JP2018142713A - 半導体デバイスの組立 - Google Patents
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Abstract
Description
任意選択的に、変形可能な材料は、第2の配置サイクル中に、1つ以上の選択された第2のLEDダイとPUTとの間の接着を引き起こすように構成される。接着は、変形可能な材料の変形性(またはコンフォーマビリティ)に起因するファンデルワールス力を包含し得る。
任意選択的に、変形可能な材料は、第1の配置サイクル中に複数の第1のLEDダイとPUTとの間の接着を引き起こすように構成されている。
任意選択的に、テストおよびさらなるテスト、あるいはテストまたはさらなるテストは、第1および第2のLED発光器、あるいは第1または第2のLED発光器に逆バイアスを印加すること、および/または、第1および第2のLED発光器、あるいは第1または第2のLED発光器に順バイアスを印加すること、ならびに、第1および第2のLED発光器、あるいは第1または第2のLED発光器からの放射を分析するために1つ以上のフィルタを使用することを含む。
任意選択的に、第1および第2のLEDダイは、1つ以上のそれぞれのμLED発光器を含むμLEDダイを含む。
任意選択的に、μLEDダイは、それぞれ実質的に同じ波長の光を放射するように構成された複数のμLED発光器を含む。
任意選択的に、方法はさらに、受動電子機器および駆動電子機器、あるいは受動電子機器または駆動電子機器などの複数のディスプレイ素子をピックアップすることと、ディスプレイ製造のために適切な位置にディスプレイ素子を配置することとを含む、1つ以上のさらなる配置サイクルを含み得る。
本明細書に開示された方法および装置は、LEDおよびディスプレイの製造に関連するが、それらはフォトディテクタの製造にも関連し得ることに留意されたい。かかる方法において、「LED」という用語は、「フォトセンサ」に置き換えられ得る。さらに、受動電子機器および駆動電子機器、あるいは受動電子機器または駆動電子機器などの、ディスプレイおよびディテクタ、あるいはディスプレイまたはディテクタ製造に関連する他の素子もまた、追加の配置サイクルにおいて配置され得る。
1) 組立前にウェハレベルのテストを必要とする、高い歩留りのウェハからの公知の良好なダイ(KGD)のウェハ(またはハンドルキャリア基板)にわたる空間マップ、および
2) KGDを抜き取って配置するための選択的PUT。
例示的な方法では、単一の組立ステーション、あるいは複数の組立サブステーションは、以下のような第1の組立サイクル(サイクルA)(たとえば、抜き取り、配置およびテスト)を実行し得る:
・未テストμLEDダイ(ダイタイプA)を含むウェハからのμLEDダイを配備し得る。
・1つ以上のμLEDダイは、変形可能な材料を有し得、これは、中間移送層を形成し得、一時的なハンドル層上に載置されたときに貼付される。
・シーケンスが1つのサブピクセルのタイプ(すなわち、放射色‐RGB)に対してチェスボードパターン内のすべての四角形の移動を完了すると、他の2つのサブピクセルタイプに対して同じプロセスが繰り返される。
例示的な方法では、単一の組立ステーション、あるいは複数の組立サブステーションは、以下のような第2の組立サイクル(サイクルB1)(たとえば、抜き取り、配置およびテスト)を実行し得る:
・未テストμLEDダイまたはKGDなどのテスト済μLEDダイ(ダイタイプB)を含むウェハからのμLEDダイを配備し得る。
・移送印刷(transfer printing)の非選択的かつ非コンフォーマルなPUTは、未テストまたはテスト済LEDダイを含むハンドル層から1アレイのμLEDダイを抜き取り得る。μLEDダイのアレイは、第1の配置サイクル後に非機能性のμLEDダイが配置されたピクセル位置に対応し得る。μLEDダイのアレイはディスプレイ基板上に、たとえば、1つの角から始まるように配置され得る。
・ハンドル層上の抜き取り位置が次の(たとえば、隣接する)μLEDダイのアレイに順次移動し、配置位置が基板上の次の(たとえば、隣接する)セットの位置に移動して、「チェスボードパターン」の類推によれば、次の四角形に移動して、このシーケンスを繰り返す。
・較正サイクル中に較正用のディスプレイメモリに欠陥マップを記録し、プログラムし得る(サイクルC)。
・μLEDウェハ歩留りのための全体的な目標は公知であり得る。
・ディスプレイピクセル当たりの色毎の複数のμLEDダイは、同一のウェハまたは異なるウェハの異なる位置から供給され得る。
