JP2019220674A - SiPモジュール及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の波長域の電磁遮蔽保護機能を備えるSiPモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板の上面に、SiPモジュールに必要となる電子素子を溶接し、SiPモジュールのプリント回路板デバイスを作成するステップと、プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップと、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材を充填して封止し、プラスチック材によってプリント回路板デバイス上面での電子素子及び機能性フィルムを覆い、プラスチック材を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得るステップと、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数の上記SiPモジュールを得るステップとを含む。【選択図】図1

Description

本発明は、SiPモジュール及びその製造方法に関し、特に、簡略化されたSiPモジュール製造方法に関する。
今のところ、通信分野における電子製品がますます集積化・微小化している上に、電子製品の機能的な整合のため、電子製品の内部素子の配列ピッチは、必ず小さくようになっている。実際な適用において、電子素子とプリント回路板(Printed Circuit Board、PCB)との接続の強化、外部ダストなどの電子素子内への進入防止、電子素子の電気漏れや各電子素子の間の干渉などの回避のために、プラスチック材で電子素子を封止しなければならない。
目の前、熱によってプラスチック材で封止する技術の製作過程としては、表面マウント技術(Surface Mount Technology、SMT)によってPCBに素子を実装し、プリント回路板デバイス(Printed Circuit Board Assembly、PCBA)を作成し、PCBAの上面にプラスチック材を充填して封止し、モールディング層(Molding)を形成し、硬化させた後、カットしてシステム・イン・パッケージ(System in Package、SiP)モジュールを形成することであるが、PCBに溶接された電子素子には、他の付属薄膜又は物質がない。電磁遮蔽としては、一般的に、プラスチック材で封止されたSiPモジュールに金属層をスパッタリングし、又はゴムフィルムを貼り付け、電磁保護という効果を達成する。
しかし、電子産業の発展に伴って、電磁保護等に対する要求が高まっていて、プラスチック材で封止してから電磁遮蔽を行う(ゴムフィルムを貼り付ける又はフィルムとしてスパッタリングする)プロセスでは、単一の波長域に対する電磁遮蔽だけが実現でき、複数の波長域の電磁遮蔽が実現し難く、また、フィルムとしてスパッタリングする場合、プラスチック材による封止体との結合力の制御も比較的に難しい。
本発明は、SiPモジュール及びその製造方法を開示し、SiPモジュールのプロセスフローを簡略化させた。本発明により提供される技術手段は、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板の上面に、SiPモジュールに必要となる電子素子を溶接し、SiPモジュールのプリント回路板デバイスを作成するステップと、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップと、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材を充填して封止し、上記プラスチック材によって上記プリント回路板デバイス上面での電子素子及び機能性フィルムを覆い、上記プラスチック材を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得るステップと、上記硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数の上記SiPモジュールを得るステップとを含むSiPモジュールの製造方法である。
上記した技術手段において、直接的にプラスチック材で電磁遮蔽機能を有する機能性フィルムを電子素子と一緒に封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたSiPモジュールは、電磁遮蔽保護などの機能を備えるようになり、SiPモジュールの製造フローを簡略化させた。
更に、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子表面に、上記機能性フィルムを強固に貼り付ける方法は、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の表面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、外部から上記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、上記プリント回路板デバイスを加熱し、上記機能性フィルムを上記電子素子の表面に強固に貼り付けるステップとを含む。上記技術手段において、上記機能性フィルムの粘性層は、熱硬化性ゴム層であり、外部圧力と加熱硬化を同時に採用するという手法によって、機能性フィルムを電子素子の表面に強固に貼り付け、貼り付け効果がより一層良くなる。
