JP2019513174A - Si含有膜形成用組成物並びにそれを製造及び使用する方法 - Google Patents
Si含有膜形成用組成物並びにそれを製造及び使用する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019513174A JP2019513174A JP2018550413A JP2018550413A JP2019513174A JP 2019513174 A JP2019513174 A JP 2019513174A JP 2018550413 A JP2018550413 A JP 2018550413A JP 2018550413 A JP2018550413 A JP 2018550413A JP 2019513174 A JP2019513174 A JP 2019513174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sih
- precursor
- hexyl
- group
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 1062
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims abstract description 8
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 205
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyrrole Natural products C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 191
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 134
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 24
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 19
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 claims description 19
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 claims description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 15
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- FTZIQBGFCYJWKA-UHFFFAOYSA-N 3-(4,5-dimethylthiazol-2-yl)-2,5-diphenyltetrazolium Chemical compound S1C(C)=C(C)N=C1[N+]1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NN1C1=CC=CC=C1 FTZIQBGFCYJWKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 154
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 57
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 52
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 45
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 39
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 36
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 35
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 34
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 28
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 27
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 27
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 26
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 25
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 24
- -1 organo aminosilane Chemical compound 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 16
- QHGSGZLLHBKSAH-UHFFFAOYSA-N hydridosilicon Chemical compound [SiH] QHGSGZLLHBKSAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 208000033962 Fontaine progeroid syndrome Diseases 0.000 description 12
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 11
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 9
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 8
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 6
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000007517 lewis acids Chemical group 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101001048843 Homo sapiens Protein FAM163A Proteins 0.000 description 5
- LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N Methyl oxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)OC LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 102100023773 Protein FAM163A Human genes 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical group CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910014299 N-Si Inorganic materials 0.000 description 4
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical compound B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical group C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexyloxide Natural products O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002638 heterogeneous catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000002815 homogeneous catalyst Substances 0.000 description 4
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 1-pentyne Chemical group CCCC#C IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical group CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LOUPRKONTZGTKE-WZBLMQSHSA-N Quinine Chemical compound C([C@H]([C@H](C1)C=C)C2)C[N@@]1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 LOUPRKONTZGTKE-WZBLMQSHSA-N 0.000 description 3
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cis-cyclohexene Natural products C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 3
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N methyl(silylmethyl)silane Chemical compound C[SiH2]C[SiH3] DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical group CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- 235000001258 Cinchona calisaya Nutrition 0.000 description 2
- 101150052726 DSP2 gene Proteins 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010082 LiAlH Inorganic materials 0.000 description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical group [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003697 SiBN Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001168730 Simo Species 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LOUPRKONTZGTKE-UHFFFAOYSA-N cinchonine Natural products C1C(C(C2)C=C)CCN2C1C(O)C1=CC=NC2=CC=C(OC)C=C21 LOUPRKONTZGTKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002243 cyclohexanonyl group Chemical group *C1(*)C(=O)C(*)(*)C(*)(*)C(*)(*)C1(*)* 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000948 quinine Drugs 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 229930006978 terpinene Natural products 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- OKWLCUWJPPORKE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentanitro-6-(2-nitrophenyl)sulfanylbenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1SC1=C([N+]([O-])=O)C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C([N+]([O-])=O)=C1[N+]([O-])=O OKWLCUWJPPORKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVSPVXKJEGPQJP-UHFFFAOYSA-N 2-silylethylsilane Chemical compound [SiH3]CC[SiH3] IVSPVXKJEGPQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHCVXTFBVDVFGE-UHFFFAOYSA-N 4-amino-6-chloro-1,3,5-triazin-2-ol Chemical compound NC1=NC(O)=NC(Cl)=N1 GHCVXTFBVDVFGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100388212 Arabidopsis thaliana DSP3 gene Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000500891 Insecta Species 0.000 description 1
- 229910015868 MSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N allene Chemical compound C=C=C IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- OPECQUXHKJLILW-UHFFFAOYSA-N chloro(silylmethyl)silane Chemical compound [SiH3]C[SiH2]Cl OPECQUXHKJLILW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- VEYJKODKHGEDMC-UHFFFAOYSA-N dichloro(trichlorosilyl)silicon Chemical compound Cl[Si](Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl VEYJKODKHGEDMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- LOMVENUNSWAXEN-NUQCWPJISA-N dimethyl oxalate Chemical group CO[14C](=O)[14C](=O)OC LOMVENUNSWAXEN-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002169 ethanolamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000260 fractional sublimation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,3-diene Chemical compound CCC=CC=C AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- 239000012712 low-vapor-pressure precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- OFXSXYCSPVKZPF-UHFFFAOYSA-N methoxyperoxymethane Chemical class COOOC OFXSXYCSPVKZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQCYANORSDPPDT-UHFFFAOYSA-N methyl(silyl)silane Chemical compound C[SiH2][SiH3] IQCYANORSDPPDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- KVKFRMCSXWQSNT-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CNCCNC KVKFRMCSXWQSNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000006385 ozonation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000013014 purified material Substances 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 125000003410 quininyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N silylmethylsilane Chemical compound [SiH3]C[SiH3] HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003507 terpinene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- CHBNMKPHUSAEJE-UHFFFAOYSA-N terpinene group Chemical group C12=C(C(CC(C1(C)C)C2)C2(C(=C1C(C(C2)C1)(C)C)C)C1C(=C2C(C(C1)C2)(C)C)C)C CHBNMKPHUSAEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WDVUXWDZTPZIIE-UHFFFAOYSA-N trichloro(2-trichlorosilylethyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC[Si](Cl)(Cl)Cl WDVUXWDZTPZIIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N trichloro(chlorosilyl)silane Chemical compound Cl[SiH2][Si](Cl)(Cl)Cl VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N tris(pentafluorophenyl)borane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1B(C=1C(=C(F)C(F)=C(F)C=1F)F)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/62—Nitrogen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2016年3月23日に出願された米国仮特許出願第62/312,352号明細書の利益を主張するものであり、その全体があらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
[−NR−R4R5Si−(CH2)t−SiR2R3−]n (II)
(式中、m=1〜4であり;t=1〜4であり;n=2〜400であり;R2、R3、R4、及びR5は、独立して、H、C1−C6炭化水素、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’が、独立して、H、C1−C6炭化水素、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R2、R3、R4、及びR5の少なくとも1つは、Hであり;及びRは、H、C1−C6炭化水素、式SixR’2x+1(ここで、x=1〜4であり、及び各R’は、独立して、=H、C1−C6炭化水素基、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成する)を有するシリル基、又はR1’R2’R3’Si(CH2)bSiR4’R5’基(ここで、b=1〜2である)であり、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’は、独立して、H、C1−C6炭化水素、C6−C12アリール、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’の少なくとも1つは、Hである)
を有する単位を含有する前駆体を含むSi含有膜形成用組成物が開示される。
RaN(R4R5Si(CH2)mSiR1R2R3)3−a (I)
を有するか、又は次式:
[−NR−R4R5Si−(CH2)t−SiR2R3−]n (II)
を有する単位を含有する前駆体を含むSi含有膜形成用組成物が開示され、式中、
a=0〜1であり;
m=1〜4であり;
t=1〜4であり;
n=2〜400であり;
R1、R2、R3、R4、及びR5は、独立して、H、炭化水素基(C1−C6)、又は式NR’’2の有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6炭化水素基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R1、R2、R3、R4、及びR5の少なくとも1つは、Hであり;及び
Rは、H、C1−C6炭化水素基、式SixR’2x+1(ここで、x=1〜4であり、及び各R’は、独立して、=H、C1−C6炭化水素基、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成する)を有するシリル基、又はR1’R2’R3’Si(CH2)bSiR4’R5’基(式中、b=1〜2である)であり、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’は、独立して、H、C1−C6炭化水素基、C6−C12アリール、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’の少なくとも1つは、Hである。本開示のSi含有膜形成用組成物は、次の態様の1つ以上を含み得る:
・t=1〜2である;
・a=0であり、且つm=1である;
・前駆体がN(SiR4R5(CH2)SiR1R2R3)3である;
・R1=R2=R3=R4=R5=Hである;
・前駆体がN(−SiH2−CH2−SiH3)3である;
・R1、R2、又はR3の少なくとも1つがHである;
・R4又はR5の少なくとも1つがHである;
・R1、R2、又はR3の少なくとも1つがHであり、且つR4又はR5の少なくとも1つがHである;
・R1、R2、R3、及びR4=Hである;
・R1、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがビニルである;
・R1、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがアリルである;
・R1、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがフェニルである;
