JP6868640B2 - Ｓｉ含有膜形成用組成物並びにそれを製造及び使用する方法 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１６年３月２３日に出願された米国仮特許出願第６２／３１２，３５２号明細書の利益を主張するものであり、その全体があらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ （ＩＩ）
（式中、ｍ＝１〜４であり；ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’が、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及びＲは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである）
を有する単位を含有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示される。
Ｓｉ含有膜は、半導体、太陽電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、フラットパネル型デバイス、耐火性材料、又は航空産業において広く使用されている。Ｓｉ含有膜は、例えば、絶縁し得る電気特性を有する誘電材料（ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＨ、ＭＳｉＯｘ（式中、Ｍは、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、又はＧｅであり、及びｘは０〜４である））として使用される場合がある。Ｓｉ含有膜は、金属シリサイド又は金属ケイ素窒化物などの導電膜として使用される場合もある。電子デバイス構造のナノスケール（特に２８ｎｍノード未満）への小型化に伴って課せられる厳しい要件のため、速い堆積速度、製造される膜のコンフォーマル性及び一貫性に加えて、揮発性（蒸着プロセスについて）、より低い処理温度、様々な酸化剤との反応性、及び低い膜汚染の要件を満たす、更に微調整された分子の前駆体が必要とされている。
Ｈｉｚａｗａ及びＮｏｊｉｍｏｔｏ（Ｋｏｇｙｏ Ｋａｇａｋｕ Ｚａｓｓｈｉ，１９５６，５９，１３５９−６３）は、Ｍｅ３ＳｉＣＨ２ＳｉＭｅ２ＣｌとＮＨ３との反応からの（Ｍｅ３ＳｉＣＨ２ＳｉＭｅ２）２ＮＨの合成を述べている。
Ｏ’Ｎｅｉｌｌら（米国特許出願公開第２０１５／００８７１３９号明細書）は、Ｈ３Ｓｉ−Ｒ３−ＳｉＨ２−ＮＲ１−ＳｉＨ２−Ｒ３−ＳｉＨ３（式中、Ｒ１は、直鎖又は分岐のＣ１−Ｃ１２炭化水素基、直鎖又は分岐のＣ３−Ｃ１２アルケニル基、直鎖又は分岐のＣ３−Ｃ１２のアルキニル基、Ｃ３−Ｃ１２環状アルキル基、又はＣ５−Ｃ１２アリール基であり、Ｒ３は、直鎖又は分岐のＣ１−Ｃ１２アルキレン基、直鎖又は分岐のＣ３−Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３−Ｃ１２環状アルキレン基、Ｃ３−Ｃ１２ヘテロ環アルキレン基、Ｃ５−Ｃ１２アリーレン基、又はＣ５−Ｃ１２ヘテロアリーレン基である）を含む、５つの分類のオルガノアミノシラン前駆体を開示している。
Ｆａｆａｒｄらの国際公開第２０１６／０４９１５４号パンフレットには、Ｓｉ含有膜の堆積のためのカルボシラン置換アミン前駆体が開示されている。カルボシラン置換アミン前駆体は、式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａ（式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１は、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、又はハロゲンであり；Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロゲン、アルコキシ、又はアルキルアミノ基である）を有する。
Ｋｅｒｒｉｇａｎらの国際公開第２０１６／１６０９９１号パンフレットには、アンモニア、アミン、及びアミジンを用いたカルボシランの触媒的脱水素型カップリングが開示されている。
製造プロセスの要件に合わせることができ、望ましい電気的特性及び物理的特性を有する膜を得ることができる能力をデバイス技術者に与えるために、Ｓｉ堆積前駆体を設計及び製造すること、特にハロゲンフリー及び／又はより選択的なルートで前駆体を設計及び製造することが継続的に必要とされている。
次式：
ＲａＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３−ａ （Ｉ）
を有するか、又は次式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ （ＩＩ）
を有する単位を含有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示され、式中、
ａ＝０〜１であり；
ｍ＝１〜４であり；
ｔ＝１〜４であり；
ｎ＝２〜４００であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ６）、又は式ＮＲ’’２の有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及び
Ｒは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（式中、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、次の態様の１つ以上を含み得る：
・ｍ＝１〜２である；
・ｔ＝１〜２である；
・ａ＝０であり、且つｍ＝１である；
・前駆体がＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３である；
・Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・Ｒ１、Ｒ２、又はＲ３の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ４又はＲ５の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ１、Ｒ２、又はＲ３の少なくとも１つがＨであり、且つＲ４又はＲ５の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがビニルである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがアリルである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがフェニルである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））３である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）３である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）３である；
・ａ＝０であり、且つｍ＝２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２ＣＨ２）ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））３である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））３である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）３である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）３である；
・ａ＝１であり、且つｍ＝１である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがビニルである；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがアリルである；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがフェニルである；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）である；
・前駆体がＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６である）である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨＭｅ２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨＥｔ２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、ＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）２である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）２である；
・ａ＝１であり、且つｍ＝２である；
・式（Ｉ）がＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）２ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）である；
・前駆体がＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６である）である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２Ｍｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２Ｅｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピペリジン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピロリジン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピロール）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２イミダゾール）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ２ピリミジン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピペリジン））２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリミジン））２である；
・Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）２）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）２）２である；
・Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１であり、式中、ｕ＝１〜６であり、且つｖ＝１〜４である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）２である；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つがＨである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５が全てＨである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つがビニル基である；
・ＲがＨである；
・ｔ＝１である；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがビニルである；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがアリルである；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ５の少なくとも１つがフェニルである；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３］エンドキャップとを含む；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）−ＳｉＲ２Ｒ３−ＮＲ１Ｒ２］エンドキャップとを含む；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＣＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ５Ｈ１１）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ６Ｈ１３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’であり、式中、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’＝Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素である；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・ｔ＝２である；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３−］エンドキャップとを含む；
・前駆体が［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ単位と、［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）２−ＳｉＲ２Ｒ３−ＮＲ１Ｒ２］エンドキャップとを含む；
・Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＣＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ５Ｈ１１）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｃ６Ｈ１３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３）−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’であり、式中、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’＝Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素である；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・前駆体が［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）２−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）２−］ｎである；
・Ｒ、Ｒ３、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピペリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピペリジン）−］ｎである；
・前駆体が［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリミジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリミジン）−］ｎである；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０．１モル％〜約５０モル％の前駆体を含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約９３重量％〜約１００重量％の前駆体を含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約９９重量％〜約１００重量％の前駆体を含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０ｐｐｍｗ〜２００ｐｐｍｗのＣｌを含む；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０ｐｐｍｗ〜５０ｐｐｍｗのＣｌを含む；
・更に溶媒を含む；
・溶媒が、Ｃ１−Ｃ１６炭化水素、ＴＨＦ、ＤＭＯ、エーテル、ピリジン、ケトン、エステル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
・溶媒がＣ１−Ｃ１６飽和又は不飽和炭化水素である；
・溶媒がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である；
・溶媒がジメチルオキサレート（ＤＭＯ）である；
・溶媒がエーテルである；
・溶媒がピリジンである；
・溶媒がメチルイソブチルケトンである；
・溶媒がシクロヘキサノンである；
・溶媒がエタノールである；
・溶媒がイソプロパノールである；
・触媒又はラジカル発生剤を更に含む；
・ラジカル発生剤がフェノン、キニーネ、又はメタロセンなどの光開始剤である；
・過酸化物又は−Ｎ＝Ｎ−単位を含むアゾ化合物などの熱ラジカル開始剤を更に含む；又は
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が、約０ｐｐｍｗ〜１００ｐｐｂの、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ａｌ、及び遷移金属から選択される各金属（国際純正・応用化学連合（ＩＵＰＡＣ）による規定の通り）を含む。