更に、上記した上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子表面に機能性フィルムを強固に貼り付ける具体的な方法は、上記プリント回路板デバイスにおける上記電子素子の上面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、上方から下へ上記機能性フィルムに圧力を印加し、上記機能性フィルムを上記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付けるステップである。上記技術手段において、上方から下へ機能性フィルムに印加する圧力によって、機能性フィルムを凸凹不平の各電子素子の上面を比較的に強固に貼り付けることができ、後にプラスチック材で封止する場合に機能性フィルムが衝撃を受けて電子素子の上面から離れる確率を低減し、プロセスの歩留まりを向上させた。
更に、上記した上方から下へ上記機能性フィルムに圧力を印加し、上記機能性フィルムを上記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付ける具体的な方法は、上方から下へ上記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、上記プリント回路板デバイスを加熱し、ゴム層を硬化させた後、上記機能性フィルムを上記電子素子の上面に強固に貼り付けるステップである。
更に、当該方法は、上記SiPモジュールの四周及び上面に金属をスパッタリングして電磁遮蔽層を形成するステップを更に含む。上記技術手段において、機能性フィルムと金属スパッタリングという手法によって、SiPモジュールは、複数の波長域の電磁波に対する遮蔽機能を有するようになり、SiPモジュールの電磁遮蔽の能力と効果を向上させた。
更に、上記機能性フィルムは、カットラインで区画された複数のフィルムユニットを含み、上記カットラインは、その一部が空け、もう一部が上記フィルムユニットに接続され、上記フィルムユニットはSiPモジュール毎に対応する。上記技術手段において、機能性フィルムのカットラインは、その一部が空け、もう一部がフィルムユニットに接続される構成であることによって、カットする場合に機能性フィルムが刃具に粘着する確率を低減するだけでなく、機能性フィルムが互いに繋がっていた複数のフィルムユニットを有することを保証し、後の利用が便利になり、また保存が比較的に便宜である。
更に、上記カットラインは、縦方向カットラインと横方向カットラインを含み、上記縦方向カットラインと上記横方向カットラインとの非交差領域が空け、上記縦方向カットラインと上記横方向カットラインとの交差領域が上記フィルムユニットに接続される。上記技術手段において、機能性フィルムのカットラインは、その空け処が異なる位置に設けられてもよく、形状、サイズが多種あり、広くて活用される。
また、本発明は、上面にSiPモジュールに必要となる電子素子が溶接され、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板と、上記電子素子の表面に強固に貼り付け、上記電子素子と一緒にプラスチック材に覆われる機能性フィルムとを含むSiPモジュールを提供した。
更に、上記機能性フィルムは、電磁遮蔽機能を有する。上記技術手段において、機能性フィルムは電磁遮蔽機能を有するため、直接的に電子素子と一緒にプラスチック材に封止されることによって、プラスチック材で封止した完成されたSiPモジュールは、一定の電磁遮蔽効果を有するようになる。
更に、上記プラスチック材の上面及び四周に、電磁遮蔽層が設けられる。上記技術手段において、電磁遮蔽層と機能性フィルムとの併用によって、SiPモジュールは、異なる波長域の電磁波に対して遮蔽することができ、SiPモジュールの電磁遮蔽機能を向上させた。
本発明のSiPモジュール及びその製造方法は、従来技術に比べると、その有利な効果として、直接的に電磁遮蔽機能を有する機能性フィルムを電子素子と一緒にプラスチック材で封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたSiPモジュールは、電磁遮蔽保護機能を備えるようになり、SiPモジュールの製造フローを簡略化させることにある。金属スパッタリングと組み合わせて利用することによって、SiPモジュールの電磁遮蔽効果がより良くなることができる。
本発明SiPモジュールの製造方法の1つの実施例のフローチャートである。 本発明SiPモジュールの製造方法のもう1つの実施例のフローチャートである。 本発明SiPモジュールの製造方法のまた1つの実施例のフローチャートである。 本発明SiPモジュールの一部の製造フロー模式図である。 本発明SiPモジュールの一部の製造フロー模式図である。 本発明SiPモジュールの一部の製造フロー模式図である。 本発明SiPモジュールのもう一部の製造フロー模式図である。 本発明SiPモジュールのもう一部の製造フロー模式図である。 本発明SiPモジュールのもう一部の製造フロー模式図である。 本発明に係る繋がっていた2つのPCBにおけるSiPモジュール領域の構成模式図である。 図6におけるSiPモジュール領域設計に対する機能性フィルム構成模式図である。 本発明SiPモジュールの構成模式図である。 本発明SiPモジュールの構成模式図である。