・R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NH2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NMe2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NMeEt))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NEt2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NnPr2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NiPr2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NBu2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NiBu2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NtBu2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NAm2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NCyペンチル2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(Nヘキシル2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NCyHex2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NMeH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NEtH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NnPrH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NiPrH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NBuH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NiBuH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NtBuH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(NAmH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(ピリジン))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(ピロール))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(ピロリジン))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(イミダゾール))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(ピリミジン))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH2(ピペリジン))3である;
・R2、R3、及びR4=Hである;
・前駆体がN(SiH(CH2=CH)−CH2−SiH2(CH2=CH))3である;
・前駆体がN(SiH(CH2=CH−CH2)−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))3である;
・前駆体がN(SiH(NH2)−CH2−SiH2(NH2))3である;
・前駆体がN(SiH(NMe2)−CH2−SiH2(NMe2))3である;
・前駆体がN(SiH(NMeEt)−CH2−SiH2(NMeEt))3である;
・前駆体がN(SiH(NEt2)−CH2−SiH2(NEt2))3である;
・前駆体がN(SiH(NnPr2)−CH2−SiH2(NnPr2))3である;
・前駆体がN(SiH(NiPr2)−CH2−SiH2(NiPr2))3である;
・前駆体がN(SiH(NBu2)−CH2−SiH2(NBu2))3である;
・前駆体がN(SiH(NiBu2)−CH2−SiH2(NiBu2))3である;
・前駆体がN(SiH(NtBu2)−CH2−SiH2(NtBu2))3である;
・前駆体がN(SiH(NAm2)−CH2−SiH2(NAm2))3である;
・前駆体がN(SiH(NCyペンチル2)−CH2−SiH2(NCyペンチル2))3である;
・前駆体がN(SiH(Nヘキシル2)−CH2−SiH2(Nヘキシル2))3である;
・前駆体がN(SiH(NCyHex2)−CH2−SiH2(NCyHex2))3である;
・前駆体がN(SiH(NMeH)−CH2−SiH2(NMeH))3である;
・前駆体がN(SiH(NEtH)−CH2−SiH2(NEtH))3である;
・前駆体がN(SiH(NnPrH)−CH2−SiH2(NnPrH))3である;
・前駆体がN(SiH(NiPrH)−CH2−SiH2(NiPrH))3である;
・前駆体がN(SiH(NBuH)−CH2−SiH2(NBuH))3である;
・前駆体がN(SiH(NiBuH)−CH2−SiH2(NiBuH))3である;
・前駆体がN(SiH(NtBuH)−CH2−SiH2(NtBuH))3である;
・前駆体がN(SiH(NAmH)−CH2−SiH2(NAmH))3である;
・前駆体がN(SiH(ピリジン)−CH2−SiH2(ピリジン))3である;
・前駆体がN(SiH(ピロール)−CH2−SiH2(ピロール))3である;
・前駆体がN(SiH(ピロリジン)−CH2−SiH2(ピロリジン))3である;
・前駆体がN(SiH(イミダゾール)−CH2−SiH2(イミダゾール))3である;
・前駆体がN(SiH(ピペリジン)−CH2−SiH2(イミダゾール))3である;
・前駆体がN(SiH(ピリミジン)−CH2−SiH2(イミダゾール))3である;
・R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(CH2=CH−CH2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NH2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NMe2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NMeEt)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NEt2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NnPr2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NiPr2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NBu2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NiBu2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NtBu2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NAm2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NCyペンチル2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(Nヘキシル2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NCyHex2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NMeH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NEtH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NnPrH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NiPrH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NBuH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NiBuH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NtBuH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(NAmH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(ピリジン)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(ピロール)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(ピロリジン)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(イミダゾール)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(ピペリジン)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−SiH(ピリミジン)2)3である;
・R4及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(CH2=CH−CH2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NH2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NMe2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NMeEt)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NEt2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NnPr2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NiPr2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NBu2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NiBu2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NtBu2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NAm2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NCyペンチル2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(Nヘキシル2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NCyHex2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NMeH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NEtH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NnPrH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NiPrH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NBuH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NiBuH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NtBuH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(NAmH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(ピリジン)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(ピロール)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(ピロリジン)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(イミダゾール)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(ピペリジン)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−Si(ピリミジン)3)3である;
・a=0であり、且つm=2である;
・前駆体がN(SiR4R5(CH2CH2)SiR1R2R3)3である;
・R1、R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH3)3である;
・R1、R2、R3、及びR4=Hである;
・R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NH2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NMe2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NMeEt))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NEt2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NnPr2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiPr2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NBu2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiBu2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NtBu2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NAm2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NCyペンチル2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(Nヘキシル2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NCyHex2))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NMeH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NEtH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NnPrH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiPrH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NBuH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiBuH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NtBuH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NAmH))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピリジン))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピロール))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピロリジン))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(イミダゾール))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピペリジン))3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピリミジン))3である;
・R1、R2、及びR3=Hである;
・R2、R3、及びR4=Hである;
・前駆体がN(SiH(CH2=CH)−CH2−CH2−SiH2(CH2=CH))3である;
・前駆体がN(SiH(CH2=CH−CH2)−CH2−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))3である;
・前駆体がN(SiH(NMe2)−CH2−CH2−SiH2(NMe2))3である;
・前駆体がN(SiH(NMeEt)−CH2−CH2−SiH2(NMeEt))3である;
・前駆体がN(SiH(NEt2)−CH2−CH2−SiH2(NEt2))3である;
・前駆体がN(SiH(NnPr2)−CH2−CH2−SiH2(NnPr2))3である;
・前駆体がN(SiH(NiPr2)−CH2−CH2−SiH2(NiPr2))3である;
・前駆体がN(SiH(NBu2)−CH2−CH2−SiH2(NBu2))3である;
・前駆体がN(SiH(NiBu2)−CH2−CH2−SiH2(NiBu2))3である;
・前駆体がN(SiH(NtBu2)−CH2−CH2−SiH2(NtBu2))3である;
・前駆体がN(SiH(NAm2)−CH2−CH2−SiH2(NAm2))3である;
・前駆体がN(SiH(NCyペンチル2)−CH2−CH2−SiH2(NCyペンチル2))3である;
・前駆体がN(SiH(Nヘキシル2)−CH2−CH2−SiH2(Nヘキシル2))3である;
・前駆体がN(SiH(NCyHex2)−CH2−CH2−SiH2(NCyHex2))3である;
・前駆体がN(SiH(NMeH)−CH2−CH2−SiH2(NMeH))3である;
・前駆体がN(SiH(NEtH)−CH2−CH2−SiH2(NEtH))3である;
・前駆体がN(SiH(NnPrH)−CH2−CH2−SiH2(NnPrH))3である;
・前駆体がN(SiH(NiPrH)−CH2−CH2−SiH2(NiPrH))3である;
・前駆体がN(SiH(NBuH)−CH2−CH2−SiH2(NBuH))3である;
・前駆体がN(SiH(NiBuH)−CH2−CH2−SiH2(NiBuH))3である;
・前駆体がN(SiH(NtBuH)−CH2−CH2−SiH2(NtBuH))3である;
・前駆体がN(SiH(NAmH)−CH2−CH2−SiH2(NAmH))3である;
・前駆体がN(SiH(ピリジン)−CH2−CH2−SiH2(ピリジン))3である;
・前駆体がN(SiH(ピロール)−CH2−CH2−SiH2(ピロール))3である;
・前駆体がN(SiH(ピロリジン)−CH2−CH2−SiH2(ピロリジン))3である;
・前駆体がN(SiH(イミダゾール)−CH2−CH2−SiH2(イミダゾール))3である;
・前駆体がN(SiH(ピペリジン)−CH2−CH2−SiH2(ピペリジン))3である;
・前駆体がN(SiH(ピリミジン)−CH2−CH2−SiH2(ピリミジン))3である;
・R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(CH2=CH−CH2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NH2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NMe2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NMeEt)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NEt2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NnPr2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiPr2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NBu2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiBu2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NtBu2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NAm2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NCyペンチル2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(Nヘキシル2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NCyHex2)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NMeH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NEtH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NnPrH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiPrH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NBuH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiBuH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NtBuH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NAmH)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピリジン)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピロール)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピロリジン)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(イミダゾール)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピペリジン)2)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピリミジン)2)3である;
