JP2019062020A - Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)シリコン単結晶からなる支持基板上に、ダイヤモンド粒子を付着させた後に、前記ダイヤモンド粒子を核として、前記支持基板上に、ダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下となるダイヤモンド層を化学気相成長させる工程と、
前記ダイヤモンド層の表面を平坦化する工程と、
シリコン単結晶からなる活性層用基板の表面と平坦化した前記ダイヤモンド層の表面とに、真空常温下でイオンビームまたは中性原子ビームを照射して、前記両方の表面を活性化面とした後に、引き続き真空常温下で前記両方の活性化面を接触させることで、前記支持基板と前記活性層用基板とを貼り合わせる工程と、
前記支持基板と前記活性層用基板との貼合せ面とは反対側から前記活性層用基板を減厚して、活性層を有するSOIウェーハを得る工程と、
を有することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
前記ダイヤモンド層におけるダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下であり、
前記活性層の前記ダイヤモンド層側にはアモルファス層が形成されていることを特徴とするSOIウェーハ。
図1を参照して、本発明の一実施形態によるSOIウェーハ100の製造方法を説明する。まず、シリコン単結晶からなる支持基板10上に、ダイヤモンド粒子を含有する溶液(以下、「ダイヤモンド粒子含有液」とも称する。)を塗布する(図1(A),(B))。これにより、支持基板10上には、ダイヤモンド粒子塗布層12が形成される(図1(B))。次に、支持基板10に熱処理を施すことにより、ダイヤモンド粒子塗布層12中の溶媒を蒸発させ、かつ支持基板10の表面とダイヤモンド粒子14との結合力を強化して、支持基板10の表面にダイヤモンド粒子14を付着させる(図1(B),(C))。次に、CVD法により、付着したダイヤモンド粒子14を核として、ダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下となるダイヤモンド層16を支持基板10上に成長させる(図1(C),(D))。次に、ダイヤモンド層の表面16Aを平坦化する(図1(D),(E))。次に、シリコン単結晶からなる活性層用基板20の表面と平坦化したダイヤモンド層の表面16Aとに、真空常温下でイオンビームまたは中性原子ビームを照射して、両方の表面を活性化面とする(図1(F)〜(I))。この時、ダイヤモンド層16の表層部には、ダイヤモンド(sp3)粒子の一部がsp2化された領域(以下、「sp2領域」とも称する)18が形成される(図1(G))。また、活性層用基板20の表層部には、アモルファス層22が形成される(図1(I))。その後、真空常温下で両方の活性化面を接触させることで、活性化面を貼合せ面として、支持基板10と活性層用基板20とを貼り合わせる(図1(G),(I),(J))。次に、貼合せ面とは反対側から活性層用基板20を研削および研磨して、所望厚さの活性層24を有するSOIウェーハ100を得る(図1(J),(K))。以下では、本実施形態における各工程を詳細に説明する。
まず、図1(A),(B)を参照して、支持基板10上にダイヤモンド粒子含有液を塗布して、ダイヤモンド粒子塗布層12を形成する。ダイヤモンド粒子含有液を塗布する方法として、例えば、公知のスピンコート法を用いることができる。スピンコート法によれば、支持基板10の両面のうちダイヤモンド粒子14を付着させたい片側の表面のみに、ダイヤモンド粒子含有液を均一に塗布することができる。以下では、ダイヤモンド粒子含有液の作製方法を説明する。
次に、図1(B),(C)を参照して、支持基板10に熱処理を施す。これにより、ダイヤモンド粒子塗布層12中の溶媒が蒸発し、かつダイヤモンド粒子14と支持基板10との結合が強化されて、支持基板10上にダイヤモンド粒子14が付着する(図1(C))。熱処理中の支持基板10の温度は、100℃未満とすることが好ましく、30℃以上80℃以下とすることがより好ましい。100℃未満であれば、ダイヤモンド粒子含有液の沸騰に伴う泡の発生を抑制することができるので、支持基板10上にダイヤモンド粒子14が部分的に存在しない部位が発生することがなく、この部位を起点としてダイヤモンド層16が剥離するおそれもない。30℃以上であれば、支持基板10とダイヤモンド粒子14とが十分に結合するので、CVD法によってダイヤモンド層16を成長させる過程で、スパッタリング作用によりダイヤモンド粒子14が弾き飛ばされるのを抑制することができ、ダイヤモンド層16を均一に成長させることができる。また、熱処理時間は1分以上30分以下とすることが好ましい。なお、熱処理装置としては、公知の熱処理装置を用いればよく、例えば、加熱したホットプレート上に支持基板10を載置することにより行うことができる。
