JP2019066777A - 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体及びその製造方法、光学異方性転写体、偏光板、並びに画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配向膜を用いることなく製造可能で、Ｒｔｈが逆波長分散性を示し、高いＲｔｈ絶対値を有し、薄く、且つ外観における品質が良好であるポジティブＣプレートとして用いることができる光学異方性層を提供する。【解決手段】位置選択的に置換されたセルロースエステルと、配向状態が固定されていてもよいメソゲン骨格を有する化合物とを含む光学異方性層であって、前記メソゲン骨格を有する化合物が、特定の化合物であり、前記光学異方性層の屈折率ｎｘ（Ａ）、ｎｙ（Ａ）、及びｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たし、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおけるＲｔｈが所定の関係を満たす光学異方性層。【選択図】図１

Description

本発明は、光学異方性層及びその製造方法；前記の光学異方性層を備えた光学異方性積層体及びその製造方法；並びに、前記の光学異方性層を備えた光学異方性転写体、偏光板及び画像表示装置；に関する。

液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の画像表示装置には、様々な光学フィルムが設けられる。以下、「有機エレクトロルミネッセンス」のことを、適宜「有機ＥＬ」ということがある。このような光学フィルムに係る技術について、特許文献１〜１０に示すように、従来から検討がなされている。

特開２０１５−１４７１２号公報 特開２０１５−５７６４６号公報 特表２０１４−５１３３２３号公報 特表２０１４−５２０１９２号公報 特表２０１４−５２０２８８号公報 特開２０１０−２０２６９号公報 特開２０１０−１９５８５８号公報 特開２０１０−２３５８７８号公報 特開２０１０−２５４９４９号公報 特開２００８−２６８３３６号公報

画像表示装置の表示面には、円偏光板が設けられることがある。ここで、用語「円偏光板」には、狭義の円偏光板だけでなく、楕円偏光板も含む。前記の円偏光板としては、通常、直線偏光子と、光学異方性層とを備える光学フィルムが用いられる。画像表示装置の表示面に円偏光板を設けることにより、表示面を正面方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできるので、画像の視認性を高めることが可能である。

しかし、従来の一般的な円偏光板を画像表示装置の表示面に設けても、表示面を傾斜方向から見た場合には、外光の反射の抑制が難しく、また、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させることが難しかった。

そこで、円偏光板に、ポジティブＣフィルムを設けることが考えられる。ポジティブＣフィルムとは、屈折率ｎｘ、ｎｙ及びｎｚが、ｎｚ＞ｎｘ≧ｎｙを満たすフィルムである。ポジティブＣフィルムを円偏光板に設けることにより、表示面を傾斜方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させたりすることができる。

さらに、前記のポジティブＣフィルムとしては、厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示すフィルムが好ましい。ここで、厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示す、とは、波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈ（４５０）及びＲｔｈ（５５０）が、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＜１．００を満たすことをいう。このように厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示すポジティブＣフィルムを円偏光板に設けることにより、表示面を傾斜方向から見た場合に、広い波長範囲において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させたりすることができる。そのため、表示面に表示される画像の視認性を、特に効果的に向上させることができる。

ところが、従来の技術では、厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示すポジティブＣフィルムを製造することは、容易ではなかった。例えば、特許文献１及び２に記載のように、液晶化合物を用いた製造方法が考えられる。ところが、特許文献１及び２に記載のように配向膜を用いる方法では、配向膜と液晶化合物との相性を調整することが求められるので、その調整が煩雑である。さらに、配向膜を基材上に塗工する工程が増えるため、配向膜の使用は、コストの上昇を招く可能性がある。

さらに、ポジティブＣフィルムは、その厚みが薄いことが求められる。しかしながら、薄いポジティブＣフィルムに、所望の高いレターデーションを与えることは困難である。特に、薄いポジティブＣフィルムに、大きなＲｔｈ絶対値を与えることは困難である。薄いポジティブＣフィルムに、大きなＲｔｈ絶対値を与えるための、考えられる方策の一つとしては、ポジティブＣフィルムにおける逆波長分散性を示す物質の濃度を高めることが挙げられる。しかしながら、逆波長分散性を示す物質の濃度を高めると、かかる物質と他の物質との相溶性が悪化し、得られるポジティブＣフィルムの外観において白濁等の品質低下が発現しうる。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、配向膜を用いることなく製造可能で、厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示し、高いＲｔｈ絶対値を有し、薄く、且つ外観における品質が良好であるポジティブＣプレートとして用いることができる光学異方性層及びその製造方法；前記の光学異方性層を備えた光学異方性積層体及びその製造方法；並びに、前記の光学異方性層を備えた光学異方性転写体、偏光板及び画像表示装置；を提供することを目的とする。

本発明は、下記のとおりである。
〔１〕 （１）（ａ）複数のナフトイル置換基；及び
（ｂ）複数のピバロイル置換基
を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルであって、
前記セルロースエステルは、０．２から０．３の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、
前記セルロースエステルは、０．３から０．５の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、
前記セルロースエステルは、１．０から１．６の範囲のナフトイル置換度（「ＤＳ_Ｎｐ」）を有し、
前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３におけるナフトイル置換度の合計（「Ｃ２ＤＳ_Ｎｐ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｎｐ」）とＣ６におけるナフトイル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｎｐ」）との差が、０．５から１．５の間である、位置選択的に置換されたセルロースエステルと、
（２）配向状態が固定されていてもよいメソゲン骨格を有する化合物とを含む光学異方性層であって、
前記メソゲン骨格を有する化合物が、下記式（Ｉ）で表される化合物であり、
前記光学異方性層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ａ）、前記光学異方性層の前記面内方向であって前記ｎｘ（Ａ）の方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ａ）、及び、前記光学異方性層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たし、
波長４５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ４５０）、波長５５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ６５０）が、下記式（Ｅ１）及び（Ｅ２）：
０．５０＜Ｒｔｈ（Ａ４５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．００ （Ｅ１）
１．００≦Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．２５ （Ｅ２）
を満たす、光学異方性層。

（前記式（Ｉ）において、
Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｍは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
〔２〕 前記光学異方性層の全固形分における前記メソゲン骨格を有する化合物の比率が、２０重量％〜６０重量％である、〔１〕に記載の光学異方性層。
〔３〕 波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ５９０）、及び、波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５９０）が、下記式（Ｅ３）及び（Ｅ４）：
Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ （Ｅ３）
−２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ５９０）≦−１０ｎｍ （Ｅ４）
を満たす、〔１〕又は〔２〕に記載の光学異方性層。
〔４〕 基材と、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の光学異方性層とを備えた、光学異方性転写体。
〔５〕 〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の光学異方性層と、位相差層とを備え、
前記位相差層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ｂ）、前記位相差層の前記面内方向であって前記ｎｘ（Ｂ）の方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ｂ）、及び、前記位相差層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ｂ）が、ｎｘ（Ｂ）＞ｎｙ（Ｂ）≧ｎｚ（Ｂ）を満たす、光学異方性積層体。
〔６〕 波長４５０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ４５０）、波長５５０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ６５０）が、下記式（Ｅ５）及び（Ｅ６）：
０．７５＜Ｒｅ（Ｂ４５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）＜１．００ （Ｅ５）
１．０１＜Ｒｅ（Ｂ６５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）＜１．２５ （Ｅ６）
を満たす、〔５〕記載の光学異方性積層体。
〔７〕 波長５９０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ５９０）、波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ５９０）、及び、波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５９０）が、下記式（Ｅ７）、（Ｅ８）及び（Ｅ９）：
１１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｂ５９０）≦１７０ｎｍ （Ｅ７）
Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ （Ｅ８）
−２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ５９０）≦−１０ｎｍ （Ｅ９）
を満たす、〔５〕又は〔６〕に記載の光学異方性積層体。
〔８〕 直線偏光子と、
〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の光学異方性層、〔４〕記載の光学異方性転写体、又は、〔５〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の光学異方性積層体と、を備える、偏光板。
〔９〕 〔８〕記載の偏光板を備える、画像表示装置。
〔１０〕 〔５〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の光学異方性積層体と、
直線偏光子と、
画像表示素子と、を、この順に備え、
前記画像表示素子が、液晶セル又は有機エレクトロルミネッセンス素子である、画像表示装置。
〔１１〕 直線偏光子と、
〔５〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の光学異方性積層体と、
有機エレクトロルミネッセンス素子と、を、この順に備える、画像表示装置。
〔１２〕 （１）（ａ）複数のナフトイル置換基；及び（ｂ）複数のピバロイル置換基を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルであって、前記セルロースエステルは、０．２から０．３の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、前記セルロースエステルは、０．３から０．５の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、前記セルロースエステルは、１．０から１．６の範囲のナフトイル置換度（「ＤＳ_Ｎｐ」）を有し、前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３におけるナフトイル置換度の合計（「Ｃ２ＤＳＮｐ」及び「Ｃ３ＤＳＮｐ」）とＣ６におけるナフトイル置換度（「Ｃ６ＤＳＮｐ」）との差が、０．５から１．５の間である、位置選択的に置換されたセルロースエステル；
（２）メソゲン骨格を有する化合物；及び（３）溶媒を含む塗工液を、支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程と、
前記塗工液層を乾燥させる工程と、を含む、光学異方性層の製造方法であって、
前記光学異方性層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ａ）、前記光学異方性層の前記面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ａ）、及び、前記光学異方性層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たし、
波長４５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ４５０）、波長５５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ６５０）が、下記式（Ｅ１）及び（Ｅ２）：
０．５０＜Ｒｔｈ（Ａ４５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．００ （Ｅ１）
１．００≦Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．２５ （Ｅ２）
を満たし、
前記メソゲン骨格を有する化合物が、下記式（Ｉ）で表される化合物である、光学異方性層の製造方法。

（前記式（Ｉ）において、
Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｍは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
〔１３〕 〔４〕記載の光学異方性転写体の光学異方性層と、位相差層とを、貼り合わせる工程と、
前記光学異方性転写体の基材を剥離する工程と、を含む、光学異方性積層体の製造方法であって、
前記位相差層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ｂ）、前記位相差層の前記面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ｂ）、及び、前記位相差層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ｂ）が、ｎｘ（Ｂ）＞ｎｙ（Ｂ）≧ｎｚ（Ｂ）を満たす、光学異方性積層体の製造方法。

本発明によれば、配向膜を用いることなく製造可能で、厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示し、高いＲｔｈ絶対値を有し、薄く、且つ外観における品質が良好であるポジティブＣプレートとして用いることができる光学異方性層及びその製造方法；前記の光学異方性層を備えた光学異方性積層体及びその製造方法；並びに、前記の光学異方性層を備えた光学異方性転写体、偏光板及び画像表示装置；を提供できる。

図１は、本発明の第一実施形態に係る画像表示装置としての有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の第二実施形態に係る画像表示装置としての有機ＥＬ表示装置を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の第三実施形態に係る画像表示装置としての液晶表示装置を模式的に示す断面図である。

以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、ある面の正面方向とは、別に断らない限り、当該面の法線方向を意味し、具体的には前記面の極角０°且つ方位角０°の方向を指す。

以下の説明において、ある面の傾斜方向とは、別に断らない限り、当該面に平行でも垂直でもない方向を意味し、具体的には前記面の極角が０°より大きく９０°より小さい範囲の方向を指す。

以下の説明において、別に断らない限り、ある層の面内レターデーションＲｅは、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値を示し、また、ある層の厚み方向のレターデーションＲｔｈとは、Ｒｔｈ＝［｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２｝−ｎｚ］×ｄで表される値を示す。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表し、ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表し、ｎｚは、層の厚み方向の屈折率を表し、ｄは、層の厚みを表す。

以下の説明において、別に断らない限り、屈折率の測定波長は、５９０ｎｍである。

以下の説明において、「長尺」のものとは、幅に対して、通常５倍以上の長さを有するものをいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するものをいう。

以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」とは、剛直な部材だけでなく、例えば樹脂製のフィルムのように可撓性を有する部材も含む。

以下の説明において、別に断らない限り、「（メタ）アクリル」は「アクリル」及び「メタクリル」の両方を包含する用語である。

以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

以下の説明において、正の固有複屈折値を有する樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなる樹脂を意味する。また、負の固有複屈折値を有する樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなる樹脂を意味する。固有複屈折値は、誘電率分布から計算しうる。

［１．光学異方性層］
本発明の光学異方性層は、
（ａ）複数のナフトイル置換基；及び
（ｂ）複数のピバロイル置換基
を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルであって、
前記セルロースエステルは、０．２から０．３の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、
前記セルロースエステルは、０．３から０．５の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、
前記セルロースエステルは、１．０から１．６の範囲のナフトイル置換度（「ＤＳ_Ｎｐ」）を有し、
前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３におけるナフトイル置換度の合計（「Ｃ２ＤＳ_Ｎｐ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｎｐ」）とＣ６におけるナフトイル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｎｐ」）との差が、０．５から１．５の間である、位置選択的に置換されたセルロースエステルと、メソゲン骨格を有する所定の化合物とを含み、所定の光学特性を有する。メソゲン骨格を有する所定の化合物を、以下、適宜「メソゲン化合物」ということがある。

〔１．１．位置選択的に置換されたセルロースエステル〕
光学異方性層の全固形分における、位置選択的置換セルロースエステルの比率は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４３重量％以上、特に好ましくは４５重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、特に好ましくは５５重量％以下である。位置選択的置換セルロースエステルの比率が、前記範囲の下限値以上であることにより、光学異方性層において、メソゲン化合物を均一に分散させたり、光学異方性層の機械的強度を高くしたりでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散性を逆分散性に近づけ易くできる。ここで、ある層の固形分とは、その層を乾燥した場合に残留する成分のことをいう。

〔１．２．メソゲン化合物〕
メソゲン化合物は、メソゲン骨格を有する化合物である。ここで、メソゲン骨格とは、その引力及び斥力的相互作用の異方性によって、低分子量又は高分子量の物質中で、液晶（ＬＣ：ｌｉｑｕｉｄ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）相の発生に本質的に寄与する分子骨格を意味する。メソゲン骨格を含有するメソゲン化合物は、それ自身では、必ずしも液晶相への相転移を生じうる液晶性を有していなくてもよい。よって、メソゲン化合物は、単独で液晶相への相転移を生じうる液晶化合物であってもよく、単独では液晶相への相転移を生じない非液晶化合物であってもよい。メソゲン骨格の例としては、剛直な棒状又は円盤状の形状のユニットが挙げられる。メソゲン骨格については、Ｐｕｒｅ Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．２００１、７３巻（５号）、８８８頁およびＣ．Ｔｓｃｈｉｅｒｓｋｅ、Ｇ．Ｐｅｌｚｌ、Ｓ．Ｄｉｅｌｅ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．２００４年、１１６巻、６３４０〜６３６８頁を参照しうる。