基板上にＳｉ含有層を堆積させる方法も開示される。上で開示したＳｉ含有膜形成用組成物のいずれか（ただし、好ましくは式（Ｉ）のもの）の蒸気は、その中に基板が配置されている反応器内に導入される。前駆体の少なくとも一部は、蒸着法を使用することで基板の上に堆積してＳｉ含有層を形成する。本開示の方法は、次の態様の１つ以上を含み得る：
・第２の前駆体を含む蒸気を反応器内へ導入する；
・第２の前駆体が、２族、１３族、１４族、遷移金属、ランタニド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される元素を含む；
・第２の前駆体の元素がＢ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される；
・反応器への共反応物の導入；
・共反応物が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、ＮＯ２、カルボン酸、アルコール、エタノールアミン、これらのラジカル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
・共反応物が、プラズマ処理された酸素である；
・共反応物がオゾンである；
・Ｓｉ含有層がケイ素酸化物含有層である；
・共反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドリドシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２等）、クロロシラン及びクロロポリシラン（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８等）、アルキルシラン（Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３等）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ等）、有機アミン（ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ等）、ジアミン（エチレンジアミン、ジメチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン等）、ピラゾリン、ピリジン、ホウ素含有分子（Ｂ２Ｈ６、トリメチルボラン、トリエチルボラン、ボラジン、置換ボラジン、ジアルキルアミノボラン等）、アルキル金属（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等）、これらのラジカル種、並びにこれらの混合物からなる群から選択される；
・共反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカル、及びこれらの混合物からなる群から選択される；
・共反応物がＨＣＤＳ又はＰＣＤＳである；
・共反応物が、飽和又は不飽和の直鎖、分岐、又は環状の炭化水素である；
・共反応物がエチレンである：
・共反応物がアセチレンである：
・共反応物がプロピレンである：
・共反応物がイソプレンである：
・共反応物がシクロヘキサンである：
・共反応物がシクロヘキセンである：
・共反応物がシクロヘキサジエンである：
・共反応物がペンテンである：
・共反応物がペンチンである：
・共反応物がシクロペンタンである：
・共反応物がブタジエンである：
・共反応物がシクロブタンである：
・共反応物がテルピネンである：
・共反応物がオクタンである：
・共反応物がオクテンである：
・蒸着法が化学蒸着法である；
・蒸着法が原子層堆積（ＡＬＤ）法である；
・蒸着法が空間的ＡＬＤ法である；
・蒸着法が流動性化学蒸着法（Ｆ−ＣＶＤ）である；
・ケイ素含有層がＳｉＯ２である；
・ケイ素含有層がＳｉＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＮＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＢＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＢＣＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＣＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＭＣＯであり、式中、ＭがＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｇｅから選択される；又は
・Ｓｉ含有層をアニールすることを更に含む。
開示した前駆体を使用する、基板上にＳｉ含有膜を形成する方法も開示される。上で開示したＳｉ含有膜形成用組成物のいずれか（ただし、好ましくは式（ＩＩ）のもの）が、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法で基板及び形成されたＳｉ含有膜と接触されてＳｉ含有膜を形成する。本開示の方法は、次の態様を含み得る：
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が、Ｃ５−Ｃ１６の分岐、直鎖、飽和、又は不飽和の炭化水素；ＴＨＦ；ＤＭＯ；エーテル；ピリジン；ケトン；エステル；及びこれらの組み合わせからなる群から選択される溶媒を更に含む；
・溶媒がＣ５−Ｃ１６の飽和又は不飽和の炭化水素である；
・溶媒がエーテルである；
・溶媒がメチルイソブチルケトンである；
・溶媒がシクロヘキサノンである；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が触媒又はラジカル発生剤を更に含む；
・ラジカル発生剤が光開始剤である；
・ラジカル発生剤がフェノンである；
・ラジカル発生剤がキニーネである；
・ラジカル発生剤がメタロセンである；
・ラジカル発生剤が熱ラジカル開始剤である；
・ラジカル発生剤が過酸化物である；
・ラジカル発生剤が−Ｎ＝Ｎ−単位を含むアゾ化合物である；
・触媒がルイス酸である；
・触媒が光−酸生成剤である；
・触媒がヒドロシリル化触媒である；
・ルイス酸がトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランＢ（Ｃ６Ｆ５）３である；
・ルイス酸が誘導体である；
・ルイス酸が、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）３とメタロセン化合物との錯化によって形成される非配位性アニオンである；
・スピンコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・スプレーコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・ディップコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・スリットコーティング法によるＳｉ含有膜の形成；
・Ｓｉ含有膜のアニーリング；
・Ｓｉ含有膜の紫外線硬化；
・オリゴマーの架橋を増強するための反応性雰囲気下でのＳｉ含有膜の紫外線硬化；又は
・Ｓｉ含有膜のレーザー処理。
表記及び命名法
以降の詳細な記述及び請求項では、多数の略語、記号、及び用語が使用され、これらは当該技術分野で一般に周知である。定義は、便宜上、典型的には各頭字語の最初の例と共に与えられているが、表１は、使用される略語、記号、及び用語の一覧表をそれぞれの定義と共に示す。
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本明細書では、元素の周期律表からの元素の標準的な略語が使用される。元素は、これらの略語によって言及され得る（例えば、Ｓｉはケイ素を意味し、Ｎは窒素を意味し、Ｏは酸素を意味し、Ｃは炭素を意味する等）ことを理解すべきである。
本明細書において、用語「独立して」は、Ｒ基を記載することに関連して使用される場合、対象のＲ基が、同じ又は異なる下付き又は上付きを有する他のＲ基とは独立して選択されるだけでなく、同じＲ基の任意の追加的な種からも独立して選択されることを意味すると理解すべきである。例えば、式ＭＲ１ｘ（ＮＲ２Ｒ３）（４−ｘ）（ｘは２又は３）において、２つ又は３つのＲ１基は、互いに又はＲ２若しくはＲ３と同じであり得るが、同じである必要はない。更に、別段の記載がない限り、Ｒ基の値は、異なる式中で使用される場合、互いに独立であることが理解されるべきである。
本明細書において、用語「炭化水素」は、炭素原子及び水素原子のみを含む飽和又は不飽和の官能基を指す。本明細書において、用語「アルキル基」は、炭素原子及び水素原子のみを含む飽和の官能基を指す。アルキル基は炭化水素の１種である。更に、用語「アルキル基」は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基を指す。直鎖アルキル基の例としては、限定するものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。分岐アルキル基の例としては、限定するものではないが、ｔ−ブチルが挙げられる。環状アルキル基の例としては、限定するものではないが、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
本明細書において、用語「アリール」は、環から１つの水素原子が取り除かれた芳香環化合物を指す。
本明細書において、用語「ヘテロ環基」は、その環の要素として、Ｃ並びにＳ及び／又はＮなどの少なくとも２種の異なる元素（Ｈ以外）の原子を有する環状化合物を指す。
本明細書において、用語「カルボシラザン」は、Ｓｉ、Ｃ、及びＮ原子と少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合とを含む直鎖、分岐、又は環状の分子を指す。
本明細書において、頭字語「ＤＳＰ」は、ジシラプロパン、より具体的にはＨ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はその配位子類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はそのモノマー類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−を表し；頭字語「ＤＳＢ」は、ジシラブタン、より具体的にはＨ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はその配位子類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３、又はそのモノマー類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−を表し；略語「ＨＮＤＳＰ２」、「ＲＮＤＳＰ２」、「ＮＤＳＰ３」、「ＨＮＤＳＢ２」、「ＲＮＤＳＢ２」、及び「ＮＤＳＢ３」は、それぞれＨＮ（ＤＳＰ）２、ＲＮ（ＤＳＰ）２、Ｎ（ＤＳＰ）３、ＨＮ（ＤＳＢ）２、ＲＮ（ＤＳＢ）２、及びＮ（ＤＳＢ）３を表し、Ｒは、定義される通りである。
本明細書において、略語「Ｍｅ」はメチル基を指し；略語「Ｅｔ」はエチル基を指し；略語「Ｐｒ」は任意のプロピル基（すなわちｎ−プロピル又はイソプロピル）を指し；略語「ｉＰｒ」はイソプロピル基を指し；略語「Ｂｕ」は任意のブチル基（ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル）を指し；略語「ｔＢｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を指し；略語「ｓＢｕ」はｓｅｃ−ブチル基を指し；略語「ｉＢｕ」はｉｓｏ−ブチル基を指し；略語「Ｐｈ」はフェニル基を指し；略語「Ａｍ」は任意のアミル基（ｉｓｏ−アミル、ｓｅｃ−アミル、ｔｅｒｔ−アミル）を指し；略語「Ｃｙ」は環状炭化水素基（シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等）を指す。
本明細書において、用語「ハロゲンフリー」は、Ｘ（ここで、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩである）が０ｐｐｍｗ〜１０００ｐｐｍｗ、好ましくは０ｐｐｍｗ〜５００ｐｐｍｗ、より好ましくは０ｐｐｍｗ〜１００ｐｐｍｗであることを意味する。
本明細書では、元素周期律表からの元素の標準的な省略形が使用される。元素は、これらの省略形（例えば、Ｓｉはケイ素を指し、Ｎは窒素を指し、Ｏは酸素を指し、Ｃは炭素を指す等）によって言及される場合があることを理解すべきである。
ケイ素酸化物などの堆積された膜又は層は、その適切な化学量論量（すなわちＳｉＯ２）に言及することなしに本明細書及び請求項にわたって列挙される。層は、純粋な（Ｓｉ）層、シリサイド（ＭｏＳｉｐ）層、カーバイド（ＳｉｏＣｐ）層、窒化物（ＳｉｋＮｌ）層、酸化物（ＳｉｎＯｍ）層、又はこれらの混合物を含み得；式中、Ｍは、元素であり、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、及びｐは、１〜６（両端値を含む）である。例えば、ケイ化コバルトはＣｏｋＳｉｌであり、式中、ｋ及びｌは、それぞれ０．５〜５の範囲である。同様に、任意の言及される層は、ケイ素酸化物層であるＳｉｎＯｍ（式中、ｎは、０．５〜１．５の範囲であり、且つｍは、１．５〜３．５の範囲である）も含み得る。より好ましくは、ケイ素酸化物層はＳｉＯ２である。ケイ素酸化物層は、有機物を主体とするか又はケイ素酸化物を主体とするｌｏｗ−ｋ誘電材料（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．によるＢｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ ＩＩ又はＩＩＩ等）などのケイ素酸化物を主体とする誘電材料であり得る。或いは、言及されるいずれのケイ素含有層も純粋なケイ素であり得る。任意のケイ素含有層は、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ａｓ、及び／又はＧｅなどのドーパントも含み得る。
本明細書で列挙される任意の及び全ての範囲は、「両端値を含む」という用語が使用されるか否かに関わらず、それらの端点を含む（すなわち、ｘ＝１〜４は、ｘ＝１、ｘ＝４、及びｘ＝これらの間の任意の数を含む）。
本発明の特性及び目的を更に理解するために、添付の図面と併せて以降の詳細な説明を参照すべきであり、図面中の同様の要素には同じ又は類似の参照番号が与えられている。
例示的な堆積方法についてのフローチャートである。 ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＮＤＳＰ２とＮＤＳＰ３との混合物の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。 分別蒸留の最初のフラクション後の、ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＮＤＳＰ２とＮＤＳＰ３との混合物の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。 分別蒸留の２番目のフラクション後の、ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＮＤＳＰ３とＨＮＤＳＰ２との混合物のＧＣＭＳクロマトグラムである。 ハロゲンフリーの合成ルートで製造されたＨＮＤＳＰ２とＮＤＳＰ３とを除去した後の無色高粘度オイルのＧＣＭＳクロマトグラムである。 室温で１６時間後（図６ａ）及び室温で８週間後（図６ｂ）に最終生成物で得られた、ハロゲンが含まれる合成ルートで選択的に製造されたＮＤＳＰ２の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。 室温で１６時間後（図６ａ）及び室温で８週間後（図６ｂ）に最終生成物で得られた、ハロゲンが含まれる合成ルートで選択的に製造されたＮＤＳＰ２の最終生成物のＧＣＭＳクロマトグラムである。 分子量分布の分子量対多分散度を示すゲル浸透クロマトグラフィーのグラフである。
カルボシラザン又はポリカルボシラザン（又はポリオルガノシラザン）前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物が開示される。カルボシラザン又はポリカルボシラザン前駆体を合成する方法、及び半導体製造用ケイ素含有膜の堆積のためにそれを使用する方法も開示される。
本開示の前駆体は、次式：
ＲａＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３−ａ （Ｉ）
を有するか、次式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ （ＩＩ）
を有する単位を有し、式中、ａ＝０〜１であり；ｍ＝１〜４であり；ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ６）、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及びＲは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（式中、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、Ｒ１’、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭化水素基、Ｃ６−Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６基、Ｃ６−Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである。好ましくは、ｍ＝１〜２であり、且つｔ＝１〜２である。アルキルアミノ基のＲ’’は、連結してＮ原子上で環状鎖を形成し得る。例えば、ＮＲ’’２は、ピリジン、ピロール、ピロリジン、又はイミダゾール環構造を形成し得る。前駆体は、前駆体が式（Ｉ）で６個のＨを含む場合（すなわち、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５がそれぞれ独立してＨである）、又は式（ＩＩ）中の各Ｎ−Ｓｉ−Ｃ−Ｓｉ若しくはＮ−Ｓｉ−Ｃ−Ｃ−Ｓｉ骨格単位中に５個のＨを含む場合（すなわち、Ｒ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５がそれぞれ独立してＨである）、改善された揮発性を有し得る。
