JP2011124413A - 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】第１工程は、集合基板１０を封止樹脂にて封止する。第２工程は、電子部品モジュール１の境界部分にて、封止樹脂の天面から、集合基板１０に向かって切り込み部１７を形成する。第３工程は、切り込み部１７の開口部及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。第４工程は、所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量の大きいシート状の絶縁性樹脂１９を、導電性樹脂１８上に載置する。第５工程は、圧力及び熱を加えることにより、集合基板１０の少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９で被覆する。第６工程は、それぞれの電子部品モジュール１に個片化する。
【選択図】図４

Description

本発明は、複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板から、シールド層を有する電子部品モジュールを切り出す電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールに関する。
従来、電子部品モジュールを製造する場合、例えば、電子部品を搭載した基板上に、所定高さのグランド端子を設け、基板上に樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積層した積層シートを配設した後、樹脂膜を軟化させることにより、グランド端子と導電膜とを導通させている（特許文献１参照）。
しかし、特許文献１に開示されている製造方法で製造して切り出した電子部品モジュールでは、側面にシールド層が形成されていないため、電界ノイズ及び電磁波ノイズが側面から侵入することを防ぐことができないという問題があった。
そこで、電子部品モジュールの側面にシールド層を形成する方法が検討されている。例えば、一方の面の電気接点と他方の面の接続パッドとを接続する一連のバイアホール及び一連の孔を有する基板に、少なくとも１つの電子部品の活性面側を取付け、該活性面の反対側の面に導電性の変形フィルムを付着する。そして、電子部品を鎧装して形成した堅固なアセンブリが変形フィルムと接触するように、他方の面から一連の孔を通じて変形フィルムを吸気する（特許文献２参照）。
特許文献２では、電極は電子部品の活性面を取り付けた基板表面に形成されており、一連の孔を通じて変形フィルムを吸気することにより、導電性の変形フィルムが電子部品に沿って基板表面の電極と接地する。電子部品モジュールは孔の部分で切断され、孔に充填された変形フィルムが外部と接触することになり、切断された孔の部分（電子部品の側面）へのノイズの侵入を防ぐことができる。
また、電磁波シールドを必要とする電子部品ではないが、樹脂フィルムを電子機能素子の側面まで充填して電子部品を製造する方法が開示されている（特許文献３参照）。具体的には、基板と、基板に設けられた複数の電子機能素子とを実装集合基板上に実装し、各電子機能素子上に樹脂フィルムを貼付して気体遮断性を有する袋に入れ、内部を減圧して密封する。そして、減圧された各電子機能素子間に樹脂フィルムを侵入させて、各電子機能素子を樹脂フィルムによって封止する。
さらに、基板上に実装する要素部品が完全にシールドされた電子部品モジュールとして、例えば基板上に配置された複数の部品が絶縁層で被覆され、絶縁層から露呈させた状態で基板上に設けられた接地用電極と、絶縁層の外側に形成され接地用電極に接続されたシールド層とを具備し、基板とシールド層の端面とが同一平面上に位置する回路モジュールが開示されている（特許文献４参照）。
特開２０００−２２３６４７号公報 特開２００１−１７６９９５号公報 国際公開第２００５／０７１７３１号 特開２００４−１７２１７６号公報
しかし、特許文献２では、孔を基板に形成するとともに電極を基板表面に形成しているため、電子部品モジュールの大きさを一定の大きさよりも小さくすることができず、同じ大きさの集合基板から切り出すことが可能な電子部品モジュール数が少なくなることから、製造費用の増大を招くという問題があった。なお、特許文献１でも、天面に形成されるシールド層（導電膜）と接地するように接地用端子（グランド端子）を設ける必要があり、接地用端子（グランド端子）分だけ必要となる基板面積が大きくなることから、同様の問題を有していた。
特許文献３では、電極と、空間部とが基板と実装集合基板との間に形成され、空間部の存在によって基板下の振動を妨げないようにしている。空間部を形成、すなわち樹脂フィルムの未充填空間を残すため、樹脂フィルムを基板と実装集合基板との狭い間隙に侵入させる必要がなく、袋の内部を減圧して外の大気との圧力差のみで樹脂フィルムを充填している。しかし、樹脂フィルムの狭い間隙への侵入性を高め、空気の巻き込み等によるボイドを防止し、電子部品を確実にシールドするためには、減圧だけでは不充分である。
特許文献４では、絶縁層上にシールド層が設けられ、基板上の接地用電極とシールド層とを接続し、シールド層と基板側面を同一平面上に形成してモジュールを平面方向に小型化するようにしている。しかし、特許文献４では、シールド層を導電性ペーストの塗布によって形成するため、一般に熱硬化性樹脂を主成分として含む導電性ペーストを熱硬化させる際に、導電性ペースト内に含まれる有機溶剤などの希釈液が蒸発してガス化し、シールド層内部にボイドが生じるおそれがある。また、平面方向の小型化を課題としたものであるため、低背化を実現するには不十分である。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法及び該製造方法を用いて製造した電子部品モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために第１発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板を封止樹脂にて封止する第１工程と、前記電子部品モジュールの境界部分にて、封止した封止樹脂の天面から、前記集合基板に向かって所定の深さを有する切り込み部を形成する第２工程と、前記切り込み部の開口部及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂を載置する第３工程と、所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して前記導電性樹脂よりも変形量の大きいシート状の絶縁性樹脂を、前記導電性樹脂上に載置する第４工程と、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記集合基板の少なくとも側面の一部及び天面を前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂で被覆する第５工程と、被覆された前記集合基板を分離して、それぞれの電子部品モジュールに個片化する第６工程とを含む。
また、第２発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１発明において、前記第２工程において形成する前記切り込み部は、封止した封止樹脂の天面から、前記集合基板の内部まで形成する。
また、第３発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１又は第２発明において、前記第５工程は、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋の内部を減圧して密封し、減圧した前記袋内の前記集合基板に対し前記袋の外部から大気開放による圧力を加え、さらに熱を加える。
また、第４発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１又は第２発明において、前記第５工程は、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋を開けた状態で加熱及び減圧し、加熱及び減圧しながら前記袋を密封した後、減圧した前記袋内の前記集合基板に対し前記袋の外部から大気開放による圧力を加え、さらに熱を加える。
