JP2019078669A - 高分子材料の硫黄架橋構造解析方法 - Google Patents
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Abstract
Description
工程1:硫黄架橋された高分子材料にX線を照射して、硫黄K殻吸収端のX線吸収スペクトルを取得する工程、
工程2:得られたX線吸収スペクトルを、硫黄−硫黄間成分及び硫黄−炭素間成分を含む少なくとも2つの成分でフィッティングする工程、
工程3:フィッティング結果から硫黄−硫黄間成分のピーク面積と硫黄−炭素間成分のピーク面積を算出して、硫黄−硫黄間成分と硫黄−炭素間成分のピーク面積比から架橋硫黄鎖連結長を算出する工程、及び、
工程4:上記X線吸収スペクトルからエッジジャンプ(edge jump)の高さを求めて、エッジジャンプの高さと上記架橋硫黄鎖連結長から硫黄架橋密度を算出する工程。
「S−C比」=「S−C結合数」/(「S−C結合数」+「S−S結合数」)
とする。高分子材料中での硫黄架橋構造は、S−S結合とS−C結合が全て架橋に使われているとすると、S−C結合数が必ず2となるので、
「S−C比」=2/(2+「S−S結合数」)となり、
「S−S結合数」=(2−2×「S−C比」)/「S−C比」となる。硫黄の連結数である架橋硫黄鎖連結長Lは、S−S結合数に1を加えた値になるので、
架橋硫黄鎖連結長L={(2−2×「S−C比」)/「S−C比」}+1
となる。S−C比は、上記ピーク面積Sとピーク面積Cとの比Rに等しいので、上記の式(3)が得られる。
[第1実施例]
バンバリーミキサーを使用し、下記表1に示す配合(質量部)に従い、ゴムポリマーに配合剤を添加し混練して、未加硫ゴム組成物を調製した。
・SBR:JSR(株)製「JSR1502」
・亜鉛華:三井金属鉱業(株)製「亜鉛華1種」
・ステアリン酸:花王(株)製「ルナックS−20」
・硫黄:細井化学工業(株)製「ゴム用粉末硫黄150メッシュ」
・加硫促進剤:大内新興化学工業(株)製「ノクセラーCZ」
・X線の輝度:2.0×1012photons/s/mrad2/mm2/0.1%bw
・X線の光子数:〜3.0×1010photons/s
・分光器:結晶分光器
・X線検出器:シリコンドリフト検出器
・測定法:蛍光法
・X線のエネルギー範囲:2400〜2500eV
Claims (5)
- 複数の硫黄架橋された高分子材料について硫黄架橋構造を解析する際に、高分子材料とX線検出器との距離を一定にしてX線を照射して、硫黄K殻吸収端のX線吸収スペクトルを取得する、高分子材料の硫黄架橋構造解析方法。
- 前記X線検出器により蛍光X線を検出して硫黄K殻吸収端のX線吸収スペクトルを取得する、請求項1に記載の硫黄架橋構造解析方法。
- 硫黄架橋された高分子材料にX線を照射して、硫黄K殻吸収端のX線吸収スペクトルを取得すること、
得られたX線吸収スペクトルを、硫黄−硫黄間成分及び硫黄−炭素間成分を含む少なくとも2つの成分でフィッティングすること、
前記硫黄−硫黄間成分のピーク面積と硫黄−炭素間成分のピーク面積を算出して、前記硫黄−硫黄間成分と硫黄−炭素間成分のピーク面積比から架橋硫黄鎖連結長を算出すること、および、
前記X線吸収スペクトルからエッジジャンプの高さを求め、前記エッジジャンプの高さと前記架橋硫黄鎖連結長から硫黄架橋密度を算出すること、
を含む、請求項1又は2に記載の硫黄架橋構造解析方法。 - 前記硫黄−硫黄間成分のピーク面積Sと前記硫黄−炭素間成分のピーク面積Cから架橋硫黄鎖連結長L={(2−2×R)/R}+1(ここで、R=C/(C+S)である。)を算出し、架橋硫黄鎖連結長Lと前記エッジジャンプの高さから硫黄架橋密度を算出する、請求項3に記載の硫黄架橋構造解析方法。
- 前記硫黄−硫黄間成分、硫黄−炭素間成分及び階段関数成分を含む少なくとも3成分で前記フィッティングを行い、前記階段関数成分のエッジジャンプの高さと前記架橋硫黄鎖連結長から前記硫黄架橋密度を算出する、請求項3又は4に記載の硫黄架橋構造解析方法。
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