式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示される本開示の前駆体は、用途に応じて他よりも重い１種の元素を特異的に有するＳｉ含有膜形成用組成物を製造するための柔軟性を付与する。例えば、膜中でより多くのＳｉが好ましい場合、Ｒは、式ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）を有するシラン又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’の基（ｂ＝１〜２）であり得る。膜中でより多くのＮが好ましい場合、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、それぞれ独立して、式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基である。膜中でより多くのＣが好ましい場合、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ１２）であるか、又はＮ−Ｓｉ−Ｃｃ−Ｓｉ（ｃ＝１〜２）などのように骨格単位中で長い炭素結合鎖を形成し得る。
本開示の前駆体は、Ｓｉ−ハロゲン結合を含まない。ハロゲンが基板の他の層（例えば、ｌｏｗ ｋ層、銅配線層等）にダメージを与え得ることから、これは重要である。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、ハロゲンフリーであり、全体的に平坦化された熱的に安定である付着性の誘電体層及び他の誘電体様層又は材料を半導体デバイス、半導体部品、エレクトロニクス部品、及び層状材料上に形成することができる。
本開示の前駆体は、Ｓｉ原子に直接結合している１つ又は２つの水素原子を含み得る。本開示の前駆体のＳｉ−Ｈ結合は、類似のＳｉ−ハロゲン含有前駆体と比較した場合、Ｈ原子が小さい表面積のみを占有し、結果として基板表面上により多くの分子が存在することになるため、ＡＬＤ法においてより大きい１サイクル当たりの成長速度を得るのに役立ち得る。ＳｉＨ結合（すなわちヒドリド官能基）の組み込みは、より少ない立体的な嵩高さのみを生じさせ、これは、ＳｉＨ結合を含まない前駆体よりも基板に対して高い反応性を有する前駆体をもたらし得る。これらのＳｉ−Ｈ結合は、蒸着法のために重要な前駆体の揮発性の増加に役立ち得る。その結果、蒸着法について、本開示の式（Ｉ）の前駆体において、Ｒ１、Ｒ２、又はＲ３の少なくとも１つは、好ましくはＨであり、及びＲ４又はＲ５の少なくとも１つは、好ましくはＨである。
本開示の前駆体は、Ｓｉ原子に直接結合した１つ、２つ、又は３つのアミノ基を含み得る。これらのＳｉ−Ｎ結合は、蒸着法のためにも重要な前駆体の熱安定性の増加に役立ち得る。アミノ基は、得られる膜中にＮ及びＣ原子を組み込むことにも役立つ場合があり、これらの原子は、得られる層の任意の後続のエッチングプロセスに対する耐性をより大きくし得る。
当業者であれば、Ｓｉ−Ｈ結合によって与えられる揮発性が、アミノ基によって与えられる熱安定性と直接競合することを認識するであろう。本出願人らは、少なくともＨＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２及びＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２が、これらの競合する特性のバランスをうまくとっていると考えている。
当業者であれば、ｍ＝１である実施形態が、蒸着により適したより揮発性が高く且つより低い融点を有する前駆体を生成し得ることを認識するであろう。ｍ＝２である実施形態も、得られるケイ素含有膜が炭素も含む場合に蒸着に好適な場合がある。ｍ＝３又はｔ＝１〜３である実施形態は、スピンオンコーティング又はディップコーティングなどのキャスティング堆積法のために好適な場合がある。
本開示のＳｉ含有膜形成用組成物のいくつかは、高い蒸気圧、低い融点（好ましくは室温で液体形態である）、低い昇華点、及び高い熱安定性など、蒸着法に適した特性を有する。Ｓｉ含有膜形成用組成物は、好ましくは、１〜５Ｔｏｒｒの蒸気圧を生じる温度で安定である。蒸着に適した本開示のＳｉ含有膜形成用組成物中のカルボシラザン又はポリカルボシラザン（又はポリオルガノシラザン）前駆体は、典型的には約１５０〜約６００、好ましくは約２００〜４００の範囲の分子量を有する。
本開示のＳｉ含有膜形成用組成物のいくつかは、低い蒸気圧、低い融点（好ましくは室温で液体形態である）、及び従来のコーティングプロセスでの良好な溶解性など、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法に適した特性を有する。これらの堆積法に適した本開示のＳｉ含有膜形成用組成物中のカルボシラザン又はポリカルボシラザン（又はポリオルガノシラザン）前駆体は、典型的には約５００〜約１，０００，０００、好ましくは約１，０００〜約１００，０００、より好ましくは３，０００〜５０，０００の範囲の分子量を有する。
ａ＝０の場合、式（Ｉ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、次式を有する：
Ｎ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３ （ＩＩＩ）。
ｍ＝１であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、式（ＩＩＩ）で示される本開示の前駆体は、トリス（１，３−ジシラプロパン）アミン［Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３又はＮＤＳＰ３］である。以降の実施例で示されるように、この液体前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適である。
ｍ＝１であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
ｍ＝１であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、改善された熱安定性も付与し得る。
ｍ＝１であり、且つＲ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＮＥｔ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
ｍ＝１であり、且つＲ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。
ｍ＝１であり、且つＲ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途のいずれかに好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝１であり、且つＲ４及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝２であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、トリス（１，４−ジシラブタン）アミン［Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３又はＮＤＳＢ３］である。この液体前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適である。
ｍ＝２であり、且つＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
ｍ＝２であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合及び低い分子量に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ｍ＝２であり、且つＲ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＳｉＮＥｔ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
ｍ＝２であり、且つＲ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、及びＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３が挙げられる。
ｍ＝２であり、且つＲ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝２であり、且つＲ４及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩＩ）で示される例示的な前駆体としては、限定するものではないが、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）３が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源も付与し得る。
ａ＝１の場合、式（Ｉ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、次式を有する：
ＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２ （ＩＶ）
ｍ＝１であり、且つＲ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、式（ＩＶ）で示される本開示の前駆体は、ビス（１，３−ジシラプロパン）アミン［ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２又はＮＤＳＰ２］である。ＮＤＳＰ２は揮発性であり、且つ多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、蒸着法、より具体的にはＡＬＤ法に適している。本出願人らは、この前駆体が、Ｎ２を使用するＰＥＡＬＤ法においてＳｉ−Ｃｌ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、ＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適な場合がある。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素を含まないＳｉｘＨ２ｘ＋１はまた、得られる膜中において、Ｒ＝Ｈ又はアルキル基である対応する分子よりも多くのＳｉをもたらし得る。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｚ（ＣｙＨ２ｙ＋１）３−ｚ（ここで、ｙ＝１〜６、ｚ＝０〜２である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素鎖の長さは、膜中で望ましい炭素量が得られるように選択することができる。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素基である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、又は（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ここで、ｙ＝１〜６である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。Ｓｉ−Ｃ結合（Ｓｉ−Ｒについて）は、反応性が高くなく、蒸着プロセス中に残存しやすいことから、この群の化合物は、ＳｉＯＣ又はＳｉＮＣなど、炭素成分を有する膜の蒸着のために有用な場合がある。その結果、多すぎるＣの堆積を防止するために、ｙは、好ましくは、１〜３である。ＲＮＨＲ２反応物は、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、ペンチル、及びヘキシルに関して液体であることから、これらの前駆体は、ＤＳＰ３類似体よりも合成が容易でもある。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｘＨ２ｘ−ｙ（ここで、ｘ＝２〜６、ｘ＝２〜６についてｙ＝０であり、ｘ＝３〜６についてｙ＝２であり、又はｘ＝４〜６についてｙ＝４である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、（ビニル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アリル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（プロパジエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ブテン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ブタジエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ブタトリエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、又は（ヘキサジエン）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。この群の化合物は、炭素成分を有する膜の蒸着のために有用な場合もある。更に、不飽和炭化水素は、化学的又は物理的に吸着された前駆体間に架橋の機会を付与する。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｘ（ＮＲ’Ｒ’’）３−ｘ（ここで、ｘ＝１又は２であり、且つＲ’及びＲ’’は、独立して、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、又はｎＰｒである）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝１であり、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＮＥｔ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。
ｍ＝１であり、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝１であり、Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適な場合がある。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝２であり、且つＲ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＨＮＤＳＢ２）である。ＨＮＤＳＢ２は揮発性であり、且つ多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、蒸着法、より具体的にはＡＬＤ法に適している場合がある。本出願人らは、この前駆体が、Ｎ２を使用するＰＥＡＬＤ法においてＳｉ−Ｃｌ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体は、ＳｉＨ３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ２Ｈ５Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ３Ｈ７Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉ４Ｈ９Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途に好適な場合がある。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素を含まないＳｉｘＨ２ｘ＋１はまた、得られる膜中において、Ｒ＝Ｈ又はアルキル基である対応する分子よりも多くのＳｉをもたらし得る。