また、第５発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第３又は第４発明において、前記第５工程は、大気開放による圧力を加えた後、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、前記槽内に載置した前記袋内の前記集合基板に圧力及び熱を加える。
また、第６発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１又は第２発明において、前記第５工程は、集合基板の天面側及び底面側から集合基板を挟んで圧力を加えるヒータプレス装置により、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加える。
また、第７発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第６発明において、前記ヒータプレス装置は、真空チャンバーを有し、真空環境下で前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加える。
また、第８発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１乃至第７発明のいずれか一つにおいて、前記集合基板の表面に配設してある電極パッドと接続するように前記集合基板上又は前記電子部品上に導電性ポストを形成し、該導電性ポストの上面を露出させ、かつ前記電子部品モジュールを覆うように、前記集合基板を封止樹脂にて封止し、前記切り込み部の開口部及び前記導電性ポストの上面を含む天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂を載置した後、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂を前記切り込み部に充填し、かつ前記導電性ポストの上面と前記導電性樹脂とを接続させる。
また、第９発明に係る電子部品モジュールは、第１乃至第８発明のいずれか一つの電子部品モジュールの製造方法を用いて製造してある。
第１発明では、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも導電性樹脂及び絶縁性樹脂を充分に充填することができ、電子部品モジュールの天面だけでなく少なくとも側面の一部にもシールド層及び絶縁性樹脂層を形成することができる。特に熱を加えることにより、導電性樹脂および絶縁性樹脂が軟化するため、切り込み部へ効果的に充填することができる。また、シート状の導電性樹脂上に載置した絶縁性樹脂が、加圧に対して導電性樹脂よりも変形量が大きいので、集合基板に圧力を加え絶縁性樹脂が切り込み部へ侵入する際に、導電性樹脂を切り込み部の深さ方向へ押し込むので、切り込み部に導電性樹脂を充分に充填するための時間を短くすることができる。さらに、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、シールド層及び絶縁性樹脂層の薄膜化を図ることができ、ボイドの混入を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。また、電子部品モジュールの天面及び側面を被覆するシールド層及び絶縁性樹脂層の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。絶縁性樹脂層は、シールド層の表面に形成されるので、シールド層を物理的・化学的に保護することができる。加えて、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止した封止樹脂の天面に薄膜のシールド層及び絶縁性樹脂層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。
第２発明では、切り込み部は、封止した封止樹脂の天面から、集合基板の内部まで形成するので、切り込み部に導電性樹脂を充填するだけで、回路基板の側方から露出している接地用電極とシールド層とを電気的に接続することが可能となる。
第３発明では、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂が載置された集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、集合基板を入れた袋の内部を減圧して密封し、減圧した袋内の集合基板に対し袋の外部から大気開放による圧力を加え、さらに熱を加えることにより、袋の内外の圧力差により導電性樹脂及び絶縁性樹脂がより切り込み部に充填され易くなる。また、導電性樹脂等に発生するガス等は、減圧パック装置により減圧することにより導電性樹脂等の外に排出することができるので、ボイドの混入を未然に防止することができる。ヒータプレス装置にて真空環境下で加圧する場合と比較し、簡易な装置及び処理工程でシールド層及び絶縁樹脂層を形成することができる。さらに、気体遮断性を有する袋を使用することにより、集合基板の形状に沿って均等に外圧がかかり、集合基板が均等に加圧されることになる。
第４発明では、導電性樹脂及び絶縁性樹脂が載置された集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、集合基板を入れた袋を開けた状態で加熱及び減圧し、加熱及び減圧しながら袋を密封した後、減圧した袋内の集合基板に対し袋の外部から大気開放による圧力を加え、さらに熱を加えることにより、切り込み部の一部に充填された導電性樹脂及び絶縁性樹脂層に含まれる溶剤成分を大気圧下より多く揮発蒸散させることができ、ボイドの混入を未然に防止することができる。なお、減圧によって袋内が真空状態になるまでは、シート状の導電性樹脂は封止した封止樹脂の天面に完全には圧着されていないので、切り込み部の一部に充填された導電性樹脂及び絶縁性樹脂に含まれる溶剤成分は、封止した封止樹脂とシート状の導電性樹脂との間及び絶縁性樹脂の表面から容易に揮発蒸散することができる。
第５発明では、大気開放による圧力を加えた後、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、槽内に載置した袋内の集合基板に圧力及び熱を加えることにより、減圧した状態にて全方向から均等に圧力をさらに加えて加熱することができるので、切り込み部へ導電性樹脂及び絶縁性樹脂を効果的に充填するとともに、よりボイドの混入を未然に防止することが可能となる。
第６発明では、集合基板の天面側及び底面側から集合基板を挟んで圧力を加えるヒータプレス装置により、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部へ導電性樹脂及び絶縁性樹脂を効果的に充填することができるとともに、天面に形成されるシールド層及び絶縁性樹脂層の膜厚を制御することが容易となる。
第７発明では、ヒータプレス装置が真空チャンバーを有し、真空環境下でシート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、ボイドの混入を未然に防止することができるので、より切り込み幅を狭くしてシールド層及び絶縁性樹脂層を薄膜化することができる。切り込み部の幅を狭くすることで、集合基板から切り出す電子部品モジュール数を多くすることができ、製造コストを抑制することも可能となる。
第８発明では、集合基板の表面に配設してある電極パッドと接続するように集合基板上又は電子部品上に導電性ポストを形成することにより、基板表面に電極を形成して基板に孔を形成することなく、電子部品モジュール当たりの基板面積を小さくすることが可能である。特に電子部品上に導電性ポストを形成する場合に、電子部品モジュール当たりの基板面積をより小さくすることが可能であり、低背化とともに電子部品モジュールを小型化することが可能となる。さらに、電子部品モジュールにおいて導電性ポストを介して電気信号が伝達される場合、側面の導電性樹脂を介して電気信号が伝達される場合と比較して電送路が短くなり、抵抗を小さくすることが可能となる。
第９発明では、第１乃至第８発明のいずれか一つの電子部品モジュールの製造方法を用いて製造した電子部品モジュールであるので、確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる。
