JP2001131673A - 電子薄膜材料、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ - Google Patents
電子薄膜材料、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強誘電体キャパシタの拡散防止層材料して好
適な電子薄膜材料、この電子薄膜材料による拡散防止層
を有する強誘電体キャパシタおよび、この強誘電体キャ
パシタを備えた不揮発性メモリを提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−
Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴから
なる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこ
の順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。Ｃ
ｒ−Ｔａ膜２は、Ｃｒ９０原子％とＴａ１０原子％とか
らなる合金膜であり、スパッタにより成膜することがで
きる。強誘電体キャパシタ１０をＣｒ−Ｔａ膜２を設け
て構成することで、誘電体膜材料として、高温の熱処理
が必要なＰＺＴを用いることが可能となる。
適な電子薄膜材料、この電子薄膜材料による拡散防止層
を有する強誘電体キャパシタおよび、この強誘電体キャ
パシタを備えた不揮発性メモリを提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−
Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴから
なる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこ
の順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。Ｃ
ｒ−Ｔａ膜２は、Ｃｒ９０原子％とＴａ１０原子％とか
らなる合金膜であり、スパッタにより成膜することがで
きる。強誘電体キャパシタ１０をＣｒ−Ｔａ膜２を設け
て構成することで、誘電体膜材料として、高温の熱処理
が必要なＰＺＴを用いることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子薄膜材料、誘電
体キャパシタおよび不揮発性メモリに関する。
体キャパシタおよび不揮発性メモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体メモリは、強誘電体膜の高速な
分極反転とその残留分極とを利用する高速書き換え可能
な不揮発性メモリである。図６に、トランジスタとキャ
パシタとを横方向に配置した従来の強誘電体メモリの一
例を示す。
分極反転とその残留分極とを利用する高速書き換え可能
な不揮発性メモリである。図６に、トランジスタとキャ
パシタとを横方向に配置した従来の強誘電体メモリの一
例を示す。
【０００３】図６に示すように、この従来の強誘電体メ
モリにおいては、ｐ型Ｓｉ基板１０１の表面にフィール
ド絶縁膜１０２が選択的に設けられ、これによって素子
分離が行われている。このフィールド絶縁膜１０２に囲
まれた部分における活性領域の表面にはゲート絶縁膜１
０３が設けられている。符号ＷＬはワード線を示す。こ
のワード線ＷＬの両側の部分におけるｐ型Ｓｉ基板１０
１中にはｎ+ 型のソース領域１０４およびドレイン領域
１０５が設けられている。これらのワード線ＷＬ、ソー
ス領域１０４およびドレイン領域１０５によりトランジ
スタＱが構成されている。
モリにおいては、ｐ型Ｓｉ基板１０１の表面にフィール
ド絶縁膜１０２が選択的に設けられ、これによって素子
分離が行われている。このフィールド絶縁膜１０２に囲
まれた部分における活性領域の表面にはゲート絶縁膜１
０３が設けられている。符号ＷＬはワード線を示す。こ
のワード線ＷＬの両側の部分におけるｐ型Ｓｉ基板１０
１中にはｎ+ 型のソース領域１０４およびドレイン領域
１０５が設けられている。これらのワード線ＷＬ、ソー
ス領域１０４およびドレイン領域１０５によりトランジ
スタＱが構成されている。
【０００４】符号１０６は層間絶縁膜を示す。フィール
ド絶縁膜１０２の上方の部分における層間絶縁膜１０６
上には、接合層としての例えば膜厚３０ｎｍ程度のＴｉ
膜１０７を介して、下部電極としての例えば膜厚２００
ｎｍ程度のＰｔ膜１０８、例えば膜厚２００ｎｍ程度の
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）膜やＳｒＢｉ2 Ｔａ
2 Ｏ9 （ＳＢＴ）膜などの強誘電体膜１０９および上部
電極としての例えば膜厚２００ｎｍ程度のＰｔ膜１１０
が順次積層され、これらのＰｔ膜１０８、強誘電体膜１
０９およびＰｔ膜１１０によりキャパシタＣが構成され
ている。トランジスタＱとこのキャパシタＣとにより、
１個のメモリセルが構成されている。
ド絶縁膜１０２の上方の部分における層間絶縁膜１０６
上には、接合層としての例えば膜厚３０ｎｍ程度のＴｉ
膜１０７を介して、下部電極としての例えば膜厚２００
ｎｍ程度のＰｔ膜１０８、例えば膜厚２００ｎｍ程度の
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）膜やＳｒＢｉ2 Ｔａ
2 Ｏ9 （ＳＢＴ）膜などの強誘電体膜１０９および上部
電極としての例えば膜厚２００ｎｍ程度のＰｔ膜１１０
が順次積層され、これらのＰｔ膜１０８、強誘電体膜１
０９およびＰｔ膜１１０によりキャパシタＣが構成され
ている。トランジスタＱとこのキャパシタＣとにより、
１個のメモリセルが構成されている。
【０００５】符号１１１は層間絶縁膜を示す。ソース領
域１０４の上の部分における層間絶縁膜１０６および層
間絶縁膜１１１にはコンタクトホール１１２が設けられ
ている。また、Ｐｔ膜１０８の一端部の上の部分におけ
る層間絶縁膜１１１にはコンタクトホール１１３が設け
られている。さらに、Ｐｔ膜１１０の上の部分における
層間絶縁膜１１１にはコンタクトホール１１４が設けら
れている。そして、コンタクトホール１１２およびコン
タクトホール１１３を通じて、トランジスタＱのソース
領域１０４とキャパシタＣの下部電極であるＰｔ膜１０
８とが配線１１５により接続されている。また、コンタ
クトホール１１４を通じて、キャパシタＣの上部電極で
あるＰｔ膜１１０に配線１１６が接続されている。符号
１１７はパッシベーション膜を示す。
域１０４の上の部分における層間絶縁膜１０６および層