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｚ（ＣｙＨ２ｙ＋１）３−ｚ（ここで、ｙ＝１〜６、ｚ＝０〜２である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｎＰｒ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（Ｂｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｉＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ｔＢｕ）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（アミル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、Ｓｉ（ヘキシル）３Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｎＰｒ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（Ｂｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｉＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ｔＢｕ）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（アミル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ（ヘキシル）２Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｍｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２Ｅｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＳｉＨ２（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ２（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。追加的なＮ−Ｓｉ結合は、Ｎ−Ｈ結合を有するものよりもこれらの前駆体を安定にするが、Ｎ−Ｃ結合を有するものよりも反応性を高くする。結果として、これらの前駆体は、重合のために穏やかな条件が必要とされる場合に望ましい場合がある。炭素鎖の長さは、膜中で望ましい炭素量が得られるように選択することができる。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素基である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ここで、ｙ＝１〜６である）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。Ｓｉ−Ｃ結合（Ｓｉ−Ｒについて）は、反応性が高くなく、蒸着プロセス中に残存しやすいことから、この群の化合物は、ＳｉＯＣ又はＳｉＮＣなど、炭素成分を有する膜の蒸着のために有用な場合がある。その結果、多すぎるＣの堆積を防止するために、ｙは、好ましくは、１〜３である。ＲＮＨＲ２反応物は、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、ペンチル、及びヘキシルに関して液体であることから、これらの前駆体は、ＤＳＢ３類似体よりも合成が容易でもある。
ｍ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｘ（ＮＲ’Ｒ’’）３−ｘ（ここで、ｘ＝１又は２であり、且つＲ’及びＲ’’は、独立して、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、ｎＰｒである）である場合、式（ＩＶ）で示される本開示のカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍが２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍが２であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途のいずれかに好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍが２であり、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＨ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＲＮ（Ｓｉ（ピロリジン）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及びＲＮ（Ｓｉ（イミダゾール）２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。
ｍが２であり、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙヘキシル２））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＲＮ（ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、及びＲＮ（ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２が挙げられる。
ｍが２であり、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）２）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）２）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）２）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
ｍが２であり、Ｒ４及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｈ、ＣｕＨ２ｕ＋１、又はＳｉｖＨ２ｖ−１（ここで、ｕ＝１〜６及びｖ＝１〜４である）である式（ＩＶ）で示される例示的なカルボシラザン前駆体としては、限定するものではないが、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２、ＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２、及びＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２が挙げられる。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のために蒸着用途又はコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。最後に、低い分子量及び高い蒸気圧を有する列挙した前駆体は蒸着法により適している一方、高い分子量を有するものはコーティング法により適している。
式（ＩＩ）に戻って、ｔ＝１であり、且つＲ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、示される本開示のポリカルボシラザン前駆体は、式［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（すなわち［−ＮＨ−ＤＳＰ−］ｎ）を有する単位を含有する。［−ＮＨ−ＤＳＰ−］ｎは、多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、スピンオン堆積法に適している場合がある。本出願人らは、この前駆体が、ＣＶＤ又はＡＬＤ法においてＳｉ−Ｃｌ若しくはＳｉ−ＯＨ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
ｔ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４である）である場合、本開示の前駆体は、式［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎを有する単位を含有する。シリル配位子の選択は、所望のケイ素含有率を有する膜を得るのに役立ち得る。すなわち、Ｓｉ４Ｈ９配位子は、ＳｉＨ３配位子によって生成するよりも多くのＳｉを有する膜を生成し得る。
ｔ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｚ（ＣｙＨ２ｙ＋１）３−ｚ（ここで、ｙ＝１〜６、ｚ＝０〜２である）である場合、本開示の前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（Ｓｉ（Ｍｅ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（Ｅｔ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。
ｔ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素基である）である場合、本開示の前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。
ｔ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ここで、ｙ＝１〜６である）である場合、本開示の前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（アミル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ヘキシル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。Ｓｉ−Ｃ結合（Ｓｉ−Ｒについて）は、反応性が高くなく、蒸着プロセス中に残存しやすいことから、この群の化合物は、ＳｉＯＣ又はＳｉＮＣなどの炭素成分を有する膜の堆積のために有用な場合がある。その結果、多すぎるＣの堆積を防止するために、ｙは、好ましくは、１〜３である。ＲＮＨＲ２反応物は、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、ペンチル、及びヘキシルに関して液体であることから、これらの前駆体は、［−ＮＨ−ＤＳＰ−］ｎ類似体よりも合成が容易でもある。
ｔ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’＝Ｈである）である場合、本開示のポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（すなわち［−Ｎ（ＤＳＰ）−ＤＳＰ−］ｎ）又は［−Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（すなわち［−Ｎ（ＤＳＢ）−ＤＳＰ−］ｎ）などの式を有する単位を含有する。
ｔ＝１であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｘ（ＮＲ’Ｒ’’）３−ｘ（ここで、ｘ＝１又は２であり、且つＲ’及びＲ’’は、独立して、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、ｎＰｒである）である場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。
ｔ＝１であり、且つＲ、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩ）で示される例示的なポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎなどの式を有する単位を含有する。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにスピンコーティング用途に好適である。アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ｔ＝１であり、且つＲ、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩ）で示される例示的なポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎ、及び［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにスピンコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ｔ＝１であり、且つＲ、Ｒ３、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩ）で示される例示的なポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎなどの式を有する単位を含有する。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにスピンコーティング用途に好適である。末端アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ｔ＝２であり、且つＲ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、本開示のポリカルボシラザン前駆体は、式［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（すなわち［−ＮＨ−ＤＳＢ−］ｎ）を有する単位を含有する。［−ＮＨ−ＤＳＢ−］ｎは、多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、スピンオン堆積法に適している場合がある。本出願人らは、この前駆体が、Ｓｉ−Ｃｌ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
ｔ＝２であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４である）である場合、本開示のポリカルボシラザン前駆体は、式［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び／又は［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎを有する単位を含有する。シリル配位子の選択は、所望のケイ素含有率を有する膜を得るのに役立ち得る。すなわち、Ｓｉ４Ｈ９配位子は、ＳｉＨ３配位子によって生成するよりも多くのＳｉを有する膜を生成し得る。
ｔ＝２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｚ（ＣｙＨ２ｙ＋１）３−ｚ（ここで、ｙ＝１〜６及びｚ＝０〜２である）である場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（Ｓｉ（Ｍｅ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（Ｅｔ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル））−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。
ｔ＝２であり、Ｒ＝ＣｙＨ２ｙ＋１（ｙ＝１〜６）であり、且つＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである場合、本開示のポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（アミル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ヘキシル）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。Ｓｉ−Ｃ結合（Ｓｉ−Ｒについて）は、反応性が高くなく、堆積工程中に残存しやすいことから、この群の化合物は、ＳｉＯＣ又はＳｉＮＣなどの炭素成分を有する膜の堆積のために有用な場合がある。その結果、多すぎるＣの堆積を防止するために、ｙは、好ましくは、１〜３である。ＲＮＨＲ２反応物は、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、ペンチル、及びヘキシルに関して液体であることから、これらの前駆体は、［−ＮＨ−ＤＳＢ−］ｎ類似体よりも合成が容易でもある。
ｔ＝２であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ又はＣ１−Ｃ６炭化水素基である）である場合、本開示のポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。
ｔ＝２であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’（ここで、ｂ＝１〜２であり、且つＲ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’＝Ｈである）である場合、本開示のポリカルボシラザン前駆体は、式［−Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（すなわち［−Ｎ（ＤＳＰ）−ＤＳＢ−］ｎ）又は［−Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（すなわち［−Ｎ（ＤＳＢ）−ＤＳＢ−］ｎ）を有する単位を含有する。［−Ｎ（ＤＳＰ）−ＤＳＢ−］ｎ及び［−Ｎ（ＤＳＢ）−ＤＳＢ−］ｎは、多くのＳｉ−Ｈ結合を含んでおり、そのため、これは基板表面に対してより反応性である。その結果、この前駆体は、スピンオン堆積法に適している場合がある。本出願人らは、この前駆体が、Ｓｉ−Ｃｌ末端又は更にはＳｉ末端の基板表面に結合するための更に十分な反応性を有し得ると考えている。
ｔ＝２であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉＨｘ（ＮＲ’Ｒ’’）３−ｘ（ここで、ｘ＝１又は２であり、且つＲ’及びＲ’’は、独立して、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、ｎＰｒである）である場合、本開示のカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、及び［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。