上記構成によれば、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも導電性樹脂及び絶縁性樹脂を充分に充填することができ、電子部品モジュールの天面だけでなく少なくとも側面の一部にもシールド層及び絶縁性樹脂層を形成することができる。また、シート状の導電性樹脂上に載置した絶縁性樹脂が、加圧に対して導電性樹脂よりも変形量が大きいので、集合基板に圧力を加え絶縁性樹脂が切り込み部へ侵入する際に、導電性樹脂を切り込み部の深さ方向へ押し込むので、切り込み部に導電性樹脂を充分に充填するための時間を短くすることができる。さらに、シールド層及び絶縁性樹脂層の薄膜化を図ることができ、ボイドの混入を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。加えて、シート状の導電性樹脂及びシート状の絶縁性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止した封止樹脂の天面に薄膜のシールド層及び絶縁性樹脂層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。
本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュール１は、一例として１０．０ｍｍ×１０．０ｍｍ×１．２ｍｍの直方体形状をしており、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂等からなる回路基板１１と、回路基板１１の上面に載置されている半導体素子、コンデンサ、抵抗、ＳＡＷフィルタ等の電子部品１２、１３とを備えている。
回路基板１１は、例えば上面が長方形である厚さ略０．５ｍｍの樹脂基板である。回路基板１１の上面には、電子部品１２、１３との接合パッド（電極パッド）を兼ねた信号パターン（図示せず）を備え、回路基板１１の側方から露出している接地用電極２１が設けてある。回路基板１１の信号パターンと各半導体素子、コンデンサ、抵抗等の電子部品１２、１３の端子とは、ボンディングワイヤ、ハンダ等により接続されている。
回路基板１１及び電子部品１２、１３を覆うように回路基板１１の上面に封止樹脂層１４が形成されている。封止樹脂層１４の天面及び側面には、電子部品１２、１３を電界ノイズ及び電磁波ノイズからシールドするシールド層１５が形成されている。シールド層１５は、回路基板１１に設けた接地用電極２１と電気的に接続している。さらに、シールド層１５の表面には、シールド層１５を物理的・化学的に保護する絶縁性樹脂層１６が形成されている。
図２乃至図４は、本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図２（ａ）は回路基板１１に封止樹脂層１４が形成された状態を、図２（ｂ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７、１７、・・・が形成された状態を、図２（ｃ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、それぞれ示している。図３（ｄ）はシート状の絶縁性樹脂１９が載置された状態を、図３（ｅ）は気体遮断性を有する袋２０に集合基板１０を入れて減圧して密封した状態を、図４（ｆ）は袋２０内の集合基板１０に圧力を加えた状態を、図４（ｇ）は圧力を加えた集合基板１０を電子部品モジュール１に個片化した状態を、それぞれ示している。
まず、図２（ａ）に示すように、複数の電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が載置されている回路基板１１を複数切り出すことが可能な集合基板１０の上部を覆うように、樹脂による封止樹脂層１４を形成する。封止樹脂層１４は、エポキシ樹脂等の液状の樹脂を、ディスペンサー塗布する、真空印刷塗布する、又はトランスファ成型方法等を用いることにより、一括して樹脂封止する。回路基板１１及び電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が封止されることにより、絶縁層が形成される。
次に、図２（ｂ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の内部であって接地用電極２１が露出する深さまで溝状の切り込み部１７、１７、・・・をブレード等を用いて除去形成する。切り込み部１７、１７、・・・は例えば幅０．３ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。切り込み部１７は、切り込み部の側面１７ａ、切り込み部の開口部１７ｂ、切り込み部の底面１７ｃを有する。切り込み部１７、１７、・・・を形成することにより、接地用電極２１を切り込み部の側面１７ａに確実に露出させることができ、後の工程にて導電性樹脂１８と電気的に接続することができる。なお、切り込み部１７、１７、・・・は、封止樹脂層１４の天面から回路基板１１の内部であって接地用電極２１が露出する深さまで切りしろを残して形成される場合に限定されるものではなく、封止樹脂層１４の天面から回路基板１１の底面まで形成しても良い。
次に、図２（ｃ）に示すように、切り込み部の開口部１７ｂ、１７ｂ、・・・及び封止樹脂層１４の天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。シート状の導電性樹脂１８は、通常状態（常温等）で粘着性がなく乾いた状態であり、取り扱いが容易で、後の工程にて封止樹脂層１４の天面及び側面に薄膜のシールド層１５を容易に形成することができる。例えば、シート状の導電性樹脂１８の膜厚は６５μｍである。
シート状の導電性樹脂１８に含まれる導電性成分（フィラー）は、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等であり、導電性成分を含有する樹脂（バインダー）としては、例えばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂（以上は熱硬化性樹脂）、ポリオレフィン系樹脂（熱可塑性樹脂）等、加熱により、所定の温度範囲で軟化する樹脂である。以下、熱硬化性樹脂を例に説明する。
次に、図３（ｄ）に示すように、シート状の導電性樹脂１８の表面を覆うようにシート状の絶縁性樹脂１９を載置する。シート状の絶縁性樹脂１９は、所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量が大きく、後の工程にてシールド層１５の表面に薄膜の絶縁性樹脂層１６を容易に形成することができる。絶縁性樹脂１９としては、例えばエポキシ系樹脂である。
次に、図３（ｅ）に示すように、気体遮断性を有する袋２０にシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０を入れ、減圧パック装置（図示せず）を用いて、袋２０内を減圧し、集合基板１０を袋２０内に密封する。また減圧パック装置は、例えば気体遮断性を有する袋内を減圧して密封（減圧パック）することができれば特に限定されない。袋２０内の真空度は、例えば１００Ｐａ（０．８Ｔｏｒｒ）程度である。なお、袋２０内の真空度が高いと、減圧に時間がかかるため、５０〜５００Ｐａ（０．４〜４Ｔｏｒｒ）程度が望ましい。
次に、図４（ｆ）に示すように袋の外部が大気開放状態であるので、気体遮断性を有する袋２０内で減圧パックされた集合基板１０には、樹脂封止された集合基板１０の形状に沿って均等に外圧（減圧した袋２０内の圧力と大気圧の差）がかかり、集合基板１０が均等に加圧されることになる。そして、袋２０内の集合基板１０は、気体遮断性を有する袋２０によって減圧した状態が保たれるので、袋２０から取り出されるまで長時間加圧されることになり、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を長時間変形又は流動させることができる。長時間の変形又は流動により、切り込み部１７（１７ａ）、１７（１７ａ）、・・・に導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を充分に充填することができ、集合基板１０の少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９で被覆する。