間絶縁膜１１１にはコンタクトホール１１２が設けられ
ている。また、Ｐｔ膜１０８の一端部の上の部分におけ
る層間絶縁膜１１１にはコンタクトホール１１３が設け
られている。さらに、Ｐｔ膜１１０の上の部分における
層間絶縁膜１１１にはコンタクトホール１１４が設けら
れている。そして、コンタクトホール１１２およびコン
タクトホール１１３を通じて、トランジスタＱのソース
領域１０４とキャパシタＣの下部電極であるＰｔ膜１０
８とが配線１１５により接続されている。また、コンタ
クトホール１１４を通じて、キャパシタＣの上部電極で
あるＰｔ膜１１０に配線１１６が接続されている。符号
１１７はパッシベーション膜を示す。
【０００６】この図６に示す従来の強誘電体メモリにお
いては、トランジスタＱとキャパシタＣとが横方向（基
板面に平行な方向）に並べて配置されているが、強誘電
体メモリの情報記録密度を増加させるためには、トラン
ジスタＱとキャパシタＣとを縦方向（基板面に垂直な方
向）に並べて配置した構造とする必要がある（スタック
型キャパシタ）。その一例を図７に示す。ここで、図７
においては、図６と同一の部分には同一の符号を付す。
いては、トランジスタＱとキャパシタＣとが横方向（基
板面に平行な方向）に並べて配置されているが、強誘電
体メモリの情報記録密度を増加させるためには、トラン
ジスタＱとキャパシタＣとを縦方向（基板面に垂直な方
向）に並べて配置した構造とする必要がある（スタック
型キャパシタ）。その一例を図７に示す。ここで、図７
においては、図６と同一の部分には同一の符号を付す。
【０００７】図７において、符号ＷＬ１〜ＷＬ４はワー
ド線、１１８は層間絶縁膜を示す。ドレイン領域１０５
の上の部分における層間絶縁膜１１８にはコンタクトホ
ール１１９が設けられ、このコンタクトホール１１９を
通じてビット線ＢＬがトランジスタＱのドレイン領域１
０５に接続されている。符号１２０，１２１は層間絶縁
膜を示す。ソース領域１０４の上の部分における層間絶
縁膜１２１にはコンタクトホール１２２が設けられ、こ
のコンタクトホール１２２内に多結晶Ｓｉプラグ１２３
が埋め込まれている。そして、この多結晶Ｓｉプラグ１
２３を介して、トランジスタＱのソース領域１０４とキ
ャパシタＣの下部電極であるＰｔ膜１０８とが電気的に
接続されている。
ド線、１１８は層間絶縁膜を示す。ドレイン領域１０５
の上の部分における層間絶縁膜１１８にはコンタクトホ
ール１１９が設けられ、このコンタクトホール１１９を
通じてビット線ＢＬがトランジスタＱのドレイン領域１
０５に接続されている。符号１２０，１２１は層間絶縁
膜を示す。ソース領域１０４の上の部分における層間絶
縁膜１２１にはコンタクトホール１２２が設けられ、こ
のコンタクトホール１２２内に多結晶Ｓｉプラグ１２３
が埋め込まれている。そして、この多結晶Ｓｉプラグ１
２３を介して、トランジスタＱのソース領域１０４とキ
ャパシタＣの下部電極であるＰｔ膜１０８とが電気的に
接続されている。
【０００８】さて、強誘電体膜１０９を形成する際には
通常、その結晶化のために５５０〜８００℃の高温にお
いて酸化雰囲気中で熱処理を行う必要があるが、このと
き、多結晶Ｓｉプラグ１２３のＳｉがキャパシタＣの下
部電極であるＰｔ膜１０８に熱拡散し、そのＳｉがＰｔ
膜１０８の上層で酸化されることによりこのＰｔ膜１０
８の導電性が失われたり、Ｓｉがさらに強誘電体膜１０
９に拡散し、キャパシタＣの特性が著しく劣化したりす
るという問題がある。
通常、その結晶化のために５５０〜８００℃の高温にお
いて酸化雰囲気中で熱処理を行う必要があるが、このと
き、多結晶Ｓｉプラグ１２３のＳｉがキャパシタＣの下
部電極であるＰｔ膜１０８に熱拡散し、そのＳｉがＰｔ
膜１０８の上層で酸化されることによりこのＰｔ膜１０
８の導電性が失われたり、Ｓｉがさらに強誘電体膜１０
９に拡散し、キャパシタＣの特性が著しく劣化したりす
るという問題がある。
【０００９】強誘電体膜１０９の材料がＰＺＴである場
合、その焼成温度は５５０〜６００℃程度であるため、
Ｓｉの拡散防止層（バリア層）としてＴｉＮなどの窒化
物系の膜を使用することができるとの報告がある（応用
物理学会講演予稿集、１９９６年秋、７ｐ−Ｆ−１０：
「強誘電体キャパシタ用バリア層ＴｉＮ膜の耐酸化性評
価」など）。しかしながら、窒化物系の膜は、高温、酸
化雰囲気中の熱処理で酸化され、導電性を失うことか
ら、強誘電体膜１０９の強誘電体特性をより改善するた
めに、熱処理の雰囲気に十分な酸素を導入し、より高温
で熱処理を施した場合には、酸化による表面荒れや電気
抵抗の上昇が見られる。また強誘電体は通常、大きな膜
ストレスを生じるが、窒化物系膜では膜密着性が十分で
はなく、膜剥がれが起きてしまうという問題がある。
合、その焼成温度は５５０〜６００℃程度であるため、
Ｓｉの拡散防止層（バリア層）としてＴｉＮなどの窒化
物系の膜を使用することができるとの報告がある（応用
物理学会講演予稿集、１９９６年秋、７ｐ−Ｆ−１０：
「強誘電体キャパシタ用バリア層ＴｉＮ膜の耐酸化性評
価」など）。しかしながら、窒化物系の膜は、高温、酸
化雰囲気中の熱処理で酸化され、導電性を失うことか
ら、強誘電体膜１０９の強誘電体特性をより改善するた
めに、熱処理の雰囲気に十分な酸素を導入し、より高温
で熱処理を施した場合には、酸化による表面荒れや電気
抵抗の上昇が見られる。また強誘電体は通常、大きな膜
ストレスを生じるが、窒化物系膜では膜密着性が十分で
はなく、膜剥がれが起きてしまうという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す従来の強誘
電体メモリのようにトランジスタＱとキャパシタＣとを
縦方向に並べて配置し、キャパシタＣの下部電極、すな
わちＰｔ膜１０８を多結晶Ｓｉプラグ１２３あるいはＷ
（タングステン）プラグによりトランジスタＱのソース
領域１０４と接続する場合、キャパシタＣの強誘電体膜
１０９の材料として、高温の熱処理が必要なＰＺＴなど
を用いることは困難であった。
電体メモリのようにトランジスタＱとキャパシタＣとを
縦方向に並べて配置し、キャパシタＣの下部電極、すな
わちＰｔ膜１０８を多結晶Ｓｉプラグ１２３あるいはＷ
（タングステン）プラグによりトランジスタＱのソース
領域１０４と接続する場合、キャパシタＣの強誘電体膜
１０９の材料として、高温の熱処理が必要なＰＺＴなど
を用いることは困難であった。
【００１１】したがって、本発明の目的は、高集積可能
なスタック型キャパシタを簡単な構成により提供するこ
とにある。すなわち本発明は、トランジスタと誘電体キ
ャパシタとを縦方向に並べて配置し、誘電体キャパシタ
の下部電極を多結晶ＳｉまたはＷからなるプラグにより