光学異方性層において、メソゲン化合物は、その配向状態が固定されていてもよい。即ち、光学異方性層において、メソゲン化合物は、その配向状態が固定されているか、固定されていないか、又は固定されたものと固定されていないものとの混合物である。例えば、メソゲン化合物は、その一部又は全部の分子の重合によって、当該メソゲン化合物の配向状態が固定されていてもよい。通常、重合により、メソゲン化合物は、そのメソゲン化合物の配向状態を維持したまま重合体となりうるので、前記の重合により、メソゲン化合物の配向状態が固定される。よって、用語「配向状態が固定されたメソゲン化合物」には、メソゲン化合物の重合体が包含される。したがって、メソゲン化合物が液晶性を有する液晶化合物である場合、この液晶化合物は、光学異方性層において、液晶相を呈していてもよく、配向状態が固定化されることによって液晶相を呈していなくてもよい。光学異方性層においてはまた、メソゲン化合物の分子は、その一部又は全部が重合せずに存在していてもよい。例えば、位置選択的置換セルロースエステルと、メソゲン化合物とを含む塗工液を乾燥させ、メソゲン化合物を重合させない状態のまま固体とし、これを光学異方性としうる。

メソゲン化合物のＣＮ点は、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４５℃以上、特に好ましくは６０℃以上であり、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１１０℃以下、特に好ましくは１００℃以下である。ここで、「ＣＮ点」とは、結晶−ネマチック相転移温度のことをいう。前記の範囲にＣＮ点を有するメソゲン化合物を用いることにより、光学異方性層を容易に製造することが可能である。

メソゲン化合物の分子量は、単量体である場合は、好ましくは３００以上、より好ましくは７００以上、特に好ましくは１０００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。メソゲン化合物が前記のような分子量を有することにより、光学異方性層を形成するための塗工液の塗工性を特に良好にできる。

メソゲン化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

メソゲン化合物は、式（Ｉ）で表される化合物である。以下の説明において、式（Ｉ）で表される化合物を、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。

化合物（Ｉ）は、通常、下記式で表すように、 基−Ｙ^５−Ａ^４−Ｙ^３−（Ａ^２−Ｙ^１）_ｍ−Ａ^１−（Ｙ^２−Ａ^３）_ｍ−Ｙ^４−Ａ^５−Ｙ^６−からなる主鎖メソゲン骨格１ａ、及び、基＞Ａ^１−Ｃ（Ｑ^１）＝Ｎ−Ｎ（Ａ^ｘ）Ａ^ｙからなる側鎖メソゲン骨格１ｂの２つのメソゲン骨格を含む。また、これらの主鎖メソゲン骨格１ａ及び側鎖メソゲン骨格１ｂは、互いに交差している。

主鎖メソゲン骨格１ａの長軸方向における屈折率をｎ１、側鎖メソゲン骨格１ｂの長軸方向における屈折率をｎ２とする。この際、屈折率ｎ１の絶対値及び波長分散性は、通常、主鎖メソゲン骨格１ａの分子構造に依存する。また、屈折率ｎ２の絶対値及び波長分散性は、通常、側鎖メソゲン骨格１ｂの分子構造に依存する。ここで、液晶相において化合物（Ｉ）は、通常、主鎖メソゲン骨格１ａの長軸方向を回転軸として回転運動を行うので、ここでいう屈折率ｎ１及びｎ２とは、回転体としての屈折率を表している。

主鎖メソゲン骨格１ａ及び側鎖メソゲン骨格１ｂの分子構造に由来して、屈折率ｎ１の絶対値は屈折率ｎ２の絶対値より大きい。さらに、屈折率ｎ１及びｎ２は、通常、順波長分散性を示す。ここで、順波長分散性の屈折率とは、測定波長が大きいほど当該屈折率の絶対値が小さくなる屈折率を表す。主鎖メソゲン骨格１ａの屈折率ｎ１は、順波長分散性が小さいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅には小さくならない。これに対し、側鎖メソゲン骨格１ｂの屈折率ｎ２は、順波長分散性が大きいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅に小さくなる。そのため、測定波長が短いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎは小さく、測定波長が長いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎが大きくなる。このようにして、主鎖メソゲン骨格１ａ及び側鎖メソゲン骨格１ｂに由来して、化合物（Ｉ）は、ホモジニアス配向した場合に、逆波長分散性の面内レターデーションを示しうる。

前記式（Ｉ）において、Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。

ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^１の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基が挙げられる。
Ｒ^１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。

化合物（Ｉ）においては、Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であることが好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；が挙げられる。

Ｇ^１及びＧ^２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。

また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、例えば、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＮＲ^２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−が挙げられる。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ_２）_４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ_２）_６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ_２）_８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕が特に好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ^１及びＺ^２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−が挙げられる。

なかでも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｚ^１及びＺ^２としては、それぞれ独立して、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−がより好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−が特に好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の両方を有するものであってもよい。

前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；が挙げられる。

Ａ^ｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^５；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^５；−ＳＯ_２Ｒ^６；等が挙げられる。ここで、Ｒ^５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６は後述するＲ^４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

また、Ａ^ｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
さらに、Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、例えば、ベンゼン環基、ナフタレン環基、アントラセン環基等の芳香族炭化水素環基；ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ピリジン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、ピラゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、キノリン環基、フタラジン環基、ベンゾイミダゾール環基、ベンゾピラゾール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、チアゾロピリジン環基、オキサゾロピリジン環基、チアゾロピラジン環基、オキサゾロピラジン環基、チアゾロピリダジン環基、オキサゾロピリダジン環基、チアゾロピリミジン環基、オキサゾロピリミジン環基等の芳香族複素環基；芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；が挙げられる。

Ａ^ｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａ^ｘは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基

（２）芳香族複素環基

上記式中、Ｅは、ＮＲ^６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

上記式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、ＮＲ^７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ_２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ^７は、前記Ｒ^６ａと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
（３）芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む基

（上記式中、Ｘ、及びＹは、それぞれ独立して、前記と同じ意味を表す。また、上記式中、Ｚは、ＮＲ^７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ_２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。）
（４）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基

（５）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基

（６）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基

上記したＡ^ｘの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、炭素数４〜３０の芳香族複素環基、又は、芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数４〜３０の基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましい。

さらに、Ａ^ｘは、下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。

Ａ^ｘが有する環は、置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８；−ＳＯ_２Ｒ^６；が挙げられる。ここでＲ^８は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

Ａ^ｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は、単環であってもよく、縮合多環であってもよい。
Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

前記式（Ｉ）において、Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ａ；−ＳＯ_２Ｒ^８ａ；−ＳＲ^１０；−ＳＲ^１０で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；が挙げられる。ここで、Ｒ^７ａ及びＲ^１０は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^８ａは、前記Ｒ^４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ａ；−ＳＯ_２Ｒ^８ａ；水酸基；が挙げられる。ここでＲ^７ａ及びＲ^８ａは、前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。

Ａ^ｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３で表される基において、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａ^ｘで説明した芳香族炭化水素環基のうち炭素数が５〜１２のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、−ＳＯ_２−Ｒ^４で表される基において、Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^４の、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａ^ｙの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９で表される基において、Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａ^ｘで説明した芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基等の芳香族基のうち炭素数が５〜２０のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａ^ｘで説明したのと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましい。さらに、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ^３、Ｒ^４は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０が好ましい。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。

また、Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。

前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、及び、炭素数６〜３０の不飽和炭素環は、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。
Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって形成される環としては、例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の

として表される部分を示すものである。

（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｘとＡ^ｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、４以上２４以下であるのが好ましく、６以上２０以下であるのがより好ましく、６以上１８以下であるのが更により好ましい。

Ａ^ｘとＡ^ｙの好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（α）及び組み合わせ（β）が挙げられる。
（α）Ａ^ｘが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、又は、芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む基であり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基及び−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。
（β）Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成している組み合わせ。
ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｘとＡ^ｙのより好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（γ）が挙げられる。
（γ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。
ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
Ａ^ｘとＡ^ｙの特に好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（δ）が挙げられる。
（δ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよく芳香族炭化水素環及び複素環の組み合わせを含む炭素数３〜９の基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、及び、−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。
下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

前記式（Ｉ）において、Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であってもよく、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ^１、Ｙ^２を便宜上記載している（Ｙ^１、Ｙ^２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。

これらの中でも、Ａ^１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。

Ａ^１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａ^ｘの芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。Ａ^１としては、置換基を有さないものが好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基が挙げられる。

炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；が挙げられる。

炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；が挙げられる。

これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ａ^ｘの芳香環の置換基として説明したものと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^２及びＡ^３としては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）〜（Ａ３４）で表される基がさらに好ましく、下記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。

前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ^１及びＹ^３（又はＹ^２及びＹ^４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型及びトランス型の立体異性体が存在しうる。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。

前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。中でも、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。Ａ^４及びＡ^５の芳香族基は、単環のものであっても、多環のものであってもよい。Ａ^４及びＡ^５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。

上記Ａ^４及びＡ^５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８ｂ基；が挙げられる。ここでＲ^８ｂは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）又は（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａ^ｙで説明した置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基のうち、炭素数が１〜６のものが挙げられる。これらの中でも、Ｑ^１は、水素原子及び炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。

前記式（Ｉ）において、ｍは、それぞれ独立に、０又は１を表す。中でも、ｍは好ましくは１である。

化合物（Ｉ）は、液晶性を有していてもよく、有していなくてもよい。化合物（Ｉ）の好ましい具体例としては、下記の化合物が挙げられる。

化合物（Ｉ）は、例えば、国際公開第２０１２／１４７９０４号に記載される、ヒドラジン化合物とカルボニル化合物との反応により製造しうる。

光学異方性層の全固形分におけるメソゲン化合物の比率は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、特に好ましくは４５重量％以上であり、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５７重量％以下、特に好ましくは５５重量％以下である。メソゲン化合物の比率が、前記範囲の下限値以上であることにより、光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散性を逆分散性に近づけ易くでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、光学異方性層において、メソゲン化合物を均一に分散させたり、光学異方性層の機械的強度を高くしたりできる。
特に、本発明においては、メソゲン化合物と共に用いる成分として位置選択的置換セルロースエステルを採用することにより、メソゲン化合物の濃度が高くても、光学異方性層の外観において白濁等の品質低下が発現する程度が低い。したがって、高いＲｔｈ絶対値を有し、薄く、且つ外観における品質が良好である光学異方性層を容易に得ることができる。

位置選択的置換セルロースエステルと化合物（Ｉ）とは、良好な相溶性を有しうる。良好な相溶性を呈することにより、位置選択的置換セルロースエステル及び化合物（Ｉ）を含む塗工液において、化合物（Ｉ）の濃度を高めても、白濁等の品質の低下が生じる程度が低い。したがって、得られる光学異方性層においても、ヘイズが抑制される。

位置選択的置換セルロースエステルと化合物（Ｉ）の相溶性は、以下の手順により評価しうる。まず、位置選択的置換セルロースエステル及び化合物（Ｉ）を１，３−ジオキソランに溶解させて固形分１２％の溶液とする。位置選択的置換セルロースエステル及び化合物（Ｉ）の割合は、光学異方性層の形成に際し配合する割合と同じ割合とする。得られた溶液を目視観察し観察の結果、白濁が認められた場合は相溶性不良と評価する。白濁が認められなかった溶液は、さらに、適当な基材の面上に塗布し、乾燥させて、厚み８μｍの光学異方性層とし、偏光顕微鏡を用いて倍率１００倍にてクロスニコル観察する。観察の結果、化合物（Ｉ）のミクロドメイン構造が認められる場合は相溶性不良と評価し、ミクロドメイン構造が認められなかった場合は相溶性良好と評価する。

光学異方性層のヘイズは、光屈折計（例えば、商品名「ヘイズガードＩＩ」、株式会社東洋精機製作所製）を用いて測定しうる。光学異方性層のヘイズは、好ましくは１．０％以下、より好ましくは０．６％以下、特に好ましくは０．４％以下であり、理想的には０％である。

〔１．３．任意の成分〕
光学異方性層は、位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物に組み合わせて、更に、任意の成分を含みうる。

〔１．４．光学異方性層の特性〕
光学異方性層は、その屈折率ｎｘ（Ａ）、ｎｙ（Ａ）及びｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たす。ここで、ｎｘ（Ａ）は、光学異方性層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表し、ｎｙ（Ａ）は、光学異方性層の前記面内方向であって前記ｎｘ（Ａ）の方向に垂直な方向の屈折率を表し、ｎｚ（Ａ）は、光学異方性層の厚み方向の屈折率を表す。このような屈折率ｎｘ（Ａ）、ｎｙ（Ａ）及びｎｚ（Ａ）を有する光学異方性層は、ポジティブＣフィルムとして用いうる。そのため、この光学異方性層を円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常、視野角を広げることができる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を高めることができる。

中でも、光学異方性層の屈折率ｎｘ（Ａ）と屈折率ｎｙ（Ａ）とは、値が同じであるか近いことが好ましい。具体的には、屈折率ｎｘ（Ａ）と屈折率ｎｙ（Ａ）の差ｎｘ（Ａ）−ｎｙ（Ａ）は、好ましくは０．０００００〜０．００１００、より好ましくは０．０００００〜０．０００５０、特に好ましくは０．０００００〜０．０００２０である。屈折率差ｎｘ（Ａ）−ｎｙ（Ａ）が前記の範囲に収まることにより、光学異方性層を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができ、かつ他の位相差フィルムとの貼合時に貼り合せ方向の調整を不要にできる。

波長４５０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ４５０）、波長５５０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ６５０）は、下記式（Ｅ１）及び（Ｅ２）を満たす。
０．５０＜Ｒｔｈ（Ａ４５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．００ （Ｅ１）
１．００≦Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．２５ （Ｅ２）

前記式（Ｅ１）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ４５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）は、通常０．５０より大きく、好ましくは０．６０より大きく、より好ましくは０．６５より大きく、また、通常１．００未満、好ましくは０．９０未満、より好ましくは０．８５未満である。