次に、図1(C),(D)を参照して、支持基板10の表面に付着したダイヤモンド粒子14を核として、支持基板10上にCVD法によりダイヤモンド層16を成長させる。このとき、成長後のダイヤモンド層16におけるダイヤモンド粒子の最大粒径を2.0μm以下にすることが重要であるが、詳細については後述する。なお、本実施形態におけるダイヤモンド層16の支持基板10との界面には、スピンコート法により塗布した平均粒径が1nm〜10nmの微小なダイヤモンド粒子が存在する。
次に、図1(D),(E)を参照して、ダイヤモンド層の表面16Aを研磨して平坦化する。ここで、本発明では、ダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下になっているダイヤモンド層16を平坦化処理に供することが重要である。以下では、この技術的意義を詳細に説明する。
図1(F)〜(J)及び図2を参照して、真空常温接合法による貼合せ方法を説明する。真空常温接合法とは、支持基板10と活性層用基板20を加熱することなく、常温で貼り合わせる方法である。本実施形態では、シリコン単結晶からなる活性層用基板20の表面と平坦化したダイヤモンド層の表面16Aに、真空常温下でイオンビームまたは中性原子ビームを照射する活性化処理をして、上記両方の表面を活性化面とする(図1(G),(I))。これにより、活性化面にはダングリングボンドが現れる。そのため、引き続き真空常温下で上記両方の活性化面を接触させると、瞬時に接合力が働き、上記活性化面を貼合せ面として、支持基板10と活性層用基板20とが強固に貼り合う(図1(J))。
次に、図1(J),(K)を参照して、貼合せ面とは反対側から活性層用基板20を研削および研磨して減厚する。これにより、所望厚さの活性層24を有するSOIウェーハ100を得ることができる。活性層24の厚さは、そこに形成するデバイスに応じて適宜決定することができ、100nm〜1mmとすることが好ましい。なお、この研削および研磨には、公知または任意の研削法および研磨法を好適に用いることができ、具体的には平面研削法および鏡面研磨法を用いることができる。
本実施形態における支持基板10としては、シリコン単結晶からなる単結晶シリコンウェーハを用いる。単結晶シリコンウェーハは、チョクラルスキー法(CZ法)やCZ法に磁場をかけるMCZ法(Magnetic field applied Czochralski法)や浮遊帯域溶融法(FZ法)により育成した単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。
本実施形態における活性層用基板20としては、CZ法やMCZ法やFZ法により育成した単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスして作製したシリコン単結晶からなる単結晶シリコンウェーハを用いることができる。
図1(K)を参照して、上記製造方法によって得られるSOIウェーハ100について説明する。SOIウェーハ100は、支持基板10と、支持基板10上に形成されたダイヤモンド層16と、ダイヤモンド層16上に形成された活性層24とを有し、ダイヤモンド層16におけるダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下であり、活性層24のダイヤモンド層16側には、アモルファス層22が形成されていることを特徴とする。SOIウェーハ100によれば、以下の作用効果が得られる。すなわち、SOIウェーハ100は、熱伝導性の良いダイヤモンド層16とアモルファス層22を有するので、放熱性が高い。また、アモルファス層22は、ゲッタリング層として機能し、支持基板10中の酸素や不純物が活性層24に外方拡散するのを抑制する。なお、アモルファス層22の厚さは、1nm以上5nm以下であることが好ましい。
実験1では、以下に説明する方法に従って、発明例1および比較例1,2のSOIウェーハを3枚ずつ作製し、ダイヤモンド層の表面におけるダイヤモンド粒子の最大粒径と接合可否との関係を調査した。
まず、MCZ法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出し加工した、直径が2インチ、厚さが3mm、抵抗率が3000Ω・cm、面方位が(100)、酸素濃度(ASTM F121-1979)が5.0×1017atoms/cm3である支持基板を用意した。また、MCZ法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出し加工した、直径が2インチ、厚さが280μm、抵抗率が10Ω・cm、面方位が(100)、酸素濃度(ASTM F121-1979)が2.0×1017atoms/cm3である活性層用基板を用意した。
比較例1として、平均粒径が40nmのダイヤモンド粒子を用いてダイヤモンド粒子含有液を作製した以外は、発明例1と同様の方法でSOIウェーハを作製した。また、比較例2として、平均粒径が100nmのダイヤモンド粒子を用いてダイヤモンド粒子含有液を作製した以外は、発明例1と同様の方法でSOIウェーハを作製した。ここで、得られたSOIウェーハにおいて、比較例1では、ダイヤモンド層におけるダイヤモンド粒子の最大粒径は6.0μmとなっており、比較例2では、ダイヤモンド層におけるダイヤモンド粒子の最大粒径は9.0μmとなっていた。
