JP7487659B2 - Ｓｏｉウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明はＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハに関する。
近年、高耐圧素子として、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造を有するＳＯＩウェーハが注目されている。ＳＯＩウェーハは一般的に、シリコン単結晶からなる支持基板上に、絶縁性の高い酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる埋め込み絶縁層及びシリコン単結晶からなる活性層が順次形成された構造を有する（例えば特許文献１を参照）。この埋め込み絶縁層は、酸化シリコンに由来してＢＯＸ（Buried Oxide）層と呼ばれ、酸化シリコンは、熱酸化法の他に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法（例えば特許文献２を参照）などにより形成することができる。またＳＯＩウェーハの代表的な製造方法の一つに、貼合せ法がある。この貼合せ法は、支持基板及び活性層用基板の少なくとも一方に絶縁層を形成し、次いで、これらの基板を、酸化膜を介して重ね合わせた後、１２００℃程度の高温にて接合熱処理を施すことにより、ＳＯＩウェーハを製造する方法である。
近年、ＳＯＩウェーハは、ＭＥＭＳデバイスの１種である加速度センサなどへ使用することが注目されている。このような用途においては、絶縁層を数μｍ以上と比較的厚く形成してから、形成した絶縁層部分をエッチングしてキャビティを形成することで、当該キャビティをセンサの動作領域として用いることが試みられている。
しかしながら、特許文献１の熱酸化法による酸化膜形成では、酸化膜の膜厚を厚くするのに長時間を要する。熱酸化法では、例えば５μｍ～１０μｍの酸化膜を形成するのに２週間以上要し、生産性が低い。一方、特許文献２に記載のＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法を利用すれば厚膜のシリコン酸化膜を高い生産性で得ることは可能である。しかしながら本発明者が検討したところ、ＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜は熱酸化法で形成した場合に比べて密度が低いために、ＳＯＩウェーハをＭＥＭＳデバイス用途などで使用した場合に十分にリーク電流を低減できず、改善の余地があることが判明した。
そこで本発明は、上記課題に鑑み、リーク電流を熱酸化膜法で形成した場合と同程度に低減可能であり、かつ、生産性に優れたＳＯＩウェーハの製造方法及びそれにより得られるＳＯＩウェーハの提供を目的とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく検討したところ、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成した後、シリコン酸化膜緻密化熱処理を行うことで上記課題を解決できることを見出した。本発明は、上記知見に基づいて完成されたものであり、その要旨構成は以下のとおりである。
（１）支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの少なくとも一方の表面上に、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜を介して前記支持基板シリコンウェーハと前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、
窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気下で前記シリコン酸化膜に熱処理を施して前記シリコン酸化膜中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を更に含むことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
前記シリコン酸化膜を介して前記支持基板シリコンウェーハと前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、
窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気下で前記シリコン酸化膜に熱処理を施して前記シリコン酸化膜中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を更に含むことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
（２）前記シリコン酸化膜緻密化熱処理工程において、５００℃以上１０００℃未満、１０分以上１時間以下の熱処理を施す、前記（１）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（３）前記接合工程の後、１０００℃以上１２００℃未満で１分以上１０分未満の熱処理を施す、前記（１）又は（２）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（４）前記シリコン酸化膜形成工程において、形成するシリコン酸化膜の厚みの合計が５μｍ以上５０μｍ以下である、前記（１）～（３）のいずれかに記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（５）前記シリコン酸化膜緻密化熱処理工程における熱処理温度が７００℃以上９００℃未満である、前記（１）～（４）のいずれかに記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（６）前記シリコン酸化膜形成工程の後、前記接合工程に先立ち、前記シリコン酸化膜の表面粗さを低減する研磨工程を含む、前記（１）～（５）のいずれかに記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（７）前記シリコン酸化膜形成工程において、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハのいずれか一方の表面上にのみシリコン酸化膜を形成する、前記（１）～（６）のいずれかに記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（８）前記シリコン酸化膜形成工程の後に、前記シリコン酸化膜を形成した方と他方のシリコンウェーハの表面に、真空常温下で、イオンビーム又は中性原子ビームを照射する活性化処理を施して活性化面を形成する活性化処理工程を含み、前記接合工程では、前記活性化処理工程に引き続く前記真空常温下で、前記活性化面を介して前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる、
前記（７）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
前記（７）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（９）前記接合工程において、接合面となるそれぞれの表面に対してプラズマ雰囲気下でイオンを照射した後、両接合面を接触させて接合する、前記（７）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（１０）前記シリコン酸化膜形成工程において、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハの両方の表面上に前記シリコン酸化膜を形成する、前記（１）～（６）のいずれかに記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（１１）前記シリコン酸化膜形成工程の後に、真空常温下でシリコンターゲット材をスパッタリングして前記支持基板シリコンウェーハの表面上のシリコン酸化膜、若しくは前記活性層用シリコンウェーハの表面上のシリコン酸化膜、又は前記活性層用シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハの両方の表面上のシリコン酸化膜上にアモルファスシリコンを成膜（堆積）させるアモルファス層形成工程を含み、前記接合工程では、前記アモルファス層形成工程に引き続く前記真空常温下で、前記アモルファス層を介して前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる、
前記（１０）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
前記（１０）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（１２）前記接合工程において、接合面となるそれぞれの表面に対してプラズマ雰囲気下でイオンを照射した後、両接合面を接触させて接合する、前記（１０）に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
（１３）支持基板シリコンウェーハと、前記支持基板シリコンウェーハ上の単結晶シリコンからなる活性層と、前記支持基板シリコンウェーハと前記活性層との間に設けられたシリコン酸化膜とを有するＳＯＩウェーハであって、前記シリコン酸化膜が下記（ｉ）、（ｉｉ）：
（ｉ）ＫＦＭ評価において測定端子と前記シリコン酸化膜とを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の距離で変調電圧を３Ｖ印加した際に表面電位が５ｍＶ以下、かつ、
（ｉｉ）ＸＲＲ評価において測定される前記シリコン酸化膜の密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上、を満足する、ＳＯＩウェーハ。
（ｉ）ＫＦＭ評価において測定端子と前記シリコン酸化膜とを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の距離で変調電圧を３Ｖ印加した際に表面電位が５ｍＶ以下、かつ、
（ｉｉ）ＸＲＲ評価において測定される前記シリコン酸化膜の密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上、を満足する、ＳＯＩウェーハ。
（１４）前記シリコン酸化膜の厚みが５μｍ以上５０μｍ以下である、前記（１３）に記載のＳＯＩウェーハ。
（１５）判定電流を１×１０－４Ａ／ｃｍ２とした条件でのＴＺＤＢ測定の結果が８.０ＭＶ／ｃｍ以上である、前記（１３）又は（１４）に記載のＳＯＩウェーハ。
（１６）前記活性層は、抵抗率が０．００１０Ωｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下であり、かつ前記支持基板の抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上１０００００Ω・ｃｍ以下である、前記（１３）～（１５）のいずれかに記載のＳＯＩウェーハ。
本発明によれば、リーク電流を熱酸化膜法で形成した場合と同程度に低減可能であり、かつ、生産性に優れたＳＯＩウェーハの製造方法及びそれにより得られるＳＯＩウェーハを提供することができる。
（ＳＯＩウェーハの製造方法）