特に、絶縁性樹脂１９は、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量が大きいため、集合基板１０に圧力を加え絶縁性樹脂１９が切り込み部１７、１７、・・・へ侵入する際に、導電性樹脂１８を切り込み部１７、１７、・・・の深さ方向へ押し込むので、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充分に充填するための時間を短くすることができる。
なお、袋２０内で減圧パックされた集合基板１０を、オーブン等を用いて加熱する。集合基板１０を加熱することで、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が軟化し、流動性が向上する。集合基板１０を加熱する温度は、例えば１００℃程度である。なお、導電性樹脂１８や絶縁性樹脂１９に用いる樹脂によるが、８０〜１２０℃程度が望ましい。
次に、電子部品モジュール１をオーブン等で加熱し、天面及び側面に載置した導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を硬化させる。導電性樹脂１８が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５が形成される。シート状の導電性樹脂１８が熱硬化性樹脂の場合、ヒータプレス装置の加圧時間を長くすることで、加圧中に熱硬化を終了させることができる。また、ヒータプレス装置の加圧時間を短くして仮硬化し、取り出してオーブン等で加熱して本硬化させても良い。一方、シート状の導電性樹脂１８が熱可塑性樹脂の場合はヒータプレス装置の加圧で貼り付け、ヒータプレス装置から取り出して冷却、もしくはヒータプレス装置自体を冷却して硬化させても良い。
最後に、図４（ｇ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成された集合基板１０を切り込み部１７（１７ａ）、１７（１７ａ）、・・・にて切断する。集合基板１０は、切断されて電子部品モジュール１に個片化される。なお、切り込み部１７、１７、・・・が形成された回路基板１１に、底面側から回路基板１１の内部であって切り込み部１７、１７、・・・に到達しない深さのブレイク用切り込み部（図示せず）を設けておいても良い。
以上のように本実施の形態１によれば、気体遮断性を有する袋２０を用いて、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部１７、１７、・・・にも充分に導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を充填することができ、電子部品モジュール１の天面だけでなく少なくとも側面の一部にもシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６を形成することができる。また、絶縁性樹脂１９は、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量が大きいので、集合基板１０に圧力を加え絶縁性樹脂１９が切り込み部１７、１７、・・・へ侵入する際に、導電性樹脂１８を切り込み部１７、１７、・・・の深さ方向へ押し込むので、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充分に充填することができ、確実に電子部品１２、１３をシールドすることが可能となる。また、充填するための時間を短くすることができる。
さらに、電子部品モジュール１の天面及び側面を被覆するシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。さらにまた、シート状の絶縁性樹脂１９は、シート状の導電性樹脂１８から剥離や除去をする必要がなく、絶縁性樹脂層１６は、シールド層１５の表面に形成されるので、シールド層１５を物理的・化学的に保護することができ、電子部品モジュール１を吸着したり、電子部品モジュール１に印字したりすることが容易になる。
加えて、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止樹脂層１４の天面に薄膜のシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６を容易に形成することができる。また、シールド層１５及び絶縁性樹脂層１６の薄膜化、均一化を図ることができ、電子部品モジュール１を低背化することが可能となる。また、集合基板１０の内部に設けてある接地用電極２１に到達する切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８が侵入し、電子部品モジュール１の側面にシールド層１５が形成され、形成されたシールド層１５は接地用電極２１と接触して電気的に接続することで、電子部品モジュール１当たりの回路基板１１の面積を小さくすることが可能であり、低背化とともに電子部品モジュール１を小型化することが可能となる。
また、減圧パック装置により、集合基板１０を入れた袋２０の内部を減圧して密封し、袋２０の内外の圧力差を利用して集合基板１０に圧力を加えるので、集合基板１０の形状に沿って均等に外圧がかかり、均等に加圧することができ、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）等の脆い回路基板１１に対して加圧した場合に生じるクラック等の破損を防止することができる。さらに、集合基板１０を入れた袋２０の内部を減圧して密封した後に加圧が行われるので、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充填する際に、切り込み部１７、１７、・・・の内部に気泡が残存する状態、ボイドの混入を未然に防止することができる。また、気体遮断性を有する袋２０を用いて減圧するため、集合基板１０を長時間加圧することが可能になるとともに、集合基板１０が大型化しても袋２０のサイズを大きくすれば対応が可能で、大型の真空チャンバー等を必要とせず安価に製造することが可能になる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュール１の構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
図５及び図６は、本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図５（ａ）は集合基板１０を入れた袋２０内を減圧している状態を、図５（ｂ）は減圧、加熱した状態で袋２０の開口部を加熱シールしている状態を、図６（ｃ）は減圧パック装置内を大気開放している状態を、それぞれ示している。
図５（ａ）に示すように、減圧パック装置を用いて、袋２０内を減圧しつつ、集合基板１０をヒータステージを用いて加熱する（減圧しながら加熱、又は加熱しながら減圧）。減圧しつつ集合基板１０を加熱することにより、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９に含まれる溶剤成分を揮発蒸散させることができ、ボイドの混入を未然に防止することができる。例えばシート状の導電性樹脂１８にシクロヘキサノン（大気圧での沸点は１５５℃）を０．１ｗｔ％含む場合、袋２０を減圧して加熱することなく密封し、その後に硬化するために加熱（例えば１７０℃）したときには、硬化の過程でシクロヘキサノンが揮発蒸散することによりボイドが発生する。
これに対して、減圧パック装置で減圧しつつ導電性樹脂１８の硬化温度以下の比較的低温（例えば１２０℃）で加熱した場合、樹脂の硬化を進行させることなく、減圧により真空度が低くなり沸点が１５５℃より低下しているシクロヘキサノンを揮発蒸散させることができ、ボイドの混入を未然に防止することが可能となる。また、加熱することにより、導電性樹脂および絶縁性樹脂が軟化するため、切り込み部１７、１７、・・・へ効果的に充填することができる。
同様に、封止樹脂層１４、回路基板１１、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・、絶縁性樹脂１９に発生するガス等は減圧パック装置により減圧することにより導電性樹脂１８等の外に排出することができるので、ボイドの混入を未然に防止することができる。