・R4及びR5=Hである;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(CH2=CH−CH2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NH2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NMe2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NMeEt)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NEt2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NnPr2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiPr2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NBu2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiBu2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NtBu2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NAm2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NCyペンチル2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(Nヘキシル2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NCyHex2)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NMeH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NEtH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NnPrH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiPrH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NBuH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiBuH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NtBuH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(NAmH)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピリジン)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピロール)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピロリジン)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(イミダゾール)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピペリジン)3)3である;
・前駆体がN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピリミジン)3)3である;
・a=1であり、且つm=1である;
・前駆体がRN(SiR4R5(CH2)SiR1R2R3)2である;
・R、R1、R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がHN(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・R、R1、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがビニルである;
・R、R1、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがアリルである;
・R、R1、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがフェニルである;
・R1、R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=SixH2x+1(x=1〜4である)である;
・前駆体がSi2H5N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi3H7N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi4H9N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・R1、R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=CyH2y+1(y=1〜6である)である;
・前駆体が(Me)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(Et)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(nPr)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(iPr)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(Bu)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(iBu)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(tBu)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(アミル)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(ヘキシル)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiMe3)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiEt3)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(iPr)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(nPr)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(Bu)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(iBu)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(tBu)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(アミル)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(ヘキシル)3N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiHEt2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(iPr)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(nPr)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(Bu)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(iBu)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(tBu)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(アミル)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(ヘキシル)2N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2MeN(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2EtN(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(iPr)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(nPr)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(Bu)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(iBu)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(tBu)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(アミル)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(ヘキシル)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH3−CH2−CH2−SiH2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiMe3−CH2−SiMe2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiMe3−CH2−CH2−SiMe2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiEt3−CH2−SiEt2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiEt3−CH2−CH2−SiEt2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NMe2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NEt2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NMeEt)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH(NMe2)2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH(NEt2)2)N(SiH2−CH2−SiH3)2である;
・R1、R2、R3、及びR4=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NH2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NMe2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NMeEt))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NEt2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NnPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NiPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NiBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NtBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NAm2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NCyペンチル2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(Nヘキシル2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NCyHex2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NMeH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NEtH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NnPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NiPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NiBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NtBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(NAmH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(ピリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(ピロール))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(ピロリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(イミダゾール))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(ピペリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH2(ピリミジン))2である;
・R1、R2、及びR3=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、SivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・R2、R3、及びR4=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH(CH2=CH)−CH2−SiH2(CH2=CH))2である;
・前駆体がRN(SiH(CH2=CH−CH2)−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NH2)−CH2−SiH2(NH2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NMe2)−CH2−SiH2(NMe2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NMeEt)−CH2−SiH2(NMeEt))2である;
・前駆体がRN(SiH(NEt2)−CH2−SiH2(NEt2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NnPr2)−CH2−SiH2(NnPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiPr2)−CH2−SiH2(NiPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NBu2)−CH2−SiH2(NBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiBu2)−CH2−SiH2(NiBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NtBu2)−CH2−SiH2(NtBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NAm2)−CH2−SiH2(NAm2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NCyペンチル2)−CH2−SiH2(NCyペンチル2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NCyHex2)−CH2−SiH2(NCyHex2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NMeH)−CH2−SiH2(NMeH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NEtH)−CH2−SiH2(NEtH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NnPrH)−CH2−SiH2(NnPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiPrH)−CH2−SiH2(NiPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NBuH)−CH2−SiH2(NBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiBuH)−CH2−SiH2(NiBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NtBuH)−CH2−SiH2(NtBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NAmH)−CH2−SiH2(NAmH))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピリジン)−CH2−SiH2(ピリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピロール)−CH2−SiH2(ピロール))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピロリジン)−CH2−SiH2(ピロリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH(イミダゾール)−CH2−SiH2(イミダゾール))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピペリジン)−CH2−SiH2(ピペリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピリミジン)−CH2−SiH2(ピリミジン))2である;
・R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(CH2=CH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(CH2=CH−CH2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NH2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NMe2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NMeEt)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NEt2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NnPr2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NiPr2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NBu2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NiBu2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NtBu2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NAm2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NCyペンチル2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(Nヘキシル2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NCyHex2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NMeH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NEtH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NnPrH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NiPrH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NBuH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NiBuH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NtBuH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(NAmH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(ピリジン)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(ピロール)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(ピロリジン)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(イミダゾール)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(ピペリジン)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−SiH(ピリミジン)2)2である;
・R4及びR5=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(CH2=CH−CH2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NH2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NMe2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NMeEt)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NEt2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NnPr2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NiPr2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NBu2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NiBu2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NtBu2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NAm2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(ペンチル2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(Nヘキシル2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NCyHex2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NMeH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NEtH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NnPrH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NiPrH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NBuH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NiBuH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NtBuH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(NAmH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(ピリジン)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(ピロール)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(ピロリジン)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(イミダゾール)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(ピペリジン)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−Si(ピリミジン)3)2である;