以下、図面を参照しつつ、本発明に従うＳＯＩウェーハを製造する方法の実施形態を詳細に説明する。なお、同一の構成要素には原則として数字下二桁で同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。また、図１～図５では図面の簡略化のため、各構成の厚さについて、実際の厚さの割合と異なり誇張して示す。本発明に従うＳＯＩウェーハの製造方法は、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの少なくとも一方の表面上に、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、当該シリコン酸化膜を介して支持基板シリコンウェーハと活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、を少なくとも含む。さらに、この製造方法において、窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気下で前記シリコン酸化膜に熱処理を施して前記シリコン酸化膜中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を少なくとも行う。以下、実施形態ごとに本発明の各構成及び各工程の詳細を説明する。
以下、図面を参照しつつ、本発明に従うＳＯＩウェーハを製造する方法の実施形態を詳細に説明する。なお、同一の構成要素には原則として数字下二桁で同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。また、図１～図５では図面の簡略化のため、各構成の厚さについて、実際の厚さの割合と異なり誇張して示す。本発明に従うＳＯＩウェーハの製造方法は、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの少なくとも一方の表面上に、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、当該シリコン酸化膜を介して支持基板シリコンウェーハと活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、を少なくとも含む。さらに、この製造方法において、窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気下で前記シリコン酸化膜に熱処理を施して前記シリコン酸化膜中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を少なくとも行う。以下、実施形態ごとに本発明の各構成及び各工程の詳細を説明する。
（第１の実施形態）
本実施形態では、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのいずれか一方の表面上にのみシリコン酸化膜を形成する。一例として図１では、支持基板シリコンウェーハ１１０の表面にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１１２を形成し、さらにシリコン酸化膜１１２を緻密化する熱処理を施す場合を図示した。その後、支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０との間にシリコン酸化膜１１２が位置するように、真空常温接合法により支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０とを貼り合わせる。その後、活性層用シリコンウェーハ１２０を減厚して活性層１２５とし、ＳＯＩウェーハ１００を得る。以下、第１の実施形態における各工程の詳細を順次説明する。
本実施形態では、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのいずれか一方の表面上にのみシリコン酸化膜を形成する。一例として図１では、支持基板シリコンウェーハ１１０の表面にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１１２を形成し、さらにシリコン酸化膜１１２を緻密化する熱処理を施す場合を図示した。その後、支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０との間にシリコン酸化膜１１２が位置するように、真空常温接合法により支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０とを貼り合わせる。その後、活性層用シリコンウェーハ１２０を減厚して活性層１２５とし、ＳＯＩウェーハ１００を得る。以下、第１の実施形態における各工程の詳細を順次説明する。
＜シリコンウェーハ＞
支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０は、チョクラルスキ法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）により育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。
支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０は、チョクラルスキ法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）により育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。
支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０の導電型は任意であり、ｐ型にするためには例えばボロン（Ｂ）をドーパントに用いればよいし、ｎ型にするためには例えばリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等を用いればよい。また、用途に応じてウェーハの厚さを研削及び研磨等により薄くしてもよい。その場合、ウェーハの厚さは２００μｍ以上であることがより好ましく、３００μｍ以上であることがさらに好ましい。ウェーハの厚さの上限は特に制限されない。なお、例えば直径３００ｍｍのウェーハであればその厚さ７７５μｍ±２５μｍが一般的である。
＜シリコン酸化膜形成工程＞
次に、プラズマＣＶＤ法などの成膜（堆積）法を用いて、支持基板シリコンウェーハ１１０の表面上に酸化シリコンからなる絶縁層としてのシリコン酸化膜１１２を形成する。加速度センサなどでの使用を想定する場合、シリコン酸化膜１１２の厚さは５μｍ～５０μｍとすることが好ましい。原料ガスとしては特に限定されないが、シラン系（ＳｉＨ４）ガスと酸素ガスを混入する場合、またＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを用いる場合などを挙げることができる。なお図示しないが、ＣＶＤ法により形成される酸化膜の表面を平坦にするため、形成したシリコン酸化膜１１２の表面を、片面研磨装置などを用いてＣＭＰ（chemical mechanical polishing）研磨を行うことも好ましい。ここで、研磨後の表面粗さＲａを３ｎｍ未満とすることが好ましい。
次に、プラズマＣＶＤ法などの成膜（堆積）法を用いて、支持基板シリコンウェーハ１１０の表面上に酸化シリコンからなる絶縁層としてのシリコン酸化膜１１２を形成する。加速度センサなどでの使用を想定する場合、シリコン酸化膜１１２の厚さは５μｍ～５０μｍとすることが好ましい。原料ガスとしては特に限定されないが、シラン系（ＳｉＨ４）ガスと酸素ガスを混入する場合、またＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを用いる場合などを挙げることができる。なお図示しないが、ＣＶＤ法により形成される酸化膜の表面を平坦にするため、形成したシリコン酸化膜１１２の表面を、片面研磨装置などを用いてＣＭＰ（chemical mechanical polishing）研磨を行うことも好ましい。ここで、研磨後の表面粗さＲａを３ｎｍ未満とすることが好ましい。
＜シリコン酸化膜緻密化熱処理工程＞
そして、シリコン酸化膜１１２が形成された支持基板シリコンウェーハ１１０を熱処理炉内に導入し、窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気の下で、シリコン酸化膜１１２中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を行う。処理温度を５００℃～１０００℃、処理時間は１０分～６０分としてシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施することが好ましい。熱処理を施すことで、シリコン酸化膜中に存在する不完全な結合状態のシリコンが酸素と結合してシリコン酸化膜１１２中のＳｉＯ２の比率が増加することによりシリコン酸化膜１１２が緻密化される。なお、図１ではこのシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を後述する接合工程の前に図示したが、接合工程の後に行ってもよい。
そして、シリコン酸化膜１１２が形成された支持基板シリコンウェーハ１１０を熱処理炉内に導入し、窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気の下で、シリコン酸化膜１１２中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を行う。処理温度を５００℃～１０００℃、処理時間は１０分～６０分としてシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施することが好ましい。熱処理を施すことで、シリコン酸化膜中に存在する不完全な結合状態のシリコンが酸素と結合してシリコン酸化膜１１２中のＳｉＯ２の比率が増加することによりシリコン酸化膜１１２が緻密化される。なお、図１ではこのシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を後述する接合工程の前に図示したが、接合工程の後に行ってもよい。
＜接合工程＞
真空常温下で支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０とをシリコン酸化膜１１２を介して接合する。
真空常温下で支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０とをシリコン酸化膜１１２を介して接合する。
―真空常温接合法―
図１及び図２を参照しつつ、真空常温接合法による接合を説明する。真空常温接合法とは、真空下で支持基板シリコンウェーハ１１０と、活性層用シリコンウェーハ１２０とを加熱することなく常温で貼り合わせる方法である。
図１及び図２を参照しつつ、真空常温接合法による接合を説明する。真空常温接合法とは、真空下で支持基板シリコンウェーハ１１０と、活性層用シリコンウェーハ１２０とを加熱することなく常温で貼り合わせる方法である。
＜＜活性化処理工程＞＞
本実施形態においては、活性層用シリコンウェーハ１２０の表面に、真空常温下でイオンビーム又は中性原子ビーム９１０を照射する活性化処理をして、上記活性層用シリコンウェーハ１２０の表面を活性化面１２０Ａとする。活性化処理の方法は、プラズマ雰囲気でイオン化した元素を基板表面へ加速させる方法と、イオンビーム装置から加速したイオン化した元素を基板表面へ加速させる方法が挙げられる。図２を参照しつつ、この方法を実現する装置の一例を示す概念図を用いて活性化処理方法を説明する。真空常温接合装置９３０は、プラズマチャンバー９３１と、ガス導入口９３２と、真空ポンプ９３３と、パルス電圧印加装置９３４と、ウェーハ固定台９３５ａ，９３５ｂと、を有する。