ｔ＝２であり、且つＲ、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩ）で示される例示的なポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎなどの式を有する単位を含有する。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにスピンコーティング用途に好適である。アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ｔ＝２であり、且つＲ、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩ）で示される例示的なポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙヘキシル２）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎ、［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎ、及び［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎなどの式を有する単位を含有する。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにスピンコーティング用途に好適である。アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ｔ＝２であり、且つＲ、Ｒ３、及びＲ５＝Ｈである式（ＩＩ）で示される例示的なポリカルボシラザン前駆体は、限定するものではないが、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＣｙヘキシル２）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎなどの式を有する単位を含有する。これらの前駆体は、少なくとも一部には、ＳｉＨ結合に関して上で述べた利益のためにスピンコーティング用途に好適である。アミノ配位子は、得られる膜に追加的なＮ源及び／又はＣ源だけでなく、上述した通り改善された熱安定性も付与し得る。
ある例示的な合成方法では、本開示の前駆体は、ハロゲンを含有する反応物を使用して合成され得る。第２の例示的な合成方法では、ハロゲン含有反応物は必要とされない。本開示の合成方法は、共に高収率を与え得る。本開示の合成方法は、従来の合成方法よりも選択的である場合がある（すなわち、先行技術の方法よりも多くの望ましい前駆体を生成し得る）。ハロゲンフリーの合成方法は、ハライドの影響を受けやすい基板と共に使用される前駆体を製造するために有用な場合がある。
本出願人らは、特定の溶媒の極性の選択が、望ましくない副生成物の合成の低減に役立つことを発見した。例えば、非極性溶媒中では、副生成物であるＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３を最小限にのみ生成して、ＲＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を選択的に製造することができる。逆に、極性溶媒中では、副生成物であるＲＮ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を最小限にのみ生成して、Ｎ（Ｒ４Ｒ５Ｓｉ（ＣＨ２）ｍＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３を含む化合物を選択的に製造することができる。
本開示の合成方法は、大量の生成物を製造するためにスケールアップすることができる。例えば、約１ｋｇ〜約１００ｋｇまでスケールアップされる。
例示的なハロゲンフリーの合成ルートでは、式Ｈ３Ｓｉ（ＣＨ２）ＳｉＨ３を有する出発試薬（すなわちＤＳＰ）が、遷移金属を主体とする不均一系触媒又は均一系触媒の存在下において圧力反応器内でアンモニアと反応する。反応は無希釈であるか又は溶媒を利用し得る。例示的な触媒としては、限定するものではないが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄが挙げられる。溶媒を使用する場合、溶媒は、特に炭化水素、アミン、エーテルの中から選択することができる。この反応は、二置換及び三置換の生成物（例えば、ＨＮＤＳＰ２及びＮＤＳＰ３）、又はＮ−ＤＳＰの直鎖若しくは分岐のオリゴマー（すなわち、式［−ＮＲ−ＤＳＰ−］ｎ（Ｒは、上で定義した通りである）を有する単位を含有する前駆体）の混合物を生成し得る。反応パラメーターは、所望の前駆体を製造するために最適化することができる。例示的な反応パラメーターとしては、反応温度、化学量論比、及び反応時間が挙げられる。
上のＤＳＰ出発試薬をＤＳＢ出発試薬に置き換えると、ＨＮＤＳＢ２又はＮＤＳＢ３が得られる。反応式は次の通りである。Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮＤＳＢ２；Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＮＤＳＢ３
Ｎ−ＤＳＢ含有オリゴマー［−ＮＨ−ＤＳＢ−］ｎ及び［−Ｎ（ＤＳＢ）−ＤＳＢ−］ｎ（ｎ＝２〜４００）は、遷移金属を主体とする不均一系触媒（限定するものではないが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等）及び遷移金属を主体とする均一系触媒の存在下において圧力反応器内のＤＳＰをＤＳＢで置き換え、混合物を２０〜１５０℃で加熱することにより、ハロゲンフリーの経路で合成することができる。Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮ（ＤＳＢ）２→［−ＮＨ−ＤＳＢ−］ｎ；Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→Ｎ（ＤＳＢ）３→［−Ｎ（ＤＳＢ）−ＤＳＢ−］ｎ。
出発試薬であるＤＳＰ又はＤＳＢは、ＬｉＡｌＨ４（ＬＡＨ）を、ジグリム（Ｈ３ＣＯＣ２Ｈ４ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）中でＳｉＣｌ３ＣＨ２ＳｉＣｌ３と、又はジ−ｎ−ブチルエーテル（Ｈ９Ｃ４ＯＣ４Ｈ９）中でＳｉＣｌ３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３と反応させることにより合成することができる。３ＬｉＡｌＨ４＋２ＳｉＣｌ３ＣＨ２ＳｉＣｌ３→２ＤＳＰ＋３ＬｉＡｌＣｌ４、又は３ＬｉＡｌＨ４＋２ＳｉＣｌ３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３→２ＤＳＢ＋３ＬｉＡｌＣｌ４。
或いは、反応物であるアンモニアを、式Ｒ−ＮＨ２（ここで、Ｒは、Ｃ１−Ｃ６の直鎖、分岐、飽和、又は不飽和の炭化水素である）を有するアミンで置き換え得る。このハロゲンフリーの反応は、（−ＤＳＰ−ＮＲ−）又は（−ＤＳＢ−ＮＲ−）を生成する。
ＲＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２は、遷移金属を主体とする不均一系又は均一系の触媒の存在下において、溶媒あり又はなしでＨＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２をカルボシラン（例えば、Ｈ３ＳｉＣｎＨ２ｎＳｉＨ３）又は対応するＲを含む化合物と混合することにより、圧力反応器内で形成することができる。例示的な触媒としては、限定するものではないが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄが挙げられる。混合物は、２０〜１５０℃の範囲の温度まで加熱される。反応により、ＲＮＤＳＰ２、ＮＤＳＰ３、及びＮ−ＤＳＰ含有オリゴマーの組み合わせが得られる。純粋なＲＮＤＳＰ２、ＮＤＳＰ３、又はＮ−ＤＳＰ含有オリゴマーは、適切な蒸留方法又は単離方法により得ることができる。例えば、（Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−）２−Ｎ−ＳｉＨ２−ＣｎＨ２ｎ−ＳｉＨ３は、Ｒｕ／Ｃ、Ｐｔ／Ｃ、Ｐｄ／Ｃなどの触媒の存在下においてＨＮ（ＤＳＰ）２をカルボシランＨ３ＳｉＣｎＨ２ｎＳｉＨ３と反応させることにより、圧力反応器内で合成することができる。
ＨＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２は、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋２（ｘ＝１〜４）を有するシランと反応することで［ＳｉｘＲ’２ｘ＋１］−Ｎ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を生成し得る。より詳しくは、ＨＮＤＳＰ２は、ＳｉＨ４と反応して（ＳｉＨ３）Ｎ（ＤＳＰ）２を生成する。脱水素型カップリング反応（ハロゲンフリーのルート）は、遷移金属を主体とする不均一系触媒（Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等）及び遷移金属を主体とする均一系触媒の存在下において圧力反応器中で行われる。合成は、溶媒あり又はなしで行われ得る。混合物は、２０〜１５０℃の温度に加熱される。ＨＮ（ＤＳＰ）２＋ＳｉｎＨ２ｎ＋２→ＲＮ（ＤＳＰ）２、Ｒ＝ＳｉｎＨ２ｎ＋１；ｎ＝１〜４。ｎ＝１の場合、（ＤＳＰ）−Ｎ（ＳｉＨ３）−（ＤＳＰ）も生成し得る。ｎ＝２の場合、（ＤＳＰ）−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−（ＤＳＰ）も生成し得る。
別の例では、ＨＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２は、式ＳｉＨ３ＣｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４）を有するカルボシランと反応して（ＳｉＨ２ＣｘＨ２ｘ＋１）Ｎ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を生成し得る。より詳しくは、ＨＮ（ＤＳＰ）２は、ＳｉＨ３Ｍｅと反応して（ＭｅＳｉＨ２）Ｎ（ＤＳＰ）２を生成する。
（ＤＳＰ）２Ｎ−（ＳｉＨ２（ＣＨ２）ｎＳｉＨ３）又は（ＤＳＢ）２Ｎ−（ＳｉＨ２（ＣＨ２）ｎＳｉＨ３）（ｎ＝１〜２）は、触媒（Ｒｕ／Ｃ、Ｐｔ／Ｃ、Ｐｄ／Ｃ等）の存在下において、圧力反応器内で脱水素型カップリング（ハロゲンフリーのルート）によりＨＮ（ＤＳＰ）２又はＨＮ（ＤＳＢ）２を（Ｈ３ＳｉＣｎＨ２ｎＳｉＨ３）（ｎ＝１〜２）と反応させることによって合成することができ、次の反応式を有する：（ＤＳＰ）２Ｎ−Ｈ＋Ｈ３ＳｉＣｎＨ２ｎＳｉＨ３＝（ＤＳＰ）２Ｎ−ＳｉＨ２ＣｎＨ２ｎＳｉＨ３＋Ｈ２（ｎ＝１〜２）。
或いは、生成物であるＲＮＤＳＰ２又はＲＮＤＳＢ２は、ハロゲン化ルートにより合成され得る。ＨＮＤＳＰ２は、溶媒中で対応するハロゲン化アルカン、シラン、又はカルボシランと混合される。好適な溶媒としては、炭化水素又はエーテル系溶媒（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、グリム、若しくはアニソール等）が挙げられる。ＨＣｌがこの反応の副生成物であることから、ＨＣｌ捕捉剤が必要とされる。例示的なＨＣｌ捕捉剤としては任意のアミンが挙げられるが、好ましくは三級アミンである。例えば、（Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−）２−Ｎ−ＳｉＨ２−ＣｎＨ２ｎ−ＳｉＨ３（ｎ＝１〜２）は、溶媒あり又はなしで、ＨＮ（ＤＳＰ）２又はＨＮ（ＤＳＢ）２と、対応するハロゲン化カルボシラン（Ｘ−Ｈ２ＳｉＣｎＨ２ｎＳｉＨ３；Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ｎ＝１〜２）とを反応させることによって合成することができる。例示的な溶媒としては、炭化水素又は芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン等）、三級アミンなどが挙げられる。
ＨＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２又はＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３は、溶媒中でＸ−Ｎ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２とＮＨ３とを混合することによって選択的に合成することができる。トルエンなどの非極性溶媒が使用される場合、ＨＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２が生成する。極性溶媒が使用される場合、Ｎ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３が生成する。限定するものではないが、例示的な極性溶媒としては、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、グリム、又はアニソールなどのエーテル系溶媒が挙げられる。例えば、ＮＤＳＰ３は、エーテル系溶媒中でＤＳＰ−Ｃｌとアンモニアとを混合することによって選択的に合成することができる。或いは、ＨＮＤＳＰ２は、トルエン中でＤＳＰ−Ｃｌとアンモニアとを混合することによって選択的に合成することができる。ＨＣｌがこれらの反応の副生成物であることから、ＨＣｌ捕捉剤が必要とされる。例示的なＨＣｌ捕捉剤としては、限定するものではないが、所望の生成物に応じて、アミン、好ましくは三級アミン又は過剰のアンモニアが挙げられる。
ＨＮ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２は、式Ｒ−Ｘ（ここで、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、且つＲ＝ＣｘＨ２ｘ＋２である）を有するハロゲン化アルカンと反応することで（ＣｘＨ２ｘ＋１）Ｎ（−ＳｉＲ４Ｒ５−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を生成し得る。例えば、ＨＮ（ＤＳＰ）２は、ＣＨ３Ｃｌと反応して（Ｍｅ）Ｎ（ＤＳＰ）２を生成する。
（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）Ｎ（ＤＳＰ）２は、溶媒あり又はなしでＨＮ（ＤＳＰ）２とＸ−ＳｉＨ２ＮＭｅ２とを反応させることによって合成することができる。溶媒は、炭化水素溶媒、三級アミン等であり得る。
（ＤＳＰ）２Ｎ−（ＳｉＨ２（ＣＨ２）ｎＳｉＨ３）又は（ＤＳＢ）２Ｎ−（ＳｉＨ２（ＣＨ２）ｎＳｉＨ３）は、溶媒あり又はなしでＨＮ（ＤＳＰ）２又はＨＮ（ＤＳＢ）２と対応するハロゲン化カルボシラン（Ｘ−Ｈ２ＳｉＣｎＨ２ｎＳｉＨ３；Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）とを反応させることによって合成することができる。例示的な非限定的な溶媒としては、炭化水素溶媒、芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン等）、三級アミンなどが挙げられる。
ＲＮＤＳＰ２又はＲＮＤＳＢ２は、ＨＮＤＳＰ２をｎＢｕＬｉ（直鎖又は分岐のアルキルリチウム）と混合することによって合成され得る。ＨＮＤＳＰ２上の酸性プロトンは、炭化水素溶媒（限定するものではないが、ペンタン、ヘキサン等）又はエーテル系溶媒（限定するものではないが、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、グリム、又はアニソール等）中でのｎＢｕＬｉとの反応、及びそれに続く式Ｒ−Ｘ（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｒは、アルカン、シラン、カルボシラン、フェニル基、又はシリルアミノ基（ＳｉＮＲ’２又はＳｉＮＲ’Ｒ’’）であり、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立して、Ｈ、炭化水素基（Ｃ１−Ｃ１２）である）を有するハロゲン化化合物との混合によって引き抜かれ得る。例えば、ＨＮＤＳＰ２は、ＳｉＭｅ３Ｘと反応して（ＳｉＭｅ３）Ｎ（ＤＳＰ）２を生成し；ＨＮＤＳＰ２は、ＣＨ３Ｘと反応して（Ｍｅ）Ｎ（ＤＳＰ）２を生成する。（ＤＳＰ）２Ｎ−［ＣＨ２］ｎＨ（式中、ｎ＝１〜６である）は、炭化水素溶媒（ペンタン、ヘキサン等）又はエーテル系溶媒（ジエチルエーテル、ＴＨＦ等）、芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン等）中でＨＮＤＳＰ２をｎＢｕＬｉと反応させ、その後、アルキルハライド（アルキル＝ＣｎＨ２ｎ＋１であり、且つハライド＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉである）と反応させることによって合成することができ、次の反応式を有する：ＨＮＤＳＰ２＋Ｒ−Ｘ→ＲＮＤＳＰ２＋ＨＸ（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｒ＝ＣｎＨ２ｎ＋１であり、ｎ＝１〜６である）。
或いは、ＨＮＤＳＢ２及びＮＤＳＢ３は、ＨＮＤＳＰ２及びＮＤＳＰ３を製造するための上のハロゲンを含むルートにおいてＤＳＰ−ＣｌをＤＳＢ−Ｃｌで置き換えることによって選択的に合成することもできる。ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮ（ＤＳＢ）２＋ＨＣｌ；ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＮＤＳＢ３＋ＨＣｌ。非極性溶媒中では、ＨＮＤＳＢ２を選択的に製造することができる。非極性溶媒を極性溶媒で置き換えると、ハロゲンを含むルートでＮＤＳＢ３を選択的に製造することができる。
当業者であれば、置換されたＤＳＰ及びＤＳＢ反応物は、ＨＳｉＲ２−ＣＨ２−ＳｉＲ３又はＣｌＳｉＲ２−ＣＨ２−ＳｉＲ３及び脱水素型カップリング又はＣｌ交換ルートをそれぞれ使用して合成され得ることを認識するであろう。
工程信頼性を確実にするために、得られるＳｉ含有膜形成用組成物は、使用前に約９０重量％〜約１００重量％、好ましくは９９重量％〜約１００重量％の範囲の純度まで連続蒸留、又はバッチ式分別蒸留、又は昇華によって精製され得る。Ｓｉ含有膜形成用組成物は、次の不純物：望ましくない同類種、溶媒、塩化金属化合物、又は他の反応生成物のいずれかを含み得る。好ましくは、これらの不純物の合計量は０．１重量％未満である。