・すべてのサブピクセルタイプが完了するか、または各サブピクセルタイプの配置シーケンスの間で、サイクル間のインラインパネルテストを実行するために、μLEDダイは予め結合され得、または、最終的な結合となり得る。予め結合された状態は、μLEDダイのコンタクトとディスプレイの基板上のコンタクトパッドとの間の一時的な金属対金属接触であり得る。これは永久的な結合でなくともよいが、テストを行うのに十分なものであり得る。最終的な結合は、永久コンタクトを生成するために、μLEDダイのコンタクトが、たとえば、リフロー(たとえば、共晶)または金属相互拡散(たとえば、固液性拡散(SLID))を受けた場合であり得る。これは、確実な永久結合を確保するために、熱、圧縮または超音波の力などの励起源を含み得る。
例示的な方法では、熱圧着プロセス、たとえば、C2を使用し得る。結合プロセスは、CuSnからCuまたはCuからCuの超微細ピッチ微小バンプ技術を使用し得る。
任意選択的に、弾性材料はエラストマー材料を含む。
任意選択的に、変形可能な材料は、PUTヘッドに接触し、半導体チップの接着および解放、あるいは半導体チップの接着または解放を容易にするように構成された構造化表面を含む。
任意選択的に、PUTヘッドと変形可能な材料との間の接触は、それらの間に実質的に空隙を生じない。
任意選択的に、方法はさらに、半導体チップの表面から変形可能な材料を除去することを含む。
任意選択的に、PUTヘッドは実質的に剛性および実質的に平坦、あるいは実質的に剛性または実質的に平坦である。
任意選択的に、複数の半導体チップが存在し、方法はさらに、PUTヘッドと接触する前に1つ以上の半導体チップから変形可能な材料を選択的に除去して、PUTヘッドがそれらの半導体チップに付着しないようにすることを含む。
任意選択的に、半導体チップはILEDおよびμLEDチップ、あるいはILEDまたはμLEDチップを含む。
任意選択的に、基板はガラスまたはプラスチックの薄膜トランジスタパネルを含む。
任意選択的に、方法はさらに、ディスプレイの画像生成器を形成するために、複数のILEDおよびμLEDチップ、あるいはILEDまたはμLEDチップを基板上に配置することを含む。
ディスプレイ業界は、ディスプレイにおけるピクセル欠陥に対してゼロトレランスアプローチ(zero tolerance approach)をとるため、ILEDディスプレイ製造にとって、99.99%以上の高いLEDウェハ歩留りが理想的には好ましい。技術的現状のLEDウェハ製造歩留りは、製品に応じて産業上でかなり変化する。ディスプレイ内のピクセル数が着用可能ディスプレイのための数万から大面積高解像度ディスプレイのための数千万までの範囲であることを考慮すると、ウェハ歩留り99.9%超は非現実的であるとみなされ、ILEDディスプレイ製造に対する主要な障害の一つである。既存のウェハ歩留りのシナリオを考慮する別のストラテジが必要である。
本明細書中で使用されるように、「μLED」技術は、光出力を方向づけし、ユーザによって観測される輝度レベルを最大化する、ミクロンサイズのILEDデバイスを包含する。μLEDは、米国特許第7518149号明細書に開示されており、特に方向づけされた光を送達するために開発された次世代ILED技術である。本明細書で使用されるように、「方向づけされた光(directionalisedlight)」とは、コリメート光(collimated light)および準コリメート光を包含する。たとえば、方向づけされた光はILEDの光生成領域から放射される光であり得、放射された光の少なくとも一部は半角(half angle)を有するビーム内に向けられる。これにより、光ビームの方向におけるILEDの輝度を高め得る。
図2は、例示的なμLEDダイ200を示している。ダイ200は、ダイ200のメサ208と同じ側に形成された「p」電極204および「n」電極206を有する単一の発光器202を含む。光はμLEDダイ200の電極と反対側の発光面210から出力される。光はμLEDダイ200のエピタキシャル層を通って放射される。
図6は、μLEDデバイス602の例示的な構造を示す。図6に見られるように、青(たとえばλ=470nm)および緑(たとえばλ=530nm)発光のためのμLEDデバイスは、GaN/サファイア604材料系に基づく。例示的な青および緑デバイス602は、それらの活性層として多重量子井戸構造(multi quantum well structure : MQW)を含むことができる。この例では、活性層は、p型GaN層とn型GaN層との間に設けられる。デバイス602は、1つ以上の歪み緩和層を含み得ることが理解されるであろう。
