JP2018088450A - 電子部品の選別方法、電子部品の選別装置、テーピング電子部品連の製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
により設定する。
この構成によれば、脱磁によって変化する特性値に応じた脱磁変化率に基づいて上限選別閾値と下限選別閾値とを設定して電子部品を選別することで、脱磁処理を考慮して電子部品の選別を行うことができる。
脱磁変化率=(脱磁前インピーダンス値−脱磁後インピーダンス値)/脱磁後インピーダンス値
により算出することが好ましい。
この構成によれば、脱磁により変化するインピーダンス値による脱磁変化率を容易に設定することができる。
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+LW方向脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+LT方向脱磁変化率)
により設定することが好ましい。
この構成によれば、特性の測定値に方向性を有する電子部品において、その方向性に応じた脱磁変化率を設定することで、脱磁処理を考慮して電子部品の選別を行うことができる。
LW方向脱磁変化率=(Z1−Z2)/Z2
により設定し、前記LT面の前記外部電極に前記測定端子を接触させて測定した脱磁前のインピーダンス値をZ3、脱磁後のインピーダンス値をZ4とし、前記LT方向脱磁変化率を、
LT方向脱磁変化率=(Z3−Z4)/Z4
により設定することが好ましい。
この構成によれば、特性の測定値に方向性を有する電子部品において、その方向性に応じた脱磁変化率を設定することで、脱磁処理を考慮して電子部品の選別を行うことができる。
この構成によれば、抵抗値とインピーダンス値とに基づいて電子部品の良否を判定して選別することができる。
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
により設定する。
この構成によれば、脱磁によって変化する特性値に応じた脱磁変化率に基づいて上限選別閾値と下限選別閾値とを設定して電子部品を選別することで、脱磁処理を考慮して電子部品の選別を行うことができる。
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
により設定する。
この構成によれば、脱磁によって変化する特性値に応じた脱磁変化率に基づいて上限選別閾値と下限選別閾値とを設定して電子部品を選別することで、脱磁処理を考慮して電子部品の選別を行うことができる。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
キャリアテープ31は、電子部品を収容する収容穴を有している。テーピング装置12は、電子部品をキャリアテープ31の収容穴に収容し、その収容穴をカバーテープ32にて閉塞する。これにより、収容穴に電子部品を収容したテーピング電子部品連33を形成する。リール部23は、テーピング電子部品連33を巻き取る。リール部23は、テーピング電子部品連33を搬送する。リール部23とテーピング電子部品連33は電子部品を搬送する搬送手段を構成する。そして、搬送されるテーピング電子部品連33により、電子部品の移動経路を構成する。
図6(a)に示すように、電子部品40は、部品素体41と外部電極42,43とを有している。部品素体41は、略直方体状である。例えば、部品素体41は、略正四角柱状である。なお、「略直方体」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。
図3(a)及び図3(b)に示すように、テーピング電子部品連33は、収容穴31aを有するキャリアテープ31と、キャリアテープ31の上面に配設されたカバーテープ32と、各収容穴31aに収容された電子部品40とを含む。本実施形態のキャリアテープ31は、収容穴31aが貫通して形成されたベーステープ31bと、ベーステープ31bの下面に取着されたボトムテープ31cとを有している。なお、ベーステープ31bとボトムテープ31cとを一体としたキャリアテープを用いてもよい。
図1に示すように、テーピング装置12は、ボールフィーダ61、リニアフィーダ62、搬送機構63を有している。
搬送テーブル64は、複数の凹部65を有している。搬送テーブル64は、円板状であり、複数の凹部65は、それぞれ、搬送テーブル64の径方向外側端部に設けられている。複数の凹部65は、搬送テーブル64の周方向に沿って間隔を置いて設けられている。例えば、複数の凹部65は、搬送テーブル64の周方向に沿って等間隔に設けられている。各凹部65は、搬送テーブル64の外周面から中心軸Cに向かって延びている。各凹部65は、平面視(搬送テーブル64の中心軸Cの方向から視て)矩形状に形成されている。各凹部65は、電子部品40よりも若干大きく形成されている。
