで２５秒間（浸漬時間）フィルムを加熱し、その後に、延伸を開始する。フィルムは、一般に、一軸（非拘束）又は二軸（拘束）で延伸される。一軸延伸フィルムは、フィルムの元のサイズに基づいて特定された比に延伸される。延伸比は、典型的には、１×１．４及び１×２．０との間にあり、それにより、１×１．４の比に延伸されたフィルムはその元の長さよりも４０％長い。フィルムを１％／秒の速度で延伸する。延伸テストが完了した後に、クリップを解放する。コンピュータのスイッチを使用して、クリップを開き、次いで、サンプルを取り出す。すべてのサンプルをその日にテストした後に、自動シャットダウンを開始する。窒素タンクをオフにし、ラインを排出／フラッシュする。計器の窒素及び空気バルブを閉じる。

フィルム延性の評価手順
剥離試験
１．ポリマードープ調製及びフィルムキャスティング手順を使用して、４インチ×５．５インチのガラスプレート上に厚さ１０μのフィルムをキャスティングする。
２．耐切断手袋及びカミソリ刃を使用して、フィルムの左端からフィルムの右端まで、フィルムの上端から約１インチのところでフィルムに引掻き線を入れる。
３．一枚のスコッチテープの下半分をフィルムのボトム片の上を横切るように配置し、テープを折り返して、指かけ部を提供する。
４．連続動作でスライドガラスからフィルムを慎重に剥離し始める。
５．フィルムの８０％がスライドから１片で剥がれた場合には、フィルムは剥離試験に合格する。

強度等級
１．ポリマードープ調製及びフィルムキャスティング手順を使用して、ガラスプレート上にフィルムをキャスティングする。
２．耐切断手袋を着用し、フィルムの角の下にカミソリ刃をスライドさせ、ガラスプレートからフィルムを除去し始める。フィルムが除去される動作にどのように応答するかによってフィルムを等級化する。
３．等級は以下のとおりである。
ａ．優：フィルムは１つ又は２つの大きな片から構成される。
ｂ．良：フィルムは数個の中位から大きい片から構成される。
ｃ．不良：フィルムは多くの小片から構成される。
ｄ．劣：フィルムは小さいかまたは細断された片から構成される。

フィルム６８．１を例６８から調製した。フィルムＡ−Ｂを、表１４に示すとおりのプロピオニル、ピバロイル、ナフトイル及びヒドロキシルの置換度を有するセルロースエステルから調製した。表１４のデータは、０．１６未満のＤＳ_ＯＨを有するフィルムがフィルム強度及び剥離試験に不合格であることを示す。

特許請求の範囲は開示された実施形態に限定されない
上述した本発明の形態は、例示としてのみ使用されるべきであり、本発明の範囲を解釈するために限定的な意味で使用されるべきではない。上述した実施形態に対する変更は、本発明の精神から逸脱することなく、当業者によって容易になされうる。

本発明の発明者は、特許請求の範囲に記載された本発明の文言上の範囲の外側であるが、そこから実質的に逸脱しない任意の機構に関する本発明の合理的に公正な範囲を決定しそして評価するために、均等論に頼る意向を述べる。

Claims

位置選択的に置換されたセルロースエステルを含むフィルムであって、該セルロースエステルは、
（ａ）複数の発色団−アシル置換基、及び、
（ｂ）複数のピバロイル置換基、
を含み、前記セルロースエステルはヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）が約０〜約０．９の範囲にあり、
前記セルロースエステルはピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）が約０．１〜約１．２の範囲にあり、
前記セルロースエステルは発色団−アシル置換度（「ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６の範囲にあり、
位置選択性は、Ｃ２及びＣ３における発色団−アシル置換度（「Ｃ２ＤＳ_Ｃｈ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｃｈ」）の総計−Ｃ６における発色団−アシル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｃｈ」）が約０．５〜約１．６となるようになっており、
ここで、発色団−アシルは、
（ｉ）（Ｃ_６−２０）アリール−アシル（式中、アリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、
（ｉｉ）ヘテロアリール−アシル（式中、ヘテロアリールはＮ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、
（ｉｉｉ）

（式中、アリールはＣ_１−６アリールであり、アリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、又は、
（ｉｖ）

（式中、ヘテロアリールは、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員環であり、ヘテロアリールは非置換であるか又は１〜５個のＲ^１で置換されている）、
から選ばれ、
各Ｒ^１は（Ｃ_１−６）アルキル、ハロ（Ｃ_１−６）アルキル、（Ｃ_６−２０）アリール−ＣＯ_２−、（Ｃ_６−２０）アリール、（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ（Ｃ_１−６）アルコキシ、ハロ、Ｎ、Ｏ又はＳから選ばれる１〜４個のヘテロ原子を有する５〜１０員ヘテロアリール、又は、

から独立して選ばれる、フィルム。
前記フィルムは５８９ｎｍの波長で測定して約０．００１〜約０．０２０の複屈折率（「Δｎ」）を有する、請求項１記載のフィルム。
約１．０未満の％曇り度を有する、請求項２記載のフィルム。
前記フィルムの厚さは約１μｍ〜約２０μｍの範囲にある、請求項３記載のフィルム。
前記フィルムは＋Ｃ、−Ｃ、＋Ａ又は−Ａフィルムである、請求項１〜４のいずれか１項記載のフィルム。
前記フィルムは４５度、一軸又は二軸に延伸されている、請求項５記載のフィルム。
請求項１記載のフィルムを含む、多層フィルム。
セルロースエステル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー又はそれらの組み合わせを含む別のフィルムをさらに含む、請求項７記載の多層フィルム。
前記多層フィルムは、約２０μｍ〜約１４０μｍの範囲の厚さを有する、請求項８記載の多層フィルム。
前記多層フィルムは４５度、一軸又は二軸に延伸されている、請求項９記載の多層フィルム。
０．７＜Ｒ_ｅ（４５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１及び１＜Ｒ_ｅ（６５０）／Ｒ_ｅ（５５０）＜１．２５（式中、Ｒ_ｅ（４５０）、Ｒ_ｅ（５５０）及びＲ_ｅ（６５０）は、それぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍの光波長における面内遅延である）の関係を満たす正の面内遅延を有する、請求項７又は１０のいずれか１項記載の多層フィルム。
前記多層フィルムは５５０ｎｍの光波長において約５０〜約１６０ｎｍの面内遅延（Ｒ_ｅ）を有する、請求項７又は１０のいずれか１項記載の多層フィルム。
前記多層フィルムは５５０ｎｍの光波長において約−２００ｎｍ〜約０ｎｍの面外遅延（Ｒ_ｔｈ）を有する、請求項７又は１０のいずれか１項記載の多層フィルム。
請求項１記載のフィルムを含む液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）。
請求項１記載のフィルムを含む円偏光子。
請求項１記載のフィルムを含む有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）ディスプレイ。