本実施形態においては、活性層用シリコンウェーハ１２０の表面に、真空常温下でイオンビーム又は中性原子ビーム９１０を照射する活性化処理をして、上記活性層用シリコンウェーハ１２０の表面を活性化面１２０Ａとする。活性化処理の方法は、プラズマ雰囲気でイオン化した元素を基板表面へ加速させる方法と、イオンビーム装置から加速したイオン化した元素を基板表面へ加速させる方法が挙げられる。図２を参照しつつ、この方法を実現する装置の一例を示す概念図を用いて活性化処理方法を説明する。真空常温接合装置９３０は、プラズマチャンバー９３１と、ガス導入口９３２と、真空ポンプ９３３と、パルス電圧印加装置９３４と、ウェーハ固定台９３５ａ，９３５ｂと、を有する。
まず、プラズマチャンバー９３１内のウェーハ固定台９３５ａ，９３５ｂにそれぞれ支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０を載置して、固定する。次に、真空ポンプ９３３によりプラズマチャンバー９３１内を減圧し、ついで、ガス導入口９３２からプラズマチャンバー９３１内に原料ガスを導入する。続いて、パルス電圧印加装置９３４によりウェーハ固定台９３５ａ，９３５ｂ（併せて支持基板シリコンウェーハ１１０，活性層用シリコンウェーハ１２０）に負電圧をパルス状に印加する。これにより、原料ガスのプラズマを生成するとともに、生成したプラズマに含まれる原料ガスのイオンを活性層用シリコンウェーハ１２０の表面に向けて加速、照射することができる。そして、この活性化処理によりスパッタリングされたシリコン原子を支持基板シリコンウェーハ１１０の表面に形成したシリコン酸化膜１１２の表面に成膜（堆積）させてアモルファスシリコン層（図面の簡略化のため図示せず）を形成することができる。
なお、照射する元素は、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｈ、Ｈｅ及びＳｉから選択される少なくとも一種から選択すればよい。活性化面にはシリコン原子同士が結合するためのダングリングボンド（結合の手）が現れる。その際、活性層用シリコンウェーハからスパッタリングされたシリコン原子は、ダングリングボンドが未結合の状態で支持基板シリコンウェーハ１１０のシリコン酸化膜１１２上に吸着して、シリコン酸化膜表面のダングリングボンドと結合することにより、シリコン酸化膜表面を活性化して、支持基板シリコンウェーハのシリコン酸化膜１１０の表面を活性化面１１０Ａとする。この活性化処理工程において、支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０は加熱されず、その温度は常温（通常、３０℃～９０℃）となり、続く接合工程においても常温が維持される。
＜＜貼り合わせ工程＞＞
そして、引き続き真空常温下で上記両方の活性化面を接触させると、支持基板シリコンウェーハ１１０に形成されたシリコン酸化膜上に吸着したシリコン原子のダングリングボンドと、活性化した活性層用シリコンウェーハ表面のダングリングボンドとが結合する。瞬時に接合力が働き、上記活性化面１１０Ａ，１２０Ａを貼合せ面として、支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０とをシリコン酸化膜１１２を介して強固に接合できる。
そして、引き続き真空常温下で上記両方の活性化面を接触させると、支持基板シリコンウェーハ１１０に形成されたシリコン酸化膜上に吸着したシリコン原子のダングリングボンドと、活性化した活性層用シリコンウェーハ表面のダングリングボンドとが結合する。瞬時に接合力が働き、上記活性化面１１０Ａ，１２０Ａを貼合せ面として、支持基板シリコンウェーハ１１０と活性層用シリコンウェーハ１２０とをシリコン酸化膜１１２を介して強固に接合できる。
＜減厚工程＞
上記両方の活性化面１１０Ａ、１２０Ａを貼合せ面として支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０を接合した後、減厚工程を行ってもよい。減厚工程において、活性層用シリコンウェーハ１２０を減厚して活性層１２５を得ることができる。こうして、ＳＯＩウェーハ１００を得ることができる。なお、減厚工程において公知又は任意の化学エッチング、研削及び研磨法を好適に用いることができ、具体的には平面研削及び鏡面研磨法が挙げられる。また、接合工程前に活性層用シリコンウェーハ１２０に剥離目的で水素イオンなどを注入しておけば、本減厚工程において公知のスマートカット法を適用することもできる。
上記両方の活性化面１１０Ａ、１２０Ａを貼合せ面として支持基板シリコンウェーハ１１０及び活性層用シリコンウェーハ１２０を接合した後、減厚工程を行ってもよい。減厚工程において、活性層用シリコンウェーハ１２０を減厚して活性層１２５を得ることができる。こうして、ＳＯＩウェーハ１００を得ることができる。なお、減厚工程において公知又は任意の化学エッチング、研削及び研磨法を好適に用いることができ、具体的には平面研削及び鏡面研磨法が挙げられる。また、接合工程前に活性層用シリコンウェーハ１２０に剥離目的で水素イオンなどを注入しておけば、本減厚工程において公知のスマートカット法を適用することもできる。
なお、真空常温接合の後、接合強化のために窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガスの少なくとも１種以上を含むガス雰囲気下において、１０００℃以上１２００℃未満の温度で１分以上１０分未満の熱処理を実施することが好ましい。１分未満では接合強度向上が十分ではなく、１０分を超えた場合ではウェーハ周辺にスリップが発生する場合があるためである。
こうして得られるＳＯＩウェーハ１００は、支持基板シリコンウェーハ１１０と、支持基板シリコンウェーハ１１０表面に設けられたシリコン酸化膜１１２及びアモルファスシリコン層と、シリコン酸化膜１１２の表面に設けられた活性層１２５と、を有する。なお、前述のとおり図１では支持基板シリコンウェーハ１１０の表面のみにＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１１２を形成し、そのシリコン酸化膜を緻密化したが、活性層用シリコンウェーハ１２０の表面のみにＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成して、これを緻密化してもよい。この場合は、支持基板ウェーハを活性化することにより、活性層用ウェーハのシリコン酸化膜表面にアモルファスシリコン層が形成されることになる。
（第２の実施形態）
図３を参照して、本発明の第２の実施形態を説明する。本実施形態では、第１の実施形態と同様のシリコンウェーハを用いてＣＶＤ法により、支持基板シリコンウェーハ２１０と活性層用シリコンウェーハ２２０との両方の表面にシリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂを形成する点が第１の実施形態と異なる。シリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂを形成した後、真空常温接合を行う。ここで、本実施形態においては、接合面が両方ともシリコン酸化膜からなるため、これらを活性化処理するために、各表面にシリコン原子からなるアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜（堆積）させることが好ましいものの、片方のみにアモルファスシリコン層を設けてもよい。以下ではアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜（堆積）させる態様を説明する。
図３を参照して、本発明の第２の実施形態を説明する。本実施形態では、第１の実施形態と同様のシリコンウェーハを用いてＣＶＤ法により、支持基板シリコンウェーハ２１０と活性層用シリコンウェーハ２２０との両方の表面にシリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂを形成する点が第１の実施形態と異なる。シリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂを形成した後、真空常温接合を行う。ここで、本実施形態においては、接合面が両方ともシリコン酸化膜からなるため、これらを活性化処理するために、各表面にシリコン原子からなるアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜（堆積）させることが好ましいものの、片方のみにアモルファスシリコン層を設けてもよい。以下ではアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜（堆積）させる態様を説明する。
＜シリコン酸化膜形成工程＞
シリコン酸化膜形成工程において、プラズマＣＶＤ法などの成膜（堆積）法を用いて、支持基板シリコンウェーハ２１０及び活性層用シリコンウェーハ２２０の両方の表面上に酸化シリコンからなる絶縁層としての第１のシリコン酸化膜２１２ａ及び第２のシリコン酸化膜２１２ｂを形成する。この場合、片方のウェーハのみにシリコン酸化膜を形成する場合と比べて、ウェーハの片方の表面上のシリコン酸化膜の成膜（堆積）量（時間）が半分で済むため、より効率的にＳＯＩウェーハを作製することが可能となる。
シリコン酸化膜形成工程において、プラズマＣＶＤ法などの成膜（堆積）法を用いて、支持基板シリコンウェーハ２１０及び活性層用シリコンウェーハ２２０の両方の表面上に酸化シリコンからなる絶縁層としての第１のシリコン酸化膜２１２ａ及び第２のシリコン酸化膜２１２ｂを形成する。この場合、片方のウェーハのみにシリコン酸化膜を形成する場合と比べて、ウェーハの片方の表面上のシリコン酸化膜の成膜（堆積）量（時間）が半分で済むため、より効率的にＳＯＩウェーハを作製することが可能となる。
＜接合工程＞
そして、支持基板シリコンウェーハ２１０と活性層用シリコンウェーハ２２０とを、第１のシリコン酸化膜２１２ａ及び第２のシリコン酸化膜２１２ｂを介して真空常温下で接合するが、本実施形態においては、各シリコンウェーハの接合界面にアモルファスシリコン層２１８を予め形成する。すなちわ、第１のシリコン酸化膜２１２ａ及び第２のシリコン酸化膜２１２ｂがアモルファスシリコン層２１８を介して接合されることになる。
そして、支持基板シリコンウェーハ２１０と活性層用シリコンウェーハ２２０とを、第１のシリコン酸化膜２１２ａ及び第２のシリコン酸化膜２１２ｂを介して真空常温下で接合するが、本実施形態においては、各シリコンウェーハの接合界面にアモルファスシリコン層２１８を予め形成する。すなちわ、第１のシリコン酸化膜２１２ａ及び第２のシリコン酸化膜２１２ｂがアモルファスシリコン層２１８を介して接合されることになる。
＜＜シリコン酸化膜表面上へのスパッタによるシリコンの吸着＞＞
支持基板シリコンウェーハ２１０及び活性層用シリコンウェーハ２２０に形成したシリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂを活性化して活性化面２１０Ａ及び２２０Ａを形成するためには、図４に模式的に示すように真空常温下で、シリコンターゲット９２１をスパッタリングして支持基板シリコンウェーハ２１０のシリコン酸化膜２１２ａ及び活性層用シリコンウェーハ２２０のシリコン酸化膜２１２ｂの表面にアモルファスシリコンからなるアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜（堆積）させる。