図9は、例示的な基板除去プロセスを示す。基板除去のための例示的な方法は、基板904の化学的エッチングおよび薄化を含み得る。基板904が除去される前に、ハンドル層906は、デバイス902の上面に貼付される。1つ以上のUVテープなどの1つ以上のテープ(図示せず)を使用して、デバイス902をハンドル層906に取り付けることができる。UVテープにUV光を照射することにより、ハンドル層906に対するデバイス902の接着強度を修正することができる。UVテープの代わりに使用することができるテープの他の例には、熱解放テープが含まれ、テープを熱に暴露することによりその接着強度を修正することができる。
第1の配置サイクルAでは、PUTは、上述したように、ハンドル層からμLEDデバイスのアレイをピックアップする。アレイ内のμLEDデバイスの各々は、ディスプレイ1600のサブピクセル1624bを提供するように構成される。μLEDデバイスのアレイは、TFT層上に配置され、ディスプレイ1600上の対応するピクセル位置のμLEDデバイスのマトリックスを形成し得る。ディスプレイとなるものの1つのコーナーで、配置を開始し得る。そして、ディスプレイ1600のすべてのピクセル1622bがピクセル1622bのサブピクセル1624bを形成するμLEDダイを有するまで、抜き取りおよび配置のプロセスが繰り返される。抜き取りを繰り返す際、PUTは、ハンドル層上の抜き取り位置を順次、次のμLEDデバイスに移動させ、その配置位置をディスプレイのピクセルの次のマトリックスに移動させ得、これは、チェスボードパターンにおけるピクセルの第1のマトリックスに隣接し得る。ディスプレイ1600のすべてのピクセルが、1つの色(赤、緑または青)のサブピクセル1624bを含むと、残りの2つの色について抜き取りおよび配置プロセスが繰り返される。これにより、複数のピクセルを含むディスプレイが得られ、各ピクセルは、図16(b)に示すように、赤、青および緑の各々のμLEDデバイスを含む。この第1の配置サイクルAで使用されるμLEDデバイスは、未テストのμLEDデバイス、たとえば、ウェハテストされていない、および/または、推測良好ダイ(たとえば、ブラインドビルト)であるμLEDデバイスを含む。
図19は、上述した例示的な組立サイクルAのフローを示す。組立サイクルAのプロセスフローの左手側は、図5〜図12に関連して上で説明されている。サイクルAのプロセスフローの左手側に示されるように、製造されたμLEDダイをいくつかの例でテストして、ウェハの歩留り品質を評価し得る。組立サイクルAのプロセスフローの右手側は、図16(a)〜図16(d)に関連して詳細に説明された。サイクルAのプロセスフローの右手側は、以下に説明する結合ステップを含む。
図23は、本明細書に開示された例示的な製造方法の最終的なステップを示す。μLEDデバイス2302は、例示的な熱圧着(thermocompressionbonding : TCB)プロセスを使用して、TFT層2312に永久的に結合することができる。TCBは、約40μmのピッチおよび30μmの柱高を有する微細ピッチCu柱状相互接続を用いた微細ピッチ2.5Dおよび3D組立技術を可能にし得る。配置精度は±2μmオーダーである。TCBは、たとえば、技術において成材を駆動するメモリ製品に使用される。図23は、熱圧着ヘッドであり得る例示的な結合ヘッドを示す。結合ヘッド2330は、TFT層2312上でμLEDデバイス2302と接触し、たとえば、μLEDデバイスのバンプのリフロー(たとえば共晶)、または、金属相互拡散、たとえば、固液性相互拡散(Solid Liquid Intediffiusion : SLID)を作成することにより、μLEDデバイス2302とTFT層2312との間に永久的な結合を形成する。SLIDは、永久結合を生成するための熱、圧縮または超音波の力などの励起源を含む。図23に示す例では、結合ヘッド2330は、TFT基板2312と同じサイズである。これにより、スループットが高くなり、コストが低減され得る。結合の間に、μLEDデバイス2302の熱膨張係数(thermal expansion coefficient : TCE)を、TFT層の熱膨張係数と一致させる必要があり、組み立てられたディスプレイにおける熱機械的応力を低減し、TFT層にわたる結合を実現する。事前貼付アンダーフィルは、デバイスとTFT層との間の熱膨張不整合を分散させ、および/または、μLEDデバイス2302とTFT層2312との間の結合における任意の応力を低減させるように作用し得、これにより、金属結合の品質を向上させる。