図５（ｂ）に示すように、減圧した袋２０の開口部を加熱シール装置で加熱することで、袋２０の内側の樹脂を溶着して、集合基板１０を袋２０内に密封する。また減圧パック装置は、例えば気体遮断性を有する袋内を減圧して密封（減圧パック）することができれば特に限定されない。
次に、図６（ｃ）に示すように、袋２０を密封した後、減圧パック装置内を大気開放することにより、気体遮断性を有する袋２０内で減圧された集合基板１０には、樹脂封止された集合基板１０の形状に沿って均等に外圧がかかり、集合基板１０が均等に加圧される。以降の処理は、実施の形態１で説明した処理と同じであるため、詳細な説明は省略する。
以上のように本実施の形態２によれば、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０を気体遮断性を有する袋２０に入れ、減圧パック装置により、集合基板１０を入れた袋２０内を減圧しつつ、袋２０内の集合基板１０を加熱することにより、切り込み部１７、１７、・・・の一部に充填された導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９に含まれる溶剤成分を大気圧下より多く揮発蒸散させることができ、ボイドの混入を未然に防止することができる。また、加熱することにより、導電性樹脂及び絶縁性樹脂が軟化するため、切り込み部１７、１７、・・・へ効果的に充填することができる。なお、減圧によって袋２０内が真空状態になるまでは、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９は封止樹脂層１４の天面に完全には圧着されていないので、切り込み部１７、１７、・・・の一部に充填されるシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９に含まれる溶剤成分は、封止樹脂層１４とシート状の導電性樹脂１８との間及び絶縁性樹脂１９の表面から容易に揮発蒸散することができる。
また、袋２０の内部を減圧する時には、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９を加圧しないので、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９に含まれる溶剤成分が、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９の表面から容易に揮発蒸散することができる。さらに、シート状の導電性樹脂１８上に載置した絶縁性樹脂１９が、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量が大きいので、集合基板１０に圧力を加え絶縁性樹脂１９が切り込み部１７、１７、・・・へ侵入する際に、導電性樹脂１８を切り込み部１７、１７、・・・の深さ方向へ押し込むので、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充分に充填するための時間を短くすることができる。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュールの構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
図７は、本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図７（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７、１７、・・・が形成された状態を、図７（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された状態を、図７（ｃ）は減圧加圧オーブン装置２２にて減圧した袋２０内の集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図７（ｄ）は集合基板１０への加圧及び加熱により切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が充分に充填された状態を、それぞれ示している。なお、図７（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ｂ）及び図３（ｄ）と同様である。
実施の形態１と同様にして、集合基板１０の上部を覆うように、樹脂による封止樹脂層１４を形成することにより、絶縁層が形成される。そして、図７（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の内部であって接地用電極２１が露出する深さまで溝状の切り込み部１７、１７、・・・をブレード等を用いて除去形成する。切り込み部１７、１７、・・・は、例えば幅０．３ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。切り込み部１７は、切り込み部の側面１７ａ、切り込み部の開口部１７ｂ、切り込み部の底面１７ｃを有する。次に、図７（ｂ）に示すように、切り込み部の開口部１７ｂ、１７ｂ、・・・及び封止樹脂層１４の天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９を載置する。なお、シート状の絶縁性樹脂１９は、シート状の導電性樹脂１８上に載置している。
次に、図７（ｃ）に示すように、気体遮断性を有する袋２０内で減圧パックされた集合基板１０に対し、袋の外部を大気開放状態とすることにより加圧し、その後、減圧加圧オーブン装置２２を用いて、さらに圧力及び熱を加える。減圧加圧オーブン装置２２は、オートクレーブ等、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置である。装置の密閉された槽内に充填される流体は、空気、水等である。例えば、オートクレーブにより、空気を用いてシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９の硬化温度以下（例えば、１００℃）にて圧力０．５ＭＰａ程度（０．３〜１．０ＭＰａ程度が望ましい）で加圧する。なお、流体に水を用いる場合、空気等を用いる装置よりも複雑な構成を要するが、空気等より安定して加圧することが可能となる。
減圧加圧オーブン装置２２を用いて、袋２０内のシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０にさらに圧力及び熱を加えることにより、例えば装置の槽内に充填された空気が３次元の全方向から集合基板１０に均等に圧力をさらに加えることができるので、側面から圧が逃れることなく、適切に加圧することができる。また、３次元の全方向から圧力を加えるので、所定の方向に偏って圧力が加えられることがなく、均等に加圧することができる。例えば、集合基板１０上での電極の段差等が原因で、鉛直方向（一軸方向）にのみ圧力を加える場合に集合基板１０に生じる反り、割れ等を防ぐことができる。
次に、図７（ｄ）に示すように、集合基板１０に減圧加圧オーブン装置２２を用いてさらに圧力とともに熱を加えることにより、切り込み部の開口部１７ｂ、１７ｂ、・・・及び封止樹脂層１４の天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７、１７、・・・に侵入する。切り込み部１７、１７、・・・に侵入した導電性樹脂１８は接地用電極２１と接触して電気的に接続する。切り込み部の側面１７ａ、１７ａ・・・、切り込み部の底面１７ｃ、１７ｃ・・・及び封止樹脂層１４の天面上では、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が薄膜状態となる。
導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が薄膜状態となった後、集合基板１０は減圧加圧オーブン装置２２により熱が加えられ、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が硬化する。導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成される。
硬化後は、実施の形態１と同様にして図４（ｇ）に示したように、ダイサー等を用いてシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成された集合基板１０を切り込み部１７、１７、・・・にて切断し、電子部品モジュール１、１、・・・に個片化する。なお、回路基板１１にブレイク用切り込み部（図示せず）が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を切断しても良い。
