FR3071663B1 - Procede de fabrication de plaque soi, et plaque soi - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaque SOI, grâce auquel une plaque SOI présentant de bonnes propriétés de rayonnement thermique peut être fabriquée par collage sous vide à température normale. Le procédé de fabrication d'une plaque SOI (100) comprend les étapes suivantes : appliquer des particules de diamant (14) sur une surface d'un substrat de support (10) constitué d'un monocristal de silicium, puis former par croissance une couche de diamant (16) par dépôt chimique en phase vapeur en utilisant les particules de diamant (14) en tant que noyaux sur le substrat de support (10), les particules de diamant formées ayant une taille de particule maximale égale ou inférieure à 2,0 μm ; aplanir la surface (16A) de la couche de diamant ; coller ensemble le substrat de support (10) et un substrat de couche active (20) constitué d'un monocristal de silicium par collage sous vide à température normale ; et réduire l'épaisseur du substrat de couche active (20). Ainsi, une plaque SOI possédant une couche active (24) est obtenue.
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