トランジスタの拡散層と接続する場合、そのプラグから
のＳｉまたはＷの下部電極への拡散を防止するための拡
散防止層、場合によっては下部電極の材料として用いて
好適な電子材料、上記拡散防止層を有することにより誘
電体キャパシタの誘電体膜の材料としてＰＺＴを用いる
ことができる誘電体キャパシタおよび、このような誘電
体キャパシタを用いた不揮発性メモリを提供することに
ある。
なスタック型キャパシタを簡単な構成により提供するこ
とにある。すなわち本発明は、トランジスタと誘電体キ
ャパシタとを縦方向に並べて配置し、誘電体キャパシタ
の下部電極を多結晶ＳｉまたはＷからなるプラグにより
トランジスタの拡散層と接続する場合、そのプラグから
のＳｉまたはＷの下部電極への拡散を防止するための拡
散防止層、場合によっては下部電極の材料として用いて
好適な電子材料、上記拡散防止層を有することにより誘
電体キャパシタの誘電体膜の材料としてＰＺＴを用いる
ことができる誘電体キャパシタおよび、このような誘電
体キャパシタを用いた不揮発性メモリを提供することに
ある。
【００１２】本発明者は既に、特開平１０−２４２４０
９号公報等において、強誘電体薄膜を用いた場合にもス
タック構造が実現できることを報告しているが、更に鋭
意検討した結果、より簡単な構成で上記スタック構造が
実現できることを確認したものである。
９号公報等において、強誘電体薄膜を用いた場合にもス
タック構造が実現できることを報告しているが、更に鋭
意検討した結果、より簡単な構成で上記スタック構造が
実現できることを確認したものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的達成
のため、第１発明に係る電子薄膜材料は、組成式Ｃｒａ
Ｍｂ（ただし、ａ，ｂは原子％で表した組成、ＭはＴａ
（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｚｒ（ジルコニウ
ム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｗ（タングステン）および
Ｍｏ（モリブデン）からなる群より選ばれた少なくとも
一種の遷移金属を表す。）で表され、その組成範囲が９
５≧ａ≧６０、４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００であるこ
とを特徴とする。なお、Ｃｒはクロムである。
のため、第１発明に係る電子薄膜材料は、組成式Ｃｒａ
Ｍｂ（ただし、ａ，ｂは原子％で表した組成、ＭはＴａ
（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｚｒ（ジルコニウ
ム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｗ（タングステン）および
Ｍｏ（モリブデン）からなる群より選ばれた少なくとも
一種の遷移金属を表す。）で表され、その組成範囲が９
５≧ａ≧６０、４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００であるこ
とを特徴とする。なお、Ｃｒはクロムである。
【００１４】また、第２発明に係る誘電体キャパシタ
は、組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，ｂは原子％で表し
た組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＷおよびＭｏか
らなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表
す。）で表され、その組成範囲が９５≧ａ≧６０、４０
≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００である電子材料からなる拡散
防止層（バッファー層）と、該拡散防止層上に下部電極
と、該下部電極上に強誘電体膜（または高誘電率を有す
る誘電体からなる薄膜、以下同じ）と、該強誘電体膜上
に上部電極とを有することを特徴とする。
は、組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，ｂは原子％で表し
た組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＷおよびＭｏか
らなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表
す。）で表され、その組成範囲が９５≧ａ≧６０、４０
≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００である電子材料からなる拡散
防止層（バッファー層）と、該拡散防止層上に下部電極
と、該下部電極上に強誘電体膜（または高誘電率を有す
る誘電体からなる薄膜、以下同じ）と、該強誘電体膜上
に上部電極とを有することを特徴とする。
【００１５】上記第２発明の誘電体キャパシタでは、下
部電極として、電気抵抗が低く耐熱性のある導電体から
なるものを用いることが望ましい。また、この誘電体キ
ャパシタでは、上記下部電極を白金、イリジウム、ルテ
ニウム、パラジウムまたはロジウムで形成することが好
ましい。
部電極として、電気抵抗が低く耐熱性のある導電体から
なるものを用いることが望ましい。また、この誘電体キ
ャパシタでは、上記下部電極を白金、イリジウム、ルテ
ニウム、パラジウムまたはロジウムで形成することが好
ましい。
【００１６】さらに、第３発明に係る不揮発性メモリ
は、トランジスタと誘電体キャパシタとからなるメモリ
セルを有する不揮発性メモリにおいて、前記誘電体キャ
パシタが、組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，ｂは原子％
で表した組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗおよび
Ｍｏからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属
を表す。）で表され、その組成範囲が９５≧ａ≧６０、
４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００である電子材料からなる
拡散防止層（バッファー層）と、該拡散防止層上に下部
電極と、該下部電極上に強誘電体膜と、該強誘電体膜上
に上部電極とを有することを特徴とする。
は、トランジスタと誘電体キャパシタとからなるメモリ
セルを有する不揮発性メモリにおいて、前記誘電体キャ
