WO2019176817A1

WO2019176817A1 - 光学異方性層、光学異方性積層体、偏光板、並びに画像表示装置

Info

Publication number: WO2019176817A1
Application number: PCT/JP2019/009518
Authority: WO
Inventors: 伊藤　学; 坂本　圭
Original assignee: 日本ゼオン株式会社
Priority date: 2018-03-16
Filing date: 2019-03-08
Publication date: 2019-09-19
Also published as: TW201938367A; JPWO2019176817A1; JP7188437B2

Abstract

第１位相差層（Ｐ１）及び第２位相差層（Ｐ２）を備え、ｎｚ（Ｐ１）＞ｎｘ（Ｐ１）≧ｎｙ（Ｐ１）、ｎｘ（Ｐ２）≧ｎｙ（Ｐ２）＞ｎｚ（Ｐ２）、｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜＞｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜、Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）＜Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）及びＲｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）＞１．１４を満たす、光学異方性層；並びにそれを含む光学異方性積層体、偏光板及び画像表示装置。

Description

光学異方性層、光学異方性積層体、偏光板、並びに画像表示装置

　本発明は、光学異方性層、光学異方性積層体、偏光板、並びに画像表示装置に関する。

　液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の画像表示装置には、様々な光学フィルムが設けられる。以下、「有機エレクトロルミネッセンス」のことを、適宜「有機ＥＬ」ということがある。このような光学フィルムに係る技術については、従来から検討がなされている。かかる光学フィルムは、所望の光学異方性等の光学的特性を有しながら且つ薄いものであることが求められる。薄い光学フィルムを採用することにより、画像表示装置を軽量で薄いものとすることができる。また、薄い光学フィルムは、非曲面の画像表示装置、及び可撓性を有する画像表示装置を実現する上でも有利である。

　画像表示装置には、広い視野角にわたる色味及びコントラストの向上、偏光サングラスを通した視認性の向上等の効果を得る目的で、ポジティブＣフィルムを設けることがある。また、広い波長帯域にわたってかかる効果を得るために、ポジティブＣフィルムとネガティブＣフィルムとを組み合わせて複層のフィルムとし、それによりポジティブＣフィルムとしての機能を発現させることが提案されている（特許文献１）。

特表２００６－５２７３９４号公報（対応公報：米国特許出願公開第２００５／０５７７１４号明細書）

　しかしながら、従来技術における複層のポジティブＣフィルムは、実際に利用可能な樹脂フィルムの組み合わせで作製した場合、その厚みが厚くなるという課題がある。

　従って、本発明の目的は、画像表示装置に用いるポジティブＣフィルムとして有用な光学的特性を有し、かつ、実際に利用可能な樹脂フィルムの組み合わせで作製した場合、その厚みを薄くすることができる、光学異方性層、及びその用途を提供することにある。

　本発明は、下記のとおりである。
　〔１〕　第１位相差層及び第２位相差層を備える光学異方性層であって、
　前記第１位相差層及び前記第２位相差層が、式（１）～式（５）を満たす、光学異方性層：
　ｎｚ（Ｐ１）＞ｎｘ（Ｐ１）≧ｎｙ（Ｐ１）　　式（１）
　ｎｘ（Ｐ２）≧ｎｙ（Ｐ２）＞ｎｚ（Ｐ２）　　式（２）
　｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜＞｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜　　式（３）
　Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）＜Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）　式（４）
　Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）＞１．１４　　式（５）
　但し、
　ｎｘ（Ｐ１）、ｎｙ（Ｐ１）及びｎｚ（Ｐ１）は、前記第１位相差層の主屈折率であり、
　ｎｘ（Ｐ２）、ｎｙ（Ｐ２）及びｎｚ（Ｐ２）は、前記第２位相差層の主屈折率であり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ１）は、前記第１位相差層の波長５９０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ２）は、前記第２位相差層の波長５９０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）は、前記第１位相差層の波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）は、前記第１位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）は、前記第２位相差層の波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）は、前記第２位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションである。
　〔２〕　前記第２位相差層が、下記式（Ｉ）で表される部分構造を有するセルロースエステル（Ｉ）を含む層である、〔１〕に記載の光学異方性層。

　〔式（Ｉ）中、＊は前記部分構造が前記セルロースエステル（Ｉ）における糖単位に結合する部位を表し、Ｙは、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１０－を表し、Ｒ^１０は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、ＰＤＧは環構造を有する有機基であって、前記環構造に含まれるπ電子数が１２以上である有機基を表す。〕
　〔３〕　前記式（Ｉ）中、ＰＤＧが下記式（ＩＩ）で表される〔２〕に記載の光学異方性層。

　〔式（ＩＩ）中、Ｂは、化学的な単結合および下記式（ＩＩＩ－１）～（ＩＩＩ－２６）のいずれかを表し、

　ＸＧは、下記式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－８）のいずれかを表し、

　Ａｘは、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基を表し、Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよく、
　Ａｙは、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１～３０の有機基を表し、
　Ａｚは、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基を表し、Ａｚが有する芳香環は置換基を有していてもよく、
　Ｑは、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、
　Ｅ^１およびＥ^２は、それぞれ独立して、－ＣＲ^１１Ｒ^１２－、－Ｓ－、－ＮＲ^１１－、－ＣＯ－、または－Ｏ－を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して水素原子、または炭素数１～４のアルキル基を表し、
　Ｄ^１～Ｄ^３は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
　Ｄ^４およびＤ^５は、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のアルキルスルフィニル基、炭素数１～６のアルキルスルホニル基、カルボキシル基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のアルキルチオ基、炭素数１～６のＮ－アルキルアミノ基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、炭素数１～６のＮ－アルキルスルファモイル基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルスルファモイル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｘ、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲｘ、若しくは－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１０Ｒｘを表すか、又は、Ｄ^４およびＤ^５はこれらが一緒になって環を形成している有機基である。
　Ｒｘは、水素原子、又は炭素数１～２０の有機基であり、
　Ｒｃは、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のアルキルスルフィニル基、炭素数１～６のアルキルスルホニル基、カルボキシル基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のチオアルキル基、炭素数１～６のＮ－アルキルアミノ基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、炭素数１～６のＮ－アルキルスルファモイル基、または炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルスルファモイル基を表し、Ｒｃが複数存在する場合、それらは、それぞれ同一であっても、相異なっていてもよい。
　Ｒ^１０は前記と同じ意味を表し、
　ｐは０～３の整数であり、
　ｎは０または１を表す。＊はＢとの結合を表す。〕
　〔４〕　ＸＧが、前記式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－３）の何れかで表され、
　Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい炭素数２～３０の芳香族複素環基を表す、〔３〕に記載の光学異方性層。
　〔５〕　Ａｘが下記式（Ｖ）で示される、〔３〕または〔４〕に記載の光学異方性層。

　〔式（Ｖ）中、Ｅ^３は－ＣＲ^１１Ｒ^１２－、－Ｓ－、－ＮＲ^１１－、－ＣＯ－、または－Ｏ－を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して水素原子、または炭素数１～４のアルキル基を表し、
　Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、－ＯＣＦ_３、または、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒ^ｂを表し、
　Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、または、置換基を有していてもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基を表し、
　複数のＲ^２～Ｒ^５同士は、すべて同一であっても、相異なっていてもよく、環を構成する少なくとも１つのＣ－Ｒ^１～Ｃ－Ｒ^４は、窒素原子に置き換えられていてもよい。〕
　〔６〕　前記第２位相差層が、ベンゾチアゾール環を側鎖に有するセルロースエステルを含む層である、〔１〕に記載の光学異方性層。
　〔７〕　前記セルロースエステル（Ｉ）が、セルロースエステル（Ｉ’）における水酸基の一部又は全部が前記式（Ｉ）で表される部分構造で置換されてなる構造を有し、前記セルロースエステル（Ｉ’）は、前記セルロースエステル（Ｉ）以外のセルロースエステルであり、前記セルロースエステル（Ｉ’）が、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、及びこれらの混合物からなる群より選択されるものである〔２〕～〔６〕のいずれか１項に記載の光学異方性層。
　〔８〕　前記第２位相差層が、コレステリック液晶組成物の硬化物の層であり、前記コレステリック液晶組成物は、芳香族イミン構造を有する重合性液晶化合物を含む組成物である、〔１〕に記載の光学異方性層。
　〔９〕　前記第１位相差層が、重合体を含み、前記重合体が、ポリビニルカルバゾール、ポリフマル酸エステル、セルロース誘導体、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、〔１〕～〔８〕のいずれか１項に記載の光学異方性層。
　〔１０〕　〔１〕～〔９〕のいずれか１項に記載の光学異方性層、及び第３位相差層を備える光学異方性積層体であって、
　前記第３位相差層が、式（６）～式（７）を満たす、光学異方性積層体：
　ｎｘ（Ｐ３）＞ｎｙ（Ｐ３）≧ｎｚ（Ｐ３）　　　式（６）
　１１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）≦１７０ｎｍ　　式（７）
　但し、
　ｎｘ（Ｐ３）、ｎｙ（Ｐ３）及びｎｚ（Ｐ３）は、前記第３位相差層の主屈折率であり、
　Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）は、前記第３位相差層の波長５９０ｎｍにおける面内レターデーションである。
　〔１１〕　直線偏光子と、
　〔１０〕に記載の光学異方性積層体とを備える、偏光板。
　〔１２〕　〔１１〕に記載の偏光板を備える、画像表示装置。
　〔１３〕　直線偏光子と、
　〔１０〕に記載の光学異方性積層体と、
　有機エレクトロルミネッセンス素子と、を、この順に備える、画像表示装置。

　本発明によれば、画像表示装置に用いるポジティブＣフィルムとして有用な光学的特性を有し、かつ、実際に利用可能な樹脂フィルムの組み合わせで作製した場合、その厚みを薄くすることができる、光学異方性層、及びその用途が提供される。

　以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

　以下の説明において、ある面の正面方向とは、別に断らない限り、当該面の法線方向を意味し、具体的には前記面の極角０°且つ方位角０°の方向を指す。

　以下の説明において、ある面の傾斜方向とは、別に断らない限り、当該面に平行でも垂直でもない方向を意味し、具体的には前記面の極角が０°より大きく９０°より小さい範囲の方向を指す。

　以下の説明において、別に断らない限り、ある層の面内レターデーションＲｅは、Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄで表される値を示し、また、ある層の厚み方向のレターデーションＲｔｈとは、Ｒｔｈ＝［｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２｝－ｎｚ］×ｄで表される値を示す。ここで、ｎｘは、層の面内方向のうち、最大の屈折率を与える方向の屈折率を表し、ｎｙは、前記面内方向のうちｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表し、ｎｚは、層の厚み方向の屈折率を表し、ｄは、層の厚みを表す。また、面内方向とは、厚み方向に垂直な方向を示す。

　以下の説明において、別に断らない限り、屈折率の測定波長は、５９０ｎｍである。

　以下の説明において、「長尺」のものとは、幅に対して、通常５倍以上の長さを有するものをいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するものをいう。幅に対する長さの上限は、特に限定されないが、例えば１００，０００倍以下としうる。

　以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」とは、剛直な部材だけでなく、例えば樹脂製のフィルムのように可撓性を有する部材も含む。

　以下の説明において、別に断らない限り、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」、「メタクリル」及びこれらの組み合わせを包含する用語である。

　以下の説明において、ある層又は膜の主屈折率とは、当該層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ、当該層の面内方向であって前記ｎｘを与える方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ、及び当該層の厚み方向の屈折率ｎｚをいう。本願においては、これらｎｘ、ｎｙ及びｎｚに対応する屈折率を、それぞれ、文字列「ｎｘ」、「ｎｙ」及び「ｎｚ」を含む記号にて表す。例えば、光学異方性層の主屈折率ｎｘ（Ａ）、ｎｙ（Ａ）及びｎｚ（Ａ）のうち、ｎｘ（Ａ）は、光学異方性層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率であり、ｎｙ（Ａ）は、光学異方性層の面内方向であってｎｘ（Ａ）を与える方向に垂直な方向の屈折率であり、ｎｚ（Ａ）は、光学異方性層の厚み方向の屈折率である。

　以下の説明において、ある層の面内レターデーションＲｅが逆波長分散性を示す、とは、当該層の波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）が、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００を満たすことをいう。Ｒｅが逆波長分散性を有する層は、好ましくはさらに、当該層の波長５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）及びＲｅ（６５０）が、Ｒｅ（５５０）／Ｒｅ（６５０）＜１．００を満たす。
　ある層の厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示す、とは、当該層の波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（４５０）及びＲｔｈ（５５０）が、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＜１．００を満たすことをいう。Ｒｔｈが逆波長分散性を有する層は、好ましくはさらに、当該層の波長５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）及びＲｔｈ（６５０）が、Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｔｈ（６５０）＜１．００を満たす。

　〔１．光学異方性層〕
　本発明の光学異方性層は、第１位相差層及び第２位相差層を備える光学異方性層であって、第１位相差層及び第２位相差層は、下記式（１）～式（５）を満たす。
　ｎｚ（Ｐ１）＞ｎｘ（Ｐ１）≧ｎｙ（Ｐ１）　　式（１）
　ｎｘ（Ｐ２）≧ｎｙ（Ｐ２）＞ｎｚ（Ｐ２）　　式（２）
　｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜＞｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜　　式（３）
　Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）＜Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）　式（４）
　Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）＞１．１４　　式（５）

　但し、ｎｘ（Ｐ１）、ｎｙ（Ｐ１）及びｎｚ（Ｐ１）は、第１位相差層の主屈折率であり、ｎｘ（Ｐ２）、ｎｙ（Ｐ２）及びｎｚ（Ｐ２）は、第２位相差層の主屈折率であり、Ｒｔｈ（Ｐ１）は、第１位相差層の波長５９０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、Ｒｔｈ（Ｐ２）は、第２位相差層の波長５９０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）は、第１位相差層の波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）は、第１位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）は、第２位相差層の波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）は、第２位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションである。

　本発明の光学異方性層は、第１位相差層及び第２位相差層が積層した状態の複層のフィルムとして構成しうる。かかる構成を有することにより、光学異方性層は、第１位相差層及び第２位相差層を順次透過する光に対して、所望の光学的な効果を発現しうる。