以上のように本実施の形態３によれば、気体遮断性を有する袋２０内で減圧パックされた集合基板１０に対して、減圧加圧オーブン装置２２を用いて、集合基板１０にさらに圧力及び熱を加えることにより、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充分に充填するための時間を短くすることができる。また、シールド層１５及び絶縁性樹脂層１６の薄膜化を図ることができ、ボイドの混入を未然に防止することができる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
図８は、本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図８（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７、１７、・・・が形成された状態を、図８（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された状態を、図８（ｃ）はヒータプレス装置２３を用いて樹脂封止された集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図８（ｄ）はシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成された集合基板１０を切断した状態を、それぞれ示している。なお、図８（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ｂ）及び図３（ｄ）と同様である。
実施の形態１と同様にして、集合基板１０の上部を覆うように、樹脂による封止樹脂層１４を形成することにより、絶縁層が形成される。そして、図８（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の内部であって接地用電極２１が露出する深さまで溝状の切り込み部１７、１７、・・・をブレード等を用いて除去形成する。切り込み部１７、１７、・・・は例えば幅０．３ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。切り込み部１７は、切り込み部の側面１７ａ、切り込み部の開口部１７ｂ、切り込み部の底面１７ｃを有する。次に、図８（ｂ）に示すように、切り込み部の開口部１７ｂ、１７ｂ、・・・及び封止樹脂層１４の天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９を載置する。なお、シート状の絶縁性樹脂１９は、シート状の導電性樹脂１８上に載置している。
次に、図８（ｃ）に示すように、ヒータプレス装置２３を用いてシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。図８（ｃ）では底面側を図示していないが、ヒータプレス装置２３は、集合基板１０の天面側及び底面側から集合基板１０を挟んで鉛直方向に集合基板１０に圧力（例えば、１〜５ＭＰａ程度）を加える。そして、圧力とともに熱（例えば、８０〜１２０℃程度）を加えることにより、切り込み部の開口部１７ｂ、１７ｂ、・・・及び封止樹脂層１４の天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７、１７、・・・に侵入する。切り込み部１７、１７、・・・に侵入した導電性樹脂１８は接地用電極２１と接触して電気的に接続する。切り込み部の側面１７ａ、１７ａ・・・、切り込み部の底面１７ｃ、１７ｃ・・・及び封止樹脂層１４の天面上では、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が薄膜状態となる。
導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が薄膜状態となった後、集合基板１０をオーブン等で加熱し、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を硬化させる。導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成される。シート状の導電性樹脂１８が熱硬化性樹脂の場合、ヒータプレス装置２３の加圧時間を長くすることで、加圧中に熱硬化を終了させることができる。また、ヒータプレス装置２３の加圧時間を短くして仮硬化し、取り出してオーブン等で加熱して本硬化させても良い。一方、シート状の導電性樹脂１８が熱可塑性樹脂の場合はヒータプレス装置２３の加圧で貼り付け、ヒータプレス装置から取り出して冷却、もしくはヒータプレス装置２３自体を冷却して硬化させても良い。
硬化後に、図８（ｄ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成された集合基板１０を切り込み部１７（１７ａ）、１７（１７ａ）、・・・にて切断する。集合基板１０は、切断されて電子部品モジュール１に個片化される。なお、切り込み部１７、１７、・・・が形成された回路基板１１にも、底面側から回路基板１１の内部であって切り込み部１７、１７、・・・に到達しない深さのブレイク用切り込み部（図示せず）を設けておいても良い。
以上のように本実施の形態４によれば、ヒータプレス装置２３を用いて、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部１７、１７、・・・にも導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を充分に充填することができ、電子部品モジュール１の天面だけでなく側面にもシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６を形成することができる。また、本実施の形態４によれば、シート状の導電性樹脂１８上に載置したシート状の絶縁性樹脂１９が、加圧に対して導電性樹脂１８よりも変形量が大きいので、集合基板１０に圧力を加え絶縁性樹脂１９が切り込み部１７、１７、・・・へ侵入する際に、導電性樹脂１８を切り込み部１７、１７、・・・の深さ方向へ押し込むので、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充分に充填するための時間を短くすることができる。
さらに、ヒータプレス装置２３を用いて、シート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えることにより、天面に形成されるシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６の膜厚を制御することが容易となり、各電子部品モジュール１の高さのバラツキを抑えることができる。
また、真空チャンバー（図示せず）を有するヒータプレス装置を用いて真空環境下でシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えても良い。真空チャンバーを有するヒータプレス装置を用いた場合、切り込み部１７、１７、・・・に導電性樹脂１８を充分に充填するための時間をより短くすることができるとともに、より深い切り込み部に対しても導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を充分に充填することが可能になる。さらにまた、切り込み部１７、１７、・・・の切り込み幅を狭くしてもシールド層及び絶縁性樹脂層を薄膜化することができるので、集合基板１０から切り出す電子部品モジュール１の数を多くすることができ、製造コストを抑制することも可能となる。
（実施の形態５）
図９は、本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュール１０１は、電子部品１２上に導電性ポスト３１を備えている点以外は、実施の形態１乃至４の電子部品モジュール１と同様の構成である。同一の構成は、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。なお、図９の例では、導電性ポスト３１を電子部品１２上に備えているが、電子部品１３上に備えても良いし、電子部品１２、１３の双方、又は回路基板１１に備えても良い。導電性ポスト３１は、１つの電子部品モジュール１０１に少なくとも１つ形成されていれば良い。