本発明が所定の目的を達成するために採用される技術、方法及び効果を更に理解するように、以下に本発明に関する詳細な説明と添付図面を参照するが、これによって本発明の目的、特徴と特点を深くて具体的に理解できると信じられるが、添付図面は参照として本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
本明細書には、システム・イン・パッケージ(SiP)モジュールの製造方法が提出され、開示された技術の目的は、以下にある。
図1に示すように、本発明の1つの実施例は、SiPモジュールの製造方法であり、以下のステップを含む。
ステップS110では、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板1の上面に、SiPモジュールに必要となる電子素子8を溶接し、SiPモジュールのプリント回路板デバイス、即ち、PCBAを作成する。
ステップS120では、プリント回路板デバイスにおける電子素子8の表面に機能性フィルム9を強固に貼り付ける。
ステップS130では、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材10を充填して封止し、プラスチック材10によってプリント回路板デバイス上面での電子素子8及び機能性フィルム9を覆い、プラスチック材10を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得る。
ステップS140では、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数のSiPモジュール3を得る。
具体的には、プロセス効率を高めるように、プリント回路板1上にSiPモジュール3に必要となる電子素子8を複数実装し、プラスチック材で封止してカットし、複数のSiPモジュール3を得るようになる。
PCBは、表面マウント技術(SMT)によって素子を実装することによって、プリント回路板デバイス、即ち、PCBAが作成される。PCBAを得た後、PCBAにおける電子素子8の表面に機能性フィルム9を貼り付け、例えば、電子素子8の上面だけに貼り付けてもよいし、電子素子8の上面と側面に貼り付けてもよい。
機能性フィルム9が貼り付けられたPCBAをプラスチック材で封止し、プラスチック材10によってプリント回路板1デバイス上面での電子素子8及び機能性フィルム9を覆い、プラスチック材10を硬化させた後、SiPモジュールを作成する。硬化されたPCBAをカットすることによって、複数のSiPモジュール3が得られるようになる。
例えば、PCB上は16個の領域に分けられ、領域毎には1つのSiPモジュールが設けられ、16個のSiPモジュールに必要となる電子素子8をマウントし、後のカットのために、領域毎の間に余裕がある。
機能性フィルム9は、実際な需要に基づいて異なる材料を採用して製作されるフィルムを意味し、採用される材料が異なるため、異なる機能を有するようになる。本実施例において、直接的に電磁遮蔽機能を有する機能性フィルム9を電子素子8と一緒にプラスチック材で封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたSiPモジュール3は、後に金属をスパッタリングしなくても電磁遮蔽の機能を有し、SiPモジュール3の製造フローを簡略化させた。異なる材料の機能性フィルム9によって、SiPモジュール3は異なる電磁遮蔽機能を有することができる。
図2に示すように、本発明のもう1つの実施例は、SiPモジュールの製造方法であり、以下のステップを含む。
ステップS210では、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板1の上面に、SiPモジュールに必要となる電子素子8を溶接し、SiPモジュールのプリント回路板デバイスを作成する。
ステップS220では、プリント回路板デバイスにおける電子素子8の表面に機能性フィルム9を強固に貼り付ける。
ステップS230では、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材10を充填して封止し、プラスチック材10によってプリント回路板デバイス上面での電子素子8及び機能性フィルム9を覆い、プラスチック材10を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得る。
ステップS240では、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数のSiPモジュール3を得る。
その中、ステップS220の具体的な方法は、以下の通りである。
ステップS221において、プリント回路板デバイスにおける電子素子8の表面に機能性フィルム9を貼り付ける。
S222において、外部から機能性フィルム9に圧力を印加する。
S223において、プリント回路板デバイスを加熱し、機能性フィルム9を電子素子8の表面に強固に貼り付ける。
具体的には、PCBAにおける電子素子8の上面と側面に機能性フィルム9を貼り付ける必要が有る場合、適当なサイズの機能性フィルム9を1つずつ採用して各電子素子8に貼り付けてもよい。