TFTガラスパネル上へのハンドルおよび操作のためのPUTツールへの接触およびコンフォーマンスを可能にするように特別に設計されている複数のILEDチップを用いて画像生成器および関連する製造方法を提供することが、本開示の方法および装置の目的である。
ディスプレイ用の無機発光ダイオード(ILED)画像生成器を製造するための組立方法が開示される。ILEDディスプレイは、これらだけではないが、着用可能装置、着用可能デバイス、スマートフォン、タブレット、ラップトップなどのエネルギー感受性/電池駆動式ディスプレイ用途におけるような、特定使用のためのディスプレイ技術の新世代である。
プロセスにおける最初のステップは、μLEDデバイスの製造であり、pおよびnコンタクトパッドを伴う。μLED製造の後、チップは、ハードマスクを画定するフォトリソグラフィ、および、隣接デバイス間のGaNエピ層/テンプレート内に典型的には2μm幅、3〜5μm深さのトレンチをエッチングするドライエッチング方法(たとえば、DRIEまたはICPエッチングツール)の組合せによってウェハ上で部分的に個片化される。一例として、SiOxハードマスクは、深UVレジストおよびフォトリソツールを用いて堆積およびパターニングされ、CF4/CHF3 ICPエッチング化学を用いて画定パターンをSiOxに転写する。これに続いて、第2の塩素系エッチング化学を用いて、GaNをエッチングする。ハードマスクは、分離目的のためにデバイス上に残される。
中間層はコンフォーマルであり、実質的に均一な厚さを有するμLEDチップの表面にわたる連続層である。あるいは、中間層はマイクロ構造を用いてパターニングすることができ、これは、非コンフォーマルな移送ヘッドを用いてピックアップ、移送および解放、あるいは移送または解放を容易にする。中間層は、デバイスが分離されたままであるように、中間層がILEDチップ上に直接、パターニングされるようパターニングされる。
本発明の他の実施形態では、チップ上にエラストマー層を残すことが許容可能であるかまたは望ましいかもしれない。この場合、中間層は、基礎となる犠牲層を有しない単一層であるだけでよい。
Claims (51)
- 複数のピクセルを含み、各ピクセルは複数のサブピクセルを含み、各サブピクセルは所与の波長の光を提供するように構成されたディスプレイ素子を製造する方法であって、
ピックアップツール(PUT)を使用して、第1の配置サイクルを実行することであって、
複数の第1の未テストLEDダイをピックアップすることであって、各第1のLEDダイは、前記ディスプレイの複数のサブピクセルのうちの1つを提供するように構成された少なくとも1つの第1のLED発光器を備える、前記ピックアップすること、
前記複数の第1のLEDダイをディスプレイ基板上のディスプレイの複数のピクセルに対応する位置に配置すること、を含む前記第1の配置サイクルを実行すること、
前記ディスプレイ基板上の複数の第1のLED発光器をテストして、非機能性の複数の第1のLED発光器の1つ以上の位置を決定すること、
前記ディスプレイの複数のサブピクセルのうちの1つを提供するように構成された少なくとも1つの第2のLED発光器をそれぞれ含む複数の第2のテスト済LEDダイから、前記テストの結果に基づいて1つ以上の第2のLEDダイを選択すること、
選択された1つ以上の第2のLEDダイを、前記ディスプレイ基板上の選択された1つ以上の第2のLEDダイのピックアップおよび配置を可能にするように構成すること、
前記ピックアップツールを使用して、第2の配置サイクルを実行することであって、
選択された1つ以上の第2のLEDダイをピックアップすること、
前記選択された1つ以上の第2のLEDダイを、前記ディスプレイ基板上の非機能性の複数の第1のLED発光器の決定された位置に配置すること、を含む前記第2の配置サイクルを実行すること、を備える方法。 - 前記選択された1つ以上のLEDダイを構成することは、
前記1つ以上の選択された第2のLEDダイ上に変形可能な材料を堆積することを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記変形可能な材料は、第2の配置サイクル中に、前記1つ以上の選択された第2のLEDダイとピックアップツールとの間を接着させるように構成される、請求項2に記載の方法。