　〔１．１．１．第１位相差層〕
　第１位相差層は、前記式（１）を満たす層である。
　第１位相差層の屈折率ｎｘ（Ｐ１）と屈折率ｎｙ（Ｐ１）とは、値が同じであるか近いことが好ましい。具体的には、屈折率ｎｘ（Ｐ１）と屈折率ｎｙ（Ｐ１）の差ｎｘ（Ｐ１）－ｎｙ（Ｐ１）は、好ましくは０．０００００～０．００１００、より好ましくは０．０００００～０．０００５０、特に好ましくは０．０００００～０．０００２０である。屈折率差ｎｘ（Ｐ１）－ｎｙ（Ｐ１）が前記の範囲に収まることにより、所望の光学的特性を有する光学異方性層を容易に得ることができる。

　〔１．１．２．第１位相差層の材料：ポジＣ重合体〕
　第１位相差層を構成する材料は、溶液を用いた塗工法により前記式（１）を満たす層を形成しうる材料を用いることが、所望の光学的特性を有し且つ薄い第１位相差層を容易に製造することができるため好ましい。具体的には、当該材料を含む塗工液を支持面上に塗工して塗工液層を得、これを硬化させることにより、前記式（１）を満たす層を形成しうることが好ましい。

　溶液を用いた塗工法により第１位相差層を形成しうる材料は、重合体を含む材料としうる。重合体の好ましい例としては、ポリビニルカルバゾール、ポリフマル酸エステル、セルロース誘導体、及びこれらの組み合わせが挙げられる。これらの重合体を、以下において「ポジＣ重合体」ということがある。ポジＣ重合体を採用することにより、所望の光学的特性を有する光学異方性層を、溶液を用いた塗工法により容易に得ることができる。

　ポリビニルカルバゾールの例としては、９－ビニルカルバゾールが重合してなる重合単位を含む重合体が挙げられる。
　ポリフマル酸エステルの例としては、フマル酸ジイソプロピルとアクリル酸３－エチル－３－オキセタニルメチルとの共重合体；及びフマル酸ジイソプロピルとケイ皮酸エステルとの共重合体が挙げられる。

　セルロース誘導体の例としては、セルロースエステルが挙げられる。具体的には、セルロースの水酸基上の水素原子の一部がアセチル基で置換され、他の一部が非アセチル基（プロピオニル基、ブチリル基又はこれらの組み合わせ）で置換されてなるセルロースエステルが挙げられる。かかるセルロースエステルにおいて、非置換の水酸基数に対する、非アセチル基で置換された基の数の比は１０以上であることが好ましい。また、非アセチル基の置換度（非置換及び置換の合計の水酸基の数に対する、非アセチル基で置換された基の数の比）は、１．１～１．７５であることが好ましい。より具体的なセルロースエステルの例としては、例えば特表2012-519219号公報に開示されるものが挙げられる。第１位相差層と第２位相差層とでは、その光学的性質が異なるため、第１位相差層を構成する材料としてのセルロース誘導体は、通常第２位相差層を構成する材料とは異なる材料となる。

　ポジＣ重合体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　ポジＣ重合体の分子量は、特に限定されず、製造及び使用に適した値に適宜調整しうる。具体的には、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより測定される数平均分子量で、好ましくは５０，０００以上、２００，０００以下である。

　〔１．１．３．第１位相差層の任意の成分〕
　第１位相差層は、ポジＣ重合体のみからなってもよいが、ポジＣ重合体に組み合わせて、更に、任意の成分を含みうる。

　第１位相差層は、可塑剤を含みうる。第１位相差層が、ポジＣ重合体としてセルロースエステルを含む場合、第１位相差層は、セルロースエステルと組み合わせて、可塑剤を含むことが特に好ましい。可塑剤の例としては、キシリトールペンタアセテート、キシリトールペンタプロピオネート、アラビトールペンタプロピオネート、トリフェニルホスフェート、コハク酸残基とジエチレングリコール残基とを含むポリエステル、およびアジピン酸残基とジエチレングリコール残基とを含むポリエステルが挙げられる。可塑剤の割合は、ポジＣ重合体及び可塑剤の合計１００重量％中、好ましくは２．５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは２５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下である。

　〔１．１．４．第１位相差層の材料：その他〕
　第１位相差層を構成する材料は、上に述べたポジＣ重合体に限られず、その他の材料であってもよい。例えば、垂直配向する液晶性化合物を含む材料を用いうる。かかる材料としては、市販の材料（例えば、ＤＩＣ社製、商品名ＵＣＬ－０１８）を用いうる。

　〔１．１．５．第１位相差層の形成方法、厚み等〕
　第１位相差層は、ポジＣ重合体を含む溶液を用いた塗工法により形成しうる。具体的には、ポジＣ重合体、及び必要に応じて任意の成分を、適切な溶媒に溶解し、塗工液を得る。当該塗工液を、適切な基材に塗工する。その後、必要に応じて乾燥の操作を行い、溶媒を揮発させることにより、基材上にポジＣ重合体を含む第１位相差層を得ることができる。溶媒としては、メチルエチルケトン、１，３－ジオキソラン、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）等の既知の溶媒から適切なものを適宜選択しうる。塗工液中のポジＣ重合体の濃度は、例えば１０重量％～２０重量％としうる。ポジＣ重合体として、上に述べた特定のものを採用した場合、所望の光学的特性を有する光学異方性層を容易に得ることができ、特に有利である。基材としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム（例えば東洋紡社製「コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００」）等のフィルムを用いうる。

　第１位相差層の厚みは、好ましくは６～２２μｍ、より好ましくは７～１９μｍである。かかる厚みとすることにより、第１位相差層に所望の光学的特性を付与しうる。

　〔１．２．１．第２位相差層〕
　第２位相差層は、前記式（２）及び式（５）を満たす層である。
　第２位相差層の屈折率ｎｘ（Ｐ２）と屈折率ｎｙ（Ｐ２）とは、値が同じであるか近いことが好ましい。具体的には、屈折率ｎｘ（Ｐ２）と屈折率ｎｙ（Ｐ２）の差ｎｘ（Ｐ２）－ｎｙ（Ｐ２）は、好ましくは０．０００００～０．００１００、より好ましくは０．０００００～０．０００５０、特に好ましくは０．０００００～０．０００２０である。屈折率差ｎｘ（Ｐ２）－ｎｙ（Ｐ２）が前記の範囲に収まることにより、所望の光学的特性を有する光学異方性層を容易に得ることができる。

　前記式（５）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）は１．１４より大きく、好ましくは１．１５より大きく、より好ましくは１．１６より大きい。本発明者が見出したところによれば、Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）の値が前記下限以上であることにより、本発明の光学異方性層にポジティブＣフィルムとしての有用な光学的特性を与え、かつその厚みを薄くすることができる。Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）の上限は、特に限定されないが、例えば１．５０未満としうる。

　〔１．２．２．第２位相差層の材料〕
　第２位相差層を構成する材料は、溶液を用いた塗工法により前記式（２）及び式（５）を満たす層を形成しうる材料を用いることが、所望の光学的特性を有し且つ薄い第２位相差層を容易に製造することができるため好ましい。具体的には、当該材料を含む塗工液を支持面上に塗工して塗工液層を得、これに乾燥、光照射等の硬化の工程を施すことにより、前記式（２）及び式（５）を満たす層を形成しうることが好ましい。

　第２位相差層を構成する材料の例としては、以下に示す、式（Ｉ）で表される部分構造を有するセルロースエステル（式（Ｉ）で表される部分構造を有するセルロースエステルを、以下において「セルロースエステル（Ｉ）」という場合がある）を含む材料；コレステリック液晶組成物の硬化物；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。

　〔１．２．３．セルロースエステル（Ｉ）を含む材料〕
　セルロースエステル（Ｉ）は、式（Ｉ）で表される部分構造を有する。

　式（Ｉ）中、＊はこの部分構造がセルロースエステル（Ｉ）における糖単位に結合する部位を表し、Ｙは、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１０－を表し、Ｒ^１０は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、ＰＤＧは環構造を有する有機基であって、前記環構造に含まれるπ電子数が１２以上である有機基を表す。

　ＰＤＧとしては、下記式（ＩＩ）で表される基が好ましい。

　式（ＩＩ）中、ｎは０または１を表す。

　式（ＩＩ）中、Ｂは、化学的な単結合および下記式（ＩＩＩ－１）～（ＩＩＩ－２６）のいずれかを表す。

　ＸＧは、下記式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－８）のいずれかを表す。これらのうち、（ＩＶ－１）～（ＩＶ－３）が好ましい。

　式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－８）において、＊はＢとの結合を表す。

　Ｅ^１およびＥ^２は、それぞれ独立して、－ＣＲ^１１Ｒ^１２－、－Ｓ－、－ＮＲ^１１－、－ＣＯ－、または－Ｏ－を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して水素原子、または炭素数１～４のアルキル基を表す。

　Ｒｃは、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のアルキルスルフィニル基、炭素数１～６のアルキルスルホニル基、カルボキシル基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のチオアルキル基、炭素数１～６のＮ－アルキルアミノ基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、炭素数１～６のＮ－アルキルスルファモイル基、または炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルスルファモイル基を表し、Ｒｃが複数存在する場合、それらは、それぞれ同一であっても、相異なっていてもよい。

　ｐは０～３の整数である。

　Ｄ^１～Ｄ^３は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。

　セルロースエステル（Ｉ）の説明において、芳香族炭化水素環基とは、芳香族炭化水素環を含み、当該芳香族炭化水素環を構成する一又は複数の炭素原子上において、分子の他の部分と結合する一又は複数の結合手を有する基である。例えば、芳香族炭化水素環基の例としてはフェニル基が挙げられ、フェニル基は、芳香族炭化水素環としてベンゼン環を含み、ベンゼン環を構成する一の炭素原子上において、分子の他の部分と結合する一の結合手を有する。同様に、セルロースエステル（Ｉ）の説明において、芳香族複素環基とは、芳香族複素環を含み、当該芳香族炭化水素環を構成する一又は複数の炭素原子及び／又はヘテロ原子上において、分子の他の部分と結合する一又は複数の結合手を有する基である。

　セルロースエステル（Ｉ）の説明において、置換基を有する芳香族炭化水素環基とは、芳香族炭化水素環基に、さらに置換基を設けた構造を有する基である。即ち、芳香族炭化水素環を含み、当該芳香族炭化水素環を構成する一又は複数の炭素原子上において、分子の他の部分と結合する一又は複数の結合手を有し、当該芳香族炭化水素環を構成する他の一又は複数の炭素原子上において置換基を有する基である。置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基とは、芳香族炭化水素環基（置換基を有さないもの）及び置換基を有する芳香族炭化水素環基の両方を包含する用語である。

　セルロースエステル（Ｉ）の説明において、置換基を有する芳香族複素環基とは、芳香族複素環基に、さらに置換基を設けた構造を有する基である。即ち、芳香族複素環を含み、当該芳香族複素環を構成する一又は複数の炭素原子及び／又はヘテロ原子上において、分子の他の部分と結合する一又は複数の結合手を有し、当該芳香族複素環を構成する他の一又は複数の炭素原子及び／又はヘテロ原子上において置換基を有する基である。置換基を有していてもよい芳香族複素環基とは、芳香族複素環基（置換基を有さないもの）及び置換基を有する芳香族複素環基の両方を包含する用語である。

　セルロースエステル（Ｉ）の説明において、置換基を有する芳香族炭化水素環基のあるものが、特定の炭素数を有する旨規定する表現では、別に断らない限り、当該特定の炭素数は、当該芳香族炭化水素環を構成する炭素の数である。即ち、当該特定の炭素数は、置換基における炭素数を算入しない炭素数である。例えば、置換基を有する芳香族炭化水素環基がベンジルナフチル基である場合、当該基は、別に断らない限り、置換基を有する芳香族炭化水素環基であって炭素数１０のものに包含される。同様に、セルロースエステル（Ｉ）の説明において、置換基を有する芳香族複素環基のあるものが、特定の炭素数を有すると規定する表現では、別に断らない限り、当該特定の炭素数は、当該芳香族複素環を構成する炭素の数である。さらに、置換基を有する有機基（置換基を有するアルキル基、置換基をするアルケニル基、置換基を有するアルキニル基、置換基を有するシクロアルキル基、等）の例示において、これらのあるものが、特定の炭素数を有すると規定する表現でも同様である。即ちこの表現においては、別に断らない限り、当該特定の炭素数は、置換基における炭素数を算入しない炭素数である。

　Ｄ^１～Ｄ^３の例としての芳香族炭化水素環基の好ましい例としては、フェニル基、ナフチル基等の、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基が挙げられ、より好ましい例としてはフェニル基が挙げられる。
　Ｄ^１～Ｄ^３の例としての置換基を有する芳香族炭化水素環基の好ましい例としては、当該芳香族炭化水素環基の例の炭化水素環にさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ｄ^１～Ｄ^３の例としての、置換基を有する芳香族炭化水素環基における置換基の数は、一つの環あたり一つでもよく複数でもよい。一つの環が複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、下記群Ｇ００１が挙げられる。

　群Ｇ００１：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２～６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１～６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数１～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；－ＯＣＦ_３；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｂ；－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｂ；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒｂ；及び－ＳＯ_２Ｒａ。
　群Ｇ００１において、ＲａおよびＲｂは下記と同じ意味を表す。

　Ｄ^１～Ｄ^３の例としての芳香族複素環基の好ましい例としては、炭素数２～３０の芳香族複素環基が挙げられ、より好ましい例としては、下記群Ｇ００２が挙げられ、さらにより好ましい例としては、下記群Ｇ００３が挙げられる。
　Ｄ^１～Ｄ^３の例としての置換基を有する芳香族複素環基の好ましい例としては、前記の芳香族複素環基の例の複素環にさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ｄ^１～Ｄ^３の例としての、置換基を有する芳香族複素環基における置換基の数は、一つの環あたり一つでもよく複数でもよい。一つの環が複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ００１が挙げられる。

　群Ｇ００２：１－ベンゾフラニル基、２－ベンゾフラニル基、イミダゾリル基、インドリニル基、フラザニル基、オキサゾリル基、キノリル基、チアジアゾリル基、チアゾリル基、チアゾロピラジニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピリダジニル基、チアゾロピリミジニル基、チエニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、ナフチリジニル基、ピラジニル基、ピラゾリル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピロリル基、フタラジニル基、フラニル基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアジニル基、ベンゾトリアゾリル基、およびベンゾピラゾリル基。