機能性フィルム9の粘性層は、一般的にゴム層であり、貼り付けられた後、フィルムの外部から一定の圧力を印加することによって強固に貼り付けるすることができる。ゴム層が熱硬化性ゴムであれば、PCBAを加熱することによって、機能性フィルム9を電子素子8の表面に更に強固に貼り付けることができる。
機能性フィルム9を電子素子8の表面に強固に貼り付ける理由としては、後でプラスチック材で封止する場合、プラスチック材10により生成されるモールディングフロー圧力によって機能性フィルム9が一定の衝撃を受けるが、もし機能性フィルム9が電子素子8に強固に貼り付けられないと、プラスチック材で封止する際に、衝撃を受けて電子素子8の表面から離れ、プラスチック材10の表面に浮くようになることによって、プラスチック材で封止し、カットして得られたSiPモジュールは、有効な電磁遮蔽保護効果を得られないようになるからである。
本実施例によって、外部圧力と加熱硬化を併用するという手法によって、機能性フィルム9を電子素子8の表面に強固に貼り付け、プラスチック材で封止して得たれたSiPモジュール3は、比較的良い電磁遮蔽保護効果を得ることができる。
図3、図4a〜4c及び図5a〜5cに示すように、本発明のまた1つの実施例は、SiPモジュールの製造方法であり、以下のステップを含む。
S310では、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板1の上面に、SiPモジュールに必要となる電子素子8を溶接し、SiPモジュールのプリント回路板デバイスを作成する(図4aを参照)。
S320では、プリント回路板デバイスにおける電子素子8の表面に機能性フィルム9を強固に貼り付ける(図4bを参照)。
S330では、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材10を充填して封止し、プラスチック材10によってプリント回路板デバイス上面での電子素子8及び機能性フィルム9を覆い、プラスチック材10を硬化させた後、SiPモジュールを作成する。
具体的には、以下の通りである。
S331において、プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材10を充填して封止し、プラスチック材10によってプリント回路板デバイス上面での電子素子8及び機能性フィルム9を覆い、プラスチック材10を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得る。
図4cは、側面からPCBAの上面にプラスチック材を充填する過程であり、図5aは、プラスチック材10が硬化されたプリント回路板デバイスである。
S332において、硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数のSiPモジュール3を得る。
図5cは、カットして得られた2つのSiPモジュールであり、単一のSiPモジュール3を図8aに示す。
その中、ステップS320の具体的な方法は、以下の通りである。
S321において、プリント回路板デバイスにおける電子素子8の上面に機能性フィルム9を貼り付ける。
S322において、上方から下へ機能性フィルム9に圧力を印加し、機能性フィルム9をプリント回路板デバイスにおける電子素子8の上面に強固に貼り付ける(図4bを参照)。
具体的には、PCBAにおける電子素子8は、凸凹不平、大小不均一の可能性があると考えて、その側面に全部に機能性フィルム9を貼り付ける工程が比較的大きいため、機能性フィルム9を電子素子8の上面だけに貼り付ける場合もある。
機能性フィルム9を電子素子8の上面に貼り付ける場合、ベタの機能性フィルム9を採用してPCBA全体における電子素子8に一度に貼り付けてもよいし(即ち、機能性フィルム9のサイズとPCBAのサイズが対応し、PCBAにおける全ての電子素子8を一括に貼り付ける)、PCBAにおける1つのSiPモジュール領域のサイズに対応する機能性フィルム9を採用し、PCBA全体における各SiPモジュール領域に1つずつ貼り付けてもよい。機能性フィルム9を電子素子8の上面だけに貼り付ける場合、各電子素子8の高さが異なる可能性があるため、上から下へ機能性フィルム9に一定の圧力を印加することによって、機能性フィルム9が電子素子8の高さに応じて変動し、各電子素子8の上面に比較的に強固に貼り付けることができる。上から下へ機能性フィルム9に圧力を印加するによって各電子素子8の上面に比較的に強固に貼り付けることは、PCBA全体への機能性フィルム9の貼り付けに適用されてもよいし、各SiPモジュールに対応する機能性フィルム9の貼り付けに適用されてもよい。
機能性フィルム9は、例えば、変形可能な材質であり、電子素子8の上面に貼り付けられた後、機能性フィルム9の上面に耐熱泡綿を置き、耐熱泡綿上に重りを置き、重りの圧力によって耐熱泡綿を加圧して一定の形状変化を生成させることによって、耐熱泡綿の下の機能性フィルム9も形状が変化し、高さが異なる電子素子8の上面に貼り付けることができる。
上方から下へ機能性フィルム9に印加する圧力によって、機能性フィルム9は、凸凹不平の各電子素子8の上面に比較的に強固に貼り付けることができ、後でプラスチック材で封止する場合に機能性フィルム9が衝撃を受けて電子素子8の上面から離れる確率を低減し、プロセスの歩留まりを向上させた。
他の実施例において、もし機能性フィルムのゴム層が熱硬化性ゴムであれば、ステップS322は、具体的に、以下の通りである。
S3221において、上方から下へ機能性フィルム9に圧力を印加する。