- 前記方法において、前記1つ以上の選択された第2のLEDダイ上に前記変形可能な材料を堆積することは、
前記変形可能な材料をモールドまたはキャリア要素に貼付すること、
前記変形可能な材料が前記複数の第2のLEDダイのうちの1つ以上における表面と接触するように、前記モールドまたはキャリアを前記複数の第2のLEDダイのうちの1つ以上における表面と係合すること、を含む、請求項2または3に記載の方法。 - 前記1つ以上の選択された第2のLEDダイ上に前記変形可能な材料を堆積させることは、
前記変形可能な材料が前記1つ以上の選択されたLEDダイに接着するように前記変形可能な材料と前記1つ以上の選択された第2のLEDダイとの間の接着レベルを修正することを含む、請求項4に記載の方法。 - 前記変形可能な材料と前記1つ以上の選択された第2のLEDダイとの間の接着レベルを修正することは、
前記1つ以上の選択された第2のLEDダイの位置に対応する前記モールドまたはキャリア要素の1つ以上の部分に光を照射することを含む、請求項5に記載の方法。 - 前記光は紫外光を含む、請求項6に記載の方法。
- 前記1つ以上の選択された第2のLEDダイ上に前記変形可能な層を堆積する前に、前記方法は、選択された第2のLEDダイをハンドル層上に配置することを備える、請求項2〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ以上の選択された第2のLEDダイは、前記ハンドル層に接着される、請求項8に記載の方法。
- 前記第2の配置サイクルは、
前記接着レベルが、前記ピックアップツールによって印加される力よりも小さくなるように、前記1つ以上の選択された第2のLEDダイと前記ハンドル層との間の接着レベルを修正することを含む、請求項20に記載の方法。 - 前記方法は、前記第1の配置サイクルを実行する前に、前記複数の第1のLEDダイ上に変形可能な材料を堆積させることを備える、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記変形可能な材料は、前記第1の配置サイクル中に前記複数の第1のLEDダイと前記ピックアップツールとの間を接着させるように構成されている、請求項11に記載の方法。
- 1つ以上の非機能性の第1のLED発光器および第2のLED発光器の少なくとも一方の位置を決定するために第2の配置サイクルの後に、前記第1のLED発光器および第2のLED発光器の少なくとも一方のさらなるテストを実行することをさらに備える請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記さらなるテストの結果に基づいて、前記さらなるテストの実行後に、1つ以上の第3のテスト済LEDダイを選択することをさらに備える請求項13に記載の方法。
- 前記テストおよびさらなるテストの少なくとも一方は、
前記第1のLED発光器および第2のLED発光器の少なくとも一方に逆バイアスを印加すること、および第1のLED発光器および第2の発光器の少なくとも一方に順バイアスを印加すること、のうちの少なくとも一方と、
前記第1のLED発光器および前記第2のLED発光器の少なくとも一方からの放射を分析するために1つ以上のフィルタを使用することを含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。 - 前記テストおよびさらなるテストの少なくとも一方の結果に基づいて組み立てられたディスプレイの1つ以上の較正サイクルを実行することをさらに備える請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ以上の較正サイクルは、1つ以上の非機能性の第1のLED発光器および第2のLED発光器の少なくとも一方を前記ディスプレイ基板上の駆動回路から切り離すことを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第1の配置サイクルおよび第2の配置サイクルの少なくとも一方の前に、前記ディスプレイの基板上にアンダーフィルまたは非導電性フィルムを堆積することをさらに備える請求項1〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のLEDダイおよび選択された第2の1つ以上のLEDダイを前記ディスプレイ基板に事前結合または結合することを可能にするために、前記アンダーフィルまたは前記非導電性フィルムの粘度を修正することをさらに備える請求項24に記載の方法。