図10(a)に示すように、電子部品40の外部電極42,43に測定端子T1,T2を所定の押圧力にて接触させ、電子部品40の特性値を測定する。このとき、電気クリーニング(ECM:Electric Cleaning Module)を実施する。電気クリーニングは、測定端子T1,T2と電子部品40の外部電極42,43との間の接触性を安定化するための処理である。測定端子T1,T2の表面や外部電極42,43の表面に異物の付着や酸化膜等の被膜があると、測定端子T1,T2と外部電極42,43との接触性が不安定となる。このため、測定端子T1,T2の間にバイアス電圧を印加した状態にて、外部電極42,43に測定端子T1,T2を接触させと、測定端子T1,T2と外部電極42,43の間に放電現象が発生する。この放電現象により、皮膜(例えば、錫めっき酸化膜)や表面に付着した異物を除去する。これにより、測定端子T1,T2と外部電極42,43との間の接触性が安定化する。
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
に基づいて設定する。
出荷上限閾値=製品規格上限値−選別マージン
出荷下限閾値=製品規格下限値+選別マージン
により設定される。
LT方向脱磁変化率=(Z1−Z3)/Z3
LW方向脱磁変化率=(Z2−Z4)/Z4
により得る。そして、上限選別閾値と下限選別閾値とを、次の式、
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+LW方向脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+LT方向脱磁変化率)
により設定する。
上述したように、出荷上限閾値とLW方向脱磁変化率とに基づいて上限選別閾値を設定する。このように設定した上限選別閾値を用いることにより、LT方向において測定した電子部品を確実に選別することができる。つまり、上限選別閾値により良品と判定した電子部品40のインピーダンス値をLT面による測定にて得た場合、そのインピーダンス値は、脱磁後において、出荷上限閾値よりも小さな値となる。つまり、良品と判定した電子部品は、脱磁後においても、そのインピーダンス値は良品となる範囲内となる。
脱磁変化率=(Z5−Z6)/Z6
により得る。
脱磁による特性値(インピーダンス値)の変化率(脱磁変化率)と出荷のための閾値とに基づいて選別のための閾値を設定し、その選別閾値に基づいて電子部品40の選別を行うようにした。そして、良品として選別した電子部品40を脱磁装置13により脱磁処理する。脱磁後の電子部品40の特性値(インピーダンス値)は、出荷のための範囲に収まる。このように、脱磁処理を考慮した電子部品40の選別が行われる。
図8(a)及び図8(b)は、キャリアテープ31の搬送方向において、脱磁装置13によって生じる磁界の強さを示している。図8(a)は、キャリアテープ31の移動方向において、キャリアテープ31に対して水平に形成される交番磁界の強さを示す。図8(b)は、キャリアテープ31の移動方向において、キャリアテープ31に対して垂直に形成される交番磁界の強さを示す。
(1)脱磁による特性値(インピーダンス値)の変化率(脱磁変化率)と出荷のための閾値とに基づいて選別のための閾値を設定し、その選別閾値に基づいて電子部品40の選別を行うようにした。そして、良品として選別した電子部品40を脱磁装置13により脱磁処理する。脱磁後の電子部品40の特性値(インピーダンス値)は、出荷のための範囲に収まる。このように、脱磁処理を考慮した電子部品40の選別を行うことができる。
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態に対し、コアの形状を適宜変更してもよい。
図14(e)に示すように、一対の磁極部112,113が互いに接続され、連結部を有していない、V字状のコア111を用いてもよい。
・上記実施形態では、テーピング電子部品連33の下方に脱磁装置13を配設したが、テーピング電子部品連33の上方に脱磁装置13を配設してもよい。
Claims (7)
- 磁性材料を含む電子部品の選別方法であって、
前記電子部品は選別後に脱磁処理されるものであり、
前記電子部品の外部電極に、バイアスを印加した測定端子を接触させて前記測定端子と接する前記外部電極の接触部分をクリーニングし、前記測定端子を介して前記電子部品のインピーダンス値を測定する工程と、
前記電子部品に対応する上限選別閾値及び下限選別閾値と測定したインピーダンス値とを比較して前記電子部品の良否を判定し、良品の前記電子部品を選別する工程と、
を含み、
前記上限選別閾値と前記下限選別閾値とを、前記電子部品の出荷のための出荷上限閾値及び出荷下限閾値と、前記電子部品の脱磁において前記インピーダンス値が変化する脱磁変化率とに基づいて、