導電性ポスト３１は、その上面を含む上部を封止樹脂層１４の天面から露出させて、電子部品１２とシールド層１５とを電気的に接続している。電子部品１２は外部電極３２を有し、外部電極３２は、ハンダ等を介して回路基板１１に設けられた接合パッド（電極パッド）３４に電気的に接続される。また、電子部品１２が接続された接合パッド３４は、ビアホールなどにより回路基板１１の内部に設けられた接地用電極２１に接続されている。さらに、外部電極３２は接合パッド３４との接続面とは反対側で導電性ポスト３１に接続されている。したがって、シールド層１５は電子部品１２に接続されている接合パッド３３と導電性ポスト３１とを介して、接地用電極２１と電気的に接続されている。
シールド層１５は、電子部品モジュール１０１の側面の下部を除いて封止樹脂層１４の表面に形成されている。電子部品モジュール１０１の側面の一部でもシールド層１５が形成されていることにより、封止樹脂層１４の天面のみにシールド層１５が形成されている場合と比較して、シールド効果を充分に高めることができる。もちろんシールド層１５は、実施の形態１乃至４と同様に、電子部品モジュール１０１の側面すべてに形成しても良い。さらに、シールド層１５の表面には、シールド層１５を物理的・化学的に保護する絶縁性樹脂層１６が形成されている。
図１０は、本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュール１０１の製造方法を説明するための断面図である。図１０（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７、１７、・・・が形成された状態を、図１０（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された状態を、図１０（ｃ）はヒータプレス装置２３にて樹脂封止された集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図１０（ｄ）はシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成された集合基板１０を切断した状態を、それぞれ示している。
まず、電子部品１２、１２、・・・上に導電性ポスト３１、３１、・・・を形成する。導電性ポスト３１、３１、・・・は、硬化性を有する導電性溶液の吐出及び固化を繰り返すことにより形成する。例えば、硬化性を有する導電性溶液として、導電性粉末を溶剤に分散した導電性溶液を用い、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等によって導電性ポスト３１、３１、・・・を形成する。具体的には、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等に用いるノズルの吐出口から、導電性溶液を複数回吐出し、導電性粉末を堆積させて固化することにより、所定の高さの導電性ポスト３１、３１、・・・を形成する。
また、導電性ペーストのような熱硬化性を有する導電性材料を、スクリーン印刷法等で所定箇所に複数回塗り重ねて固化することにより、導電性ポスト３１、３１、・・・を形成しても良い。導電性ペーストとしては、銀ナノペースト、銅ナノペースト等を用いる。上述した導電性溶液においても、同様のナノオーダーの銀、銅等の導電性粉末を用いても良い。
導電性ポスト３１は、塗り重ねた導電性材料を所定温度で焼成して得られた焼結金属であることが好ましい。焼結金属は強度が高く、封止樹脂層１４の硬化時の熱に対して変形し難いので、封止樹脂層１４形成時等に導電性ポスト３１の破損を抑制することができる。また、導電性ポスト３１は、電子部品１２側から天面側へ向かうにつれて、次第に断面が小さくなる形状にて形成されることが好ましい。次第に断面が小さくなる形状、いわゆるテーパ形状を有することにより、封止樹脂層１４形成時等に導電性ポスト３１を破損することなく、均一かつ平坦に封止樹脂層１４を設けることできる。
後の工程でシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９を載置する場合に、導電性ポスト３１に上方から圧力が加えられるが、テーパ形状の導電性ポスト３１は上方からの圧力に対して耐圧性が高く、上方からの圧力によって折れて破損するようなことがない。また、シート状の導電性樹脂１８は、封止樹脂層１４の天面から露出した導電性ポスト３１の上面を覆うように載置されるので、露出した導電性ポスト３１の断面が大きい場合、載置したシート状の導電性樹脂１８が導電性ポスト３１の上部で凸状になり易いが、露出した導電性ポスト３１の断面が小さい場合には、凸状になり難く平坦に導電性樹脂１８を載置することができる。
次に、導電性ポスト３１、３１、・・・の上面を露出させ、かつ複数の電子部品モジュール１０１、１０１、・・・が形成された集合基板１０の上部を覆うように、樹脂による封止樹脂層１４を形成する。封止樹脂層１４は、エポキシ樹脂等の液状の樹脂を、ディスペンサー塗布する、真空印刷塗布する、シート状の樹脂をプレス装置等で圧着する、又はトランスファ成型方法等を用いることにより、一括して樹脂封止する。回路基板１１及び電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が封止されることにより、絶縁層が形成される。その際、封止樹脂層１４は導電性ポスト３１、３１、・・・の上面が露出する厚みまで形成する。
なお、導電性ポスト３１の上面が確実に封止樹脂層１４から露出するように、封止樹脂層１４を研磨するようにしても良い。例えば、導電性ポスト３１の高さ、厳密には電子部品１２の高さに導電性ポスト３１の高さを加えた高さより、封止樹脂層１４を厚く形成しておく。その後、形成した封止樹脂層１４の所定の厚み分を、研磨ロール等で研磨することにより、導電性ポスト３１の上面を封止樹脂層１４の天面に確実かつ容易に露出させることができる。同時に、封止樹脂層１４の表面を平坦化することも可能である。
次に、図１０（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１０１として切り出す境界部分において、回路基板１１に到達する手前の深さまで溝状の切り込み部１７、１７、・・・をブレード等を用いて除去形成する。切り込み部１７、１７、・・・は、例えば幅０．３ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。切り込み部１７は、切り込み部の側面１７ａ、切り込み部の開口部１７ｂ、切り込み部の底面１７ｃを有する。切り込み部１７、１７、・・・は、実施の形態１乃至４と同様に、回路基板１１の内部であって接地用電極２１が露出する深さまで形成しても良い。本実施の形態５では、導電性ポスト３１、３１、・・・を介して、シールド層１５と電子部品１２、１２、・・・に接続されている接合パッド３３とが電気的に接続されるため、切り込み部の側面１７ａ、１７ａ、・・・で導電性樹脂１８と接地用電極２１とが電気的に接続しなくても良い。
次に、実施の形態１と同様にして図１０（ｂ）に示すように、切り込み部の開口部１７ｂ、１７ｂ、・・・及び導電性ポスト３１、３１、・・・の上面を含む封止樹脂層１４の天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９を載置する。導電性ポスト３１、３１、・・・は、上面が封止樹脂層１４から露出しているので、シート状の導電性樹脂１８と接触する。なお、シート状の絶縁性樹脂１９は、シート状の導電性樹脂１８上に載置している。
次に、実施の形態４と同様にして図１０（ｃ）に示すように、ヒータプレス装置２３を用いてシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。圧力とともに熱を加えることにより、載置されたシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７、１７、・・・に侵入する。切り込み部の側面１７ａ、１７ａ・・・、切り込み部の底面１７ｃ、１７ｃ・・・及び導電性ポスト３１の上面を含む封止樹脂層１４の天面上では、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が薄膜状態となる。なお、切り込み部１７、１７、・・・は回路基板１１に到達する手前の深さまで形成されているため、切り込み部１７、１７、・・・に侵入した導電性樹脂１８は接地用電極２１とは接触せず、電気的に接続しない。