　群Ｇ００３：フラニル基、ピラニル基、チエニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、チアゾリル基、およびチアジアゾリル基等の単環の芳香族複素環基、ならびにベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノリル基、１－ベンゾフラニル基、２－ベンゾフラニル基、フタルイミド基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピラジニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、およびベンゾチアジアゾリル基等の縮合環の芳香族複素環基。

　Ｄ^４およびＤ^５は、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のアルキルスルフィニル基、炭素数１～６のアルキルスルホニル基、カルボキシル基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のアルキルチオ基、炭素数１～６のＮ－アルキルアミノ基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、炭素数１～６のＮ－アルキルスルファモイル基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルスルファモイル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｘ、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲｘ、若しくは－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１０Ｒｘを表すか、又はＤ^４およびＤ^５はこれらが一緒になって環を形成している有機基である。Ｒｘは、水素原子、又は炭素数１～２０の有機基である。

　Ｄ^４～Ｄ^５の好ましい例としては、シアノ基、カルボキシル基、－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣ_２Ｈ_５、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣ_４Ｈ_９、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＨ（ＣＨ_３）_２、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）－ＯＣＨ_３、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２－ＯＨ、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ_４Ｈ_９が挙げられる。

　Ｄ^４およびＤ^５の例としての、これらが一緒になって環を形成している有機基の例としては、下記群Ｇ００４が挙げられる。

　群Ｇ００４中のそれぞれの基において、
　Ｒ*は、炭素数１～３のアルキル基を表し、
　Ｒ**は、炭素数１～３のアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基を表し、
　Ｒ***は、炭素数１～３のアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基を表し、
　Ｒ****は、水素原子、炭素数１～３のアルキル基、水酸基、又は－ＣＯＯＲｙを表し、Ｒｙは炭素数１～３のアルキル基を表す。
　群Ｇ００４中の＊は、Ｄ^４及びＤ^５が、二重結合を介して、式（ＩＶ－８）で表される基の他の部分と結合する位置を表す。

　Ｒ**及びＲ***が置換基を有するフェニル基である場合、かかる置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基およびアミノ基が挙げられ、好ましい例としてはハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、及びアルコキシ基が挙げられる。フェニル基が有する置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。Ｒ**及びＲ***においてフェニル基が複数の置換基を有する場合、それらは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　Ｒxが炭素数１～１２の有機基である場合、かかる有機基の例としては、炭素数１～１２のアルコキシ基、水酸基で置換されていてもよい炭素数１～１２のアルキル基、及び炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基が挙げられる。

　Ｑは、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。かかる炭素数１～６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、およびイソプロピル基が挙げられる。

　Ａｙは、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１～３０の有機基を表す。Ａｙの好ましい例としては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基、及び置換基を有していてもよい炭素数２～３０の芳香族複素環基が挙げられる。

　Ａｙの例としての、炭素数１～２０のアルキル基の例としては、下記群Ｇ００５が挙げられる。かかるアルキル基の炭素数は、１～１２であることが好ましく、４～１０であることが更に好ましい。
　Ａｙの例としての、置換基を有する炭素数１～２０のアルキル基の例としては、前記のアルキル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　群Ｇ００５：メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、１－メチルペンチル基、１－エチルペンチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－へキシル基、イソヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、およびｎ－イコシル基。

　Ａｙの例としての、置換基を有するアルキル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、下記群Ｇ００６が挙げられる。
　群Ｇ００６：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；
　シアノ基、ジメチルアミノ基等の炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～２０のアルコキシ基；
　メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基；
　ニトロ基、フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～２０の芳香族炭化水素環基；
　トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２～２０の芳香族複素環基；
　シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～８のシクロアルキル基；
　シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３～８のシクロアルキルオキシ基；
　テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２～１２の環状エーテル基；
　フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６～１４のアリールオキシ基；
　１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～１２のフルオロアルキル基；並びに
　ベンゾフリル基、ベンゾピラニル基、ベンゾジオキソリル基、ベンゾジオキサニル基、－ＳＯ_２Ｒａ、－ＳＲｂ、－ＳＲｂで置換された炭素数１～１２のアルコキシ基、及び水酸基。
　群Ｇ００６において、ＲａおよびＲｂは下記と同じ意味を表す。

　Ａｙの例としての、炭素数２～２０のアルケニル基の例としては、下記群Ｇ００７が挙げられる。かかるアルケニル基の炭素数は、２～１２であることが好ましい。
　Ａｙの例としての、置換基を有する炭素数２～２０のアルケニル基の例としては、前記のアルケニル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　群Ｇ００７：ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、およびイコセニル基。

　Ａｙの例としての、置換基を有するアルケニル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ００６が挙げられる。

　Ａｙの例としての、炭素数２～２０のアルキニル基の例としては、下記群Ｇ００８が挙げられる。
　Ａｙの例としての、置換基を有する炭素数２～２０のアルキニル基の例としては、前記のアルキニル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　群Ｇ００８：エチニル基、プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、ペンチニル基、２－ペンチニル基、ヘキシニル基、５－ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２－オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、及び７－デカニル基。

　Ａｙの例としての、置換基を有するアルキニル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ００６が挙げられる。

　Ａｙの例としての、炭素数３～１２のシクロアルキル基の例としては、下記群Ｇ００９が挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましい。
　Ａｙの例としての、置換基を有する炭素数３～１２のシクロアルキル基の例としては、前記のシクロアルキル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　群Ｇ００９：シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基。

　Ａｙの例としての、置換基を有するシクロアルキル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ００６が挙げられる。

　Ａｙの例としての、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基の例としては、フェニル基、ナフチル基等の、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基が挙げられ、より好ましい例としてはフェニル基が挙げられる。
　Ａｙの例としての、置換基を有する炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基の例としては、前記の芳香族炭化水素環基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ａｙの例としての、置換基を有する芳香族炭化水素環基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ００１が挙げられる。

　Ａｙの例としての、炭素数６～３０の芳香族複素環基の例としては、前記群Ｇ００２が挙げられ、より好ましい例としては、前記群Ｇ００３が挙げられる。
　Ａｙの例としての、置換基を有する炭素数６～３０の芳香族複素環基の例としては、前記の芳香族複素環基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ａｙの例としての、置換基を有する芳香族複素環基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ００１が挙げられる。

　Ａｙの、置換基を含めた全体としての炭素数は、１～５０としうる。

　セルロースエステル（Ｉ）の説明において、Ｒａは、炭素数１～６のアルキル基、または、炭素数１～６のアルキル基若しくは炭素数１～６のアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６～２０の芳香族炭化水素環基を表す。

　セルロースエステル（Ｉ）の説明において、Ｒｂは、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、または置換基を有していてもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基を表す。

　Ｒｂの例としての、炭素数１～２０のアルキル基の例としては、前記群Ｇ００５が挙げられる。かかるアルキル基の炭素数は、１～１２であることが好ましく、４～１０であることが更に好ましい。
　Ｒｂの例としての、置換基を有する炭素数１～２０のアルキル基の例としては、前記のアルキル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ｒｂの例としての、置換基を有するアルキル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、下記群Ｇ０１０が挙げられる。

　群Ｇ０１０：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；
　シアノ基；
　ジメチルアミノ基等の炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基；
　メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～２０のアルコキシ基；
　メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基；
　ニトロ基；
　フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～２０の芳香族炭化水素環基；
　トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チエニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾール－２－イルチオ基等の、炭素数２～２０の芳香族複素環基；
　シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～８のシクロアルキル基；
　シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３～８のシクロアルキルオキシ基；
　テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２～１２の環状エーテル基；
　フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６～１４のアリールオキシ基；
　トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、－ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～１２のフルオロアルキル基；
　ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；およびベンゾジオキサニル基。

　Ｒｂの例としての、炭素数２～２０のアルケニル基の例としては、前記群Ｇ００７が挙げられる。かかるアルケニル基の炭素数は、２～１２であることが好ましい。
　Ｒｂの例としての、置換基を有する炭素数２～２０のアルケニル基の例としては、前記のアルケニル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ｒｂの例としての、置換基を有するアルケニル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記群Ｇ０１０が挙げられる。

　Ｒｂの例としての、炭素数３～１２のシクロアルキル基の例としては、前記群Ｇ００９が挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましい。
　Ｒｂの例としての、置換基を有する炭素数３～１２のシクロアルキル基の例としては、前記のシクロアルキル基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ｒｂの例としての、置換基を有するシクロアルキル基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、下記群Ｇ０１１が挙げられ、より好ましい例としては、下記群Ｇ０１２が挙げられる。

　群Ｇ０１１：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～２０の芳香族炭化水素環基。

　群Ｇ０１２：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～２０の芳香族炭化水素環基。

　Ｒｂの例としての、炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基の例としては、フェニル基、１－ナフチル基、及び２－ナフチル基が挙げられる。これらの中でも、フェニル基が好ましい。
　Ｒｂの例としての、置換基を有する炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基の例としては、前記の芳香族炭化水素環基の例のそれぞれにさらに置換基を設けた構造を有する基が挙げられる。

　Ｒｂの例としての、置換基を有する芳香族炭化水素環基における置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、下記群Ｇ０１３が挙げられ、より好ましい例としては、下記群Ｇ０１４が挙げられる。

　群Ｇ０１３：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基；ニトロ基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２～２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３～８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２～１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６～１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、－ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～１２のフルオロアルキル基；－ＯＣＦ_３；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；及びベンゾジオキサニル基。

　群Ｇ０１４：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～２０のアルコキシ基；ニトロ基；フラニル基、チオフェニル基等の、炭素数２～２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～８のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、－ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～１２のフルオロアルキル基；及び－ＯＣＦ_３。

　Ａｘは、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基を表す。Ａｘが有する芳香環（芳香族炭化水素環又は芳香族複素環）は置換基を有していてもよい。

　Ａｘの好ましい例としては、下記（Ａｘ－１）～（Ａｘ－６）が挙げられる。
　（Ａｘ－１）一以上の炭素数６～３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素数６～４０の炭化水素環基。
　（Ａｘ－２）炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる一以上の芳香環を有する、炭素数２～４０の複素環基。
　（Ａｘ－３）炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２～３０の芳香族複素環基の少なくとも１つで置換された、炭素数１～１２のアルキル基。
　（Ａｘ－４）炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２～３０の芳香族複素環基の少なくとも１つで置換された、炭素数２～１２のアルケニル基。
　（Ａｘ－５）炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２～３０の芳香族複素環基の少なくとも１つで置換された、炭素数２～１２のアルキニル基。
　（Ａｘ－６）（Ａｘ－１）～（Ａｘ－５）の芳香環に、さらに置換基を設けた構造を有する基。

　（Ａｘ－１）の具体例としては、下記群Ｇ０１５が挙げられる。

　（Ａｘ－２）の具体例としては、下記群Ｇ０１６～群Ｇ０２３が挙げられる。

　群Ｇ０１６～群Ｇ０２３において、Ｒは水素原子、又は炭素数１～６のアルキル基を示す。

　（Ａｘ－３）は、炭素数１～１２のアルキル基に、置換基として炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２～３０の芳香族複素環基の少なくとも１つを設けた構造を有する。ここでのアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、及びイソプロピル基が挙げられる。

　（Ａｘ－４）は、炭素数２～１２のアルケニル基に、置換基として炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２～３０の芳香族複素環基の少なくとも１つを設けた構造を有する。ここでのアルケニル基の例としては、ビニル基及びアリル基が挙げられる。

　（Ａｘ－５）は、炭素数２～１２のアルキニル基に、置換基として炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基および炭素数２～３０の芳香族複素環基の少なくとも１つを設けた構造を有する。ここでのアルキニル基の例としては、エチニル基及びプロピニル基が挙げられる。

　（Ａｘ－３）～（Ａｘ－５）のそれぞれが複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。
　（Ａｘ－３）～（Ａｘ－５）に設けられる、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基の例としては、フェニル基及びナフチル基が挙げられ、より好ましい例としてはフェニル基が挙げられる。
　（Ａｘ－３）～（Ａｘ－５）に設けられる、炭素数２～３０の芳香族複素環基の例としては、前記群Ｇ００２が挙げられ、より好ましい例としては、前記群Ｇ００３が挙げられる。

　（Ａｘ－６）における、芳香環に設けられる置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、下記群Ｇ０２４が挙げられ、より好ましい例としては、下記群Ｇ０２５が挙げられる。

　群Ｇ０２４：フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２～６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１～６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～２０の芳香族炭化水素環基；－ＯＣＦ_３；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｂ；－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｂ；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒｂ；－ＳＯ_２Ｒａ
　群Ｇ０２４において、Ｒｂ及びＲａは、前記と同じ意味を表す。

　群Ｇ０２５：ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、および、炭素数１～６のアルコキシ基。

　Ａｘの好ましい例としては、下記式（Ｖ）で示される基が挙げられる。

　式（Ｖ）中、Ｅ^３は－ＣＲ^１１Ｒ^１２－、－Ｓ－、－ＮＲ^１１－、－ＣＯ－、または－Ｏ－を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して水素原子、または炭素数１～４のアルキル基を表す。
　Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、－ＯＣＦ_３、または、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒ^ｂを表す。
　Ｒ^ｂの定義及び具体例は前記の通りである。
　複数のＲ^２～Ｒ^５同士は、すべて同一であっても、相異なっていてもよく、環を構成する少なくとも１つのＣ－Ｒ^１～Ｃ－Ｒ^４は、窒素原子に置き換えられていてもよい。

　Ａｚは、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基を表す。Ａｚが有する芳香環は置換基を有していてもよい。

　Ａｚの好ましい例としては、下記（Ａｚ－１）～（Ａｚ－３）が挙げられる。
　（Ａｚ－１）一以上の炭素数６～３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素数６～４０の炭化水素環基。
　（Ａｚ－２）炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる一以上の芳香環を有する、炭素数２～４０の複素環基。
　（Ａｚ－３）（Ａｚ－１）～（Ａｚ－２）の芳香環に、さらに置換基を設けた構造を有する基。

　（Ａｚ－３）における、芳香環に設けられる置換基の数は、一つでもよく複数でもよい。複数の置換基を有する場合、これらは同一であってもよく異なってもよい。かかる置換基の例としては、前記、群Ｇ０２４と同様のものが挙げられる。