さらに、前記式（Ｅ２）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）は、通常１．００以上、好ましくは１．０１以上、より好ましくは１．０２以上であり、通常１．２５未満、好ましくは１．１５未満、より好ましくは１．１０未満である。

前記の式（Ｅ１）及び式（Ｅ２）を満たす厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ４５０）、Ｒｔｈ（Ａ５５０）及びＲｔｈ（Ａ６５０）を有する光学異方性層は、その厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示す。このように厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示す光学異方性層は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させたりする機能を、広い波長範囲において発揮できる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常、視野角を効果的に広げることができる。そのため、表示面に表示される画像の視認性を、特に効果的に向上させることができる。

波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ５９０）は、下記式（Ｅ３）を満たすことが好ましい。
Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ （Ｅ３）
前記式（Ｅ３）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ａ５９０）は、好ましくは０ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは０ｎｍ〜５ｎｍ、特に好ましくは０ｎｍ〜２ｎｍである。Ｒｅ（Ａ５９０）が前記の範囲に収まることにより、光学異方性層を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができ、かつ、他の位相差フィルムとの貼合時に貼り合せ方向の調整を不要にできる。

波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５９０）は、下記式（Ｅ４）を満たすことが好ましい。
−２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ５９０）≦−１０ｎｍ （Ｅ４）
前記式（Ｅ４）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ５９０）は、好ましくは−２００ｎｍ以上、より好ましくは−１７０ｎｍ以上、特に好ましくは−１５０ｎｍ以上であり、好ましくは−１０ｎｍ以下、より好ましくは−４０ｎｍ以下、特に好ましくは−５０ｎｍ以下である。このようなＲｔｈ（Ａ５９０）を有する光学異方性層は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制し、反射光の色味変化を小さくできたり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常は、視野角を広げることができる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を高めることができる。

光学異方性層の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは９０％以上である。全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で測定しうる。

光学異方性層は、液晶性を示さないことが好ましい。光学異方性層が液晶性を示さないことにより、光学異方性層において位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物の分散を良好にできる。また、液晶性を有さない光学異方性層は、塗工液を用いて光学異方性層を製造する際に、乾燥風等の空気の揺らぎの影響による、メソゲン化合物の配向ムラの発生を抑制できる。

光学異方性層の厚みは、所望のレターデーションが得られるように、適切に調整しうる。光学異方性層の具体的な厚みは、好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下である。

〔１．５．光学異方性層の製造方法〕
光学異方性層は、位置選択的置換セルロースエステル、メソゲン化合物及び溶媒を含む塗工液を用意する工程と；この塗工液を支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程と；塗工液層を乾燥させる工程と；を含む製造方法によって、製造しうる。

塗工液を用意する工程では、通常、位置選択的置換セルロースエステル、メソゲン化合物及び溶媒を混合して、塗工液を得る。塗工液の全固形分における位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物の比率は、光学異方性層の全固形分における位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物の比率と同様の範囲に調整しうる。

溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。かかる有機溶媒の例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等の炭化水素溶媒；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒；及びこれらの混合物が挙げられる。溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、６０℃〜２５０℃であることが好ましく、６０℃〜１５０℃であることがより好ましい。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

溶媒の量は、塗工液の固形分濃度を所望の範囲にできるように調整することが好ましい。塗工液の固形分濃度は、好ましくは６重量％以上、より好ましくは８重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１８重量％以下、特に好ましくは１５重量％以下である。塗工液の固形分濃度を前記の範囲に収めることにより、所望の光学特性を有する光学異方性層を容易に形成できる。

光学異方性層を形成するための塗工液は、位置選択的置換セルロースエステル、メソゲン化合物及び溶媒に組み合わせて、任意の成分を含んでいてもよい。また、任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

塗工液は、例えば、任意の成分として、可塑剤を含みうる。可塑剤としては、リン酸トリフェニル、グリセリルトリアセテート等が挙げられる。また、可塑剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

可塑剤の量は、位置選択的置換セルロースエステル１００重量部に対して、好ましくは２重量部以上、より好ましくは５重量部以上、特に好ましくは８重量部以上であり、好ましくは１５重量部以下、より好ましくは１２重量部以下、特に好ましくは１０重量部以下である。可塑剤の量を前記の範囲に調整することにより、光学異方性層の脆化を抑制して、機械的強度を高めることができる。

塗工液は、例えば、任意の成分として、重合開始剤を含みうる。重合開始剤の種類は、塗工液中の重合性化合物が有する重合性基の種類に応じて適宜選択しうる。ここで、重合性化合物とは、重合性を有する化合物の総称である。中でも、光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤、カチオン重合開始剤などが挙げられる。市販の光重合開始剤の具体的な例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、商品名：商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９ＥＧ、及び商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２；ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９等が挙げられる。また、重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合開始剤の量は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。

塗工液は、任意の成分として、金属、金属錯体、染料、顔料、蛍光材料、燐光材料、レベリング剤、チキソ剤、ゲル化剤、多糖類、界面活性剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、抗酸化剤、イオン交換樹脂、酸化チタン等の金属酸化物等の任意の添加剤を含みうる。かかる任意の添加剤の割合は、位置選択的置換セルロースエステル１００重量部に対し、好ましくは、各々０．１重量部〜２０重量部である。

塗工液は、液晶性を示さないことが好ましい。液晶性を示さない塗工液を用いることにより、光学異方性層において位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物の分散を良好にできる。また、液晶性を有さない塗工液を用いることにより、乾燥風等の空気の揺らぎの影響による、メソゲン化合物の配向ムラの発生を抑制できる。

前記のような塗工液を用意した後で、この塗工液を支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程を行う。支持面としては、塗工液層を支持できる任意の面を用いうる。この支持面としては、光学異方性層の面状態を良好にする観点から、通常、凹部及び凸部の無い平坦面を用いる。前記の支持面としては、長尺の基材の表面を用いることが好ましい。長尺の基材を用いる場合、連続的に搬送される基材上に、塗工液を連続的に塗工することが可能である。よって、長尺の基材を用いることにより、光学異方性層を連続的に製造できるので、生産性を向上させることが可能である。

塗工液を基材上に塗工する場合、基材に適度の張力（通常、１００Ｎ／ｍ〜５００Ｎ／ｍ）を掛けて、基材の搬送ばたつきを少なくし、平面性を維持したまま塗布することが好ましい。平面性とは、基材の幅方向および搬送方向に垂直な上下方向の振れ量であり、理想的には０ｍｍであるが、通常、１ｍｍ以下である。

基材としては、通常、基材フィルムを用いる。基材フィルムとしては、光学的な積層体の基材として用いうるフィルムを、適切に選択して用いうる。中でも、基材フィルム及び光学異方性層を備える複層フィルムを光学フィルムとして利用可能にして、基材フィルムからの光学異方性層の剥離を不要にする観点から、基材フィルムとしては透明なフィルムが好ましい。具体的には、基材フィルムの全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８％以上である。

基材フィルムの材料は、特に限定されず、種々の樹脂を用いうる。樹脂の例としては、各種の重合体を含む樹脂が挙げられる。当該重合体としては、脂環式構造含有重合体、セルロースエステル、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ＵＶ透過アクリル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、エポキシ重合体、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート及びこれらの組み合わせが挙げられる。これらの中でも、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、脂環式構造含有重合体及びセルロースエステルが好ましく、脂環式構造含有重合体がより好ましい。

脂環式構造含有重合体は、繰り返し単位中に脂環式構造を有する重合体であり、通常は非晶質の重合体である。脂環式構造含有重合体としては、主鎖中に脂環式構造を含有する重合体及び側鎖に脂環式構造を含有する重合体のいずれも用いうる。
脂環式構造としては、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造等が挙げられるが、熱安定性等の観点からシクロアルカン構造が好ましい。
１つの脂環式構造の繰り返し単位を構成する炭素数に特に制限はないが、好ましくは４個以上、より好ましくは５個以上、特に好ましくは６個以上であり、好ましくは３０個以下、より好ましくは２０個以下、特に好ましくは１５個以下である。

脂環式構造含有重合体中の脂環式構造を有する繰り返し単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択されうるが、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造を有する繰り返し単位を前記のように多くすることにより、基材フィルムの耐熱性を高くできる。

脂環式構造含有重合体は、例えば、（１）ノルボルネン重合体、（２）単環の環状オレフィン重合体、（３）環状共役ジエン重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、透明性及び成形性の観点から、ノルボルネン重合体がより好ましい。

ノルボルネン重合体としては、例えば、ノルボルネンモノマーの開環重合体、ノルボルネンモノマーと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、及びそれらの水素添加物；ノルボルネンモノマーの付加重合体、ノルボルネンモノマーと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体などが挙げられる。これらの中でも、透明性の観点から、ノルボルネンモノマーの開環重合体水素添加物が特に好ましい。

上記の脂環式構造含有重合体は、例えば特開２００２−３２１３０２号公報等に開示されている公知の重合体から選ばれる。

脂環式構造含有重合体のガラス転移温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃〜２５０℃の範囲である。ガラス転移温度がこのような範囲にある脂環式構造含有重合体は、高温下での使用における変形及び応力を生じ難く、耐久性に優れる。

脂環式構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００〜１００，０００、より好ましくは２５，０００〜８０，０００、さらにより好ましくは２５，０００〜５０，０００である。重量平均分子量がこのような範囲にあるときに、基材フィルムの機械的強度及び成形加工性が高度にバランスされ好適である。前記の重量平均分子量は、溶媒としてシクロヘキサン（樹脂が溶解しない場合にはトルエン）を用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略す。）により、ポリイソプレン換算（溶媒がトルエンのときは、ポリスチレン換算）の値で測定しうる。

脂環式構造含有重合体の分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））は、好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３．５以下である。

基材フィルムの材質として脂環式構造含有重合体を含む樹脂を用いた場合の、基材フィルムの厚みは、生産性の向上、薄型化及び軽量化を容易にする観点から、好ましくは１μｍ〜１０００μｍ、より好ましくは５μｍ〜３００μｍ、特に好ましくは３０μｍ〜１００μｍである。

脂環式構造含有重合体を含む樹脂は、脂環式構造含有重合体のみからなってもよいが、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の配合剤を含んでもよい。脂環式構造含有重合体を含む樹脂中の、脂環式構造含有重合体の割合は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。
脂環式構造含有重合体を含む樹脂の好適な具体例としては、日本ゼオン社製「ゼオノア１４２０」、「ゼオノア１４２０Ｒ」を挙げうる。

セルロースエステルとしては、セルロースの低級脂肪酸エステル（例：セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレートおよびセルロースアセテートプロピオネート）が代表的である。低級脂肪酸は、１分子あたりの炭素原子数６以下の脂肪酸を意味する。セルロースアセテートには、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）及びセルロースジアセテート（ＤＡＣ）が含まれる。

セルロースアセテートの酢化度は、５０％〜７０％が好ましく、特に５５％〜６５％が好ましい。重量平均分子量７００００〜１２００００が好ましく、特に８００００〜１０００００が好ましい。また、上記セルロースアセテートは、酢酸だけでなく、一部プロピオン酸、酪酸等の脂肪酸でエステル化されていてもよい。また、基材フィルムを構成する樹脂は、セルロースアセテートと、セルロースアセテート以外のセルロースエステル（セルロースプロピオネート及びセルロースブチレート等）とを組み合わせて含んでもよい。その場合、これらのセルロースエステルの全体が、上記酢化度を満足することが好ましい。

基材フィルムとして、トリアセチルセルロースのフィルムを用いる場合、かかるフィルムとしては、トリアセチルセルロースを低温溶解法あるいは高温溶解法によってジクロロメタンを実質的に含まない溶媒に溶解することで調製されたトリアセチルセルロースドープを用いて作製されたトリアセチルセルロースフィルムが、環境保全の観点から特に好ましい。トリアセチルセルロースのフィルムは、共流延法により作製しうる。共流延法は、トリアセチルセルロースの原料フレーク及び溶媒並びに必要に応じて任意の添加剤を含む溶液（ドープ）を調製し、当該ドープをドープ供給器（ダイ）から支持体の上に流延し、流延物をある程度乾燥して剛性が付与された時点でフィルムとして支持体から剥離し、当該フィルムをさらに乾燥して溶媒を除去することにより行いうる。原料フレークを溶解する溶媒の例としては、ハロゲン化炭化水素溶媒（ジクロロメタン等）、アルコール溶媒（メタノール、エタノール、ブタノール等）、エステル溶媒（蟻酸メチル、酢酸メチル等）、エーテル溶媒（ジオキサン、ジオキソラン、ジエチルエーテル等）等が挙げられる。ドープが含む添加剤の例としては、レターデーション上昇剤、可塑剤、紫外線吸収剤、劣化抑制剤、滑り剤、剥離促進剤等が挙げられる。ドープを流延する支持体の例としては、水平式のエンドレスの金属ベルト、及び回転するドラムが挙げられる。流延に際しては、単一のドープを単層流延することもできるが、複数の層を共流延することもできる。複数の層を共流延する場合、例えば、低濃度のセルロースエステルドープの層と、そのおもて面及び裏面に接して設けられた高濃度のセルロースエステルドープの層が形成されるよう、複数のドープを順次流延しうる。フィルムを乾燥して溶媒を除去する方法の例としては、フィルムを搬送して、内部を乾燥に適した条件に設定した乾燥部を通過させる方法が挙げられる。

トリアセチルセルロースのフィルムの好ましい例としては、富士写真フィルム社製「ＴＡＣ−ＴＤ８０Ｕ」、及び、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号にて公開されたものが挙げられる。トリアセチルセルロースのフィルムの厚みは特に限定されないが、２０μｍ〜１５０μｍが好ましく、４０μｍ〜１３０μｍがより好ましく、７０μｍ〜１２０μｍが更に好ましい。

塗工液の塗工方法の例としては、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、キャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。塗工される塗工液の厚みは、光学異方性層に求められる所望の厚さに応じて適切に設定しうる。

塗工液を支持面上に塗工して塗工液層を得た後で、塗工液層を乾燥させる工程を行う。乾燥により、塗工液層から溶媒が除去されて、光学異方性層が得られる。乾燥方法としては、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥、自然乾燥など、任意の乾燥方法を採用しうる。

上述した光学異方性層の製造方法は、位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物を組み合わせて含む塗工液を塗工し、乾燥するというシンプルな操作によって、光学異方性層を製造できる。そのため、特許文献１に記載のような配向膜が不要である。したがって、逆波長分散液晶と配向膜との相性の調整、配向膜の形成、といった操作が必要ないので、光学異方性層を容易に製造できる。