パシタが、組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，ｂは原子％
で表した組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗおよび
Ｍｏからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属
を表す。）で表され、その組成範囲が９５≧ａ≧６０、
４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００である電子材料からなる
拡散防止層（バッファー層）と、該拡散防止層上に下部
電極と、該下部電極上に強誘電体膜と、該強誘電体膜上
に上部電極とを有することを特徴とする。
【００１７】上記第３発明に係る不揮発性メモリを構成
する誘電体キャパシタでは、下部電極として、電気抵抗
が低く耐熱性のある導電体からなるものを用いることが
好ましい。また、下部電極が、トランジスタ上に形成さ
れた多結晶ＳｉプラグまたはＷプラグ上に配置されてい
ることが望ましい。
する誘電体キャパシタでは、下部電極として、電気抵抗
が低く耐熱性のある導電体からなるものを用いることが
好ましい。また、下部電極が、トランジスタ上に形成さ
れた多結晶ＳｉプラグまたはＷプラグ上に配置されてい
ることが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて図面をもとに説明する。図１の断面図に示すよう
に、強誘電体キャパシタ１０は、Ｓｉ基板（シリコン基
板）１上に拡散防止層（バッファー層）としてのＣｒ−
Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴから
なる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこ
の順に積層した５層構造となっている。上記各層の膜厚
の一例を挙げると、Ｃｒ−Ｔａ膜２は５０ｎｍ，Ｐｔ膜
３は２００ｎｍ，ＰＺＴ膜４は２５０ｎｍ，Ｐｔ膜５は
２００ｎｍである。また、上記Ｃｒ−Ｔａ膜２は、上記
組成式ＣｒａＭｂにおいてＭをＴａとするとともに、Ｔ
ａの原子％を１０％としたものである。
いて図面をもとに説明する。図１の断面図に示すよう
に、強誘電体キャパシタ１０は、Ｓｉ基板（シリコン基
板）１上に拡散防止層（バッファー層）としてのＣｒ−
Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴから
なる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこ
の順に積層した５層構造となっている。上記各層の膜厚
の一例を挙げると、Ｃｒ−Ｔａ膜２は５０ｎｍ，Ｐｔ膜
３は２００ｎｍ，ＰＺＴ膜４は２５０ｎｍ，Ｐｔ膜５は
２００ｎｍである。また、上記Ｃｒ−Ｔａ膜２は、上記
組成式ＣｒａＭｂにおいてＭをＴａとするとともに、Ｔ
ａの原子％を１０％としたものである。
【００１９】上記上部電極あるいは下部電極の材料とし
ては白金、イリジウム、ルテニウム、パラジウムまたは
ロジウムが好ましい。
ては白金、イリジウム、ルテニウム、パラジウムまたは
ロジウムが好ましい。
【００２０】上記のように、本発明に係る誘電体キャパ
シタおよび不揮発性メモリは、上記組成式ＣｒａＭｂで
表される薄膜材料からなる拡散防止層を用いる点に特徴
がある。この薄膜材料は多くの実験により開発されたも
ので、この材料を用いることによりＳｉプラグからのＳ
ｉの拡散を防止しつつ、良好な強誘電体電気特性を得る
ことができる。つまり、拡散防止層に要求される機能
は、Ｓｉの拡散を防止しつつ導電性を確保し、Ｓｉの酸
化を防止することである。Ｃｒ金属のみでは、Ｓｉの拡
散を防止することはできず、Ｃｒが容易にシリサイド化
してしまう。
シタおよび不揮発性メモリは、上記組成式ＣｒａＭｂで
表される薄膜材料からなる拡散防止層を用いる点に特徴
がある。この薄膜材料は多くの実験により開発されたも
ので、この材料を用いることによりＳｉプラグからのＳ
ｉの拡散を防止しつつ、良好な強誘電体電気特性を得る
ことができる。つまり、拡散防止層に要求される機能
は、Ｓｉの拡散を防止しつつ導電性を確保し、Ｓｉの酸
化を防止することである。Ｃｒ金属のみでは、Ｓｉの拡
散を防止することはできず、Ｃｒが容易にシリサイド化
してしまう。
【００２１】本発明者は、ＣｒにＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，ＷおよびＭｏのうち少なくとも一種を導入すること
で、上記欠点が補えることを確認したものである。すな
わち、Ｃｒに高融点元素を添加することにより、自己拡
散が生じる再結晶温度が上昇する。
ｆ，ＷおよびＭｏのうち少なくとも一種を導入すること
で、上記欠点が補えることを確認したものである。すな
わち、Ｃｒに高融点元素を添加することにより、自己拡
散が生じる再結晶温度が上昇する。
【００２２】ＣｒａＭｂ膜の安定性を検討するために、
複数枚のＳｉ基板上に個別にＣｒ膜、Ｔａ膜およびＣｒ
−Ｔａ膜の薄膜をスパッタにより成膜して試料とし、こ
れらを下記の酸化性雰囲気中でアニールし、アニール前
後の各試料の様子をＸ線回折で調べた。アニール条件
は、良好なＰＺＴ強誘電体特性が得られる熱処理条件で
ある５８０℃・Ａｒ＋１０％Ｏ2 雰囲気・１時間を採用
した。
複数枚のＳｉ基板上に個別にＣｒ膜、Ｔａ膜およびＣｒ
−Ｔａ膜の薄膜をスパッタにより成膜して試料とし、こ
れらを下記の酸化性雰囲気中でアニールし、アニール前
後の各試料の様子をＸ線回折で調べた。アニール条件
は、良好なＰＺＴ強誘電体特性が得られる熱処理条件で
ある５８０℃・Ａｒ＋１０％Ｏ2 雰囲気・１時間を採用
した。
【００２３】図２はＣｒ膜のアニール前後のＸ線回折ピ
ークの変化の様子を示しており、横軸は２θ（回折
角）、縦軸は回折線の強度である。そして、図２（ａ）
は成膜直後（ａｓ ｄｅｐｏ）のもの、図２（ｂ）は上
記酸化性雰囲気中アニール後のものである。
ークの変化の様子を示しており、横軸は２θ（回折
角）、縦軸は回折線の強度である。そして、図２（ａ）
は成膜直後（ａｓ ｄｅｐｏ）のもの、図２（ｂ）は上
記酸化性雰囲気中アニール後のものである。
【００２４】Ｃｒそれ自体は酸化に対して比較的耐酸化
性があるため、上記熱処理条件では酸化されないが、Ｃ
ｒ膜をＳｉ基板上に形成したときには、Ｓｉとの反応が
生じやすくなり、図２（ｂ）で明らかなように酸化性雰
囲気中アニール後にはＣｒのピークが消失してしまう。
真空中アニールにおいても、同様の結果が得られた（図
略）。