　Ａｚの好ましい例としては、下記群Ｇ０２６が挙げられる。群Ｇ０２６において、Ｒは水素原子、又は炭素数１～６のアルキル基を示す。

　セルロースエステル（Ｉ）において、式（Ｉ）で表される部分構造は、糖単位に結合する。具体的には、セルロースエステル（Ｉ）は、糖単位における炭素環上の水酸基（－ＯＨ）が、－Ｙ－ＰＤＧに置き換えられた構造を有しうる。

　セルロースエステル（Ｉ）は、糖単位に結合した構造として、式（Ｉ）で表される部分構造に加え、式（Ｉ）で表される部分構造以外の任意の部分構造を有してもよい。かかる任意の部分構造の例としては、アセトキシ基（－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_３）、ブチリルオキシ基（－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）、プロピオニルオキシ基（－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ_３）、フタリルオキシ基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ_６Ｈ_４－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ及び／又は－ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ_６Ｈ_４－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）及びこれらの組み合わせが考えられる。

　より具体的には、セルロースエステル（Ｉ）は、セルロースエステル（Ｉ）以外のセルロースエステル（以下において、セルロールエステル（Ｉ’）という）における水酸基の一部又は全部が、式（Ｉ）で表される部分構造で置換されてなる構造を有しうる。セルロースエステル（Ｉ’）の例としては、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、及びこれらの混合物からなる群より選択されるものが挙げられる。

　セルロースエステル（Ｉ’）としては、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、又はこれらの混合物であって、水酸基含量の多いものが好ましい。セルロースエステル（Ｉ’）として水酸基含量が多いものを採用することにより、式（Ｉ）で表される部分構造を容易に導入しうる。

　セルロースエステル（Ｉ’）は、セルロースを対応するカルボン酸あるいは無水物（例えば、アセテートの場合は酢酸、ブチレートの場合は酪酸）でトリエステル化した後、加水分解することによって製造されうる。セルロースアセテートブチレートの場合、一般的にアセチル基が２～３５重量％、ブチリル基が１６～５３重量％、水酸基が０．８～５重量％の樹脂が、セルロースアセテートの場合、一般的にアセチル基３２～４１重量％、水酸基が３．５～８．７重量％の樹脂が、セルロースアセテートプロピオネートの場合、アセチル基が０．６～２．５重量％、プロピオニル基が４２～４５重量％、水酸基が２．５～５重量％の樹脂が市販されている。具体例としては、例えば、「ＣＡＢ－５３１－１」（アセチル基含量＝２．８％、ブチリル基含量＝５０％、水酸基含量＝１．７％）、「ＣＡＢ－５５３－０．４」（アセチル基含量＝２．０％、ブチリル基含量＝４６％、水酸基含量＝４．８％）（いずれもイーストマンケミカルプロダクト社製、商品名）、「ＣＡ－３２０Ｓ」（アセチル基含量＝３２％、水酸基含量＝８．７％）（イーストマンケミカルプロダクト社製、商品名）、「ＣＡＰ－５０４－０．２」（アセチル基含量＝０．６％、プロピオニル基含量＝４２．５％、水酸基含量＝５％）（イーストマンケミカルプロダクト社製、商品名）等が挙げられる。これらに含まれる水酸基に対して、前記式（Ｉ）で示される構造を導入しうる。反応に使用するセルロースエステル（Ｉ’）に含まれる水酸基含量としては、０．５～５０重量％であり、０．５～３０重量％が好ましく、０．５～２０重量％が更に好ましい。前記式（Ｉ）で示される構造の導入率は、反応に使用するセルロースエステル（Ｉ’）の水酸基含量に対して、３０％以上が好ましく、５０％以上が更に好ましく、８０％以上が最も好ましい。

　式（Ｉ）で表される構造を側鎖に有するセルロースエステル（Ｉ）としては、ベンゾチアゾール環を側鎖に有するセルロースエステルが好ましい。

　セルロースエステル（Ｉ）の合成方法の例として、
　合成方法（Ａ）：Ｙが－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－である場合の合成方法、及び
　合成方法（Ｂ）：Ｙが－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１０－である場合の合成方法
　のそれぞれについて説明する。

　合成方法（Ａ）の具体的な例としては、
　合成方法（Ａ－１）：式ＰＤＧ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨで表される化合物（Ａ－１）を用いる合成方法、及び
　合成方法（Ａ－２）：式ＰＤＧ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｌで表される化合物（Ａ－２）を用いる合成方法
　が挙げられる。前記式中、ＰＤＧは、式（Ｉ）におけるＰＤＧと同じものを表し、Ｌはハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基、又はベンゼンスルホニルオキシ基を表す。

　合成方法（Ａ－１）では、化合物（Ａ－１）を、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基と脱水縮合反応させる。その具体的な方法の例としては、
　合成方法（Ａ－１－１）：カルボジイミド等の縮合剤を用いる方法、
　合成方法（Ａ－１－２）：酸触媒を用いる共沸脱水による方法、及び
　合成方法（Ａ－１－３）：塩基触媒を用いる共沸脱水による方法
　が挙げられる。

　合成方法（Ａ－１－１）における縮合剤は特に制限されないが、その例としては、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルカルボジイミド、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、及びジシクロヘキシルカルボジイミドが挙げられる。中でも、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルカルボジイミド、及び１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩が好ましい。
　脱水縮合剤を用いる際には、４－（ジメチルアミノ）ピリジン等の活性化剤を、反応系に共存させることもできる。

　合成方法（Ａ－１－１）における縮合剤の使用量は、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基に対して、好ましくは１．０～２．０当量、より好ましくは、１．０～１．５当量である。化合物（Ａ－１）の使用量は、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基に対して、好ましくは０．５～２．０当量、より好ましくは、１．０～１．５当量である。

　合成方法（Ａ－１－１）における反応においては、反応溶媒を適宜用いうる。反応溶媒には、特に制限はなく、不活性な溶媒を適宜選択しうる。反応溶媒の例としては、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３－ジオキソラン等のエーテル類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒が挙げられる。中でも、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；及び１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３－ジオキソラン等のエーテル類が好ましい。反応温度は通常、０℃～１００℃であり、室温である２３℃付近から５０℃以下が好ましい。反応時間は通常、３０分から２４時間である。

　合成方法（Ａ－１－２）における酸触媒の例としては、塩酸、硫酸等の無機鉱酸、及びメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸が挙げられ、中でもメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸が好ましい。

　合成方法（Ａ－１－２）における酸触媒の使用量は、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基に対して、好ましくは０．０１～１．５当量であり、より好ましくは０．０５～１．０当量である。化合物（Ａ－１）の使用量は、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基に対して、好ましくは０．５～２．０当量、より好ましくは、１．０～１．５当量である。

　合成方法（Ａ－１－２）における反応においては、反応溶媒を適宜用いうる。反応溶媒には、特に制限はなく、不活性な溶媒を適宜選択しうる。反応溶媒の例としては、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３－ジオキソラン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒が挙げられる。中でも、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル類、及びベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。反応温度は通常、生成する水と溶媒が共沸する温度であり、一般的には５０℃～１７０℃であるが、反応系内を減圧することで反応温度を下げることも効果的である。反応時間は通常、３０分から２４時間である。

　合成方法（Ａ－１－３）における塩基触媒の例としては、ナトリウムメチラート等の金属アルコキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、及び炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩が挙げられる。中でも、ナトリウムメチラート等の金属アルコキシド、及び水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物が好ましい。塩基触媒の使用量は、合成方法（Ａ－１－２）における酸触媒の使用量と同じ範囲としうる。

　合成方法（Ａ－１－３）における反応においては、反応溶媒を適宜用いうる。反応溶媒には、特に制限はなく、不活性な溶媒を適宜選択しうる。反応溶媒の例としては、１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３－ジオキソラン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒が挙げられる。中でも、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル類、及びベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。合成方法（Ａ－１－３）における反応温度及び反応時間の範囲は、合成方法（Ａ－１－２）におけるそれらと同じ範囲としうる。

　化合物（Ａ－１）は、例えば、特開２０１６－１９０８１８号公報に記載の方法によりヒドラジン誘導体を合成し、これをさらに修飾することにより調製しうる。かかる修飾は、ヒドラジン誘導体と反応できる、ホルミル基あるいはケトン基を有する適当な化合物との反応により行いうる。

　合成方法（Ａ－２）では、化合物（Ａ－２）を、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基と、塩基存在下、反応させる。例えば、Ｌがハロゲン原子である場合は、脱ハロゲン化水素反応を行う。化合物（Ａ－２）の具体例としては、Ｌが塩素原子である酸クロリド、並びにＬがメタンスルホニルオキシ基又はパラトルエンスルホニルオキシ基である混合酸無水物が挙げられる。

　化合物（Ａ－２）は、化合物（Ａ－１）を出発物質として、これを酸ハロゲン化物または混合酸無水物へ誘導体化することにより調製しうる。誘導体化の具体的な方法は、特に限定されず、既知の方法を採用しうる。

　酸ハロゲン化物への誘導体化は、適当なハロゲン化剤を用いて行いうる。ハロゲン化剤の例としては、三塩化リン、五塩化リン、塩化チオニル、及び塩化オキサリルが挙げられる。中でも、塩化チオニル、及び塩化オキサリルが好ましい。

　混合酸無水物への誘導体化は、特に制限されないが、メタンスルホニルクロリド、ｐ－トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下で行うことができる。

　化合物（Ａ－２）を用いて、セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基をエステル化することにより、合成方法（Ａ－２）による合成を行いうる。エステル化反応は、塩基を用いて行いうる。エステル化反応に用いる塩基の例としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、及び炭酸セシウムが挙げられる。中でも、トリエチルアミン、及びジイソプロピルエチルアミンが好ましい。

　合成方法（Ｂ）は、式ＰＤＧ－Ｎ＝Ｃ＝Ｏで表される化合物（Ｂ）を用いて行いうる。セルロースエステル（Ｉ’）の水酸基に、化合物（Ｂ）のイソシアナト基を付加反応させることにより、セルロースエステル（Ｉ）を合成しうる。かかる付加反応に際しては、塩基を用いうる。付加反応における塩基は特に制限されないが、その例としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン、１，４－ジアザビシクロ[２．２．２]オクタン、及び１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデクー７－エンが挙げられ、中でも１，４－ジアザビシクロ[２．２．２]オクタンが好ましい。

　第２位相差層が、セルロースエステル（Ｉ）を含む層である場合、第２位相差層は、当該セルロースエステルのみからなってもよいが、当該セルロースエステルに加えて、更に、任意の成分を含みうる。

　第２位相差層が、セルロースエステル（Ｉ）を含む層である場合、第２位相差層は、当該セルロースエステルを含む溶液を用いた塗工法により形成しうる。具体的には、セルロースエステル、及び必要に応じて任意の成分を、適切な溶媒に溶解し、塗工液を得る。当該塗工液を、適切な基材に塗工する。その後、必要に応じて乾燥の操作を行い、溶媒を揮発させることにより、基材上にセルロースエステルを含む第２位相差層を得ることができる。溶媒としては、メチルエチルケトン、１，３－ジオキソラン、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）等の既知の溶媒から適切なものを適宜選択しうる。塗工液中のセルロースエステルの濃度は、例えば１０重量％～２０重量％としうる。セルロースエステルとして、上に述べた特定のものを採用した場合、前記式（５）等の所望の光学的特性を有し、且つ厚みの薄い光学異方性層を容易に得ることができ、特に有利である。基材としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム（例えば東洋紡社製「コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００」）等のフィルムを用いうる。

　第２位相差層がセルロースエステル（Ｉ）を含む層である場合、第２位相差層の厚みは、好ましくは２．５～４０μｍ、より好ましくは５～２０μｍである。かかる厚みとすることにより、第２位相差層に所望の光学的特性を付与しうる。

　〔１．２．４．コレステリック液晶組成物の硬化物〕
　コレステリック液晶組成物の硬化物は、コレステリック液晶組成物を硬化して得られる材料である。コレステリック液晶組成物は、コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合物を含む組成物である。コレステリック液晶組成物の硬化物の層は、通常、重合性液晶化合物が重合して得られた樹脂の層であり、好ましくは、コレステリック規則性を有する樹脂層（以下において、単に「コレステリック樹脂層」という場合がある）である。より具体的には、コレステリック液晶組成物において重合性液晶化合物がコレステリック液晶相を呈した状態において、重合性液晶化合物を重合させることにより、コレステリック規則性を有する樹脂層を得ることができる。

　ある層の内部の分子がコレステリック規則性を有する場合、分子は、樹脂層内において、多数の分子の層をなす態様で整列する。かかる多数の分子の層の中のある層Ａにおいては、分子の軸がある一定の方向となるよう分子が整列し、それに隣接する層Ｂでは、層Ａにおける方向と角度を成してずれた方向に分子が整列し、それにさらに隣接する層Ｃでは層Ｂにおける方向と角度を成してさらにずれた方向に分子が整列する。このように、多数の分子の層において、分子の軸の角度が連続的にずれて、分子がねじれる構造が形成される。このように分子軸の方向が連続的にねじれてゆく構造は、通常は螺旋構造であり、光学的にカイラルな構造となる。かかるねじれの方向（螺旋軸）は、コレステリック樹脂層の厚み方向に略平行（平行、又は±５°程度の角度をなす方向）になっていることが好ましい。

　コレステリック樹脂層は、選択反射特性（入射光の一部の円偏光成分を反射させ、残余を透過させる特性）を発現しうる。選択反射帯域（選択反射特性が発現する波長帯域）は、その螺旋構造のピッチに相関しうる。画像表示装置のための位相差層は、通常、可視領域において均一な高い透過率を有することが求められるため、位相差層としてのコレステリック樹脂層が選択反射特性を有する場合、選択反射帯域は、赤外領域又は紫外領域であることが好ましい。選択反射帯域は、コレステリック液晶組成物における重合性液晶化合物、キラル化合物等の成分の種類及びその含有量を調整することにより、所望の範囲に調整しうる。

　好ましい例において、コレステリック液晶組成物は、芳香族イミン構造を有する重合性液晶化合物を含む。芳香族イミン構造を有する重合性液晶化合物の例としては、下記式（Ｉ’）で示される化合物が挙げられる。以下において、この化合物を、重合性液晶化合物（ｉ）という場合がある。重合性液晶化合物（ｉ）は、後述する重合性化合物（ｉｉ）でも、重合性キラル化合物でもないものである。