支持基板シリコンウェーハ２１０及び活性層用シリコンウェーハ２２０に形成したシリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂを活性化して活性化面２１０Ａ及び２２０Ａを形成するためには、図４に模式的に示すように真空常温下で、シリコンターゲット９２１をスパッタリングして支持基板シリコンウェーハ２１０のシリコン酸化膜２１２ａ及び活性層用シリコンウェーハ２２０のシリコン酸化膜２１２ｂの表面にアモルファスシリコンからなるアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜（堆積）させる。
より具体的な態様としては、図４を参照してイオンガン９４０から、Ａｒなどの不活性元素をイオン化させたイオンビーム９４１をスパッタリングターゲットとなる密着層形成用シリコンターゲット９２１に照射する。密着層形成用シリコンターゲット９２１から、シリコンからなるスパッタ粒子９２０がスパッタリングされ、スパッタ粒子９２０がシリコン酸化膜２１２ａ及び２１２ｂの表面に吸着する。こうして、スパッタ粒子９２０に由来するシリコンを堆積して、アモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂを成膜することができる。成膜されたアモルファスシリコン層２１８ａの膜厚は１ｎｍ～５ｎｍ程度である。
活性化処理工程において、第１の実施形態と異なり、シリコン酸化膜２１２a及び２１２ｂをイオンビーム等で照射することにより支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの表面を活性化するのではなく、アモルファスシリコンからなるアモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂの成膜（堆積）により活性化面を形成する。これは、酸化シリコンからなるシリコン酸化膜２１２a及び２１２ｂをイオンビーム等で照射しても、両者が接合するのに十分なダングリングボンドが形成され難いためである。アモルファスシリコン層２１８ａ及び２１８ｂの表面は支持基板シリコンウェーハ２１０及び活性層用シリコンウェーハ２２０の活性化面２１０Ａ、２２０Ａとなり互いに接触させた際に十分なダングリングボンドが形成され、強固に接合される。
密着層形成用シリコンターゲット９２１にはシリコン単結晶を用いればよく、多結晶シリコン、アモルファスシリコンを用いても構わない。
＜減厚工程＞
減厚工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。
減厚工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。
なお、第１の実施形態と同様に真空常温接合の後、接合強化のために１０００℃以上１２００℃未満の熱処理をしてもよいが、１分以上１０分未満とすることが好ましい。
こうして得られるＳＯＩウェーハ２００は、支持基板シリコンウェーハ２１０と、支持基板シリコンウェーハ２１０表面に設けられた、非常に薄いアモルファスシリコン層２１８を含むシリコン酸化膜２１２と、シリコン酸化膜２１２の表面に設けられた活性層２２５と、を有する。なお、ここで絶縁層であるシリコン酸化膜２１２は非常に薄いアモルファスシリコン層２１８を含むが、このアモルファスシリコン層２１８は十分に薄いため、シリコン酸化膜２１２を絶縁層としてＳＯＩウェーハに用いることに何ら問題はない。
（第３の実施形態）
図５を参照して、本発明の第３の実施形態を説明する。本実施形態では、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成の後に、プラズマ活性処理による接合を行う。
図５を参照して、本発明の第３の実施形態を説明する。本実施形態では、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成の後に、プラズマ活性処理による接合を行う。
＜シリコン酸化膜形成工程＞
第１、第２の実施形態と同様にして行うことができる。本実施形態では、支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０の表面のいずれか一方、または両方の表面にシリコン酸化膜を形成すればよい。後者の方が生産性に優れることは、第２の実施形態において述べたとおりである。ただし説明の簡略のため、図５では支持基板シリコンウェーハ３１０にシリコン酸化膜を形成した。
第１、第２の実施形態と同様にして行うことができる。本実施形態では、支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０の表面のいずれか一方、または両方の表面にシリコン酸化膜を形成すればよい。後者の方が生産性に優れることは、第２の実施形態において述べたとおりである。ただし説明の簡略のため、図５では支持基板シリコンウェーハ３１０にシリコン酸化膜を形成した。
＜接合工程＞
支持基板シリコンウェーハ３１０と活性層用シリコンウェーハ３２０とを、シリコン酸化膜３１２を介して接合するが、本実施形態においては、各シリコンウェーハの接合界面に予めプラズマ活性処理を実施する。
支持基板シリコンウェーハ３１０と活性層用シリコンウェーハ３２０とを、シリコン酸化膜３１２を介して接合するが、本実施形態においては、各シリコンウェーハの接合界面に予めプラズマ活性処理を実施する。
＜＜プラズマ活性処理＞＞
第１の実施形態と同様のシリコンウェーハを用いて支持基板シリコンウェーハの表面上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜緻密化熱処理を施した後、支持基板シリコンウェーハ３１０の接合界面となるシリコン酸化膜３１２の表面と、活性層用ウェーハ３２０の接合界面となる表面とをＳＣ１洗浄することが好ましい。洗浄条件は、例えば５分～１５分間の洗浄を２～３回行うことができる。
第１の実施形態と同様のシリコンウェーハを用いて支持基板シリコンウェーハの表面上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜緻密化熱処理を施した後、支持基板シリコンウェーハ３１０の接合界面となるシリコン酸化膜３１２の表面と、活性層用ウェーハ３２０の接合界面となる表面とをＳＣ１洗浄することが好ましい。洗浄条件は、例えば５分～１５分間の洗浄を２～３回行うことができる。
その後、支持基板シリコンウェーハ３１０の接合界面となるシリコン酸化膜３１２の表面と、活性層用シリコンウェーハ３２０の接合界面となる表面とをプラズマ処理する。具体的には、真空チャンバ内に接合界面を上方に向けて支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０を載置する。その後、真空チャンバ内を酸素ガス（Ｏ３、Ｏ２）及び水素ガス雰囲気とし、チャンバ内でプラズマ化させた酸素イオンおよび水素イオンを両ウェーハの表面に照射した。これにより、支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０の接合界面はＯＨ基が増加して活性化して活性化面３１０Ａ及び３２０Ａとなる。高周波プラズマの出力としては例えば５０Ｗ～２００Ｗの高周波プラズマに１０秒間～１分間程度暴露すればよい。なお、支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０の上にシリコン酸化膜３１２及びシリコン酸化膜３２２をそれぞれに形成した場合は、シリコン酸化膜３１２及びシリコン酸化膜３２２のそれぞれの表面をプラズマ処理すればよい。
続いて、支持基板シリコンウェーハ３１０のシリコン酸化膜３１２の表面と活性層用シリコンウェーハ３２０の表面とを室温下で貼り合わせ、貼り合わせウェーハが形成される。上述したように、支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０の接合界面はＯＨ基が増加されて活性化面３１０Ａ及び３２０Ａとなっており、互いに接触させると、接合界面が水素結合により強固に接合される。ここで、貼り合わせウェーハに対して、酸素ガス雰囲気下において接合強化熱処理を行ってもよい。接合強化熱処理温度としては例えば、２００℃～５００℃の温度で、１０分～１時間程度熱処理することができる。接合強化熱処理を施すことにより、支持基板シリコンウェーハ３１０及び活性層用シリコンウェーハ３２０の貼り合わせ強度がさらに高められる。
＜減厚工程＞
減厚工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。
減厚工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。
（ＳＯＩウェーハ）
本発明の一実施形態に従うＳＯＩウェーハは、支持基板シリコンウェーハと、支持基板シリコンウェーハ上の単結晶シリコンからなる活性層と、支持基板シリコンウェーハと活性層との間に設けられたシリコン酸化膜とを備え、シリコン酸化膜は、（ｉ）ＫＦＭ評価において測定端子と当該シリコン酸化膜とを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の距離で変調電圧を３Ｖ印加した際に表面電位が５ｍＶ以下、かつ、（ｉｉ）ＸＲＲ評価において測定されるこのシリコン酸化膜の密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上、を満足する。以下、各構成の詳細を順次説明する。
本発明の一実施形態に従うＳＯＩウェーハは、支持基板シリコンウェーハと、支持基板シリコンウェーハ上の単結晶シリコンからなる活性層と、支持基板シリコンウェーハと活性層との間に設けられたシリコン酸化膜とを備え、シリコン酸化膜は、（ｉ）ＫＦＭ評価において測定端子と当該シリコン酸化膜とを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の距離で変調電圧を３Ｖ印加した際に表面電位が５ｍＶ以下、かつ、（ｉｉ）ＸＲＲ評価において測定されるこのシリコン酸化膜の密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上、を満足する。以下、各構成の詳細を順次説明する。
＜支持基板シリコンウェーハ及び活性層＞
支持基板及び活性層の導電型は任意であり、支持基板の厚さは２００μｍ以上であることがより好ましく、３００μｍ以上であることがさらに好ましい。活性層の厚さは特に制限されないが、例えば１０μｍの厚さが挙げられる。また、それぞれの抵抗率は活性層の抵抗率が０．００１０Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下であり、かつ支持基板の抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上１０００００Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
支持基板及び活性層の導電型は任意であり、支持基板の厚さは２００μｍ以上であることがより好ましく、３００μｍ以上であることがさらに好ましい。活性層の厚さは特に制限されないが、例えば１０μｍの厚さが挙げられる。また、それぞれの抵抗率は活性層の抵抗率が０．００１０Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下であり、かつ支持基板の抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上１０００００Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
＜シリコン酸化膜＞
支持基板シリコンウェーハの上に１００ｎｍの厚さで形成された場合に、ＫＦＭ評価において測定端子とこのシリコン酸化膜とを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の距離で変調電圧を３Ｖ印加した際に表面電位が５ｍＶ以下、かつ、ＸＲＲ評価において測定される密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上である。