S3222において、プリント回路板デバイスを加熱し、ゴム層を硬化させた後、機能性フィルム9を電子素子8の上面に強固に貼り付ける。
SiPモジュールの製造方法は、以下のステップを更に含むことが好ましい。
S340では、カットされたSiPモジュール3の四周及び上面に金属をスパッタリングし、電磁遮蔽層11を形成する。
具体的には、実際な要求に応じて、多種の電磁遮蔽効果を同時に満たす必要である場合があり、この場合、機能性フィルム9とスパッタリング電磁遮蔽層11を併用するという手段によってSiPモジュール3を製作することができる。
例えば、SiPモジュールは、低周波の波長域と中高周波の波長域において同時に電磁波を遮蔽する必要がある。この場合、低周波の波長域を吸収するための酸化鉄材質の機能性フィルム9をPCBAにおける各電子素子8の上面に貼り付け、プラスチックで封止してカットし、複数のSiPモジュール3を得、各SiPモジュール3の四周及び上面にそれぞれ金属をスパッタリングし、中高周波の波長域を吸収する電磁遮蔽層を形成することができる。このように金属でスパッタリングされたSiPモジュール3は、低周波の波長域と中高周波の波長域において同時に電磁遮蔽を実現することができる。
図7に示すように、本発明に係る機能性フィルム9は、
カットライン4で区画された複数のフィルムユニット5を有し、カットライン4は、一部が空け、もう一部がフィルムユニット5に接続され、フィルムユニット5がSiPモジュール毎に対応する。
具体的には、図7は、図6における繋がっていた2つのプリント回路板1におけるSiPモジュール領域2に基づいて設計される対応する2枚の同じ機能性フィルム9である。左の機能性フィルム9で釈明する。
機能性フィルム9は、一般的に、ゴム層と機能フィルム層を含み、機能フィルム層がゴム層の上面にあり、機能性フィルム9がゴム層を介して電子素子8の表面に貼り付けられる。
機能性フィルム9は、PCBAのサイズに基づいて製作され、機能性フィルム9には、PCBAにおける単一のSiPモジュール領域2のサイズに対応する複数のフィルムユニット5、及び各フィルムユニット5に区画するカットライン4があることが好ましい。プラスチックで封止した後、プリント回路板1におけるカットライン(即ち、機能性フィルム9のカットライン4)に沿って、PCBAを単一のSiPモジュール3にカットする。プラスチックで封止してカットする際に、機能性フィルム9がカットのための刃具上に粘着してバリが生じることを回避するために、機能性フィルム9を製作する時に、カットライン4に対応する位置の一部が空け、一部がフィルムユニット5に接続されるようにすることができる。また、カットライン4に対応する位置の一部がフィルムユニット5に接続されることによって、機能性フィルム9は、複数のフィルムユニット5を有する1枚のフィルムになり、複数のSiPモジュール領域2を有するPCBAに一括に貼り付けることができ、加工プロセスを簡略化させた。
本実施例において、機能性フィルム9のカットライン4は、一部が開け、もう一部がフィルムユニット5に接続される構成であるため、カットする際に機能性フィルム9が刃具に粘着する確率を低減するだけでなく、機能性フィルム9が複数のフィルムユニット5を有することができるように保証し、後の利用が便利であり、また保存が比較的に便宜である。
他の実施例において、カットライン4は、複数の縦方向カットラインと複数の横方向カットラインを含み、縦方向カットラインと横方向カットラインとの非交差領域が空け、縦方向カットラインと横方向カットラインの交差領域がフィルムユニット5に接続される。
具体的には、交差領域6は、縦方向カットラインと横方向カットラインとが交差する中心を中点として、一定のサイズの領域を構成する。非交差領域は、縦方向カットライン、横方向カットラインにおける交差領域以外の領域を意味する。
一定のサイズは、実際な要求に基づいて設置され、隣り合いフィルムユニット5が交差領域を通して接続されることを保証すればよい。交差領域の形状は制限されない。
例えば、交差領域6は、図7に示すように、予め設定される半径(例えば、20um)で円を描いて得られた円形領域であり、カットラインにおける他の領域は非交差領域7である。
本実施例の機能性フィルム9は、そのカットライン4の空け処が異なる位置に設けられてもよく、形状、サイズが多種あり、広く活用される。
図8aに示すように、本発明のもう1つの実施例は、SiPモジュール3であり、
上面にSiPモジュールに必要となる電子素子8が溶接され、下面に溶接点(図示せず)が予め準備されたプリント回路板1と、
電子素子8の表面に強固に貼り付け、電子素子8と一緒にプラスチック材10に覆われる機能性フィルム9と、を含む。
電子素子8の上面には、電磁遮蔽機能を有する機能性フィルム9が強固に貼り付けられることが好ましい。機能性フィルム9を電子素子8毎の上面と側面に貼り付ければ、その工程が比較的大きくて、効率が比較的低いため、機能性フィルム9を電子素子8の上面だけに貼り付けることによって、SiPモジュールは、機能性フィルム9が貼り付けられるため電磁遮蔽機能を有し、また、製造プロセスを簡略化させた。
図8bに示すように、プラスチック材10の上面の四周に電磁遮蔽層11が設けられることが好ましい。
具体的には、プラスチック材10の四周及び上面の電磁遮蔽層11は、多種の手法で製作されてもよく、例えば、金属スパッタリング、金属薄膜の貼り付け、電磁遮蔽マスクの取付などがある。
