JP2019164861A5 - - Google Patents

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第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。 第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。 第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式的斜視図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式的斜視図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図２に示すように、第１磁性部材１１は、第１方向に沿って延びる。第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
例えば、第１書き込み電流Ｉｗ１は、第１導電部分３１ａから第２導電部分３１ｂへの向きに流れて良い。または、第１書き込み電流Ｉｗ１は、第２導電部分３１ｂから第１導電部分３１ａへの向きに流れても良い。例えば、電流の向きにより、書き込まれる情報が変化する。
図９は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。
図１０は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
図１０は、図９のＡ３−Ａ４線断面図である。図９において、見やすさのために、絶縁部分の一部は、省略されている。
図１１は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１２及び図１３は、第３実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１２及び図１３において、見やすさのために、絶縁部分の一部は、省略されている。
図１４及び図１５は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。
図１４に示すように、磁気記憶装置１４１において、第１導電層３１は、ジグザグ状に延びる。例えば、第１磁性素子１１ｓから第２磁性素子１２ｓへの方向は、第３導電部分３１ｃから第４導電部分３１ｄへの方向と交差する。第１導電層３１からの作用が、効果的に第１磁性部材１１及び第２磁性部材１２に加わる。より、安定した動作が得られる。
図１６は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１６に示すように、本実施形態に係る磁気記憶装置２１１において、メモリアレイＭＭＬＡの周りに、駆動回路が設けられる。駆動回路は、例えば、ワード線デコーダＷＤＣ、ビット線デコーダＢＤＣ、シフトドライバＳＤＲＶ及びセンスアンプＳＡを含む。この例では、第１回路７７ａ（駆動回路ＦＬＤ１）、及び、第２回路７７ａ（駆動回路ＦＬＤ２）が設けられる。メモリアレイＭＭＬＡ及び駆動回路は、メモリユニットＭＵに含まれる。
図１７は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１７に示すように、本実施形態に係る磁気記憶装置２１２において、複数のメモリユニットＭＵ、周辺回路、及び、パッドが設けられる。複数のメモリユニットＭＵ、周辺回路、及び、パッドは、メモリチップＭＣに設けられる。
図１８は、第３実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１８に示すように、本実施形態に係る磁気記憶装置２１３において、複数のメモリチップＭＣが設けられる。複数のメモリチップＭＣは、メモリチップパッケージＭＣＰに含まれる。この例では、複数のメモリチップパッケージＭＣＰ、及び、メモリコントローラが設けられる。複数のメモリチップパッケージＭＣＰ、及び、メモリコントローラは、ＳＳＤ（Solid State Drive)に含まれる。
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