さらに、位置選択的置換セルロースエステル及びメソゲン化合物を組み合わせて含む塗工液は、乾燥の際、空気の揺らぎの影響による、メソゲン化合物の配向ムラの発生を抑制できる。そのため、面内方向の広い範囲において配向状態が均一な光学異方性層を容易に得ることができるので、面状態に優れる光学異方性層を得やすい。よって、光学異方性層の配向ムラによる白濁を抑制することが可能である。

光学異方性層の製造方法は、上述した工程に加えて、更に任意の工程を含みうる。例えば、光学異方性層の製造方法は、乾燥後に得られた光学異方性層において、メソゲン化合物の配向状態を固定する工程を行ってもよい。この工程では、通常、メソゲン化合物を重合させることにより、メソゲン化合物の配向状態を固定する。

メソゲン化合物の重合は、重合性化合物及び重合開始剤等の、塗工液が含む成分の性質に適合した方法を適切に選択しうる。例えば、光を照射する方法が好ましい。ここで、照射される光には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光が含まれうる。なかでも、操作が簡便なことから、紫外線を照射する方法が好ましい。紫外線照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１０００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２〜６００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲である。紫外線照射時間は、好ましくは１秒〜３００秒の範囲、より好ましくは５秒〜１００秒の範囲である。紫外線積算光量（ｍＪ／ｃｍ^２）は、紫外線照射強度（ｍＷ／ｃｍ^２）×照射時間（秒）で求められる。紫外線照射光源としては、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、低圧水銀灯を用いることができる。メソゲン化合物の重合は、窒素雰囲気下等の不活性ガス雰囲気下で行ったほうが、残留モノマー割合が低減される傾向にあるので、好ましい。

また、光学異方性層の製造方法は、例えば、光学異方性層を基材から剥離する工程を含んでいてもよい。

［２．光学異方性転写体］
本発明の光学異方性転写体は、基材と、上述した光学異方性層とを備える。ここで、光学異方性転写体とは、複数の層を含む部材であって、かかる複数の層のうち一部の層を転写して、かかる一部の層を含む製品の製造に供するものである。本発明の光学異方性転写体においては、光学異方性層が、前記の製品の製造に供される。

基材としては、光学異方性層の製造方法において説明した基材と同様のものを用いうる。中でも、基材としては、剥離可能なものが好ましい。このような基材を備える光学異方性転写体は、基材を用いた前記の光学異方性層の製造方法を行うことにより、製造しうる。

光学異方性転写体は、光学フィルムの製造に用いうる。例えば、光学異方性転写体の光学異方性層と樹脂フィルムとを貼り合わせた後、基材を剥離することにより、光学異方性層及び樹脂フィルムを備えた光学フィルムを製造できる。

［３．光学異方性積層体］
本発明の光学異方性積層体は、上述した光学異方性層と、位相差層とを備える。

〔３．１．光学異方性積層体における光学異方性層〕
光学異方性積層体の光学異方性層としては、上述したものを用いる。ただし、光学異方性積層体においては、波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ５９０）、及び、波長５９０ｎｍにおける光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５９０）が、下記式（Ｅ８）及び（Ｅ９）を満たすことが好ましい。
Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ （Ｅ８）
−２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ５９０）≦−１０ｎｍ （Ｅ９）

前記式（Ｅ８）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ａ５９０）は、好ましくは０ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは０ｎｍ〜５ｎｍ、特に好ましくは０ｎｍ〜２ｎｍである。Ｒｅ（Ａ５９０）が前記の範囲に収まることにより、光学異方性積層体を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができる。

また、前記式（Ｅ９）を詳細に説明すると、Ｒｔｈ（Ａ５９０）は、好ましくは−２００ｎｍ以上、より好ましくは−１７０ｎｍ以上であり、特に好ましくは−１５０ｎｍ以上であり、好ましくは−１０ｎｍ以下、より好ましくは−４０ｎｍ以下、特に好ましくは−５０ｎｍ以下である。このようなＲｔｈ（Ａ５９０）を有する光学異方性層を備えた光学異方性積層体は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過させたりする機能を、効果的に発揮できる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を効果的に高めることができる。

〔３．２．光学異方性積層体における位相差層〕
（３．２．１．位相差層の光学特性）
位相差層は、その屈折率ｎｘ（Ｂ）、ｎｙ（Ｂ）及びｎｚ（Ｂ）が、ｎｘ（Ｂ）＞ｎｙ（Ｂ）≧ｎｚ（Ｂ）を満たす層である。ここで、ｎｘ（Ｂ）は、位相差層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表し、ｎｙ（Ｂ）は、位相差層の面内方向であって前記ｎｘ（Ｂ）の方向に垂直な方向の屈折率を表し、ｎｚ（Ｂ）は、位相差層の厚み方向の屈折率を表す。このような位相差層を備える光学異方性積層体は、直線偏光子と組み合わせることによって円偏光板を製造できる。この円偏光板は、画像表示装置の表示面に設けることにより、表示面を正面方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできるので、画像の視認性を高めることが可能である。

中でも、位相差層の屈折率ｎｙ（Ｂ）と屈折率ｎｚ（Ｂ）とは、値が同じであるか近いことが好ましい。具体的には、屈折率ｎｙ（Ｂ）と屈折率ｎｚ（Ｂ）の差の絶対値｜ｎｙ（Ｂ）−ｎｚ（Ｂ）｜は、好ましくは０．０００００〜０．００１００、より好ましくは０．０００００〜０．０００５０、特に好ましくは０．０００００〜０．０００２０である。屈折率差の絶対値｜ｎｙ（Ｂ）−ｎｚ（Ｂ）｜が前記の範囲に収まることにより、光学異方性積層体を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができる。

波長５９０ｎｍにおける位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ５９０）は、下記式（Ｅ７）を満たすことが好ましい。
１１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｂ５９０）≦１７０ｎｍ （Ｅ７）

前記式（Ｅ７）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ｂ５９０）は、好ましくは１１０ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上、特に好ましくは１３０ｎｍ以上であり、好ましくは１７０ｎｍ以下、より好ましくは１６０ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ以下である。このようなＲｅ（Ｂ５９０）を有する位相差層を備えた光学異方性積層体は、直線偏光子と組み合わせて円偏光板を得ることができる。この円偏光板を画像表示装置の表示面に設けることにより、表示面を正面方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできるので、画像の視認性を高めることが可能である。

波長４５０ｎｍにおける位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ４５０）、波長５５０ｎｍにおける位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ６５０）は、下記の式（Ｅ５）及び（Ｅ６）を満たすことが好ましい。
０．７５＜Ｒｅ（Ｂ４５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）＜１．００ （Ｅ５）
１．０１＜Ｒｅ（Ｂ６５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）＜１．２５ （Ｅ６）

前記式（Ｅ５）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ｂ４５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）は、好ましくは０．７５より大きく、より好ましくは０．７８より大きく、特に好ましくは０．８０より大きく、また、好ましくは１．００未満、より好ましくは０．９５未満、特に好ましくは０．９０未満である。

前記式（Ｅ６）を詳細に説明すると、Ｒｅ（Ｂ６５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）は、好ましくは１．０１より大きく、好ましくは１．０２より大きく、特に好ましくは１．０４より大きく、また、好ましくは１．２５未満、より好ましくは１．２２未満、特に好ましくは１．１９未満である。

前記の式（Ｅ５）及び式（Ｅ６）を満たす面内レターデーションＲｅ（Ｂ４５０）、Ｒｅ（Ｂ５５０）及びＲｅ（Ｂ６５０）を有する位相差層は、その面内レターデーションＲｅが逆波長分散性を示す。このように面内レターデーションＲｅが逆波長分散性を示す位相差層を備える光学異方性積層体は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の正面方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光に偏光サングラスを透過させたりする機能を、広い波長範囲において発揮できる。そのため、表示面に表示される画像の視認性を、特に効果的に向上させることができる。

位相差層の面内の遅相軸方向は、任意であり、光学異方性積層体の用途に応じて任意に設定しうる。中でも、光学異方性積層体が長尺のフィルムである場合、位相差層の遅相軸とフィルム幅方向とがなす角度は、０°超９０°未満であることが好ましい。また、ある態様において、位相差層の面内の遅相軸とフィルム幅方向とがなす角度は、好ましくは１５°±５°、２２．５°±５°、４５°±５°、又は７５°±５°、より好ましくは１５°±４°、２２．５°±４°、４５°±４°、又は７５°±４°、さらにより好ましくは１５°±３°、２２．５°±３°、４５°±３°、又は７５°±３°といった特定の範囲としうる。このような角度関係を有することにより、長尺の直線偏光子に光学異方性積層体をロールツーロールで貼り合わせて、円偏光板の効率的な製造が可能となる。

位相差層の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは９０％以上である。また、位相差層のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下であり、理想的には０％である。

（３．２．２．位相差層としての延伸フィルム層）
前記のような位相差層としては、延伸フィルム層を用いうる。位相差層として延伸フィルム層を用いる場合、当該延伸フィルム層は、光学異方性層の製造方法において説明した基材フィルムの材料である樹脂を含みうる。このような樹脂を含むフィルム層は、延伸処理を施すことにより、レターデーション等の光学特性を発現しうる。中でも、前記の延伸フィルム層は、脂環式構造含有重合体を含むことが好ましい。

延伸フィルム層の延伸方向は、任意である。よって、延伸方向は、長手方向でもよく、幅方向でもよく、斜め方向でもよい。さらに、これらの延伸方向のうち、２以上の方向に延伸が施されていてもよい。ここで、斜め方向とは、フィルムの面内方向であって、長手方向及び幅方向のいずれとも非平行な方向をいう。

中でも、延伸フィルム層は、斜め延伸フィルム層であることが好ましい。すなわち、延伸フィルム層は、長尺のフィルムであり、且つフィルムの長手方向及び幅方向のいずれとも非平行な方向に延伸されたフィルムであることが好ましい。斜め延伸フィルム層である場合の、フィルム幅方向と延伸方向とがなす角度は、具体的には０°超９０°未満としうる。このような斜め延伸フィルム層を位相差層として用いることにより、長尺の直線偏光子に光学異方性積層体をロールツーロールで貼り合わせて、円偏光板の効率的な製造が可能となる。

延伸方向とフィルム幅方向とがなす角度は、好ましくは１５°±５°、２２．５±５°、４５°±５°、又は７５°±５°、より好ましくは１５°±４°、２２．５°±４°、４５°±４°、又は７５°±４°、さらにより好ましくは１５°±３°、２２．５°±３°、４５°±３°、又は７５°±３°といった特定の範囲としうる。このような角度関係を有することにより、光学異方性積層体を、円偏光板の効率的な製造を可能にする材料とすることができる。

さらに、前記の延伸フィルム層は、複数の層を含む複層構造を有することが好ましい。複層構造を有する延伸フィルム層は、延伸フィルム層に含まれる各層の機能の組み合わせによって、多様な特性を発揮できる。例えば、延伸フィルム層は、重合体を含む樹脂からなる第一外側層、重合体及び紫外線吸収剤を含む樹脂からなる中間層、及び、重合体を含む樹脂からなる第二外側層を、この順に備えることが好ましい。この際、各層に含まれる重合体は、異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。このような第一外側層、中間層及び第二外側層を備える延伸フィルム層は、紫外線の透過を抑制できる。また、中間層の両側に第一外側層及び第二外側層が設けられているので、紫外線吸収剤のブリードアウトを抑制できる。

中間層に含まれる樹脂における紫外線吸収剤の量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは４重量％以上、特に好ましくは５重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１８重量％以下、特に好ましくは１６重量％以下である。紫外線吸収剤の量が、前記範囲の下限値以上であることにより、紫外線の透過を妨げる延伸フィルム層の能力を特に高めることができ、前記範囲の上限値以下であることにより、延伸フィルム層の可視光に対する透明性を高めることができる。

中間層の厚みは、「中間層の厚み」／「延伸フィルム層全体の厚み」で表される比が、所定の範囲に収まるように設定することが好ましい。前記の所定の範囲は、好ましくは１／３以上、より好ましくは１／４以上、特に好ましくは１／５以上であり、好ましくは８０／８２以下、より好ましくは７９／８２以下、特に好ましくは７８／８２以下である。前記の比が、前記範囲の下限値以上であることにより、紫外線の透過を妨げる延伸フィルム層の能力を特に高めることができ、前記範囲の上限値以下であることにより、延伸フィルム層の厚みを薄くできる。

位相差層としての延伸フィルム層の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１３μｍ以上、特に好ましくは１５μｍ以上であり、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは５８μｍ以下、特に好ましくは５５μｍ以下である。延伸フィルム層の厚みが、前記範囲の下限値以上であることにより所望のレターデーションの発現ができ、また、前記範囲の上限値以下であることにより薄膜化ができる。

延伸フィルム層は、例えば、延伸前フィルム層を用意する工程と、用意した延伸前フィルム層を延伸する工程と、を含む方法により、製造しうる。

延伸前フィルム層は、例えば、適切な成形方法によって延伸フィルム層の材料となる樹脂を成形することにより、製造しうる。成形方法としては、例えば、キャスト成形法、押出成形法、インフレーション成形法などが挙げられる。中でも、溶媒を使用しない溶融押出法が、残留揮発成分量を効率よく低減させることができ、地球環境及び作業環境の観点、並びに製造効率に優れる観点から好ましい。溶融押出法としては、ダイスを用いるインフレーション法などが挙げられ、中でも生産性や厚み精度に優れる点でＴダイを用いる方法が好ましい。

複層構造を有する延伸フィルム層を製造する場合、通常は、延伸前フィルム層として、複層構造を有するものを用意する。このように複層構造を有する延伸前フィルム層は、例えば、共押出法及び共流延法などの成形方法によって、複層構造に含まれる各層に対応する樹脂を成形することで製造しうる。これらの成形方法の中でも、共押出法は、製造効率に優れ、フィルム中に揮発性成分を残留させ難いので、好ましい。共押出法としては、例えば、共押出Ｔダイ法、共押出インフレーション法、共押出ラミネーション法等が挙げられる。中でも、共押出Ｔダイ法が好ましい。共押出Ｔダイ法には、フィードブロック方式及びマルチマニホールド方式があり、厚みのばらつきを少なくできる点で、マルチマニホールド方式が特に好ましい。