・a=1であり、且つm=2である;
・式(I)がRN(SiR4R5(CH2)2SiR1R2R3)2である;
・R、R1、R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体がHN(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・R1、R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=SixH2x+1(x=1〜4である)である;
・前駆体がSi2H5N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi3H7N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi4H9N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・R1、R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=CyH2y+1(y=1〜6である)である;
・前駆体が(Me)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(Et)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(nPr)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(iPr)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(Bu)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(iBu)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(tBu)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(アミル)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(ヘキシル)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiMe3)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiEt3)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(iPr)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(nPr)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(Bu)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(iBu)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(tBu)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(アミル)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSi(ヘキシル)3N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiHMe2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiHEt2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(iPr)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(nPr)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(Bu)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(iBu)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(tBu)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(アミル)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(ヘキシル)2N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2Me2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2Et2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(iPr)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(nPr)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(Bu)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(iBu)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(tBu)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(アミル)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH2(ヘキシル)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH3−CH2−SiH2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiMe3−CH2−SiMe2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiMe3−CH2−CH2−SiMe2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiEt3−CH2−SiEt2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiEt3−CH2−CH2−SiEt2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NEt2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NiPr2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NnPr2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2NMeEt)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2ピペリジン)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2ピロリジン)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2ピロール)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2イミダゾール)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH2ピリミジン)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体が(SiH(NMe2)2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・前駆体がSiH(NEt2)2)N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)2である;
・R1、R2、R3、及びR4=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NH2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NMe2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NMeEt))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NEt2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NnPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NtBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NAm2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NCyペンチル2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(Nヘキシル2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NCyHex2))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NMeH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NEtH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NnPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NiBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NtBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(NAmH))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピロール))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピロリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(イミダゾール))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピペリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH2(ピリミジン))2である;
・R1、R2、及びR3=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・R2、R3、及びR4=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH(CH2=CH)−CH2−CH2−SiH2(CH2=CH))2である;
・前駆体がRN(SiH(CH2=CH−CH2)−CH2−CH2−SiH2(CH2=CH−CH2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NMe2)−CH2−CH2−SiH2(NMe2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NMeEt)−CH2−CH2−SiH2(NMeEt))2である;
・前駆体がRN(SiH(NEt2)−CH2−CH2−SiH2(NEt2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NnPr2)−CH2−CH2−SiH2(NnPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiPr2)−CH2−CH2−SiH2(NiPr2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NBu2)−CH2−CH2−SiH2(NBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiBu2)−CH2−CH2−SiH2(NiBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NtBu2)−CH2−CH2−SiH2(NtBu2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NAm2)−CH2−CH2−SiH2(NAm2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NCyペンチル2)−CH2−CH2−SiH2(NCyペンチル2))2である;
・前駆体がRN(SiH(Nヘキシル2)−CH2−CH2−SiH2(Nヘキシル2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NCyHex2)−CH2−CH2−SiH2(NCyHex2))2である;
・前駆体がRN(SiH(NMeH)−CH2−CH2−SiH2(NMeH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NEtH)−CH2−CH2−SiH2(NEtH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NnPrH)−CH2−CH2−SiH2(NnPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiPrH)−CH2−CH2−SiH2(NiPrH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NBuH)−CH2−CH2−SiH2(NBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NiBuH)−CH2−CH2−SiH2(NiBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NtBuH)−CH2−CH2−SiH2(NtBuH))2である;
・前駆体がRN(SiH(NAmH)−CH2−CH2−SiH2(NAmH))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピリジン)−CH2−CH2−SiH2(ピリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピロール)−CH2−CH2−SiH2(ピロール))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピロリジン)−CH2−CH2−SiH2(ピロリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH(イミダゾール)−CH2−CH2−SiH2(イミダゾール))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピペリジン)−CH2−CH2−SiH2(ピペリジン))2である;
・前駆体がRN(SiH(ピリミジン)−CH2−CH2−SiH2(ピリミジン))2である;
・R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(CH2=CH−CH2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NH2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NMe2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NMeEt)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NEt2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NnPr2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiPr2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NBu2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiBu2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NtBu2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NAm2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NCyペンチル2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(Nヘキシル2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NCyHex2)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NMeH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NEtH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NnPrH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiPrH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NBuH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NiBuH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NtBuH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(NAmH)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピリジン)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピロール)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピロリジン)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(イミダゾール)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピペリジン)2)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−SiH(ピリミジン)2)2である;
・R4及びR5=Hであり、且つR=H、CuH2u+1、又はSivH2v−1であり、式中、u=1〜6であり、且つv=1〜4である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(CH2=CH−CH2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NH2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NMe2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NMeEt)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NEt2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NnPr2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiPr2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NBu2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiBu2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NtBu2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NAm2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NCyペンチル2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(Nヘキシル2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NCyHex2)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NMeH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NEtH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NnPrH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiPrH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NBuH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NiBuH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NtBuH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(NAmH)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピリジン)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピロール)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピロリジン)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(イミダゾール)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピペリジン)3)2である;
・前駆体がRN(SiH2−CH2−CH2−Si(ピリミジン)3)2である;
・R2、R3、R4、及びR5が全てHである;
・R2、R3、R4、及びR5の少なくとも1つがビニル基である;
・RがHである;
・t=1である;
・前駆体が[−NR−R4R5Si−CH2−SiR2R3−]nである;
・R、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがビニルである;
・R、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがアリルである;
・R、R2、R3、R4、又はR5の少なくとも1つがフェニルである;
・前駆体が[−NR−R4R5Si−(CH2)−SiR2R3−]n単位と、[−NR−R4R5Si−(CH2)−SiR1R2R3]エンドキャップとを含む;
・前駆体が[−NR−R4R5Si−(CH2)−SiR2R3−]n単位と、[−NR−R4R5Si−(CH2)−SiR2R3−NR1R2]エンドキャップとを含む;