性があるため、上記熱処理条件では酸化されないが、Ｃ
ｒ膜をＳｉ基板上に形成したときには、Ｓｉとの反応が
生じやすくなり、図２（ｂ）で明らかなように酸化性雰
囲気中アニール後にはＣｒのピークが消失してしまう。
真空中アニールにおいても、同様の結果が得られた（図
略）。
【００２５】図３はＴａ膜のアニール前後のＸ線回折ピ
ークの変化の様子を示している。図３（ａ）は成膜直後
のもの、図３（ｂ）は真空中アニール後、図３（ｃ）は
酸化性雰囲気中アニール後のものである。Ｔａは融点が
２９９６℃と高温であり、酸化性雰囲気中でないかぎり
安定である。図３から明らかなように、真空中アニール
ではＳｉとの反応も生じず、ほぼ成膜時の結晶構造を維
持していることが判る。しかしながら、Ｔａは高温耐酸
化性が充分ではなく、図３（ｃ）に示すように酸化性雰
囲気中アニール後にはＴａのピークがほぼ消失する。
ークの変化の様子を示している。図３（ａ）は成膜直後
のもの、図３（ｂ）は真空中アニール後、図３（ｃ）は
酸化性雰囲気中アニール後のものである。Ｔａは融点が
２９９６℃と高温であり、酸化性雰囲気中でないかぎり
安定である。図３から明らかなように、真空中アニール
ではＳｉとの反応も生じず、ほぼ成膜時の結晶構造を維
持していることが判る。しかしながら、Ｔａは高温耐酸
化性が充分ではなく、図３（ｃ）に示すように酸化性雰
囲気中アニール後にはＴａのピークがほぼ消失する。
【００２６】以上のＣｒ膜、Ｔａ膜に比べて、Ｃｒ９０
原子％とＴａ１０原子％とからなるＣｒ−Ｔａ合金膜で
は、図４（ａ）と図４（ｂ）とを対比して明らかなよう
に、酸化性雰囲気中アニールを行ってもＳｉとの反応が
生じないうえ、この膜が酸化されることもなく、極めて
安定であることが判る。
原子％とＴａ１０原子％とからなるＣｒ−Ｔａ合金膜で
は、図４（ａ）と図４（ｂ）とを対比して明らかなよう
に、酸化性雰囲気中アニールを行ってもＳｉとの反応が
生じないうえ、この膜が酸化されることもなく、極めて
安定であることが判る。
【００２７】本発明者の検討によれば、Ｔａに代えてＮ
ｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＷまたはＭｏを採用した場合、例えば
Ｃｒ−Ｚｒ２元合金の薄膜を設けたときにも、同様の優
れた結果が得られている。さらに、Ｃｒ−Ｔａ−Ｚｒ等
の３元合金の薄膜の場合にも、同様の結果が確認されて
いる。
ｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＷまたはＭｏを採用した場合、例えば
Ｃｒ−Ｚｒ２元合金の薄膜を設けたときにも、同様の優
れた結果が得られている。さらに、Ｃｒ−Ｔａ−Ｚｒ等
の３元合金の薄膜の場合にも、同様の結果が確認されて
いる。
【００２８】本発明に係るＣｒａＭｂでは、Ｃｒに対す
る高融点金属Ｍ（上記Ｔａなど）の添加量、すなわち上
記Ｍｂの「ｂ」の値（原子％）は、５〜４０（上記Ｃｒ
ａの「ａ」の値は９５〜６０）とすることが望ましい。
添加量が５原子％より少ないとＣｒとＳｉの反応が生じ
やすくなること、また、添加量が４０原子％より多い場
合には、この合金薄膜が酸化されやすくなることが判明
している。
る高融点金属Ｍ（上記Ｔａなど）の添加量、すなわち上
記Ｍｂの「ｂ」の値（原子％）は、５〜４０（上記Ｃｒ
ａの「ａ」の値は９５〜６０）とすることが望ましい。
添加量が５原子％より少ないとＣｒとＳｉの反応が生じ
やすくなること、また、添加量が４０原子％より多い場
合には、この合金薄膜が酸化されやすくなることが判明
している。
【００２９】このように、本発明者の検討によって、上
記ＣｒａＭｂ合金は、強誘電体スタック型キャパシタの
下部電極の下地層材料（下部電極下地材料）として有効
であることが判明した。このＣｒａＭｂ合金薄膜はＳｉ
との反応が生じないため、トランジスタ上に形成された
シリコンプラグ上に設けることができる。
記ＣｒａＭｂ合金は、強誘電体スタック型キャパシタの
下部電極の下地層材料（下部電極下地材料）として有効
であることが判明した。このＣｒａＭｂ合金薄膜はＳｉ
との反応が生じないため、トランジスタ上に形成された
シリコンプラグ上に設けることができる。
【００３０】
【実施例】実施例１ 図１に示す積層構造の強誘電体キャパシタを作製した。
Ｓｉ基板を希フッ酸で処理して表面のＳｉＯ2 を除去し
た後、このＳｉ基板上に以下の条件でＣｒ−Ｔａの拡散
防止層をスパッタ成膜した。 ・ＤＣ２極マグネトロンスパッタを使用 ・ターゲット：Ｃｒ金属 １００ｍｍ径 Ｔａ金属チップ １０ｍｍ×１０ｍｍを４個配置 ・スパッタガス：Ａｒ３０ｓｃｃｃｍ 全圧 ０．２Ｐａ ・投入電力：０．４Ａ×５５０Ｖ ・成膜時間：３分 ・膜圧：５０ｎｍ 上記Ｃｒ−Ｔａ膜の組成をＥＰＭＡ分析（電子プローブ
微小分析法）で調べたところＣｒ＝９０原子％、Ｔａ＝
１０原子％であった。
Ｓｉ基板を希フッ酸で処理して表面のＳｉＯ2 を除去し
た後、このＳｉ基板上に以下の条件でＣｒ−Ｔａの拡散
防止層をスパッタ成膜した。 ・ＤＣ２極マグネトロンスパッタを使用 ・ターゲット：Ｃｒ金属 １００ｍｍ径 Ｔａ金属チップ １０ｍｍ×１０ｍｍを４個配置 ・スパッタガス：Ａｒ３０ｓｃｃｃｍ 全圧 ０．２Ｐａ ・投入電力：０．４Ａ×５５０Ｖ ・成膜時間：３分 ・膜圧：５０ｎｍ 上記Ｃｒ−Ｔａ膜の組成をＥＰＭＡ分析（電子プローブ
微小分析法）で調べたところＣｒ＝９０原子％、Ｔａ＝
１０原子％であった。
【００３１】上記Ｃｒ−Ｔａ拡散防止層上に下部電極と
して厚さ２００ｎｍのＰｔ膜を、さらにこの上に厚さ２
５０ｎｍのＰＺＴ膜をそれぞれスパッタにより成膜し
た。つぎに、ＰＺＴを結晶化させるために上記Ｃｒ−Ｔ
ａ拡散防止層、Ｐｔ膜およびＰＺＴ膜を積層形成したＳ
ｉ基板を５８０℃×１時間、Ａｒ＋１０％酸素雰囲気中
で熱処理した。さらに、ＰＺＴ膜上に上部電極として厚
さ２００ｎｍのＰｔ膜を、メタルマスクを用いて成膜し
た。さらに、このＳｉ基板を４５０℃×１時間、酸素雰
囲気中で熱処理することにより強誘電体キャパシタを得
た。
して厚さ２００ｎｍのＰｔ膜を、さらにこの上に厚さ２
５０ｎｍのＰＺＴ膜をそれぞれスパッタにより成膜し
た。つぎに、ＰＺＴを結晶化させるために上記Ｃｒ−Ｔ
ａ拡散防止層、Ｐｔ膜およびＰＺＴ膜を積層形成したＳ
ｉ基板を５８０℃×１時間、Ａｒ＋１０％酸素雰囲気中
で熱処理した。さらに、ＰＺＴ膜上に上部電極として厚
さ２００ｎｍのＰｔ膜を、メタルマスクを用いて成膜し
た。さらに、このＳｉ基板を４５０℃×１時間、酸素雰
囲気中で熱処理することにより強誘電体キャパシタを得
た。
【００３２】この強誘電体キャパシタのＳｉ基板と上部