　前記式（Ｉ’）において、Ｙ^１～Ｙ^６はそれぞれ独立して、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２１－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２１－、－ＮＲ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２１－、－Ｏ－ＮＲ^２１－、または－ＮＲ^２１－Ｏ－を表す。ここで、Ｒ^２１は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。Ｒ^２１は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
　Ｙの組み合わせとして特に好ましいのは、合成しやすさ及び本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｙ^１とＹ^３が－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－であり、Ｙ^４とＹ^６が－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－であり、Ｙ^２とＹ^５が－Ｏ－である組み合わせ、あるいは、Ｙ^１～Ｙ^３が－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－であり、Ｙ^４～Ｙ^６が－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－である組み合わせである。

　Ｇ^１及びＧ^２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１～２０の２価の脂肪族基であり、好ましくは炭素数１～１２の２価の脂肪族基であり、炭素数１～１２のアルキレン基が更に好ましい。

　Ｇ^１及びＧ^２の脂肪族基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルコキシ基；等が挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。

　また、前記脂肪族基には、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２２－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２２－、－ＮＲ^２２－、または－Ｃ（＝Ｏ）－が介在していてもよい（ただし、－Ｏ－および－Ｓ－がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。）。ここで、Ｒ^２２は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。Ｒ^２２は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

　Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基を表す。
　Ｚ^１及びＺ^２の炭素数２～１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ_２＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－、ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ－ＣＨ_２－、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－等が挙げられる。

　該アルケニル基の炭素数としては、２～６が好ましい。Ｚ^１及びＺ^２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。
　中でも、Ｚ^１及びＺ^２としては、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、ＣＨ_２＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_３）－、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、又はＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－ＣＨ_２－であることがより好ましい。

　Ｘ^１～Ｘ^８はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、－ＯＲ^２３、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２３、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^２３、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^２３、－ＮＲ^２４－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２３、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２３Ｒ^２４、または－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２３Ｒ^２４を表す。Ｘ^１～Ｘ^８が置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メチル基、エチル基を挙げることができる。ここで、Ｒ^２３及びＲ^２４は、水素原子又は置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキル基を表し、アルキル基である場合、当該アルキル基には、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２５－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２５－、－ＮＲ^２５－、または－Ｃ（＝Ｏ）－が介在していてもよい（ただし、－Ｏ－および－Ｓ－がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。）。ここで、Ｒ^２５は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。Ｒ^２３及びＲ^２４が置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メチル基、エチル基を挙げることができる。
　原料の入手しやすさの観点から、（１）Ｘ^１～Ｘ^８がいずれも水素原子であるか、（２）Ｘ^１～Ｘ^５及びＸ^７がいずれも水素原子であり、かつＸ^６及びＸ^８が－ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、若しくは－ＣＨ_３であるか、（３）Ｘ^１～Ｘ^５、Ｘ^７及びＸ^８がいずれも水素原子であり、かつＸ^６が－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^２３、－ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、－ＣＨ_３、－ＣＨ_２ＣＨ_３、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３若しくはフッ素原子であるか、又は（４）Ｘ^１～Ｘ^４及びＸ^６～Ｘ^８がいずれも水素原子であり、かつＸ^５が－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒ^２３、－ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、－ＣＨ_３、－ＣＨ_２ＣＨ_３、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３若しくはフッ素原子であることが好ましい。

　前記ａ及びｂはそれぞれ、（Ｇ^１－Ｙ^１）単位及び（Ｇ^２－Ｙ^６）単位の繰り返し数を表し、ａ及びｂはそれぞれ独立して、０又は１である。ａ、ｂとして特に好ましい組み合わせとしては、合成しやすさ及び、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点からａ及びｂは共に１である。

　Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、炭素数１～３０の２価の有機基Ａを表す。有機基Ａの炭素数としては６～２０が好ましい。Ａ^１及びＡ^２の有機基Ａとしては、特に制限されないが、芳香族環を有するものが好ましい。

　前記Ａ^１及びＡ^２としては、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、下記式（Ａ_１１）、（Ａ_２１）及び（Ａ_３１）に置換基が結合してもよい、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいビフェニレン基、又は置換基を有していてもよいナフチレン基が好ましく、中でも、下記式（Ａ_１１）に置換基が結合しても良い、置換基を有していてもよいフェニレン基がより好ましい。当該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ基；等が挙げられる。ここでＲは、炭素数１～６のアルキル基である。これらの中でも、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子としてはフッ素原子が、アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

　前記式（Ｉ’）で表される重合性液晶化合物（ｉ）及びそれを構成する基の具体例としては、例えば、国際公開第２０１７／０３３９２９号に開示されるものが挙げられる。重合性液晶化合物（ｉ）の好ましい具体例としては、以下のものが挙げられる。

　重合性液晶化合物（ｉ）は、そのΔｎ値が好ましくは０．０５以上、より好ましくは０．２０以上である。このような高いΔｎ値を有することにより、所望の性能を有し、且つ厚みの薄い第２位相差層を与えることができる。Δｎの上限は、特に限定されないが、例えば、０．４０以下、好ましくは０．３５以下とすることができる。

　重合性液晶化合物（ｉ）は、国際公開第２００９／０４１５１２号等の文献に記載される既知の方法に基づき製造しうる。

　〔１．２．５．重合性化合物（ｉｉ）〕
　コレステリック液晶組成物は、重合性液晶化合物以外の重合性化合物を含有し得る。かかる重合性化合物の好ましい例としては、下記式（ＩＩ’）で示されるアキラルな化合物が挙げられる。以下において、この化合物を重合性化合物（ｉｉ）という場合がある。

　Ｚ^３－ＭＧ－Ｏ（ＣＨ_２）ｎ₁－Ｙ^１１－Ｚ^４　（ＩＩ’）

　前記式（ＩＩ’）において、Ｚ^３は、水素原子、置換基を有してもよい炭素原子数１～２個のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、及びシアノ基；からなる群より選択される基を表す。Ｚ^３が置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子を挙げることができる。Ｚ^３は好ましくはシアノ基である。
　ＭＧは、４，４’－ビフェニレン基、４，４’－ビシクロヘキシレン基、２，６－ナフチレン基、及び４，４’－ベンズアルデヒドアジン基（－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ－＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－Ｃ_６Ｈ_４－，ここで－Ｃ_６Ｈ_４－はｐ－フェニレン基）からなる群より選択されるメソゲン基を表す。ＭＧは好ましくは４，４’－ビフェニレン基である。
　ｎ_１は、０～６、好ましくは０～２の整数を表す。
　Ｙ^１１は、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＳ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ_２－、－ＯＣＨ_２－、－ＮＨＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、－ＣＨ_２ＣＯＯ－、及び－ＣＨ_２ＯＣＯ－からなる群より選択される基を表す。Ｙ^１１は好ましくは－ＯＣＯ－である。
　Ｚ^４は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基を表す。Ｚ^４は好ましくはＣＨ_２＝ＣＨ－である。

　重合性化合物（ｉｉ）のΔｎは好ましくは０．１８以上であり、より好ましくは０．２２以上とすることができる。このように高いΔｎ値を有することにより、所望の性能を有し、且つ厚みの薄い第２位相差層を与えることができる。Δｎの上限は、特に限定されないが、例えば、０．３５、好ましくは０．３０とすることができる。

　重合性化合物（ｉｉ）の好ましい例としては、具体的には下記の化合物（２－１）～（２－４）を挙げることができる。

　重合性化合物（ｉｉ）の製造方法は、特に限定されず、当該技術分野において知られた方法、例えば特開昭６２－７０４０６号公報及び特開平１１－１００５７５号公報に記載の方法により合成することができる。

　コレステリック液晶組成物が重合性液晶化合物（ｉ）及び重合性化合物（ｉｉ）を含む場合、（重合性化合物（ｉｉ）の合計重量）／（重合性液晶化合物（ｉ）の合計重量）の重量比は、好ましくは０．０５～１、より好ましくは０．１～０．６５、さらにより好ましくは０．１５～０．４５である。前記重量比を０．０５以上とすることにより配向均一性を高めることができる。また逆に１以下とすることにより配向均一性を高め、液晶相の安定性を高め、均一な製品を得ることができる。なお、合計重量とは、１種を用いた場合にはその重量を、２種以上用いた場合には合計の重量を示す。

　コレステリック液晶組成物においては、重合性化合物（ｉｉ）の分子量が６００未満、重合性液晶化合物（ｉ）の分子量が６００以上であることが好ましい。重合性化合物（ｉｉ）の分子量が６００未満であることにより、それよりも分子量の大きい棒状液晶化合物の隙間に入り込むことができ、配向均一性を向上させることができる。重合性液晶化合物（ｉ）の分子量は、より好ましくは７５０～９５０とすることができる。重合性化合物（ｉｉ）の分子量は、より好ましくは２５０～４５０とすることができる。

　〔１．２．６．重合性キラル化合物〕
　コレステリック液晶組成物が含有しうる、重合性液晶化合物以外の重合性化合物のさらなる例としては、重合性キラル化合物が挙げられる。重合性キラル化合物としては、分子内にキラルな炭素原子を有し、重合性液晶化合物と重合可能な化合物であって、かつ重合性液晶化合物の配向を乱さないものを適宜選択して用いうる。上に述べた重合性液晶化合物（ｉ）は、重合性キラル化合物と混合することでコレステリック相を発現し得る。
　ここで、「重合」とは、通常の重合反応のほか、架橋反応を含む広い意味での化学反応を意味するものとする。
　コレステリック液晶組成物においては、重合性キラル化合物を一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。

　重合性キラル化合物の例としては、市販のもの（例えば、ＢＡＳＦ社製「ＬＣ７５６」等）に加え、特開平１１－１９３２８７号公報に記載されるもの、特開２００３－１３７８８７号公報に記載されるもの、及び国際公開第２０１７／０３３９２９号に記載されるもの等の既知のものが挙げられる。

　コレステリック液晶組成物が重合性液晶化合物（ｉ）と重合性キラル化合物とを含む場合、重合性キラル化合物の配合割合は、重合性液晶化合物（ｉ）１００重量部に対し、好ましくは０．１～１００重量部、より好ましくは０．５～２０重量部である。

　〔１．２．７．光重合開始剤〕
　コレステリック液晶組成物は、重合反応をより効率的に行う観点から、光重合開始剤を含有しうる。

　光重合開始剤としては、共に用いる重合性液晶化合物に存在する重合性基の種類に応じて適宜なものを選択して使用しうる。例えば、重合性基が、ラジカル重合性であればラジカル重合開始剤を、アニオン重合性の基であればアニオン重合開始剤を、カチオン重合性の基であればカチオン重合開始剤を、それぞれ使用しうる。光重合開始剤の具体例としては、国際公開第２０１７／０３３９２９号に記載されるものが挙げられる。

　特に、光ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えば、チバスペシャルティーケミカルズ社製の商品名Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、商品名Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９ＥＧ、商品名Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１及び商品名ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０２等が挙げられる。
　これらの重合開始剤は一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

　コレステリック液晶組成物における光重合開始剤の配合割合は、通常０．０３～７重量％である。

　〔１．２．８．コレステリック液晶組成物の他の成分〕
　コレステリック液晶組成物は、表面張力を調整するために、界面活性剤を含有しうる。当該界面活性剤としては、特に限定はないが、通常、ノニオン系界面活性剤が好ましい。界面活性剤としては、市販品を用いうる。市販品の例としては、セイミケミカル（株）製ＫＨ－４０、及びネオス社製ＦＴＸ－２０９Ｆが挙げられる。コレステリック液晶組成物が重合性液晶化合物（ｉ）及び界面活性剤を含有する場合において、界面活性剤の配合割合は、重合性液晶化合物（ｉ）１００重量部に対し、通常、０．０１～１０重量部、好ましくは０．１～２重量部である。

　コレステリック液晶組成物は、上記成分の他、金属、金属錯体、染料、顔料、蛍光材料、燐光材料、レベリング剤、チキソ剤、ゲル化剤、多糖類、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、抗酸化剤、イオン交換樹脂、酸化チタン等の金属酸化物などの任意の添加剤を含有しうる。コレステリック液晶組成物が重合性液晶化合物（ｉ）及び上に述べた添加剤を含有する場合、添加剤の配合割合は、重合性液晶化合物（ｉ）１００重量部に対し、通常、各々０．１～２０重量部である。

　〔１．２．９．コレステリック液晶組成物の調製方法〕
　コレステリック液晶組成物は、通常、上に述べた成分（重合性液晶化合物（ｉ）、重合性化合物（ｉｉ）、重合性キラル化合物、光重合開始剤、及び任意の添加剤）を適当な有機溶媒に溶解させることにより調製することができる。

　用いる有機溶媒としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン類；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類；等が挙げられる。溶媒の含有割合は、溶液全量に対する割合として５０～７５重量％としうる。

　〔１．２．１０．コレステリック液晶組成物を用いた、コレステリック樹脂層の形成方法〕
　コレステリック樹脂層は、コレステリック液晶組成物を基材に塗工してコレステリック液晶組成物の層を得て、これを硬化することにより形成しうる。基材としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム（例えば東洋紡社製「コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００」）等のフィルムを用いうる。基材フィルムには、必要に応じて、ラビング処理等の配向規制力を付与する処理を施しうる。硬化の工程に先立って、必要に応じてコレステリック液晶組成物の層に配向処理を施すことができる。配向処理は、例えば液晶組成物の層を５０～１５０℃で０．５～１０分間加温することにより行うことができる。

　必要に応じて配向処理を施した後、コレステリック液晶組成物を光照射により硬化させることにより、コレステリック樹脂層を形成しうる。本発明において光照射に用いる光とは、可視光のみならず紫外線及びその他の電磁波をも含む。光の種類は、重合開始剤等の、コレステリック液晶組成物の成分に応じて適宜選択しうる。光の照射量及び照射の条件は、所望の硬化が行われるよう適宜調整しうる。

　基材上にコレステリック樹脂層を形成した後、基材上のコレステリック樹脂層をそのまま、又は必要に応じてコレステリック樹脂層を基材から剥離し、これを第２位相差層として用いうる。

　第２位相差層がコレステリック液晶組成物の硬化物の層である場合、第２位相差層の厚みは、好ましくは１．０～２．０μｍ、より好ましくは１．４～１．８μｍである。かかる厚みとすることにより、第２位相差層に所望の光学的特性を付与しうる。