精製した材料中におけるトルエン、ヘキサン、置換ヘキサン、ペンタン、置換ペンタン、ジエチルエーテル、ＴＨＦ、グリム、ジメトキシエーテル、又はアニソールなどの溶媒のそれぞれの濃度は、約０重量％〜約５重量％、好ましくは０重量％〜約０．１重量％の範囲であり得る。溶媒は、組成物の合成において使用され得る。組成物からの溶媒の分離は、両方が類似した沸点を有すると困難な場合がある。混合物の冷却により、液体溶媒中で固体の前駆体が生じる場合があり、これは濾過によって分離することができる。前駆体生成物が、そのおよその分解点より上まで加熱されないことを条件として、真空蒸留を使用することもできる。
ある実施形態では、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、５体積％未満、好ましくは１体積％未満、より好ましくは０．１体積％未満、更に好ましくは０．０１体積％未満の、その望ましくない同類種、反応物、又は他の反応生成物のいずれかを含む。この実施形態は、より優れた工程再現性を与え得る。この実施形態は、Ｓｉ含有膜形成用組成物の蒸留によってもたらすことができる。代替の実施形態では、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、特に混合物が改善されたプロセスパラメーターを与えるか、又は目的前駆体の単離が難しすぎるか若しくは費用がかかりすぎる場合、５体積％〜５０体積％のカルボシラザン又はポリカルボシラザン前駆体を含み得る。例えば、反応生成物の混合物は、スピンオン堆積又は蒸着に適した安定な液体混合物を生じさせ得る。
Ｓｉ含有膜形成用組成物中の微量金属及び半金属の濃度は、それぞれ約０ｐｐｂｗ〜約５００ｐｐｂｗ、好ましくは約０ｐｐｂｗ〜約１００ｐｐｂｗ、より好ましくは約０ｐｐｂｗ〜約１０ｐｐｂｗの範囲であり得る。当業者であれば、微量の金属及び半金属の濃度を決定するために、フッ化水素酸、硝酸、又は硫酸などの試薬を使用する抽出、及び原子吸光分析、Ｘ線蛍光分析、又は同様の分析手法による分析を使用できることを認識するであろう。更に、当業者であれば、蒸着前駆体のために必要とされる濃度は、ポリマー前駆体のためのものよりも低い場合があることも認識するであろう。
精製されたＳｉ含有膜形成用組成物中のハロゲン濃度は、約０ｐｐｍｗ〜約１０００ｐｐｍｗ、好ましくは０ｐｐｍｗ〜５００ｐｐｍｗ、より好ましくは０ｐｐｍｗ〜１００ｐｐｐｍｗの範囲であり得る。ハロゲン濃度は、ガスクロマトグラフィー原子発光分光分析（ＧＣ−ＡＥＳ）又は当該技術分野で公知の他の手法によって決定することができる。これらの分析手法により、共有結合しているハロゲン−シランのハロゲンとハライドイオンとの両方の合計濃度が得られる。或いは、ハライド濃度は、イオンクロマトグラフィーによって決定され得る。当業者であれば、ハライド濃度は、特に前駆体がＳｉ−ハロゲン結合を含む場合、同じ前駆体についてのハロゲン濃度よりも低い場合があることを認識するであろう。ハライド濃度は、約０ｐｐｍｗ〜約５００ｐｐｍｗ、好ましくは約０ｐｐｍｗ〜約２５０ｐｐｍｗ、より好ましくは約０ｐｐｍｗ〜約７５ｐｐｍｗの範囲であり得る。
蒸着法のために本開示の式Ｉ又は式ＩＩの前駆体を使用する方法も開示される。蒸着法のために適切なものとするために、本開示の前駆体は、約１５０〜約６００、好ましくは約２００〜４００の範囲の分子量を有する必要がある。本開示の方法は、ケイ素含有膜堆積のためのＳｉ含有膜形成用組成物の使用を提供する。本開示の方法は、半導体、太陽電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、又はフラットパネル型デバイスの製造において有用な場合がある。方法は、その中に基板が配置されている反応器内に本開示のＳｉ含有膜形成用組成物の蒸気を導入することと、蒸着法により本開示のカルボシラザン又はポリカルボシラザン前駆体の少なくとも一部を基板上に堆積させてＳｉ含有層を形成することとを含む。
本開示の方法は、蒸着法を使用する基板上へのバイメタル含有層の形成、より詳しくはＳｉＭＯｘ膜（式中、ｘは、０〜４であり得、且つＭは、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタノイド（Ｅｒ等）、又はこれらの組み合わせである）の堆積も提供する。
本開示の基板上にケイ素含有層を形成する方法は、半導体、太陽電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、又はフラットパネル型デバイスの製造において有用な場合がある。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、当該技術分野で公知の任意の蒸着法を使用してＳｉ含有膜を堆積させることができる。適切な蒸着法の例としては、化学蒸着（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）が挙げられる。例示的なＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、減圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）又は大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、流動性ＣＶＤ（ｆ−ＣＶＤ）、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、ホットワイヤーＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ、ｃａｔ−ＣＶＤとしても知られており、ホットワイヤーが堆積プロセスのためのエネルギー源として機能する）、ラジカル組み込みＣＶＤ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。例示的なＡＬＤ法としては、熱ＡＬＤ、プラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、空間分離ＡＬＤ、ホットワイヤーＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル組み込みＡＬＤ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。超臨界流体堆積も使用することができる。堆積方法は、適切なステップカバレッジ及び膜厚制御を得るために、好ましくはＡＬＤ、空間的ＡＬＤ、又はＰＥ−ＡＬＤである。
Ｓｉ含有膜形成用組成物の蒸気は、基板が入っている反応チャンバー内に導入される。反応チャンバー内部の温度及び圧力並びに基板の温度は、カルボシラザン前駆体の少なくとも一部を基板上に蒸着するのに適切な条件に保持される。すなわち、気化した組成物をチャンバーに導入した後、チャンバー内の条件は、気化した前駆体の少なくとも一部が基板上に堆積してケイ素含有膜を形成するようにされる。Ｓｉ含有層の形成を補助するために共反応物も使用され得る。
反応チャンバーは、限定するものではないが、平行板型反応器、コールドウォール型反応器、ホットウォール型反応器、シングルウエハー反応器、マルチウエハー反応器、又は他のこのようなタイプの堆積システムなど、堆積法が中で行われる装置の任意の筐体又はチャンバーであり得る。これらの例示的な反応チャンバーの全てがＡＬＤ反応チャンバーとして機能することができる。反応チャンバーは、約０．５ｍＴｏｒｒ〜約２０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で維持され得る。更に、反応チャンバー内の温度は、約２０℃〜約６００℃の範囲であり得る。当業者であれば、温度は、望ましい結果を得るために単純な実験によって最適化できることを認識するであろう。
反応器の温度は、基板ホルダーの温度を制御するか、又は反応器壁の温度を制御することによって制御することができる。基板を加熱するために使用される装置は当該技術分野で公知である。反応器壁は、十分な成長速度において望ましい物理的状態及び組成の望ましい膜を得るために十分な温度まで加熱される。反応器壁が加熱され得る非限定的な例示的な温度範囲には、約２０℃〜約６００℃が含まれる。プラズマ堆積法が利用される場合、堆積温度は約２０℃〜約５５０℃の範囲であり得る。或いは、熱的方法が行われる場合、堆積温度は約３００℃〜約６００℃の範囲であり得る。
或いは、十分な成長速度において望ましい物理的状態及び組成の望ましいケイ素含有膜を得るために十分な温度まで基板が加熱され得る。基板が加熱され得る非限定的な例示的な温度範囲には、１５０℃〜６００℃が含まれ得る。好ましくは、基板の温度は５００℃以下に保たれる。
ケイ素含有膜がその上に堆積される基板の種類は、意図される最終用途に応じて変わるであろう。基板は、通常、その上でプロセスが行われる材料として定義される。基板は、半導体、太陽電池、フラットパネル、又はＬＣＤ−ＴＦＴ型デバイスの製造において使用される任意の適切な基板であり得る。適切な基板の例としては、シリコン、シリカ、ガラス、Ｇｅ、又はＧａＡｓウエハーなどのウエハーが挙げられる。ウエハーは、前の製造工程と異なる材料がその上に堆積された１層以上の層を有し得る。例えば、ウエハーは、シリコン層（結晶、アモルファス、多孔質等）、ケイ素酸化物層、ケイ素窒化物層、ケイ素酸窒化物層、炭素でドープされたケイ素酸化物（ＳｉＣＯＨ）層、又はこれらの組み合わせを含み得る。更に、ウエハーは、銅層、タングステン層、又は金属層（例えば、白金、パラジウム、ニッケル、ロジウム、又は金）を含み得る。ウエハーは、マンガン、酸化マンガン、タンタル、窒化タンタル等などのバリア層を含み得る。ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層も使用され得る。層は平面状であり得るか、又はパターン化され得る。いくつかの実施形態では、基板は、例えばＣＨｘ（式中、ｘは０より大きい（例えば、ｘ≦４である））などの水素化炭素製のパターン化されたフォトレジスト膜であり得る。いくつかの実施形態では、基板は、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、又はＦｅＲａｍ技術における誘電材料として使用される酸化物の層（例えば、ＺｒＯ２系材料、ＨｆＯ２系材料、ＴｉＯ２系材料、希土類酸化物系材料、三元酸化物系材料等）を含み得るか、又は銅とｌｏｗ−ｋ層との間の酸素バリアとして使用される窒化物系膜（例えば、ＴａＮ）からのものであり得る。本開示の方法は、ウエハー上に直接、又はウエハー上面の１層以上の層（パターン化された層が基板を形成する場合）の上に直接、ケイ素含有層を堆積させることができる。更に、当業者であれば、本明細書で使用される用語である「膜」又は「層」が、表面の上に重ねられるか又は表面全体に広げられる何らかの材料の厚さを意味し、表面が溝又は線であり得ることを認識するであろう。本明細書及び請求項を通じて、ウエハー及びその上の任意の関連する層は基板と呼ばれる。利用される実際の基板は、利用される具体的な前駆体の実施形態にも依存し得る。しかし、多くの場合、利用される好ましい基板は、水素化炭素、ＴｉＮ、ＳＲＯ、Ｒｕ、及びポリシリコン、又は結晶シリコン基板などのＳｉ型の基板から選択されるであろう。
基板は、高いアスペクト比を有するビア又はトレンチを含むようにパターン化され得る。例えば、ＳｉＯ２などのコンフォーマルなＳｉ含有膜は、約２０：１〜約１００：１の範囲のアスペクト比を有するシリコン貫通電極（ＴＳＶ）の上に任意のＡＬＤ技術を使用して堆積され得る。別の例では、トレンチは、流動性ＣＶＤによってポリシラザン又はポリカルボシラザンで充填され、アニーリング又はＵＶ硬化によって硬い膜へ変換され得る。膜は、酸化雰囲気下でアニーリング又はＵＶ硬化される場合、ケイ素酸化物含有膜へ変換され得る。或いは、膜は、不活性な窒化雰囲気（ＮＨ３、ヒドラジン、アミン、ＮＯ）又は炭化雰囲気下でアニーリング又はＵＶ硬化される場合、ケイ素窒化物又はケイ素炭窒化物含有膜へ変換され得る。
Ｓｉ含有膜形成用組成物は、無希釈で供給され得る。或いは、Ｓｉ含有膜形成用組成物は、蒸着に適した溶媒を更に含み得る。溶媒は、特にＣ１−Ｃ１６の飽和又は不飽和の炭化水素、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルオキサレート（ＤＭＯ）、エーテル、ピリジン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、エタノール、イソプロパノール、又はこれらの組み合わせから選択することができる。
蒸着のために、Ｓｉ含有膜形成用組成物は、配管及び／又は流量計などの従来の手段によって蒸気の形態で反応器に導入される。蒸気の形態の組成物は、直接気化や蒸留などの従来の気化工程により、吹き込みにより、又はＸｕらのＰＣＴ出願国際公開第２００９／０８７６０９号パンフレットに開示されているもののような昇華装置を使用することにより、組成物を気化させることで製造することができる。組成物は、液体状態で気化装置に供給され、そこで気化した後、それが反応器に導入され得る。或いは、組成物は、前駆体が入った容器内にキャリアガスを通すことにより、又は前駆体中にキャリアガスを吹き込むことにより気化され得る。キャリアガスとしては、これらに限定するものではないが、Ａｒ、Ｈｅ、又はＮ２、及びこれらの混合物を挙げることができる。キャリアガスを用いた吹き込みは、組成物中に存在する全ての溶存酸素を除去することもできる。その後、キャリアガス及び前駆体は、蒸気として反応器内に導入される。
必要に応じて、Ｓｉ含有膜形成用組成物をその液相とし、且つ十分な蒸気圧を有することが可能な温度まで容器を加熱し得る。容器は、例えば、０〜１５０℃の範囲の温度に維持することができる。気化したＳｉ含有膜形成用組成物の量を制御するために、容器の温度を公知の方法で調整し得ることが当業者に認識される。
本開示の組成物に加えて、反応ガスも反応器内に導入され得る。反応ガスは、Ｏ２；Ｏ３；Ｈ２Ｏ；Ｈ２Ｏ２；Ｏ・又はＯＨ・などの酸素含有ラジカル；ＮＯ；ＮＯ２；ギ酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸；ＮＯ、ＮＯ２、又はカルボン酸のラジカル種；パラホルムアルデヒド；及びこれらの混合物などの酸化剤であり得る。好ましくは、酸化剤は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ・又はＯＨ・などのこれらの酸素含有ラジカル、及びこれらの混合物からなる群から選択される。好ましくは、ＡＬＤ法が行われる場合、共反応物はプラズマ処理された酸素、オゾン、又はこれらの組み合わせである。酸化ガスが使用される場合、得られるケイ素含有膜も酸素を含むであろう。
或いは、反応ガスは、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドロシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２等）、クロロシラン及びクロロポリシラン（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８等）、アルキルシラン（Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３等）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ等）、有機アミン（ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ等）、ジアミン（エチレンジアミン、ジメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等）、ピラゾリン、ピリジン、Ｂ含有分子（Ｂ２Ｈ６、トリメチルボラン、トリエチルボラン、ボラジン、置換ボラジン、ジアルキルアミノボラン等）、アルキル金属（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等）、これらのラジカル種、又はこれらの混合物の１つなどの還元剤であり得る。還元剤が使用される場合、得られるケイ素含有膜は純粋なＳｉであり得る。
或いは、反応ガスは、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカル、及びこれらの混合物からなる群から選択され得る。
或いは、反応ガスは、ＨＣＤＳ又はＰＣＤＳであり得る。
或いは、反応ガスは、飽和又は不飽和の直鎖、分岐、又は環状の炭化水素（限定するものではないが、エチレン、アセチレン、プロピレン、イソプレン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、ペンテン、ペンチン、シクロペンタン、ブタジエン、シクロブタン、テルピネン、オクタン、オクタン、又はこれらの組み合わせ等）であり得る。
反応ガスをそのラジカル形態に分解するために、反応ガスはプラズマによって処理され得る。プラズマで処理される場合、還元剤としてＮ２が利用され得る。例えば、プラズマは、約５０Ｗ〜約５００Ｗ、好ましくは約１００Ｗ〜約２００Ｗの範囲の出力で発生され得る。プラズマは、反応器自体内で発生され得るか、又はその中に存在し得る。或いは、プラズマは、通常、例えば遠くに配置されたプラズマシステム中など、反応器から離れた位置に存在し得る。当業者であれば、そのようなプラズマ処理に適切な方法及び装置を認識するであろう。
望ましいケイ素含有膜は、例えばＢ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ（これらに限定されない）などの他の元素も含む。
本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、ヘキサクロロジシラン、ペンタクロロジシラン、又はテトラクロロジシラン、又はオクタクロロトリシランなどのハロシラン、又はポリハロジシラン、又はポリハロトリシラン、及びＰＣＴ出願国際公開第２０１１／１２３７９２号パンフレット（この内容全体は、全体として本明細書に組み込まれる）に開示されているようなＳｉＮ膜又はＳｉＣＮ膜を形成するための１種以上の共反応物ガスと共に使用され得る。