電極（Ｐｔ電極）との間に電圧を印加して蓄積電荷量
（強誘電体ヒステリシス）を測定した。結果は図５に示
すとおりで、強誘電体メモリにとって重要な良好な残留
分極値が、電気的にＳｉを通した測定で得られ、ＰＺＴ
強誘電体特性を測定することができた。また、Ｃｒ−Ｔ
ａ拡散防止層とＳｉ基板との密着性、Ｃｒ−Ｔａ拡散防
止層とＰｔ膜（下部電極）との密着性のいずれも良好
で、膜剥がれは全く生じていないことが確認された。上
部電極あるいは下部電極をＩｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄで形
成した場合にも、同様にＳｉ基板−上部電極間で強誘電
体ヒステリシス曲線が測定可能であった。
電極（Ｐｔ電極）との間に電圧を印加して蓄積電荷量
（強誘電体ヒステリシス）を測定した。結果は図５に示
すとおりで、強誘電体メモリにとって重要な良好な残留
分極値が、電気的にＳｉを通した測定で得られ、ＰＺＴ
強誘電体特性を測定することができた。また、Ｃｒ−Ｔ
ａ拡散防止層とＳｉ基板との密着性、Ｃｒ−Ｔａ拡散防
止層とＰｔ膜（下部電極）との密着性のいずれも良好
で、膜剥がれは全く生じていないことが確認された。上
部電極あるいは下部電極をＩｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄで形
成した場合にも、同様にＳｉ基板−上部電極間で強誘電
体ヒステリシス曲線が測定可能であった。
【００３３】なお、Ｃｒ−Ｔａ合金を電極として、この
上に直接ＰＺＴ等の強誘電体または高誘電体を成膜した
場合には、良好な強誘電体特性または高誘電体特性は得
られない。これは仕事関数の相違、あるいはＰＺＴの結
晶化に関連したものと推察されるが、詳細は今のところ
不明である。
上に直接ＰＺＴ等の強誘電体または高誘電体を成膜した
場合には、良好な強誘電体特性または高誘電体特性は得
られない。これは仕事関数の相違、あるいはＰＺＴの結
晶化に関連したものと推察されるが、詳細は今のところ
不明である。
【００３４】比較例１ 実施例１のＣｒ−Ｔａ合金に代えてＣｒ薄膜を厚さ５０
ｎｍで成膜し、これ以外の条件は実施例１と同様にして
強誘電体キャパシタを作製した。しかしながら、この強
誘電体キャパシタの場合、電気的にＳｉ基板を通した測
定では、強誘電体ヒステリシス曲線は全く得ることがで
きなかった。
ｎｍで成膜し、これ以外の条件は実施例１と同様にして
強誘電体キャパシタを作製した。しかしながら、この強
誘電体キャパシタの場合、電気的にＳｉ基板を通した測
定では、強誘電体ヒステリシス曲線は全く得ることがで
きなかった。
【００３５】比較例２ 実施例１のＣｒ−Ｔａ合金に代えてＴａ薄膜を厚さ５０
ｎｍで成膜し、これ以外の条件は実施例１と同様にして
強誘電体キャパシタを作製した。しかしながら、この強
誘電体キャパシタの場合、比較例１と同じく、電気的に
Ｓｉ基板を通した測定では、強誘電体ヒステリシス曲線
は全く得ることができなかった。
ｎｍで成膜し、これ以外の条件は実施例１と同様にして
強誘電体キャパシタを作製した。しかしながら、この強
誘電体キャパシタの場合、比較例１と同じく、電気的に
Ｓｉ基板を通した測定では、強誘電体ヒステリシス曲線
は全く得ることができなかった。
【００３６】実施例２ 図７に示したような構造を有する強誘電体メモリにおい
て、誘電体キャパシタＣとして、前記実施例１で作製し
たものを用いた以外は、図７と同様の構造の強誘電体メ
モリ（不揮発性メモリ）を常法により作製した。得られ
た不揮発性メモリは、良好な初期特性が得られ、かつそ
の特性が長期間維持され、信頼性が向上した。
て、誘電体キャパシタＣとして、前記実施例１で作製し
たものを用いた以外は、図７と同様の構造の強誘電体メ
モリ（不揮発性メモリ）を常法により作製した。得られ
た不揮発性メモリは、良好な初期特性が得られ、かつそ
の特性が長期間維持され、信頼性が向上した。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば以下の効果が得られる。 （１）電子薄膜材料に係る第１発明による効果 所定の組成式ＣｒａＭｂおよび所定の組成範囲を有し、
耐熱性および耐酸化性のある電子材料とすることによ
り、強誘電体キャパシタの拡散防止層として有効な電子
材料を提供することができる。すなわち、上記電子材料
からなる拡散防止層は、ＰＺＴの結晶化に必要な５８０
℃の高温熱処理（アニール）においてもＳｉとの反応を
生じないため強誘電体または高誘電体を用いた場合で
も、スタック構造のキャパシタを構成することが可能で
ある。
よれば以下の効果が得られる。 （１）電子薄膜材料に係る第１発明による効果 所定の組成式ＣｒａＭｂおよび所定の組成範囲を有し、
耐熱性および耐酸化性のある電子材料とすることによ
り、強誘電体キャパシタの拡散防止層として有効な電子
材料を提供することができる。すなわち、上記電子材料
からなる拡散防止層は、ＰＺＴの結晶化に必要な５８０
℃の高温熱処理（アニール）においてもＳｉとの反応を
生じないため強誘電体または高誘電体を用いた場合で
も、スタック構造のキャパシタを構成することが可能で
ある。
【００３８】（２）誘電体キャパシタに係る第２発明に
よる効果 第１発明に係る電子材料からなる拡散防止層と、該拡散
防止層上に下部電極と、該下部電極上に強誘電体膜と、
該強誘電体膜上に上部電極とをこの順に、Ｓｉ基板上に
積層形成して誘電体キャパシタを構成することで、高性
能なスタック型キャパシタを簡単に構築することができ
る。このため、誘電体膜の材料としてＰＺＴはもちろ
ん、結晶化させるために酸素雰囲気中での高温の熱処理
が必要なＳＢＴなどを用いることができるという利点が
ある。
よる効果 第１発明に係る電子材料からなる拡散防止層と、該拡散
防止層上に下部電極と、該下部電極上に強誘電体膜と、
該強誘電体膜上に上部電極とをこの順に、Ｓｉ基板上に
積層形成して誘電体キャパシタを構成することで、高性
能なスタック型キャパシタを簡単に構築することができ
る。このため、誘電体膜の材料としてＰＺＴはもちろ
ん、結晶化させるために酸素雰囲気中での高温の熱処理
が必要なＳＢＴなどを用いることができるという利点が
ある。
【００３９】（３）不揮発性メモリに係る第３発明によ
る効果 トランジスタと誘電体キャパシタとからなるメモリセル
を有する不揮発性メモリにおいて、上記誘電体キャパシ
タとして第２発明の構成を有するものを設けることで、
高性能なスタック型キャパシタを備えた不揮発性メモリ
を提供することができる。
る効果 トランジスタと誘電体キャパシタとからなるメモリセル
を有する不揮発性メモリにおいて、上記誘電体キャパシ