　〔１．３．第１位相差層と第２位相差層の光学的特性の関係〕
　本発明の光学異方性層が備える第１位相差層及び第２位相差層は、前記式（３）及び式（４）を満たす。

　前記式（３）を詳細に説明すると、｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜－｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜は、０より大きく、好ましくは２０より大きく、より好ましくは３０より大きい。｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜－｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜の値が前記下限以上であることにより、本発明の光学異方性層にポジティブＣフィルムとしての有用な光学的特性を与えることができる。｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜－｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜の上限は、特に限定されないが、例えば１５０未満としうる。

　前記式（４）を詳細に説明すると、（Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０））－（Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０））は、０より小さく、好ましくは－０．０６より小さく、より好ましくは－０．０８より小さい。（Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０））－（Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０））の値が前記上限以下であることにより、本発明の光学異方性層にポジティブＣフィルムとしての有用な、逆波長分散性等の光学的特性を与えることができる。（Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０））－（Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０））の下限は、特に限定されないが、例えば０．５超としうる。

　〔１．４．光学異方性層の特性〕
　光学異方性層は、その主屈折率ｎｘ（Ａ）、ｎｙ（Ａ）及びｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たすものとしうる。このような主屈折率を有する光学異方性層は、ポジティブＣフィルムとして用いうる。そのため、この光学異方性層を円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常、視野角を広げることができる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を高めることができる。

　光学異方性層の屈折率ｎｘ（Ａ）と屈折率ｎｙ（Ａ）とは、値が同じであるか近いことが好ましい。具体的には、屈折率ｎｘ（Ａ）と屈折率ｎｙ（Ａ）の差ｎｘ（Ａ）－ｎｙ（Ａ）は、好ましくは０．０００００～０．００１００、より好ましくは０．０００００～０．０００５０、特に好ましくは０．０００００～０．０００２０である。屈折率差ｎｘ（Ａ）－ｎｙ（Ａ）が前記の範囲に収まることにより、光学異方性層を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができ、かつ他の位相差フィルムとの貼合時に貼り合せ方向の調整を不要にできる。

　波長４５０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ）（４５０）、波長５５０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ）（５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ）（６５０）は、通常、下記式（８）を満たし、好ましくはさらに式（９）を満たす。
　０．５０＜Ｒｔｈ（Ａ）（４５０）／Ｒｔｈ（Ａ）（５５０）＜１．００　式（８）
　１．００≦Ｒｔｈ（Ａ）（６５０）／Ｒｔｈ（Ａ）（５５０）＜１．２５　式（９）

　前記式（８）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ）（４５０）／Ｒｔｈ（Ａ）（５５０）は、通常０．７０より大きく、好ましくは０．７５より大きく、より好ましくは０．８０より大きく、また、通常１．００未満、好ましくは０．９９未満、より好ましくは０．９８未満である。

　さらに、前記式（９）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）は、通常１．００以上、好ましくは１．０１以上、より好ましくは１．０２以上であり、通常１．２５未満、好ましくは１．１５未満、より好ましくは１．１０未満である。

　前記の式（８）及び式（９）を満たす厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ）（４５０）、Ｒｔｈ（Ａ）（５５０）及びＲｔｈ（Ａ）（６５０）を有する光学異方性層は、その厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示す。このように厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示す光学異方性層は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させたりする機能を、広い波長範囲において発揮できる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常、視野角を効果的に広げることができる。そのため、表示面に表示される画像の視認性を、特に効果的に向上させることができる。

　波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ）（５９０）は、下記式（１０）を満たすことが好ましい。
　Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ　式（１０）

　前記式（１０）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ａ）（５９０）は、好ましくは０ｎｍ～１０ｎｍ、より好ましくは０ｎｍ～５ｎｍ、特に好ましくは０ｎｍ～２ｎｍである。Ｒｅ（Ａ）（５９０）が前記の範囲に収まることにより、光学異方性層を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができ、かつ、他の位相差フィルムとの貼合時に貼り合せ方向の調整を不要にできる。

　波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ）（５９０）は、下記式（１１）を満たすことが好ましい。
　－２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ）（５９０）≦－１０ｎｍ　式（１１）

　前記式（１１）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ）（５９０）は、好ましくは－２００ｎｍ以上、より好ましくは－１３０ｎｍ以上、特に好ましくは－１００ｎｍ以上であり、好ましくは－１０ｎｍ以下、より好ましくは－３０ｎｍ以下、特に好ましくは－５０ｎｍ以下である。このようなＲｔｈ（Ａ）（５９０）を有する光学異方性層は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制し、反射光の色味変化を小さくできたり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常は、視野角を広げることができる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を高めることができる。

　光学異方性層の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは９０％以上である。全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲で測定しうる。

　光学異方性層のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下であり、理想的には０％である。ここで、ヘイズは、ＪＩＳ　Ｋ７３６１－１９９７に準拠して、日本電色工業社製「濁度計　ＮＤＨ－３００Ａ」を用いて、５箇所測定し、それから求めた平均値を採用しうる。

　光学異方性層の厚みは、所望の光学的特性が得られるように、適切に調整しうる。特に、第２位相差層として前記式（５）を満たすものを採用することにより、所望の光学的特性を有し、且つ厚みの薄い光学異方性層を容易に得ることができる。さらに、第１位相差層及び第２位相差層を構成する材料として上に述べたものを用いることにより、所望の光学的特性を有し、且つ厚みの薄い光学異方性層をさらに容易に得ることができる。光学異方性層の厚みは、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。光学異方性層の厚みの下限は、所望の光学的特性が得られる限りにおいて特に限定されないが、例えば０．５μｍ以上としうる。

　〔１．５．光学異方性層の製造方法〕
　光学異方性層の製造方法は、特に限定されず、任意の製造方法を採用しうる。
　例えば、適切な基材の面上に、上に述べた方法により、第１位相差層及び第２位相差層のそれぞれを形成し、それらを貼合することにより、光学異方性層を製造しうる。当該製造方法を採用することにより、第１位相差層及び第２位相差層のそれぞれを、溶液を用いた塗工法により容易に製造し、且つ、各層の光学的特性を所望のものに容易に調整しうる。
　または、適切な基材の面上に、上に述べた方法により、第１位相差層及び第２位相差層のいずれか一方を形成し、形成した層を基材として、その面上に、第１位相差層及び第２位相差層の他方を形成することによっても、光学異方性層を製造しうる。

　また、光学異方性層の製造方法は、例えば、光学異方性層を基材から剥離する工程を含んでいてもよい。

　〔２．光学異方性積層体〕
　本発明の光学異方性積層体は、上述した光学異方性層、及び第３位相差層を備える。

　〔２．１．光学異方性積層体における光学異方性層〕
　光学異方性積層体における光学異方性層としては、上述したものを用いる。ただし、光学異方性積層体においては、波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ）（５９０）、及び、波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ）（５９０）が、下記式（１２）及び式（１３）を満たすことが好ましい。
　Ｒｅ（Ａ）（５９０）≦１０ｎｍ　式（１２）
　－１１０ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ）（５９０）≦－２０ｎｍ　式（１３）

　前記式（１２）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ａ）（５９０）は、好ましくは０ｎｍ～１０ｎｍ、より好ましくは０ｎｍ～５ｎｍ、特に好ましくは０ｎｍ～２ｎｍである。Ｒｅ（Ａ）（５９０）が前記の範囲に収まることにより、光学異方性積層体を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができる。

　また、前記式（１３）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ）（５９０）は、好ましくは－１１０ｎｍ以上、より好ましくは－１００ｎｍ以上であり、好ましくは－２０ｎｍ以下、より好ましくは－４０ｎｍ以下、特に好ましくは－５０ｎｍ以下である。このようなＲｔｈ（Ａ）（５９０）を有する光学異方性層を備えた光学異方性積層体は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過させたりする機能を、効果的に発揮できる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を効果的に高めることができる。

　〔２．２．第３位相差層〕
　第３位相差層は、式（６）～式（７）を満たす。
　ｎｘ（Ｐ３）＞ｎｙ（Ｐ３）≧ｎｚ（Ｐ３）　　　式（６）
　１１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）≦１７０ｎｍ　　式（７）

　但し、ｎｘ（Ｐ３）、ｎｙ（Ｐ３）及びｎｚ（Ｐ３）は、第３位相差層の主屈折率であり、Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）は、第３位相差層の波長５９０ｎｍにおける面内レターデーションである。

　式（６）及び式（７）を満たす位相差層は、所謂λ／４波長板として機能しうる。このような第３位相差層を備える光学異方性積層体は、直線偏光子と組み合わせることによって円偏光板を構成しうる。この円偏光板は、画像表示装置の表示面に設けることにより、表示面を正面方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできるので、画像の視認性を高めることが可能である。

　第３位相差層の屈折率ｎｙ（Ｐ３）と屈折率ｎｚ（Ｐ３）とは、値が同じであるか近いことが好ましい。具体的には、屈折率ｎｙ（Ｐ３）と屈折率ｎｚ（Ｐ３）の差の絶対値｜ｎｙ（Ｐ３）－ｎｚ（Ｐ３）｜は、好ましくは０．０００００～０．００１００、より好ましくは０．０００００～０．０００５０、特に好ましくは０．０００００～０．０００２０である。屈折率差の絶対値｜ｎｙ（Ｐ３）－ｎｚ（Ｐ３）｜が前記の範囲に収まることにより、光学異方性積層体を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができる。

　波長５９０ｎｍにおける第３位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｐ３）（５９０）は、下記式（１４）を満たすことが好ましい。
　１１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）≦１７０ｎｍ　式（１４）

　前記式（１４）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）は、好ましくは１１０ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上、特に好ましくは１３０ｎｍ以上であり、好ましくは１７０ｎｍ以下、より好ましくは１６０ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ以下である。このようなＲｅ（Ｐ３）（５９０）を有する第３位相差層を備えた光学異方性積層体は、直線偏光子と組み合わせて円偏光板を得ることができる。この円偏光板を画像表示装置の表示面に設けることにより、表示面を正面方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできるので、画像の視認性を高めることが可能である。

　波長４５０ｎｍにおける第３位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｐ３）（４５０）、波長５５０ｎｍにおける第３位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｐ３）（５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける第３位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｐ３）（６５０）は、下記の式（１５）を満たすことが好ましく、式（１６）をも満たすことがさらに好ましい。
　０．７５＜Ｒｅ（Ｐ３）（４５０）／Ｒｅ（Ｐ３）（５５０）＜１．００　式（１５）
　１．０１＜Ｒｅ（Ｐ３）（６５０）／Ｒｅ（Ｐ３）（５５０）＜１．２５　式（１６）

　前記式（１５）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ｐ３）（４５０）／Ｒｅ（Ｐ３）（５５０）は、好ましくは０．７５より大きく、より好ましくは０．７８より大きく、特に好ましくは０．８０より大きく、また、好ましくは１．００未満、より好ましくは０．９５未満、特に好ましくは０．９０未満である。

　前記式（１６）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ｐ３）（６５０）／Ｒｅ（Ｐ３）（５５０）は、好ましくは１．０１より大きく、好ましくは１．０２より大きく、特に好ましくは１．０４より大きく、また、好ましくは１．２５未満、より好ましくは１．２２未満、特に好ましくは１．１９未満である。

　前記の式（１５）及び式（１６）を満たす面内レターデーションＲｅ（Ｐ３）（４５０）、Ｒｅ（Ｐ３）（５５０）及びＲｅ（Ｐ３）（６５０）を有する第３位相差層は、その面内レターデーションＲｅが逆波長分散性を示す。このように面内レターデーションＲｅが逆波長分散性を示す第３位相差層を備える光学異方性積層体は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の正面方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させたりする機能を、広い波長範囲において発揮できる。そのため、表示面に表示される画像の視認性を、特に効果的に向上させることができる。

　第３位相差層の面内の遅相軸方向は、任意であり、光学異方性積層体の用途に応じて任意に設定しうる。中でも、光学異方性積層体が長尺のフィルムである場合、第３位相差層の遅相軸とフィルム幅方向とがなす角度は、０°超９０°未満であることが好ましい。また、ある態様において、第３位相差層の面内の遅相軸とフィルム幅方向とがなす角度は、好ましくは１５°±５°、２２．５°±５°、４５°±５°、又は７５°±５°、より好ましくは１５°±４°、２２．５°±４°、４５°±４°、又は７５°±４°、さらにより好ましくは１５°±３°、２２．５°±３°、４５°±３°、又は７５°±３°といった特定の範囲としうる。このような角度関係を有することにより、長尺の直線偏光子に光学異方性積層体をロールツーロールで貼り合わせて、円偏光板の効率的な製造が可能となる。

　第３位相差層の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは９０％以上である。また、第３位相差層のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下であり、理想的には０％である。

　第３位相差層を構成する材料は、特に限定されず、既知の材料から上記の特徴を有するものを適宜採用しうる。具体的には、延伸フィルム、重合性液晶性化合物を含む液晶組成物を硬化させてなる層等の、位相差層として用いられる材料を採用しうる。

　〔２．３．光学異方性積層体における任意の層〕
　光学異方性積層体は、光学異方性層及び第３位相差層に組み合わせて、更に任意の層を備えうる。任意の層としては、例えば、粘着剤層、ハードコート層等が挙げられる。

　〔２．４．光学異方性積層体の製造方法〕
　光学異方性積層体の製造方法は、特に限定されず、任意の製造方法を採用しうる。
　例えば、適切な基材の面上に、上に述べた方法により、光学異方性層及び第３位相差層のそれぞれを形成し、それらを貼合することにより、光学異方性層を製造しうる。
　または、適切な基材の面上に、上に述べた方法により、光学異方性層及び第３位相差層のいずれか一方を形成し、形成した層を基材として、その面上に、光学異方性層及び第３位相差層の他方を形成することによっても、光学異方性積層体を製造しうる。

　また、前記の光学異方性積層体の製造方法は、上述した工程に加えて、任意の工程を含んでいてもよい。例えば、光学異方性積層体の製造方法は、例えば、光学異方性積層体を基材から剥離する工程を含んでいてもよい。光学異方性積層体の製造方法はまた、ハードコート層等の任意の層を設ける工程を含んでいてもよい。

　〔３．偏光板〕
　本発明の偏光板は、直線偏光子と、上述した光学異方性層、又は光学異方性積層体とを備える。このような偏光板は、画像表示装置に設けることにより、画像表示装置を傾斜方向から見た場合の画像の視認性を高めることができる。

　直線偏光子としては、液晶表示装置、及びその他の光学装置等の装置に用いられている既知の直線偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるフィルム；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるフィルム；が挙げられる。また、直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの、偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうち、直線偏光子としては、ポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