・R、R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・R=SixH2x+1(x=1〜4)であり、且つR2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−N(SiH3)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si2H5)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si3H7)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si4H9)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・R=CyH2y+1(y=1〜6)であり、且つR2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−N(CH3)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C2H5)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C3H7)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C4H9)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C5H11)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C6H13)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=R1’R2’R3’Si(CH2)bSiR4’R5’であり、式中、b=1〜2であり、且つR1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’=H又はC1−C6炭化水素である;
・前駆体が[−N(SiH3−CH2−SiH2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH3−CH2−CH2−SiH2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiMe3−CH2−SiMe2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiMe3−CH2−CH2−SiMe2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiEt3−CH2−SiEt2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiEt3−CH2−CH2−SiEt2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−N(SiEt3)−H2Si−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(iPr)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(nPr)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(Bu)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(iBu)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(tBu)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(アミル)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(ヘキシル)3−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−Nx(SiH(Me)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(Et)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(iPr)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(nPr)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(Bu)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(iBu)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(tBu)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(アミル)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(ヘキシル)2−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(Me)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(Et)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(iPr)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(nPr)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(Bu)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(iBu)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(tBu)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(アミル)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(ヘキシル)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NMe2)−H2Si−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NEt2)−H2Si−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NiPr2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NnPr2)−SiH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NMeEt)−H2Si−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(NMe2)2)−H2Si−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(NEt2)2)−H2Si−CH2−SiH2−]nである;
・R、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(CH2−CH2=CH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NMe2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NMeEt)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NEt2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NnPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NiPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NiBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NtBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NAm2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NCyペンチル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(Nヘキシル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NCyHex2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NMeH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NEtH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NnPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NiPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NiBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NtBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(NAmH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(ピリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(ピロール)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(ピロリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(イミダゾール)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(ピペリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−SiH(ピリミジン)−]nである;
・R、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(CH2−CH2=CH2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NH2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NMe2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NMeEt)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NEt2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NnPr2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NiPr2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NBu2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NiBu2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NtBu2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NAm2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NCyペンチル2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(Si(Nヘキシル2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NCyHex2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NMeH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NEtH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NnPrH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NiPrH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NBuH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NiBuH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NtBuH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(NAmH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(ピリジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(ピロール)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(ピロリジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(イミダゾール)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(ピペリジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−Si(ピリミジン)2−]nである;
・R、R3、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−SiH(CH2−CH2=CH2)−CH2−SiH(CH2−CH2=CH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NH2)−CH2−SiH(NH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NMe2)−CH2−SiH(NMe2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NMeEt)−CH2−SiH(NMeEt)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NEt2)−CH2−SiH(NEt2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NnPr2)−CH2−SiH(NnPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiPr2)−CH2−SiH(NiPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NBu2)−CH2−SiH(NBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiBu2)−CH2−SiH(NiBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NtBu2)−CH2−SiH(NtBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NAm2)−CH2−SiH(NAm2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NCyペンチル2)−CH2−SiH(NCyペンチル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(Nヘキシル2)−CH2−SiH(Nヘキシル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NCyHex2)−CH2−SiH(NCyHex2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NMeH)−CH2−SiH(NMeH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NEtH)−CH2−SiH(NEtH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NnPrH)−CH2−SiH(NnPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiPrH)−CH2−SiH(NiPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NBuH)−CH2−SiH(NBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiBuH)−CH2−SiH(NiBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NtBuH)−CH2−SiH(NtBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NAmH)−CH2−SiH(NAmH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピリジン)−CH2−SiH(ピリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピロール)−CH2−SiH(ピロール)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピロリジン)−CH2−SiH(ピロリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(イミダゾール)−CH2−SiH(イミダゾール)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピペリジン)−CH2−SiH(ピペリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピリミジン)−CH2−SiH(ピリミジン)−]nである;
・t=2である;
・前駆体が[−NR−R4R5Si−(CH2)2−SiR2R3−]nである;
・前駆体が[−NR−R4R5Si−(CH2)2−SiR2R3−]n単位と、[−NR−R4R5Si−(CH2)2−SiR1R2R3−]エンドキャップとを含む;
・前駆体が[−NR−R4R5Si−(CH2)2−SiR2R3−]n単位と、[−NR−R4R5Si−(CH2)2−SiR2R3−NR1R2]エンドキャップとを含む;
・R、R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・R=SixH2x+1(x=1〜4)であり、且つR2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−N(Si2H5)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si3H7)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si4H9)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・R=CyH2y+1(y=1〜6)であり、且つR2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−N(CH3)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C2H5)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C3H7)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C4H9)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C5H11)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(C6H13)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・R2、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−N(SiMe3)−H2Si−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiEt3)−H2Si−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(iPr)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(nPr)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(Bu)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(iBu)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(tBu)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(アミル)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(Si(ヘキシル)3−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−Nx(SiH(Me)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(Et)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(iPr)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(nPr)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(Bu)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(iBu)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(tBu)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(アミル)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(ヘキシル)2−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(Me)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(Et)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(iPr)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(nPr)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(Bu)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(iBu)−SiH2−CH2CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(tBu)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2(ヘキシル)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NMe2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NEt2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NiPr2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NnPr2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH2NMeEt)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(NMe2)2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH(NEt2)2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・R2、R3、R4、及びR5=Hであり、且つR=R1’R2’R3’Si(CH2)bSiR4’R5’であり、式中、b=1〜2であり、且つR1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’=H又はC1−C6炭化水素である;