前記のように樹脂を成形することにより、長尺の延伸前フィルムが得られる。この延伸前フィルムを延伸することにより、延伸フィルム層が得られる。延伸は、通常、延伸前フィルムを長手方向に搬送しながら、連続的に行う。この際、延伸方向は、フィルムの長手方向でもよく、幅方向でもよいが、斜め方向であることが好ましい。また、延伸は、延伸方向以外に拘束力の加わらない自由一軸延伸であってもよく、延伸方向以外にも拘束力が加わる延伸であってもよい。これらの延伸は、ロール延伸機、テンター延伸機等の任意の延伸機を用いて行いうる。

延伸倍率は、好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．１５倍以上、特に好ましくは１．２倍以上であり、好ましくは３．０倍以下、より好ましくは２．８倍以下、特に好ましくは２．６倍以下である。延伸倍率を前記範囲の下限値以上にすることにより、延伸方向の屈折率を大きくできる。また、上限値以下にすることにより、延伸フィルム層の遅相軸方向を容易に制御することができる。

延伸温度は、好ましくはＴｇ−５℃以上、より好ましくはＴｇ−２℃以上、特に好ましくはＴｇ℃以上であり、好ましくはＴｇ＋４０℃以下、より好ましくはＴｇ＋３５℃以下、特に好ましくはＴｇ＋３０℃以下である。ここで「Ｔｇ」は、延伸前フィルム層に含まれる重合体のガラス転移温度のうち、最も高い温度を表す。延伸温度を前記の範囲にすることにより、延伸前フィルム層に含まれる分子を確実に配向させることができるので、所望の光学特性を有する位相差層として機能できる延伸フィルム層を、容易に得ることができる。

（３．２．３．位相差層としての液晶層）
前記のような位相差層としては、配向状態が固定されていてもよい液晶化合物を含む層を用いうる。本願においては、このような位相差層を形成するための液晶化合物を、「位相差層用液晶化合物」という場合がある。また、このような層を、単に「液晶層」という場合がある。位相差層用液晶化合物としては、ホモジニアス配向した前記の逆波長分散液晶化合物を用いることが好ましい。これにより、光学異方性層の項において説明したのと同様の利点を、位相差層においても得ることができる。中でも、液晶層を形成するための材料は、下記式（II）で表される液晶化合物を含むことが、特に好ましい。

前記式（II）において、Ｙ^１〜Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^５、Ｑ^１、及びｍは、式（Ｉ）における意味と同様の意味を表す。よって、式（II）で表される液晶化合物は、式（Ｉ）で表される液晶化合物と同様の化合物を表す。

位相差層としての液晶層の厚みは、特に限定されず、レターデーションなどの特性を所望の範囲とできるように適切に調整しうる。液晶層の具体的な厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。

位相差層としての液晶層は、例えば、位相差層用液晶化合物を含む液晶組成物を用意する工程；支持体上に液晶組成物を塗工して、液晶組成物の層を得る工程；及び、液晶組成物の層に含まれる位相差層用液晶化合物を配向させる工程；を含む方法によって、製造しうる。

液晶組成物を用意する工程では、通常、位相差層用液晶化合物と、必要に応じて用いられる任意の成分とを混合して、液晶組成物を得る。

液晶組成物は、任意の成分として、重合性モノマーを含みうる。「重合性モノマー」とは、重合能を有しモノマーとして働きうる化合物のうち、特に、上述した位相差層用液晶化合物以外の化合物をいう。重合性モノマーとしては、例えば、１分子当たり１以上の重合性基を有するものを用いうる。重合性モノマーが１分子当たり２以上の重合性基を有する架橋性モノマーである場合、架橋的な重合を達成することができる。かかる重合性基の例としては、化合物（Ｉ）中の基Ｚ^１−Ｙ^７−及びＺ^２−Ｙ^８−と同様の基を挙げることができ、より具体的には例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基を挙げることができる。また、重合性モノマーは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
液晶組成物において、重合性モノマーの割合は、位相差層用液晶化合物１００重量部に対し、好ましくは１重量部〜１００重量部、より好ましくは５重量部〜５０重量部である。

液晶組成物は、任意の成分として、光重合開始剤を含みうる。重合開始剤としては、例えば、光学異方性層の製造のための塗工液が含みうる重合開始剤と同様のものが挙げられる。また、重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
液晶組成物において、重合開始剤の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは０．１重量部〜３０重量部、より好ましくは０．５重量部〜１０重量部である。

液晶組成物は、任意の成分として、界面活性剤を含みうる。界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤が好ましい。ノニオン系界面活性剤としては、市販品を用いうる。例えば、分子量が数千程度のオリゴマーであるノニオン系界面活性剤を用いうる。これらの界面活性剤の具体例としては、ＯＭＮＯＶＡ社ＰｏｌｙＦｏｘの「ＰＦ−１５１Ｎ」、「ＰＦ−６３６」、「ＰＦ−６３２０」、「ＰＦ−６５６」、「ＰＦ−６５２０」、「ＰＦ−３３２０」、「ＰＦ−６５１」、「ＰＦ−６５２」；ネオス社フタージェントの「ＦＴＸ−２０９Ｆ」、「ＦＴＸ−２０８Ｇ」、「ＦＴＸ−２０４Ｄ」、「６０１ＡＤ」；セイミケミカル社サーフロンの「ＫＨ−４０」、「Ｓ−４２０」等を用いることができる。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
液晶組成物において、界面活性剤の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは０．０１重量部〜１０重量部、より好ましくは０．１重量部〜２重量部である。

液晶組成物は、任意の成分として、溶媒を含みうる。溶媒としては、例えば、光学異方性層の製造のための塗工液が含みうる溶媒と同様のものが挙げられる。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
液晶組成物において、溶媒の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは１００重量部〜１０００重量部である。

液晶組成物は、さらに、任意の成分として、金属、金属錯体、染料、顔料、蛍光材料、燐光材料、レベリング剤、チキソ剤、ゲル化剤、多糖類、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、抗酸化剤、イオン交換樹脂、酸化チタン等の金属酸化物等の添加剤を含みうる。かかる添加剤の割合は、重合性化合物１００重量部に対し、好ましくは、各々０．１重量部〜２０重量部である。

前記のような液晶組成物を用意した後で、この液晶組成物を、支持体上に塗工して、液晶組成物の層を得る工程を行う。支持体としては、長尺の支持体を用いることが好ましい。長尺の支持体を用いる場合、連続的に搬送される支持体上に、液晶組成物を連続的に塗工することが可能である。よって、長尺の支持体を用いることにより、位相差層としての液晶層を連続的に製造できるので、生産性を向上させることが可能である。

液晶組成物を支持体上に塗工する場合、支持体に適度の張力（通常、１００Ｎ／ｍ〜５００Ｎ／ｍ）を掛けて、支持体の搬送ばたつきを少なくし、平面性を維持したまま塗布することが好ましい。平面性とは、支持体の幅方向および搬送方向に垂直な上下方向の振れ量であり、理想的には０ｍｍであるが、通常、１ｍｍ以下である。

支持体としては、通常、支持体フィルムを用いる。支持体フィルムとしては、光学的な積層体の支持体として用いうるフィルムを、適切に選択して用いうる。中でも、支持体フィルム、位相差層及び光学異方性層を備える光学異方性積層体を光学フィルムとして利用可能にして、支持体フィルムの剥離を不要にする観点から、支持体フィルムとしては透明なフィルムが好ましい。具体的には、支持体フィルムの全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８％以上である。

支持体フィルムの材料は、特に限定されず、種々の樹脂を用いうる。樹脂の例としては、光学異方性層の形成に用いうる基材の材料として説明した重合体を含む樹脂が挙げられる。これらの中でも、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性の観点から、樹脂が含む重合体としては、脂環式構造含有重合体及びセルロースエステルが好ましく、脂環式構造含有重合体がより好ましい。

支持体としては、配向規制力を有するものを用いうる。支持体の配向規制力とは、支持体の上に塗工された液晶組成物中の位相差層用液晶化合物を配向させうる、支持体の性質をいう。

配向規制力は、支持体の材料となるフィルム等の部材に、配向規制力を付与する処理を施すことにより付与しうる。かかる処理の例としては、延伸処理及びラビング処理が挙げられる。

好ましい態様において、支持体は延伸フィルムである。かかる延伸フィルムとすることにより、延伸方向に応じた配向規制力を有する支持体としうる。

延伸フィルムの延伸方向は、任意である。よって、延伸方向は、長手方向でもよく、幅方向でもよく、斜め方向でもよい。さらに、これらの延伸方向のうち、２以上の方向に延伸が施されていてもよい。延伸倍率は、支持体の表面に配向規制力が生じる範囲で適宜設定しうる。支持体の材料が正の固有複屈折値を有する樹脂である場合、延伸方向に分子が配向して延伸方向に遅相軸が発現する。延伸は、テンター延伸機などの既知の延伸機を用いて行いうる。

更に好ましい態様において、支持体は斜め延伸フィルムである。支持体が斜め延伸フィルムである場合の、延伸方向と延伸フィルムの幅方向とがなす角度は、具体的には０°超９０°未満としうる。このような斜め延伸フィルムを支持体として用いることにより、光学異方性積層体を、円偏光板の効率的な製造を可能にする材料とすることができる。

また、ある態様において、延伸方向と延伸フィルムの幅方向とがなす角度を、好ましくは１５°±５°、２２．５±５°、４５°±５°、又は７５°±５°、より好ましくは１５°±４°、２２．５°±４°、４５°±４°、又は７５°±４°、さらにより好ましくは１５°±３°、２２．５°±３°、４５°±３°、又は７５°±３°といった特定の範囲としうる。このような角度関係を有することにより、光学異方性積層体を、円偏光板の効率的な製造を可能にする材料とすることができる。

液晶組成物の塗工方法の例としては、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、キャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。塗工される液晶組成物の層の厚みは、位相差層としての液晶層に求められる所望の厚さに応じて適切に設定しうる。

支持体上に液晶組成物を塗工して液晶組成物の層を得た後で、液晶組成物の層に含まれる位相差層用液晶化合物を配向させる工程を行う。これにより、液晶組成物の層に含まれる位相差層用液晶化合物は、支持体の配向規制力に応じた配向方向に配向する。例えば、支持体として延伸フィルムを用いた場合、延伸フィルムの延伸方向と平行に、液晶組成物の層に含まれる位相差層用液晶化合物が配向する。

位相差層用液晶化合物の配向は、塗工により直ちに達成される場合もありえるが、必要に応じて、塗工の後に、加温などの配向処理を施すことにより達成される場合もありえる。配向処理の条件は、使用する液晶組成物の性質に応じて適宜設定しうるが、例えば、５０℃〜１６０℃の温度条件において３０秒間〜５分間処理する条件としうる。

上述したように液晶組成物の層において位相差層用液晶化合物を配向させることで、液晶組成物の層において所望の光学特性が発現するので、位相差層として機能しうる液晶層が得られる。

上述した位相差層としての液晶層の製造方法は、更に、任意の工程を含みうる。液晶層の製造方法は、例えば、液晶組成物の層又は液晶層を乾燥させる工程を行なってもよい。かかる乾燥は、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の乾燥方法で達成しうる。

また、位相差層としての液晶層の製造方法は、例えば、液晶組成物に含まれる位相差層用液晶化合物を配向させた後で、位相差層用液晶化合物の配向状態を固定する工程を行ってもよい。この工程では、通常、位相差層用液晶化合物を重合させることにより、位相差層用液晶化合物の配向状態を固定する。また、位相差層用液晶化合物を重合させることにより、液晶層の剛性を高めて、機械的強度を向上させることができる。

位相差層用液晶化合物の重合は、液晶組成物の成分の性質に適合した方法を適切に選択しうる。例えば、光を照射する方法が好ましい。なかでも、操作が簡便なことから、紫外線を照射する方法が好ましい。紫外線照射強度、紫外線照射時間、紫外線積算光量、及び、紫外線照射光源などの照射条件は、光学異方性層の製造方法における照射条件と同様の範囲に調整しうる。

重合の際、位相差層用液晶化合物は、通常、その分子の配向を維持したままで重合する。よって、前記の重合により、重合前の液晶組成物に含まれていた位相差層用液晶化合物の配向方向と平行な方向に配向した位相差層用液晶化合物の重合体を含む液晶層が得られる。したがって、例えば、支持体として延伸フィルムを用いた場合には、延伸フィルムの延伸方向と平行な配向方向を有する液晶層を得ることができる。ここで平行とは、延伸フィルムの延伸方向と位相差層用液晶化合物の重合体の配向方向のズレが、通常±３°、好ましくは±１°、理想的には０°をいう。

上述した製造方法で製造された位相差層としての液晶層において、位相差層用液晶化合物から得られた重合体の分子は、好ましくは、支持体フィルムに対して水平配向した配向規則性を有する。例えば、支持体フィルムとして配向規制力を有するものを用いた場合、液晶層において位相差層用液晶化合物の重合体の分子を水平配向させることができる。ここで、位相差層用液晶化合物の重合体の分子が支持体フィルムに対して「水平配向」するとは、重合体が含む位相差層用液晶化合物由来の構造単位のメソゲン骨格の長軸方向の平均方向が、フィルム面と平行又は平行に近い（例えばフィルム面となす角度が５°以内）、ある一の方向に配向することをいう。位相差層用液晶化合物として式（II）で表される化合物を用いた場合のように、液晶層中に、配向方向の異なる複数種類のメソゲン骨格が存在する場合は、通常、それらのうち最も長い種類のメソゲン骨格の長軸方向が配向する方向が、当該配向方向となる。

さらに、位相差層としての液晶層の製造方法は、液晶層を得た後で、支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。

〔３．３．光学異方性積層体における任意の層〕
光学異方性積層体は、光学異方性層及び位相差層に組み合わせて、更に任意の層を備えうる。任意の層としては、例えば、接着層、ハードコート層等が挙げられる。

〔３．４．光学異方性積層体の製造方法〕
光学異方性積層体は、例えば、下記の製造方法１又は２によって製造しうる。

・製造方法１：
位相差層を製造する工程と、
前記位相差層を基材として用いて、上述した光学異方性層の製造方法を行うことにより、位相差層上に光学異方性層を形成して、光学異方性積層体を得る工程と、を含む、製造方法。

製造方法１のように位相差層上に塗工液を塗工した場合は、塗工液層の乾燥によって、位相差層上に光学異方性層が形成されて、光学異方性積層体が得られる。

・製造方法２：
位相差層を製造する工程と、
光学異方性転写体を製造する工程と、
光学異方性転写体の光学異方性層と、位相差層とを、貼り合わせて、光学異方性積層体を得る工程と、
光学異方性転写体の基材を剥離する工程と、を含む、製造方法。