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
により設定する、
電子部品の選別方法。 - 前記脱磁変化率を、脱磁前のインピーダンス値と脱磁後のインピーダンス値とに基づいて、
脱磁変化率=(脱磁前インピーダンス値−脱磁後インピーダンス値)/脱磁後インピーダンス値
により算出する、
請求項1に記載の電子部品の選別方法。 - 前記電子部品は、積層された複数のコイルパターンからなるコイル導体を含む積層インダクタであり、前記コイルパターンの積層方向を高さ方向Tとし、前記コイルパターンと平行な方向を幅方向Wとし、高さ方向T及び幅方向Wと直交する方向を長さ方向Lとし、
長さ方向Lと幅方向Wとにより規定されるLW面において前記測定する工程を実施した場合のインピーダンス値の脱磁による変化率をLW方向脱磁変化率とし、
長さ方向Lと高さ方向Tとにより規定されるLT面において前記測定する工程を実施した場合のインピーダンス値の脱磁による変化率をLT方向脱磁変化率とし、
前記上限選別閾値と前記下限選別閾値とを、
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+LW方向脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+LT方向脱磁変化率)
により設定する、
請求項1又は2に記載の電子部品の選別方法。 - 前記LW面の前記外部電極に前記測定端子を接触させて測定した脱磁前のインピーダンス値をZ1、脱磁後のインピーダンス値をZ2とし、
前記LW方向脱磁変化率を、
LW方向脱磁変化率=(Z1−Z2)/Z2
により設定し、
前記LT面の前記外部電極に前記測定端子を接触させて測定した脱磁前のインピーダンス値をZ3、脱磁後のインピーダンス値をZ4とし、
前記LT方向脱磁変化率を、
LT方向脱磁変化率=(Z3−Z4)/Z4
により設定する、
請求項3に記載の電子部品の選別方法。 - 前記電子部品の抵抗値を測定する工程を含み、
前記電子部品の良否を判定する工程において、前記インピーダンス値と前記抵抗値とに基づいて判定する、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品の選別方法。 - 磁性材料を含む電子部品の選別装置であって、
前記電子部品は選別後に脱磁処理されるものであり、
前記電子部品の外部電極に、バイアスを印加した測定端子を接触させて前記測定端子と接する前記外部電極の接触部分をクリーニングし、前記測定端子を介して前記電子部品のインピーダンス値を測定する測定部と、
前記電子部品に対応する上限選別閾値及び下限選別閾値と測定したインピーダンス値とを比較して前記電子部品の良否を判定する制御部と、
前記制御部の判定結果に基づいて、良品の前記電子部品を選別する選別部と、
を含み、
前記制御部は、
前記上限選別閾値と前記下限選別閾値とを、前記電子部品の出荷のための出荷上限閾値及び出荷下限閾値と、前記電子部品の脱磁において前記インピーダンス値が変化する脱磁変化率とに基づいて、
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
により設定する、
電子部品の選別装置。 - 長手方向に沿って間隔を開けて形成された複数の収容穴を有するキャリアテープと、前記収容穴に収容された電子部品と、前記収容穴を塞ぐカバーテープとを有するテーピング電子部品連を生成するテーピング電子部品連の製造装置であって、
前記電子部品を前記キャリアテープに搬送する搬送部と、
前記搬送部における前記電子部品の搬送経路に設けられ、前記電子部品に接触させる一対の測定端子の間にバイアス電圧を印加して前記電子部品の外部電極に接触させて前記測定端子と接する前記外部電極の接触部分をクリーニングし、前記測定端子を介して前記電子部品の特性を測定する測定部と、
前記電子部品に対応する上限選別閾値及び下限選別閾値と測定したインピーダンス値とを比較して前記電子部品の良否を判定する制御部と、
前記制御部の判定結果に基づいて、良品の前記電子部品を選別する選別部と、
前記テーピング電子部品連を巻き取る巻き取り部と、
前記搬送部と前記巻き取り部との間に配設された脱磁装置と、
を含み、
前記制御部は、
前記上限選別閾値と前記下限選別閾値とを、前記電子部品の出荷のための出荷上限閾値及び出荷下限閾値と、前記電子部品の脱磁において前記インピーダンス値が変化する脱磁変化率とに基づいて、
上限選別閾値=出荷上限閾値×(1+脱磁変化率)
下限選別閾値=出荷下限閾値×(1+脱磁変化率)
により設定する、
テーピング電子部品連の製造装置。
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