　直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。この直線偏光子の偏光度は特に限定されないが、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。
　また、直線偏光子の厚みは、好ましくは５μｍ～８０μｍである。

　偏光板は、更に、直線偏光子と、光学異方性層又は光学異方性積層体とを貼り合わせるための、粘着剤層を備えていてもよい。

　また、偏光板が光学異方性積層体を備える場合、その偏光板は、円偏光板として機能しうる。ここで、用語「円偏光板」には、狭義の円偏光板だけでなく、楕円偏光板も含む。このような円偏光板は、直線偏光子、光学異方性層及び第３位相差層を、この順で備えていてもよい。また、このような円偏光板は、直線偏光子、第３位相差層及び光学異方性層を、この順で備えていてもよい。

　前記のような円偏光板において、直線偏光子の偏光吸収軸に対して第３位相差層の遅相軸がなす角度は、４５°またはそれに近い角度であることが好ましい。前記の角度は、具体的には、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°である。

　上述した偏光板は、更に、任意の層を含みうる。任意の層としては、例えば、偏光子保護フィルム層が挙げられる。偏光子保護フィルム層としては、任意の透明フィルム層を用いうる。中でも、透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性等に優れる樹脂のフィルム層が好ましい。そのような樹脂としては、トリアセチルセルロース等のアセテート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、鎖状オレフィン樹脂、環式オレフィン樹脂、（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。さらに、偏光板が含みうる任意の層としては、例えば、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、フィルムの滑り性を良くするマット層、反射抑制層、防汚層等が挙げられる。これらの任意の層は、１層だけを設けてもよく、２層以上を設けてもよい。

　偏光板は、直線偏光子と、光学異方性層、又は光学異方性積層体とを、必要に応じて粘着剤を介して貼合することによって、製造しうる。

　〔４．画像表示装置〕
　本発明の画像表示装置は、上述した本発明の偏光板を備える。本発明の画像表示装置はまた、通常、画像表示素子を備える。画像表示装置において、偏光板は、通常、画像表示素子の視認側に設けられる。この際、偏光板の向きは、その偏光板の用途に応じて任意に設定しうる。よって、画像表示装置は、光学異方性層、又は光学異方性積層体と；偏光子と；画像表示素子と；を、この順に備えていてもよい。また、画像表示装置は、偏光子と；光学異方性層、又は光学異方性積層体と；画像表示素子と；を、この順に備えていてもよい。

　画像表示装置としては、画像表示素子の種類に応じて様々なものがあるが、代表的な例としては、画像表示素子として液晶セルを備える液晶表示装置、及び、画像表示素子として有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置が挙げられる。
　本発明の画像表示装置は、本発明の光学異方性層を構成要素として含み、これにより、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過しうるようにしたりすることができる。さらに、そのような効果を有しながら、且つ、耐久性が高く、良好な色調を有する表示装置とすることができる。

　〔５．その他〕
　本発明の光学異方性層は、画像表示素子を備える画像表示装置以外にも、種々の用途に用いうる。例えば、看板等の画像表示素子を有しない表示装置、照明装置、光源装置等の任意の装置に、色味の改善などの目的で設けうる。

　以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。

　〔評価方法〕
　〔光学特性の測定〕
　フィルム（基材フィルム等）上に形成された、試料層（光学異方性層、位相差層等）の光学特性（屈折率、レターデーション及び逆波長分散特性）は、下記の方法で測定した。

　試料層を、粘着剤層付ガラス板（粘着剤層は、日東電工社製「ＣＳ９６２１Ｔ」、以下において同じ）に貼り合せた。その後、基材を剥離し、ガラス板及び試料層を備えるサンプルを得た。このサンプルを、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）のステージに設置して、試料層の面内レターデーションＲｅの波長分散を測定した。ここで、面内レターデーションＲｅの波長分散とは、波長毎の面内レターデーションＲｅを表すグラフであり、例えば、横軸を波長、縦軸を面内レターデーションＲｅとした座標においてグラフとして示される。こうして得られた試料層の面内レターデーションＲｅの波長分散から、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、５９０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける試料層の面内レターデーションＲｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（５９０）及びＲｅ（６５０）を求めた。

　また、試料層の遅相軸を回転軸として、ステージを４０°傾けて、試料層の厚み方向に対して４０°の角度をなす傾斜方向での試料層のレターデーションＲｅ４０の波長分散を測定した。ここで、レターデーションＲｅ４０の波長分散とは、波長毎のレターデーションＲｅ４０を表すグラフであり、例えば、横軸を波長、縦軸を面内レターデーションＲｅ４０とした座標においてグラフとして示される。

　さらに、プリズムカプラ（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製）を用いて、試料層の、面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ、前記面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ、及び、厚み方向の屈折率ｎｚを、波長４０７ｎｍ、５３２ｎｍ及び６３３ｎｍで測定し、コーシーフィッティングすることにより、屈折率ｎｘ、ｎｙ及びｎｚの波長分散を得た。ここで、屈折率の波長分散とは、波長毎の屈折率を表すグラフであり、例えば、横軸を波長、縦軸を屈折率とした座標においてグラフとして示される。

　その後、レターデーションＲｅ４０及び屈折率の波長分散のデータを基に、試料層の厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散を計算した。ここで、厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散とは、波長毎の厚み方向のレターデーションＲｔｈを表すグラフであり、例えば、横軸を波長、縦軸を厚み方向のレターデーションＲｔｈとした座標においてグラフとして示される。そして、こうして求められた試料層の厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散から、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、５９０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける試料層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（４５０）、Ｒｔｈ（５５０）、Ｒｔｈ（５９０）及びＲｔｈ（６５０）を求めた。

　〔厚みの測定〕
　ある基材（基材フィルム等）上に形成された試料層（光学異方性層、位相差層等）の厚みは、膜厚測定装置（フィルメトリクス社製「フィルメトリクス」）を用いて、測定した。

　〔実施例１〕
　（１－１．第１位相差層）
　ポリ（９－ビニルカルバゾール）（Ａｌｄｌｉｃｈ社製、商品番号１８２６０５、重量平均分子量１，１００，０００以下、粉末）を、固形分濃度が１２％となるようにＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させて、塗工液を作製した。

　基材フィルムとして片面に易接着処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製　「コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００」、厚み１００μｍ、以下において同じ）を用意した。前記の基材フィルムの面上に、塗工液を塗工して、塗工液層を形成した。塗工は、アプリケーターを用いて、基材フィルムの裏面（易接着処理を施した面の反対側の面、以下において同じ）に行った。塗工液層の厚みは、得られる第１位相差層の厚みが１０μｍ程度になるように調整した。

　その後、塗工液層を、８５℃オーブンで１０分ほど乾燥させて、塗工液層中の溶媒を蒸発させた。これにより、基材フィルム上に第１位相差層を形成し、（第１位相差層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物を得た。得られた複層物における第１位相差層の膜厚及び光学特性を測定した。

　（１－２．第２位相差層）
　（１－２－１．中間体（Ｉｍ－Ａ）の合成）

　特開２０１６－１９０８１８号公報の実施例１に記載される方法に従い、上記式（Ｉｍ－Ａ）で示される中間体（Ｉｍ－Ａ）を合成した。
　目的物の構造は^１Ｈ－ＮＭＲで同定した。^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ，δｐｐｍ）：７．６０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、７．５３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、７．２７（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、７．０６（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ，８．０Ｈｚ）、４．２２（ｓ，２Ｈ）、３．７４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、１．６９－１．７６（ｍ，２Ｈ）、１．２９－１．４２（ｍ，６Ｈ）、０．８９（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）

　（１－２－２．中間体（Ｉｍ－Ｂ）の合成）

　温度計を備えた３口反応器において、窒素気流中、４－ホルミル安息香酸：１０ｇ（６６．６ｍｍｏｌ）をメタノール３００ｍｌに溶解させて、溶液を得た。室温下にて、この溶液に、（１－２－１）で合成した中間体（Ｉｍ－Ａ）１９．９ｇ（７９．９２ｍｍｏｌ）を加えた。その後、（±）－１０－カンファースルホン酸９２９ｍｇ（４．００ｍｍｏｌ）を加えた。得られた混合物を、２３℃にて、そのまま１８時間撹拌し、反応を行った。反応終了後、氷浴にて、反応液を冷却して３０分撹拌した。析出した固体をろ過により集めて、冷却したメタノールで洗浄した。得られた固体を真空乾燥機で乾燥させて、上記式（Ｉｍ－Ｂ）で示される中間体（Ｉｍ－Ｂ）を淡黄色固体として２０．０ｇ得た。収率は、４－ホルミル安息香酸基準で７８．７モル％であった。

　（１－２－３．ＣＡＢ－００１の合成）
　温度計を備えた３口反応器において、窒素気流中、ＣＡＢ５５１－０．２（イーストマンケミカルプロダクト社製、商品名）８ｇ、（１－２－２）で合成した中間体（Ｉｍ－Ｂ）２．１４ｇ（５．６ｍｍｏｌ）及び４－（ジメチルアミノ）ピリジン６８４ｍｇ（５．６ｍｍｏｌ）をＮ－メチルピロリドン２００ｍｌに溶解させ、溶液を得た。この溶液に１－エチル－３－（３―ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩１．２９ｇ（６．７２ｍｍｏｌ）を加えて２３℃にて１８時間撹拌し、反応を行った。反応終了後、反応液を水２リットルに投入して、酢酸エチル２００ｍｌで２回抽出した。酢酸エチル層を集めて、無水硫酸ナトリウムで乾燥させて、硫酸ナトリウムをろ別した。酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて溶媒を蒸発除去した後、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝９：１（容積比））により精製した。溶媒を留去して得られたオイルにクロロホルム８０ｍｌを加えた。このクロロホルム溶液をヘキサン１リットルにゆっくり滴下して、再沈殿精製を行った。析出した固体をろ過により集めて、ヘキサンで洗浄した。得られた固体を真空乾燥機で乾燥させて、セルロースエステル（Ｉ）であるＣＡＢ－００１を、４．０ｇの淡黄色固体として得た。この固体の一部をサンプリングしてＤＭＳＯ－ｄ_６に溶解させて^１Ｈ－ＮＭＲにて、ＣＡＢ－００１に導入されている置換基の導入率を算出した。その結果、置換基は、水酸基：６．６８ｍｏｌ％、－ＣＯＣＨ_３：４８．７５ｍｏｌ％、－ＣＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３：４２．９２ｍｏｌ％、中間体（Ｉｍ－Ｂ）由来の基：１．６５ｍｏｌ％から構成されていることが分かった。

　（１－２－４．第２位相差層の形成）
　ＣＡＢ－００１を、固形分濃度が１２％となるように１，３－ジオキソランに溶解させて、塗工液を作製した。

　基材フィルムの裏面上に、塗工液を塗工して、塗工液層を形成した。塗工は、アプリケーターを用いて、基材フィルムの裏面上に行った。
　塗工液層の厚みは、得られる第２位相差層の厚みが１２μｍ程度になるように調整した。

　その後、塗工液層を、８５℃オーブンで１０分ほど乾燥させて、塗工液層中の溶媒を蒸発させた。これにより、基材フィルム上に第２位相差層を形成し、（第２位相差層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物を得た。得られた複層物における第２位相差層の膜厚及び光学特性を測定した。

　（１－３．光学異方性層）
　粘着剤層付きガラス板の粘着剤層に、（１－１）で得た複層物の第１位相差層側の面を貼合し、その後基材フィルムを剥離した。これにより、第１位相差層を粘着剤層付きガラス板に転写し、（第１位相差層）／（粘着剤層）／（ガラス板）の層構成を有する複層物を得た。

　得られた複層物の第１位相差層の面上に、さらに粘着剤層を設けた。粘着剤層に、（１－２）で得た複層物の第２位相差層側の面を貼合し、その後基材フィルムを剥離した。これにより、第２位相差層を複層物に転写し、（第２位相差層）／（粘着剤層）／（第１位相差層）／（粘着剤層）／（ガラス板）の層構成を有する複層物を得た。当該複層物は、（第２位相差層）／（粘着剤層）／（第１位相差層）の層構成を有する光学異方性層を含むものである。
　得られた光学異方性層の光学特性を測定し、式（３）、式（４）及び式（５）の要件を満たすか否かを判定し、ポジティブＣフィルム又はネガティブＣフィルムに該当するか否かを判定した。また、得られた光学異方性層のＲｔｈの波長分散性が、逆波長分散（Ｒｔｈ（Ａ）（４５０）／Ｒｔｈ（Ａ）（５５０）＜１．００）であるか否かを判定した。

　〔実施例２〕
　下記の変更点の他は、実施例１と同じ操作を行い、第１位相差層、第２位相差層及び光学異方性層を得て評価した。
　・（１－１）での塗工液の塗工において、塗工液層の厚みを、得られる第１位相差層の厚みが７μｍ程度になるように調整した。

　〔実施例３〕
　（３－１．第２位相差層：コレステリック液晶層）
　下記の材料を混合して、コレステリック液晶組成物１を調製した：
　化合物１：１６．１重量部、化合物２：４．０重量部、キラル化合物（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ７５６」）：２．３５重量部、重合開始剤（チバスペシャルティケミカル社製「イルガキュア３７９ＥＧ」）：０．６重量部、界面活性剤（ネオス社製「ＦＴＸ－２０９Ｆ」）：０．０２２重量部、シクロペンタノン：５１．６重量部。

　基材フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製「コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００」；厚み１００μｍ）を用意した。この基材フィルムは、片面が、易接着処理を施された易接着処理面となっていた。

　基材フィルムの易接着処理面とは反対側の面に、ラビング処理を施した。次に、ラビング処理を施した面に、コレステリック液晶組成物を、孔径０．４５μｍのフィルターで濾過した後、バーコーター＃４を用いて塗工した。これにより、基材フィルムの片面に、未硬化状態のコレステリック液晶組成物の層が形成された。

　得られたコレステリック液晶組成物の層に、１４０℃で２分間、配向処理を施した。これにより、コレステリック液晶組成物の層において、光重合性液晶化合物が配向し、コレステリック液晶相を呈した。また、前記の配向処理中にコレステリック液晶組成物の層が乾燥し、コレステリック液晶組成物の層から溶媒が除去された。