支持基板シリコンウェーハの上に１００ｎｍの厚さで形成された場合に、ＫＦＭ評価において測定端子とこのシリコン酸化膜とを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の距離で変調電圧を３Ｖ印加した際に表面電位が５ｍＶ以下、かつ、ＸＲＲ評価において測定される密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上である。
ＳＯＩウェーハの各特性の評価に用いた測定方法について、以下順次説明する。
＜＜ＫＦＭ評価＞＞
シリコン酸化膜の表面電位の測定には、導電性のプローブを用いて、その探針と試料表面との間に電圧を印加し、試料表面の表面電位等を測定する顕微鏡として、ＫＦＭ（Ｋｅｌｖｉｎ Ｐｒｏｂｅ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いる。ここで、探針と試料表面との間に印加するバイアス電圧に３Ｖの変調電圧を加えた場合に、測定した表面電位が５ｍＶ以下であるとき、固定電荷が存在しないものと判断した。絶縁層であるシリコン酸化膜に固定電荷が存在しない事は、デバイス形成時にリーク電流をより低減することができることを意味する。
シリコン酸化膜の表面電位の測定には、導電性のプローブを用いて、その探針と試料表面との間に電圧を印加し、試料表面の表面電位等を測定する顕微鏡として、ＫＦＭ（Ｋｅｌｖｉｎ Ｐｒｏｂｅ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いる。ここで、探針と試料表面との間に印加するバイアス電圧に３Ｖの変調電圧を加えた場合に、測定した表面電位が５ｍＶ以下であるとき、固定電荷が存在しないものと判断した。絶縁層であるシリコン酸化膜に固定電荷が存在しない事は、デバイス形成時にリーク電流をより低減することができることを意味する。
＜＜ＸＲＲ評価＞＞
また、シリコン酸化膜の密度は、平坦な薄膜にＸ線を極浅い角度で入射させ、薄膜表面及び薄膜と基板の界面で反射したＸ線が互いに干渉する現象を利用して測定を行うＸＲＲ（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ：Ｘ線反射率）により求める。測定される密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上であることを判断基準とした。
また、シリコン酸化膜の密度は、平坦な薄膜にＸ線を極浅い角度で入射させ、薄膜表面及び薄膜と基板の界面で反射したＸ線が互いに干渉する現象を利用して測定を行うＸＲＲ（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ：Ｘ線反射率）により求める。測定される密度が、２．２ｇ／ｃｍ２以上であることを判断基準とした。
＜＜ＴＺＤＢ法＞＞
ＳＯＩウェーハに対して、判定電流を１×１０－４Ａ／ｃｍ２とし、ＴＺＤＢ（Time Zero Dielectric Breakdown）法を用いて測定する。具体的な測定法として、ホトリソ及びエッチング処理により酸化膜上の活性層を１．８ｍｍ四方の島状に加工して、この加工した島を電極とし、支持基板側を０（ゼロ）Ｖにした状態で、電極へ電圧を０Ｖから０．１Ｖステップで印加していき、測定した電流値を電極面積で割った単位面積辺りの電流値を判定電流とした。単位面積当たりの電流が１×１０－６Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＢモード、１×１０－４Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＣモードとした。評価にあたり、Ｃモードの値を絶縁破壊した値と判断し、８.０ＭＶ／ｃｍ以上であることが好ましい。判定電流及び印加電圧について説明するグラフを図６に示す。
ＳＯＩウェーハに対して、判定電流を１×１０－４Ａ／ｃｍ２とし、ＴＺＤＢ（Time Zero Dielectric Breakdown）法を用いて測定する。具体的な測定法として、ホトリソ及びエッチング処理により酸化膜上の活性層を１．８ｍｍ四方の島状に加工して、この加工した島を電極とし、支持基板側を０（ゼロ）Ｖにした状態で、電極へ電圧を０Ｖから０．１Ｖステップで印加していき、測定した電流値を電極面積で割った単位面積辺りの電流値を判定電流とした。単位面積当たりの電流が１×１０－６Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＢモード、１×１０－４Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＣモードとした。評価にあたり、Ｃモードの値を絶縁破壊した値と判断し、８.０ＭＶ／ｃｍ以上であることが好ましい。判定電流及び印加電圧について説明するグラフを図６に示す。
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。また、それぞれ実施例及び評価のための試料の作製条件については、各評価結果と共に表１～３にも一覧として示した。
（発明例１）
まず、支持基板及び活性層用基板として、ＣＺ単結晶から得たｐ－型シリコンウェーハ（直径：３００ｍｍ、厚み：７５０μｍ、ドーパント種類：ボロン、ドーパント濃度：１．３×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、抵抗率：１０Ω・ｃｍ）を用意した。そして支持基板シリコンウェーハの表面に、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を３００℃に維持した状態で、ＣＨ３ＳｉＨ３ガスを５５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを１１０ｓｃｃｍ流して、膜厚１０μｍのシリコン酸化膜を形成した。
まず、支持基板及び活性層用基板として、ＣＺ単結晶から得たｐ－型シリコンウェーハ（直径：３００ｍｍ、厚み：７５０μｍ、ドーパント種類：ボロン、ドーパント濃度：１．３×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、抵抗率：１０Ω・ｃｍ）を用意した。そして支持基板シリコンウェーハの表面に、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を３００℃に維持した状態で、ＣＨ３ＳｉＨ３ガスを５５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを１１０ｓｃｃｍ流して、膜厚１０μｍのシリコン酸化膜を形成した。
次いで、シリコン酸化膜を緻密化するため、シリコン酸化膜が形成された支持基板シリコンウェーハに対して、酸素ガス雰囲気下において９００℃の温度で１時間のシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施した。
次に、シリコン酸化膜の表面を、ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：２：７の容量比で調製した７５℃の温度のＳＣ１洗浄液に、１０分間浸漬した。これにより、シリコン酸化膜の表面の有機物及びパーティクルを除去した。
さらに、形成されたシリコン酸化膜の表面粗さを低減するために、シリコン酸化膜が形成された支持基板シリコンウェーハの酸化膜表面に対してＣＭＰ研磨を行った。
シリコン酸化膜が形成された支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、真空度を１×１０－５Ｐａ以下に保持した。そして、活性層用シリコンウェーハの表面に対し、アルゴンイオンを１．４ｋｅＶで照射して、活性層用シリコンウェーハの表面に活性化面を形成するとともに、アルゴンイオン照射によりスパッタリングされたシリコン原子を支持基板シリコンウェーハのシリコン酸化膜表面上に成膜（堆積）させてアモルファスシリコン層を形成した。その後、活性化面とアモルファスシリコン層とを接触させて両基板を真空常温環境下で接合し、接合ウェーハを製造した。
次いで、接合ウェーハを構成する活性層用シリコンウェーハの表面部を研削研磨して活性層用シリコンウェーハの厚みを１０μｍとして、発明例１に係るＳＯＩウェーハを作製した。
（発明例２）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例２に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例２に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（発明例３）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において９００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例３に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において９００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例３に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（発明例４）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例４に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例４に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（発明例５）
まず、発明例４と同様にしてＣＶＤ法により支持基板シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成し、熱処理を行ってシリコン酸化膜を緻密化し、次いでシリコン酸化膜の表面を７５℃の温度のＳＣ１洗浄液に、浸漬した。
まず、発明例４と同様にしてＣＶＤ法により支持基板シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成し、熱処理を行ってシリコン酸化膜を緻密化し、次いでシリコン酸化膜の表面を７５℃の温度のＳＣ１洗浄液に、浸漬した。
そして、シリコン酸化膜が形成された支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハを真空チャンバ内に、支持基板シリコンウェーハのシリコン酸化膜を形成した面と、活性層用ウェーハの接合界面となる表面とを上方に向けて載置し、酸素及び水素ガス雰囲気下において、１００Ｗ３０秒間の高周波プラズマを照射してそれぞれの表面にＯＨ基が形成された接合面を形成した。
続いて、支持基板シリコンウェーハのシリコン酸化膜の表面と活性層用シリコンウェーハの表面とを貼り合わせ面として、室温で貼り合わせた。さらにその後、貼り合わせ強度を高めるため、大気中において２００℃の温度で１時間の接合強化熱処理を施した。
次いで、貼り合わせた活性層用シリコンウェーハの表面部を研削研磨して活性層用シリコンウェーハの厚みを１０μｍとして、発明例５に係るＳＯＩウェーハを作製した。