各発明例1および比較例1,2について、ダイヤモンド層の表面におけるダイヤモンド粒子の最大粒径と接合可否との関係を調査した。評価結果を表1に示す。表1では、真空常温接合が可能であった場合を○とし、真空常温接合が不可能であった場合を×として示す。
実験2では、以下に説明する方法に従って、比較例3のSOIウェーハを作製した。
比較例3として、発明例1と同様の支持基板および活性層用基板を用意した。次に、公知の傷付け法によって、支持基板の表面にダイヤモンド粒子を埋め込んだ。すなわち、平均粒径1μmのダイヤモンド粒子を含有する溶液中で、支持基板を超音波洗浄することによって、支持基板の表面にダイヤモンド粒子を埋め込んだ。
図3を参照して、比較例3では、貼り合せ過程で支持基板と活性層用基板との間において貼り合せ不良が発生し、ダイヤモンド層の一部が支持基板から剥離した。図3に示すウェーハ(黒い部分)中の白い部分が剥離した箇所である。この原因は、以下のように推測される。傷付け法では、一般的に、平均粒径1μmのダイヤモンド粒子を支持基板に埋め込む。そのため、成長後のダイヤモンド層の表面におけるダイヤモンド粒子の最大粒径は2.0μmを超えており、ダイヤモンド層の表面を研磨しても表面粗さRaが3nm以下とならない。その結果、結晶粒界に存在するダングリングボンドを効率よく利用することができず、支持基板と活性層用基板とが貼り合わなかったと推測される。
10 支持基板
12 ダイヤモンド粒子塗布層
14 ダイヤモンド粒子
16 ダイヤモンド層
16A ダイヤモンド層の表面
18 sp2領域
20 活性層用基板
22 アモルファス層
24 活性層
30 真空常温接合装置
31 プラズマチャンバー
32 ガス導入口
33 真空ポンプ
34 パルス電圧印加装置
35A,35B ウェーハ固定台
Claims (10)
- シリコン単結晶からなる支持基板上に、ダイヤモンド粒子を付着させた後に、前記ダイヤモンド粒子を核として、前記支持基板上に、ダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下となるダイヤモンド層を化学気相成長させる工程と、
前記ダイヤモンド層の表面を平坦化する工程と、
シリコン単結晶からなる活性層用基板の表面と平坦化した前記ダイヤモンド層の表面とに、真空常温下でイオンビームまたは中性原子ビームを照射して、前記両方の表面を活性化面とした後に、引き続き真空常温下で前記両方の活性化面を接触させることで、前記支持基板と前記活性層用基板とを貼り合わせる工程と、
前記支持基板と前記活性層用基板との貼合せ面とは反対側から前記活性層用基板を減厚して、活性層を有するSOIウェーハを得る工程と、
を有することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。 - 平坦化した前記ダイヤモンド層の表面粗さRaを3nm以下とする、請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記活性層の前記ダイヤモンド層側には、厚さが1nm以上5nm以下のアモルファス層が形成されている、請求項1又は2に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記支持基板上に、平均粒径が10nm以下のダイヤモンド粒子を含有する溶液を塗布した後に、前記支持基板に、100℃未満かつ1分以上30分以下の熱処理を施すことにより、前記支持基板上に前記ダイヤモンド粒子を付着させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記支持基板および前記活性層用基板の酸素濃度が5×1017atoms/cm3以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記支持基板の抵抗率が1000Ω・cm以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 支持基板と、前記支持基板上に形成されたダイヤモンド層と、前記ダイヤモンド層上に形成された活性層とを有し、
前記ダイヤモンド層におけるダイヤモンド粒子の最大粒径が2.0μm以下であり、
前記活性層の前記ダイヤモンド層側にはアモルファス層が形成されていることを特徴とするSOIウェーハ。 - 前記アモルファス層の厚さが1nm以上5nm以下である、請求項7に記載のSOIウェーハ。
- 前記支持基板および前記活性層の酸素濃度が5×1017atoms/cm3以下である、請求項7又は8に記載のSOIウェーハ。
- 前記支持基板の抵抗率が1000Ω・cm以上である、請求項7〜9のいずれか一項に記載のSOIウェーハ。
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