製造方法２のように、光学異方性層と位相差層とを貼り合わせて光学異方性積層体を製造する場合、貼り合わせには、適切な接着剤を用いうる。この接着剤としては、例えば、後述する偏光板において用いるのと同様の接着剤を用いうる。

また、前記の光学異方性積層体の製造方法は、上述した工程に加えて、任意の工程を含んでいてもよい。例えば、前記の製造方法は、ハードコート層等の任意の層を設ける工程、を含んでいてもよい。

［４．偏光板］
本発明の偏光板は、直線偏光子と、上述した光学異方性層、光学異方性転写体又は光学異方性積層体と、を備える。このような偏光板は、画像表示装置に設けることにより、画像表示装置を傾斜方向から見た場合の画像の視認性を高めることができる。

直線偏光子としては、液晶表示装置、及びその他の光学装置等の装置に用いられている既知の直線偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるフィルム；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるフィルム；が挙げられる。また、直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの、偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうち、直線偏光子としては、ポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。この直線偏光子の偏光度は特に限定されないが、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。
また、直線偏光子の厚みは、好ましくは５μｍ〜８０μｍである。

偏光板は、更に、直線偏光子と、光学異方性層、光学異方性転写体又は光学異方性積層体とを貼り合わせるための、接着層を備えていてもよい。接着層としては、硬化性接着剤を硬化させてなる層を用いうる。硬化性接着剤としては、熱硬化性接着剤を用いてもよいが、光硬化性接着剤を用いることが好ましい。光硬化性接着剤としては、重合体又は反応性の単量体を含んだものを用いうる。また、接着剤は、必要に応じて溶媒、光重合開始剤、その他の添加剤等を含みうる。

光硬化性接着剤は、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光を照射すると硬化しうる接着剤である。中でも、操作が簡便なことから、紫外線で硬化しうる接着剤が好ましい。

接着層の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。接着層の厚みを前記範囲内とすることにより、光学異方性層の光学的性質を損ねずに、良好な接着を達成しうる。

また、偏光板が光学異方性積層体を備える場合、その偏光板は、円偏光板として機能しうる。このような円偏光板は、直線偏光子、光学異方性層及び位相差層を、この順で備えていてもよい。また、このような円偏光板は、直線偏光子、位相差層及び光学異方性層を、この順で備えていてもよい。

前記のような円偏光板において、直線偏光子の偏光吸収軸に対して位相差層の遅相軸がなす角度は、４５°またはそれに近い角度であることが好ましく、具体的には、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°である。

上述した偏光板は、更に、任意の層を含みうる。任意の層としては、例えば、偏光子保護フィルム層が挙げられる。偏光子保護フィルム層としては、任意の透明フィルム層を用いうる。中でも、透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性等に優れる樹脂のフィルム層が好ましい。そのような樹脂としては、トリアセチルセルロース等のアセテート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、鎖状オレフィン樹脂、環式オレフィン樹脂、（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。さらに、偏光板が含みうる任意の層としては、例えば、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、フィルムの滑り性を良くするマット層、反射抑制層、防汚層等が挙げられる。これらの任意の層は、１層だけを設けてもよく、２層以上を設けてもよい。

偏光板は、直線偏光子と、光学異方性層、光学異方性転写体又は光学異方性積層体とを、必要に応じて接着剤を用いて、貼り合わせることによって、製造しうる。

［５．画像表示装置］
本発明の画像表示装置は、画像表示素子と、上述した本発明の偏光板とを備える。画像表示装置において、偏光板は、通常、画像表示素子の視認側に設けられる。この際、偏光板の向きは、その偏光板の用途に応じて任意に設定しうる。よって、画像表示装置は、光学異方性層、光学異方性転写体又は光学異方性積層体と；偏光子と；画像表示素子と；を、この順に備えていてもよい。また、画像表示装置は、偏光子と；光学異方性層、光学異方性転写体又は光学異方性積層体と；画像表示素子と；を、この順に備えていてもよい。

画像表示装置としては、画像表示素子の種類に応じて様々なものがあるが、代表的な例としては、画像表示素子として液晶セルを備える液晶表示装置、及び、画像表示素子として有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置が挙げられる。
以下、画像表示装置の好ましい実施形態について、図面を示して説明する。

図１は、本発明の第一実施形態に係る画像表示装置としての有機ＥＬ表示装置１００を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、画像表示素子としての有機ＥＬ素子１１０；位相差層１２１及び光学異方性層１２２を備える光学異方性積層体１２０；並びに、直線偏光子１３０を、この順に備える。図１には、有機ＥＬ素子１１０側から位相差層１２１及び光学異方性層１２２がこの順に設けられた例を示したが、逆に、有機ＥＬ素子１１０側から光学異方性層１２２及び位相差層１２１がこの順に設けられていてもよい。

有機ＥＬ表示装置１００において、位相差層１２１は、直線偏光子１３０の偏光吸収軸に対して位相差層１２１の遅相軸がなす角度が、４５°またはそれに近い角度（例えば、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°）となるように設けられる。これにより、位相差層１２１と直線偏光子１３０との組み合わせによって、円偏光板の機能が発現して、外光の反射による表示面１００Ｕのぎらつきを抑制できる。

具体的には、装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子１３０を通過し、次にそれが位相差層１２１を含む光学異方性積層体１２０を通過することにより、円偏光となる。円偏光は、表示装置内の光を反射する構成要素（有機ＥＬ素子１１０中の反射電極（図示せず）等）により反射され、再び光学異方性積層体１２０を通過することにより、入射した直線偏光の振動方向と直交する振動方向を有する直線偏光となり、直線偏光子１３０を通過しなくなる。ここで、直線偏光の振動方向とは、直線偏光の電場の振動方向を意味する。これにより、反射抑制の機能が達成される（有機ＥＬ表示装置における反射抑制の原理は、特開平９-１２７８８５号公報参照）。

さらに、有機ＥＬ表示装置１００は、光学異方性積層体１２０がポジティブＣフィルムとして機能しうる光学異方性層１２２を備えるので、前記の反射抑制の機能を、表示面１００Ｕの正面方向だけでなく、傾斜方向においても発揮できる。さらに、光学異方性層１２２は、その厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示すので、広い波長範囲の光の反射を抑制することが可能である。さらに、厚み方向のレターデーションが順波長分散性を示すポジティブＣフィルムを用いた有機ＥＬ表示装置に比べて、表示面１００Ｕの傾斜方向から見た場合の反射光の色味変化を抑制できる。したがって、有機ＥＬ表示装置１００は、表示面１００Ｕの正面方向及び傾斜方向の両方において外光の反射を効果的に抑制して、画像の視認性を高めることが可能である。

図２は、本発明の第二実施形態に係る画像表示装置としての有機ＥＬ表示装置２００を模式的に示す断面図である。
図２に示すように、有機ＥＬ表示装置２００は、画像表示素子としての有機ＥＬ素子２１０；λ／４波長板２２０；直線偏光子２３０；並びに、位相差層２４１及び光学異方性層２４２を備える光学異方性積層体２４０；を、この順に備える。図２には、有機ＥＬ素子２１０側から位相差層２４１及び光学異方性層２４２がこの順に設けられた例を示したが、逆に、有機ＥＬ素子２１０側から光学異方性層２４２及び位相差層２４１がこの順に設けられていてもよい。

λ／４波長板２２０としては、直線偏光子２３０を透過した直線偏光を円偏光に変換しうる部材を用いうる。このようなλ／４波長板２２０としては、例えば、位相差層２４１が有しうる面内レターデーションＲｅの範囲と同様の範囲の面内レターデーションＲｅを有するフィルムを用いうる。また、λ／４波長板２２０は、直線偏光子２３０の偏光吸収軸に対してλ／４波長板２２０の遅相軸がなす角度が、４５°またはそれに近い角度（例えば、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°）となるように設けられる。これにより、λ／４波長板２２０と直線偏光子２３０との組み合わせによって、円偏光板の機能が発現して、外光の反射による表示面２００Ｕのぎらつきを抑制できる。

また、有機ＥＬ表示装置２００において、位相差層２４１は、直線偏光子２３０の偏光吸収軸に対して位相差層２４１の遅相軸がなす角度が、４５°またはそれに近い角度（例えば、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°）となるように設けられる。

このような有機ＥＬ表示装置２００においては、有機ＥＬ素子２１０から発せられ、λ／４波長板２２０、直線偏光子２３０及び光学異方性積層体２４０を通過した光によって、画像が表示される。よって、画像を表示する光は、直線偏光子２３０を通過した時点では直線偏光であるが、位相差層２４１を含む光学異方性積層体２４０を通過することによって、円偏光に変換される。したがって、前記の有機ＥＬ表示装置２００では、円偏光によって画像が表示されるので、偏光サングラスを通して表示面２００Ｕを見た場合に、画像を視認することが可能である。

さらに、有機ＥＬ表示装置２００は、光学異方性積層体２４０がポジティブＣフィルムとして機能しうる光学異方性層２４２を備えるので、画像を表示する光は、表示面２００Ｕの正面方向だけでなく、傾斜方向においても、偏光サングラスを透過できる。さらに、光学異方性層２４２は、その厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示すので、広い波長範囲の光が、偏光サングラスを透過できる。したがって、有機ＥＬ表示装置２００は、表示面２００Ｕの正面方向及び傾斜方向の両方において、偏光サングラスを通した画像の視認性を高めることが可能である。

前記の有機ＥＬ素子１１０及び２１０は、透明電極層、発光層及び電極層をこの順に備え、透明電極層及び電極層から電圧を印加されることにより発光層が光を生じうる。有機発光層を構成する材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、およびポリビニルカルバゾール系の材料を挙げることができる。また、発光層は、複数の発光色が異なる層の積層体、あるいはある色素の層に異なる色素がドーピングされた混合層を有していてもよい。さらに、有機ＥＬ素子１１０及び２１０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、等電位面形成層、電荷発生層等の機能層を備えていてもよい。

図３は、本発明の第三実施形態に係る画像表示装置としての液晶表示装置３００を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、液晶表示装置３００は、光源３１０；光源側直線偏光子３２０；画像表示素子としての液晶セル３３０；視認側直線偏光子３４０；並びに、位相差層３５１及び光学異方性層３５２を備える光学異方性積層体３５０；を、この順に備える。図３には、液晶セル３３０側から位相差層３５１及び光学異方性層３５２がこの順に設けられた例を示したが、逆に、液晶セル３３０側から光学異方性層３５２及び位相差層３５１がこの順に設けられていてもよい。

液晶表示装置３００において、位相差層３５１は、視認側直線偏光子３４０の偏光吸収軸に対して位相差層３５１の遅相軸がなす角度が、４５°またはそれに近い角度（例えば、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°）となるように設けられる。

このような液晶表示装置３００においては、光源３１０から発せられ、光源側直線偏光子３２０、液晶セル３３０、視認側直線偏光子３４０、及び光学異方性積層体３５０を通過した光によって、画像が表示される。よって、画像を表示する光は、視認側直線偏光子３４０を通過した時点では直線偏光であるが、位相差層３５１を含む光学異方性積層体３５０を通過することによって、円偏光に変換される。したがって、前記の液晶表示装置３００では、円偏光によって画像が表示されるので、偏光サングラスを通して表示面３００Ｕを見た場合に、画像を視認することが可能である。

さらに、液晶表示装置３００は、光学異方性積層体３５０がポジティブＣフィルムとして機能しうる光学異方性層３５２を備えるので、画像を表示する光は、表示面３００Ｕの正面方向だけでなく、傾斜方向においても、偏光サングラスを透過できる。さらに、光学異方性層３５２は、その厚み方向のレターデーションＲｔｈが逆波長分散性を示すので、広い波長範囲の光が、偏光サングラスを透過できる。したがって、液晶表示装置３００は、表示面３００Ｕの正面方向及び傾斜方向の両方において、偏光サングラスを通した画像の視認性を高めることが可能である。

液晶セル３３０は、例えば、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モード、バーチカルアラインメント（ＶＡ）モード、マルチドメインバーチカルアラインメント（ＭＶＡ）モード、コンティニュアスピンホイールアラインメント（ＣＰＡ）モード、ハイブリッドアラインメントネマチック（ＨＡＮ）モード、ツイステッドネマチック（ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）モード、オプチカルコンペンセイテッドベンド（ＯＣＢ）モードなど、任意のモードの液晶セルを用いうる。中でも、ＩＰＳモードの液晶セル３３０は、光学異方性層３５２によって視野角を効果的に広くでき、更には表示面３００Ｕを傾斜方向から見たときのコントラスト及び色味変化に改善効果があることから、好ましい。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。

［評価方法］
〔レタデーション及び屈折率の測定方法、及び、それらの逆波長分散性の評価方法〕
あるフィルム（基材フィルム、支持体フィルム等）上に形成された試料層（光学異方性層、位相差層等）のレターデーション及び逆波長分散特性は、下記の方法で測定した。

評価対象となる試料層を、粘着剤付スライドガラス（粘着剤は、日東電工社製「ＣＳ９６２１Ｔ」）に貼り合せた。その後、フィルムを剥離し、スライドガラス及び試料層を備えるサンプルを得た。このサンプルを、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）のステージに設置して、試料層の面内レターデーションＲｅの波長分散を測定した。ここで、面内レターデーションＲｅの波長分散とは、波長と面内レターデーションＲｅとの関係であり、例えば、横軸を波長、縦軸を面内レターデーションＲｅとした座標系を有するグラフとして示される。こうして得られた試料層の面内レターデーションＲｅの波長分散から、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、５９０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける試料層の面内レターデーションＲｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（５９０）及びＲｅ（６５０）を求めた。

また、試料層の遅相軸を回転軸として、ステージを４０°傾けて、試料層の厚み方向に対して４０°の角度をなす傾斜方向での試料層のレタデーションＲｅ４０の波長分散を測定した。ここで、レターデーションＲｅ４０の波長分散とは、波長とレターデーションＲｅ４０との関係であり、例えば、横軸を波長、縦軸を面内レターデーションＲｅ４０とした座標系を有するグラフとして示される。