（発明例６）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１０分に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例６に係るＳＯＩウェーハを作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１０分に変更した以外は、発明例１と同じ条件で発明例６に係るＳＯＩウェーハを作製した。
（発明例７）
まず、ＣＶＤ法により支持基板及び活性層用基板のそれぞれの表面に膜厚５μｍのシリコン酸化膜を形成した。また、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハそれぞれの表面上に形成したシリコン酸化膜同士を接合するため、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、真空度を１×１０－５Ｐａ以下に保持した後、シリコンターゲットをスパッタリングして、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのそれぞれの表面上のシリコン酸化膜にアモルファスシリコンからなるアモルファスシリコン層を成膜した。そして、それぞれシリコン酸化膜表面上に形成されたアモルファスシリコン層同士を接触させて両ウェーハを真空常温環境下で接合し、発明例７に係るＳＯＩウェーハを作製した。シリコン酸化膜の成膜・熱処理条件、シリコン酸化膜成膜後の洗浄・研磨条件、及び接合後の活性層用基板の研磨条件は発明例１と同じ条件とした。
まず、ＣＶＤ法により支持基板及び活性層用基板のそれぞれの表面に膜厚５μｍのシリコン酸化膜を形成した。また、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハそれぞれの表面上に形成したシリコン酸化膜同士を接合するため、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、真空度を１×１０－５Ｐａ以下に保持した後、シリコンターゲットをスパッタリングして、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのそれぞれの表面上のシリコン酸化膜にアモルファスシリコンからなるアモルファスシリコン層を成膜した。そして、それぞれシリコン酸化膜表面上に形成されたアモルファスシリコン層同士を接触させて両ウェーハを真空常温環境下で接合し、発明例７に係るＳＯＩウェーハを作製した。シリコン酸化膜の成膜・熱処理条件、シリコン酸化膜成膜後の洗浄・研磨条件、及び接合後の活性層用基板の研磨条件は発明例１と同じ条件とした。
（発明例８）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後に、さらに追加で１１００℃の温度で５分のシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施した。その他は、発明例１と同じ条件で発明例７に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後に、さらに追加で１１００℃の温度で５分のシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施した。その他は、発明例１と同じ条件で発明例７に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（従来例１）
まず、支持基板及び活性層用基板として、発明例１と同様のｐ－型シリコンウェーハを用意した。そして支持基板シリコンウェーハの表面に、熱酸化法により１１００℃で厚さ１０μｍのシリコン酸化膜を形成した。
まず、支持基板及び活性層用基板として、発明例１と同様のｐ－型シリコンウェーハを用意した。そして支持基板シリコンウェーハの表面に、熱酸化法により１１００℃で厚さ１０μｍのシリコン酸化膜を形成した。
次に、シリコン酸化膜の形成以降の工程については、シリコン酸化膜の緻密化のための熱処理をしなかった以外は発明品５と同様にしてプラズマ活性化処理により支持基板及び活性層用基板を接合した後、大気中において２００℃の温度で１時間の接合強化熱処理を施した。その後に研削研磨して、従来例１に係るＳＯＩウェーハを作製した。
（従来例２）
従来例１と同様にして熱酸化法により支持基板シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成した。
従来例１と同様にして熱酸化法により支持基板シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成した。
次に、シリコン酸化膜の形成以降の工程については、シリコン酸化膜の緻密化のための熱処理をしなかった以外は発明品１と同様にして真空常温接合により支持基板及び活性層用基板を接合した後、研削研磨して、従来例２に係るＳＯＩウェーハを作製した。
（比較例１）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を実施しなかった以外は、発明例１と同じ条件で比較例１に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を実施しなかった以外は、発明例１と同じ条件で比較例１に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例２）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例５と同じ条件で比較例２に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例５と同じ条件で比較例２に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例３）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例３に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例３に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例４）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例４に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例４に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例５）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例５に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例５に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例６）
シリコン酸化膜緻密化熱処理をアルゴンガス雰囲気下においてで５００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例６に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理をアルゴンガス雰囲気下においてで５００℃の温度で１時間に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例６に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例７）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で５分に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例７に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で５分に変更した以外は、発明例１と同じ条件で比較例７に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（比較例８）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後、さらに１１００℃の温度で１時間実施した以外は、発明例１と同じ条件で比較例８に係るＳＯＩウェーハを形成した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後、さらに１１００℃の温度で１時間実施した以外は、発明例１と同じ条件で比較例８に係るＳＯＩウェーハを形成した。
（ボイド及びエッチング特性について）
上記の要領で作製したＳＯＩウェーハについて、ボイドの有無の評価し、また活性層をホトリソ工程によりパターニングした後、水酸化カリウム溶液に含浸することにより、エッチングストップ層としての機能を評価した。さらに、フッ化水素酸によりシリコン酸化膜が選択的にエッチングできるかどうかを評価した。評価においては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）によるウェーハ断面観察を通してボイドの有無、活性層及びシリコン酸化膜の残厚を調べた。その結果、全てのサンプルにおいて１ｎｍ以上のサイズのボイドは発生せず、活性層のエッチングの際にすべてのサンプルのシリコン酸化膜はエッチングストップ層として機能し、シリコン酸化膜のエッチングに対しては、全てのサンプルのシリコン酸化膜はエッチングされた。結果を表１に示す。
上記の要領で作製したＳＯＩウェーハについて、ボイドの有無の評価し、また活性層をホトリソ工程によりパターニングした後、水酸化カリウム溶液に含浸することにより、エッチングストップ層としての機能を評価した。さらに、フッ化水素酸によりシリコン酸化膜が選択的にエッチングできるかどうかを評価した。評価においては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）によるウェーハ断面観察を通してボイドの有無、活性層及びシリコン酸化膜の残厚を調べた。その結果、全てのサンプルにおいて１ｎｍ以上のサイズのボイドは発生せず、活性層のエッチングの際にすべてのサンプルのシリコン酸化膜はエッチングストップ層として機能し、シリコン酸化膜のエッチングに対しては、全てのサンプルのシリコン酸化膜はエッチングされた。結果を表１に示す。
［評価用実験］
（実験概要）
次に、ＳＯＩウェーハに対してＴＺＤＢ測定（評価１）を行い、ＳＯＩウェーハの酸化膜の絶縁耐圧特性の評価を行った。ＴＺＤＢを評価するために、シリコン酸化膜の膜厚を１００ｎｍとした以外は、上記実施例と同一条件でＳＯＩウェーハを製造した。また、緻密化処理したシリコン酸化膜の物性評価のため、シリコン酸化膜の膜厚を同じく１００ｎｍと薄く成膜しシリコン酸化膜を露出させた状態の試料１～１６を作製しＸＲＲの評価（評価２）を行い、またそれとは別にシリコン酸化膜の固定電荷の評価としてＫＦＭ評価（評価３）を行った。実験には、実施例と同様にＣＺ単結晶から得たｐ－型シリコンウェーハを支持基板シリコンウェーハとして用いた。
（実験概要）
次に、ＳＯＩウェーハに対してＴＺＤＢ測定（評価１）を行い、ＳＯＩウェーハの酸化膜の絶縁耐圧特性の評価を行った。ＴＺＤＢを評価するために、シリコン酸化膜の膜厚を１００ｎｍとした以外は、上記実施例と同一条件でＳＯＩウェーハを製造した。また、緻密化処理したシリコン酸化膜の物性評価のため、シリコン酸化膜の膜厚を同じく１００ｎｍと薄く成膜しシリコン酸化膜を露出させた状態の試料１～１６を作製しＸＲＲの評価（評価２）を行い、またそれとは別にシリコン酸化膜の固定電荷の評価としてＫＦＭ評価（評価３）を行った。実験には、実施例と同様にＣＺ単結晶から得たｐ－型シリコンウェーハを支持基板シリコンウェーハとして用いた。