・前駆体が[−N(SiH3−CH2−SiH2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiH3−CH2−CH2−SiH2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiMe3−CH2−SiMe2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiMe3−CH2−CH2−SiMe2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiEt3−CH2−SiEt2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・前駆体が[−N(SiEt3−CH2−CH2−SiEt2)−SiH2−CH2−CH2−SiH2−]nである;
・R、R3、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(CH2=CH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(CH2−CH2=CH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NMe2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NMeEt)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NEt2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NnPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NiPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NiBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NtBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NAm2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NCyペンチル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(Nヘキシル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NCyHex2)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NEtH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NnPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NiPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NiBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NtBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(NAmH)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(ピリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(ピロール)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(ピロリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(イミダゾール)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(ピペリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−SiH(ピリミジン)−]nである;
・R、R4、及びR5=Hである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(CH2=CH2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(CH2−CH2=CH2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NH2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NMe2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NMeEt)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NEt2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NnPr2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NiPr2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NBu2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NiBu2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NtBu2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NAm2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NCyペンチル2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(Si(Nヘキシル2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NCyHex2)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NMeH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NEtH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NnPrH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NiPrH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NBuH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NiBuH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NtBuH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(NAmH)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(ピリジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(ピロール)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(ピロリジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(イミダゾール)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(ピペリジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−H2Si−CH2−CH2−Si(ピリミジン)2−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(CH2=CH2)−CH2−CH2−SiH(CH2=CH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(CH2−CH2=CH2)−CH2−CH2−SiH(CH2−CH2=CH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NH2)−CH2−CH2−SiH(NH2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NMe2)−CH2−CH2−SiH(NMe2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NMeEt)−CH2−CH2−SiH(NMeEt)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NEt2)−CH2−CH2−SiH(NEt2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NnPr2)−CH2−CH2−SiH(NnPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiPr2)−CH2−CH2−SiH(NiPr2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NBu2)−CH2−CH2−SiH(NBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiBu2)−CH2−CH2−SiH(NiBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NtBu2)−CH2−CH2−SiH(NtBu2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NAm2)−CH2−CH2−SiH(NAm2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NCyペンチル2)−CH2−CH2−SiH(NCyペンチル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(Nヘキシル2)−CH2−CH2−SiH(Nヘキシル2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NCyHex2)−CH2−CH2−SiH(NCyHex2)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NMeH)−CH2−CH2−SiH(NMeH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NEtH)−CH2−CH2−SiH(NEtH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NnPrH)−CH2−CH2−SiH(NnPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiPrH)−CH2−CH2−SiH(NiPrH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NBuH)−CH2−CH2−SiH(NBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NiBuH)−CH2−CH2−SiH(NiBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NtBuH)−CH2−CH2−SiH(NtBuH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(NAmH)−CH2−CH2−SiH(NAmH)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピリジン)−CH2−CH2−SiH(ピリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピロール)−CH2−CH2−SiH(ピロール)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピロリジン)−CH2−CH2−SiH(ピロリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(イミダゾール)−CH2−CH2−SiH(イミダゾール)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピペリジン)−CH2−CH2−SiH(ピペリジン)−]nである;
・前駆体が[−NH−SiH(ピリミジン)−CH2−CH2−SiH(ピリミジン)−]nである;
・Si含有膜形成用組成物が約93重量%〜約100重量%の前駆体を含む;
・Si含有膜形成用組成物が約99重量%〜約100重量%の前駆体を含む;
・Si含有膜形成用組成物が約0ppmw〜200ppmwのClを含む;
・Si含有膜形成用組成物が約0ppmw〜50ppmwのClを含む;
・溶媒が、C1−C16炭化水素、THF、DMO、エーテル、ピリジン、ケトン、エステル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される;
・溶媒がC1−C16飽和又は不飽和炭化水素である;
・溶媒がテトラヒドロフラン(THF)である;
・溶媒がジメチルオキサレート(DMO)である;
・溶媒がエーテルである;
・溶媒がピリジンである;
・溶媒がメチルイソブチルケトンである;
・溶媒がシクロヘキサノンである;
・溶媒がエタノールである;
・溶媒がイソプロパノールである;
・触媒又はラジカル発生剤を更に含む;
・ラジカル発生剤がフェノン、キニーネ、又はメタロセンなどの光開始剤である;
・過酸化物又は−N=N−単位を含むアゾ化合物などの熱ラジカル開始剤を更に含む;又は
・Si含有膜形成用組成物が、約0ppmw〜100ppbの、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Al、及び遷移金属から選択される各金属(国際純正・応用化学連合(IUPAC)による規定の通り)を含む。
・第2の前駆体が、2族、13族、14族、遷移金属、ランタニド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される元素を含む;
・第2の前駆体の元素がB、Zr、Hf、Ti、Nb、V、Ta、Al、Si、Geから選択される;
・反応器への共反応物の導入;
・共反応物が、O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2、カルボン酸、アルコール、エタノールアミン、これらのラジカル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される;
・共反応物が、プラズマ処理された酸素である;
・共反応物がオゾンである;
・Si含有層がケイ素酸化物含有層である;
・共反応物が、H2、NH3、(SiH3)3N、ヒドリドシラン(SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10、Si5H10、Si6H12等)、クロロシラン及びクロロポリシラン(SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、Si2HCl5、Si3Cl8等)、アルキルシラン(Me2SiH2、Et2SiH2、MeSiH3、EtSiH3等)、ヒドラジン(N2H4、MeHNNH2、MeHNNHMe等)、有機アミン(NMeH2、NEtH2、NMe2H、NEt2H、NMe3、NEt3、(SiMe3)2NH等)、ジアミン(エチレンジアミン、ジメチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン等)、ピラゾリン、ピリジン、ホウ素含有分子(B2H6、トリメチルボラン、トリエチルボラン、ボラジン、置換ボラジン、ジアルキルアミノボラン等)、アルキル金属(トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等)、これらのラジカル種、並びにこれらの混合物からなる群から選択される;
・共反応物が、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、これらの水素ラジカル、及びこれらの混合物からなる群から選択される;
・共反応物が、飽和又は不飽和の直鎖、分岐、又は環状の炭化水素である;
・共反応物がエチレンである:
・共反応物がアセチレンである:
・共反応物がプロピレンである:
・共反応物がイソプレンである:
・共反応物がシクロヘキサンである:
・共反応物がシクロヘキセンである:
・共反応物がシクロヘキサジエンである:
・共反応物がペンテンである:
・共反応物がペンチンである:
・共反応物がシクロペンタンである:
・共反応物がブタジエンである:
・共反応物がシクロブタンである:
・共反応物がテルピネンである:
・共反応物がオクタンである:
・共反応物がオクテンである:
・蒸着法が化学蒸着法である;
・蒸着法が原子層堆積(ALD)法である;
・蒸着法が空間的ALD法である;
・蒸着法が流動性化学蒸着法(F−CVD)である;
・ケイ素含有層がSiO2である;
・ケイ素含有層がSiCである;
・ケイ素含有層がSiNである;
・ケイ素含有層がSiONである;
・ケイ素含有層がSiOCである;
・ケイ素含有層がSiONCである;
・ケイ素含有層がSiBNである;
・ケイ素含有層がSiBCNである;
・ケイ素含有層がSiCNである;
・ケイ素含有層がSiMCOであり、式中、MがZr、Hf、Ti、Nb、V、Ta、Al、Geから選択される;又は
・Si含有層をアニールすることを更に含む。
・Si含有膜形成用組成物が、C5−C16の分岐、直鎖、飽和、又は不飽和の炭化水素;THF;DMO;エーテル;ピリジン;ケトン;エステル;及びこれらの組み合わせからなる群から選択される溶媒を更に含む;
・溶媒がエーテルである;
・溶媒がメチルイソブチルケトンである;
・溶媒がシクロヘキサノンである;
・Si含有膜形成用組成物が触媒又はラジカル発生剤を更に含む;
・ラジカル発生剤が光開始剤である;
・ラジカル発生剤がフェノンである;
・ラジカル発生剤がキニーネである;
・ラジカル発生剤がメタロセンである;
・ラジカル発生剤が熱ラジカル開始剤である;
・ラジカル発生剤が過酸化物である;
・ラジカル発生剤が−N=N−単位を含むアゾ化合物である;
・触媒がルイス酸である;
・触媒が光−酸生成剤である;
・触媒がヒドロシリル化触媒である;
・ルイス酸がトリス(ペンタフルオロフェニル)ボランB(C6F5)3である;
・ルイス酸が誘導体である;
・ルイス酸が、B(C6F5)3とメタロセン化合物との錯化によって形成される非配位性アニオンである;
・スピンコーティング法によるSi含有膜の形成;
・スプレーコーティング法によるSi含有膜の形成;
・ディップコーティング法によるSi含有膜の形成;
・スリットコーティング法によるSi含有膜の形成;
・Si含有膜のアニーリング;
・Si含有膜の紫外線硬化;
・オリゴマーの架橋を増強するための反応性雰囲気下でのSi含有膜の紫外線硬化;又は
・Si含有膜のレーザー処理。
以降の詳細な記述及び請求項では、多数の略語、記号、及び用語が使用され、これらは当該技術分野で一般に周知である。定義は、便宜上、典型的には各頭字語の最初の例と共に与えられているが、表1は、使用される略語、記号、及び用語の一覧表をそれぞれの定義と共に示す。
RaN(R4R5Si(CH2)mSiR1R2R3)3−a (I)
を有するか、次式:
[−NR−R4R5Si−(CH2)t−SiR2R3−]n (II)
を有する単位を有し、式中、a=0〜1であり;m=1〜4であり;t=1〜4であり;n=2〜400であり;R1、R2、R3、R4、及びR5は、独立して、H、炭化水素基(C1−C6)、又は式NR’’2のアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6炭化水素基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R1、R2、R3、R4、及びR5の少なくとも1つは、Hであり;及びRは、H、C1−C6炭化水素基、式SixR’2x+1(ここで、x=1〜4であり、及び各R’は、独立して、=H、C1−C6炭化水素基、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成する)を有するシリル基、又はR1’R2’R3’Si(CH2)bSiR4’R5’基(式中、b=1〜2である)であり、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’は、R1’、独立して、H、C1−C6炭化水素基、C6−C12アリール、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R2’、R3’、R4’、及びR5’の少なくとも1つは、Hである。好ましくは、m=1〜2であり、且つt=1〜2である。アルキルアミノ基のR’’は、連結してN原子上で環状鎖を形成し得る。例えば、NR’’2は、ピリジン、ピロール、ピロリジン、又はイミダゾール環構造を形成し得る。前駆体は、前駆体が式(I)で6個のHを含む場合(すなわち、R、R1、R2、R3、R4、及びR5がそれぞれ独立してHである)、又は式(II)中の各N−Si−C−Si若しくはN−Si−C−C−Si骨格単位中に5個のHを含む場合(すなわち、R、R2、R3、R4、及びR5がそれぞれ独立してHである)、改善された揮発性を有し得る。
N(SiR4R5(CH2)mSiR1R2R3)3 (III)。
RN(SiR4R5(CH2)mSiR1R2R3)2 (IV)
出発材料である1,2−ジシラプロパン(DSP)及び1,3−ジシラブタン(DSB)の合成
3LiAlH4+2SiCl3CH2SiCl3→2DSP+3LiAlCl4
3LiAlH4+2SiCl3CH2CH2SiCl3→2DSB+3LiAlCl4
ハロゲンフリーのルートでのビス(ジシラプロパン)アミンHN(SiH2−CH2−SiH3)2(HN(DSP)2)及びトリス((シリルメチル)シリル)アミンN(SiH2−CH2−SiH3)3(N(DSP)3)の合成
H3Si−CH2−SiH3+NH3→HN(DSP)2
H3Si−CH2−SiH3+NH3→N(DSP)3
ハロゲンフリーのルートでのNDSPオリゴマー[−NH−SiH2−CH2−SiH2−]n([−NH−DSP−]n)及び[−N(SiH2−CH2−SiH3)−SiH2−CH2−SiH2−]n([−N(DSP)−DSP−]n)(n=2〜400)の合成
H3Si−CH2−SiH3+NH3→HNDSP2→[−NH−DSP−]n
H3Si−CH2−SiH3+NH3→NDSP3→[−N(DSP)−DSP−]n
HNDSP2の選択的合成
ClSiH2−CH2−SiH3+NH3→HNDSP2+HCl
NDSP3の選択的な合成
3ClSiH2−CH2−SiH3+4NH3→NDSP3+3NH4Cl
Claims (11)
- 式:
[−NR−R4R5Si−(CH2)t−SiR2R3−]n (II)
(式中、t=1〜4であり;n=2〜400であり;