- 前記第1のLEDダイおよび前記第2のLEDダイの少なくとも一方は、前記第1のLEDダイおよび前記第2のLEDダイの少なくとも一方のディスプレイ基板への相互接続を可能にするように配置された結合要素を含む、請求項1〜19のいずれか1項に記載の方法。
- 前記結合要素は、前記ディスプレイ基板の電気的コンタクトと一時的に接触するように構成され、それにより前記第1のLEDダイおよび前記第2のLEDダイの少なくとも一方のテストを可能にする、請求項20に記載の方法。
- 結合ヘッドを用いて、前記第1のLEDダイおよび選択された1つ以上の第2のLEDダイの少なくとも一方を前記ディスプレイ基板に結合することを備える請求項1〜21のいずれか1項に記載の方法。
- 前記結合ヘッドは、
前記ディスプレイのディスプレイ基板にわたって移動し、かつ、その上に配置された前記第1のLEDダイおよび選択された1つ以上の第2のLEDダイの少なくとも一方に力を印加するように構成されたドラムを含む、請求項23に記載の方法。 - 前記ピックアップツールは非選択的ピックアップツールである、請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1および第2のLEDダイは、対応する1つ以上のμLED発光器を含む複数のμLEDダイを含む、請求項1〜24のいずれか1項に記載の方法。
- 各μLED発光器は、電流が前記μLED発光器を通過することを可能にするように構成された第1および第2の電極を含み、
前記第1および第2の電極は、前記μLEDダイの同一表面上に配置されている、請求項25に記載の方法。 - 前記第1および第2の電極は、放射面と反対側のμLEDダイの表面上に配置される、請求項26に記載の方法。
- 前記複数のμLEDダイは、それぞれ実質的に同じ波長の光を放射するように構成された複数のμLED発光器を含む、請求項25〜27のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1および第2の電極の一方は、前記複数のμLED発光器のそれぞれに共通である、請求項28に記載の方法。
- 少なくとも1つのプロセッサ上で実行されると、少なくとも前記1つのプロセッサに請求項1〜29のいずれか1項に記載の方法を実行させる命令を備えるコンピュータプログラム。
- 請求項30に記載のコンピュータプログラムを含むキャリアであって、電子信号、光信号、無線信号または非一時的なコンピュータ可読記憶媒体のうちの1つであるキャリア。
- 半導体チップを移動させるための方法であって、
第1の位置でピックアップツール(PUT)のヘッドを半導体チップの表面に接触させることであって、前記半導体チップの表面は、接触する前記ピックアップツールに接着するように構成された変形可能な材料を含む、前記接触させること、
前記ピックアップツールを第2の位置に移動させ、前記半導体を解放すること、
を備える方法。 - 前記変形可能な材料は弾性材料を含む、請求項32に記載の方法。
- 前記弾性材料はエラストマー材料を含む、請求項33に記載の方法。
- 前記変形可能な材料は、前記ピックアップツールヘッドに接触し、前記半導体チップの接着および解放のうちの少なくとも一方を容易にするように構成された構造化表面を含む、請求項32〜34のいずれか1項に記載の方法。
- 前記構造化表面は、前記表面から延びる細長い柱を含む、請求項35に記載の方法。
- 前記ピックアップツールヘッドと前記変形可能な材料との間の接触は、前記ピックアップツールヘッドと前記変形可能な材料との間に実質的に空隙を生じない、請求項32〜36のいずれか1項に記載の方法。
- 前記変形可能な材料を前記半導体チップの表面上に堆積させることをさらに備える請求項32〜37のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体チップの表面から前記変形可能な材料を除去することをさらに備える請求項32〜38のいずれか1項に記載の方法。
- 前記変形可能な材料の除去は、エッチングプロセスによって行われる、請求項39に記載の方法。
- 前記変形可能な材料は前記半導体チップの表面上に堆積された犠牲層の上部に堆積され、前記エッチングプロセスによって前記犠牲層をエッチング除去する、請求項40に記載の方法。
- 前記ピックアップツールヘッドは、実質的に剛性および実質的に平坦のうちの少なくとも一方を有する、請求項32〜41のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ピックアップツールヘッドを複数の半導体チップのうちの1つ以上に選択的に接着することをさらに備える請求項32〜42のいずれか1項に記載の方法。
