JP2018096777A - 半導体検査治具 - Google Patents

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Abstract

【課題】長寿命化を図ることができる半導体検査治具を得る。
【解決手段】半導体装置1を載せるベース4の上に、導電パターン5a,5bを有する基板6a,6bが設けられている。導電パターン5a,5bは、ベース4に載せられた半導体装置1のリード3a,3bに対して水平方向ではない方向からリード3a,3bに交差し、リード3a,3bの先端に接触することなくリード3a,3bの中間部分に接触する。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体装置の電気的特性の検査に用いられる半導体検査治具に関する。
電極のコンタクト性向上のため、リードを上下から電極で挟み込む半導体検査治具が提案されている(例えば、特許文献1参照)。半導体装置のマウント部をテーパ状に加工して位置決めとし、パターンではなくプローブを半導体装置のリードの中間部分を接触させる半導体検査治具が提案されている(例えば、特許文献2参照)。リードレス半導体装置を対象とした検査治具であって、押えとコンタクト用の電極が一体になったものが提案されている(例えば、特許文献3参照)。多ピンのフレームリード品の検査治具であって、厚さ方向に導通のあるインターポーザーを介して半導体装置のリードと治具のパターンを導通させるものが提案されている(例えば、特許文献4参照)。バネで半導体装置ガイドを浮かせ、治具の電極プローブをリードの中間部分に接触させる光半導体測定用のソケットが提案されている(例えば、特許文献5参照)。
特開平1−217269号公報 特開平6−18613号公報 特開2014−153293号公報 特開2010−14585号公報 特開平1−184478号公報
高い電力を扱う高周波電力増幅器の電気的特性の検査には、耐電力の問題から高周波信号の伝送線路にプローブは使用できず、金属パターンを形成したセラミック基板を金属ブロックに半田で接合した検査治具を用いる。この金属パターンに半導体装置のリードを接触させて検査を行う。金属パターンには金が用いられ、厚みも4〜10μmと薄い。このため、機械的な耐久性が弱く、リードとの接触により摩耗し、使用回数を重ねるたびに劣化していく。特に、半導体装置のリードの先端はバリが発生している。さらに、半導体装置をセットする際にリードとパターンが接触した状態でリードに対して垂直方向への位置調整が必要である。このため、リードの先端とパターンが接触する箇所が最も摩耗し易い。長期の使用によりパターンの摩耗が進行すると、最終的にはパターンが断線し、検査不可能となるという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は長寿命化を図ることができる半導体検査治具を得るものである。
本発明に係る半導体検査治具は、半導体装置を載せるベースと、前記ベースの上に設けられ、導電パターンを有する基板とを備え、前記導電パターンは、前記ベースに載せられた前記半導体装置の前記リードに対して水平方向ではない方向から前記リードに交差し、前記リードの先端に接触することなく前記リードの中間部分に接触することを特徴とする。
本発明では、リードの先端が導電パターンと接触しないため、導電パターンの摩耗が緩和され、検査治具の長寿命化を図ることができる。
検査対象である半導体装置を示す斜視図である。 本発明の実施の形態1に係る半導体検査治具を示す斜視図である。 本発明の実施の形態1に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。 比較例に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。 本発明の実施の形態2に係る半導体検査治具を示す斜視図である。 本発明の実施の形態2に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。 本発明の実施の形態3に係る半導体検査治具を示す斜視図である。 本発明の実施の形態3に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。 本発明の実施の形態4に係る半導体検査治具を示す斜視図である。
本発明の実施の形態に係る半導体検査治具について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、検査対象である半導体装置を示す斜視図である。半導体装置1は高い電力を扱う高周波電力増幅器である。半導体装置1は、半導体チップが封止された本体部2と、本体部2から互いに反対方向に突出したリード3a,3bとを有する。本体部2の内部においてリード3a,3bは半導体チップに接続されている。なお、本体部2における半導体チップの封止方法は、例えば樹脂封止であるが、これに限定されない。
図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体検査治具を示す斜視図である。ベース4は、半導体装置1を載せるマウント部である。ベース4の上に、導電パターン5a,5bを有するアルミナ基板6a,6bが設けられている。導電パターン5a,5bは、半導体検査治具の外部部品と半導体装置1を繋ぐ、高周波信号の伝送線路である。アルミナ基板6a,6bの裏面にも導電パターンが形成され、このパターンはベース4とアルミナ基板6a,6bの半田付けに使用される。