Ｓｉ含有膜形成用組成物及び１種以上の共反応物の蒸気は、反応チャンバー内へ同時に（化学蒸着）、逐次的に（原子層堆積）、又は他の組み合わせで導入され得る。例えば、Ｓｉ含有膜形成用組成物が１つのパルスで導入され、２種類の追加的な金属源が別のパルスで一緒に導入され得る（改良型原子層堆積）。或いは、Ｓｉ含有膜形成用組成物の導入前に既に反応チャンバーが共反応物を含み得る。共反応物は、流動性ＣＶＤ構成でのように、反応チャンバーに局在するか又はそれから離れて位置するプラズマシステムを通過し、ラジカルへ分解され得る。或いは、他の前駆体又は反応物がパルスによって導入される一方、Ｓｉ含有膜形成用組成物が連続的に反応チャンバー内へ導入され得る（パルス化学蒸着）。別の選択肢では、Ｓｉ含有膜形成用組成物及び１種以上の共反応物は、シャワーヘッドから同時に噴霧され得、その下でいくつかのウエハーを保持しているサセプターが回転される（空間的ＡＬＤ）。
ある非限定的な例示的な原子層堆積プロセスでは、Ｓｉ含有膜形成用組成物の気相は反応チャンバーへ導入され、ここで、それは適切な基板と接触する。過剰の組成物は、その後、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから取り除かれ得る。酸素源は、反応チャンバー内に導入され、ここで、それは、吸着されたカルボシラザン又はポリカルボシラザン前駆体と自己制限的に反応する。全ての過剰の酸素源は、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから取り除かれる。所望の膜がケイ素酸化物膜である場合、この２工程プロセスによって望ましい膜厚を得ることができ、又は必要な厚さを有する膜が得られるまで繰り返すことができる。
或いは、所望の膜がケイ素金属／半金属酸化物膜（すなわちＳｉＭＯｘ（式中、ｘは、０〜４であり得、且つＭは、Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ又はこれらの組み合わせである）である場合、上述の２工程プロセス後、金属又は半金属含有前駆体の蒸気を反応チャンバー内に導入し得る。金属又は半金属含有前駆体は、堆積されるケイ素金属／半金属酸化物膜の性質に基づいて選択されるであろう。反応チャンバー内への導入後、金属又は半金属含有前駆体は基板と接触される。全ての過剰な金属又は半金属含有前駆体は、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから取り除かれる。ここでもまた、酸素源を反応チャンバー内に導入して金属又は半金属含有前駆体と反応させ得る。過剰の酸素源は、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから取り除かれる。所望の膜厚が得られた場合、プロセスを終了することができる。しかし、より厚い膜が望まれる場合、全体で４工程のプロセスを繰り返し得る。Ｓｉ含有膜形成用組成物、金属又は半金属含有前駆体、及び酸素源の供給を交代で行うことで、望ましい組成及び厚さの膜を堆積させることができる。
更に、パルスの数を変化させることにより、望ましい化学量論のＭ：Ｓｉ比を有する膜を得ることができる。例えば、ＳｉＭＯ２膜は、Ｓｉ含有膜形成用組成物の１回のパルスと金属又は半金属含有前駆体の１回のパルスとを用い、各パルス後に酸素源のパルスを行うことによって得ることができる。しかしながら、望ましい膜を得るために必要とされるパルスの数は、得られる膜の化学量論比と一致しない場合があることが当業者に認識されるであろう。
別の選択肢では、Ｓｉ膜又は緻密なＳｉＣＮ膜は、本開示の組成物と、Ｎ含有共反応物（アンモニア、Ｎ２、Ｎ２／Ｈ２混合物、又はアミン等）とを用いて、ＡＬＤ法又は改良型プラズマ強化ＡＬＤ法によって堆積させることができる。Ｎ２及びＮ２／Ｈ２混合物について、共反応物は、直接（チャンバー内）又はリモートのいずれかのプラズマによって活性化される必要がある。
また別の選択肢では、ケイ素含有膜は、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物と、ラジカル窒素含有共反応物又はラジカル酸素含有共反応物とを使用して、米国特許出願公開第２０１４／００５１２６４号明細書に開示されている流動性ＰＥＣＶＤ（ｆ−ＰＥＣＶＤ）法によって堆積され得る。それぞれＮＨ３又はＨ２Ｏなどのラジカル窒素含有共反応物又はラジカル酸素含有共反応物は、リモートプラズマシステム中で発生される。ラジカル共反応物及び本開示の組成物の気相は、反応チャンバー内に導入され、ここで、それらは反応して、基板上において最初に流動性である膜を堆積する。本出願人らは、本開示の化合物の窒素原子が堆積膜の流動性を更に改善し、その結果、膜が他の前駆体により生じるものよりも少ないボイドを有すると考えている。本出願人らは、ＮＨ３プラズマを用いる流動性ＣＶＤ法において、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物を使用して堆積される膜が、十分なＣ含有量の膜を与える前駆体のＳｉ−Ｃ−Ｓｉ骨格のため、ケイ素酸化物膜と比較して望ましいエッチング選択性を有するＳｉＣＮ膜を生じさせると考えている。
また別の実施形態では、流動性膜は、チャンバー内において、前駆体の分圧で前駆体の露点よりも低い温度にウエハーを保持することにより、凝縮（熱流動性ＣＶＤ又はＴ−ＦＣＶＤ）のみにより堆積させることができる。そのような用途のために、極低温にウエハーを冷やすことなしに前駆体の凝縮を促進させるために、低い蒸気圧の前駆体（典型的には室温で５０ｔｏｒｒ未満、更に好ましくは室温で１０ｔｏｒｒ未満）を有することが有益である。置換又は無置換のＮ（ＤＳＰ）３及びＲＮ（ＤＳＰ）２の群の分子は、適切な範囲の揮発性を有する。その後、その場で又はその場以外で、堆積した膜を反応性ガス、プラズマ、光子、電子線、中性粒子線、又は触媒に曝露することなどの（ただし、これらに限定されない）様々な手段の１つ又はいくつかにより、そのような膜の架橋が行われ得る。触媒は、予め堆積されるか、同時に堆積されるか、又は後に堆積され得、且つ加熱又は光子への曝露などの手段によって活性化され得る。化学的に言うと、そのような架橋は、限定するものではないが、Ｓｉ−Ｈ／Ｎ−Ｈ Ｈ２脱離、ヒドロシリル化、アミン基の縮合によるシラザンの形成、シラノール基の縮合によるシロキサンの形成、開環重合、及び／又は脱水素型カップリングなどにわたる様々な化学反応によって達成することができる。
スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法などのコーティング堆積方法において、式（Ｉ）又は（ＩＩ）で示される本開示の前駆体を使用する方法も開示される。コーティング法に適したものとするために、本開示の前駆体は、約５００〜約１，０００，０００、好ましくは約１，０００〜約１００，０００、より好ましくは約３，０００〜約５０，０００の範囲の分子量を有する必要がある。本開示の方法は、ケイ素含有膜の堆積のためのＳｉ含有膜形成用組成物の使用を提供する。本開示の方法は、半導体、太陽電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、光学薄膜、又はフラットパネル型デバイスの製造において有用な場合がある。方法は、基板上に液体形態の本開示のＳｉ含有膜形成用組成物を塗布することと、硬化させて基板上にＳｉ含有層を形成することとを含む。
前述したように、液体形態の本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、前駆体の無希釈溶液であり得、又は揮発性溶媒及び任意選択的なラジカル発生剤（熱的に又は光により開始される）などの架橋開始剤及び触媒と前駆体との混合物であり得る。熱的に活性化される（過酸化物又はアザ化合物）又は紫外線により開始される（例えば、フェノン又はキノン）ラジカル開始剤がＳｉ含有膜形成用組成物中に含まれ得る。紫外線による活性化及び／又は加熱時に膜の架橋を促進させる触媒も膜形成用組成物中に含まれ得る。そのような触媒としては、光−酸発生剤、ルイス酸、及び典型的なヒドロシリル化触媒が挙げられる。そのような化合物の中でも、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）３はルイス酸であり且つ強い脱水素触媒であることから、これが特に好適な化合物である。
例示的なコーティング堆積法にはスピンコーティングが含まれる。図１は、例示的なスピンコーティング法のフローチャートを示す。当業者であれば、図１で示されるものよりも少ない工程又は追加的な工程を、本明細書の教示から逸脱することなしに行い得ることを認識するであろう。例えば、Ｒ＆Ｄの状況において利用されるキャラクタリゼーション工程は、商業的な操業において必要とされない場合がある。更に、当業者であれば、プロセスが、好ましくは、膜の望ましくない酸化を防止するために不活性雰囲気下において、且つ／又は膜の粒子汚染を防止するために汚染防止に役立つクリーンルーム内で行われることも認識するであろう。
Ｓｉ含有膜がその上に堆積される平面状の又はパターン化された基板は、工程１〜４の堆積プロセスのために前処理され得る。前処理プロセスでは、高純度のガス及び溶媒が使用される。ガスは、典型的には半導体グレードのものであり、粒子状の汚染物質を含まない。半導体用途のために、溶媒は、粒子を含まない必要があり、典型的には１００粒子／ｍＬ未満（０．５μｍ粒子、より好ましくは１０粒子／ｍＬ未満）である必要があり、且つ表面汚染につながり得る不揮発性残留物質を含まない必要がある。５０ｐｐｂ未満の金属汚染物質（各元素について、好ましくは５ｐｐｂ未満）のみを有する半導体グレードの溶媒が推奨される。
工程１において、基板は、室温（約２０℃〜約２５℃）で約６０秒〜約１２０秒間、好ましくは約９０秒間、アセトン中で超音波処理される。工程２において、平面状の又はパターン化された基板は、室温で約６０秒〜約１２０秒間、好ましくは約９０秒間、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）中で超音波処理される。当業者であれば、これらの工程が同じ又は異なる超音波装置内で行われ得ることを認識するであろう。超音波装置が異なるとより多くの設備を必要とするが、プロセスはより簡単になる。超音波装置が両方で使用される場合、基板のあらゆる汚染を防止するために工程１及び２間で十分に洗浄しなければならない。本開示の方法に好適な例示的な超音波装置としては、Ｌｅｅｌａ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｅｌａ Ｓｏｎｉｃモデル５０、６０、１００、１５０、２００、２５０、若しくは５００、又はＢｒａｎｓｏｎ社のＢシリーズが挙げられる。工程３において、基板はＩＰＡ超音波装置から取り出され、新たなＩＰＡでリンスされる。工程４において、リンスされた基板は、Ｎ２又はＡｒなどの不活性ガスを使用して乾燥される。当業者であれば、工程１〜４が１つの例示的なウエハー前処理プロセスを示していることを認識するであろう。複数のウエハー前処理プロセスが存在し、それらは本明細書の教示から逸脱することなしに利用することができる。例えばＨａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｗａｆｅｒ Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，３ｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０１７（Ｗｉｌｌｉａｍ Ａｎｄｒｅｗ）を参照されたい。例えば、より親水性の表面が望まれる場合、ＵＶ／オゾン化プロセスが利用され得る。当業者であれば、少なくとも基板材料及び必要とされる清浄さの程度に基づいて適切なウエハーの前処理プロセスを決定することができる。
この４工程の前処理後、基板はスピンコーターに移される。例示的な好適なスピンコーターとしては、Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社のＣｅｅ（登録商標）Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎスピンコーター、Ｌａｕｒｅｌｌ社の６５０シリーズスピンコーター、Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ社のＧ３スピンコーター、又は東京エレクトロン社のＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ装置の群が挙げられる。上で開示したいずれかのＳｉ含有膜形成用組成物（ただし、好ましくは式ＩＩのもの）は、工程５において基板上に分注され、ウエハーが工程６において回転される。当業者であれば、工程５及び工程６が逐次的に（静的モード）又は同時に（動的モード）行われ得ることを認識するであろう。工程５は、手動又は自動の分注デバイス（ピペット、シリンジ、又は液体流量計等）を使用して行われる。工程５及び６が同時に行われる場合、最初の回転速度は遅い（すなわち約５ｒｐｍ〜約９９９ｒｐｍ、好ましくは約５ｒｐｍ〜約３００ｒｐｍ）。全てのＳｉ含有膜形成用組成物が分注された後（すなわち静的モードと動的モードのいずれかで工程５が完了した時点）、回転速度は、約１０００ｒｐｍ〜約４０００ｒｐｍの範囲である。ウエハーは、均一なコーティングが基板全体で得られるまで回転され、これは、典型的には約１０秒〜約３分を要する。工程５及び６により、ウエハー上にＳｉ含有膜が製造される。当業者であれば、スピンコーティングプロセスに要する時間、加速度、溶媒蒸発速度等は、目的の膜厚及び均一性を得るために各新規な配合物について最適化を要する調整可能なパラメーターであることを認識するであろう（例えば、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｌｏｕｉｓｖｉｌｌｅ，Ｍｉｃｒｏ／Ｎａｎｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ − Ｓｐｉｎ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｔｈｅｏｒｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２０１３を参照されたい）。
Ｓｉ含有膜が形成された後、ウエハーが工程７でプリベーク又はソフトベークされることで、Ｓｉ含有膜形成用組成物及び／又はスピンコーティングプロセス由来の副生成物の全ての残存する揮発性有機成分が除去される。工程７は、約２５℃〜約２００℃の範囲の温度で約１分〜約１２０分の範囲の時間、サーマルチャンバー内又はホットプレートの上で行われ得る。例示的なホットプレートとしては、Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社のＣｅｅ（登録商標）モデル１０若しくは１１、又はＰｏｌｏｓ社のプレシジョンベイクプレートが挙げられる。
工程８において、所望の誘電材料を製造するために基板が硬化される。３つの非限定的な選択肢が図１に示される。３つの選択肢のいずれも不活性又は反応性ガスを使用して行うことができる。例示的な不活性ガスとしては、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、ＫＲ、Ｘｅ等が挙げられる。反応性ガスは、膜中に酸素、窒素、又は炭素を導入するために使用することができる。膜に酸素を導入する例示的な反応性ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、空気、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２等などの酸素含有ガスが挙げられる。膜に窒素を導入する例示的な反応性ガスとしては、ＮＨ３；ＮＲ３（ＲはＣ１−Ｃ４炭化水素である）等などの窒素含有ガスが挙げられる。膜に炭素を導入する例示的な反応性ガスとしては、炭素含有ガス、特にアルケン及びアルキン（エチレン、アセチレン、プロピレン等）などの不飽和炭素含有ガスが挙げられる。
工程８ａでは、基板は、不活性又は反応性ガス下において約１０１℃〜約１，０００℃、好ましくは約２００℃〜約８００℃の範囲の温度で熱硬化を受ける。熱硬化プロセスを行うために加熱炉又は高速加熱処理装置を使用することができる。例示的な加熱炉としては、ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ Ｌｉｎｄｂｅｒｇ／Ｂｌｕｅ ＭＴＭ管状炉、Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ＴｈｅｒｍｏｌｙｎｅＴＭベンチトップ管状炉又はマッフル炉、Ｉｎｓｅｔｏ卓上石英管炉、ＮｅｙＴｅｃｈ Ｖｕｌｃａｎベンチトップ炉、Ｔｏｋｙｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ＴＥＬＩＮＤＹＴＭ加熱処理装置、又はＡＳＭ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＡＤＶＡＮＣＥ（登録商標）垂直炉が挙げられる。例示的な高速加熱処理装置としては、Ｓｏｌａｒｉｓ １００、ＵＬＶＡＣ ＲＴＰ−６、又はＡｎｎｅａｌｓｙｓ Ａｓ−ｏｎｅ １００が挙げられる。
或いは、工程８ｂにおいて、基板は、単色性又は多色性の光源を使用する約１９０ｎｍ〜約４００ｎｍの範囲の波長での紫外線硬化を受ける。工程８ｂの実施に好適な例示的な真空紫外又は紫外硬化システムとしては、限定するものではないが、Ｎｏｒｄｓｏｎ Ｃｏｏｌｗａｖｅｓ（登録商標）２ ＵＶ硬化システム、Ｈｅｒａｅｕｓ Ｎｏｂｌｅｌｉｇｈｔ Ｌｉｇｈｔ Ｈａｍｍｅｒ（登録商標）１０製品プラットフォーム、又はＲａｄｉｕｍ Ｘｅｒａｄｅｘ（登録商標）ランプが挙げられる。
別の選択肢では、工程８ａ及び８ｂで特定したものと同じ温度及び波長の基準で加熱プロセスと紫外線プロセスとの両方が行われ得る。当業者であれば、硬化方法及び条件の選択が所望の目的のケイ素含有膜によって決定されることを認識するであろう。
工程９において、硬化した膜は、標準的な分析手段を使用して特性評価される。例示的な手段としては、限定するものではないが、エリプソメーター、Ｘ線光電子分光分析、原子間力顕微鏡、Ｘ線蛍光発光、フーリエ変換赤外分光、走査型電子顕微鏡、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）、ラザフォード後方散乱分光（ＲＢＳ）、応力分析用の粗面計、又はこれらの組み合わせが挙げられる。