導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が薄膜状態となった後、集合基板１０をオーブン等で加熱し、導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成される。シート状の導電性樹脂１８が熱硬化性樹脂の場合、ヒータプレス装置２３の加圧時間を長くすることで、加圧中に熱硬化を終了させることができる。また、ヒータプレス装置２３の加圧時間を短くして仮硬化し、取り出してオーブン等で加熱して本硬化させても良い。一方、シート状の導電性樹脂１８が熱可塑性樹脂の場合はヒータプレス装置２３の加圧で貼り付け、ヒータプレス装置から取り出して冷却、もしくはヒータプレス装置２３自体を冷却して硬化させても良い。
硬化後に、実施の形態１と同様にして図１０（ｄ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６が形成された集合基板１０を切り込み部１７（１７ａ）、１７（１７ａ）、・・・にて切断する。回路基板１１にブレイク用切り込み部（図示せず）が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を切断しても良い。集合基板１０は、切断されて電子部品モジュール１０１に個片化される。なお、シールド層１５は、電子部品モジュール１０１の側面すべてではなく、側面の下部を除く側面の一部に形成され、シールド層１５は接地用電極２１とは接触せず、電気的に接続しないが、導電性ポスト３１、３１、・・・を介して、シールド層１５と電子部品１２、１２、・・・に接続されている接合パッド３３とが電気的に接続される。
以上のように本実施の形態５によれば、ヒータプレス装置２３を用いてシート状の導電性樹脂１８及びシート状の絶縁性樹脂１９が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部１７、１７、・・・にも導電性樹脂１８及び絶縁性樹脂１９を充分に充填することができ、電子部品モジュール１０１の天面だけでなく側面の一部にもシールド層１５及び絶縁性樹脂層１６を形成することができる。また、電子部品１２上に導電性ポスト３１を形成することにより、切り込み部１７、１７、・・・に侵入した導電性樹脂１８と接地用電極２１とを接触させず、電気的に接続しなくても、電子部品１２に接続されている接合パッド３３と導電性ポスト３１とを介して接地用電極２１と電気的に接続することができる。
なお、図９に示した本実施の形態５に係る電子部品モジュール１０１は、図１０（ａ）に示したように導電性ポスト３１、封止樹脂層１４及び切り込み部１７を形成した後はヒータプレス装置２３を用いて実施の形態４と同様に製造しているが、実施の形態１乃至３と同様に製造することもできる。気体遮断性を有する袋２０及び減圧パック装置を用いる場合、実施の形態１、２と同様にして電子部品モジュール１０１を製造することができ、実施の形態１，２と同様の効果を奏することができる。また、減圧加圧オーブン装置２２を用いる場合、実施の形態３と同様にして電子部品モジュール１０１を製造することができ、実施の形態３と同様の効果を奏することができる。
１、１０１ 電子部品モジュール
１１ 回路基板
１２、１３ 電子部品
１４ 封止樹脂層
１５ シールド層
１６ 絶縁性樹脂層
１７ 切り込み部
１８ 導電性樹脂
１９ 絶縁性樹脂
２０ 気体遮断性を有する袋
２１ 接地用電極
２２ 減圧加圧オーブン装置
２３ ヒータプレス装置

Claims (9)

  1. 複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板を封止樹脂にて封止する第１工程と、
    前記電子部品モジュールの境界部分にて、封止した封止樹脂の天面から、前記集合基板に向かって所定の深さを有する切り込み部を形成する第２工程と、
    前記切り込み部の開口部及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂を載置する第３工程と、
    所定の温度範囲で軟化し、加圧に対して前記導電性樹脂よりも変形量の大きいシート状の絶縁性樹脂を、前記導電性樹脂上に載置する第４工程と、
    前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記集合基板の少なくとも側面の一部及び天面を前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂で被覆する第５工程と、
    被覆された前記集合基板を分離して、それぞれの電子部品モジュールに個片化する第６工程と
    を含むことを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
  2. 前記第２工程において形成する前記切り込み部は、封止した封止樹脂の天面から、前記集合基板の内部まで形成することを特徴とする請求項１に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  3. 前記第５工程は、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋の内部を減圧して密封し、減圧した前記袋内の前記集合基板に対し前記袋の外部から大気開放による圧力を加え、さらに熱を加えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  4. 前記第５工程は、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋を開けた状態で加熱及び減圧し、加熱及び減圧しながら前記袋を密封した後、減圧した前記袋内の前記集合基板に対し前記袋の外部から大気開放による圧力を加え、さらに熱を加えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  5. 前記第５工程は、大気開放による圧力を加えた後、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、前記槽内に載置した前記袋内の前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする請求項３又は４に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  6. 前記第５工程は、集合基板の天面側及び底面側から集合基板を挟んで圧力を加えるヒータプレス装置により、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  7. 前記ヒータプレス装置は、真空チャンバーを有し、真空環境下で前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする請求項６に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  8. 前記集合基板の表面に配設してある電極パッドと接続するように前記集合基板上又は前記電子部品上に導電性ポストを形成し、
    該導電性ポストの上面を露出させ、かつ前記電子部品モジュールを覆うように、前記集合基板を封止樹脂にて封止し、
    前記切り込み部の開口部及び前記導電性ポストの上面を含む天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂を載置した後、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記導電性樹脂及び前記絶縁性樹脂を前記切り込み部に充填し、かつ前記導電性ポストの上面と前記導電性樹脂とを接続させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法を用いて製造してあることを特徴とする電子部品モジュール。
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