　その後、コレステリック液晶組成物の層に対して、紫外線（メタルハライドランプ）をコレステリック液晶組成物の塗工膜形成面側に窒素雰囲気下で照射した。照射条件は、ピーク照度３００ｍＪ／ｃｍ^２とした。照射の結果、コレステリック液晶組成物の層が硬化し、配向状態が固定されたコレステリック樹脂層（乾燥厚み０．９μｍ）となった。これにより、基材フィルム上に第２位相差層としてのコレステリック樹脂層を形成し、（第２位相差層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物を得た。得られた複層物における第２位相差層の膜厚及び光学特性を測定した。

　得られたコレステリック樹脂層について、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光社製「Ｖ－５５０」）を使用して、２００ｎｍ～６００ｎｍの波長範囲で反射スペクトルを測定した。その際、選択反射帯域が紫外線領域のみに存在していることを確認した。選択反射帯域の中心波長は３７０ｎｍであった。

　（３－２．第１位相差層及び光学異方性層）
　下記の変更点の他は、実施例１の（１－１）及び（１－３）と同じ操作を行い、第２位相差層及び光学異方性層を得て評価した。
　・（１－１）での塗工液の塗工において、塗工液層の厚みを、得られる第１位相差層の厚みが１９μｍ程度になるように調整した。
　・（１－２）で得た複層物に代えて、（３－１）で得た複層物を用いた。

　〔比較例１〕
　下記の変更点の他は、実施例１と同じ操作を行い、第１位相差層、第２位相差層及び光学異方性層を得て評価した。
　・（１－１）での塗工液の塗工において、塗工液層の厚みを、得られる第１位相差層の厚みが５μｍ程度になるように調整した。

　〔比較例２〕
　（Ｃ２－１．第２位相差層：ＴＡＣ）
　三酢酸セルロース（略名ＴＡＣ、和光純薬工業株式会社より購入）を、固形分濃度が１２％となるように１，３－ジオキソランに溶解させて、塗工液を作製した。基材フィルムの裏面上に、塗工液を塗工して、塗工液層を形成した。塗工は、アプリケーターを用いて、基材フィルムの裏面上に行った。塗工液層の厚みは、得られる第２位相差層の厚みが３０μｍ程度になるように調整した。

　（Ｃ２－２．第１位相差層及び光学異方性層）
　下記の変更点の他は、実施例１の（１－１）及び（１－３）と同じ操作を行い、第２位相差層及び光学異方性層を得て評価した。
　・（１－１）での塗工液の塗工において、塗工液層の厚みを、得られる第１位相差層の厚みが１２μｍ程度になるように調整した。
　・（１－２）で得た複層物に代えて、（Ｃ２－１）で得た複層物を用いた。

　〔比較例３〕
　（Ｃ３－１．第２位相差層）
　第２位相差層として、ＣＡＢ－００１の層及びＴＡＣの層からなる位相差層を製造した。ＣＡＢ－００１の層及びＴＡＣの層の厚みは、第２位相差層のＲｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）が１．１４以下となり、且つ、第１位相差層と組み合わせて得られる光学異方性層の波長分散性及びＲｔｈ（５９０）が実施例１の光学異方性層と同程度となるよう調整した。

　具体的な第２位相差層の製造方法は、下記の通りとした。
　まず、塗工液層の厚みを、得られる層の厚みが２６．７μｍになるよう調整した他は、実施例１の（１－２）と同じ操作により、基材フィルム上にＣＡＢ－００１の層を形成し、（ＣＡＢ－００１の層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物（ｉ）を得た。

　次に、塗工液層の厚みを、得られる層の厚みが１７．８μｍになるよう調整した他は、比較例２の（Ｃ２－１）と同じ操作により、基材フィルム上にＴＡＣの層を形成し、（ＴＡＣの層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物（ｉｉ）を得た。

　複層物（ｉ）と複層物（ｉｉ）とを、粘着剤層を介して貼合し、（基材フィルム）／（ＴＡＣの層）／（粘着剤層）／（ＣＡＢ－００１の層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物（ｉｉｉ）を得た。さらに、複層物（ｉｉｉ）から一方の面の基材フィルムを剥離し、（ＴＡＣの層）／（粘着剤層）／（ＣＡＢ－００１の層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物（ｉｖ－Ｃ３）を得た。当該複層物は、（ＴＡＣの層）／（粘着剤層）／（ＣＡＢ－００１の層）の層構成を有する第２位相差層を含むものである。

　（Ｃ３－２．第１位相差層及び光学異方性層）
　下記の変更点の他は、実施例１の（１－１）及び（１－３）と同じ操作を行い、第２位相差層及び光学異方性層を得て評価した。
　・（１－１）での塗工液の塗工において、塗工液層の厚みを、得られる第１位相差層の厚みが２２．３μｍ程度になるように調整した。
　・（１－２）で得た複層物に代えて、（Ｃ３－１）で得た複層物（ｉｖ－Ｃ３）を用いた。

　〔比較例４〕
　（Ｃ４－１．第２位相差層）
　Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）がさらに小さくなるよう、ＣＡＢ－００１の層及びＴＡＣの層の厚みの比を変更した他は、比較例３の（Ｃ３－１）と同じ操作により、位相差層を製造した。

　具体的には、ＣＡＢ－００１の層の厚み及びＴＡＣの層の厚みが、いずれも３６．７５μｍになるよう塗工液層の厚みを調整した他は、比較例３の（Ｃ３－１）と同じ操作を行い、（ＴＡＣの層）／（粘着剤層）／（ＣＡＢ－００１の層）／（基材フィルム）の層構成を有する複層物（ｉｖ－Ｃ４）を得た。当該複層物は、（ＴＡＣの層）／（粘着剤層）／（ＣＡＢ－００１の層）の層構成を有する第２位相差層を含むものである。

　（Ｃ４－２．第１位相差層及び光学異方性層）
　下記の変更点の他は、実施例１の（１－１）及び（１－３）と同じ操作を行い、第２位相差層及び光学異方性層を得て評価した。
　・（１－１）での塗工液の塗工において、塗工液層の厚みを、得られる第１位相差層の厚みが２２．３μｍ程度になるように調整した。
　・（１－２）で得た複層物に代えて、（Ｃ４－１）で得た複層物（ｉｖ－Ｃ４）を用いた。

　実施例及び比較例の結果を表１～表３に示す。

　＊式（３）：光学異方性層が、式（３）（｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜＞｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜）を満たすか否かの判定結果。併せて、｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜及び｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜の数値を示す。Ｙ：式（３）を満たす。Ｎ：式（３）を満たさない。
　＊式（４）：光学異方性層が、式（４）（Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）＜Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０））を満たすか否かの判定結果。併せて、Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）及びＲｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）の数値を示す。Ｙ：式（４）を満たす。Ｎ：式（４）を満たさない。
　＊式（５）：光学異方性層が、式（５）（Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）＞１．１４）を満たすか否かの判定結果。併せて、Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）の数値を示す。Ｙ：式（５）を満たす。Ｎ：式（５）を満たさない。
　＊位相差種類：光学異方性層が、ポジティブＣフィルム又はネガティブＣフィルムに該当するか否かの判定結果。ポジＣ：ポジティブＣフィルムに該当する。ネガＣ：ネガティブＣフィルムに該当する。
　＊より強い順分散：順波長分散性であり、比較例１よりもさらに順波長分散性の傾向が高い。

　実施例及び比較例の結果から明らかな通り、実施例で得た光学異方性層は、比較例のものに比べ、逆波長分散性を有するポジティブＣフィルムであるという有用な光学的特性を有しながら、且つその厚みが薄いものとすることができた。

Claims

　第１位相差層及び第２位相差層を備える光学異方性層であって、
　前記第１位相差層及び前記第２位相差層が、式（１）～式（５）を満たす、光学異方性層：
　ｎｚ（Ｐ１）＞ｎｘ（Ｐ１）≧ｎｙ（Ｐ１）　　式（１）
　ｎｘ（Ｐ２）≧ｎｙ（Ｐ２）＞ｎｚ（Ｐ２）　　式（２）
　｜Ｒｔｈ（Ｐ１）｜＞｜Ｒｔｈ（Ｐ２）｜　　式（３）
　Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）＜Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）　式（４）
　Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）／Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）＞１．１４　　式（５）
　但し、
　ｎｘ（Ｐ１）、ｎｙ（Ｐ１）及びｎｚ（Ｐ１）は、前記第１位相差層の主屈折率であり、
　ｎｘ（Ｐ２）、ｎｙ（Ｐ２）及びｎｚ（Ｐ２）は、前記第２位相差層の主屈折率であり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ１）は、前記第１位相差層の波長５９０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ２）は、前記第２位相差層の波長５９０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ１）（４５０）は、前記第１位相差層の波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ１）（５５０）は、前記第１位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ２）（４５０）は、前記第２位相差層の波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションであり、
　前記Ｒｔｈ（Ｐ２）（５５０）は、前記第２位相差層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションである。
　前記第２位相差層が、下記式（Ｉ）で表される部分構造を有するセルロースエステル（Ｉ）を含む層である、請求項１に記載の光学異方性層。

　〔式（Ｉ）中、＊は前記部分構造が前記セルロースエステル（Ｉ）における糖単位に結合する部位を表し、Ｙは、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１０－を表し、Ｒ^１０は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、ＰＤＧは環構造を有する有機基であって、前記環構造に含まれるπ電子数が１２以上である有機基を表す。〕
　前記式（Ｉ）中、ＰＤＧが下記式（ＩＩ）で表される請求項２に記載の光学異方性層。

　〔式（ＩＩ）中、Ｂは、化学的な単結合および下記式（ＩＩＩ－１）～（ＩＩＩ－２６）のいずれかを表し、

　ＸＧは、下記式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－８）のいずれかを表し、

　Ａｘは、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基を表し、Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよく、
　Ａｙは、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１～３０の有機基を表し、
　Ａｚは、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環および炭素数２～３０の芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する有機基を表し、Ａｚが有する芳香環は置換基を有していてもよく、
　Ｑは、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、
　Ｅ^１およびＥ^２は、それぞれ独立して、－ＣＲ^１１Ｒ^１２－、－Ｓ－、－ＮＲ^１１－、－ＣＯ－、または－Ｏ－を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して水素原子、または炭素数１～４のアルキル基を表し、
　Ｄ^１～Ｄ^３は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
　Ｄ^４およびＤ^５は、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のアルキルスルフィニル基、炭素数１～６のアルキルスルホニル基、カルボキシル基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のアルキルチオ基、炭素数１～６のＮ－アルキルアミノ基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、炭素数１～６のＮ－アルキルスルファモイル基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルスルファモイル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｘ、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲｘ、若しくは－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１０Ｒｘを表すか、又は、Ｄ^４およびＤ^５はこれらが一緒になって環を形成している有機基である。
　Ｒｘは、水素原子、又は炭素数１～２０の有機基であり、
　Ｒｃは、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のアルキルスルフィニル基、炭素数１～６のアルキルスルホニル基、カルボキシル基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数１～６のチオアルキル基、炭素数１～６のＮ－アルキルアミノ基、炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、炭素数１～６のＮ－アルキルスルファモイル基、または炭素数２～１２のＮ，Ｎ－ジアルキルスルファモイル基を表し、Ｒｃが複数存在する場合、それらは、それぞれ同一であっても、相異なっていてもよい。
　Ｒ^１０は前記と同じ意味を表し、
　ｐは０～３の整数であり、
　ｎは０または１を表す。＊はＢとの結合を表す。〕
　ＸＧが、前記式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－３）の何れかで表され、
　Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい炭素数２～３０の芳香族複素環基を表す、請求項３に記載の光学異方性層。
　Ａｘが下記式（Ｖ）で示される、請求項３または４に記載の光学異方性層。

　〔式（Ｖ）中、Ｅ^３は－ＣＲ^１１Ｒ^１２－、－Ｓ－、－ＮＲ^１１－、－ＣＯ－、または－Ｏ－を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して水素原子、または炭素数１～４のアルキル基を表し、
　Ｒ^１～Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１～６のフルオロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、－ＯＣＦ_３、または、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｒ^ｂを表し、
　Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、または、置換基を有していてもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基を表し、
　複数のＲ^２～Ｒ^５同士は、すべて同一であっても、相異なっていてもよく、環を構成する少なくとも１つのＣ－Ｒ^１～Ｃ－Ｒ^４は、窒素原子に置き換えられていてもよい。〕
　前記第２位相差層が、ベンゾチアゾール環を側鎖に有するセルロースエステルを含む層である、請求項１に記載の光学異方性層。
　前記セルロースエステル（Ｉ）が、セルロースエステル（Ｉ’）における水酸基の一部又は全部が前記式（Ｉ）で表される部分構造で置換されてなる構造を有し、前記セルロースエステル（Ｉ’）は、前記セルロースエステル（Ｉ）以外のセルロースエステルであり、前記セルロースエステル（Ｉ’）が、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート、セルロースブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、及びこれらの混合物からなる群より選択されるものである請求項２～６のいずれか１項に記載の光学異方性層。
　前記第２位相差層が、コレステリック液晶組成物の硬化物の層であり、前記コレステリック液晶組成物は、芳香族イミン構造を有する重合性液晶化合物を含む組成物である、請求項１に記載の光学異方性層。
　前記第１位相差層が、重合体を含み、前記重合体が、ポリビニルカルバゾール、ポリフマル酸エステル、セルロース誘導体、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１～８のいずれか１項に記載の光学異方性層。
　請求項１～９のいずれか１項に記載の光学異方性層、及び第３位相差層を備える光学異方性積層体であって、
　前記第３位相差層が、式（６）～式（７）を満たす、光学異方性積層体：
　ｎｘ（Ｐ３）＞ｎｙ（Ｐ３）≧ｎｚ（Ｐ３）　　　式（６）
　１１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）≦１７０ｎｍ　　式（７）
　但し、
　ｎｘ（Ｐ３）、ｎｙ（Ｐ３）及びｎｚ（Ｐ３）は、前記第３位相差層の主屈折率であり、
　Ｒｅ（Ｐ３）（５９０）は、前記第３位相差層の波長５９０ｎｍにおける面内レターデーションである。
　直線偏光子と、
　請求項１０に記載の光学異方性積層体とを備える、偏光板。
　請求項１１に記載の偏光板を備える、画像表示装置。
　直線偏光子と、
　請求項１０に記載の光学異方性積層体と、
　有機エレクトロルミネッセンス素子と、を、この順に備える、画像表示装置。