（評価１：ＴＺＤＢ測定）
発明例１～８、従来例１、２及び比較例１～８に係るＳＯＩウェーハについて、活性層へ電極を形成し、ＴＺＤＢ（タイムゼロ絶縁破壊：Time Zero Dielectric Breakdown）測定を行い、図６で説明するとおり、単位面積当たりの電流が１×１０－６Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＢモード、１×１０－４Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＣモードとした。評価にあたり、Ｃモードの値を絶縁破壊した値と判断し、そのときの絶縁耐圧特性を求めた。結果を表２に示す。
発明例１～８、従来例１、２及び比較例１～８に係るＳＯＩウェーハについて、活性層へ電極を形成し、ＴＺＤＢ（タイムゼロ絶縁破壊：Time Zero Dielectric Breakdown）測定を行い、図６で説明するとおり、単位面積当たりの電流が１×１０－６Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＢモード、１×１０－４Ａ／ｃｍ２を流れた場合をＣモードとした。評価にあたり、Ｃモードの値を絶縁破壊した値と判断し、そのときの絶縁耐圧特性を求めた。結果を表２に示す。
こうして得られた本発明に従うシリコン酸化膜の緻密化熱処理を実施したＳＯＩウェーハの絶縁耐圧はＣモードにおいて耐圧電圧が８.０ＭＶ／ｃｍ以上であり、熱酸化法によりシリコン酸化膜を形成したＳＯＩウェーハと同等の結果が得られることがわかった。これは、ＣＶＤ法により形成した酸化膜においても緻密化熱処理を施したことにより、緻密で膜質の良いシリコン酸化膜を形成することができ、絶縁耐圧特性が向上したためと考えられる。
［実験例］
（試料１）
支持基板シリコンウェーハの表面に、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を３００℃に維持した状態で、ＣＨ３ＳｉＨ３ガスを５５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを１１０ｓｃｃｍ流して、膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜を形成した。
（試料１）
支持基板シリコンウェーハの表面に、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を３００℃に維持した状態で、ＣＨ３ＳｉＨ３ガスを５５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを１１０ｓｃｃｍ流して、膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜を形成した。
次いで、シリコン酸化膜を緻密化するため、酸素ガス雰囲気下において９００℃の温度で１時間のシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施し、発明例１に対応する評価用試料１を作製した。
（試料２）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例２に対応する評価用試料２を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例２に対応する評価用試料２を作製した。
（試料３）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において９００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例３に対応する評価用試料３を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において９００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例３に対応する評価用試料３を作製した。
（試料４）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例４、５に対応する評価用試料４を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例４、５に対応する評価用試料４を作製した。
（試料５）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１０分に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例６に対応する評価用試料５を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１０分に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例６に対応する評価用試料５を作製した。
（試料６）
支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのそれぞれの表面に、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を３００℃に維持した状態で、ＣＨ３ＳｉＨ３ガスを５５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを１１０ｓｃｃｍ流して、膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜をそれぞれの面に形成した。また、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの表面に活性化面を形成するために、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、真空度を１×１０－５Ｐａ以下に保持した後、シリコンターゲットをスパッタリングして、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのそれぞれの表面上のシリコン酸化膜にアモルファスシリコンからなるアモルファス層を成膜した。そして、両基板を真空常温環境下で接合した。そして、活性層用シリコンウェーハの表面を研削研磨して最後にウェットエッチングを行い、支持基板シリコンウェーハ上にＣＶＤ法により形成した膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜だけ残した。
支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのそれぞれの表面に、プラズマＣＶＤ法により、基板温度を３００℃に維持した状態で、ＣＨ３ＳｉＨ３ガスを５５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを１１０ｓｃｃｍ流して、膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜をそれぞれの面に形成した。また、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの表面に活性化面を形成するために、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、真空度を１×１０－５Ｐａ以下に保持した後、シリコンターゲットをスパッタリングして、支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハのそれぞれの表面上のシリコン酸化膜にアモルファスシリコンからなるアモルファス層を成膜した。そして、両基板を真空常温環境下で接合した。そして、活性層用シリコンウェーハの表面を研削研磨して最後にウェットエッチングを行い、支持基板シリコンウェーハ上にＣＶＤ法により形成した膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜だけ残した。
次いで、試料１と同じ条件でシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施し、発明例７に対応する評価用試料６を作製した。
（試料７）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後に、さらに追加で１１００℃の温度で５分のシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例８に対応する評価用試料７を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後に、さらに追加で１１００℃の温度で５分のシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、発明例８に対応する評価用試料７を作製した。
（試料８）
試料１で用いたものと同じ支持基板シリコンウェーハを用意し、さらに、熱酸化法により１１００℃で厚さ１００ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、従来例１、２に対応する評価用試料８を作製した。
試料１で用いたものと同じ支持基板シリコンウェーハを用意し、さらに、熱酸化法により１１００℃で厚さ１００ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、従来例１、２に対応する評価用試料８を作製した。
（試料９）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を実施しなかった以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例１に対応する評価用試料９を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を実施しなかった以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例１に対応する評価用試料９を作製した。
（試料１０）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例２に対応する評価用試料１０を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例２に対応する評価用試料１０を作製した。
（試料１１）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例３に対応する評価用試料１１を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において３００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例３に対応する評価用試料１１を作製した。
（試料１２）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例４に対応する評価用試料１２を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例４に対応する評価用試料１２を作製した。
（試料１３）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例５に対応する評価用試料１３を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を窒素ガス雰囲気下において１１００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例５に対応する評価用試料１３を作製した。