R2、R3、R4、及びR5は、独立して、H、C1−C6炭化水素、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6炭化水素、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R2、R3、R4、及びR5の少なくとも1つは、Hであり;及び
Rは、H、C1−C6炭化水素、式SixR’2x+1(ここで、x=1〜4であり、及び各R’は、独立して、=H、C1−C6炭化水素、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成する)を有するシリル基、又はR1’R2’R3’Si(CH2)bSiR4’R5’基(ここで、b=1〜2である)であり、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’は、独立して、H、C1−C6炭化水素、C6−C12アリール、又は式NR’’2を有するアルキルアミノ基であり、各R’’は、独立して、H、C1−C6基、C6−C12アリールであるか、又はNR’’2は、環状アミン基を形成し、ただし、R1’、R2’、R3’、R4’、及びR5’の少なくとも1つは、Hである)
を有する単位を含有する前駆体を含むSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、式[−NH−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n(ここで、t=1〜2である)を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。
- 前記前駆体は、
[−N(SiH3)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si2H5)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si3H7)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、及び
[−N(Si4H9)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−N(Si(Me)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(Et)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(iPr)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(nPr)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(Bu)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(iBu)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(tBu)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(アミル)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Si(ヘキシル)3−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−Nx(SiH(Me)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(Et)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(iPr)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(nPr)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(Bu)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(iBu)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(tBu)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(アミル)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(ヘキシル)2−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(Me)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(Et)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(iPr)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(nPr)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(Bu)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(iBu)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(tBu)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2(アミル)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、及び
[−N(SiH2(ヘキシル)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−N(SiH2−CH2−SiH3)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2−CH2−CH2−SiH3)−(CH2)t−CH2−SiH2−]n、
[−N(SiMe3−CH2−SiMe2)−(CH2)t−CH2−SiH2−]n、
[−N(SiMe3−CH2−CH2−SiMe2)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiEt3−CH2−SiEt2)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、及び
[−N(SiEt3−CH2−CH2−SiEt2)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−N(Me)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Et)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(iPr)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(nPr)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(Bu)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(iBu)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(tBu)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(アミル)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、及び
[−N(ヘキシル)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−N(SiH2NMe2)−H2Si−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2NEt2)−H2Si−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2NiPr2)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2NnPr2)−SiH2−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH2NMeEt)−H2Si−(CH2)t−SiH2−]n、
[−N(SiH(NMe2)2)−H2Si−(CH2)t−SiH2−]n、及び
[−N(SiH(NEt2)2)−H2Si−(CH2)t−SiH2−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(CH2=CH2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(CH2−CH2=CH2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NH2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NMe2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NMeEt)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NEt2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NnPr2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NiPr2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NBu2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NiBu2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NtBu2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NAm2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NCyペンチル2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(Nヘキシル2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NCyHex2)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NMeH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NEtH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NnPrH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NiPrH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NBuH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NiBuH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NtBuH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(NAmH)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(ピリジン)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(ピロール)−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(ピロリジン)−]n、及び
[−NH−H2Si−(CH2)t−SiH(イミダゾール)−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(CH2=CH2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(CH2−CH2=CH2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NH2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NMe2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NMeEt)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NEt2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NnPr2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NiPr2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NBu2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NiBu2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NtBu2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NAm2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NCyペンチル2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(Si(Nヘキシル2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NCyHex2)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NMeH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NEtH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NnPrH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NiPrH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NBuH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NiBuH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NtBuH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(NAmH)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(ピリジン)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(ピロール)2−]n、
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(ピロリジン)2−]n、及び
[−NH−H2Si−(CH2)t−Si(イミダゾール)2−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 前記前駆体は、
[−NH−SiH(CH2=CH2)−(CH2)t−−SiH(CH2=CH2)−]n、
[−NH−SiH(CH2−CH2=CH2)−(CH2)t−SiH(CH2−CH2=CH2)−]n、
[−NH−SiH(NH2)−(CH2)t−SiH(NH2)−]n、
[−NH−SiH(NMe2)−(CH2)t−SiH(NMe2)−]n、
[−NH−SiH(NMeEt)−(CH2)t−SiH(NMeEt)−]n、
[−NH−SiH(NEt2)−(CH2)t−SiH(NEt2)−]n、
[−NH−SiH(NnPr2)−(CH2)t−SiH(NnPr2)−]n、
[−NH−SiH(NiPr2)−(CH2)t−SiH(NiPr2)−]n、
[−NH−SiH(NBu2)−(CH2)t−SiH(NBu2)−]n、
[−NH−SiH(NiBu2)−(CH2)t−SiH(NiBu2)−]n、
[−NH−SiH(NtBu2)−(CH2)t−SiH(NtBu2)−]n、
[−NH−SiH(NAm2)−(CH2)t−SiH(NAm2)−]n、
[−NH−SiH(NCyペンチル2)−(CH2)t−SiH(NCyペンチル2)−]n、
[−NH−SiH(Nヘキシル2)−(CH2)t−SiH(Nヘキシル2)−]n、
[−NH−SiH(NCyHex2)−(CH2)t−SiH(NCyHex2)−]n、
[−NH−SiH(NMeH)−(CH2)t−SiH(NMeH)−]n、
[−NH−SiH(NEtH)−(CH2)t−SiH(NEtH)−]n、
[−NH−SiH(NnPrH)−(CH2)t−SiH(NnPrH)−]n、
[−NH−SiH(NiPrH)−(CH2)t−SiH(NiPrH)−]n、
[−NH−SiH(NBuH)−(CH2)t−SiH(NBuH)−]n、
[−NH−SiH(NiBuH)−(CH2)t−SiH(NiBuH)−]n、
[−NH−SiH(NtBuH)−(CH2)t−SiH(NtBuH)−]n、
[−NH−SiH(NAmH)−(CH2)t−SiH(NAmH)−]n、
[−NH−SiH(ピリジン)−(CH2)t−SiH(ピリジン)−]n、
[−NH−SiH(ピロール)−(CH2)t−SiH(ピロール)−]n、
[−NH−SiH(ピロリジン)−(CH2)t−SiH(ピロリジン)−]n、及び
及び[−NH−SiH(イミダゾール)−(CH2)t−SiH(イミダゾール)−]n
(ここで、t=1〜2である)からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項2に記載のSi含有膜形成用組成物。 - 基板上にSi含有膜を形成する方法であって、請求項1〜10のいずれか一項に記載のSi含有膜形成用組成物を含む溶液を形成することと、前記溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法で前記基板と接触させて、前記Si含有膜を形成することとを含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662312352P | 2016-03-23 | 2016-03-23 | |
US62/312,352 | 2016-03-23 | ||
PCT/US2017/023779 WO2017165626A1 (en) | 2016-03-23 | 2017-03-23 | Si-containing film forming compositions and methods of making and using the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019513174A true JP2019513174A (ja) | 2019-05-23 |
JP2019513174A5 JP2019513174A5 (ja) | 2020-04-30 |
JP6868640B2 JP6868640B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=59900919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018550413A Active JP6868640B2 (ja) | 2016-03-23 | 2017-03-23 | Si含有膜形成用組成物並びにそれを製造及び使用する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11407922B2 (ja) |
EP (1) | EP3433302B1 (ja) |
JP (1) | JP6868640B2 (ja) |
KR (2) | KR102403096B1 (ja) |
CN (1) | CN109476848B (ja) |
TW (2) | TWI753794B (ja) |
WO (1) | WO2017165626A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023510050A (ja) * | 2020-05-07 | 2023-03-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ポリカルボシラザンおよびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたケイ素含有膜の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI706957B (zh) | 2015-03-30 | 2020-10-11 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 碳矽烷與氨、胺類及脒類之觸媒去氫耦合 |
JP6756689B2 (ja) * | 2017-10-13 | 2020-09-16 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
US10510852B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low-k feature formation processes and structures formed thereby |
US11499014B2 (en) | 2019-12-31 | 2022-11-15 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Cureable formulations for forming low-k dielectric silicon-containing films using polycarbosilazane |
JP2023512674A (ja) * | 2020-01-31 | 2023-03-28 | ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド | シリコン前駆体化合物、これを含むシリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜形成方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015096489A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-05-21 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法 |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0764642B2 (ja) | 1986-06-13 | 1995-07-12 | 東燃株式会社 | 窒化物系セラミツクスの製法 |
JP3230029B2 (ja) | 1994-05-30 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | Iii−v族化合物半導体結晶成長方法 |
US5874368A (en) | 1997-10-02 | 1999-02-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Silicon nitride from bis(tertiarybutylamino)silane |
US6841256B2 (en) | 1999-06-07 | 2005-01-11 | Honeywell International Inc. | Low dielectric constant polyorganosilicon materials generated from polycarbosilanes |
US6489030B1 (en) | 2000-04-14 | 2002-12-03 | Honeywell International, Inc. | Low dielectric constant films used as copper diffusion barrier |
