JP2019143179A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
その材質がCrである粉末と、その材質がTaである粉末とを混合し、混合粉末を得る工程、
及び
この混合粉末を、1000℃以上1350℃以下の温度下で加圧する工程
を含む。
試験片形状:2mm*2mm*20mm
支点間距離:10mm
試験片が折れた時の荷重(kN)が測定され、下記の数式によって抗折強さBS(MPa)が算出される。
BS = 3 / 2 × P × L / (t2* W)
t:試料の厚さ(mm)
W:試料の幅(mm)
L:支点間距離(mm)
P:破断時の荷重(kN)
線源:CuKα
2θ:20−80°
測定には、例えば、株式会社リガクの全自動多目的X線回折装置「SmartLab SE」が用いられる。このXRDによって得られた回折パターンから、上記比率Pxが算出される。
10at%のCr粉末と、90at%のTa粉末とを準備した。これらの粉末をV型混合機にて混合し、混合粉末を得た。直径が200mmであり、長さが10mmであり、材質が炭素鋼である缶に、混合粉末を充填した。この粉末に真空脱気を施したのち、HIPにてビレットを作成した。HIPの条件は、以下の通りである。
温度:1350℃
圧力:120MPa
保持時間:2時間
このビレットから、実施例1のスパッタリングターゲットを得た。このスパッタリングターゲットは、円盤形状を有する。このスパッタリングターゲットでは、直径は95mmであり、厚さは2mmであった。
組成及びHIPの温度を下記の表1に示される通りとした他は実施例1と同様にして、実施例2−12及び比較例1−2のスパッタリングターゲットを得た。
溶解法により、比較例3のスパッタリングターゲットを得た。
前述の方法により、各スパッタリングターゲットの抗折強さ、相対密度、XRDの強度比率Px及びCr2Ta相の厚みTaveを測定した。測定用の試験片は、上記ビレットから切り出した。
各ターゲットを用い、スパッタリングにて、ガラス基板上に密着層を成膜した。密着層の厚みは、20nmであった。スパッタリングの条件は、以下の通りであった。
チャンバー内雰囲気:1×10−4Pa以下に真空排気後、純度が99.99%のAr ガスを投入
チャンバー内圧:0.6Pa
スパッタリング後のターゲットの割れを、目視で確認した。この結果が、下記の表1に示されている。
4・・・Cr相
6・・・Ta相
8・・・Cr2Ta相
Claims (5)
- その材質がTa及びCrを含み残部が不可避的不純物である合金であり、
3点曲げ試験による抗折強さが400MPa以上であるスパッタリングターゲット。 - アルキメデス法によって測定された相対密度が97%以上である請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- Cr相、Ta相及びCr2Ta相を有する請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- XRDにおける、Ta(110)の強度に対するCr2Ta(220)の強度の比率Pxが、10%以下である請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
- 上記Cr相の表面に上記Cr2Ta相が存在しており、このCr2Ta相の厚みTaveが30μm以下である請求項3又は4に記載のスパッタリングターゲット。
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