さらに、プリズムカプラ（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製）を用いて、試料層の、面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ、前記面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ、及び、厚み方向の屈折率ｎｚを、波長４０７ｎｍ、５３２ｎｍ及び６３３ｎｍで測定し、コーシーフィッティングすることにより、屈折率ｎｘ、ｎｙ及びｎｚの波長分散を得た。ここで、屈折率の波長分散とは、波長と屈折率との関係であり、例えば、横軸を波長、縦軸を屈折率とした座標系を有するグラフとして示される。

その後、レターデーションＲｅ４０及び屈折率の波長分散のデータを基に、試料層の厚み方向のレタデーションＲｔｈの波長分散を計算した。ここで、厚み方向のレタデーションＲｔｈの波長分散は、横軸を波長、縦軸を厚み方向のレタデーションＲｔｈとした座標系を有するグラフとして示される。そして、こうして求められた試料層の厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散から、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、５９０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける試料層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（４５０）、Ｒｔｈ（５５０）、Ｒｔｈ（５９０）及びＲｔｈ（６５０）を求めた。

〔厚みの測定方法〕
あるフィルム（基材フィルム、支持体フィルム等）上に形成された試料層（光学異方性層、位相差層等）の厚みは、膜厚測定装置（フィルメトリクス社製「フィルメトリクス」）を用いて、測定した。

〔相溶性の評価〕
相溶性は、以下のステップ１及びステップ２により評価した。
（ステップ１）
実施例及び比較例で調製した塗工液を目視観察した。観察の結果、白濁が認められた場合は相溶性不良と評価した。白濁が認められなかった場合は次のステップ２に進んだ。
（ステップ２）
白濁が認められなかった塗工液を、基材（商品名「コスモシャインＡ４１００」、東洋紡株式会社製）の易滑層が形成されている面とは反対の面上に塗布し、乾燥させて、厚み８μｍの光学異方性層を得た。得られた光学異方性層を、粘着剤付スライドガラス（粘着剤は、日東電工社製「ＣＳ９６２１Ｔ」）に転写し、スライドガラス及び光学異方性層を備えるサンプルを得た。得られたサンプルについて偏光顕微鏡を用いて倍率１００倍にてクロスニコル観察した。観察の結果、メソゲン骨格を有する化合物のミクロドメイン構造が認められた場合は相溶性不良と評価し、ミクロドメイン構造が認められなかった場合は相溶性良好と評価した。

〔ヘイズの評価〕
基材（商品名「コスモシャインＡ４１００」、東洋紡株式会社製）の易滑層が形成されている面とは反対の面上に、実施例及び比較例で調製した塗工液を塗布し、乾燥させ、光学異方性層を得た。光学異方性層の厚みは、実施例及び比較例のそれぞれにおける厚みと同じ厚みとした。得られた光学異方性層を、粘着剤付スライドガラス（粘着剤は、日東電工社製「ＣＳ９６２１Ｔ」）に転写し、スライドガラス及び光学異方性層を備えるサンプルを得た。得られたサンプル上の光学異方性層のヘイズを、光屈折計（商品名「ヘイズガードＩＩ」、株式会社東洋精機製作所製）を用いて測定した。

材料及び方法
一般手順：
ＮＭＲによる特徴づけ：６００ＭＨｚで操作される、ＪＥＯＬ Ｍｏｄｅｌ Ｅｃｌｉｐｓｅ−６００ ＮＭＲ分光器により、プロトンＮＭＲデータを得た。試料管の寸法は５ｍｍであり、試料の濃度はおよそ２０ｍｇ／ｍＬ ＤＭＳＯ−ｄ_６であった。それぞれのスペクトラムは、８０℃で、６４のスキャンと１５秒のパルスディレイを用いて記録した。１滴から２滴のトリフルオロ酢酸−ｄをそれぞれの試料に添加し、水残渣を、関心のあるスペクトル領域からシフトさせた。化学シフトは、ＤＭＳＯ−ｄ_６のセンターピークを内部参照（２．４９ｐｐｍ）とする、テトラメチルシランからの百万分率（「ｐｐｍ」）で記述される。

１００ＭＨｚで操作される、ＪＥＯＬ Ｍｏｄｅｌ ＧＸ−４００ ＮＭＲ分光器により、定量的^１３Ｃ ＮＭＲデータを得た。試料管の寸法は１０ｍｍであり、試料の濃度はおよそ１００ｍｇ／ｍＬ ＤＭＳＯ−ｄ_６であった。クロム（ＩＩＩ）アセチルアセトネートを、緩和剤としてそれぞれの試料に、５ｍｇ／１００ｍｇセルロースエステル添加した。それぞれのスペクトラムは、典型的には、８０℃で、１００００のスキャンと１秒のパルスディレイを用いて記録された。化学シフトは、ＤＭＳＯ−ｄ_６のセンターピークを内部参照（３９．５ｐｐｍ）とする、テトラメチルシランからのｐｐｍで記述される。

セルロースエステルの様々なアシル基の、プロトン及び炭素のＮＭＲ帰属、置換度、及び相対的な置換度（relative degree of substitution、「ＲＤＳ」）は、米国特許公開第２０１２／０２６２６５０号に開示される手順を適用することにより測定した。

フィルム調製のためのセルロースエステルの溶液の作製、及びフィルムの調製は、米国特許公開第２０１２／０２６２６５０号に開示される手順を適用することにより行った。

一般手順：
略語
ＡｃＯＨは酢酸である；ａｄｊは「調整された」である；℃は摂氏温度である；ＣＰＰｖＮｐは、プロピオニル、ピバロイル、及びナフトイル置換セルロースエステルである；ＣＰはプロピオニル置換セルロースエステルである；ＣＰＮｐは、プロピオニル、ナフトイル置換セルロースエステルである；ＣＰＢｚは、プロピオニル及びベンゾイル置換セルロースエステルを意味する；ＤＣＥは、ジクロロエタンである；ＤＣＭはジクロロメタンである；ＤＥＰはジエチルフタレートである；ＤＭＡＣはジメチルアセトアミドである；ＤＭＳＯは、ジメチルスルホキシドである；ＤＭＳＯ−ｄ_６は、ペル重水素化ジメチルスルホキシドを意味する；ＤＳ_ＯＨは、ヒドロキシル置換度である；ＤＳ_Ｎｐは、ナフトイル置換度である；ＤＳ_Ｂｚは、ベンゾイル置換度である；ｅｑは当量である；ＥＸ又はＥｘは実施例である；ｇはグラムである；ｈは時間（ｈｏｕｒ）である；Ｉｎｔは中間体である；ｉＰｒＯＨは、イソプロパノールである；Ｌはリットルである；ＭＥＫはメチルエチルケトンである；ＭｅＯＨはメタノールである；ｍｇはミリグラムを意味する；ＭＩＰＫはメチルイソプロピルケトンである；ｍｉｎは分である；ｍＬはミリリットルである；ＮＭＩはＮ−メチルイミダゾールである；ＮＭＲは核磁気共鳴である；ＮｐＣｌは、２−ナフトイルクロリドである；Ｐは、プロピオニルである；ＰＯＨはプロピオン酸である；Ｐｖはピバロイルである；ＰｖＣｌはピバロイルクロリドである；Ｐｙｒはピリジンである；ｒｔは室温である；ＴＰＰはトリフェニルホスフェートである；ｗｔ％は重量百分率である；ＮＭＰは１−メチル−１Ｈ−ピロール−２−カルボニルである。

位置選択的セルロースエステル合成のための一般手順
中間体
中間体１の調製：
オーバーヘッド撹拌及び底部バルブを有する４口２Ｌジャケットつきフラスコに、窒素下、ｉＰｒＯＨ（２５９ｇ）を添加した。ジャケットは、４３℃に設定した。反応器に、イーストマン（商標）ＣＡＰ ４８２−２０（６０ｇ）を、材料を渦に導く湾曲漏斗を通して添加した。スラリーを、１０ｍｉｎ撹拌した。スラリーに、ＡｃＯＨ（４．５２ｇ、０．４０ｅｑ）及びＤＭＳＯ（２５９ｇ）中Ｎ_２Ｈ_４・Ｈ_２Ｏ（１８．１ｇ、１．９０ｅｑ）を添加した。反応混合物を、２４ｈ撹拌した。水を添加することによりドープを沈殿させ、産生物を白い固体として得た。固体を、フリットでろ過し、多量の水で洗浄した。産生物を、アルミニウムのパンに移し、減圧下５５℃で２日間乾燥した。産生物を^１Ｈ ＮＭＲ、^１３Ｃ ＮＭＲで分析し、ＤＳ_Ｐｒ＝１．１９かつＤＳ_ＯＨ＝１．８１であることを測定した。

中間体２の調整；
中間体１のバリエーションにおいて、１．７０ｅｑのヒドラジン一水和物を用いた。ピリジンが、ｉＰｒＯＨ及びＤＭＳＯ溶媒を置き換え、酢酸が、プロピオン酸（０．１ｅｑ）で置き換えられ、且つ、反応温度を５０℃に設定し、中間体１に類似する中間体２を得た：ＤＳ_Ｐｒ＝１．１５及びＤＳ_ＯＨ＝１．８５。

中間体２の他に、中間体１の製造条件を下記表１の通り変更し、中間体３〜５を得た。

位置選択的置換セルロースエステル（「ＲＣＥ」）１（ＣＰＰｖＮｐ） ＥＸ２７１７−０７８の調製：
機械式撹拌を有する５００ｍＬの４口フラスコに、窒素下、ＤＭＡＣ（１７７ｇ）及び中間体１（１７．４７ｇ）を添加した。混合物に、ＮＭＩ（３８．６６ｇ）を添加し、混合物をｒｔで一晩撹拌し、ドープを得た。ドープへ、ＤＭＡＣ（３．０１ｇ）中ＰｖＣｌ（３．０１ｇ、０．３２ｅｑ）を、２０ｍｉｎにわたり滴下して添加し、混合物をｒｔで２ｈ撹拌した。反応混合物に、ＤＭＡＣ（２１．２８ｇ）中ＮｐＣｌ（２１．２８ｇ、１．４３ｅｑ）を、３０ｍｉｎにわたり滴下して添加した。反応混合物を、１２ｈ撹拌した。勢い良くかき回す混合を提供する高速ホモゲナイザーを用いて、ドープを、１．５Ｌの水に、ゆっくり注ぐことにより沈殿させ、白い固体を得た。固体を、減圧濾過で単離し、その後水（４回）で、及びｉＰｒＯＨ（２回）で、再スラリー化し、標記化合物を得た。産生物は、減圧下５５℃で一晩乾燥した。ＲＣＥ１を^１Ｈ ＮＭＲ、^１３Ｃ ＮＭＲで分析し、ＤＳ_Ｐｒ＝１．１８、ＤＳ_ＰＶ＝０．２７；ＤＳ_Ｎｐ＝１．２０；且つＤＳ_ＯＨ＝０．３５であることを測定した。
前記手順に従い、溶媒、ＰｖＣｌ及びＮｐＣｌの当量を変更することにより、表２における下記の例を調製した。加えて、中間体を合成するのに用いられた中間体及び置換度も提示される。

表３は、^１３Ｃ ＮＭＲで測定された、置換度の値を提示する。標準化した即ち調整した置換度は、^１３Ｃ ＮＭＲで測定された総アシルの比を、^１Ｈ ＮＭＲで測定された総アシルで乗じることにより計算された。

表４は、１３Ｃ ＮＭＲで測定された、セルロースエステル骨格の、Ｃ２、Ｃ３及びＣ６におけるＰｖ及びＮｐの置換度を、ＰＶ及びＮｐの総置換度と併せて提示する。

表４で提示されたデータを用いて、表５の値を計算した。このデータは、ナフトイル基が、Ｃ６位に比べてＣ２及びＣ３位において優先的であることを示す。さらには、Ｃ２位がＣ３位より優先的である。

フィルムキャスティングのための一般的手順
溶媒（ＤＣＭ、ＤＣＭ中１０％ＭｅＯＨ、ＤＣＭ中１０％ＤＣＥ、ＭＥＫ、又はＭＩＰＫ）及び位置選択的セルロースエステル（１０ｗｔ％）及び任意に可塑剤（１０ｗｔ％、ＤＥＰ又はＴＰＰ）を混合し、ドープを作製した。続いて、フィルムをガラス上にナイフアプリケーターを用いてキャストし、ＤＣＭ系のドープの場合はｒｔで、又はＭＥＫ及びＭＩＰＫ系ドープで作製されたドープの場合は８５℃で強制換気オーブン中１０分間、乾燥させた。キャストされたフィルムは、１００℃及び１２０℃で、強制換気オーブン中、それぞれ１０分間アニールした。フィルムの厚みは、Ｍｅｔｒｉｃｏｎ Ｐｒｉｓｍ Ｃｏｕｐｌｅｒ ２０１０ （Ｍｅｔｒｉｃｏｎ Ｃｏｒｐ．）を用いて測定した。複屈折性及びレターデーションは、Ｍ−２０００Ｖ Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ （Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．）を用いて測定した。以下の表において、フィルム番号２．１〜７．１は、それぞれ、ＲＣＥ２〜ＲＣＥ７を用いて作製したものである。

［実施例１］
下記式（Ｂ１）で表される光重合性のメソゲン化合物（ＣＮ点は９６℃）６重量部、及びＲＣＥ７ ６重量部を、固形分濃度が１２％となるように、溶媒としての、８８重量部の１，３−ジオキソランに溶解させて、塗工液を作製した。得られた塗工液を測定対象として、相溶性及びヘイズを評価した。ＲＣＥ７は、下記式（ＲＣＥ７）で表される重合単位を有する。式（ＲＣＥ７）中、Ｒｓｕｂは、プロピオニル基（ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＯ−）、ピバロイル基（ｔ−Ｂｕ−ＣＯ−）、２−ナフトイル基（Ｃ_１０Ｈ_７−ＣＯ−）又は水素原子のいずれかであり、プロピオニル基、ピバロイル基、及び２−ナフトイル基の置換度は、それぞれ１．１、０．４及び１．２である。

基材フィルムとして、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる未延伸フィルム（日本ゼオン社製、樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）１６３℃、厚み１００μｍ）を用意した。前記の基材フィルムの面上に、塗工液を、アプリケーターを用いて塗工して、塗工液層を形成した。塗工液層の厚みは、得られる光学異方性層の厚みが８μｍ程度になるように調整した。