（試料１４）
シリコン酸化膜緻密化熱処理をアルゴンガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例６に対応する評価用試料１４を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理をアルゴンガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例６に対応する評価用試料１４を作製した。
（試料１５）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で５分に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例７に対応する評価用試料１５を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で５分に変更した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例７に対応する評価用試料１５を作製した。
（試料１６）
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後、さらに１１００℃の温度で１時間実施した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例８に対応する評価用試料１６を作製した。
シリコン酸化膜緻密化熱処理を酸素ガス雰囲気下において５００℃の温度で１時間実施した後、さらに１１００℃の温度で１時間実施した以外は、試料１と同じ条件で支持基板上にシリコン酸化膜を形成し、比較例８に対応する評価用試料１６を作製した。
（評価２：ＸＲＲ評価）
発明例１～８、従来例１、２及び比較例１～８のそれぞれのシリコン酸化膜を評価するにあたり、試料１～１６のシリコン酸化膜の表面に対して、ＸＲＲを評価することにより、シリコン酸化膜の密度を評価した。発明例１～８に対応する試料１～７は２．２ｇ／ｃｍ３以上あることがわかる。ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜は緻密化のための熱処理を実施する事で、熱酸化法で形成したシリコン酸化膜と同程度に緻密化できることが確認できた。また、比較例６及び７に対応する試料１４及び１５においてシリコン酸化膜の密度が低いのは、比較例６においてはアルゴンガス雰囲気下においてシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施したこと、比較例７においては熱処理時間が短いことにより、十分にシリコン酸化膜と酸素との反応が進まなかったためと考えられる。同様にして、酸素との結合という観点から、比較例８対応する試料１６においては、熱処理温度が高すぎて、結合した酸素がシリコン酸化膜から解離したため、酸化膜の密度が低くなってしまったものと考えられる。評価結果を表３に示す。
発明例１～８、従来例１、２及び比較例１～８のそれぞれのシリコン酸化膜を評価するにあたり、試料１～１６のシリコン酸化膜の表面に対して、ＸＲＲを評価することにより、シリコン酸化膜の密度を評価した。発明例１～８に対応する試料１～７は２．２ｇ／ｃｍ３以上あることがわかる。ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜は緻密化のための熱処理を実施する事で、熱酸化法で形成したシリコン酸化膜と同程度に緻密化できることが確認できた。また、比較例６及び７に対応する試料１４及び１５においてシリコン酸化膜の密度が低いのは、比較例６においてはアルゴンガス雰囲気下においてシリコン酸化膜緻密化熱処理を実施したこと、比較例７においては熱処理時間が短いことにより、十分にシリコン酸化膜と酸素との反応が進まなかったためと考えられる。同様にして、酸素との結合という観点から、比較例８対応する試料１６においては、熱処理温度が高すぎて、結合した酸素がシリコン酸化膜から解離したため、酸化膜の密度が低くなってしまったものと考えられる。評価結果を表３に示す。
（評価３：ＫＦＭ評価）
また、同様にして試料１～８のそれぞれのシリコン酸化膜表面に対して、ＫＦＭ法を用いてシリコン酸化膜の表面電位を測定することにより、発明例１～８、従来例１、２のそれぞれのシリコン酸化膜に存在する固定電荷の有無を評価した。この結果から、これまでＴＺＤＢ評価やＸＲＲ評価においては同等の評価結果であった、熱酸化法により形成したシリコン酸化膜による従来例と、ＣＶＤ法により形成した後熱処理を施したシリコン酸化膜による発明例とにおいて、発明例のみ、シリコン酸化膜の表面電位が５ｍＶ以下となり、固定電荷が存在しないことがわかった。その結果を併せて表３に示し、測定時の表面電位プロファイルを図７に示す。
また、同様にして試料１～８のそれぞれのシリコン酸化膜表面に対して、ＫＦＭ法を用いてシリコン酸化膜の表面電位を測定することにより、発明例１～８、従来例１、２のそれぞれのシリコン酸化膜に存在する固定電荷の有無を評価した。この結果から、これまでＴＺＤＢ評価やＸＲＲ評価においては同等の評価結果であった、熱酸化法により形成したシリコン酸化膜による従来例と、ＣＶＤ法により形成した後熱処理を施したシリコン酸化膜による発明例とにおいて、発明例のみ、シリコン酸化膜の表面電位が５ｍＶ以下となり、固定電荷が存在しないことがわかった。その結果を併せて表３に示し、測定時の表面電位プロファイルを図７に示す。
これは、熱酸化法ではシリコン酸化膜を形成する過程で、酸化膜から支持基板に酸素が拡散することにより、支持基板シリコンウェーハとシリコン酸化膜との界面近傍に、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）となる正電荷にチャージされた固定電荷をもつシリコン酸化膜が形成されることによるものと考えられる。なお、酸化膜の固定電荷は酸化膜上に形成するシリコン層へ影響がおよび、酸化膜上のシリコン層にＣＭＯＳ回路が形成されるため、固定電荷が小さいとＣＭＯＳ回路に用いたときにリーク電流をより低減することができる。
本発明によれば、十分な厚みの絶縁層を有し、かつデバイスとして用いた場合にリーク電流を低減することができるＳＯＩウェーハの製造方法及びこの製造方法により作製されるＳＯＩウェーハを提供することができる。
１００，２００，３００ ＳＯＩウェーハ
１１２，２１２，３１２ シリコン酸化膜
１２５，２２５，３２５ 活性層
２１８ アモルファスシリコン層
１１０，２１０，３１０ 支持基板シリコンウェーハ
１２０，２２０，３２０ 活性層用シリコンウェーハ
１１２，２１２，３１２ シリコン酸化膜
１２５，２２５，３２５ 活性層
２１８ アモルファスシリコン層
１１０，２１０，３１０ 支持基板シリコンウェーハ
１２０，２２０，３２０ 活性層用シリコンウェーハ
Claims (11)
- 支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの少なくとも一方の表面上に、ＣＶＤ法を用いて厚さ５μｍ以上５０μｍ以下のシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜を介して前記支持基板シリコンウェーハと前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、を含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、
窒素、酸素又はそれらの混合雰囲気下で前記シリコン酸化膜に熱処理を施して前記シリコン酸化膜中のＳｉＯ２結合密度を増加させるシリコン酸化膜緻密化熱処理工程を更に含み、
前記シリコン酸化膜形成工程の後、前記接合工程に先立ち、前記シリコン酸化膜の表面粗さＲａを３ｎｍ未満となるまで低減する研磨工程を含むことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 - 前記シリコン酸化膜緻密化熱処理工程において、５００℃以上１０００℃未満、１０分以上１時間以下の熱処理を施す、請求項１に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記接合工程の後、１０００℃以上１２００℃未満で１分以上１０分未満の熱処理を施す、請求項１又は２に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程において、形成するシリコン酸化膜の厚みの合計が５０μｍ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜緻密化熱処理工程における熱処理温度が７００℃以上９００℃未満である、請求項１～４のいずれか一項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程において、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハのいずれか一方の表面上にのみシリコン酸化膜を形成する、請求項１～５のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程の後に、前記シリコン酸化膜を形成した方と他方のシリコンウェーハの表面に、真空常温下で、イオンビーム又は中性原子ビームを照射する活性化処理を施して活性化面を形成する活性化処理工程を含み、
前記接合工程では、前記活性化処理工程に引き続く前記真空常温下で、前記活性化面を介して前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる、
請求項６に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。 - 前記接合工程において、接合面となるそれぞれの表面に対してプラズマ雰囲気下でイオンを照射した後、両接合面を接触させて接合する、請求項６に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程において、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハの両方の表面上に前記シリコン酸化膜を形成する、請求項１～５のいずれか１項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程の後に、真空常温下でシリコンターゲット材をスパッタリングして前記支持基板シリコンウェーハの表面上のシリコン酸化膜、若しくは前記活性層用シリコンウェーハの表面上のシリコン酸化膜、又は前記活性層用シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハの両方の表面上のシリコン酸化膜上にアモルファスシリコンを堆積させるアモルファス層形成工程を含み、
前記接合工程では、前記アモルファス層形成工程に引き続く前記真空常温下で、前記アモルファス層を介して前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる、
請求項９に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。 - 前記接合工程において、接合面となるそれぞれの表面に対してプラズマ雰囲気下でイオンを照射した後、両接合面を接触させて接合する、請求項９に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
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