タとして第２発明の構成を有するものを設けることで、
高性能なスタック型キャパシタを備えた不揮発性メモリ
を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る強誘電体キャパシタ
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図２】Ｓｉ基板上に成膜したＣｒ膜のアニール前後の
Ｘ線回折結果を示すグラフである。
Ｘ線回折結果を示すグラフである。
【図３】Ｓｉ基板上に成膜したＴａ膜のアニール前後の
Ｘ線回折結果を示すグラフである。
Ｘ線回折結果を示すグラフである。
【図４】Ｓｉ基板上に成膜したＣｒ−Ｔａ膜のアニール
前後のＸ線回折結果を示すグラフである。
前後のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図５】本発明に係る強誘電体キャパシタの蓄積電荷量
を測定した結果を示すグラフである。
を測定した結果を示すグラフである。
【図６】トランジスタとキャパシタとを横方向に配置し
た従来の強誘電体メモリの構造を示す断面図である。
た従来の強誘電体メモリの構造を示す断面図である。
【図７】トランジスタとキャパシタとを縦方向に配置し
た従来の強誘電体メモリの構造を示す断面図である。
た従来の強誘電体メモリの構造を示す断面図である。
【符号の説明】 １…シリコン基板（Ｓｉ基板）、２…Ｃｒ−Ｔａ膜、３
…Ｐｔ膜、４…ＰＺＴ膜、５…Ｐｔ膜、１０…強誘電体
キャパシタ、１０１…ｐ型Ｓｉ基板、１０２…フィール
ド酸化膜、１０３…ゲート絶縁膜、１０４…ソース領
域、１０５…ドレイン領域、１０６…層間絶縁膜、１０
７…Ｔｉ膜、１０８…Ｐｔ膜、１０９…強誘電体膜、１
１０…Ｐｔ膜、１２３…多結晶Ｓｉプラグ、Ｃ…キャパ
シタ、Ｑ…トランジスタ、ＷＬ…ワード線
…Ｐｔ膜、４…ＰＺＴ膜、５…Ｐｔ膜、１０…強誘電体
キャパシタ、１０１…ｐ型Ｓｉ基板、１０２…フィール
ド酸化膜、１０３…ゲート絶縁膜、１０４…ソース領
域、１０５…ドレイン領域、１０６…層間絶縁膜、１０
７…Ｔｉ膜、１０８…Ｐｔ膜、１０９…強誘電体膜、１
１０…Ｐｔ膜、１２３…多結晶Ｓｉプラグ、Ｃ…キャパ
シタ、Ｑ…トランジスタ、ＷＬ…ワード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/108 21/8242
Claims (9)
- 【請求項１】 組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，ｂは原
子％で表した組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗお
よびＭｏからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移
金属を表す。）で表され、その組成範囲が９５≧ａ≧６
０、４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００であることを特徴と
する電子薄膜材料。 - 【請求項２】 組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，ｂは原
子％で表した組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗお
よびＭｏからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移
金属を表す。）で表され、その組成範囲が９５≧ａ≧６
０、４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００である電子材料から
なる拡散防止層と、該拡散防止層上に下部電極と、該下
部電極上に強誘電体膜あるいは高誘電体膜と、該強誘電
体膜あるいは高誘電体膜上に上部電極とを有することを
特徴とする誘電体キャパシタ。 - 【請求項３】 前記上部電極あるいは下部電極が白金か
らなることを特徴とする請求項２に記載の誘電体キャパ
シタ。 - 【請求項４】 前記上部電極あるいは下部電極がイリジ
ウムからなることを特徴とする請求項２に記載の誘電体
キャパシタ。 - 【請求項５】 前記上部電極あるいは下部電極がルテニ
ウムからなることを特徴とする請求項２に記載の誘電体
キャパシタ。 - 【請求項６】 前記上部電極あるいは下部電極がパラジ
ウムからなることを特徴とする請求項２に記載の誘電体
キャパシタ。 - 【請求項７】 前記上部電極あるいは下部電極がロジウ
ムからなることを特徴とする請求項２に記載の誘電体キ
ャパシタ。 - 【請求項８】 トランジスタと誘電体キャパシタとから
なるメモリセルを有する不揮発性メモリにおいて、前記
誘電体キャパシタが、組成式ＣｒａＭｂ（ただし、ａ，
ｂは原子％で表した組成、ＭはＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，ＷおよびＭｏからなる群より選ばれた少なくとも一
種の遷移金属を表す。）で表され、その組成範囲が９５
≧ａ≧６０、４０≧ｂ≧５、ａ＋ｂ＝１００である電子
材料からなる拡散防止層と、該拡散防止層上に下部電極
と、該下部電極上に強誘電体膜と、該強誘電体膜上に上
部電極とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。 - 【請求項９】 前記下部電極が、トランジスタ上に形成
された多結晶ＳｉプラグまたはＷプラグ上に配置されて
いることを特徴とする請求項８に記載の不揮発性メモ
リ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31499899A JP2001131673A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 電子薄膜材料、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ |
| TW089123097A TW479346B (en) | 1999-11-05 | 2000-11-02 | Electronic thin-film material, dielectric capacitor, and nonvolatile memory |
| KR1020000065545A KR20010051466A (ko) | 1999-11-05 | 2000-11-06 | 전자 박막 재료, 유전체 캐패시터, 및 비휘발성 메모리 |