図3は、本発明の実施の形態1に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。導電パターン5a,5bは、ベース4の上面に対して垂直方向から見た平面視において、ベース4に載せられた半導体装置1のリード3a,3bに対して水平方向ではない方向からリード3a,3bに交差し、リード3a,3bの先端に直接的に接触することなくリード3a,3bの中間部分に直接的に接触する。また、リード3a,3bと導電パターン5a,5bを確実に導通させるために、樹脂製の押え棒7で一定量の荷重を加えてリード3a,3bを導電パターン5a,5bに押し付ける。
外部部品からアルミナ基板6aの導電パターン5aを介して半導体装置1に高周波信号を入力する。そして、半導体装置1の出力信号をアルミナ基板6bの導電パターン5bを介して外部部品に出力する。これにより、半導体装置1の検査を行うことができる。
続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図4は、比較例に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。導電パターン5a,5bは、半導体装置1のリード3a,3bに対して水平方向に延びる直線状パターンである。従って、リード3a,3bの先端が導電パターン5a,5bと直接的に接触し、導電パターン5a,5bが摩耗するという問題がある。これに対して、本実施の形態では、リード3a,3bの先端が導電パターン5a,5bと直接的に接触しないため、導電パターン5a,5bの摩耗が緩和され、検査治具の長寿命化を図ることができる。
実施の形態2.
図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体検査治具を示す斜視図である。アルミナ基板6a,6bの導電パターン5a,5bは、ベース4に載せられた半導体装置1のリード3a,3bに直接的に接触せず、離間している。コンタクトシート8は、リード3a,3bに対し垂直方向に導電パターン9a,9bが設けられた樹脂製のフィルムである。コンタクトシート8には、半導体装置1の本体部2の外径寸法に合わせた形状の穴10が設けられている。
図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。半導体装置1をベース4に載せ、コンタクトシート8の穴10に本体部2を通すように位置合わせしてコンタクトシート8をリード3a,3b及びアルミナ基板6a,6bの上に被せる。導電パターン9a,9bは、それぞれリード3a,3bの先端に直接的に接触することなくリード3a,3bの中間部分に直接的に接触し、導電パターン9a,9bを介してリード3a,3bと導電パターン5a,5bが接続される。また、確実に導通させるために、樹脂製の押え棒7で一定量の荷重を加えてコンタクトシート8の導電パターン9a,9bをそれぞれリード3a,3b及び導電パターン5a,5bに押し付ける。
本実施の形態でも、実施の形態1と同様に、リード3a,3bの先端が導電パターン5a,5bと直接的に接触しないため、導電パターン5a,5bの摩耗が緩和され、検査治具の長寿命化を図ることができる。
実施の形態3.
図7は、本発明の実施の形態3に係る半導体検査治具を示す斜視図である。実施の形態2のコンタクトシート8の代わりに、本実施の形態ではリード3a,3bに対し垂直方向に導電パターン9a,9bがそれぞれ形成されたリード押さえ11a,11bを用いる。その他の構成は実施の形態2と同様である。
図8は、本発明の実施の形態3に係る半導体検査治具により半導体装置の検査を行う状態を示す斜視図である。半導体装置1をベース4に載せてリード押さえ11a,11bでそれぞれリード3a,3bを押さえる。これにより、導電パターン9a,9bがそれぞれリード3a,3bの先端に直接的に接触することなくリード3a,3bの中間部分に直接的に接触し、導電パターン9a,9bを介してリード3a,3bと導電パターン5a,5bがそれぞれ接続される。
本実施の形態でも、実施の形態1,2と同様に、リード3a,3bの先端が導電パターン5a,5bと直接的に接触しないため、導電パターン5a,5bの摩耗が緩和され、検査治具の長寿命化を図ることができる。
実施の形態4.
図9は、本発明の実施の形態4に係る半導体検査治具を示す斜視図である。導電性のバネ式のプローブ12がベース4の上面から突出している。アルミナ基板6a,6bの上面に、それぞれリード3a,3bの幅に合わせて凹部13a,13bが設けられている。導電パターン5a,5bはそれぞれ凹部13a,13b内に設けられている。
半導体装置1をベース4に載せるとプローブ12により半導体装置1が持ち上がってリード3a,3bが導電パターン5a,5bから離れた状態となる。この状態で、半導体装置1をリード3a,3bに対して垂直方向に動かして、リード3a,3bと導電パターン5a,5bの位置合わせを行う。その後、半導体装置1を押さえつけてプローブ12を収縮させることでリード3a,3bがそれぞれ導電パターン5a,5bに直接的に接触する。リード3a,3bが凹部13a,13b内に入ることで、導電パターン5a,5bに対して垂直方向に半導体装置1が動かなくなる。
本実施の形態では、リード3a,3bの先端が導電パターン5a,5bと直接的に接触していない状態で半導体装置1の位置調整を行うことができる。このため、導電パターン5a,5bの摩耗が緩和され、検査治具の長寿命化を図ることができる。
1 半導体装置、2 本体部、3a,3b リード、4 ベース、5a,5b,9a,9b 導電パターン、6a,6b アルミナ基板、8 コンタクトシート、10 穴、11a,11b リード押さえ、12 プローブ、13a,13b 凹部

Claims (6)

  1. 半導体装置を載せるベースと、
    前記ベースの上に設けられ、導電パターンを有する基板とを備え、
    前記導電パターンは、前記ベースに載せられた前記半導体装置のリードに対して水平方向ではない方向から前記リードに交差し、前記リードの先端に接触することなく前記リードの中間部分に接触することを特徴とする半導体検査治具。
  2. 半導体装置を載せるベースと、
    前記ベースの上に設けられ、前記ベースに載せられた前記半導体装置のリードに接触しない第1の導電パターンを有する基板と、
    第2の導電パターンを有するコンタクトシートとを備え、
    前記半導体装置を前記ベースに載せて前記コンタクトシートを前記リード及び前記基板の上に被せることで、前記第2の導電パターンが前記リードの先端に接触することなく前記リードの中間部分に接触し、前記第2の導電パターンを介して前記リードと前記第1の導電パターンが接続されることを特徴とする半導体検査治具。
  3. 前記コンタクトシートには、前記半導体装置の本体部の外径寸法に合わせた形状の穴が設けられ、
    前記コンタクトシートの前記穴に前記本体部を通すように位置合わせして前記コンタクトシートを被せることを特徴とする請求項2に記載の半導体検査治具。
  4. 半導体装置を載せるベースと、
    前記ベースの上に設けられ、前記ベースに載せられた前記半導体装置のリードに接触しない第1の導電パターンを有する基板と、
    第2の導電パターンを有するリード押さえとを備え、
    前記半導体装置を前記ベースに載せて前記リード押さえで前記リードを押さえることで、前記第2の導電パターンが前記リードの先端に接触することなく前記リードの中間部分に接触し、前記第2の導電パターンを介して前記リードと前記第1の導電パターンが接続されることを特徴とする半導体検査治具。
  5. 半導体装置を載せるベースと、
    前記ベースの上に設けられ、導電パターンを有する基板と、
    前記ベースの上面から突出したバネ式のプローブとを備え、
    前記半導体装置を前記ベースに載せると前記プローブにより前記半導体装置が持ち上がって前記半導体装置のリードが前記導電パターンから離れた状態となり、
    前記半導体装置を押さえつけて前記プローブを収縮させることで前記リードが前記導電パターンに接触することを特徴とする半導体検査治具。
  6. 前記基板の上面に凹部が設けられ、
    前記導電パターンは前記凹部内に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査治具。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020041873A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 三菱電機株式会社 電気特性検査治具

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6897505B2 (ja) * 2017-11-08 2021-06-30 三菱電機株式会社 半導体検査治具
JP7303543B2 (ja) * 2019-08-30 2023-07-05 ヤマハファインテック株式会社 高周波特性検査装置、及び高周波特性検査方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03246879A (ja) * 1990-02-23 1991-11-05 Hitachi Ltd 半導体装置用ソケット
JPH06342035A (ja) * 1993-04-05 1994-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置
JPH075228A (ja) * 1993-06-18 1995-01-10 Tokyo Electron Ltd バーンインテスト用接触装置
US5438481A (en) * 1987-11-17 1995-08-01 Advanced Interconnections Corporation Molded-in lead frames
US5557212A (en) * 1994-11-18 1996-09-17 Isaac; George L. Semiconductor test socket and contacts
JP2003519800A (ja) * 2000-01-13 2003-06-24 インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト 半導体素子用の試験デバイス
JP2004047336A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Advantest Corp コンタクトシートおよびそれを備える半導体装置用ソケット

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01184478A (ja) 1988-01-19 1989-07-24 Mitsubishi Electric Corp 光半導体測定用ソケツト
JPH01217269A (ja) 1988-02-26 1989-08-30 Hitachi Ltd 半導体デバイス製造装置
JPH0618613A (ja) 1992-07-03 1994-01-28 Nec Kyushu Ltd ハンドラのコンタクト機構
JP2739031B2 (ja) * 1992-12-08 1998-04-08 三菱電機株式会社 半導体装置用ソケット
KR950033507A (ko) * 1994-02-08 1995-12-26 오가 노리오 Ic 측정시험장치 및 이것을 사용한 ic 측정시험방법
JP2010014585A (ja) 2008-07-04 2010-01-21 Sumitomo Electric Ind Ltd フレームリードの導通検査方法
JP6131622B2 (ja) 2013-02-13 2017-05-24 三菱電機株式会社 測定装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5438481A (en) * 1987-11-17 1995-08-01 Advanced Interconnections Corporation Molded-in lead frames
JPH03246879A (ja) * 1990-02-23 1991-11-05 Hitachi Ltd 半導体装置用ソケット
JPH06342035A (ja) * 1993-04-05 1994-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置
JPH075228A (ja) * 1993-06-18 1995-01-10 Tokyo Electron Ltd バーンインテスト用接触装置
US5557212A (en) * 1994-11-18 1996-09-17 Isaac; George L. Semiconductor test socket and contacts
JP2003519800A (ja) * 2000-01-13 2003-06-24 インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト 半導体素子用の試験デバイス
JP2004047336A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Advantest Corp コンタクトシートおよびそれを備える半導体装置用ソケット

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020041873A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 三菱電機株式会社 電気特性検査治具
JP7270348B2 (ja) 2018-09-10 2023-05-10 三菱電機株式会社 電気特性検査治具

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