その後、塗工液層を、８５℃オーブンで１０分ほど乾燥させて、塗工液層中の溶媒を蒸発させた。これにより、基材フィルム上に光学異方性層が形成されて、基材フィルム及び光学異方性層を備える光学異方性転写体を得た。こうして得られた光学異方性転写体を用いて、上述した方法により、光学異方性層の評価を行った。

［実施例２］
支持体フィルム及び位相差層を備える複層フィルムを、下記の方法で製造した。

前記式（Ｂ１）で表される光重合性のメソゲン化合物（ＣＮ点は９６℃）１００重量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９ＥＧ」）３重量部、及び、界面活性剤（ＤＩＣ社製「メガファックＦ−５６２」）０．３重量部を混合し、更に、溶媒としてシクロペンタノン及び１，３−ジオキソランの混合溶媒（重量比シクロペンタノン：１，３−ジオキソラン＝４：６）を、固形分が２２重量％になるように加え、５０℃に加温し溶解させた。得られた混合物を、孔径０．４５μｍのメンブレンフィルターでろ過して、液状の液晶組成物を得た。

支持体フィルムとして、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる長尺の斜め延伸フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム」、樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）１２６℃、厚み４７μｍ、波長５５０ｎｍにおける面内レターデーション１４１ｎｍ、延伸方向は、幅方向に対して４５°の方向）を用意した。

前記の支持体フィルム上に、前記の液状の液晶組成物を、ダイコーターで塗工し、液晶組成物の層を形成した。液晶組成物の層の厚みは、得られる位相差層の厚みが２．３μｍ程度になるように調整した。

その後、液晶組成物の層を、１１０℃オーブンで４分ほど乾燥させて、液晶組成物の層中の溶媒を蒸発させると同時に、液晶組成物の層に含まれる液晶化合物を、支持体フィルムの延伸方向にホモジニアス配向させた。

その後、液晶組成物の層に、紫外線照射装置を用いて紫外線を照射した。この紫外線の照射は、窒素雰囲気下において、６０℃に加熱されたＳＵＳ板に支持体フィルムをテープで固定した状態で行った。紫外線の照射により液晶組成物の層を硬化させて、支持体フィルム上に位相差層を形成した。これにより、支持体フィルム及び位相差層を備える複層フィルムを得た。

得られた複層フィルムの位相差層のレターデーションを上述した方法で測定したところ、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、５９０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（Ｂ４５０）、Ｒｅ（Ｂ５５０）、Ｒｅ（Ｂ５９０）及びＲｅ（Ｂ６５０）は、下記表７のとおりであった。また、前記の位相差層の屈折率を上述した方法で測定したところ、位相差層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ｂ）、位相差層の面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ｂ）、及び、位相差層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ｂ）は、下記表７のとおりであった。

基材フィルムとして、実施例１で用いた未延伸フィルムの代わりに、支持体フィルム及び位相差層を備える複層フィルムを用いた。以上の事項以外は、実施例１と同様にして、支持体フィルム、位相差層及び光学異方性層をこの順に備える光学異方性積層体の製造を行った。位相差層上の前記の光学異方性層の光学評価は、同条件で作製した未延伸フィルム上の光学異方性層の光学評価結果を採用した。

［実施例３］
基材フィルムとして、実施例１で用いた未延伸フィルムの代わりに、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる長尺の斜め延伸フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム」、樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）１２６℃、厚み４７μｍ、波長５５０ｎｍにおける面内レターデーション１４１ｎｍ、延伸方向は、幅方向に対して４５°の方向）を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム及び光学異方性層をこの順に備える光学異方性転写体の製造を行った。位相差層上の前記の光学異方性層の光学評価は、同条件で作製した未延伸フィルム上の光学異方性層の光学評価結果を採用した。

［実施例４］
前記式（Ｂ１）で表される光重合性のメソゲン化合物の代わりに、下記式（Ｂ２）で表される光重合性のメソゲン化合物を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム及び光学異方性層を備える光学異方性転写体の製造、並びに、光学異方性層及びその材料の評価を行った。

［比較例１］
メソゲン化合物の添加量を、６重量部から４．８重量部に変更した。
ＲＣＥ７ ６重量部に代えて、ポリ（９−ビニルカルバゾール）７．２重量部を用いた。
塗工液層の厚みは、得られる光学異方性層の厚みが１０μｍ程度になるように調整した。
以上の事項以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム及び光学異方性層を備える光学異方性転写体の製造、並びに、光学異方性層及びその材料の評価を行った。

［比較例２］
ＲＣＥ７ ６重量部に代えて、ポリ（９−ビニルカルバゾール）６重量部を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム及び光学異方性層を備える光学異方性転写体の製造、並びに、光学異方性層の評価を行った。塗工液中の成分の相溶性が不良であり、光学異方性層のヘイズが高かったため、厚み及び屈折率の測定を行うことができなかった。

［比較例３］
塗工液の作製に際し、前記式（Ｂ１）で表される光重合性のメソゲン化合物を用いなかった。ＲＣＥ７の添加量を、６重量部から１２重量部に変更した。
塗工液層の厚みは、得られる光学異方性層の厚みが１０μｍ程度になるように調整した。
以上の事項以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム及び光学異方性層を備える光学異方性転写体の製造、並びに、光学異方性層及びその材料の評価を行った。

［結果］
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表８及び表９に示す。表８及び表９において、略称の意味は、下記のとおりである。
未延伸フィルム：脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる未延伸フィルム。
斜め延伸フィルム：脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる斜め延伸フィルム。
ポジＡフィルム：支持体フィルム及び位相差層を備える複層フィルム。
ＰＶＣ：ポリ（９−ビニルカルバゾール）。
化合物Ｂ１：前記式（Ｂ１）で示される光重合性の逆波長分散液晶化合物。
化合物Ｂ２：前記式（Ｂ２）で示される逆波長メソゲン化合物。
メソゲン化合物比率：塗工液の全固形分におけるメソゲン化合物の比率。
ブレンド塗工：ポジＣ重合体及びメソゲン化合物を含む塗工液の塗工による成膜。
重合体塗工：ポジＣ重合体を含みメソゲン化合物を含まない塗工液の塗工による成膜。
ポジＣ：屈折率ｎｘ（Ａ）、ｎｙ（Ａ）及びｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たす。
波長分散性：厚み方向のレターデーションＲｔｈの波長分散性。
相溶性：相溶性の評価結果
ヘイズ：ヘイズの評価結果

実施例１〜４では、逆波長分散液晶化合物とＲＣＥ７とを組み合わせることにより、厚みが薄いにも拘わらずＲｔｈ絶対値の大きい光学異方性層を得ることができた。加えて、得られた光学異方性層は、低いヘイズを有していた。これに対して、比較例２ではＲＣＥ７に代えてＰＶＣを用いた結果白濁を生じた。メソゲン化合物の比率を下げて白濁を回避した比較例１の光学異方性層は、厚みを厚くしたにも関わらず、実施例に比べてＲｔｈ絶対値が小さい光学異方性層となった。また、メソゲン化合物を使用しなかった比較例３では、逆波長分散を得ることができなかった。

１００ 有機ＥＬ表示装置
１１０ 有機ＥＬ素子
１２０ 光学異方性積層体
１２１ 位相差層
１２２ 光学異方性層
１３０ 直線偏光子
２００ 有機ＥＬ表示装置
２１０ 有機ＥＬ素子
２２０ λ／４波長板
２３０ 直線偏光子
２４０ 光学異方性積層体
２４１ 位相差層
２４２ 光学異方性層
３００ 液晶表示装置
３１０ 光源
３２０ 光源側直線偏光子
３３０ 液晶セル
３４０ 視認側直線偏光子
３５０ 光学異方性積層体
３５１ 位相差層
３５２ 光学異方性層

Claims (13)

1. （１）（ａ）複数のナフトイル置換基；及び
   （ｂ）複数のピバロイル置換基
   を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルであって、
   前記セルロースエステルは、０．２から０．３の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、
   前記セルロースエステルは、０．３から０．５の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、
   前記セルロースエステルは、１．０から１．６の範囲のナフトイル置換度（「ＤＳ_Ｎｐ」）を有し、
   前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３におけるナフトイル置換度の合計（「Ｃ２ＤＳ_Ｎｐ」及び「Ｃ３ＤＳ_Ｎｐ」）とＣ６におけるナフトイル置換度（「Ｃ６ＤＳ_Ｎｐ」）との差が、０．５から１．５の間である、位置選択的に置換されたセルロースエステルと、
   （２）配向状態が固定されていてもよいメソゲン骨格を有する化合物とを含む光学異方性層であって、
   前記メソゲン骨格を有する化合物が、下記式（Ｉ）で表される化合物であり、
   前記光学異方性層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ａ）、前記光学異方性層の前記面内方向であって前記ｎｘ（Ａ）の方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ａ）、及び、前記光学異方性層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たし、
   波長４５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ４５０）、波長５５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ６５０）が、下記式（Ｅ１）及び（Ｅ２）：
   ０．５０＜Ｒｔｈ（Ａ４５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．００ （Ｅ１）
   １．００≦Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．２５ （Ｅ２）
   を満たす、光学異方性層。
   

   

   （前記式（Ｉ）において、
   Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
   Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
   Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   ｍは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
2. 前記光学異方性層の全固形分における前記メソゲン骨格を有する化合物の比率が、２０重量％〜６０重量％である、請求項１に記載の光学異方性層。
3. 波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ５９０）、及び、波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５９０）が、下記式（Ｅ３）及び（Ｅ４）：
   Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ （Ｅ３）
   −２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ５９０）≦−１０ｎｍ （Ｅ４）
   を満たす、請求項１又は２に記載の光学異方性層。
4. 基材と、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学異方性層とを備えた、光学異方性転写体。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学異方性層と、位相差層とを備え、
   前記位相差層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ｂ）、前記位相差層の前記面内方向であって前記ｎｘ（Ｂ）の方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ｂ）、及び、前記位相差層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ｂ）が、ｎｘ（Ｂ）＞ｎｙ（Ｂ）≧ｎｚ（Ｂ）を満たす、光学異方性積層体。
6. 波長４５０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ４５０）、波長５５０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ６５０）が、下記式（Ｅ５）及び（Ｅ６）：
   ０．７５＜Ｒｅ（Ｂ４５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）＜１．００ （Ｅ５）
   １．０１＜Ｒｅ（Ｂ６５０）／Ｒｅ（Ｂ５５０）＜１．２５ （Ｅ６）
   を満たす、請求項５記載の光学異方性積層体。
7. 波長５９０ｎｍにおける前記位相差層の面内レターデーションＲｅ（Ｂ５９０）、波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の面内レターデーションＲｅ（Ａ５９０）、及び、波長５９０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５９０）が、下記式（Ｅ７）、（Ｅ８）及び（Ｅ９）：
   １１０ｎｍ≦Ｒｅ（Ｂ５９０）≦１７０ｎｍ （Ｅ７）
   Ｒｅ（Ａ５９０）≦１０ｎｍ （Ｅ８）
   −２００ｎｍ≦Ｒｔｈ（Ａ５９０）≦−１０ｎｍ （Ｅ９）
   を満たす、請求項５又は６に記載の光学異方性積層体。
8. 直線偏光子と、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学異方性層、請求項４記載の光学異方性転写体、又は、請求項５〜７のいずれか一項に記載の光学異方性積層体と、を備える、偏光板。
9. 請求項８記載の偏光板を備える、画像表示装置。
10. 請求項５〜７のいずれか一項に記載の光学異方性積層体と、
    直線偏光子と、
    画像表示素子と、を、この順に備え、
    前記画像表示素子が、液晶セル又は有機エレクトロルミネッセンス素子である、画像表示装置。
11. 直線偏光子と、
    請求項５〜７のいずれか一項に記載の光学異方性積層体と、
    有機エレクトロルミネッセンス素子と、を、この順に備える、画像表示装置。
12. （１）（ａ）複数のナフトイル置換基；及び（ｂ）複数のピバロイル置換基を含む、位置選択的に置換されたセルロースエステルであって、前記セルロースエステルは、０．２から０．３の範囲のヒドロキシル置換度（「ＤＳ_ＯＨ」）を有し、前記セルロースエステルは、０．３から０．５の範囲のピバロイル置換度（「ＤＳ_Ｐｖ」）を有し、前記セルロースエステルは、１．０から１．６の範囲のナフトイル置換度（「ＤＳ_Ｎｐ」）を有し、前記位置選択性は、Ｃ２及びＣ３におけるナフトイル置換度の合計（「Ｃ２ＤＳＮｐ」及び「Ｃ３ＤＳＮｐ」）とＣ６におけるナフトイル置換度（「Ｃ６ＤＳＮｐ」）との差が、０．５から１．５の間である、位置選択的に置換されたセルロースエステル；
    （２）メソゲン骨格を有する化合物；及び（３）溶媒を含む塗工液を、支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程と、
    前記塗工液層を乾燥させる工程と、を含む、光学異方性層の製造方法であって、
    前記光学異方性層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ａ）、前記光学異方性層の前記面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ａ）、及び、前記光学異方性層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ａ）が、ｎｚ（Ａ）＞ｎｘ（Ａ）≧ｎｙ（Ａ）を満たし、
    波長４５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ４５０）、波長５５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ５５０）、及び、波長６５０ｎｍにおける前記光学異方性層の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（Ａ６５０）が、下記式（Ｅ１）及び（Ｅ２）：
    ０．５０＜Ｒｔｈ（Ａ４５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．００ （Ｅ１）
    １．００≦Ｒｔｈ（Ａ６５０）／Ｒｔｈ（Ａ５５０）＜１．２５ （Ｅ２）
    を満たし、
    前記メソゲン骨格を有する化合物が、下記式（Ｉ）で表される化合物である、光学異方性層の製造方法。
    

    

    （前記式（Ｉ）において、
    Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
    Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
    Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
    Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
    Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
    Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
    Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
    Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
    Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
    ｍは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
13. 請求項４記載の光学異方性転写体の光学異方性層と、位相差層とを、貼り合わせる工程と、
    前記光学異方性転写体の基材を剥離する工程と、を含む、光学異方性積層体の製造方法であって、
    前記位相差層の面内方向であって最大の屈折率を与える方向の屈折率ｎｘ（Ｂ）、前記位相差層の前記面内方向であって前記ｎｘの方向に垂直な方向の屈折率ｎｙ（Ｂ）、及び、前記位相差層の厚み方向の屈折率ｎｚ（Ｂ）が、ｎｘ（Ｂ）＞ｎｙ（Ｂ）≧ｎｚ（Ｂ）を満たす、光学異方性積層体の製造方法。

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