液体形態の本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、基板の中心に直接塗布されてから回転によって基板全体に広げられ得、又は噴霧によって基板全体に塗布され得る。基板の中心に直接塗布される場合、基板は、基板全体に組成物を均一に分布させるための遠心力を利用するために回転され得る。或いは、基板はＳｉ含有膜形成用組成物中に浸漬され得る。得られた膜は、溶媒又は膜の揮発性成分が蒸発するまでの時間室温で乾燥され得、又は強制乾燥若しくはベーク処理により、又は熱硬化及び照射（イオン刺激、電子照射、紫外線及び／又は可視光照射等）を含む任意の後続の適切なプロセスの１つ又は組み合わせを使用することにより乾燥され得る。
Ｓｉ含有膜形成用組成物中の本開示のカルボシラザン前駆体は、カルボシラザン含有ポリマーの合成のためのモノマーとして有用であると考えられる。Ｓｉ含有膜形成用組成物は、リソグラフィー用途（例えば、階調反転層）又は反射防止膜のためのスピンオン誘電膜用配合物を形成するために使用することができる。例えば、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、溶媒中に入れられ、膜を形成するために基材に塗布され得る。必要に応じて、基板は、基板全体にＳｉ含有膜形成用組成物を均一に分布させるために回転され得る。当業者であれば、Ｓｉ含有膜形成用組成物の粘度が基板の回転が必要であるか否かの判断に寄与することを認識するであろう。得られた膜は、アルゴン、ヘリウム、若しくは窒素などの不活性ガス下及び／又は減圧下で加熱され得る。或いは、得られた膜は、膜の結合性及び窒化を強化するためにＮＨ３又はヒドラジンなどの反応性ガス下で加熱され得る。得られた膜に電子線又は紫外線が照射され得る。本開示のカルボシラザン又はポリカルボシラザン前駆体の反応性基（すなわち直接のＳｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、又はＳｉ−Ｈ結合）は、得られるポリマーの結合性を増加させるために有用であると考えられる。
上述したプロセスにより得られるケイ素含有膜は、ＳｉＯ２；ＳｉＣ；ＳｉＮ；ＳｉＯＮ；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＮＣ；ＳｉＢＮ；ＳｉＢＣＮ；ＳｉＣＮ；ＳｉＭＣＯ（ＭはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ａｌ、Ｇｅから選択され、これは、当然ながらＭの酸化状態に依存する）を含み得る。当業者であれば、適切なＳｉ含有膜形成用組成物及び共反応物の適切な選択によって望ましい膜組成が得られ得ることを認識するであろう。
目的の膜厚が得られた後、膜に対し、熱アニーリング、炉アニーリング、急速熱アニーリング、ＵＶ硬化、電子線硬化、及び／又はプラズマガス曝露などの更なる処理が行われ得る。これらの追加的な処理工程を行うために利用されるシステム及び方法は当業者に認識されている。例えば、ケイ素含有膜は、不活性雰囲気下、Ｈ含有雰囲気下、Ｎ含有雰囲気下、又はこれらの組み合わせの下において、約０．１秒〜約７２００秒の範囲の時間、約２００℃〜約１０００℃の範囲の温度に曝露され得る。最も好ましくは、温度は、３６００秒未満で６００℃である。更に好ましくは、温度は４００℃未満である。アニーリング工程は、堆積プロセスが行われるのと同じ反応チャンバー中で行われ得る。或いは、基板が反応チャンバーから取り出され、アニーリング／フラッシュアニーリングプロセスが別の装置内で行われ得る。上述の後処理方法の任意のもの、ただし特に紫外線硬化が膜の結合性及び架橋を増強するために効果的であることが見出された。典型的には、最も高い密度の膜を得るために、４００℃未満（好ましくは約１００℃〜３００℃）への熱アニーリングと紫外線硬化との組み合わせが使用される。
以降の非限定的な実施例は、本発明の実施形態を更に詳細に説明するために与えられる。しかし、実施例は、全てを網羅することを意図しておらず、且つ本明細書に記載の本発明の範囲を限定することを意図していない。
実施例１：
出発材料である１，２−ジシラプロパン（ＤＳＰ）及び１，３−ジシラブタン（ＤＳＢ）の合成
３ＬｉＡｌＨ４＋２ＳｉＣｌ３ＣＨ２ＳｉＣｌ３→２ＤＳＰ＋３ＬｉＡｌＣｌ４
３ＬｉＡｌＨ４＋２ＳｉＣｌ３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３→２ＤＳＢ＋３ＬｉＡｌＣｌ４
不活性雰囲気下において、メカニカルスターラーを備えた４Ｌの容器内に水素化アルミニウムリチウムＬｉＡｌＨ４（ＬＡＨ）を入れた。容器を−７８℃に冷却し、次いでＤＳＰについて１Ｌの冷（約−３０℃）ジグリム（Ｈ３ＣＯＣ２Ｈ４ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）を、ＤＳＢについて１Ｌの冷ジ−ｎブチルエーテル（Ｈ９Ｃ４ＯＣ４Ｈ９）を容器内にゆっくり入れた。容器内の混合物を撹拌しながら−１０℃まで自然昇温させた。反応混合物が２０℃より温かくなるのを防ぎつつ、温まった混合物に１，２−ビス（トリクロロシリル）メタンＳｉＣｌ３ＣＨ２ＳｉＣｌ３又は１，２−ビス（トリクロロシリル）エタンＳｉＣｌ３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣｌ３を滴下した。添加後、混合物を２５℃まで温め、２時間撹拌した。揮発性のＤＳＰ又はＤＳＢを３０℃でトラップ（−７８℃）中に凝縮させた。ＤＳＰは、収率８２％、純度９６％（ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により示される純度）で単離した。ＤＳＢは、無色の液体として単離した。収率６５％、純度９８．８％（ＧＣにより示される純度）。
実施例２：
ハロゲンフリーのルートでのビス（ジシラプロパン）アミンＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＨＮ（ＤＳＰ）２）及びトリス（（シリルメチル）シリル）アミンＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３（Ｎ（ＤＳＰ）３）の合成
Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮ（ＤＳＰ）２
Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→Ｎ（ＤＳＰ）３
ジシラプロパン及びアンモニアを圧力反応器内で炭素上の白金で触媒させることにより、ＨＮ（ＤＳＰ）２及びＮ（ＤＳＰ）３を製造した。これは、ハロゲンフリーのルートである。０．３Ｌのオートクレーブにメカニカルスターラー、熱電対、圧力ゲージ、圧力変換器、及び３つの計量バルブを装着した。０．５ｇ／２．５６ｍｏｌの炭素上白金触媒をオートクレーブに入れた。その後、反応器を動的真空下で１４０℃まで一定に加熱し、この温度で３時間保持した。室温まで冷却した後、反応器をヘリウムで加圧した（８００ｔｏｒｒ）。グローブボックス内の反応器にペンタン（５０ｍＬ）を入れた。反応器を液体窒素浴に浸漬した後、真空下で大気窒素を除去した。アンモニア（３ｇ、０．１７６ｍｏｌ）及びジシラプロパン（５３．７ｇ、０．７０５ｍｏｌ）を反応器に移した。その後、反応器を５０℃に加熱した。４５７ｒｐｍで３０時間撹拌した後、室温に冷却後に約４８６ｐｓｉの圧力上昇が観察された。反応器の中身の揮発性成分をステンレス鋼製レクチャーボトル（ＳＳＬＢ）内へ１０Ｔｏｒｒの圧力まで冷却補集した。液体注入ＧＣＭＳによる反応器内容物の分析から、少量の高沸点成分を伴うＨＮ（ＤＳＰ）２とＮ（ＤＳＰ）３との７：１の混合物であることが明らかになった。図２は、生成したＮ（ＤＳＰ）２とＮ（ＤＳＰ）３との混合物の最終生成物のＧＣＭＳスペクトルである。
混合物を真空分別蒸留した。最初のフラクション（４２℃／１５３ｍｔｏｒｒ）は、ＨＮ（ＤＳＰ）２（２．０５ｇ、６％）を含んでいた（ＧＣＭＳにより測定）。図３は、ＨＮ（ＤＳＰ）２とＮ（ＤＳＰ）３との混合物を示す最初のフラクションのＧＣＭＳスペクトルである。２番目のフラクションは、高沸点成分を伴うＮ（ＤＳＰ）３とＨＮ（ＤＳＰ）２との１４：１の混合物（１．４８ｇ）を含んでいた（ＧＣＭＳにより測定）。図４は、Ｎ（ＤＳＰ）３とＨＮ（ＤＳＰ）２との混合物を示す、２番目のフラクションのＧＣＭＳスペクトルである。
実施例３：
ハロゲンフリーのルートでのＮＤＳＰオリゴマー［−ＮＨ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（［−ＮＨ−ＤＳＰ−］ｎ）及び［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ（［−Ｎ（ＤＳＰ）−ＤＳＰ−］ｎ）（ｎ＝２〜４００）の合成
Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮＤＳＰ２→［−ＮＨ−ＤＳＰ−］ｎ
Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＮＤＳＰ３→［−Ｎ（ＤＳＰ）−ＤＳＰ−］ｎ
ＮＤＳＰオリゴマーの合成は、炭素上の白金によって触媒され、ジシラプロパンとアンモニアとの間の反応によって圧力反応器内で行われた。反応は、ＨＮＤＳＰ２及びＮＤＳＰ３のこれらの合成と同じであり、これは、ハロゲンフリーのルートでもある。実施例２に関して、実施例２の試薬を加熱しすぎると、真空分別蒸留によって生成物からＨＮＤＳＰ２及びＮＤＳＰ３を除去した後、蒸留ポットに無色の高粘度オイルが残った（７．５ｇ）。
図５は、ハロゲンフリーのルートで製造されたＨＮＤＳＰ２及びＮＤＳＰ３を除去した後の無色高粘度オイルのＧＰＣスペクトルである。この高粘度オイルは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって分析したところ、図５に示されるように、２６，０００〜５００ダルトンの範囲の分布が明らかになった。これは、主成分が、ＤＳＰにより形成される直鎖又は分岐のオリゴマー［−ＮＨ−ＤＳＰ−］ｎ又は［−Ｎ（ＤＳＰ）−ＤＳＰ−］ｎである高分子量オリゴマー又はポリマーを有することを示している。オリゴマーについての計算された分子量の平均及び多分散指数が表２に示される。
Figure 0006868640
実施例４：
ＨＮＤＳＰ２の選択的合成
ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮＤＳＰ２＋ＨＣｌ
Ｎ２でパージした後、２リットルの三口フラスコに非極性溶媒（このプロセスでは無水トルエンであった）を入れた。クロロシリルメチルシラン（ＤＳＰ−Ｃｌ）（５３．６ｇ、０．４８ｍｏｌ）をフラスコ内に滴下することによりフラスコに入れた。フラスコ中の混合物にＮＨ３（１１ｇ、０．６５ｍｏｌ）を吹き込みにより＋５℃でゆっくり添加した。必要量のＮＨ３を添加した後、混合物を室温まで温めて１６時間撹拌した。透明な液体中に白色固体の形成が観察された。次いで、反応混合物を、カニューレを介して空気を含まないフィルターフリットを備えたシュレンクフィルター漏斗に移した。ろ取した固体を無水トルエンで４回洗浄した。図６ａは、室温で１６時間（終夜又はＯＮ）攪拌した後の生成物のＧＣスペクトルである。図６ｂは、室温で８週間後の最終生成物のＧＣスペクトルである。図中、ＣＡＴＯは反応物であるＤＳＰ−Ｃｌを表し、ＮＤＳＰ３は可能性のある副生成物を表す。図６ａに示されるように、最終生成物は、ＮＤＳＰ３と比較してほぼ１００％のＨＮＤＳＰ２を含む。図６ｂに示されるように、８週間後にＮＤＳＰ３はほとんど生成されなかった。したがって、この合成方法は、副生成物のＮＤＳＰ３なしでＨＮＤＳＰ２を選択的に製造する方法を与える。
実施例５：
ＮＤＳＰ３の選択的な合成
３ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋４ＮＨ３→ＮＤＳＰ３＋３ＮＨ４Ｃｌ
実施例４において、非極性溶媒であるトルエンをＴＨＦなどの極性溶媒に置き換えて、副生成物のＨＮＤＳＰ２なしでＮＤＳＰ３を選択的に製造した（図７）。
添付の請求項で表現される本発明の趣旨及び範囲の範囲内において、本発明の特性を説明するために本明細書で説明及び図示してきた詳細、材料、工程、及び部品の構成に対する多くの追加的な変更形態が当業者によって行われ得ることは理解されるであろう。したがって、本発明を上に示した実施例中の特定の実施形態及び／又は添付の図面に限定することは意図されていない。

Claims (14)

  1. 式：
    ［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ （ＩＩ）
    （式中、ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；
    Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、Ｃ６〜Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及び
    Ｒは、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６基、Ｃ６〜Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６基、Ｃ６〜Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである）
    を有する単位を含有する直鎖又は分岐の前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物。
  2. 前記前駆体の分子量が、５００〜１，０００，０００である、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  3. 前記前駆体の分子量が、１，０００〜１００，０００である、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  4. 前記前駆体の分子量が、３，０００〜５０，０００である、請求項１に記載のＳｉ含有
    膜形成用組成物。
  5. 前記前駆体は、式［−ＮＨ−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ（ここで、ｔ＝１〜２である）を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  6. 前記前駆体は、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
    ［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  7. 前記前駆体は、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（Ｍｅ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（Ｅｔ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  8. 前記前駆体は、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−（ＣＨ２）ｔ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ
    ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
    ［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  9. 前記前駆体は、
    ［−Ｎ（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（アミル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
    ［−Ｎ（ヘキシル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  10. 前記前駆体は、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
    ［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  11. 前記前駆体は、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  12. 前記前駆体は、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎ、
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎ、及び
    ［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  13. 前記前駆体は、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び
    ［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎ
    （ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  14. 基板上にＳｉ含有膜を形成する方法であって、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のＳｉ含有膜形成用組成物を含む溶液を形成することと、前記溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法で前記基板と接触させて、前記Ｓｉ含有膜を形成することとを含む方法。
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