- 複数の半導体チップが存在し、
前記方法は、
前記ピックアップツールヘッドと接触する前に1つ以上の半導体チップから前記変形可能な材料を選択的に除去して、前記ピックアップツールヘッドがそれらの半導体チップに付着しないようにすることをさらに備える、請求項32〜43のいずれか1項に記載の方法。 - 前記ピックアップツールヘッドを複数の半導体チップに接着することをさらに備える請求項32〜44のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体チップは、ILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方を含む、請求項32〜45のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の位置は半導体デバイスの基板である、請求項46に記載の方法。
- 前記基板はガラスまたはプラスチックの薄膜トランジスタパネルを含む、請求項47に記載の方法。
- 前記ディスプレイの画像生成器を形成するために、複数のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方を前記基板上に配置することをさらに備える請求項47〜48のいずれか1項に記載の方法。
- LEDディスプレイの画像生成器を形成する方法であって、
複数のILEDおよびμLEDチップ、あるいはILEDまたはμLEDチップの表面上に変形可能な材料を堆積させることと、
ピックアップツール(PUT)のヘッドを前記複数のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方の1つ以上の上に堆積された前記変形可能な材料に接触させて、前記複数のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方の1つ以上を前記ピックアップツールヘッドに接着させるようにすること、
前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方のコンタクトがガラスまたはプラスチックの薄膜トランジスタパネルの薄膜トランジスタのパッドと電気的に連通するように前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方が配置されるように、前記ピックアップツールヘッドを移動させること、
前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方を前記ピックアップツールヘッドから解放すること、を備える方法。 - LEDディスプレイ用の画像生成器であって、
ガラスまたはプラスチックの薄膜トランジスタパネル上に配置された複数のILEDおよびμLEDチップを備え、
前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方は、前記ガラスまたはプラスチックの薄膜トランジスタパネル上に、
前記複数のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方の表面に変形可能な材料を堆積させること、
ピックアップツール(PUT)のヘッドを前記複数のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方の1つ以上の上に堆積された前記変形可能な材料に接触させて、前記複数のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方の1つ以上を前記ピックアップツールヘッドに接着させるようにすること、
前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方のコンタクトがガラスまたはプラスチックの薄膜トランジスタパネルの薄膜トランジスタのパッドと電気的に連通するように、前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方が配置されるように、前記ピックアップツールヘッドを移動させること、
前記1つ以上のILEDおよびμLEDチップのうちの少なくとも一方を前記ピックアップツールヘッドから解放すること、によって配置されている、画像生成器。
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