総じて言えば、本発明のSiPモジュール及びその製造方法は、従来技術に比べると、その有利な効果として、直接的に電磁遮蔽機能を有する機能性フィルムを電子素子と一緒にプラスチック材で封止することによって、プラスチック材で封止して完成されたSiPモジュールは、電磁遮蔽保護機能を備えるようになり、SiPモジュールの製造フローを簡略化させることにある。金属スパッタリングと組み合わせて利用することによって、SiPモジュールの電磁遮蔽効果がより良くなることができる。
上述したのは本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するためのものではなく、本発明の明細書及び添付図面の内容基づき為された均等の構成変形は、全て本発明の保護範囲に属するものとする。
1 プリント回路板
2 SiPモジュール領域
3 SiPモジュール
4 カットライン
5 フィルムユニット
6 交差領域
7 非交差領域
8 電子素子
9 機能性フィルム
10 プラスチック材
11 電磁遮蔽層

Claims (10)

  1. 下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板の上面に、SiPモジュールに必要となる電子素子を溶接し、SiPモジュールのプリント回路板デバイスを作成するステップと、
    前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップと、
    前記プリント回路板デバイスの上面にプラスチック材を充填して封止し、前記プラスチック材によって前記プリント回路板デバイス上面での電子素子及び機能性フィルムを覆い、前記プラスチック材を硬化させた後、硬化されたプリント回路板デバイスを得るステップと、
    前記硬化されたプリント回路板デバイスをカットし、複数の前記SiPモジュールを得るステップと、
    を含むことを特徴とする、SiPモジュールの製造方法。
  2. 前記した前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップは、更に、
    前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、
    外部から前記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、
    前記プリント回路板デバイスを加熱し、前記機能性フィルムを前記電子素子の表面に強固に貼り付けるステップとを含むことを特徴とする、請求項1に記載のSiPモジュールの製造方法。
  3. 前記した前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の表面に機能性フィルムを強固に貼り付けるステップは、更に、
    前記プリント回路板デバイスにおける前記電子素子の上面に機能性フィルムを貼り付けるステップと、
    上方から下へ前記機能性フィルムに圧力を印加し、前記機能性フィルムを前記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付けるステップとを含むことを特徴とする、請求項1に記載のSiPモジュールの製造方法。
  4. 上方から下へ前記機能性フィルムに圧力を印加し、前記機能性フィルムを前記プリント回路板デバイスにおける電子素子の上面に強固に貼り付けるステップは、更に、
    上方から下へ前記機能性フィルムに圧力を印加するステップと、
    前記プリント回路板デバイスを加熱し、ゴム層を硬化させた後、前記機能性フィルムを前記電子素子の上面に強固に貼り付けるステップとを含むことを特徴とする、請求項3に記載のSiPモジュールの製造方法。
  5. 前記SiPモジュールの四周及び上面に金属をスパッタリングして電磁遮蔽層を形成するステップを更に含むことを特徴とする、請求項1に記載のSiPモジュールの製造方法。
  6. 前記機能性フィルムは、カットラインで区画された複数のフィルムユニットを含み、
    前記カットラインは、一部が空け、もう一部が前記フィルムユニットに接続され、
    前記フィルムユニットはSiPモジュール毎に対応することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載のSiPモジュールの製造方法。
  7. 前記カットラインは、縦方向カットラインと横方向カットラインを含み、
    前記縦方向カットラインと前記横方向カットラインとの非交差領域が空け、前記縦方向カットラインと前記横方向カットラインとの交差領域が前記フィルムユニットに接続されることを特徴とする、請求項6に記載のSiPモジュールの製造方法。
  8. 上面にSiPモジュールに必要となる電子素子が溶接され、下面に溶接点が予め準備されたプリント回路板と、
    前記電子素子の表面に強固に貼り付けられ、前記電子素子と一緒にプラスチック材に覆われる機能性フィルムとを含むことを特徴とする、SiPモジュール。
  9. 前記機能性フィルムは、電磁遮蔽機能を有することを特徴とする、請求項8に記載のSiPモジュール。
  10. 前記プラスチック材の上面及び四周に電磁遮蔽層が設けられることを特徴とする、請求項8に記載のSiPモジュール。
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