JP4868639B2 (ja) | 2000-06-12 | 2012-02-01 | 株式会社Adeka | 化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
JP4196246B2 (ja) | 2000-11-17 | 2008-12-17 | 株式会社トリケミカル研究所 | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 |
JP2002167438A (ja) | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Jsr Corp | ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
CN100379745C (zh) | 2001-10-26 | 2008-04-09 | 埃普切公司 | 化学气相淀积用的改良的前体 |
JP2003151972A (ja) | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Tri Chemical Laboratory Inc | 酸化膜、酸化膜形成方法、半導体素子 |
JP4021653B2 (ja) | 2001-11-30 | 2007-12-12 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Cvd法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 |
JP4116283B2 (ja) | 2001-11-30 | 2008-07-09 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ヘキサキス(モノヒドロカルビルアミノ)ジシランおよびその製造方法 |
TW200422424A (en) | 2002-08-18 | 2004-11-01 | Asml Us Inc | Low temperature deposition of silicon oxides and oxynitrides |
JP4358492B2 (ja) | 2002-09-25 | 2009-11-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 |
US7446217B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-11-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films |
US7531679B2 (en) | 2002-11-14 | 2009-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride |
WO2004057653A2 (en) | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer |
US7972663B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer |
US7172792B2 (en) | 2002-12-20 | 2007-02-06 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film |
US6940173B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-09-06 | International Business Machines Corporation | Interconnect structures incorporating low-k dielectric barrier films |
JP4265409B2 (ja) | 2003-02-13 | 2009-05-20 | 三菱マテリアル株式会社 | Si−Si結合を有する有機Si含有化合物を用いたSi含有薄膜の形成方法 |
US7579496B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-08-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same |
US20050227017A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-10-13 | Yoshihide Senzaki | Low temperature deposition of silicon nitride |
JP2005213633A (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | 化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 |
US7098150B2 (en) | 2004-03-05 | 2006-08-29 | Air Liquide America L.P. | Method for novel deposition of high-k MSiON dielectric films |
US20060012014A1 (en) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | International Business Machines Corporation | Reliability of low-k dielectric devices with energy dissipative layer |
US7358317B2 (en) | 2004-09-22 | 2008-04-15 | Jsr Corporation | Polycarbosilane and method of producing the same |
JP2006096675A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | 新規なアミノジシランおよび炭窒化珪素膜の形成方法 |
JP4756128B2 (ja) | 2004-10-20 | 2011-08-24 | 日揮触媒化成株式会社 | 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜 |
JP2006152063A (ja) | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Jsr Corp | 新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法 |
US20060121192A1 (en) | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Jurcik Benjamin J | Liquid precursor refill system |
US7892648B2 (en) | 2005-01-21 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | SiCOH dielectric material with improved toughness and improved Si-C bonding |
US20060286819A1 (en) | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for silicon based dielectric deposition and clean with photoexcitation |
ES2265291B1 (es) | 2005-07-22 | 2008-03-01 | Universidad De Alcala | Nuevos dendrimeros carbosilanos, su preparacion y sus usos. |
CN101443338A (zh) | 2006-04-03 | 2009-05-27 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 含五(二甲基氨基)二硅烷前体的化合物及其制备方法 |
WO2007112780A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-11 | L'air Liquide Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for depositing silicon nitride films and/or silicon oxynitride films by chemical vapor deposition |
US7875312B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
US7442822B2 (en) * | 2006-09-01 | 2008-10-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Stabilization of nitrogen-containing and oxygen-containing organosilanes using weakly basic ion-exchange resins |
US20080124815A1 (en) | 2006-11-03 | 2008-05-29 | International Business Machines Corporation | Method for post cap ild/imd repair with uv irradiation |
US7500397B2 (en) | 2007-02-15 | 2009-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films |
CN100559167C (zh) * | 2007-04-23 | 2009-11-11 | 陕西师范大学 | 对硝基芳烃敏感的单分子层聚硅烷荧光传感薄膜的制备方法 |
WO2009008041A1 (ja) | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Fujitsu Limited | 絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
US20090096106A1 (en) | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Antireflective coatings |
US20090110884A1 (en) | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Integrated Surface Technologies | Surface Coating |
JP2011504522A (ja) | 2007-11-06 | 2011-02-10 | ブラゴーン オサケ ユキチュア | 反射防止コーティング用カルボシランポリマー組成物 |
US9034105B2 (en) | 2008-01-10 | 2015-05-19 | American Air Liquide, Inc. | Solid precursor sublimator |
JP5317089B2 (ja) | 2008-01-23 | 2013-10-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 成膜方法および絶縁膜 |
SG183291A1 (en) | 2010-02-17 | 2012-09-27 | Air Liquide | VAPOR DEPOSITION METHODS OF SiCOH LOW-K FILMS |
CN102471885A (zh) | 2010-04-01 | 2012-05-23 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 使用氨基金属与卤化金属前体组合的含金属氮化物的薄膜沉积 |
US8853856B2 (en) | 2010-06-22 | 2014-10-07 | International Business Machines Corporation | Methodology for evaluation of electrical characteristics of carbon nanotubes |
US8196945B2 (en) | 2010-06-22 | 2012-06-12 | Pedal Lock Partnership | Bicycle pedal with integrated cable lock |
US8993072B2 (en) | 2011-09-27 | 2015-03-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
JP5969253B2 (ja) | 2012-02-10 | 2016-08-17 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
US20130224964A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for Forming Dielectric Film Containing Si-C bonds by Atomic Layer Deposition Using Precursor Containing Si-C-Si bond |
US8871656B2 (en) | 2012-03-05 | 2014-10-28 | Applied Materials, Inc. | Flowable films using alternative silicon precursors |
US9337018B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
US9978585B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US9243324B2 (en) | 2012-07-30 | 2016-01-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods of forming non-oxygen containing silicon-based films |
US10279959B2 (en) * | 2012-12-11 | 2019-05-07 | Versum Materials Us, Llc | Alkoxysilylamine compounds and applications thereof |
KR101583232B1 (ko) | 2012-12-31 | 2016-01-07 | 제일모직 주식회사 | 중합체 제조 방법 및 실리카계 절연막 형성용 조성물 |
US9360729B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-06-07 | Kinestral Technologies, Inc. | Electrochromic lithium nickel group 6 mixed metal oxides |
JP6155063B2 (ja) | 2013-03-19 | 2017-06-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
US9796739B2 (en) | 2013-06-26 | 2017-10-24 | Versum Materials Us, Llc | AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US9920077B2 (en) * | 2013-09-27 | 2018-03-20 | L'Air Liquide, SociétéAnonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds and synthesis methods thereof |
US10023958B2 (en) | 2013-11-22 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of films comprising silicon, carbon and nitrogen using halogenated silicon precursors |
US9233990B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-01-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilanes and methods for making same |
CN103881101A (zh) | 2014-03-18 | 2014-06-25 | 天津大学 | 一种碳氮化硅陶瓷用聚碳硅氮烷前驱体及其制备方法 |
CN112961382A (zh) * | 2014-06-25 | 2021-06-15 | 旭化成株式会社 | 具有孔隙的聚酰亚胺薄膜及其制造方法 |
KR102411034B1 (ko) * | 2014-07-10 | 2022-06-17 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 알킬아미노 치환 카보실란 전구체 |
CN107002236B (zh) * | 2014-09-23 | 2019-04-05 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 用于沉积含Si膜的碳硅烷取代的胺前体以及其方法 |
US9879340B2 (en) * | 2014-11-03 | 2018-01-30 | Versum Materials Us, Llc | Silicon-based films and methods of forming the same |
TWI706957B (zh) * | 2015-03-30 | 2020-10-11 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 碳矽烷與氨、胺類及脒類之觸媒去氫耦合 |
-
2017
- 2017-03-22 TW TW110108522A patent/TWI753794B/zh active
- 2017-03-22 TW TW106109549A patent/TWI724141B/zh active
- 2017-03-23 US US16/087,464 patent/US11407922B2/en active Active
- 2017-03-23 JP JP2018550413A patent/JP6868640B2/ja active Active
- 2017-03-23 EP EP17771140.5A patent/EP3433302B1/en active Active
- 2017-03-23 KR KR1020187028798A patent/KR102403096B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-23 WO PCT/US2017/023779 patent/WO2017165626A1/en active Application Filing
- 2017-03-23 CN CN201780018923.1A patent/CN109476848B/zh active Active
- 2017-03-23 KR KR1020227016620A patent/KR102492744B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015096489A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-05-21 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023510050A (ja) * | 2020-05-07 | 2023-03-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ポリカルボシラザンおよびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたケイ素含有膜の製造方法 |
US11999827B2 (en) | 2020-05-07 | 2024-06-04 | Merck Patent Gmbh | Polycarbosilazane, and composition comprising the same, and method for producing silicon-containing film using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109476848B (zh) | 2021-06-22 |
US20190040279A1 (en) | 2019-02-07 |
JP6868640B2 (ja) | 2021-05-12 |
TW201805343A (zh) | 2018-02-16 |
EP3433302B1 (en) | 2021-04-28 |
EP3433302A1 (en) | 2019-01-30 |
WO2017165626A1 (en) | 2017-09-28 |
EP3433302A4 (en) | 2019-10-30 |
KR102492744B1 (ko) | 2023-01-26 |
TW202124540A (zh) | 2021-07-01 |
US11407922B2 (en) | 2022-08-09 |
KR20180136446A (ko) | 2018-12-24 |
TWI753794B (zh) | 2022-01-21 |
TWI724141B (zh) | 2021-04-11 |
KR20220069123A (ko) | 2022-05-26 |
KR102403096B1 (ko) | 2022-05-26 |
CN109476848A (zh) | 2019-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6868640B2 (ja) | Si含有膜形成用組成物並びにそれを製造及び使用する方法 | |
KR102092447B1 (ko) | 실리콘-포함 및 질소-포함 박막을 형성하기 위한 기상 증착 방법 | |
JP6578353B2 (ja) | Si含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法 | |
JP6803368B2 (ja) | アルキルアミノ置換ハロカルボシラン前駆体 | |
JP7390421B2 (ja) | コーティング組成物、および基板上へのSi含有膜の形成方法 | |
EP3056500B1 (en) | Bisaminoalkoxysilane compounds and methods for using same to deposit silicon-containing films | |
TWI659035B (zh) | 經烷胺基取代之碳矽烷前驅物 | |
KR20210121310A (ko) | 고성장률 규소-함유 필름을 위한 탄소 가교결합된 아미노실란 화합물 | |
KR102461078B1 (ko) | Ald/cvd 규소-함유 필름 응용을 위한 오르가노디실란 전구체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181017 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181002 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181019 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20181019 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20200319 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6868640 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |