JPH01184478A - 光半導体測定用ソケツト - Google Patents
光半導体測定用ソケツトInfo
- Publication number
- JPH01184478A JPH01184478A JP996388A JP996388A JPH01184478A JP H01184478 A JPH01184478 A JP H01184478A JP 996388 A JP996388 A JP 996388A JP 996388 A JP996388 A JP 996388A JP H01184478 A JPH01184478 A JP H01184478A
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- Japan
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- light
- socket
- photosemiconductor
- measurement
- light diffusing
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
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- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract 1
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 240000001980 Cucurbita pepo Species 0.000 description 1
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明げ、シリコンフォトダイオード(以下SPD
)のような光半導体測定用ソケットに関するものである
。
)のような光半導体測定用ソケットに関するものである
。
近年、SPDのような受光素子は、コンパクトディスク
用など、多くのセルを1チツプに収納している。このた
め、これらの素子の測定には、1チツプに対して照度の
均一な光を照射する必要があり、光拡散板などの使用が
必要となってきた。
用など、多くのセルを1チツプに収納している。このた
め、これらの素子の測定には、1チツプに対して照度の
均一な光を照射する必要があり、光拡散板などの使用が
必要となってきた。
!3図は、従来の光半導体測定用ソケットの構成を示す
断面図である。図において、(1) U光半導体素子、
(2)に素子リード、(3)はリード押さえ、(4)は
素子ガイド(空胴付絶縁材)、(51Hソケットベース
a、f611dソケットベースb(空胴付絶縁材)、(
7)げ接触子、(8)aバネ、(9)ニ光源、(lO)
は光拡散板、(Ill H光拡散板押さえである。
断面図である。図において、(1) U光半導体素子、
(2)に素子リード、(3)はリード押さえ、(4)は
素子ガイド(空胴付絶縁材)、(51Hソケットベース
a、f611dソケットベースb(空胴付絶縁材)、(
7)げ接触子、(8)aバネ、(9)ニ光源、(lO)
は光拡散板、(Ill H光拡散板押さえである。
次に動作について説明する。
光源(9)より発する光が、光拡散板押さえ(Illの
空胴を通り、光拡散板(lO)により光を均一化させて
、ソケットベースbt61.素子ガイド(4)■空胴を
通り光半導体素子fi+に照射される。
空胴を通り、光拡散板(lO)により光を均一化させて
、ソケットベースbt61.素子ガイド(4)■空胴を
通り光半導体素子fi+に照射される。
従来の光半導体測定用ソケットに以上のように構成され
ているので、光道確保のための空胴を設けなければなら
ず、また、拡散板の取付加工をすることが必要で、構造
が複雑となり、加工費も高くなる。また、光拡散板の効
果を有効に利用するためにぼ、光の強さ、照度の均一度
ともに、光半導体素子に近づけて取り付けることが望ま
しいが、従来にソケットの構造で最小距離に制約を受け
るなどの問題があった。
ているので、光道確保のための空胴を設けなければなら
ず、また、拡散板の取付加工をすることが必要で、構造
が複雑となり、加工費も高くなる。また、光拡散板の効
果を有効に利用するためにぼ、光の強さ、照度の均一度
ともに、光半導体素子に近づけて取り付けることが望ま
しいが、従来にソケットの構造で最小距離に制約を受け
るなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、構造も単純化できるとともに1、光拡散板と
光半導体素子間の距離を最小にすることができ、光半導
体の測定精度を向上せしめることができる、安価な光半
導体測定用ソケットを得ることを目的とする。
たもので、構造も単純化できるとともに1、光拡散板と
光半導体素子間の距離を最小にすることができ、光半導
体の測定精度を向上せしめることができる、安価な光半
導体測定用ソケットを得ることを目的とする。
(fiMを解決するための手段〕
この発明に係る光半導体測定用ソケットハ、ソケットの
光道部分を光拡散性材料で構成し、構造を単純化すると
ともに、光半導体受光面との距離を最小にしたものであ
る。
光道部分を光拡散性材料で構成し、構造を単純化すると
ともに、光半導体受光面との距離を最小にしたものであ
る。
この発明における光半導体測定用ソケツ)[、光道部分
が光拡散材で構成されることにより、構造が単純化し、
安価となる。
が光拡散材で構成されることにより、構造が単純化し、
安価となる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は光半導体測定用ソケットの構成を示す断面図、第2
図は第1図のソケットを用いて測定を行う場合を示す断
面図である。
図は光半導体測定用ソケットの構成を示す断面図、第2
図は第1図のソケットを用いて測定を行う場合を示す断
面図である。
図において、tl+ないL +31 、 +61 、
+71ないしく9)げ第3図の従来例にて示したものと
同等であるので、説明の重複を避ける。atua素子ガ
イド(光拡散材質)%Q3iソケットベースb(光拡散
材質)である。なお、ソケットベース・(5)と、ソケ
ットベースb(+:4は圧接されている。
+71ないしく9)げ第3図の従来例にて示したものと
同等であるので、説明の重複を避ける。atua素子ガ
イド(光拡散材質)%Q3iソケットベースb(光拡散
材質)である。なお、ソケットベース・(5)と、ソケ
ットベースb(+:4は圧接されている。
次に動作について説明する。
(91の光源にて発生した光が、ソケットベースb(1
1,素子ガイド(121の光拡散材により均一化され、
光半導体素子(11に照射される。
1,素子ガイド(121の光拡散材により均一化され、
光半導体素子(11に照射される。
第2図に示す測定状態でニ、リード押え(31により光
半導体素子(l)、素子ガイド(121が圧接され、バ
ネ(8)框素子ガイドの移動量だけ収縮する。この時、
光半導体素子(11は素子ガイドQ2)に近接するため
、拡散光が効率よく照射される。
半導体素子(l)、素子ガイド(121が圧接され、バ
ネ(8)框素子ガイドの移動量だけ収縮する。この時、
光半導体素子(11は素子ガイドQ2)に近接するため
、拡散光が効率よく照射される。
なお、上記実施例でに部分的に光拡散材を使用するもの
を示したが、ソケット全体を光拡散性材料で構成しても
よい。
を示したが、ソケット全体を光拡散性材料で構成しても
よい。
また、ソケットベースの光拡散材部分については、光の
必要波長を透過させる材質、又は空胴を作成しても同様
の効果を得られる。
必要波長を透過させる材質、又は空胴を作成しても同様
の効果を得られる。
上記の説明elf、SOP TYP!:のものを主とし
て説明したが、他のパッケージ用ソケットにおいても同
様の効果を得られる。
て説明したが、他のパッケージ用ソケットにおいても同
様の効果を得られる。
以上のように、この発明によれば、光拡散板をソケット
内部に一体化したので、装置が安価、単純化できるとと
もに、高精度の光測定が得られる効果がある。
内部に一体化したので、装置が安価、単純化できるとと
もに、高精度の光測定が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による光半導体測定用ソケ
ットの構成を示す断IIj図、第2図は第1図のソケッ
トを用いて測定を行う場合を示す断面図、@3図は従来
の光半導体測定用ソケットを示す断面図である。 図において、(1)は光半導体素子、(21は素子IJ
+ド、(31はリード押え、(111はソケットベー
ス1、(フ)に接触子、(8)はバネ、(9)は光源、
Qi!]は素子ガイド(光拡散材質)、031tfソケ
ツトペースb(光拡散材質)である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 鵡へ 大岩増雄 (笥b−7 第2図 ! 第3図 !/°光瓢散扱評t
ットの構成を示す断IIj図、第2図は第1図のソケッ
トを用いて測定を行う場合を示す断面図、@3図は従来
の光半導体測定用ソケットを示す断面図である。 図において、(1)は光半導体素子、(21は素子IJ
+ド、(31はリード押え、(111はソケットベー
ス1、(フ)に接触子、(8)はバネ、(9)は光源、
Qi!]は素子ガイド(光拡散材質)、031tfソケ
ツトペースb(光拡散材質)である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 鵡へ 大岩増雄 (笥b−7 第2図 ! 第3図 !/°光瓢散扱評t
Claims (1)
- (1)光半導体測定用ソケットと、光拡散板とを一体化
したことを特徴とする光半導体測定用ソケット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP996388A JPH01184478A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 光半導体測定用ソケツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP996388A JPH01184478A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 光半導体測定用ソケツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01184478A true JPH01184478A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11734593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP996388A Pending JPH01184478A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 光半導体測定用ソケツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01184478A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180164344A1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-06-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor inspection jig |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP996388A patent/JPH01184478A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180164344A1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-06-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor inspection jig |
US10895586B2 (en) | 2016-12-12 | 2021-01-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor inspection jig |
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