| US09/707,215 US6381119B1 (en) | 1999-11-05 | 2000-11-06 | Electronic thin film material, dielectric capacitor, and nonvolatile memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31499899A JP2001131673A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 電子薄膜材料、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131673A true JP2001131673A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=18060190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31499899A Pending JP2001131673A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 電子薄膜材料、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001131673A (ja) |
| KR (1) | KR20010051466A (ja) |
| TW (1) | TW479346B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2825718A1 (fr) * | 2001-06-11 | 2002-12-13 | Gen Electric | Couches barriere anti-diffusion, pieces comportant de telles couches et procedes ou l'on emploie de telles couches |
| JP2003109952A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜及びキャパシタ絶縁膜、並びにこれらの膜の作製方法 |
| JP2003197874A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2019159856A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3986859B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-10-03 | 富士通株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
| US7960774B2 (en) * | 2005-12-05 | 2011-06-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Memory devices including dielectric thin film and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6298503A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | 株式会社住友金属セラミックス | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| US4900702A (en) * | 1987-10-27 | 1990-02-13 | Nippon Ferrite, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| US5449652A (en) * | 1993-06-04 | 1995-09-12 | Battelle Memorial Institute | Ceramic compositions for BZN dielectric resonators |
| JPH0793969A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体容量素子 |
| JPH0855967A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-27 | Texas Instr Inc <Ti> | 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法 |
| JP3302594B2 (ja) * | 1997-02-10 | 2002-07-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層電子部品及びその製造方法 |
| KR100241812B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2000-02-01 | 윤덕용 | 마이크로파 유전체 자기조성물 |
| JP2000349245A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Sony Corp | 誘電体キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法 |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP31499899A patent/JP2001131673A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-02 TW TW089123097A patent/TW479346B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-06 KR KR1020000065545A patent/KR20010051466A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-11-06 US US09/707,215 patent/US6381119B1/en not_active Expired - Fee Related
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| US6381119B1 (en) | 2002-04-30 |
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